JPH04268782A - マルチビーム型半導体レーザ装置 - Google Patents
マルチビーム型半導体レーザ装置Info
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- JPH04268782A JPH04268782A JP5014991A JP5014991A JPH04268782A JP H04268782 A JPH04268782 A JP H04268782A JP 5014991 A JP5014991 A JP 5014991A JP 5014991 A JP5014991 A JP 5014991A JP H04268782 A JPH04268782 A JP H04268782A
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 15
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、単結晶基板と、この基
板上に設けられた活性層と、この活性層を挟みそのエネ
ルギーバンドギャップが活性層より広い一対のクラッド
層を備えるマルチビーム型半導体レーザ装置に係り、特
に、その製造が容易でしかもその出力光が円形状に近く
なるマルチビーム型半導体レーザ装置の改良に関するも
のである。
板上に設けられた活性層と、この活性層を挟みそのエネ
ルギーバンドギャップが活性層より広い一対のクラッド
層を備えるマルチビーム型半導体レーザ装置に係り、特
に、その製造が容易でしかもその出力光が円形状に近く
なるマルチビーム型半導体レーザ装置の改良に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】この種のマルチビーム型半導体レーザ装
置としては、例えば、図６に示すように裏面側にｎ側電
極ａを備えるＧａＡｓ等の単結晶基板ｂと、この基板ｂ
上に成膜されたｎ型クラッド層ｃと、このｎ型クラッド
層ｃ上に成膜され活性層ｄの一部を形成するｎ型障壁層
ｅと、この上に成膜され活性層の主要部を形成する量子
井戸層ｆと、この上に成膜され活性層ｄの一部を形成す
るｐ型障壁層ｇと、この上に成膜されたｐ型クラッド層
ｈと、この上に順次成膜されたキャップ層ｉ並びにｐ側
電極ｊとを備え、かつ、上記各層を部分的にエッチング
除去して複数の発光領域ｋを形成した装置、あるいは、
図７に示すように上記各層を部分的にエッチング除去す
る代わりにＳｉやＺｎ等の不純物を熱的に拡散させ、そ
の部位の量子井戸層ｆと障壁層ｅ、ｇを拡散元素を介し
混晶化させて非発光領域ｍにすることで複数の発光領域
ｋを形成した装置等が知られている。
置としては、例えば、図６に示すように裏面側にｎ側電
極ａを備えるＧａＡｓ等の単結晶基板ｂと、この基板ｂ
上に成膜されたｎ型クラッド層ｃと、このｎ型クラッド
層ｃ上に成膜され活性層ｄの一部を形成するｎ型障壁層
ｅと、この上に成膜され活性層の主要部を形成する量子
井戸層ｆと、この上に成膜され活性層ｄの一部を形成す
るｐ型障壁層ｇと、この上に成膜されたｐ型クラッド層
ｈと、この上に順次成膜されたキャップ層ｉ並びにｐ側
電極ｊとを備え、かつ、上記各層を部分的にエッチング
除去して複数の発光領域ｋを形成した装置、あるいは、
図７に示すように上記各層を部分的にエッチング除去す
る代わりにＳｉやＺｎ等の不純物を熱的に拡散させ、そ
の部位の量子井戸層ｆと障壁層ｅ、ｇを拡散元素を介し
混晶化させて非発光領域ｍにすることで複数の発光領域
ｋを形成した装置等が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６に
示された従来のマルチビーム型半導体レーザ装置におい
ては、エッチング除去により分割された活性層ｄの表面
において非発光電流が流れ易くその発光効率が低下する
問題点があり、かつ、エッチング処理時においてエッチ
