JP3239812B2 - ＩｎＧａＮ層を含む窒化ガリウム系半導体層の結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子およびその製造方法 - Google Patents
ＩｎＧａＮ層を含む窒化ガリウム系半導体層の結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子およびその製造方法Info
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【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般式Ｉｎx Ｇａ
1-x Ｎ（０＜ｘ≦１）で表される半導体層を少なくとも
１層含む、一層あるいは複数層のＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（０
≦ｘ≦１）を有する窒化ガリウム系半導体層の結晶成長
方法に関する。
1-x Ｎ（０＜ｘ≦１）で表される半導体層を少なくとも
１層含む、一層あるいは複数層のＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（０
≦ｘ≦１）を有する窒化ガリウム系半導体層の結晶成長
方法に関する。
【０００２】また一般式Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（０＜ｘ≦
１）で表される半導体層を少なくとも１層含む、一層あ
るいは複数層のＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ≦１）を有す
る窒化ガリウム系発光素子及びその製造方法に関する。
１）で表される半導体層を少なくとも１層含む、一層あ
るいは複数層のＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ≦１）を有す
る窒化ガリウム系発光素子及びその製造方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】窒化ガリウムは、燐化インジウムや砒化
ガリウムといった他の一般的な化合物半導体に比べ、禁
制帯エネルギーが大きい。そのため、一般式Ｉｎx Ａｌ
y Ｇａ1-x-y Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ
≦１）で表される半導体（以下窒化ガリウム系半導体）
は緑から紫外にかけての発光素子、特に半導体レーザ
（以下単にレーザ）への応用が期待されている。
ガリウムといった他の一般的な化合物半導体に比べ、禁
制帯エネルギーが大きい。そのため、一般式Ｉｎx Ａｌ
y Ｇａ1-x-y Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ
≦１）で表される半導体（以下窒化ガリウム系半導体）
は緑から紫外にかけての発光素子、特に半導体レーザ
（以下単にレーザ）への応用が期待されている。
【０００４】従来、窒化ガリウムの結晶成長には９００
℃程度以上の基板温度が必要であるにも関らず、一般式
Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ≦１）で表される半導体層の
結晶成長は、インジウムの蒸気圧が高いために、比較的
低温である６００℃ないし９００℃程度の基板温度で行
われていた。
℃程度以上の基板温度が必要であるにも関らず、一般式
Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ≦１）で表される半導体層の
結晶成長は、インジウムの蒸気圧が高いために、比較的
低温である６００℃ないし９００℃程度の基板温度で行
われていた。
【０００５】《従来例１》図１０は、従来のＩｎＧａＮ
層の結晶成長方法により、多重量子井戸構造の活性層が
形成された、窒化ガリウム系レーザの概略断面図である
（S. Ｎakamuraet Ａｌ., Extended Abstracts of
1996 International Conferenceon Solid State
Devices and Materials, yokohama,1996, pp. 67
-69）。図１０に於いて、この窒化ガリウム系レーザ
は、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板１０
１上に、厚さ３００Ａ（オングストローム）のアンドー
プの窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２、珪素が添
加された厚さ３μm のＮ型窒化ガリウムコンタクト層
１０３、珪素が添加された厚さ０．１μm のＮ型Ｉｎ
0.05Ｇａ0.95Ｎクラック防止層１０４、珪素が添加され
た厚さ０．４μmのＮ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層
１０５、珪素が添加された厚さ０．１μm のＮ型窒化
ガリウム光ガイド層１０６、厚さ２５Ａ（オングストロ
ーム）のアンドープのＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ量子井戸層と
厚さ５０Ａ（オングストローム）のアンドープのＩｎ
0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構
造活性層１０７、マグネシウムが添加された厚さ２００
Ａ（オングストローム）のｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層６
０８、マグネシウムが添加された厚さ０．１μm のｐ
型窒化ガリウム光ガイド層１０９、マグネシウムが添加
された厚さ０．４μmのｐ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッ
ド層１１０、マグネシウムが添加された厚さ０．２μm
のｐ型窒化ガリウムコンタクト層１１１、ニッケル
（第１層）および金（第２層）からなるｐ電極１１２、
チタン（第１層）およびアルミニウム（第２層）からな
るＮ電極１１３が形成されている。多重量子井戸構造活
性層１０７およびｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層６０８は基
板温度８００℃で、ｐ型窒化ガリウム光ガイド層１０
９、ｐ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層１１０、ｐ型窒
化ガリウムコンタクト層１１１は基板温度１０２０℃で
形成された。
層の結晶成長方法により、多重量子井戸構造の活性層が
形成された、窒化ガリウム系レーザの概略断面図である
（S. Ｎakamuraet Ａｌ., Extended Abstracts of
1996 International Conferenceon Solid State
Devices and Materials, yokohama,1996, pp. 67
-69）。図１０に於いて、この窒化ガリウム系レーザ
は、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板１０
１上に、厚さ３００Ａ（オングストローム）のアンドー
プの窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２、珪素が添
加された厚さ３μm のＮ型窒化ガリウムコンタクト層
１０３、珪素が添加された厚さ０．１μm のＮ型Ｉｎ
0.05Ｇａ0.95Ｎクラック防止層１０４、珪素が添加され
た厚さ０．４μmのＮ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層
１０５、珪素が添加された厚さ０．１μm のＮ型窒化
ガリウム光ガイド層１０６、厚さ２５Ａ（オングストロ
ーム）のアンドープのＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ量子井戸層と
厚さ５０Ａ（オングストローム）のアンドープのＩｎ
0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構
造活性層１０７、マグネシウムが添加された厚さ２００
Ａ（オングストローム）のｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層６
０８、マグネシウムが添加された厚さ０．１μm のｐ
型窒化ガリウム光ガイド層１０９、マグネシウムが添加
された厚さ０．４μmのｐ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッ
ド層１１０、マグネシウムが添加された厚さ０．２μm
のｐ型窒化ガリウムコンタクト層１１１、ニッケル
（第１層）および金（第２層）からなるｐ電極１１２、
チタン（第１層）およびアルミニウム（第２層）からな
るＮ電極１１３が形成されている。多重量子井戸構造活
性層１０７およびｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層６０８は基
板温度８００℃で、ｐ型窒化ガリウム光ガイド層１０
９、ｐ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層１１０、ｐ型窒
化ガリウムコンタクト層１１１は基板温度１０２０℃で
形成された。
【０００６】《従来例２》図１１は、従来のＩｎＧａＮ
層の結晶成長方法により、発光層が形成された、従来の
窒化ガリウム系発光ダイオードの概略断面図である（S.
Ｎakamura et Al.,Jｐn.J.Appl.phｙs.32(1993)L
8）。図１１に於いて、この窒化ガリウム系発光ダイオ
ードは、（０００１）面を表面とするサファイア基板２
０１上に、厚さ２５０Ａ（オングストローム）のアンド
ープの窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２、珪素が
添加された厚さ４μm のＮ型窒化ガリウムコンタクト
層１０３、珪素が添加された厚さ２００Ａ（オングスト
ローム）のＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ発光層２０７、マグネシ
ウムが添加されたｐ型窒化ガリウムコンタクト層１１
１、金からなるｐ電極２１２、アルミニウムからなるＮ
電極２１３が形成されている。Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ発光
層２０７およびアンドープのＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層６０
８は基板温度８００℃で、ｐ型窒化ガリウムコンタクト
層１１１は基板温度１０２０℃で形成された。
層の結晶成長方法により、発光層が形成された、従来の
窒化ガリウム系発光ダイオードの概略断面図である（S.
