JP2015522937A - 複数の放射ビームの特性を修正するアセンブリ、リソグラフィ装置、複数の放射ビームの特性を修正する方法およびデバイス製造方法 - Google Patents

複数の放射ビームの特性を修正するアセンブリ、リソグラフィ装置、複数の放射ビームの特性を修正する方法およびデバイス製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 例えば、ファイバまたは導波路寿命および／またはレーザダイオードのコスト／入手可能性の問題に対処するアセンブリを提供する。【解決手段】 複数の放射ビームの特性を修正するアセンブリであって、アセンブリは、複数の放射ビームをより接近させて誘導するように構成された複数の導波路と、複数の導波路によって誘導された複数の放射ビームを受け、かつ整数倍の高い周波数を有する対応する複数の放射ビームを生成するように構成された周波数逓倍デバイスとを備える。対応するリソグラフィ装置、複数の放射ビームの特性を修正する方法およびデバイス製造方法についても記載する。【選択図】 図１

Description

関連出願への相互参照
[0001] 本願は、２０１２年６月１日に出願した米国仮出願第６１／６５４，５７５号および２０１２年６月６日出願した米国仮出願第６１／６６８，９２４号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。
[0002] 本発明は、複数の放射ビームの１つ以上の特性を修正するアセンブリ、リソグラフィ装置、複数の放射ビームの１つ以上の特性を修正する方法およびデバイス製造方法に関する。
[0003] リソグラフィまたは露光装置は、所望のパターンを基板上または基板の一部上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）、フラットパネルディスプレイおよび微細なフィーチャを有する他のデバイスまたは構造の製造に用いることができる。従来のリソグラフィまたは露光装置では、ＩＣ、フラットパネルディスプレイまたは他のデバイスの個々の層に対応する回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、例えば、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって基板（例えば、シリコンウェーハまたはガラスプレート）（の一部）上に転写することができる。
[0004] パターニングデバイスは、回路パターンの代わりに他のパターン、例えば、カラーフィルタパターンまたはドットマトリクス、を生成するために用いることができる。パターニングデバイスは、従来のマスクの代わりに、回路または他の適用できるパターンを生成する個別制御可能素子アレイを含むパターニングアレイを備えてもよい。従来のマスクベースのシステムと比較してそのような「マスクレス」システムの利点は、パターンをより迅速かつより低価格で提供および／または変更することができることである。
[0005] したがって、マスクレスシステムは、プログラマブルパターニングデバイス（例えば、空間光変調器、コントラストデバイスなど）を含む。プログラマブルパターニングデバイスは、個別制御可能素子アレイを用いて所望のパターン付きビームを形成するように（例えば、電子的または光学的に）プログラミングされる。プログラマブルパターニングデバイスの種類としては、マイクロミラーアレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）アレイ、グレーティングライトバルブアレイ、自発光コントラストデバイス(self-emissive contrast device)アレイなどが挙げられる。プログラマブルパターニングデバイスは、例えば、ターゲット（例えば、基板）上に投影された放射スポットを移動させるか、または、放射ビームをターゲット（例えば、基板）から、例えば放射ビームアブソーバに断続的に誘導するように構成された電子光学偏向器から形成することもできる。上記のいずれの構成では、放射ビームが連続的でもよい。
[0006] ４０５ｎｍシングルモードレーザダイオードを、プログラマブルパターニングデバイスの自発光コントラストデバイスとして使用することができる。そのような構成では、１つ以上のシングルモード光ファイバ（導波路の一種）を用いて放射を移動および／または誘導することができる。高出力４０５ｎｍシングルモードレーザダイオードは、高価であり限られた寿命を有し得る。さらに、光ファイバの寿命に対する問題があり得る。例えば、光ファイバの入口および／または出口表面はすぐに劣化し得る（例えば、特別な保護なく数日のうちに）。保護を用いると、寿命は、光ファイバ付きレーザ寿命によると約３０００時間延長することができる。
[0007] より高い周波数放射を使用し得る今後の用途では、ファイバまたは導波路寿命および／またはレーザダイオードのコスト／入手可能性の問題が増加し得る。
[0008] レーザダイオードがレーザ発振閾値より上で連続的に動作する場合に別の問題が生じる。これは、例えば、高速および正確な切り替えを達成するために必要となり得る。レーザダイオードを閾値の上で維持することは、背景放射レベルの上昇となる場合があり、これも不均一になり得る。この影響はコントラスト損失へと繋がり得る。
[0009] さらなる問題は、レーザダイオードのビーム照準安定性であり、特に、複数のレーザダイオードに対しておよびレーザダイオード間のピッチがターゲット上のスポットの所望のピッチとなるように大幅に縮小される場合に当てはまる。この問題は、ビーム照準エラーがレーザダイオードピッチの縮小に反比例してターゲットレベルでテレセントリック性エラーに移るために生じる。
[0010] 例えば、上記の問題のうちの少なくとも１つまたは当該技術分野の別の問題に取り組むことが望ましい。
[0011] 一実施形態によると、複数の放射ビームの特性を修正するアセンブリが提供される。アセンブリは、複数の放射ビームをより接近させて誘導するように構成された複数の導波路と、複数の導波路によって誘導された複数の放射ビームを受け、かつ整数倍の高い周波数を有する対応する複数の放射ビームを生成するように構成された周波数逓倍デバイス(frequency multiplying device)とを備える。
