JPH11186655A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH11186655A JPH11186655A JP35720897A JP35720897A JPH11186655A JP H11186655 A JPH11186655 A JP H11186655A JP 35720897 A JP35720897 A JP 35720897A JP 35720897 A JP35720897 A JP 35720897A JP H11186655 A JPH11186655 A JP H11186655A
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- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ストライプ部に導入されたｐ型不純物のｎ型
電流狭窄層への拡散を抑制することにより、静特性の悪
化の防止および製造歩留まりの向上を図ることができる
半導体レーザを提供する。 【解決手段】 リッジストライプ部の両側にｎ型電流狭
窄層９が埋め込まれた電流狭窄構造を有する実屈折率導
波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
において、ｎ型電流狭窄層９のうちリッジストライプ部
と接する部分を、ｎ型ＧａＡｓ基板１に対して約２×１
０-3の格子不整合を有し、圧縮歪みを有するｎ型（Ａｌ
x2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａとし、この上の
部分をｎ型ＧａＡｓ基板１と格子整合するｎ型（Ａｌx2
Ｇａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ層９ｂとする。ｎ型（Ａ
ｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａのバンドギャ
ップは、ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐク
ラッド層４，６より大きいかまたは同等とする。
電流狭窄層への拡散を抑制することにより、静特性の悪
化の防止および製造歩留まりの向上を図ることができる
半導体レーザを提供する。 【解決手段】 リッジストライプ部の両側にｎ型電流狭
窄層９が埋め込まれた電流狭窄構造を有する実屈折率導
波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
において、ｎ型電流狭窄層９のうちリッジストライプ部
と接する部分を、ｎ型ＧａＡｓ基板１に対して約２×１
０-3の格子不整合を有し、圧縮歪みを有するｎ型（Ａｌ
x2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａとし、この上の
部分をｎ型ＧａＡｓ基板１と格子整合するｎ型（Ａｌx2
Ｇａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ層９ｂとする。ｎ型（Ａ
ｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａのバンドギャ
ップは、ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐク
ラッド層４，６より大きいかまたは同等とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体レーザに関
し、特に、埋め込みリッジ型のＡｌＧａＩｎＰ系半導体
レーザに関する。
し、特に、埋め込みリッジ型のＡｌＧａＩｎＰ系半導体
レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レー
ザは赤色発光の半導体レーザとして注目されており、す
でに実用化されている。このＡｌＧａＩｎＰ系半導体レ
ーザとしては、埋め込みリッジ型のものが主流である。
図１０に、従来の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半
導体レーザの一例を示す。この従来の埋め込みリッジ型
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザは、実屈折率導波型のも
のである。
ザは赤色発光の半導体レーザとして注目されており、す
でに実用化されている。このＡｌＧａＩｎＰ系半導体レ
ーザとしては、埋め込みリッジ型のものが主流である。
図１０に、従来の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半
導体レーザの一例を示す。この従来の埋め込みリッジ型
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザは、実屈折率導波型のも
のである。
【０００３】図１０に示すように、この従来の埋め込み
リッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザにおいては、
（００１）面方位のｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型
（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層１０
２、アンドープのＧａＩｎＰからなる活性層１０３、ｐ
型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層１
０４、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層１０５、ｐ型
（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層１０
６、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０７およびｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層１０８が順次積層されている。
リッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザにおいては、
（００１）面方位のｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型
（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層１０