Ｎakamura et Al.,Jｐn.J.Appl.phｙs.32(1993)L
8）。図１１に於いて、この窒化ガリウム系発光ダイオ
ードは、（０００１）面を表面とするサファイア基板２
０１上に、厚さ２５０Ａ（オングストローム）のアンド
ープの窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２、珪素が
添加された厚さ４μm のＮ型窒化ガリウムコンタクト
層１０３、珪素が添加された厚さ２００Ａ（オングスト
ローム）のＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ発光層２０７、マグネシ
ウムが添加されたｐ型窒化ガリウムコンタクト層１１
１、金からなるｐ電極２１２、アルミニウムからなるＮ
電極２１３が形成されている。Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ発光
層２０７およびアンドープのＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層６０
８は基板温度８００℃で、ｐ型窒化ガリウムコンタクト
層１１１は基板温度１０２０℃で形成された。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図１０に示された、従
来のＩｎＧａＮ層の結晶成長方法により活性層が形成さ
れた窒化ガリウム系レーザに於いては、基板温度８００
℃での多重量子井戸構造活性層１０７の形成が終了した
後、ｐ型窒化ガリウム光ガイド層１０９を形成するため
に基板を１０２０℃まで昇温する際に、多重量子井戸構
造活性層１０７中のインジウムが解離することを防止す
るために、多重量子井戸構造活性層１０７よりも表面側
に、多重量子井戸構造活性層１０７に接して、多重量子
井戸構造活性層１０７と同じ基板温度８００℃で、Ａｌ
0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層６０８が形成されている。しかし、Ｉ
ｎx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ≦１）とＡｌx Ｇａ1-x Ｎ（０
＜ｘ≦１）は格子定数が異なるにも関らず、従来例１で
はＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層６０８の厚さが２００Ａ（オン
グストローム）と厚く、かつ、アルミニウム組成も０．
２と大きいために、大きな格子歪が多重量子井戸構造活
性層１０７に加わり、多重量子井戸構造活性層１０７の
結晶性の悪化がもたらされている。一方、ｐ型Ａｌ0.2
Ｇａ0.8 Ｎ層６０８の厚さを薄く、または、アルミニウ
ム組成を小さくした場合、基板の昇温により多重量子井
戸構造活性層１０７中のインジウムが解離することを防
止でない恐れがある。
来のＩｎＧａＮ層の結晶成長方法により活性層が形成さ
れた窒化ガリウム系レーザに於いては、基板温度８００
℃での多重量子井戸構造活性層１０７の形成が終了した
後、ｐ型窒化ガリウム光ガイド層１０９を形成するため
に基板を１０２０℃まで昇温する際に、多重量子井戸構
造活性層１０７中のインジウムが解離することを防止す
るために、多重量子井戸構造活性層１０７よりも表面側
に、多重量子井戸構造活性層１０７に接して、多重量子
井戸構造活性層１０７と同じ基板温度８００℃で、Ａｌ
0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層６０８が形成されている。しかし、Ｉ
ｎx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ≦１）とＡｌx Ｇａ1-x Ｎ（０
＜ｘ≦１）は格子定数が異なるにも関らず、従来例１で
はＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層６０８の厚さが２００Ａ（オン
グストローム）と厚く、かつ、アルミニウム組成も０．
２と大きいために、大きな格子歪が多重量子井戸構造活
性層１０７に加わり、多重量子井戸構造活性層１０７の
結晶性の悪化がもたらされている。一方、ｐ型Ａｌ0.2
Ｇａ0.8 Ｎ層６０８の厚さを薄く、または、アルミニウ
ム組成を小さくした場合、基板の昇温により多重量子井
戸構造活性層１０７中のインジウムが解離することを防
止でない恐れがある。
【０００８】図１１に示された、従来のＩｎＧａＮ層の
結晶成長方法により発光層が形成された窒化ガリウム系
発光ダイオードに於いては、基板温度８００℃でのＩｎ
0.2Ｇａ0.8 Ｎ発光層２０７の形成が終了した後、ｐ型
窒化ガリウムコンタクト層１１１を形成するために基板
を１０２０℃まで昇温する際に、Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ発
光層２０７中のインジウムが解離し、設計値通りの発光
波長で発光しない怖れがある。
結晶成長方法により発光層が形成された窒化ガリウム系
発光ダイオードに於いては、基板温度８００℃でのＩｎ
0.2Ｇａ0.8 Ｎ発光層２０７の形成が終了した後、ｐ型
窒化ガリウムコンタクト層１１１を形成するために基板
を１０２０℃まで昇温する際に、Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ発
光層２０７中のインジウムが解離し、設計値通りの発光
波長で発光しない怖れがある。
【０００９】本発明の目的は、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ層（０
＜ｘ≦１）を少なくとも一層含む、一層または複数層の
比較的低温で形成されたＩｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦
ｘ≦１）を有する窒化ガリウム系半導体層の中のインジ
ウムが、基板温度を９００℃以上とすることに伴なって
解離するのを防止し、かつ、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層
（０≦ｘ≦１）の結晶性の悪化を最小限にとどめること
のできる、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）より
も表面側に、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）に
接して、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１）を少なくと
も一層含む、一層または複数層の比較的低温で形成され
るＡｌx Ｇａ1-x Ｎインジウム解離防止層（０≦ｘ≦
１）の組成と厚さの範囲を明らかにすることによって、
結晶性の良いＩｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）を
形成できる結晶成長方法を提供することである。
＜ｘ≦１）を少なくとも一層含む、一層または複数層の
比較的低温で形成されたＩｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦
ｘ≦１）を有する窒化ガリウム系半導体層の中のインジ
ウムが、基板温度を９００℃以上とすることに伴なって
解離するのを防止し、かつ、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層
（０≦ｘ≦１）の結晶性の悪化を最小限にとどめること
のできる、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）より
も表面側に、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）に
接して、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１）を少なくと
も一層含む、一層または複数層の比較的低温で形成され
るＡｌx Ｇａ1-x Ｎインジウム解離防止層（０≦ｘ≦
１）の組成と厚さの範囲を明らかにすることによって、
結晶性の良いＩｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）を
形成できる結晶成長方法を提供することである。
【００１０】さらに、このような結晶成長方法を用い
て、しきい値電流などの特性の良い窒化ガリウム系発光
素子を提供することである。
て、しきい値電流などの特性の良い窒化ガリウム系発光
素子を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化ガリウム系
半導体の結晶成長方法は、基板温度６００℃以上９００
℃以下でＩｎx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１）を少なくと
も一層含む、一層または複数層のＩｎx Ｇａ1-x Ｎ層
（０≦ｘ≦１）を形成する工程と、前記工程と連続して
基板温度６００℃以上９００℃以下でＡｌx Ｇａ1-x Ｎ
層（０＜ｘ≦１）を少なくとも一層含む、一層または複
数層のＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）を形成する工
程と、基板温度を９００℃以上にする工程とを、前記順
序で少なくとも含み、かつ、前記Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ層
（０≦ｘ≦１）の層数Ｎ、各層の厚さｄi （ｉ＝
１，．．．，Ｎ）、各層のアルミニウム組成ｘi （ｉ＝
１，．．．，Ｎ）の間に、
半導体の結晶成長方法は、基板温度６００℃以上９００
℃以下でＩｎx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１）を少なくと
も一層含む、一層または複数層のＩｎx Ｇａ1-x Ｎ層
（０≦ｘ≦１）を形成する工程と、前記工程と連続して
基板温度６００℃以上９００℃以下でＡｌx Ｇａ1-x Ｎ
層（０＜ｘ≦１）を少なくとも一層含む、一層または複
数層のＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）を形成する工
程と、基板温度を９００℃以上にする工程とを、前記順
序で少なくとも含み、かつ、前記Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ層
（０≦ｘ≦１）の層数Ｎ、各層の厚さｄi （ｉ＝
１，．．．，Ｎ）、各層のアルミニウム組成ｘi （ｉ＝
１，．．．，Ｎ）の間に、