[0012] 一実施形態によると、複数の個別制御可能な放射ビームを提供する放射源と、放射ビームの各々をターゲット上のそれぞれの箇所に投影する投影システムとを備える露光装置が提供される。放射源は、複数の放射ビームをより接近させて誘導するように構成された複数の導波路と、複数の導波路によって誘導された複数の放射ビームを受け、かつ整数倍の高い周波数を有する対応する複数の放射ビームを生成するように構成された周波数逓倍デバイスとを備える。
[0013] 一実施形態によると、複数の個別制御可能な放射ビームを提供する放射源であって、複数の垂直外部共振器面発光レーザ(vertical-external-cavity surface-emitting laser)（ＶＥＣＳＥＬ）を含む放射源と、放射ビームの各々をターゲット上のそれぞれの箇所に投影するように構成された投影システムとを備える、露光装置が提供される。
[0014] 一実施形態によると、複数の放射ビームの特性を修正する方法が提供される。方法は、放射ビームをより接近させて誘導する複数の導波路を使用することと、複数の導波路によって誘導された複数の放射ビームを受け、かつ整数倍の高い周波数を有する対応する複数の放射ビームを生成する周波数逓倍デバイスを使用することとを含む。
[0015] 一実施形態によると、複数の個別制御可能な放射ビームをより接近させて誘導する複数の導波路を使用することと、複数の導波路によって誘導された複数の放射ビームを受け、かつ整数倍の高い周波数を有する対応する複数の放射ビームを生成する周波数逓倍デバイスを使用することと、放射ビームの各々をターゲット上のそれぞれの箇所に投影することとを含む、デバイス製造方法が提供される。
[0016] 一実施形態によると、複数の垂直外部共振器面発光レーザ（ＶＥＣＳＥＬ）を用いて複数の個別制御可能な放射ビームを提供することと、放射ビームの各々をターゲット上のそれぞれの箇所に投影することとを含む、デバイス製造方法が提供される
[0017] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
[0018] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィまたは露光装置の一部を示す。 [0019] 図２は、本発明の一実施形態による図１の装置の一部の上面図を示す。 [0020] 図３は、本発明の一実施形態によるリソグラフィまたは露光装置の一部の非常に概略的な斜視図を示す。 [0021] 図４は、本発明の一実施形態による、図３に記載の装置による基板上への投影の概略上面図を示す。 [0022] 図５は、本発明の一実施形態の一部の断面を示す。 [0023] 図６は、複数の導波路および周波数逓倍デバイスを示す。 [0024] 図７は、ＶＥＣＳＥＬのアレイを含む放射源を示す。 [0025] 図８は、ＶＥＣＳＥＬを含む放射源と周波数逓倍デバイスとの組み合わせを示す。 [0026] 図９は、ＶＥＣＳＥＬ構成の一例を示す。
[0027] 本発明の一実施形態は、例えば、自発光コントラストデバイスの１つまたは複数のアレイで構成することができるプログラマブルパターニングデバイスを含み得る装置に関する。そのような装置に関する詳細は、国際公開第ＷＯ２０１０／０３２２２４Ａ２号、米国特許出願公開第２０１１−０１８８０１６号、米国特許出願第６１／４７３６３６号および米国特許出願第６１／５２４１９０号に記載されており、その全体を本願に参考として組み込むが、本発明の一実施形態は、例えば、上記のものを含むあらゆる型のプログラマブルパターニングデバイスで使用することができる。
[0028] 図１は、リソグラフィまたは露光装置の一部の概略側断面図を概略的に示す。この実施形態では、装置は、以下に詳細に説明するように、Ｘ−Ｙ平面で実質的に固定された個別制御可能素子を有するが、これに限らない。リソグラフィまたは露光装置１は、基板を保持する基板テーブル２および基板テーブル２を６自由度まで移動させる位置決めデバイス３を含む。基板は、レジストコート基板であってもよい。一実施形態では、基板はウェーハである。一実施形態では、基板は多角形（例えば、長方形）基板である。一実施形態では、基板はガラスプレートである。一実施形態では、基板はプラスチック基板である。一実施形態では、基板はフォイルである。一実施形態では、装置はロール・ツー・ロール製造に適している。
[0029] 装置１は、複数のビームを発するように構成された複数の個別制御可能な自発光コントラストデバイス４をさらに含む。一実施形態では、自発光コントラストデバイス４は、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）、高分子ＬＥＤ（ＰＬＥＤ）またはレーザダイオード（例えば、固体レーザダイオード）などの放射発光ダイオードである。一実施形態では、個別制御可能素子４の各々は青紫色レーザダイオード（例えば、三洋の型番ＤＬ−３１４６−１５１）である。そのようなダイオードは、三洋電機株式会社、日亜化学工業株式会社、オスラム株式会社およびナイトライド・セミコンダクター株式会社などの企業から供給することができる。一実施形態では、ダイオードは、例えば、約３６５ｎｍまたは約４０５ｎｍの波長を有するＵＶ放射を発する。一実施形態では、ダイオードは、０．５〜２００ｍＷの範囲から選択された出力パワーを提供することができる。一実施形態では、レーザダイオード（裸ダイ）のサイズは、１００〜８００マイクロメートルの範囲から選択される。一実施形態では、レーザダイオードは、０．５〜５平方マイクロメートルの範囲から選択された発光面積を有する。一実施形態では、レーザダイオードは、５〜４４度の範囲から選択された発散角を有する。一実施形態では、ダイオードは、約６．４×１０８Ｗ（ｍ２．ｓｒ）以上の全光度を提供する構成（例えば、発光面積、発散角、出力パワー等）を有する。
[0030] 自発光コントラストデバイス４は、フレーム５上に配置され、Ｙ方向および／またはＸ方向に沿って延在することができる。図示するフレーム５は１つであるが、図２に示すように装置は複数のフレーム５を有してもよい。フレーム５上にさらに配置されているのはレンズ１２である。フレーム５、よって自発光コントラストデバイス４およびレンズ１２は、Ｘ−Ｙ平面において実質的に固定されている。フレーム５、自発光コントラストデバイス４およびレンズ１２は、アクチュエータ７によってＺ方向に移動することができる。代替的にまたは加えて、レンズ１２は、この特定のレンズに関連するアクチュエータによってＺ方向に移動することができる。任意選択として、各レンズ１２には、アクチュエータが設けられてもよい。
