CN111988088A - 光供电系统的供电装置和受电装置、以及光供电系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供光供电系统的供电装置以及受电装置、和光供电系统。提升光供电中的光电变换效率。供电装置(110)包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器(110)。构成起到半导体激光器的光‑电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为激光波长500nm以下的激光介质。另外，该半导体材料设为带隙2.4eV以上的激光介质。另外，该半导体材料设为金刚石、氧化镓、氮化铝或GaN。受电装置(300)包含将供电光变换成电力的光电变换元件(311)。构成起到光电变换元件的光‑电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为激光波长500nm以下的激光介质。另外，该半导体材料设为带隙2.4eV以上的激光介质。另外，该半导体材料设为金刚石、氧化镓、氮化铝或GaN。

Description

光供电系统的供电装置和受电装置、以及光供电系统
技术领域
本公开涉及光供电。
背景技术
近来，光供电系统一直得到研究，其将电力变换成光(称作供电光)并传输，将该供电光变换成电能并作为电力利用。
在专利文献1中记载了一种光通信装置，具备：光发送机，其发送以电信号调制的信号光以及用于提供电力的供电光；光纤，其具有传输上述信号光的纤芯、形成于上述纤芯的周围并比上述纤芯折射率小地传输上述供电光的第1包层、以及形成于上述第1包层的周围并比上述第1包层折射率小的第2包层；和光接收机，其以将在上述光纤的第1包层传输的上述供电光变换的电力进行动作，将在上述光纤的纤芯传输的上述信号光变换成上述电信号。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2010-135989号公报
在光供电中，谋求更进一步的光供电效率的提升。其中之一，谋求供电侧以及受电侧中的光电变换效率的提升。
发明内容
在本公开的1个方案的光供电系统中，供电装置包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器，构成起到所述半导体激光器的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为激光波长500nm以下的激光介质。
另外在1个方案中，该半导体材料设为带隙2.4eV以上的激光介质。
另外在1个方案中，该半导体材料设为从金刚石、氧化镓、氮化铝以及GaN选择的一者。
另一方面，在受电装置的1个方案中，包含将供电光变换成电力的光电变换元件，构成起到所述光电变换元件的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为激光波长500nm以下的激光介质。
另外在1个方案中，该半导体材料设为带隙2.4eV以上的激光介质。
另外在1个方案中，该半导体材料设为从金刚石、氧化镓、氮化铝以及GaN选择的一者。
发明的效果
根据本公开的1个方案的光供电系统，通过光电变换效率高的半导体材料提升了光供电的发电侧以及/或者受电侧的光电变换效率，提升了光供电效率。
附图说明
图1是本公开的第1实施方式所涉及的光纤供电系统的结构图。
图2是本公开的第2实施方式所涉及的光纤供电系统的结构图。
图3是本公开的第2实施方式所涉及的光纤供电系统的结构图，图示了光连接器等。
图4是本公开的另一实施方式所涉及的光纤供电系统的结构图。
附图标记的说明
1A 光纤供电系统(光供电系统)
1 光纤供电系统(光供电系统)
1B 光纤供电系统(光供电系统)
100 第1数据通信装置
110 供电装置
111 供电用半导体激光器
112 供电光
120 发送部
125 信号光
130 接收部
140 光输入输出部
141 光连接器
200A 光纤线缆
200 光纤线缆
200B 光纤线缆
210 纤芯
220 包层
250A 光纤
250 光纤
260 光纤
270 光纤
300 第2数据通信装置
310 受电装置
311 光电变换元件
320 发送部
325 信号光
330 接收部
350 光输入输出部
351 光连接器
具体实施方式
以下参考附图来说明本公开的一实施方式。
〔第1实施方式〕
如图1所示那样，本实施方式的光纤供电(PoF：Power over Fiber)系统1A，具备供电装置(PSE：Power Sourcing Equipment)110、光纤线缆200A和受电装置(PD：PoweredDevice)310。
另外，本公开中的供电装置是将电力变化成光能并提供的装置，受电装置是接受光能的提供并将该光能变化成电力的装置。
供电装置110包含供电用半导体激光器111。
光纤线缆200A包含形成供电光的传输路的光纤250A。
受电装置310包含光电变换元件311。
供电装置110与电源连接，将供电用半导体激光器111等电驱动。
供电用半导体激光器111通过来自上述电源的电力来进行激光振荡，并输出供电光112。
光纤线缆200A，一端201A能与供电装置110连接，另一端202A能与受电装置310连接，传输供电光112。
来自供电装置110的供电光112输入到光纤线缆200A的一端201A，供电光112在光纤250A中传播，从另一端202A向受电装置310输出。
光电变换元件311，将通过光纤线缆200A传输来的供电光112变换成电力。由光电变换元件311变换的电力被作为在受电装置310内需要的驱动电力。进而，受电装置310能将由光电变换元件311变换的电力输出为外部设备用。
构成供电用半导体激光器111以及光电变换元件311的起到光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为具有500nm以下的短波长的激光波长的半导体。