ングしない面上に保護膜を形成する必要があるためその
製造工程数が増える等の問題点があった。
示された従来のマルチビーム型半導体レーザ装置におい
ては、エッチング除去により分割された活性層ｄの表面
において非発光電流が流れ易くその発光効率が低下する
問題点があり、かつ、エッチング処理時においてエッチ
ングしない面上に保護膜を形成する必要があるためその
製造工程数が増える等の問題点があった。
【０００４】一方、図７に示された従来のマルチビーム
型半導体レーザ装置においてもＳｉやＺｎ等の不純物を
熱的拡散させる関係上、高温・長時間の熱処理を必要と
するため基板ｂ上に設けられたレーザ構造層が熱的損傷
を受ける問題点があり、かつ、熱処理に要する時間が長
いため製造効率が悪い問題点があった。
型半導体レーザ装置においてもＳｉやＺｎ等の不純物を
熱的拡散させる関係上、高温・長時間の熱処理を必要と
するため基板ｂ上に設けられたレーザ構造層が熱的損傷
を受ける問題点があり、かつ、熱処理に要する時間が長
いため製造効率が悪い問題点があった。
【０００５】このような技術的背景の下、本発明者はこ
れ等問題点を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、結晶学
的方位が異なる第一結晶方位面と第二結晶方位面とが形
成された表面凹凸状の単結晶基板面上に原子層レベルの
超格子膜を有する活性層を形成した場合に、その結晶方
位面の相違に伴い各結晶方位面上に形成された活性層の
エネルギーバンドギャップに差異が生ずることを見出し
本発明を完成するに到ったものである。
れ等問題点を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、結晶学
的方位が異なる第一結晶方位面と第二結晶方位面とが形
成された表面凹凸状の単結晶基板面上に原子層レベルの
超格子膜を有する活性層を形成した場合に、その結晶方
位面の相違に伴い各結晶方位面上に形成された活性層の
エネルギーバンドギャップに差異が生ずることを見出し
本発明を完成するに到ったものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、単結
晶基板と、この基板上に設けられた活性層と、この活性
層を挟みそのエネルギーバンドギャップが活性層より広
い一対のクラッド層を備えるマルチビーム型半導体レー
ザ装置を前提とし、上記単結晶基板面に結晶学的方位が
異なる第一結晶方位面と第二結晶方位面とを形成し、か
つ、各結晶方位面上に原子層レベルの超格子膜を有する
活性層を形成すると共に、各結晶方位面上に設けられた
互いにエネルギーバンドギャップが異なる活性層の一方
を発光領域にしたことを特徴とするものである。
晶基板と、この基板上に設けられた活性層と、この活性
層を挟みそのエネルギーバンドギャップが活性層より広
い一対のクラッド層を備えるマルチビーム型半導体レー
ザ装置を前提とし、上記単結晶基板面に結晶学的方位が
異なる第一結晶方位面と第二結晶方位面とを形成し、か
つ、各結晶方位面上に原子層レベルの超格子膜を有する
活性層を形成すると共に、各結晶方位面上に設けられた
互いにエネルギーバンドギャップが異なる活性層の一方
を発光領域にしたことを特徴とするものである。
【０００７】このような技術的手段において上記単結晶
基板としてはＧａＡｓ基板やＧａＰ基板等が適用でき、
また、この基板面に結晶学的方位が異なる第一結晶方位
面と第二結晶方位面とを形成する手段としては『メサエ
ッチング法』等が適用できる。
基板としてはＧａＡｓ基板やＧａＰ基板等が適用でき、
また、この基板面に結晶学的方位が異なる第一結晶方位
面と第二結晶方位面とを形成する手段としては『メサエ
ッチング法』等が適用できる。
【０００８】一方、結晶学的方位が異なる第一結晶方位
面と第二結晶方位面とが形成された表面凹凸状の単結晶
基板面に形成される原子層レベルの超格子膜を有する活