[0031] 自発光コントラストデバイス４は、ビームを発するように構成され、かつ投影システム１２、１４および１８は、ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成されてもよい。自発光コントラストデバイス４および投影システムは、光学コラムを形成する。装置１は、光学コラムまたはその一部を基板に対して移動させるアクチュエータ（例えば、モータ）１１を含んでもよい。フィールドレンズ１４および結像レンズ１８が上に配置されたフレーム８は、アクチュエータによって回転可能であってもよい。フィールドレンズ１４および結像レンズ１８の組み合わせは、可動光学系９を形成する。使用中、フレーム８は、それ自体の軸１０の周りを、例えば、図２に矢印で示す方向に回転する。フレーム８は、アクチュエータ（例えば、モータ）１１を用いて軸１０の周りを回転する。さらに、フレーム８は、可動光学系９が基板テーブル２に対して変位することができるように、モータ７によってＺ方向に移動することができる。
[0032] 中にアパーチャを有するアパーチャ構造１３は、レンズ１２の上でレンズ１２と自発光コントラストデバイス４との間に配置することができる。アパーチャ構造１３は、レンズ１２、関連の自発光コントラストデバイス４の回折効果および／または隣接レンズ１２、自発光コントラストデバイス４の回折効果を制限することができる。
[0033] 図示した装置は、フレーム８を回転すると同時に光学コラムの下で基板テーブル２上の基板を移動することによって使用することができる。自発光コントラストデバイス４は、レンズが実質的に互い位置合わせされているときにビームをレンズ１２、１４および１８を介して発することができる。レンズ１４および１８を移動することによって、基板上のビームのイメージが基板の一部上でスキャンされる。同時に光学コラムの下で基板テーブル２上の基板を移動することによって、自発光コントラストデバイス４が結像される基板の一部も移動する。自発光コントラストデバイス４をコントローラの制御の下で高速に「オン」および「オフ」（例えば、「オフ」のときは出力がないか閾値より低い出力を有し、「オン」のときは閾値より高い出力を有する）に切り替え、光学コラムまたはその一部の回転を制御し、自発光コントラストデバイス４の強度を制御し、かつ基板の速度を制御することによって、所望のパターンを基板上のレジスト層内に結像することができる。
[0034] 図２は、自発光コントラストデバイス４を有する図１の装置の概略上面図を示す。図１に示す装置１のように、装置１は、基板１７を保持する基板テーブル２と、基板テーブル２を６自由度まで移動させる位置決めデバイス３と、自発光コントラストデバイス４と基板１７との間のアライメントを決定しかつ基板１７が自発光コントラストデバイス４の投影に対して水平であるか否かを決定するアライメント／レベルセンサ１９とを備える。図示するように、基板１７は長方形であるが、それに加えてまたは代替的に、円形の基板を処理してもよい。
[0035] 自発光コントラストデバイス４は、フレーム１５上に配置される。自発光コントラストデバイス４は、放射発光ダイオード、例えば、レーザダイオード、例えば、青紫色レーザダイオードであってもよい。図２に示すように、自発光コントラストデバイス４は、Ｘ−Ｙ平面で延在するアレイ２１に構成することができる。
[0036] アレイ２１は細長い線であってもよい。一実施形態では、アレイ２１は、自発光コントラストデバイス４の一次元アレイであってもよい。一実施形態では、アレイ２１は、自発光コントラストデバイス４の二次元アレイであってもよい。
[0037] 矢印で示す方向に回転することができる回転フレーム８を設けてもよい。回転フレームには、各々の自発光コントラストデバイス４のイメージを提供するために（図１に示す）レンズ１４，１８を設けることができる。装置には、フレーム８およびレンズ１４，１８を含む光学コラムを基板に対して回転させるためにアクチュエータを設けることができる。
[0038] 図３は、外周にレンズ１４，１８が設けられた回転フレーム８の非常に概略的な斜視図を示す。複数のビーム、この例では１０ビームは、１つのレンズに入射され、基板テーブル２によって保持された基板１７のターゲット部分上に投影される。一実施形態では、複数のビームが直線に配置される。回転可能フレームは、アクチュエータ（図示せず）によって軸１０の周りで回転できる。図４を参照してより詳細に説明するように、回転可能フレーム８の回転の結果、ビームは、連続レンズ１４，１８（フィールドレンズ１４および結像レンズ１８）に入射し、各連続レンズに入射すると、基板１７の表面の一部に沿って進むように偏向される。一実施形態では、各ビームは、それぞれの放射源、すなわち、自発光コントラストデバイス、例えば、レーザダイオード（図３に示さず）によって生成される。図３に示す構成では、ビームは、ビーム間の距離を縮小するために分割鏡３０によって偏向されて集められ、それによって、より多くの数のビームが同じレンズを介して投影されることができ、以下に説明する解像度要件を達成する。
[0039] 回転可能フレームが回転しながらビームは連続レンズに入射し、レンズがビームによって照射されるたびに、ビームが入射するレンズの表面上の箇所が移動する。ビームがレンズ上へのビームの入射箇所に応じて基板上に様々に投影される（例えば、種々の偏向）ため、（基板に到達するときの）ビームは、後続のレンズの各通過によってスキャン動作を行う。この原理は、図４を参照しながら詳細に説明する。図４は、回転可能フレーム８の一部の非常に概略的な上面図を示している。第１セットのビームはＢ１、第２セットのビームはＢ２、第３セットのビームはＢ３で表している。各セットのビームは、回転可能フレーム８のそれぞれのレンズセット１４，１８を介して投影される。回転可能フレーム８が回転しながら、ビームＢ１はスキャン動作で基板１７上、よってスキャン領域Ａ１４に投影される。同様に、ビームＢ２は領域Ａ２４をスキャンし、ビームＢ３は領域Ａ３４をスキャンする。対応するアクチュエータによる回転可能フレーム８の回転と同時に、基板１７および基板テーブルは方向Ｄ（図２に示すＸ軸に沿う方向であり得る）に移動され、よって、領域Ａ１４，Ａ２４，Ａ３４内のビームのスキャン方向に実質的に垂直である。第２アクチュエータによる方向Ｄの動作（例えば、対応する基板テーブルモータによる基板テーブルの動作）の結果、回転可能フレーム８の連続レンズによって投影されるときのビームの連続スキャンは、互いに実質的に隣接するように投影される。