２、アンドープのＧａＩｎＰからなる活性層１０３、ｐ
型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層１
０４、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層１０５、ｐ型
（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層１０
６、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０７およびｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層１０８が順次積層されている。
【０００４】ここで、ｎ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉ
ｎ0.484 Ｐクラッド層１０２、ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）
0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層１０４およびｐ型（Ａｌ
x1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層１０６にお
けるｘ１は、例えば０．６≦ｘ１≦１．０を満たすもの
であり、一例を挙げるとｘ１＝０．６である。また、ｐ
型ＧａＩｎＰエッチング停止層１０５は、活性層１０３
からの光を吸収しない組成を有するものである。
ｎ0.484 Ｐクラッド層１０２、ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）
0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層１０４およびｐ型（Ａｌ
x1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層１０６にお
けるｘ１は、例えば０．６≦ｘ１≦１．０を満たすもの
であり、一例を挙げるとｘ１＝０．６である。また、ｐ
型ＧａＩｎＰエッチング停止層１０５は、活性層１０３
からの光を吸収しない組成を有するものである。
【０００５】ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484
Ｐクラッド層１０６、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０７およ
びｐ型ＧａＡｓキャップ層１０８は、［１−１０］方向
に延びる所定幅のリッジストライプ形状を有する。この
リッジストライプ部の両側の部分にはｎ型（Ａｌx2Ｇａ
1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ電流狭窄層１０９が埋め込ま
れ、これによって電流狭窄構造が形成されている。ここ
で、このｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ電
流狭窄層１０９におけるｘ２は、例えば０．６≦ｘ２≦
１．０を満たすものであり、一例を挙げるとｘ２＝０．
７である。なお、このｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉ
ｎ0.484 Ｐ電流狭窄層１０９は、ｎ型（Ａｌx1Ｇ
ａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層１０２、ｐ型
（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層１０
４およびｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐク
ラッド層１０６よりバンドギャップが大きく、低屈折率
である。
Ｐクラッド層１０６、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０７およ
びｐ型ＧａＡｓキャップ層１０８は、［１−１０］方向
に延びる所定幅のリッジストライプ形状を有する。この
リッジストライプ部の両側の部分にはｎ型（Ａｌx2Ｇａ
1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ電流狭窄層１０９が埋め込ま
れ、これによって電流狭窄構造が形成されている。ここ
で、このｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ電
流狭窄層１０９におけるｘ２は、例えば０．６≦ｘ２≦
１．０を満たすものであり、一例を挙げるとｘ２＝０．
７である。なお、このｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉ
ｎ0.484 Ｐ電流狭窄層１０９は、ｎ型（Ａｌx1Ｇ
ａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層１０２、ｐ型
（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層１０
４およびｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐク
ラッド層１０６よりバンドギャップが大きく、低屈折率
である。
【０００６】ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０８およびｎ型
（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ電流狭窄層１０
９の上には、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側
電極１１０が設けられている。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板
１０１の裏面には、例えばＩｎ電極のようなｎ側電極１
１１が設けられている。
（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ電流狭窄層１０
９の上には、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側
電極１１０が設けられている。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板