【００１２】
【数４】
【００１３】なる関係が満たされることを特徴とする。
【００１４】また、前記Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦
１）が複数の層からなり、かつ、前記複数層のＡｌx Ｇ
ａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）のアルミニウム組成が基板側
から表面側にかけて増加することを特徴とする。
１）が複数の層からなり、かつ、前記複数層のＡｌx Ｇ
ａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）のアルミニウム組成が基板側
から表面側にかけて増加することを特徴とする。
【００１５】本発明の窒化ガリウム系発光素子の製造方
法は、基板温度６００℃以上９００℃以下でＩｎx Ｇａ
1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１）を少なくとも一層含む、一層ま
たは複数層のＩｎx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）を形成
する工程と、前記工程と連続して基板温度６００℃以上
９００℃以下でＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１）を少
なくとも一層含む、一層または複数層のＡｌx Ｇａ1-x
Ｎ層（０≦ｘ≦１）を形成する工程と、基板温度を９０
０℃以上にする工程とを、前記順序で少なくとも含み、
かつ、前記Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）の層数
Ｎ、各層の厚さｄｉ（ｉ＝１，．．．，Ｎ）、各層のア
ルミニウム組成ｘi（ｉ＝１，．．．，Ｎ）の間に、
法は、基板温度６００℃以上９００℃以下でＩｎx Ｇａ
1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１）を少なくとも一層含む、一層ま
たは複数層のＩｎx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）を形成
する工程と、前記工程と連続して基板温度６００℃以上
９００℃以下でＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１）を少
なくとも一層含む、一層または複数層のＡｌx Ｇａ1-x
Ｎ層（０≦ｘ≦１）を形成する工程と、基板温度を９０
０℃以上にする工程とを、前記順序で少なくとも含み、
かつ、前記Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）の層数
Ｎ、各層の厚さｄｉ（ｉ＝１，．．．，Ｎ）、各層のア
ルミニウム組成ｘi（ｉ＝１，．．．，Ｎ）の間に、
【００１６】
【数５】
【００１７】なる関係が満たされることを特徴とする。
【００１８】また前記Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦
１）が複数の層からなり、かつ、前記複数層のＡｌx Ｇ
ａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）のアルミニウム組成が基板側
から表面側にかけて増加することを特徴とする。
１）が複数の層からなり、かつ、前記複数層のＡｌx Ｇ
ａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）のアルミニウム組成が基板側
から表面側にかけて増加することを特徴とする。
【００１９】本発明の窒化ガリウム系発光素子は、基板
上と、前記基板上に基板温度６００℃以上９００℃以下
で成長したＩｎx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１）を少なく
とも一層含む、一層または複数層のＩｎx Ｇａ1-x Ｎ層
（０≦ｘ≦１）と、前記Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦
１）に続いて基板温度６００℃以上９００℃以下でＡｌ
x Ｇａ1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１）を少なくとも一層含む、
一層または複数層のＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）
を成長した後に基板温度を９００℃以上にして形成した
Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１）とを有し、前記Ａｌ
x Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）の層数Ｎ、各層の厚さｄ
i （ｉ＝１，．．．，Ｎ）、各層のアルミニウム組成ｘ
i （ｉ＝１，．．．，Ｎ）の間に、
上と、前記基板上に基板温度６００℃以上９００℃以下
で成長したＩｎx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１）を少なく
とも一層含む、一層または複数層のＩｎx Ｇａ1-x Ｎ層
（０≦ｘ≦１）と、前記Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦
１）に続いて基板温度６００℃以上９００℃以下でＡｌ
x Ｇａ1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１）を少なくとも一層含む、
一層または複数層のＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）
を成長した後に基板温度を９００℃以上にして形成した
Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１）とを有し、前記Ａｌ
x Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）の層数Ｎ、各層の厚さｄ
i （ｉ＝１，．．．，Ｎ）、各層のアルミニウム組成ｘ
i （ｉ＝１，．．．，Ｎ）の間に、
【００２０】
【数６】
【００２１】なる関係が満たされることを特徴とする。
【００２２】また前記Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦
１）が複数の層からなり、かつ、前記複数層のＡｌx Ｇ
ａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）のアルミニウム組成が基板側
から表面側にかけて増加することを特徴とする。
１）が複数の層からなり、かつ、前記複数層のＡｌx Ｇ
ａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）のアルミニウム組成が基板側
から表面側にかけて増加することを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、図
面を参照して詳しく説明する。本実施の形態では、基板
上に比較的低温で形成されたＩｎx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜
ｘ≦１）を少なくとも一層含む、一層または複数層のＩ
ｎx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）（以下、Ｉｎx Ｇａ
1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）と記す）中のインジウム
が、基板の昇温に伴なって解離することを防止するため
に、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）よりも表面
側に、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）に接し
て、比較的低温で形成されるＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜
ｘ≦１）を少なくとも一層含む、一層または複数層のＡ
ｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）（以下、Ａｌx Ｇａ
1-x Ｎインジウム解離防止層（０≦ｘ≦１）と記す）を
形成している。
面を参照して詳しく説明する。本実施の形態では、基板
上に比較的低温で形成されたＩｎx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜
ｘ≦１）を少なくとも一層含む、一層または複数層のＩ
ｎx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）（以下、Ｉｎx Ｇａ
1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）と記す）中のインジウム
が、基板の昇温に伴なって解離することを防止するため
に、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）よりも表面
側に、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）に接し
て、比較的低温で形成されるＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜
ｘ≦１）を少なくとも一層含む、一層または複数層のＡ
ｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）（以下、Ａｌx Ｇａ
1-x Ｎインジウム解離防止層（０≦ｘ≦１）と記す）を
形成している。
【００２４】通常ＧａＮの成長は１０００℃程度以上の
基板温度で行うが、これはＮ原子のみならず、Ｇａ原子
もまた蒸発する温度である。しかし、Ａｌ原子の蒸発に
はさらに高温（１２００℃程度以上）が必要となる。し
たがって基板温度６００℃以上９００℃以下でＩｎx Ｇ
ａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎイン
ジウム解離防止層（０≦ｘ≦１）を成長した後に、Ｇａ
Ｎ等の成長のために基板を９００℃以上にした場合、Ｇ
ａ原子がＡｌx Ｇａ1-x Ｎインジウム解離防止層（０≦
ｘ≦１）から蒸発する。このため、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎイ
ンジウム解離防止層（０≦ｘ≦１）は昇温前よりＡｌ組
成が大きくなったＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１）と
なり、この層がＩｎ原子の抜けを防止する。なおＧａの
蒸発の割合は、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎインジウム解離防止層
（０≦ｘ≦１）を形成した際の温度、昇温後の温度、昇
温の速さ、昇温してから成長を始めるまでの待機時間な
どに依存して変化する。
基板温度で行うが、これはＮ原子のみならず、Ｇａ原子
もまた蒸発する温度である。しかし、Ａｌ原子の蒸発に
はさらに高温（１２００℃程度以上）が必要となる。し
たがって基板温度６００℃以上９００℃以下でＩｎx Ｇ
ａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎイン
ジウム解離防止層（０≦ｘ≦１）を成長した後に、Ｇａ
Ｎ等の成長のために基板を９００℃以上にした場合、Ｇ
ａ原子がＡｌx Ｇａ1-x Ｎインジウム解離防止層（０≦
ｘ≦１）から蒸発する。このため、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎイ
ンジウム解離防止層（０≦ｘ≦１）は昇温前よりＡｌ組
成が大きくなったＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１）と
なり、この層がＩｎ原子の抜けを防止する。なおＧａの
蒸発の割合は、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎインジウム解離防止層
（０≦ｘ≦１）を形成した際の温度、昇温後の温度、昇
温の速さ、昇温してから成長を始めるまでの待機時間な
どに依存して変化する。
【００２５】ここで昇温時に作成されたＡｌ組成が大き
くなったＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１）は、格子定
数がＩｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）と異なるた
め、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）の結晶性に
悪化を与えることになる。
くなったＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１）は、格子定
数がＩｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）と異なるた
め、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）の結晶性に
悪化を与えることになる。
【００２６】この結晶性の悪化の影響を最小限にとどめ
るために、Ｇａ原子の蒸発によってＡｌ組成の大きくな
ったＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１）のパラメータと
してＡｌx Ｇａ1-x Ｎインジウム解離防止層（０≦ｘ≦
１）におけるＡｌ組成と層厚の積に着目した。Ａｌx Ｇ
ａ1-x Ｎインジウム解離防止層（０≦ｘ≦１）のＡｌ組
成と層厚がＩｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）層に
与える影響を調べるため、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎインジウム
解離防止層（０≦ｘ≦１））の組成と厚さをＡｌ組成
０．１、厚さが２５Ａ（オングストローム）のＡｌ0.1
Ｇａ0.9 Ｎ層（試料１）、Ａｌ組成０．１、厚さが５０
Ａ（オングストローム）のＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層（試料
２）、Ａｌ組成０．１、厚さが１００Ａ（オングストロ
ーム）のＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層（試料３）とする３種類
の試料を作成した。
るために、Ｇａ原子の蒸発によってＡｌ組成の大きくな
ったＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１）のパラメータと
してＡｌx Ｇａ1-x Ｎインジウム解離防止層（０≦ｘ≦
１）におけるＡｌ組成と層厚の積に着目した。Ａｌx Ｇ
ａ1-x Ｎインジウム解離防止層（０≦ｘ≦１）のＡｌ組
成と層厚がＩｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）層に
与える影響を調べるため、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎインジウム
解離防止層（０≦ｘ≦１））の組成と厚さをＡｌ組成
０．１、厚さが２５Ａ（オングストローム）のＡｌ0.1
Ｇａ0.9 Ｎ層（試料１）、Ａｌ組成０．１、厚さが５０
Ａ（オングストローム）のＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層（試料
２）、Ａｌ組成０．１、厚さが１００Ａ（オングストロ
ーム）のＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層（試料３）とする３種類
の試料を作成した。
【００２７】以下、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦
１）層に接して形成するＡｌx Ｇａ1-x Ｎインジウム解
離防止層（０≦ｘ≦１）の組成と厚さの最適な範囲につ
いて説明する。
１）層に接して形成するＡｌx Ｇａ1-x Ｎインジウム解
離防止層（０≦ｘ≦１）の組成と厚さの最適な範囲につ
いて説明する。
【００２８】図５は、作成した３種類の試料に共通な概
略断面図である。図５に於いて、試料は、有機金属化学
気相成長法により、厚さ３３０μm の（１１−２０）
面を表面とするサファイア基板上１０１に、窒化ガリウ
ム低温バッファ層１０２、アンドープの厚さ１μm の
窒化ガリウム層５０１、基板温度６５０℃でアンドープ
の厚さ３０Ａ（オングストローム）のＩｎ0.2 Ｇａ0.8
Ｎ量子井戸層とアンドープの厚さ９０Ａ（オングストロ
ーム）の窒化ガリウム障壁層とからなる５周期の多重量
子井戸構造５０２、アンドープのＡｌ０．１Ｇａ０．９
Ｎインジウム解離防止層５０３を形成し、基板温度１０
５０℃に昇温した後、アンドープの厚さ０．１μm の
窒化ガリウム層５０４を形成した。
略断面図である。図５に於いて、試料は、有機金属化学
気相成長法により、厚さ３３０μm の（１１−２０）
面を表面とするサファイア基板上１０１に、窒化ガリウ
ム低温バッファ層１０２、アンドープの厚さ１μm の
窒化ガリウム層５０１、基板温度６５０℃でアンドープ
の厚さ３０Ａ（オングストローム）のＩｎ0.2 Ｇａ0.8
Ｎ量子井戸層とアンドープの厚さ９０Ａ（オングストロ
ーム）の窒化ガリウム障壁層とからなる５周期の多重量
子井戸構造５０２、アンドープのＡｌ０．１Ｇａ０．９
Ｎインジウム解離防止層５０３を形成し、基板温度１０
５０℃に昇温した後、アンドープの厚さ０．１μm の
窒化ガリウム層５０４を形成した。
【００２９】図６は、図５に示されたＡｌ0.1 Ｇａ0.9
Ｎ層５０３の厚さが２５Ａ（オングストローム）の試料
１、図７はＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層５０３の厚さが５０Ａ
（オングストローム）の試料２、図８は、Ａｌ0.1 Ｇａ
0.9 Ｎ層５０３の厚さが１００Ａ（オングストローム）
の試料３の室温に於けるｐＬスペクトルの測定結果であ
る。ｐＬスペクトルの測定に於ける励起光源としては、
波長３２５Ｎm のＨｅ−Ｃｄレーザを用いた。
Ｎ層５０３の厚さが２５Ａ（オングストローム）の試料
１、図７はＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層５０３の厚さが５０Ａ
（オングストローム）の試料２、図８は、Ａｌ0.1 Ｇａ
0.9 Ｎ層５０３の厚さが１００Ａ（オングストローム）
の試料３の室温に於けるｐＬスペクトルの測定結果であ
る。ｐＬスペクトルの測定に於ける励起光源としては、
波長３２５Ｎm のＨｅ−Ｃｄレーザを用いた。
【００３０】従来例のＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層６０８は厚
さ２００Ａ（オングストローム）、アルミニウム組成
０．２であるが、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎインジウム解離防止
層（０≦ｘ≦１）の厚さとアルミニウム組成の積を従来
例のＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層６０８より小さくしても、イ
ンジウムの解離を防止するという目的に支障がない場合
は、厚さとアルミニウム組成の積を小さくした方が不要
な格子歪がＩｎＧａＮ層に導入されないため望ましい。
さ２００Ａ（オングストローム）、アルミニウム組成
０．２であるが、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎインジウム解離防止
層（０≦ｘ≦１）の厚さとアルミニウム組成の積を従来
例のＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層６０８より小さくしても、イ
ンジウムの解離を防止するという目的に支障がない場合
は、厚さとアルミニウム組成の積を小さくした方が不要
な格子歪がＩｎＧａＮ層に導入されないため望ましい。
【００３１】しかし、組成と厚さの積が２Ａ（オングス
トローム）程度以下になると、基板昇温時にＧａ原子が
Ａｌx Ｇａ1-x Ｎインジウム解離防止層（０≦ｘ≦１）
から全て蒸発した場合に、単原子層未満の窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）しか残らないため、インジウムの解離を
防止するという目的に支障がある。したがって成長する
Ａｌx Ｇａ1-x Ｎインジウム解離防止層（０≦ｘ≦１）
のＡｌ組成と厚さの積の下限は２Ａ（オングストロー
ム）より大きいことが望ましい。
トローム）程度以下になると、基板昇温時にＧａ原子が
Ａｌx Ｇａ1-x Ｎインジウム解離防止層（０≦ｘ≦１）