結果的に、ビームＢ１の連続スキャンの各々に対しては、実質的隣接する領域Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３，Ａ１４（図４に示すように領域Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３は既にスキャンされ、Ａ１４は現在スキャンされている）、ビームＢ２に対しては、領域Ａ２１，Ａ２２，Ａ２３およびＡ２４（図４に示すように領域Ａ２１，Ａ２２，Ａ２３は既にスキャンされ、Ａ２４は現在スキャンされている）、ビームＢ３に対しては、領域Ａ３１，Ａ３２，Ａ３３およびＡ３４（図４に示すように領域Ａ３１，Ａ３２，Ａ３３は既にスキャンされ、Ａ３４は現在スキャンされている）となる。それにより、基板表面の領域Ａ１，Ａ２，Ａ３には、回転可能フレーム８が回転している間、方向Ｄの基板の動作が広がり得る。レンズを通過するたびに、複数のビームが各レンズを用いて基板をスキャンして連続スキャンに対する方向Ｄの変位を増大できるため、複数のビームが同じレンズを介して投影することは、基板全体の処理をより短い時間枠（回転可能フレーム８の同じ回転速度）で可能にする。別の視点から見ると、ある処理時間に対して、回転可能フレームの回転速度は、複数のビームが同じレンズを介して基板上に投影される場合に減速することができ、それにより、高回転速度による回転可能フレームの変形、摩耗、振動、乱れなどの影響を減少できる。一実施形態では、複数のビームは、図４に示すように、レンズ１４，１８の回転の接線方向に対して所定の角度に配置される。一実施形態では、複数のビームは、各ビームが隣接ビームのスキャンパスを重複または接するように配置される。
[0040] 複数のビームが同じレンズによって一度に投影される態様のさらなる効果は、公差の緩和に見られる。レンズの公差（位置決め、光学投影等）により、連続領域Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３，Ａ１４（および／または領域Ａ２１，Ａ２２，Ａ２３およびＡ２４および／または領域Ａ３１，Ａ３２，Ａ３３およびＡ３４）の位置は、互いに対してある程度の位置決め誤差があり得る。したがって、連続領域Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３，Ａ１４間には、ある程度の重複が必要となり得る。例えば１つのビームの１０％が重複するとき、一度に単一のビームが同じレンズを通過する場合、処理速度は同じ１０％だけ減速する。一度に５つ以上のビームが同じレンズを介して投影された場合、同じ１０％の重複（同様に、上記の１つのビームの例に関する）が５つ以上の投影線毎に提供される。したがって、およそ５％以上〜２％以下だけ全体重複を減少し、それによって、全体の処理速度に対してかなり低い影響を与える。同様に、少なくとも１０個のビームを投影することは、全体重複をおよそ１０の倍数で減少することができる。したがって、基板の処理時間に対する公差の影響を、複数のビームが同じレンズによって一度に投影されるという特徴によって減少することができる。加えてまたは代替的に、多数のビームが同じレンズによって一度に投影されることを考慮すると、処理に対する影響は低いためさらなる重複（したがって、より大きい公差帯域）が可能となる。
[0041] 一度に同じレンズを介して複数のビームを投影する代わりにまたはそれに加えて、インターレース技術を使用することができるが、これはレンズ間の比較的より厳密な一致を必要とし得る。したがって、同じレンズを介して一度に基板上に投影される少なくとも２つのビームは相互間隔を有し、装置は、基板を光学コラムに対して移動させるように第２アクチュエータを動作させて次のビームの投影が間隔に投影されるように構成することができる。
[0042] 方向Ｄにおける１つのグループ内の連続ビーム間の距離を縮小する（それによって、例えば、方向Ｄにおいてより高い解像度を達成する）ために、ビームは、方向Ｄに対して、互いに対角に配置されてよい。間隔は、分割鏡３０を光学路に提供することによってさらに縮小することができる。各セグメントはそれぞれ１つのビームを反射し、セグメントは、ミラーに入射するビーム間の間隔に対してミラーに反射されるビーム間の間隔が減少するように構成される。そのような効果は、複数の光ファイバによっても達成することができる。各ビームはそれぞれのファイバに入射し、ファイバは、光ファイバより上流のビーム間の間隔に対して光ファイバより下流のビーム間の間隔が光学路に沿って減少するように構成される。
[0043] さらに、そのような効果は、複数の入力を有する集積光導波路回路を用いて達成することができ、各入力はそれぞれのビームを受け取る。集積光導波路回路は、集積光導波路回路より上流のビーム間の間隔に対して集積光導波路回路より下流のビーム間の間隔が光学路に沿って減少するように構成される。
[0044] 基板上に投影されたイメージの焦点を制御するためにシステムを設けることができる。構成は、上記したような構成において光学コラムの一部または全てによって投影されたイメージの焦点を調整するように設けられてよい。
[0045] 一実施形態では、投影システムは、デバイスが上に形成される基板１７より上の材料層から成る基板上に少なくとも１つの放射ビームを投影させてレーザ誘起材料移動によって材料（例えば、金属）の小滴の局所堆積をもたらす。
[0046] 図５を参照すると、レーザ誘起材料移動の物理的メカニズムが示されている。一実施形態では、放射ビーム２００は、材料２０２がプラズマ分解するより低い強度で実質的に透明な材料２０２（例えば、ガラス）を介して合焦される。表面熱吸収は、材料２０２を覆うドナー材料層２０４（例えば、金属膜）から形成された基板上に生じる。熱吸収はドナー材料２０４の溶融を引き起こす。さらに、加熱が前進方向の誘起圧力勾配をもたらすことにより、ドナー材料層２０４から、よって、ドナー構造（例えば、プレート）２０８からのドナー材料滴２０６の前進方向加速が生じる。したがって、ドナー材料滴２０６はドナー材料層２０４から解放され、デバイスが上に形成される基板１７に方へそしてその上に（重力を用いてまたは用いずに）移動される。ビーム２００をドナープレート２０８上の適切な位置に照準を合わせることにより、ドナー材料パターンを基板１７上に堆積させることができる。一実施形態では、ビームはドナー材料層２０４に合焦される。