１０１の裏面には、例えばＩｎ電極のようなｎ側電極１
１１が設けられている。
【０００７】上述のように構成された従来の埋め込みリ
ッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザにおいて、ｎ型
（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層１０
２およびｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ電
流狭窄層１０９には、それぞれｎ型不純物として例えば
Ｓｉがドープされ、ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ
0.484 Ｐクラッド層１０４、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング
停止層１０５、ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ
0.484 Ｐクラッド層１０６、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０
７およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０８には、それぞれ
ｐ型不純物として例えばＺｎがドープされている。
ッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザにおいて、ｎ型
（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層１０
２およびｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ電
流狭窄層１０９には、それぞれｎ型不純物として例えば
Ｓｉがドープされ、ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ
0.484 Ｐクラッド層１０４、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング
停止層１０５、ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ
0.484 Ｐクラッド層１０６、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０
７およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０８には、それぞれ
ｐ型不純物として例えばＺｎがドープされている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者の知見によれば、上述の従来の埋め込みリッジ型Ａｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザにおいては、図１１に示すよ
うに、リッジストライプ部の両側に設けられたｎ型（Ａ
ｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ電流狭窄層１０９
に、リッジストライプ部およびその両側のｐ型半導体層
に導入されたｐ型不純物であるＺｎが拡散してしまい、
実際の電流通路の幅がリッジストライプ部の幅より大き
くなり、横方向への電流の広がりが設計値よりも大きく
なってしまうため、設計通りの静特性が得られないとい
う問題がある。具体的には、動作電流が設計値に比べて
上昇したり、あるいは、発光領域が広がるために、遠視
野像（ＦＦＰ）における水平方向のビーム広がり角θ//
が、設計値に比べて小さくなったりするという問題があ
る。また、従来の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半
導体レーザにおいては、このように設計通りの静特性が
得られないために、製造歩留まりの向上が妨げられてい
た。
者の知見によれば、上述の従来の埋め込みリッジ型Ａｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザにおいては、図１１に示すよ
うに、リッジストライプ部の両側に設けられたｎ型（Ａ
ｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ電流狭窄層１０９
に、リッジストライプ部およびその両側のｐ型半導体層
に導入されたｐ型不純物であるＺｎが拡散してしまい、
実際の電流通路の幅がリッジストライプ部の幅より大き
くなり、横方向への電流の広がりが設計値よりも大きく
なってしまうため、設計通りの静特性が得られないとい
う問題がある。具体的には、動作電流が設計値に比べて
上昇したり、あるいは、発光領域が広がるために、遠視
野像（ＦＦＰ）における水平方向のビーム広がり角θ//
が、設計値に比べて小さくなったりするという問題があ
る。また、従来の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半
導体レーザにおいては、このように設計通りの静特性が
得られないために、製造歩留まりの向上が妨げられてい
た。
【０００９】したがって、この発明の目的は、ストライ
プ部に導入されたｐ型不純物のｎ型電流狭窄層への拡散
を抑制することにより、静特性の悪化の防止および製造
歩留まりの向上を図ることができる半導体レーザを提供
することにある。
プ部に導入されたｐ型不純物のｎ型電流狭窄層への拡散
を抑制することにより、静特性の悪化の防止および製造
歩留まりの向上を図ることができる半導体レーザを提供
することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、基板と、基板上のｎ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層と、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層上の活性
層と、活性層上のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とを有
し、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層に設けられたストラ
イプ部の両側の部分にｎ型電流狭窄層が埋め込まれた電
流狭窄構造を有する半導体レーザにおいて、ｎ型電流狭
窄層のうち、少なくともｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