性層の構成材料としては、例えば、（ＧａＰ）ｎ（Ｉｎ
Ｐ）ｍ、（ＡｌｘＧａ１−ｘＰ）ｎ（ＩｎＰ）ｍ等があ
り、これ等超格子膜の形成される部位が第一結晶方位面
上か第二結晶方位面上かによりその超格子膜の持つエネ
ルギーバンドギャップに差異が生ずる。従って、そのエ
ネルギーバンドギャップが小さい方の活性層が発光領域
となるため、第一結晶方位面又は第二結晶方位面を複数
設けることによりマルチビーム型半導体レーザ装置が求
められる。
面と第二結晶方位面とが形成された表面凹凸状の単結晶
基板面に形成される原子層レベルの超格子膜を有する活
性層の構成材料としては、例えば、（ＧａＰ）ｎ（Ｉｎ
Ｐ）ｍ、（ＡｌｘＧａ１−ｘＰ）ｎ（ＩｎＰ）ｍ等があ
り、これ等超格子膜の形成される部位が第一結晶方位面
上か第二結晶方位面上かによりその超格子膜の持つエネ
ルギーバンドギャップに差異が生ずる。従って、そのエ
ネルギーバンドギャップが小さい方の活性層が発光領域
となるため、第一結晶方位面又は第二結晶方位面を複数
設けることによりマルチビーム型半導体レーザ装置が求
められる。
【０００９】ここで、単結晶基板面に原子層レベルの超
格子膜を形成する手段としてはＡＬＥ（原子層エピタキ
シャル）法等が適用可能である。
格子膜を形成する手段としてはＡＬＥ（原子層エピタキ
シャル）法等が適用可能である。
【００１０】尚、結晶面方位により超格子膜の持つエネ
ルギーバンドギャップに差異が生ずる理由については、
単結晶基板に異なる結晶方位面が存在することによりそ
の一方の結晶方位面上において自然超格子が形成される
のに対し他方の結晶方位面上において自然超格子が形成
されなくなるためであると推論している。
ルギーバンドギャップに差異が生ずる理由については、
単結晶基板に異なる結晶方位面が存在することによりそ
の一方の結晶方位面上において自然超格子が形成される
のに対し他方の結晶方位面上において自然超格子が形成
されなくなるためであると推論している。
【００１１】
【作用】この様な技術的手段によれば、単結晶基板面に
結晶学的方位が異なる第一結晶方位面と第二結晶方位面
とを形成し、かつ、各結晶方位面上に原子層レベルの超
格子膜を有する活性層を形成すると共に、各結晶方位面
上に設けられた互いにエネルギーバンドギャップが異な
る活性層の一方を発光領域にしており、従来のマルチビ
ーム型半導体レーザ装置に較べ、そのビームのマルチ化
のために積層されたレーザ構造層をエッチングしたり不
純物を熱拡散させたりする必要がなく、かつ、第一結晶
方位面と第二結晶方位面とが形成された表面凹凸状の単
結晶基板面に活性層を形成しているため、積層された活
性層も凹凸状となりその活性層の上下左右がクラッド層
にて覆われることになる。
結晶学的方位が異なる第一結晶方位面と第二結晶方位面
とを形成し、かつ、各結晶方位面上に原子層レベルの超
格子膜を有する活性層を形成すると共に、各結晶方位面
上に設けられた互いにエネルギーバンドギャップが異な
る活性層の一方を発光領域にしており、従来のマルチビ
ーム型半導体レーザ装置に較べ、そのビームのマルチ化
のために積層されたレーザ構造層をエッチングしたり不
純物を熱拡散させたりする必要がなく、かつ、第一結晶
方位面と第二結晶方位面とが形成された表面凹凸状の単
結晶基板面に活性層を形成しているため、積層された活
性層も凹凸状となりその活性層の上下左右がクラッド層
にて覆われることになる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１３】この実施例に係るマルチビーム型半導体レ
ーザ装置は、図１に示すように裏面側にＡｕＧｅＮｉの
ｎ側共通電極１０を備え上面側に（１００）の第一結晶
方位面（図中、Ｂ−Ｃ，Ｄ−Ｅで示す面）１１と（１１
１）の第二結晶方位面（図中、Ａ−Ｂ，Ｃ−Ｄ，Ｅ−Ｆ
で示す面）１２とが形成された表面凸状でＳｉ元素がド