から全て蒸発した場合に、単原子層未満の窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）しか残らないため、インジウムの解離を
防止するという目的に支障がある。したがって成長する
Ａｌx Ｇａ1-x Ｎインジウム解離防止層（０≦ｘ≦１）
のＡｌ組成と厚さの積の下限は２Ａ（オングストロー
ム）より大きいことが望ましい。
【００３２】一方、試料１〜３に於いて、図６に示され
たｐＬスペクトルの半値全幅は１０５meV 、図７に示
されたｐＬスペクトルの半値全幅は８５meV 、図８に
示されたｐＬスペクトルの半値全幅は１２０meV であ
って、図７に比べ図６および図５に示されたｐＬスペク
トルの半値全幅が広くなる。
たｐＬスペクトルの半値全幅は１０５meV 、図７に示
されたｐＬスペクトルの半値全幅は８５meV 、図８に
示されたｐＬスペクトルの半値全幅は１２０meV であ
って、図７に比べ図６および図５に示されたｐＬスペク
トルの半値全幅が広くなる。
【００３３】試料１〜３のｐＬスペクトルの測定結果か
ら得られた、ＡＬ0.1 Ｇａ0.9 Ｎインジウム解離防止層
の厚さとｐＬスペクトルの半値全幅の関係を示すグラフ
を図９に示す。窒化ガリウム系レーザのしきい値電流密
度と、その活性層の室温に於けるｐＬスペクトルの半値
全幅は密接な関係があり、しきい値電流密度を２kA/cm2
程度以下を実現するためには、その活性層の室温に於け
るｐＬスペクトルの半値全幅が１２０meV 程度以下で
あることが望ましい。Ａｌx Ｇａ1-x Ｎインジウム解離
防止層（０≦ｘ≦１）のＡｌ組成と層厚の積が大きくな
ると、不要な歪がＩｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦
１）に加わりｐＬスペクトルの半値全幅に影響を与える
ことになる。したがって、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎインジウム
解離防止層（０≦ｘ≦１）の厚さとアルミニウム組成の
積の上限は１０Ａ（オングストローム）より小さいこと
が望ましい。
ら得られた、ＡＬ0.1 Ｇａ0.9 Ｎインジウム解離防止層
の厚さとｐＬスペクトルの半値全幅の関係を示すグラフ
を図９に示す。窒化ガリウム系レーザのしきい値電流密
度と、その活性層の室温に於けるｐＬスペクトルの半値
全幅は密接な関係があり、しきい値電流密度を２kA/cm2
程度以下を実現するためには、その活性層の室温に於け
るｐＬスペクトルの半値全幅が１２０meV 程度以下で
あることが望ましい。Ａｌx Ｇａ1-x Ｎインジウム解離
防止層（０≦ｘ≦１）のＡｌ組成と層厚の積が大きくな
ると、不要な歪がＩｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦
１）に加わりｐＬスペクトルの半値全幅に影響を与える
ことになる。したがって、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎインジウム
解離防止層（０≦ｘ≦１）の厚さとアルミニウム組成の
積の上限は１０Ａ（オングストローム）より小さいこと
が望ましい。
【００３４】このようにインジウム解離防止層として用
いるＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）の層数Ｎ、各層
の厚さｄi （ｉ＝１，．．．，Ｎ）、各層のアルミニウ
ム組成ｘi （ｉ＝１，．．．，Ｎ）の関係が、次の
（１）式
いるＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）の層数Ｎ、各層
の厚さｄi （ｉ＝１，．．．，Ｎ）、各層のアルミニウ
ム組成ｘi （ｉ＝１，．．．，Ｎ）の関係が、次の
（１）式
【００３５】
【数７】
【００３６】を満たす範囲であればよいことがわかる。
【００３７】なお、図９において、Ａｌ組成０．１の場
合の層厚として６０Ａ（オングストローム）付近でｐＬ
スペクトル半値全幅（meV ）が最も小さくなるのはイ
ンジウムの蒸発防止と不要な歪の低減という２つのトレ
ードオフからもたらされるものである。
合の層厚として６０Ａ（オングストローム）付近でｐＬ
スペクトル半値全幅（meV ）が最も小さくなるのはイ
ンジウムの蒸発防止と不要な歪の低減という２つのトレ
ードオフからもたらされるものである。
【００３８】以下に、本発明の実施の形態を適用した実
施例を説明する。
施例を説明する。
【００３９】《実施例１》図１は、実施の形態で説明し
たインジウム解離防止層の組成と層厚の関係を適用して
形成された、本発明の窒化ガリウム系レーザの概略断面
図である。図１に於いて、この窒化ガリウム系レーザ
は、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板１０
１上に、厚さ３００Ａ（オングストローム）のアンドー
プの窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２、珪素が添
加された厚さ３μm のＮ型窒化ガリウムコンタクト層
１０３、珪素が添加された厚さ０．１μm のＮ型Ｉｎ
0.05Ｇａ0.95Ｎクラック防止層１０４、珪素が添加され
た厚さ０．４μm のＮ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド
層１０５、珪素が添加された厚さ０．１μm のＮ型窒
化ガリウム光ガイド層１０６が形成され、基板温度８０
０℃で厚さ２５Ａ（オングストローム）のアンドープの
Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ量子井戸層と厚さ５０Ａ（オングス
トローム）のアンドープのＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層か
らなる７周期の多重量子井戸構造活性層１０７、マグネ
シウムが添加された厚さ５０Ａ（オングストローム）の
ｐ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層１０８が形成され、その後基
板温度１０２０℃でマグネシウムが添加された厚さ０．
１μm のｐ型窒化ガリウム光ガイド層１０９、マグネ
シウムが添加された厚さ０．４μm のｐ型Ａｌ0.07Ｇ
ａ0.93Ｎクラッド層１１０、マグネシウムが添加された
厚さ０．２μm のｐ型窒化ガリウムコンタクト層１１
１が形成されている。ｐ電極１１２には、ニッケル（第
１層）および金（第２層）を用い、Ｎ電極１１３には、
チタン（第１層）およびアルミニウム（第２層）を用い
ている。
たインジウム解離防止層の組成と層厚の関係を適用して
形成された、本発明の窒化ガリウム系レーザの概略断面
図である。図１に於いて、この窒化ガリウム系レーザ
は、（１１−２０）面を表面とするサファイア基板１０
１上に、厚さ３００Ａ（オングストローム）のアンドー
プの窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２、珪素が添
加された厚さ３μm のＮ型窒化ガリウムコンタクト層
１０３、珪素が添加された厚さ０．１μm のＮ型Ｉｎ
0.05Ｇａ0.95Ｎクラック防止層１０４、珪素が添加され
た厚さ０．４μm のＮ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド
層１０５、珪素が添加された厚さ０．１μm のＮ型窒
化ガリウム光ガイド層１０６が形成され、基板温度８０
０℃で厚さ２５Ａ（オングストローム）のアンドープの
Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ量子井戸層と厚さ５０Ａ（オングス
トローム）のアンドープのＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層か
らなる７周期の多重量子井戸構造活性層１０７、マグネ
シウムが添加された厚さ５０Ａ（オングストローム）の
ｐ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層１０８が形成され、その後基
板温度１０２０℃でマグネシウムが添加された厚さ０．
１μm のｐ型窒化ガリウム光ガイド層１０９、マグネ
シウムが添加された厚さ０．４μm のｐ型Ａｌ0.07Ｇ
ａ0.93Ｎクラッド層１１０、マグネシウムが添加された
厚さ０．２μm のｐ型窒化ガリウムコンタクト層１１
１が形成されている。ｐ電極１１２には、ニッケル（第
１層）および金（第２層）を用い、Ｎ電極１１３には、
チタン（第１層）およびアルミニウム（第２層）を用い
ている。
【００４０】実施例１に於いては、Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ
層１０８の厚さとして５０Ａ（オングストローム）を、
アルミニウム組成として０．１を採用することにより、
Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層１０８により多重量子井戸構造活
性層１０７中のインジウムの解離を防止することと、Ａ
ｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層１０８による多重量子井戸構造活性
層１０７の結晶性の悪化を最小限にとどめることを両立
させた。そのため、従来例１に示された従来のＩｎＧａ
Ｎ層の結晶成長方法により活性層が形成された窒化ガリ
ウム系レーザに比べ、低い発振しきい値電流が実現され
る。
層１０８の厚さとして５０Ａ（オングストローム）を、
アルミニウム組成として０．１を採用することにより、
Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層１０８により多重量子井戸構造活
性層１０７中のインジウムの解離を防止することと、Ａ
ｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層１０８による多重量子井戸構造活性
層１０７の結晶性の悪化を最小限にとどめることを両立
させた。そのため、従来例１に示された従来のＩｎＧａ
Ｎ層の結晶成長方法により活性層が形成された窒化ガリ
ウム系レーザに比べ、低い発振しきい値電流が実現され
る。
【００４１】《実施例２》図２は、本発明のＩｎＧａＮ
層の結晶成長方法を用いて発光層が形成された、本発明
の窒化ガリウム系発光ダイオードの概略断面図である。
図２に於いて、この窒化ガリウム系発光ダイオードは、
（０００１）面を表面とするサファイア基板２０１上
に、厚さ２５０Ａ（オングストローム）のアンドープの
窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２、珪素が添加さ
れた厚さ４μm のＮ型窒化ガリウムコンタクト層１０
３が形成され、基板温度８００℃で珪素が添加された厚
さ２００Ａ（オングストローム）のＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ
発光層２０７、厚さ２５Ａ（オングストローム）のアン
ドープのＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層２０８が形成され、基板
温度１０２０℃でマグネシウムが添加されたｐ型窒化ガ
リウムコンタクト層１１１が形成されている。ｐ電極２
１２には金、Ｎ電極２１３にはアルミニウムが用いられ
ている。
層の結晶成長方法を用いて発光層が形成された、本発明
の窒化ガリウム系発光ダイオードの概略断面図である。
図２に於いて、この窒化ガリウム系発光ダイオードは、
（０００１）面を表面とするサファイア基板２０１上
に、厚さ２５０Ａ（オングストローム）のアンドープの
窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２、珪素が添加さ
れた厚さ４μm のＮ型窒化ガリウムコンタクト層１０
３が形成され、基板温度８００℃で珪素が添加された厚
さ２００Ａ（オングストローム）のＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ
発光層２０７、厚さ２５Ａ（オングストローム）のアン
ドープのＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層２０８が形成され、基板
温度１０２０℃でマグネシウムが添加されたｐ型窒化ガ
リウムコンタクト層１１１が形成されている。ｐ電極２
１２には金、Ｎ電極２１３にはアルミニウムが用いられ
ている。
【００４２】実施例２に於いては、Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ
層２０８の厚さとして２５Ａ（オングストローム）を、
アルミニウム組成として０．２を採用することにより、
Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層２０８によりＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ
発光層２０７中のインジウムの解離を防止することと、
Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層２０８によるＩｎ0.2 Ｇａ0.8Ｎ
発光層２０７の結晶性の悪化を最小限にとどめることを
両立させたため、従来例２に示された従来のＩｎＧａＮ
層の結晶成長方法により発光層が形成された窒化ガリウ
ム系発光ダイオードに比べ、設計値通りの発光波長およ
び狭い半値全幅の発光スペクトルが実現される。
層２０８の厚さとして２５Ａ（オングストローム）を、
アルミニウム組成として０．２を採用することにより、
Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層２０８によりＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ
発光層２０７中のインジウムの解離を防止することと、
Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層２０８によるＩｎ0.2 Ｇａ0.8Ｎ
発光層２０７の結晶性の悪化を最小限にとどめることを
両立させたため、従来例２に示された従来のＩｎＧａＮ
層の結晶成長方法により発光層が形成された窒化ガリウ
ム系発光ダイオードに比べ、設計値通りの発光波長およ
び狭い半値全幅の発光スペクトルが実現される。
【００４３】《実施例３》図３は、本発明のＩｎＧａＮ
層の結晶成長方法を用いて活性層が形成された、本発明
の窒化ガリウム系レーザの概略断面図である。図３に於
いて、この窒化ガリウム系レーザは、（１１−２０）面
を表面とするサファイア基板１０１上に、厚さ３００Ａ
（オングストローム）のアンドープの窒化ガリウム低温
成長バッファ層１０２、珪素が添加された厚さ３μm
のＮ型窒化ガリウムコンタクト層１０３、珪素が添加さ
れた厚さ０．１μm のＮ型Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎクラッ
ク防止層１０４、珪素が添加された厚さ０．４μm の
Ｎ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層１０５、珪素が添加
された厚さ０．１μm のＮ型窒化ガリウム光ガイド層
１０６が形成され、基板温度８００℃で、厚さ２５Ａ
（オングストローム）のアンドープのＩｎ0.2 Ｇａ0.8
Ｎ量子井戸層と厚さ５０Ａ（オングストローム）のアン
ドープのＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層からなる７周期の多
重量子井戸構造活性層１０７が形成され、その後、基板
温度１０２０℃でマグネシウムが添加された厚さ５０Ａ
（オングストローム）のｐ型ＡｌＧａＮ層３０８、マグ
ネシウムが添加された厚さ０．１μm のｐ型窒化ガリ
ウム光ガイド層１０９、マグネシウムが添加された厚さ
０．４μm のｐ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層１１
０、マグネシウムが添加された厚さ０．２μm のｐ型
窒化ガリウムコンタクト層１１１が形成される。ｐ電極
１１２には、ニッケル（第１層）および金（第２層）
を、Ｎ電極１１３には、チタン（第１層）およびアルミ
ニウム（第２層）が用いられている。
層の結晶成長方法を用いて活性層が形成された、本発明
の窒化ガリウム系レーザの概略断面図である。図３に於
いて、この窒化ガリウム系レーザは、（１１−２０）面
を表面とするサファイア基板１０１上に、厚さ３００Ａ
（オングストローム）のアンドープの窒化ガリウム低温
成長バッファ層１０２、珪素が添加された厚さ３μm
のＮ型窒化ガリウムコンタクト層１０３、珪素が添加さ
れた厚さ０．１μm のＮ型Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎクラッ
ク防止層１０４、珪素が添加された厚さ０．４μm の
Ｎ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層１０５、珪素が添加
された厚さ０．１μm のＮ型窒化ガリウム光ガイド層
１０６が形成され、基板温度８００℃で、厚さ２５Ａ
（オングストローム）のアンドープのＩｎ0.2 Ｇａ0.8
Ｎ量子井戸層と厚さ５０Ａ（オングストローム）のアン
ドープのＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層からなる７周期の多
重量子井戸構造活性層１０７が形成され、その後、基板
温度１０２０℃でマグネシウムが添加された厚さ５０Ａ
（オングストローム）のｐ型ＡｌＧａＮ層３０８、マグ
ネシウムが添加された厚さ０．１μm のｐ型窒化ガリ
ウム光ガイド層１０９、マグネシウムが添加された厚さ
０．４μm のｐ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層１１
０、マグネシウムが添加された厚さ０．２μm のｐ型
窒化ガリウムコンタクト層１１１が形成される。ｐ電極
１１２には、ニッケル（第１層）および金（第２層）
を、Ｎ電極１１３には、チタン（第１層）およびアルミ
ニウム（第２層）が用いられている。
【００４４】ｐ型ＡｌＧａＮ層３０８はそれぞれ異なる
アルミニウム組成の複数の層からなっている。ｐ型Ａｌ
ＧａＮ層３０８の詳細を示す概略断面図を図４に示す。
図４に於いて、 ｐ型ＡｌＧａＮ層３０８は、マグネシ
ウムが添加された厚さ１０Ａ（オングストローム）のｐ
型Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎ層４０１、マグネシウムが添加さ
れた厚さ１０Ａ（オングストローム）のｐ型Ａｌ0.075
Ｇａ0.925 Ｎ層４０２、マグネシウムが添加された厚さ
１０Ａ（オングストローム）のｐ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ
層４０３、マグネシウムが添加された厚さ１０Ａ（オン
グストローム）のｐ型Ａｌ0.125 Ｇａ0.875 Ｎ層４０
４、マグネシウムが添加された厚さ１０Ａ（オングスト
ローム）のｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層４０５からなる。
アルミニウム組成の複数の層からなっている。ｐ型Ａｌ
ＧａＮ層３０８の詳細を示す概略断面図を図４に示す。
図４に於いて、 ｐ型ＡｌＧａＮ層３０８は、マグネシ
ウムが添加された厚さ１０Ａ（オングストローム）のｐ
型Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎ層４０１、マグネシウムが添加さ
れた厚さ１０Ａ（オングストローム）のｐ型Ａｌ0.075
Ｇａ0.925 Ｎ層４０２、マグネシウムが添加された厚さ
１０Ａ（オングストローム）のｐ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ
層４０３、マグネシウムが添加された厚さ１０Ａ（オン
グストローム）のｐ型Ａｌ0.125 Ｇａ0.875 Ｎ層４０
４、マグネシウムが添加された厚さ１０Ａ（オングスト
ローム）のｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層４０５からなる。
【００４５】実施例３に於いては、ＡｌＧａＮ層３０８
を、アルミニウム組成が基板側から表面側にかけて増加
する、それぞれ厚さ１０Ａ（オングストローム）の５層
により構成することにより、前記ＡｌＧａＮ層３０８に
より多重量子井戸構造活性層１０７中のインジウムの解
離を防止することと、前記ＡｌＧａＮ層３０８による多
重量子井戸構造活性層１０７の結晶性の悪化を最小限に
とどめることを両立させた。そのため、実施例１に示さ
れた本発明のＩｎＧａＮ層の結晶成長方法により活性層
が形成された窒化ガリウム系レーザに比べても、さらに
低い発振しきい値電流が実現される。
を、アルミニウム組成が基板側から表面側にかけて増加
する、それぞれ厚さ１０Ａ（オングストローム）の５層
により構成することにより、前記ＡｌＧａＮ層３０８に