のストライプ部と接する部分が圧縮歪を有することを特
徴とするものである。
に、この発明は、基板と、基板上のｎ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層と、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層上の活性
層と、活性層上のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とを有
し、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層に設けられたストラ
イプ部の両側の部分にｎ型電流狭窄層が埋め込まれた電
流狭窄構造を有する半導体レーザにおいて、ｎ型電流狭
窄層のうち、少なくともｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
のストライプ部と接する部分が圧縮歪を有することを特
徴とするものである。
【００１１】この発明において、ｎ型電流狭窄層のうち
圧縮歪を有する部分は、例えば、基板に対して１×１０
-3以上２×１０-3以下の格子不整合を有する。ここで、
この格子不整合は、基板の格子定数をａ1 、ｎ型電流狭
窄層のうち圧縮歪を有する部分の格子定数をａ2 とした
とき、（ａ2 −ａ1 ）／ａ1 で表される。
圧縮歪を有する部分は、例えば、基板に対して１×１０
-3以上２×１０-3以下の格子不整合を有する。ここで、
この格子不整合は、基板の格子定数をａ1 、ｎ型電流狭
窄層のうち圧縮歪を有する部分の格子定数をａ2 とした
とき、（ａ2 −ａ1 ）／ａ1 で表される。
【００１２】この発明において、基板としては典型的に
はＧａＡｓ基板が用いられ、より典型的にはｎ型ＧａＡ
ｓ基板が用いられる。
はＧａＡｓ基板が用いられ、より典型的にはｎ型ＧａＡ
ｓ基板が用いられる。
【００１３】この発明において、ｎ型電流狭窄層のうち
圧縮歪を有する部分の厚さは、ｐ型不純物の拡散を有効
に抑制する観点および結晶性を良好にする観点から、好
適には例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、より好適に
は例えば１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下に選ばれる。
圧縮歪を有する部分の厚さは、ｐ型不純物の拡散を有効
に抑制する観点および結晶性を良好にする観点から、好
適には例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、より好適に
は例えば１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下に選ばれる。
【００１４】この発明において、ｎ型電流狭窄層のうち
圧縮歪を有する部分は、例えばｎ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）
1-y Ｉｎy Ｐ層である。この場合、このｎ型（Ａｌx Ｇ
ａ1-x ）1-y Ｉｎy Ｐ層におけるｘは、０≦ｘ≦１．０
を満たすものであり、ｙは、基板に対する格子不整合が
１×１０-3以上２×１０-3以下となるように選ばれる。
ここで、（Ａｌx Ｇａ1-x ）1-y Ｉｎy Ｐにおける基板
に対する格子不整合の大きさとｙとの関係について、基
板としてＧａＡｓ基板を用いた場合を例に説明する。な
お、ここでは、説明の単純化のため（Ａｌx Ｇａ1-x ）
1-y Ｉｎy Ｐにおいてｘ＝０とした場合、したがって、
Ｇａ1-y Ｉｎy Ｐの場合について説明する。
圧縮歪を有する部分は、例えばｎ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）
1-y Ｉｎy Ｐ層である。この場合、このｎ型（Ａｌx Ｇ
ａ1-x ）1-y Ｉｎy Ｐ層におけるｘは、０≦ｘ≦１．０
を満たすものであり、ｙは、基板に対する格子不整合が
１×１０-3以上２×１０-3以下となるように選ばれる。
ここで、（Ａｌx Ｇａ1-x ）1-y Ｉｎy Ｐにおける基板
に対する格子不整合の大きさとｙとの関係について、基
板としてＧａＡｓ基板を用いた場合を例に説明する。な
お、ここでは、説明の単純化のため（Ａｌx Ｇａ1-x ）
1-y Ｉｎy Ｐにおいてｘ＝０とした場合、したがって、
Ｇａ1-y Ｉｎy Ｐの場合について説明する。
【００１５】すなわち、ＧａＰの格子間隔は５．４５１
２Å、ＩｎＰの格子間隔は５．８６８８Åであるから、
ＧａＡｓ（格子定数５．６５３３Å）と格子整合するＧ
ａ1-y Ｉｎy Ｐの組成は、 ５．４５１２＋０．４１７６×ｙ＝５．６５３３ より、ｙ＝０．４８４であるから、Ｇａ0.516 Ｉｎ
0.484 Ｐとなる。
２Å、ＩｎＰの格子間隔は５．８６８８Åであるから、
ＧａＡｓ（格子定数５．６５３３Å）と格子整合するＧ
ａ1-y Ｉｎy Ｐの組成は、 ５．４５１２＋０．４１７６×ｙ＝５．６５３３ より、ｙ＝０．４８４であるから、Ｇａ0.516 Ｉｎ
0.484 Ｐとなる。
【００１６】一方、このＧａ1-y Ｉｎy ＰがＧａＡｓ基
板に対して１×１０-3の格子不整合を有する場合の組成
は、 ５．４５１２＋０．４１７６×ｙ＝５．６５３３×１．
００１ より、ｙ＝０．４９７であるから、Ｇａ0.503 Ｉｎ
0.497 Ｐとなる。また、このＧａ1-y Ｉｎy ＰがＧａＡ
ｓ基板に対して２×１０-3の格子不整合を有する場合の
組成は、 ５．４５１２＋０．４１７６×ｙ＝５．６５３３×１．
００２ より、ｙ＝０．５１１であるから、Ｇａ0.489 Ｉｎ
0.511 Ｐとなる。
板に対して１×１０-3の格子不整合を有する場合の組成
は、 ５．４５１２＋０．４１７６×ｙ＝５．６５３３×１．
００１ より、ｙ＝０．４９７であるから、Ｇａ0.503 Ｉｎ
0.497 Ｐとなる。また、このＧａ1-y Ｉｎy ＰがＧａＡ
ｓ基板に対して２×１０-3の格子不整合を有する場合の
組成は、 ５．４５１２＋０．４１７６×ｙ＝５．６５３３×１．
００２ より、ｙ＝０．５１１であるから、Ｇａ0.489 Ｉｎ
0.511 Ｐとなる。
【００１７】以上と同様なことが、（Ａｌx Ｇａ1-x ）
1-y Ｉｎy Ｐにおいて、０≦ｘ≦１．０としたときに言
える。以上より、ｎ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）1-y Ｉｎy Ｐ
が、ＧａＡｓ基板に対して１×１０-3以上２×１０-3以