ープされたｎ型ＧａＡｓ基板１と、このＧａＡｓ基板１
上に有機金属気相堆積（ＭＯＣＶＤ）法により形成され
Ｓｉ元素がドープされた厚さ１．２μｍでｎ型（Ａｌ０
．４Ｇａ０．６）０．５Ｉｎ０．５Ｐ組成のクラッド層
２１と、このクラッド層２１上に同様の方法にて積層さ
れ活性層５の一部を形成し厚さ０．２μｍで（Ａｌ０．
２Ｇａ０．８）０．５Ｉｎ０．５Ｐ組成の障壁層３１と
、この障壁層３１上にＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ組成の量
子井戸層４と、この量子井戸層４上にＭＯＣＶＤ法にて
積層され活性層５の一部を形成し厚さ０．２μｍで（Ａ
ｌ０．２Ｇａ０．８）０．５Ｉｎ０．５Ｐ組成の障壁層
３２と、この障壁層３２上に同様のＭＯＣＶＤ法により
積層されＳｉ元素に変えてＭｇ元素がドープされた厚さ
１．２μｍでｐ型（Ａｌ０．４Ｇａ０．６）０．５Ｉｎ
０．５Ｐ組成のクラッド層２２と、このクラッド層２２
上に同様の方法にて積層されＭｇ元素がドープされた厚
さ０．１μｍでｐ型Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ組成のキャ
ップ層６と、このキャップ層６上に同様の方法にて積層
されＭｇ元素がドープされたｐ型ＧａＡｓ組成のオーミ
ック接触層７と、この面上に設けられたＴｉ／Ｐｔ／Ａ
ｕのｐ側個別電極１５、１５とでその主要部が構成され
ており、かつ、（１００）の第一結晶方位面１１上に設
けられたＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ組成の量子井戸層４を
有する活性層５よりそのエネルギーバンドギャップが図
２に示すように約９０ｍｅＶだけ小さい（１１１）の第
二結晶方位面１２上に設けられたＧａ０．５Ｉｎ０．５
Ｐ組成の量子井戸層４を有する活性層５にて２つの発光
領域８、８が形成されてこのマルチビーム型半導体レー
ザ装置は成るものである。
ーザ装置は、図１に示すように裏面側にＡｕＧｅＮｉの
ｎ側共通電極１０を備え上面側に（１００）の第一結晶
方位面（図中、Ｂ−Ｃ，Ｄ−Ｅで示す面）１１と（１１
１）の第二結晶方位面（図中、Ａ−Ｂ，Ｃ−Ｄ，Ｅ−Ｆ
で示す面）１２とが形成された表面凸状でＳｉ元素がド
ープされたｎ型ＧａＡｓ基板１と、このＧａＡｓ基板１
上に有機金属気相堆積（ＭＯＣＶＤ）法により形成され
Ｓｉ元素がドープされた厚さ１．２μｍでｎ型（Ａｌ０
．４Ｇａ０．６）０．５Ｉｎ０．５Ｐ組成のクラッド層
２１と、このクラッド層２１上に同様の方法にて積層さ
れ活性層５の一部を形成し厚さ０．２μｍで（Ａｌ０．
２Ｇａ０．８）０．５Ｉｎ０．５Ｐ組成の障壁層３１と
、この障壁層３１上にＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ組成の量
子井戸層４と、この量子井戸層４上にＭＯＣＶＤ法にて
積層され活性層５の一部を形成し厚さ０．２μｍで（Ａ
ｌ０．２Ｇａ０．８）０．５Ｉｎ０．５Ｐ組成の障壁層
３２と、この障壁層３２上に同様のＭＯＣＶＤ法により
積層されＳｉ元素に変えてＭｇ元素がドープされた厚さ
１．２μｍでｐ型（Ａｌ０．４Ｇａ０．６）０．５Ｉｎ
０．５Ｐ組成のクラッド層２２と、このクラッド層２２
上に同様の方法にて積層されＭｇ元素がドープされた厚
さ０．１μｍでｐ型Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ組成のキャ
ップ層６と、このキャップ層６上に同様の方法にて積層
されＭｇ元素がドープされたｐ型ＧａＡｓ組成のオーミ
ック接触層７と、この面上に設けられたＴｉ／Ｐｔ／Ａ
ｕのｐ側個別電極１５、１５とでその主要部が構成され
ており、かつ、（１００）の第一結晶方位面１１上に設
けられたＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ組成の量子井戸層４を