具有短波长的激光波长的半导体由于带隙大，光电变换效率高，因此光供电的发电侧以及受电侧的光电变换效率得以提升，光供电效率得以提升。
为此，作为该半导体材料，例如可以使用金刚石、氧化镓、氮化铝、GaN等激光波长(基波)200～500nm的激光介质的半导体材料。
另外，作为该半导体材料，运用具有2.4eV以上的带隙的半导体。
例如可以使用金刚石、氧化镓、氮化铝、GaN等带隙2.4～6.2eV的激光介质的半导体材料。
另外，激光有波长越长则传输效率越佳、波长越短则光电变换效率越佳的倾向。因此在长距离传输的情况下，可以使用激光波长(基波)比500nm大的激光介质的半导体材料。另外，在优先光电变换效率的情况下，可以使用激光波长(基波)比200nm小的激光介质的半导体材料。
这些半导体材料可以运用在供电用半导体激光器111以及光电变换元件311的任意一方。供电侧或受电侧的光电变换效率得以提升，光供电效率得以提升。
〔第2实施方式〕
如图2所示那样，本实施方式的光纤供电(PoF：Power over Fiber)系统1包含经由光纤的供电系统和光通信系统，具备：包含供电装置(PSE：Power Sourcing Equipment)110的第1数据通信装置100；光纤线缆200；和包含受电装置(PD：Powered Device)310的第2数据通信装置300。
供电装置110包含供电用半导体激光器111。第1数据通信装置100除了包含供电装置110以外，还包含进行数据通信的发送部120和接收部130。第1数据通信装置100相当于数据终端装置(DTE(Data Terminal Equipment))、中继器(Repeater)等。发送部120包含信号用半导体激光器121和调制器122。接收部130包含信号用光电二极管131。
光纤线缆200包含光纤250，其具有：形成信号光的传输路的纤芯210；和配置于纤芯210的外周、形成供电光的传输路的包层220。
受电装置310包含光电变换元件311。第2数据通信装置300除了包含受电装置310以外，还包含发送部320、接收部330和数据处理组件340。第2数据通信装置300相当于功率端站(Power End Station)等。发送部320包含信号用半导体激光器321和调制器322。接收部330包含信号用光电二极管331。数据处理组件340是对接收到的信号进行处理的组件。另外，第2数据通信装置300是通信网络中的节点。或者，第2数据通信装置300也可以是与其他节点进行通信的节点。
第1数据通信装置100与电源连接，将供电用半导体激光器111、信号用半导体激光器121和调制器122、信号用光电二极管131等电驱动。另外，第1数据通信装置100是通信网络中的节点。另外第1数据通信装置100也可以是与其他节点进行通信的节点。
供电用半导体激光器111通过来自上述电源的电力进行激光振荡，并输出供电光112。
光电变换元件311将通过光纤线缆200传输来的供电光112变换成电力。通过光电变换元件311变换的电力被作为发送部320、接收部330以及数据处理组件340的驱动电力、其他第2数据通信装置300内所需的驱动电力。进而，第2数据通信装置300也可以是能将通过光电变换元件311变换的电力输出为外部设备用。
另一方面，发送部120的调制器122基于送出数据124来调制来自信号用半导体激光器121的激光123，并作为信号光125输出。
接收部330的信号用光电二极管331将通过光纤线缆200传输来的信号光125解调成电信号，向数据处理组件340输出。数据处理组件340将该电信号的数据送出到节点，另一方面，从该节点接收数据，作为送出数据324而向调制器322输出。
发送部320的调制器322基于送出数据324来调制来自信号用半导体激光器321的激光323，并作为信号光325输出。
接收部130的信号用光电二极管131将通过光纤线缆200传输来的信号光325解调成电信号，并输出。将该电信号的数据向节点送出，另一方面，从该节点起数据被作为送出数据124。
来自第1数据通信装置100的供电光112以及信号光125输入到光纤线缆200的一端201，供电光112在包层220传播，信号光125在纤芯210传播，从另一端202向第2数据通信装置300输出。
来自第2数据通信装置300的信号光325输入到光纤线缆200的另一端202，在纤芯210传播，从一端201向第1数据通信装置100输出。
另外，如图3所示那样，在第1数据通信装置100设有光输入输出部140和附设于其的光连接器141。另外，在第2数据通信装置300设有光输入输出部350和附设于其的光连接器351。设于光纤线缆200的一端201的光连接器230与光连接器141连接。设于光纤线缆200的另一端202的光连接器240与光连接器351连接。光输入输出部140将供电光112导光到包层220，将信号光125导光到纤芯210，将信号光325导光到接收部130。光输入输出部350将供电光112导光到受电装置310，将信号光125导光到接收部330，将信号光325导光到纤芯210。
如以上那样，作为光纤线缆200，一端201能与第1数据通信装置100连接，另一端202能与第2数据通信装置300连接，传输供电光112。进而在本实施方式中，光纤线缆200双方向传输信号光125、325。
作为构成供电用半导体激光器111以及光电变换元件311的起到光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料，运用与上述第1实施方式同样的材料，实现了高的光供电效率。
以上说明了本公开的实施方式，但本实施方式作为示例而示出，能用其他种种形态实施，能在不脱离发明的要旨的范围内进行构成要素的省略、置换、变更。
也可以如图4所示的光纤供电系统1B的光纤线缆200B那样，分开设置传输信号光的光纤260和传输供电光的光纤270。光纤线缆200B也可以由多根构成。
另外，虽然对光纤供电系统进行了说明，但也能对光供电普遍适用。