下の格子不整合を有する場合、このｎ型（Ａｌx Ｇａ
1-x ）1-y Ｉｎy Ｐにおけるｙは、０．４９７≦ｙ≦
０．５１１を満たすものである。
1-y Ｉｎy Ｐにおいて、０≦ｘ≦１．０としたときに言
える。以上より、ｎ型（Ａｌx Ｇａ1-x ）1-y Ｉｎy Ｐ
が、ＧａＡｓ基板に対して１×１０-3以上２×１０-3以
下の格子不整合を有する場合、このｎ型（Ａｌx Ｇａ
1-x ）1-y Ｉｎy Ｐにおけるｙは、０．４９７≦ｙ≦
０．５１１を満たすものである。
【００１８】なお、ｎ型電流狭窄層の圧縮歪を有する部
分の材料は、上述の条件を満たした上で、必要に応じて
ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層（ただし、ｎ型ＡｌＩｎＰ層を含
む）やｎ型ＧａＩｎＰ層とすることが可能である。例え
ば、ｎ型電流狭窄層の圧縮歪を有する部分を、ｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層のバンドギャップより大きいかま
たは同等のバンドギャップを有するｎ型ＡｌＧａＩｎＰ
層とし、ｎ型電流狭窄層の圧縮歪を有する部分以外の部
分を、基板と格子整合するｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層とする
ことによって、実屈折率導波型半導体レーザを実現する
ことも可能である。この場合、ｎ型電流狭窄層を構成す
るｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層において、ＡｌＧａのうちのＡ
ｌの比率は、例えば０．６以上１．０以下に選ばれる。
また、この場合、ｎ型電流狭窄層のうち、圧縮歪みを有
する部分以外の部分は、互いに異なる材料系からなる層
が２層以上積層されていてもよく、具体的には、例え
ば、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層上にｎ型ＧａＡｓ層が積層さ
れていてもよい。
分の材料は、上述の条件を満たした上で、必要に応じて
ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層（ただし、ｎ型ＡｌＩｎＰ層を含
む）やｎ型ＧａＩｎＰ層とすることが可能である。例え
ば、ｎ型電流狭窄層の圧縮歪を有する部分を、ｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層のバンドギャップより大きいかま
たは同等のバンドギャップを有するｎ型ＡｌＧａＩｎＰ
層とし、ｎ型電流狭窄層の圧縮歪を有する部分以外の部
分を、基板と格子整合するｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層とする
ことによって、実屈折率導波型半導体レーザを実現する
ことも可能である。この場合、ｎ型電流狭窄層を構成す
るｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層において、ＡｌＧａのうちのＡ
ｌの比率は、例えば０．６以上１．０以下に選ばれる。
また、この場合、ｎ型電流狭窄層のうち、圧縮歪みを有
する部分以外の部分は、互いに異なる材料系からなる層
が２層以上積層されていてもよく、具体的には、例え
ば、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層上にｎ型ＧａＡｓ層が積層さ
れていてもよい。
【００１９】また、この発明において、ｎ型電流狭窄層
は、圧縮歪みを有する部分とそれ以外の部分とが、互い
に異なる材料系により構成されていてもよい。例えば、
ｎ型電流狭窄層の圧縮歪を有する部分を活性層からの光
を吸収する組成のｎ型ＧａＩｎＰ層とし、ｎ型電流狭窄
層の圧縮歪を有する部分以外の部分をｎ型ＧａＡｓ層と
することによって、自励発振型半導体レーザを実現する
ことも可能である。
は、圧縮歪みを有する部分とそれ以外の部分とが、互い
に異なる材料系により構成されていてもよい。例えば、
ｎ型電流狭窄層の圧縮歪を有する部分を活性層からの光
を吸収する組成のｎ型ＧａＩｎＰ層とし、ｎ型電流狭窄
層の圧縮歪を有する部分以外の部分をｎ型ＧａＡｓ層と
することによって、自励発振型半導体レーザを実現する
ことも可能である。
【００２０】上述のように構成されたこの発明によれ
ば、ｎ型電流狭窄層のうち、少なくともｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層のストライプ部と接する部分が圧縮歪を
有することにより、ストライプ部に導入されたｐ型不純
物が、ｎ型電流狭窄層に拡散することを抑制することが
できるため、横方向への電流の広がりが設計値に比べて
大きくなることを防止することができる。
ば、ｎ型電流狭窄層のうち、少なくともｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層のストライプ部と接する部分が圧縮歪を
有することにより、ストライプ部に導入されたｐ型不純
物が、ｎ型電流狭窄層に拡散することを抑制することが
できるため、横方向への電流の広がりが設計値に比べて
大きくなることを防止することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図
において、同一または対応する部分には同一の符号を付
す。
て図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図
において、同一または対応する部分には同一の符号を付
す。
【００２２】図１は、この発明の第１の実施形態による
埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの断面
図である。この埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導
体レーザは実屈折率導波型半導体レーザである。
埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの断面
図である。この埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導
体レーザは実屈折率導波型半導体レーザである。
【００２３】図１に示すように、この第１の実施形態に