[0047] 一実施形態では、１つ以上の短パルスを用いてドナー材料の移動を引き起こす。一実施形態では、パルスの長さは、溶融材料の準一次元の前進加熱および物質移動を得るために数ピコ秒またはフェムト秒であってもよい。そのような短パルスは、材料層２０４内の少量またはゼロの熱流、よって、ドナー構造２０８への少量またはゼロの熱負荷を容易にする。短パルスは、材料の急速な溶融および前進方向加速を可能にする（例えば、金属などの蒸発材料はその前進方向性を失って堆積物の飛沫へと繋がる）。短パルスは、加熱温度よりわずかに上であるが蒸発温度より低い温度で材料の加熱を可能にする。例えば、アルミニウムに対して、約９００℃〜１０００℃の温度が望ましい。
[0048] 一実施形態では、レーザパルスを用いてある量の材料（例えば、金属）がドナー構造２０８から基板１７に１００〜１０００ｎｍの小滴の形態で移動される。一実施形態では、ドナー材料は、金属を含むかまたは本質的にそれから成る。一実施形態では、金属はアルミニウムである。一実施形態では、材料層２０４は膜を形成する。一実施形態では、膜は別の本体または層に取り付けられる。上記したように、本体または層はガラスであってもよい。
[0049] 一実施形態では、プログラマブルパターニングデバイスは、一定に駆動されることから効果を得る自発光コントラスト要素を含む。一実施形態では、自発光コントラスト要素は、レーザダイオードを含む。レーザダイオードは、ある閾値電流より上でのみ「レーザ加工」を開始する。閾値電流は、例えば、最大電流の約１％〜２％であってもよい。閾値電流未満では、レーザダイオードはＬＥＤのように作動するかまたはオフされる。一実施形態では、レーザダイオードは、レーザモードの確率的な開始に関連するタイミング誤差を回避するために閾値電流より上で維持される。そのようなタイミング誤差は、約２００ｐｓ以上であってよく、これによって２０ｎｍ以上のスポット位置誤差へと繋がり得る。
[0050] レーザダイオードを閾値電流より上で維持することはタイミング誤差を回避するが、レーザダイオードの全てが背景露光に寄与するという意味である。レーザダイオードが不均一に基板上に形成された線量分布に寄与するところでは、背景露光も不均一となる。不均一な背景レベルは修正するのが難しく、イメージ品質に対して悪影響を与え得る。
[0051] さらに、レーザダイオードの出力パワーの急速な切り替えは、そのレーザダイオードの寿命に対して悪影響を与えることが予想される。レーザダイオードの寿命を縮めることは、レーザダイオードを交換する必要がある頻度を増やし、費用および不都合性が増大する。
[0052] 一実施形態では、デバイス構成を直接放射源にまたはその近くに適合させることによって本明細書中に述べたまたは当該技術分野の１つ以上の問題に取り組むことが提案されている。
[0053] 以下の説明では、光ファイバおよび導波路について述べている。光ファイバは導波路の一種とみなされ、したがって、「導波路導波路」という用語の範囲内に含まれる。
[0054] 一実施形態では、１つ以上の８１０ｎｍレーザダイオード（１つ以上の４０５ｎｍレーザダイオードではなく）などの１つ以上のより高い波長源を用いることを提案している。目標レベルの所望の解像度を達成するために、８１０ｎｍ放射は、１つ以上の光ファイバによってその波長で運ばれ、その後に非線形光学結晶（「変換結晶」とも呼ぶ）を用いて４０５ｎｍ放射に変換される。変換結晶の一例はＰＰＫＴＰ（分極反転チタン酸リン酸カリウム）である。
[0055] 一実施形態では、マルチパス構成を用いて効率を上げる。マルチパス構成では、より高い周波数に変換される放射が変換結晶を複数回通過する。
[0056] 一実施形態では、以下の構成のうち１つが採用される。１）変換結晶は８１０ｎｍ放射を発するファイバの後に配置される。あるいは、２）変換結晶は光導波路に組み入れられる。一実施形態では、８１０ｎｍ放射を発するファイバは、放射を光導波路に運ぶ。導波路の中で変換が行われ、その出口では、例えば、４０５ｎｍ波長の放射である。
[0057] 一実施形態では、変換されない高波長の放射に対するファイルが設けられる。
[0058] 一実施形態では、４０５ｎｍより小さい波長への変換が実施される。一実施形態では、４０５ｎｍ放射は２０２ｎｍに変換された周波数である。別の実施形態では、８１０ｎｍより高い波長を有する放射を第三次高調波発生と組み合わせて用いて波長を４０５ｎｍより低くする。
[0059] 一実施形態では、変換結晶は光ファイバの出口で設けられる。この配置は、マイクロレンズのセットが設けられる場所で特に有効である。一実施形態では、マイクロレンズは小さい角度および比較的大きいフットプリント（およそ直径１００μｍ）を与える。これは長い結晶（およそ２０ｍｍ）の使用を容易にする。長い結晶は、高い単一パス効率（約１％まで予想される）を容易にする。マルチパスを用いて効率をさらに高めることができる。
[0060] 一実施形態では、１つ以上のＶＥＣＳＥＬ（またはＶｃｓｅｌ）を放射源としてレーザダイオードの代わりにまたはそれに加えて用いる。垂直外部共振器面発光レーザ（ＶＥＣＳＥＬ）は、エミッタが成る基板の表面と垂直に放射を発する小さい半導体レーザである。これを基板の平面に放射を発するレーザダイオードと比較する。形状の結果としては、レーザダイオードがウェーハから切り取られてパッケージに個別に設置される。その一方、ＶＥＣＳＥＬは、小さいピッチ（例えば、４００ミクロン）で個別アドレス可能アレイに構成されてもよい。このように、光学系の縮小は、例えば５００ｘ〜２０ｘに低下させることができ、公差問題も小さくなる。発光面積がより大きい（例えば、直径１０〜１５ミクロン）のため、ビーム照準はレーザダイオードも用いるより安定している。
[0061] ＶＥＣＳＥＬはレーザダイオードほど一般的に使用されていない。現在、そのようなレーザは、主にＧａＡｓから成って７８０〜１１５０ｎｍの放射を発するものが入手できる。一実施形態では、そのようなＶＥＣＳＥＬは、約８１０ｎｍで発光するように構成され、出力の周波数は４０５ｎｍに二倍化される。
[0062] ＶＥＣＳＥＬがＧａＮから成る場合、これはレーザダイオードに使用する材料と同じであるため、４０５ｎｍの一次発光が可能である。
[0063] 通常、レーザダイオードは単一のエミッタから２５０ｍＷまで発光することができる。ＧａＮエミッタが１ｍＷまで供給できる一方、周波数が二倍化されたＧａＡｓのＶＥＣＳＥＬは１つのエミッタ当たり約２０ｍＷ発光できる。一実施形態では、各レーザダイオードを多数のＶＥＣＳＥＬエミッタで置き換えて１つの放射ビームごとに所望の量の放射を供給する。この手法は、システムの冗長化といった必要な副作用を取り入れることができる。なぜなら、複数のエミッタをターゲット上の各スポットに向けることができるからである。これは、１つのエミッタが損傷している場合、一部のエネルギーのみが失われることを意味する。