より多重量子井戸構造活性層１０７中のインジウムの解
離を防止することと、前記ＡｌＧａＮ層３０８による多
重量子井戸構造活性層１０７の結晶性の悪化を最小限に
とどめることを両立させた。そのため、実施例１に示さ
れた本発明のＩｎＧａＮ層の結晶成長方法により活性層
が形成された窒化ガリウム系レーザに比べても、さらに
低い発振しきい値電流が実現される。
【００４６】上記実施例１および実施例３に記載の窒化
ガリウム系レーザ及び実施例２に記載の窒化ガリウム系
発光ダイオードは、（１１−２０）面を表面とするサフ
ァイア基板上に形成されているが、（０００１）面を表
面とするサファイア基板上に形成しても、本発明の実施
に支障はない。
ガリウム系レーザ及び実施例２に記載の窒化ガリウム系
発光ダイオードは、（１１−２０）面を表面とするサフ
ァイア基板上に形成されているが、（０００１）面を表
面とするサファイア基板上に形成しても、本発明の実施
に支障はない。
【００４７】さらに、上記実施例１〜３に記載の窒化ガ
リウム系発光素子は、（０００１）面または（１１−２
０）面を表面とするサファイア基板上に形成しなくと
も、例えば炭化珪素基板あるいはＭｇＡｌ2 Ｏ4 基板あ
るいは窒化ガリウム基板あるいは（０００１）面および
（１１−２０）面以外の面を表面とするサファイア基板
といった他の基板上に形成した場合も、本発明の実施に
支障はない。
リウム系発光素子は、（０００１）面または（１１−２
０）面を表面とするサファイア基板上に形成しなくと
も、例えば炭化珪素基板あるいはＭｇＡｌ2 Ｏ4 基板あ
るいは窒化ガリウム基板あるいは（０００１）面および
（１１−２０）面以外の面を表面とするサファイア基板
といった他の基板上に形成した場合も、本発明の実施に
支障はない。
【００４８】また、本発明の実施は上記実施例に示され
た構造の窒化ガリウム系発光素子に限られるものではな
く、各層の層厚や各層の組成や各層のドーピング濃度や
電極材料などの様々な組み合わせの窒化ガリウム系発光
素子に於いて支障はない。
た構造の窒化ガリウム系発光素子に限られるものではな
く、各層の層厚や各層の組成や各層のドーピング濃度や
電極材料などの様々な組み合わせの窒化ガリウム系発光
素子に於いて支障はない。
【００４９】また、インジウムの解離を防止するＡｌx
Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）は、上記実施例１および実
施例３に示されたようなマグネシウムが添加されたｐ
型、あるいは上記実施例２に示されたようなアンドープ
である必要はなく、珪素などが添加されたＮ型であって
も、本発明の実施に支障はない。
Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）は、上記実施例１および実
施例３に示されたようなマグネシウムが添加されたｐ
型、あるいは上記実施例２に示されたようなアンドープ
である必要はなく、珪素などが添加されたＮ型であって
も、本発明の実施に支障はない。
【００５０】また、インジウムの解離を防止するＡｌx
Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）は、アルミニウム組成の異
なる複数の層からなっていても、たとえそれが上記実施
例３に示されたようなアルミニウム組成が基板側から表
面側にかけて増加するものでなくとも、実施例１に示さ
れた窒化ガリウム系レーザの単層のＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層
（０≦ｘ≦１）と同等の効果はある。また実施例２にも
適用可能である。
Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）は、アルミニウム組成の異
なる複数の層からなっていても、たとえそれが上記実施
例３に示されたようなアルミニウム組成が基板側から表
面側にかけて増加するものでなくとも、実施例１に示さ
れた窒化ガリウム系レーザの単層のＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層
（０≦ｘ≦１）と同等の効果はある。また実施例２にも
適用可能である。
【００５１】またＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎｏｎ ＧａＮ ｏ
ｎ Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ ｏｎ ＧａＮのような多層膜
のインジウム解離層では各Ａｌ組成と膜厚を考慮し、か
つ、６００℃以上９００℃以下の比較的低温で多層膜を
成長しておけばよい。
ｎ Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ ｏｎ ＧａＮのような多層膜
のインジウム解離層では各Ａｌ組成と膜厚を考慮し、か
つ、６００℃以上９００℃以下の比較的低温で多層膜を
成長しておけばよい。
【００５２】なお、本実施例では、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ成
長層（０≦ｘ≦１）を活性層または発光層とした場合に
ついて記載したが、これに限られるものではない。
長層（０≦ｘ≦１）を活性層または発光層とした場合に
ついて記載したが、これに限られるものではない。
【００５３】
【発明の効果】本発明は、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜ｘ
≦１）を少なくとも一層含む、一層または複数層のＩｎ
x Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）を有する窒化ガリウ
ム系半導体層において、基板温度が９００℃以上になっ
ても、インジウムの解離を防止することができ、かつ、
Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）の結晶性の悪化
を最小限にとどめることができる。
≦１）を少なくとも一層含む、一層または複数層のＩｎ
x Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）を有する窒化ガリウ
ム系半導体層において、基板温度が９００℃以上になっ
ても、インジウムの解離を防止することができ、かつ、
Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層（０≦ｘ≦１）の結晶性の悪化
を最小限にとどめることができる。
【００５４】また結晶性の良いＩｎx Ｇａ1-x Ｎ成長層
（０≦ｘ≦１）を形成できるため、しきい値電流などの
特性の良い発光素子を提供するができる。
（０≦ｘ≦１）を形成できるため、しきい値電流などの
特性の良い発光素子を提供するができる。
【図１】実施例１に示された、本発明のＩｎＧａＮ層の
結晶成長方法を用いて活性層が形成された、本発明の窒
化ガリウム系レーザの概略断面図である。
結晶成長方法を用いて活性層が形成された、本発明の窒
化ガリウム系レーザの概略断面図である。
【図２】実施例２に示された、本発明のＩｎＧａＮ層の
結晶成長方法を用いて発光層が形成された、本発明の窒
化ガリウム系発光ダイオードの概略断面図である。
結晶成長方法を用いて発光層が形成された、本発明の窒
化ガリウム系発光ダイオードの概略断面図である。
【図３】実施例３に示された、本発明のＩｎＧａＮ層の
結晶成長方法を用いて活性層が形成された、本発明の窒
化ガリウム系レーザの概略断面図である。
結晶成長方法を用いて活性層が形成された、本発明の窒
化ガリウム系レーザの概略断面図である。
【図４】図７に示された本発明の窒化ガリウム系レーザ
のＡｌＧａＮインジウム解離防止層の概略断面図であ
る。
のＡｌＧａＮインジウム解離防止層の概略断面図であ
る。
【図５】試料１〜３の概略断面図である。
【図６】試料１のｐＬスペクトルの測定結果を示すグラ
フである。
フである。
【図７】試料２のｐＬスペクトルの測定結果を示すグラ
フである。
フである。
【図８】試料３のｐＬスペクトルの測定結果を示すグラ
フである。
フである。
【図９】試料１〜３に於ける、Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎイン
ジウム解離防止層の厚さとｐＬスペクトルの半値全幅の
関係を示すグラフである。
ジウム解離防止層の厚さとｐＬスペクトルの半値全幅の
関係を示すグラフである。
【図１０】従来の技術を用いた窒化ガリウム系レーザの
概略断面図である。
概略断面図である。
【図１１】従来の技術を用いた窒化ガリウム系発光ダイ
オードの概略断面図である。
オードの概略断面図である。
１０１ （１１−２０）面を表面とするサファイア基板 １０２ 窒化ガリウム低温成長バッファ層 １０３ Ｎ型窒化ガリウムコンタクト層 １０４ Ｎ型Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎクラック防止層 １０５ Ｎ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層 １０６ Ｎ型窒化ガリウム光ガイド層 １０７ 多重量子井戸活性層 １０８ ｐ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層 １０９ ｐ型窒化ガリウム光ガイド層 １１０ ｐ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層 １１１ ｐ型窒化ガリウムコンタクト層 １１２ ニッケルおよび金からなるｐ電極 １１３ チタンおよびアルミニウムからなるＮ電極 ２０１ （０００１）面を表面とするサファイア基板 ２０７ Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ発光層 ２０８ Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層 ２１２ 金からなるｐ電極 ２１３ アルミニウムからなるＮ電極 ３０８ ｐ型ＡｌＧａＮ層 ４０１ ｐ型Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎ層 ４０２ ｐ型Ａｌ0.075 Ｇａ0.925 Ｎ層 ４０３ ｐ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層 ４０４ ｐ型Ａｌ0.125 Ｇａ0.875 Ｎ層 ４０５ ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層 ５０１ 窒化ガリウム層 ５０２ 多重量子井戸構造 ５０３ Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層 ６０８ ｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−64419（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−293643（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−321962（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−84165（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 H01L 33/00