有する活性層５よりそのエネルギーバンドギャップが図
２に示すように約９０ｍｅＶだけ小さい（１１１）の第
二結晶方位面１２上に設けられたＧａ０．５Ｉｎ０．５
Ｐ組成の量子井戸層４を有する活性層５にて２つの発光
領域８、８が形成されてこのマルチビーム型半導体レー
ザ装置は成るものである。
【００１４】そして、この実施例に係るマルチビーム型
半導体レーザ装置によれば、第一結晶方位面１１と第二
結晶方位面１２とが形成された表面凸状のｎ型ＧａＡｓ
基板１を適用するだけでそのマルチビーム化が図れ、従
来のようにレーザ構造層をエッチングしたり不純物を熱
拡散させたりする必要がないためその製造工程の簡略化
が図れる利点を有している。
半導体レーザ装置によれば、第一結晶方位面１１と第二
結晶方位面１２とが形成された表面凸状のｎ型ＧａＡｓ
基板１を適用するだけでそのマルチビーム化が図れ、従
来のようにレーザ構造層をエッチングしたり不純物を熱
拡散させたりする必要がないためその製造工程の簡略化
が図れる利点を有している。
【００１５】しかも、図１に示すように２つの発光領域
８、８を構成する活性層５、５は勾配を有しその上下左
右がクラッド２１、２２により覆われるため、横方向の
光閉じ込め効果が向上してその出力光が従来の縦型楕円
形状より円形状に近くなる利点を有している。
８、８を構成する活性層５、５は勾配を有しその上下左
右がクラッド２１、２２により覆われるため、横方向の
光閉じ込め効果が向上してその出力光が従来の縦型楕円
形状より円形状に近くなる利点を有している。
【００１６】
『第一結晶方位面と第二結晶方位面との形成工程』次に
、上記第一結晶方位面１１と第二結晶方位面１２とを有
するＧａＡｓ基板１の形成工程について説明すると、図
３に示すように（１００）の第一結晶方位面１１を表面
に有しＳｉ元素がドープされたｎ型ＧａＡｓ基板１をＨ
２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：８：１００の混合溶
液でメサエッチングすることにより、図４に示すように
（１１１）の第二結晶方位面１２を形成した。
、上記第一結晶方位面１１と第二結晶方位面１２とを有
するＧａＡｓ基板１の形成工程について説明すると、図
３に示すように（１００）の第一結晶方位面１１を表面
に有しＳｉ元素がドープされたｎ型ＧａＡｓ基板１をＨ
２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：８：１００の混合溶
液でメサエッチングすることにより、図４に示すように
（１１１）の第二結晶方位面１２を形成した。
【００１７】尚、（１００）の第一結晶方位面１１とは
、図５に示すようにｘ軸が（１）、ｙ軸並びにｚ軸が夫
々（∞）である点を結んで形成される面、すなわち、（
１００）＝（１／ｘ １／ｙ １／ｚ）＝（１／１
１／∞ １／∞）を意味し、他方、（１１１）の
第二結晶方位面１２とは、ｘ軸が（１）、ｙ軸並びにｚ
軸が夫々（１）である点を結んで形成される面、すなわ
ち（１１１）＝（１／ｘ １／ｙ １／ｚ）＝（１
／１ １／１１／１）を意味している。
、図５に示すようにｘ軸が（１）、ｙ軸並びにｚ軸が夫
々（∞）である点を結んで形成される面、すなわち、（
１００）＝（１／ｘ １／ｙ １／ｚ）＝（１／１
１／∞ １／∞）を意味し、他方、（１１１）の
第二結晶方位面１２とは、ｘ軸が（１）、ｙ軸並びにｚ
軸が夫々（１）である点を結んで形成される面、すなわ
ち（１１１）＝（１／ｘ １／ｙ １／ｚ）＝（１
／１ １／１１／１）を意味している。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、従来のマルチビーム型
半導体レーザ装置に較べ、そのビームのマルチ化のため
に積層されたレーザ構造層をエッチングしたり不純物を
熱拡散させたりする必要がなく、かつ、第一結晶方位面
と第二結晶方位面とが形成された表面凹凸状の単結晶基