[0064] 放射の生成の後に放射ビームの周波数を増やすことは、リソグラフィとの関連においてより安価なレーザ源の使用を可能にする。例えば、８１０ｎｍのレーザダイオードまたはＶＥＣＳＥＬを用いてもよい。
[0065] 高波長による寿命問題は少なく、これはファイバが交換可能用品としてではなくシステムの生涯に使用できることを意味する。
[0066] 周波数二倍化／三倍化の使用は、４０５ｎｍ未満の波長さえでも動作する基礎を与え、今後の顧客の解像度要件を可能にする。
[0067] レーザダイオードエミッタが閾値発火状態の上で維持されている場合、周波数変換の非線形性質は背景放射を効果的に減少させる。周波数変換効率は、高い入力パワーより低い入力パワーに対して低い。したがって、所望の出力波長の背景放射の相対レベルは、変換プロセスによって低くなる。
[0068] ＶＥＣＳＥＬは、照明光学系の複雑性を減少する小さなピッチでのアレイ製造によるさらなる利点を有する。
[0069] 図６は例示的構成を示している。アセンブリ４０は、複数の入力放射ビーム４２の１つ以上の特性を修正するために設けられる。複数の入力ビーム４２は、例えば、対応する複数の自発光コントラスト要素、例えば、レーザダイオードまたはＶＥＣＳＥＬから出力されてよい。図示される実施形態では、アセンブリ４０は、複数の放射ビームをより接近させて誘導するように構成された複数の導波路４３〜４７を含む。複数の導波路４３〜４７から出力される放射ビーム５２の平均分離は、入力放射ビーム４２の平均分離より小さい。
[0070] 図示した実施形態では、マイクロレンズ６２のアレイ６０は、複数の導波路４３〜４７からの出力で提供される。一実施形態では、複数のマイクロレンズ６２の各々は、複数の導波路４３〜４７の各々からの放射出力の発散を減少するように構成される。したがって、一実施形態では、マイクロレンズ６２から出力されるビーム５４は、入力ビーム５２よりさらにコリメートされる。
[0071] アセンブリ４０は、周波数逓倍デバイス６４をさらに含む。周波数逓倍デバイス６４は、複数の導波路４３〜４７によって誘導される複数の放射ビーム５４を受けるように構成され（この実施形態では、その後マイクロレンズ６２によって再誘導される）、かつ整数倍の高い周波数を有する対応する複数の放射ビーム７２を生成するように構成される。一実施形態では、整数倍は２であり、これを周波数二倍化と呼ぶことができる。別の実施形態では、整数倍は３であり、これを周波数三倍化と呼ぶことができる。
[0072] 一実施形態では、周波数逓倍デバイス６４から出力される複数の放射ビーム７２は、リソグラフィプロセスに適した波長（例えば、放射ビームが投影される基板上に形成されるレジストに所望の反応を引き起こすために十分に低い波長）を有するビームを含む。一実施形態では、波長は４５０ｎｍ以下である。
[0073] 一実施形態では、周波数逓倍デバイス６４は、第二次または第三次高調波発生を用いてより高い周波数の放射ビーム７２を生成する。上記したように、第二次または第三次高調波発生は、非線形光学特性を有する変換結晶を用いて行うことができるが、変換効率は、通常、比較的低い。結晶を介して変換される放射が通過する度に、僅かな割合のみがより高い周波数（例えば、１％未満）に変換される。放射が結晶を複数回通過する（マルチパスとも呼ぶ）ように構成することによって効率を上げることができる。しかしながら、かなりの量の未変換の放射が残る可能性が依然として存在する。図６に示す実施形態では、そのような未変換の放射をフィルタ７４によって取り除く。
[0074] 図示した実施形態では、周波数逓倍デバイス６４は、複数の導波路４３〜４７を有する構造４８から物理的に離れている非線形光学特性を有する変換材料を含む。一実施形態では、周波数逓倍デバイスは、複数の導波路４３〜４７のうちの１つ以上および／または複数の導波路４３〜４７に接続された１つ以上の追加の導波路に組み込まれた変換材料を含む。
[0075] 一実施形態では、入力放射４２は約８１０ｎｍの波長を有し、出力放射７２は約４０５ｎｍの波長を有する。
[0076] 図６に示す実施形態では、周波数逓倍デバイス６４から出力される複数の放射ビーム７２は、固定レンズシステム６６によって光学的に近づけられる（縮小される）。その後、固定レンズシステム６６からの出力８２は、ビームを、例えば、基板テーブル２上、レンズシステム６８の下で移動するターゲット上に所望のピッチで投影するように構成された移動レンズシステム６８に提供される。図１〜図４に示す種類の実施形態に適用した場合、固定レンズシステム６８はレンズ１２を含み、移動レンズシステムはレンズ１４および１８を含む。
[0077] 図７は、複数８０の垂直外部共振器面発光レーザ（ＶＥＣＳＥＬ）８１が放射源として使用される実施形態を示している。上記したように、ＶＥＣＳＥＬは、対応する複数のレーザダイオードより小さいピッチで放射を直接発するように構成されてよい。結果的に、次の光学縮小を減少させることができる。放射ビームごとのパワー出力を増加させるために、複数の群のＶＥＣＳＥＬを一緒に用いて１つの出力放射ビーム８２で放射に寄与することができる。光学システム７６は、各群からの多数のＶＥＣＳＥＬ発光７８を単一の出力放射ビーム８２に変換するために提供される。
[0078] 一実施形態では、複数のＶＥＣＳＥＬから出力される放射ビーム８２間のピッチまたは平均分離は、一群のＶＥＣＳＥＬが各放射ビーム８２を生成するために使用された場合であっても、図６に示すタイプの実施形態の固定レンズシステム６６から出力される放射ビーム８２と既に同程度の拡大率である。したがって、固定レンズシステム６６の同等物が必要とされず、コストの削減となる。一実施形態では、さらなる固定レンズを設けてもよいが、さらなる固定レンズシステムに対するあらゆる仕様は、例えば、縮小率に関して、固定レンズシステム６６のものよりかなり低い必要がある。
[0079] 一実施形態では、複数のＶＥＣＳＥＬ８０からの出力放射ビーム８２は、４５０ｎｍ以下の波長を有する。したがって、そのような実施形態では、リソグラフィに適した放射を生成するために周波数逓倍デバイス（例えば、デバイス６４）が必要にならない場合がある。一実施形態では、そのような機能性は、ＧａＮベースのＶＥＣＳＥＬを用いて達成される。一実施形態では、そのような機能性は、出力される放射の周波数を整数倍で（例えば、第二次または第三次高調波発生によって）増加させるように構成された各ＶＥＣＳＥＬユニットまたはＶＥＣＳＥＬユニットの群に周波数逓倍デバイスを組み込むことによって達成される。一実施形態では、ＶＥＣＳＥＬは、約４０５ｎｍの波長を有する放射を出力するように構成される。