Claims (20)

1.一种光供电系统的供电装置，包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器，其特征在于，
构成起到所述半导体激光器的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为激光波长500nm以下的激光介质。
2.一种光供电系统的供电装置，包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器，其特征在于，
构成起到所述半导体激光器的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为带隙2.4eV以上的激光介质。
3.一种光供电系统的供电装置，包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器，其特征在于，
构成起到所述半导体激光器的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为金刚石。
4.一种光供电系统的供电装置，包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器，其特征在于，
构成起到所述半导体激光器的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为氧化镓。
5.一种光供电系统的供电装置，包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器，其特征在于，
构成起到所述半导体激光器的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为氮化铝。
6.一种光供电系统的供电装置，包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器，其特征在于，
构成起到所述半导体激光器的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为GaN。
7.一种光供电系统的受电装置，包含将供电光变换成电力的光电变换元件，其特征在于，
构成起到所述光电变换元件的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为激光波长500nm以下的激光介质。
8.一种光供电系统的受电装置，包含将供电光变换成电力的光电变换元件，其特征在于，
构成起到所述光电变换元件的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为带隙2.4eV以上的激光介质。
9.一种光供电系统的受电装置，包含将供电光变换成电力的光电变换元件，其特征在于，
构成起到所述光电变换元件的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为金刚石。
10.一种光供电系统的受电装置，包含将供电光变换成电力的光电变换元件，其特征在于，
构成起到所述光电变换元件的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为氧化镓。
11.一种光供电系统的受电装置，包含将供电光变换成电力的光电变换元件，其特征在于，
构成起到所述光电变换元件的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为氮化铝。
12.一种光供电系统的受电装置，包含将供电光变换成电力的光电变换元件，其特征在于，
构成起到所述光电变换元件的光-电间的变换效果的半导体区域的半导体材料设为GaN。
13.一种光供电系统，其特征在于，具备：
权利要求1～6中任一项所述的供电装置；和
包含将该供电装置的供电光变换成电力的光电变换元件的受电装置。
14.一种光供电系统，其特征在于，具备：
包含通过电力进行激光振荡并输出供电光的半导体激光器的供电装置；
和以该供电光为输入的权利要求7～12中任一项所述的受电装置。
15.根据权利要求13所述的光供电系统，其特征在于，
所述光供电系统具备：
包含所述供电装置的第1数据通信装置；和
与所述第1数据通信装置进行光通信并包含所述受电装置的第2数据通信装置，
通过所述光电变换元件变换过的电力被作为设于所述第2数据通信装置的发送部以及接收部的驱动电力。
16.根据权利要求14所述的光供电系统，其特征在于，
所述光供电系统具备：
包含所述供电装置的第1数据通信装置；和
与所述第1数据通信装置进行光通信并包含所述受电装置的第2数据通信装置，
通过所述光电变换元件变换过的电力被作为设于所述第2数据通信装置的发送部以及接收部的驱动电力。
17.根据权利要求13所述的光供电系统，其特征在于，
所述光供电系统具备：
光纤线缆，其一端能与所述供电装置连接，另一端能与所述受电装置连接，传输所述供电光。
18.根据权利要求13所述的光供电系统，其特征在于，
所述光供电系统具备：
光纤线缆，其一端能与所述供电装置连接，另一端能与所述受电装置连接，传输所述供电光。
19.根据权利要求15所述的光供电系统，其特征在于，
所述光供电系统具备：
光纤线缆，其一端能与所述第1数据通信装置连接，另一端能与所述第2数据通信装置连接，传输所述供电光以及信号光。
20.根据权利要求16所述的光供电系统，其特征在于，
所述光供电系统具备：
光纤线缆，其一端能与所述第1数据通信装置连接，另一端能与所述第2数据通信装置连接，传输所述供电光以及信号光。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020194992A (ja) * 2019-05-24 2020-12-03 京セラ株式会社 光給電システムの給電装置及び受電装置並びに光給電システム
US11398870B2 (en) * 2020-03-13 2022-07-26 General Electric Company Systems and methods for optical data communication using wide bandgap semiconductor detectors