板面に活性層を形成しているため積層された活性層も凹
凸状となりその活性層の上下左右がクラッド層にて覆わ
れることになる。従って、製造工程の簡略化が図れ、し
かも、その出力光が従来の縦型楕円形状より円形状に近
くなる効果を有している。
半導体レーザ装置に較べ、そのビームのマルチ化のため
に積層されたレーザ構造層をエッチングしたり不純物を
熱拡散させたりする必要がなく、かつ、第一結晶方位面
と第二結晶方位面とが形成された表面凹凸状の単結晶基
板面に活性層を形成しているため積層された活性層も凹
凸状となりその活性層の上下左右がクラッド層にて覆わ
れることになる。従って、製造工程の簡略化が図れ、し
かも、その出力光が従来の縦型楕円形状より円形状に近
くなる効果を有している。
【図１】実施例に係るマルチビーム型半導体レーザ装置
の断面図である。
の断面図である。
【図２】実施例に係るマルチビーム型半導体レーザ装置
の超格子井戸層におけるエネルギーバンドギャップ図で
ある。
の超格子井戸層におけるエネルギーバンドギャップ図で
ある。
【図３】第一結晶方位面と第二結晶方位面の形成工程図
である。
である。
【図４】第一結晶方位面と第二結晶方位面の形成工程図
である。
である。
【図５】第一結晶方位面と第二結晶方位面の説明図であ
る。
る。
【図６】従来のマルチビーム型半導体レーザ装置の断面
図である。
図である。
【図７】従来のマルチビーム型半導体レーザ装置の断面
図である。
図である。
１ ＧａＡｓ基板
４ 量子井戸層
５ 活性層
８ 発光領域
１１ 第一結晶方位面
１２ 第二結晶方位面
２１ クラッド層
２２ クラッド層
Claims (1)
- 【請求項１】 単結晶基板と、この基板上に設けられ
た活性層と、この活性層を挟みそのエネルギーバンドギ
ャップが活性層より広い一対のクラッド層を備えるマル
チビーム型半導体レーザ装置において、上記単結晶基板
面に結晶学的方位が異なる第一結晶方位面と第二結晶方
位面とを形成し、かつ、各結晶方位面上に原子層レベル
の超格子膜を有する活性層を形成すると共に、各結晶方
位面上に設けられた互いにエネルギーバンドギャップが
異なる活性層の一方を発光領域にしたことを特徴とする
マルチビーム型半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5014991A JPH04268782A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | マルチビーム型半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5014991A JPH04268782A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | マルチビーム型半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04268782A true JPH04268782A (ja) | 1992-09-24 |
Family
ID=12851130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5014991A Pending JPH04268782A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | マルチビーム型半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04268782A (ja) |
-
1991
- 1991-02-25 JP JP5014991A patent/JPH04268782A/ja active Pending
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