[0080] 図８は、約４０５ｎｍの波長を有する放射を出力するシステムにＶＥＣＳＥＬ８１が構成された実施形態を示している。そのような実施形態の例では、ＶＥＣＳＥＬ８１は、約８１０ｎｍの波長を有する放射９２を発するように構成される。図示する実施形態では、周波数逓倍デバイス６４およびフィルタ７４を用いてリソグラフィに適した波長を有する複数の放射ビーム８２を提供する。この種の例示的実施形態では、ＶＥＣＳＥＬは、７８０ｎｍ〜１１５０ｎｍの範囲、例えば８１０ｎｍの放射を発するように構成される。一実施形態では、ＶＥＣＳＥＬは、ＧａＡｓベースのＶＥＣＳＥＬである。
[0081] 図９は、統合周波数逓倍デバイス１０２を含むＶＥＣＳＥＬユニット（Ｐｒｉｎｃｅｔｏｎ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ社によって製造）の一例を示している。この例では、周波数逓倍デバイスは、ＰＰＬＮ（周期的分極反転ニオブ酸リチウム）の変換結晶を含む。ＶＥＣＳＥＬは、反射防止誘電体コーティング１０６を有する低ドープＧａＡｓ基板１０４を含む。領域１０８は、部分反射ｎ型分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）で増大する多数の多重量子井戸を含む。高反射性のｐ型ＤＢＲミラーが構造に追加されて内部光共振器を形成する。ヒートシンクに任意に接続されたヒートスプレッダ１１０が熱を除去するために設けられる。放射１１２がデバイスの基板側から出力される（底辺発光）。レンズ１１４が、放出された放射をＰＰＬＮ結晶に合焦させる。この例では、外部共振器がガラスミラー１１６および部分反射誘電体コーティング１１８によって形成されてレーザ発振のためのフィードバックを提供する。長さ１０ｍｍの周期的分極反転ＰＰＬＮ結晶が、第二次高調波発生結晶として使用される。周期的分極反転は、基本波長９８０ｎｍと第二次高調波波長４９０ｎｍとの間の位相整合を維持して長い変換領域を提供する。内部共振器パワーを強化するために、誘電体コーティング１１８は基本波長で高反射性であり、第二次高調波波長で部分透過性である。
[0082] 一実施形態では、複数８０のＶＥＣＳＥＬが個別アドレス可能アレイで提供される。一実施形態では、個別のＶＥＣＳＥＬ間の平均分離は、１０００ミクロン以下である。一実施形態では、平均分離は３００〜５００ミクロンの間である。
[0083] デバイス製造方法によると、ディスプレイなどのデバイス、集積回路または他のあらゆる製品を、パターンが投影された基板から製造することができる。
[0084] 一実施形態では、複数の放射ビームの特性を修正するアセンブリが提供される。アセンブリは、複数の放射ビームをより接近させて誘導するように構成された複数の導波路と、複数の導波路によって誘導された複数の放射ビームを受け、かつ整数倍の高い周波数を有する対応する複数の放射ビームを生成するように構成された周波数逓倍デバイスとを備える。
[0085] 一実施形態では、周波数逓倍デバイスは、放射周波数を二倍化するために第二次高調波発生を使用するように構成される。一実施形態では、周波数逓倍デバイスは、放射周波数を三倍化するために第三次高調波発生を使用するように構成される。一実施形態では、周波数逓倍デバイスから出力される複数の放射ビームは、４５０ｎｍ以下の波長を有するビームを含む。一実施形態では、アセンブリは、周波数逓倍デバイスに入力される放射と同じ周波数を有する周波数逓倍デバイスによって出力される放射を除去するように構成されたフィルタをさらに備える。一実施形態では、周波数逓倍デバイスは、より高い周波数放射に変換される放射ビームの割合を増加させるために、１つ以上の放射ビームの各々を、非線形光学特性を有する変換材料に複数回通過させるように構成される。一実施形態では、周波数逓倍デバイスは、複数の導波路のうちの１つ以上および／または複数の導波路に接続された１つ以上の追加の導波路に組み込まれた非線形光学特性を有する変換材料を含む。一実施形態では、周波数逓倍デバイスへの入力は、約８１０ｎｍの波長を有する複数の放射ビームを含む。一実施形態では、周波数逓倍デバイスへの入力は、約４０５ｎｍの波長を有する複数の放射ビームを含む。一実施形態では、アセンブリは、複数の導波路からの出力に提供される複数のマイクロレンズをさらに備え、複数のマイクロレンズの各々は、複数の導波路からの放射出力の発散を減少させるように構成される。一実施形態では、周波数逓倍デバイスは、複数のマイクロレンズの直後に位置決めされる。一実施形態では、複数の導波路のうちの１つ以上は光ファイバを含む。
[0086] 一実施形態では、複数の個別制御可能な放射ビームを提供する放射源と、放射ビームの各々をターゲット上のそれぞれの箇所に投影する投影システムとを備える露光装置が提供される。放射源は、複数の放射ビームをより接近させて誘導するように構成された複数の導波路と、複数の導波路によって誘導された複数の放射ビームを受け、かつ整数倍の高い周波数を有する対応する複数の放射ビームを生成するように構成された周波数逓倍デバイスとを備える。
[0087] 一実施形態では、装置は、放射源によって出力される放射ビームの周波数を整数倍で増加させるように構成された本明細書中に記載したアセンブリを備える。一実施形態では、放射源は、複数の自発光コントラスト要素を含む。一実施形態では、複数の自発光コントラスト要素は、複数のレーザダイオードを含む。一実施形態では、複数の自発光コントラスト要素は、複数の垂直外部共振器面発光レーザ（ＶＥＣＳＥＬ）を含む。
[0088] 一実施形態では、複数の個別制御可能な放射ビームを提供する放射源であって、複数の垂直外部共振器面発光レーザ（ＶＥＣＳＥＬ）を含む放射源と、放射ビームの各々をターゲット上のそれぞれの箇所に投影するように構成された投影システムとを備える、露光装置が提供される。