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003332657A (ja) * 2002-05-17 2003-11-21 Megaopto Co Ltd レーザーシステム
CN101120493A (zh) * 2005-02-17 2008-02-06 皇家飞利浦电子股份有限公司 全固态紫外线激光器系统
JP2010135989A (ja) * 2008-12-03 2010-06-17 Mitsubishi Electric Corp 光ファイバ、光通信装置、及び光通信方法
JP2011142544A (ja) * 2010-01-08 2011-07-21 Anritsu Corp 光給電型光源およびそれを用いた光給電型ｒｏｆシステム
US20120093185A1 (en) * 2010-10-15 2012-04-19 Sanyo Optec Design Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor laser apparatus, semiconductor laser apparatus, and optical apparatus
CN104184044A (zh) * 2014-08-20 2014-12-03 中国科学院西安光学精密机械研究所 一种高功率半导体激光器系统及其制备方法
US20150335231A1 (en) * 2012-11-08 2015-11-26 Koninklijke Philips N.V. An optical probe system
US20170047462A1 (en) * 2015-08-12 2017-02-16 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Electric power transfer system using optical power transfer
US20170093501A1 (en) * 2015-09-29 2017-03-30 Semprius, Inc. Miniaturized devices for combined optical power conversion and data transmission
CN206618914U (zh) * 2017-02-21 2017-11-07 扬州太光芯片科技有限公司 基于铌酸锂材料的电光调制器
US20190157837A1 (en) * 2018-12-28 2019-05-23 Pierre Doussiere Current channel for iii-v silicon hybrid laser

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3822318B2 (ja) * 1997-07-17 2006-09-20 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
US6493125B1 (en) 1998-02-25 2002-12-10 Oki Electric Industry Co., Ltd. Apparatus for stabilizing light source frequency
US20030026310A1 (en) * 2001-08-06 2003-02-06 Motorola, Inc. Structure and method for fabrication for a lighting device
US8609984B2 (en) * 2009-06-24 2013-12-17 Florida State University Research Foundation, Inc. High efficiency photovoltaic cell for solar energy harvesting
EP2752894A3 (en) * 2011-08-09 2014-10-22 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting device and light source device including the same
WO2018042034A1 (en) * 2016-09-02 2018-03-08 Koninklijke Philips N.V. Optical transceiver, optical system, interventional device and method for supplying energy and returning data
JP2020194992A (ja) * 2019-05-24 2020-12-03 京セラ株式会社 光給電システムの給電装置及び受電装置並びに光給電システム

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003332657A (ja) * 2002-05-17 2003-11-21 Megaopto Co Ltd レーザーシステム
CN101120493A (zh) * 2005-02-17 2008-02-06 皇家飞利浦电子股份有限公司 全固态紫外线激光器系统
JP2010135989A (ja) * 2008-12-03 2010-06-17 Mitsubishi Electric Corp 光ファイバ、光通信装置、及び光通信方法
JP2011142544A (ja) * 2010-01-08 2011-07-21 Anritsu Corp 光給電型光源およびそれを用いた光給電型ｒｏｆシステム
US20120093185A1 (en) * 2010-10-15 2012-04-19 Sanyo Optec Design Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor laser apparatus, semiconductor laser apparatus, and optical apparatus
US20150335231A1 (en) * 2012-11-08 2015-11-26 Koninklijke Philips N.V. An optical probe system
CN104184044A (zh) * 2014-08-20 2014-12-03 中国科学院西安光学精密机械研究所 一种高功率半导体激光器系统及其制备方法
US20170047462A1 (en) * 2015-08-12 2017-02-16 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Electric power transfer system using optical power transfer
US20170093501A1 (en) * 2015-09-29 2017-03-30 Semprius, Inc. Miniaturized devices for combined optical power conversion and data transmission
CN206618914U (zh) * 2017-02-21 2017-11-07 扬州太光芯片科技有限公司 基于铌酸锂材料的电光调制器
US20190157837A1 (en) * 2018-12-28 2019-05-23 Pierre Doussiere Current channel for iii-v silicon hybrid laser

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