Claims (5)
- 【請求項１】ＩｎＧａＮ層を含む窒化ガリウム系半導体
層の結晶成長方法であって、基板温度６００℃以上９０
０℃以下でＩｎx Ｇａ1-xＮ層（０＜ｘ≦１）を少なく
とも一層含む、一層または複数層のＩｎx Ｇａ1-x Ｎ層
（０≦ｘ≦１）を形成する工程と、前記工程と連続して
基板温度６００℃以上９００℃以下でＡｌx Ｇａ1-xＮ
層（０＜ｘ≦１）を少なくとも一層含む、一層または複
数層のＡｌx Ｇａ1-xＮ層（０≦ｘ≦１）を形成する工
程と、基板温度を９００℃以上にする工程とを、前記順
序で少なくとも含み、かつ、前記Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ層
（０≦ｘ≦１）の層数Ｎ、各層の厚さｄi （ｉ＝
１，．．．，Ｎ）、各層のアルミニウム組成ｘi（ｉ＝
１，．．．，Ｎ)の間に、 【数１】 なる関係が満たされ、前記Ａｌ x Ｇａ 1-x Ｎ層（０≦ｘ
≦１）が複数の層からなり、かつ、前記複数層のＡｌ x
Ｇａ 1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）のアルミニウム組成が基板
側から表面側にかけて増加することを特徴とする窒化ガ
リウム系半導体層の結晶成長方法。 - 【請求項２】ＩｎＧａＮ層を含む窒化ガリウム系発光素
子の製造方法であって、基板温度６００℃以上９００℃
以下でＩｎx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１）を少なくとも
一層含む、一層または複数層のＩｎx Ｇａ1-x Ｎ層（０
≦ｘ≦１）を形成する工程と、前記工程と連続して基板
温度６００℃以上９００℃以下でＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層
（０＜ｘ≦１）を少なくとも一層含む、一層または複数
層のＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）を形成する工程
と、基板温度を９００℃以上にする工程とを、前記順序
で少なくとも含み、かつ、前記Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０
≦ｘ≦１）の層数Ｎ、各層の厚さｄi （ｉ＝
１，．．．，Ｎ）、各層のアルミニウム組成ｘi （ｉ＝
１，．．．，Ｎ)の間に、 【数２】 なる関係が満たされ、前記Ａｌ x Ｇａ 1-x Ｎ層（０≦ｘ
≦１）が複数の層からなり、かつ、前記複数層のＡｌ x
Ｇａ 1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）のアルミニウム組成が基板
側から表面側にかけて増加することを特徴とする窒化ガ
リウム系発光素子の製造方法。 - 【請求項３】請求項２記載の窒化ガリウム系発光素子の
製造方法であって、前記Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦
１）は活性層または発光層であることを特徴とする窒化
ガリウム系発光素子の製造方法。 - 【請求項４】基板上と、前記基板上に基板温度６００℃
以上９００℃以下で成長したＩｎxＧａ1-x Ｎ層（０＜
ｘ≦１）を少なくとも一層含む、一層または複数層のＩ
ｎxＧａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）と、前記Ｉｎx Ｇａ1-x
Ｎ層（０≦ｘ≦１）に続いて基板温度６００℃以上９
００℃以下でＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１)を少な
くとも一層含む、一層または複数層のＡｌx Ｇａ1-x Ｎ
層（０≦ｘ≦１)を成長した後に基板温度を９００℃以
上にして形成したＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０＜ｘ≦１)と
を有し、前記Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１)の層数
Ｎ、各層の厚さｄi （ｉ＝１，．．．，Ｎ)、各層のア
ルミニウム組成ｘi （ｉ＝１，．．．，Ｎ)の間に、 【数３】 なる関係が満たされ、前記Ａｌ x Ｇａ 1-x Ｎ層（０≦ｘ
≦１)が複数の層からなり、かつ、前記複数層のＡｌx
Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１)のアルミニウム組成が基板
側から表面側にかけて増加することを特徴とする窒化ガ
リウム系発光素子。 - 【請求項５】請求項４記載の窒化ガリウム系発光素子で
あって、前記Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１)活性層
または発光層であることを特徴とする窒化ガリウム系発
光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21327397A JP3239812B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | ＩｎＧａＮ層を含む窒化ガリウム系半導体層の結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21327397A JP3239812B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | ＩｎＧａＮ層を含む窒化ガリウム系半導体層の結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154847A JPH1154847A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3239812B2 true JP3239812B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=16636381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21327397A Expired - Lifetime JP3239812B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | ＩｎＧａＮ層を含む窒化ガリウム系半導体層の結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3239812B2 (ja) |
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| US6586762B2 (en) | 2000-07-07 | 2003-07-01 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device with improved lifetime and high output power |
| WO2002084831A1 (en) * | 2001-04-12 | 2002-10-24 | Nichia Corporation | Gallium nitride compound semiconductor element |
| PL207400B1 (pl) | 2001-06-06 | 2010-12-31 | Ammono Społka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością | Sposób i urządzenie do otrzymywania objętościowego monokryształu azotku zawierającego gal |
| US6656615B2 (en) | 2001-06-06 | 2003-12-02 | Nichia Corporation | Bulk monocrystalline gallium nitride |
| UA82180C2 (uk) | 2001-10-26 | 2008-03-25 | АММОНО Сп. с о. о | Об'ємний монокристал нітриду галію (варіанти) і основа для епітаксії |
| US7057211B2 (en) | 2001-10-26 | 2006-06-06 | Ammono Sp. Zo.O | Nitride semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
| MY139533A (en) | 2001-11-05 | 2009-10-30 | Nichia Corp | Nitride semiconductor device |
| US7335262B2 (en) | 2002-05-17 | 2008-02-26 | Ammono Sp. Z O.O. | Apparatus for obtaining a bulk single crystal using supercritical ammonia |
| JP2011035156A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
-
1997
- 1997-08-07 JP JP21327397A patent/JP3239812B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1154847A (ja) | 1999-02-26 |
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