[0089] 一実施形態では、ＶＥＣＳＥＬは、７８０〜１１５０ｎｍの範囲内の波長の放射を発するように構成される。一実施形態では、ＶＥＣＳＥＬはＧａＡｓベースのＶＥＣＳＥＬである。一実施形態では、ＶＥＣＳＥＬは、約４０５ｎｍの波長の放射を発するように構成される。一実施形態では、ＶＥＣＳＥＬは、ＧａＮベースのＶＥＣＳＥＬである。一実施形態では、ＶＥＣＳＥＬは、ＶＥＣＳＥＬによって発された放射の周波数を整数倍で増加させるように構成された統合周波数逓倍デバイスを含む。一実施形態では、放射源は、放射ビームの各々を生成する複数のＶＥＣＳＥＬを含む群を使用するように構成される。一実施形態では、ＶＥＣＳＥＬは、個別アドレス可能アレイで提供される。一実施形態では、ＶＥＣＳＥＬの平均間隔は１０００ミクロン以下である。一実施形態では、ＶＥＣＳＥＬの平均間隔は３００〜５００ミクロンの間である。一実施形態では、投影システムは、固定部分および可動部分を含む。一実施形態では、可動部分は、固定部分に対して回転するように構成される。
[0090] 一実施形態では、複数の放射ビームの特性を修正する方法が提供される。方法は、複数の放射ビームをより接近させて誘導する複数の導波路を使用することと、複数の導波路によって誘導された複数の放射ビームを受け、かつ整数倍の高い周波数を有する対応する複数の放射ビームを生成する周波数逓倍デバイスを使用することとを含む。
[0091] 一実施形態では、複数の個別制御可能な放射ビームをより接近させて誘導する複数の導波路を使用することと、複数の導波路によって誘導された複数の放射ビームを受け、かつ整数倍の高い周波数を有する対応する複数の放射ビームを生成する周波数逓倍デバイスを使用することと、放射ビームの各々をターゲット上のそれぞれの箇所に投影することとを含む、デバイス製造方法が提供される。
[0092] 一実施形態では、複数の垂直外部共振器面発光レーザ（ＶＥＣＳＥＬ）を用いて複数の個別制御可能な放射ビームを提供することと、放射ビームの各々をターゲット上のそれぞれの箇所に投影することとを含む、デバイス製造方法が提供される。
[0093] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィまたは露光装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
[0094] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、回折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
[0095] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。

Claims (15)

  1. 複数の放射ビームの特性を修正するアセンブリであって、前記アセンブリは、
    前記複数の放射ビームをより接近させて誘導する複数の導波路と、
    前記複数の導波路によって誘導された前記複数の放射ビームを受け、かつ整数倍の高い周波数を有する対応する複数の放射ビームを生成する周波数逓倍デバイスとを備える、アセンブリ。
  2. 前記周波数逓倍デバイスは、放射周波数を二倍化するために第二次高調波発生を使用する、請求項１に記載のアセンブリ。
  3. 前記周波数逓倍デバイスは、放射周波数を三倍化するために第三次高調波発生を使用する、請求項１または２に記載のアセンブリ。
  4. 前記周波数逓倍デバイスに入力される放射と同じ周波数を有する前記周波数逓倍デバイスによって出力される放射を除去するフィルタをさらに備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載のアセンブリ。
  5. 前記周波数逓倍デバイスは、より高い周波数放射に変換される前記放射ビームの割合を増加させるために、１つ以上の放射ビームの各々を、非線形光学特性を有する変換材料に複数回通過させる、請求項１〜４のいずれか１項に記載のアセンブリ。
  6. 前記周波数逓倍デバイスは、前記複数の導波路のうちの１つ以上に組み込まれ、および／または前記複数の導波路に接続された１つ以上の追加の導波路に組み込まれた、非線形光学特性を有する変換材料を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載のアセンブリ。
  7. 前記複数の導波路からの出力に提供される複数のマイクロレンズをさらに備え、前記複数のマイクロレンズの各々は、前記複数の導波路からの放射出力の発散を減少させる、請求項１〜６のいずれか１項に記載のアセンブリ。
  8. 前記周波数逓倍デバイスは、前記複数のマイクロレンズの直後に位置決めされる、請求項７に記載のアセンブリ。
  9. 前記複数の導波路のうちの１つ以上は光ファイバを含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載のアセンブリ。
  10. 複数の個別制御可能な放射ビームを提供する放射源であって、
    前記複数の放射ビームをより接近させて誘導する複数の導波路と、
    前記複数の導波路によって誘導された前記複数の放射ビームを受け、かつ整数倍の高い周波数を有する対応する複数の放射ビームを生成する周波数逓倍デバイスとを備える放射源と、
    前記放射ビームの各々をターゲット上のそれぞれの箇所に投影する投影システムとを備える、露光装置。
  11. 前記放射源によって出力される前記放射ビームの前記周波数を整数倍で増加させる請求項１〜９のいずれか１項に記載のアセンブリを備える、請求項１０に記載の装置。
  12. 前記放射源は、垂直外部共振器面発光レーザ（ＶＥＣＳＥＬ）などの複数の自発光コントラスト要素を含む、請求項１０または１１に記載の装置。
  13. 複数の個別制御可能な放射ビームを提供する放射源であって、複数の垂直外部共振器面発光レーザ（ＶＥＣＳＥＬ）を含む放射源と、
    前記放射ビームの各々をターゲット上のそれぞれの箇所に投影する投影システムと
    を備える、露光装置。
  14. 前記放射源は、前記放射ビームの各々を生成する複数の前記ＶＥＣＳＥＬを含む群を使用する、請求項１２または１３に記載の装置。
  15. 前記ＶＥＣＳＥＬは、個別アドレス可能アレイで提供される、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の装置。
JP2015506266A 2012-06-01 2013-05-06 複数の放射ビームの特性を修正するアセンブリ、リソグラフィ装置、複数の放射ビームの特性を修正する方法およびデバイス製造方法 Pending JP2015522937A (ja)

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