よる実屈折率導波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザにおいては、（００１）面方位のｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１上に、ｎ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ
0.484 Ｐクラッド層２、アンドープのＧａＩｎＰからな
る活性層３、ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484
Ｐクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層５、
ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層
６、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層７およびｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層８が順次積層されている。
よる実屈折率導波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザにおいては、（００１）面方位のｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１上に、ｎ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ
0.484 Ｐクラッド層２、アンドープのＧａＩｎＰからな
る活性層３、ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484
Ｐクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層５、
ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層
６、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層７およびｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層８が順次積層されている。
【００２４】ここで、ｎ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉ
ｎ0.484 Ｐクラッド層２、ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）
0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層４およびｐ型（Ａｌx1Ｇ
ａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層６におけるｘ１
は、例えば０．６≦ｘ１≦１．０を満たすものであり、
一例を挙げるとｘ１＝０．６である。また、ｐ型ＧａＩ
ｎＰエッチング停止層５は、活性層３からの光を吸収し
ない組成を有するものである。
ｎ0.484 Ｐクラッド層２、ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）
0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層４およびｐ型（Ａｌx1Ｇ
ａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層６におけるｘ１
は、例えば０．６≦ｘ１≦１．０を満たすものであり、
一例を挙げるとｘ１＝０．６である。また、ｐ型ＧａＩ
ｎＰエッチング停止層５は、活性層３からの光を吸収し
ない組成を有するものである。
【００２５】ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484
Ｐクラッド層６、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層７およびｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層８は、［１−１０］方向に延びる所定
幅のリッジストライプ形状を有する。このリッジストラ
イプ部の両側の部分にはｎ型電流狭窄層９が埋め込ま
れ、これによって電流狭窄構造が形成されている。この
ｎ型電流狭窄層９は、リッジストライプ部の側面および
その両側の部分におけるｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止
層５と接するｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511
Ｐ層９ａと、この上のｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉ
ｎ0.484 Ｐ層９ｂとからなる。
Ｐクラッド層６、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層７およびｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層８は、［１−１０］方向に延びる所定
幅のリッジストライプ形状を有する。このリッジストラ
イプ部の両側の部分にはｎ型電流狭窄層９が埋め込ま
れ、これによって電流狭窄構造が形成されている。この
ｎ型電流狭窄層９は、リッジストライプ部の側面および
その両側の部分におけるｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止
層５と接するｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511
Ｐ層９ａと、この上のｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉ
ｎ0.484 Ｐ層９ｂとからなる。
【００２６】このｎ型電流狭窄層９を構成するｎ型（Ａ
ｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａおよびｎ型
（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ層９ｂにおける
ｘ２は、例えば０．６≦ｘ２≦１．０を満たすものであ
り、一例を挙げるとｘ２＝０．７である。ｎ型（Ａｌx2
Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａは、ｎ型ＧａＡｓ
基板１に対して約２×１０-3の格子不整合を有し、した
がって、圧縮歪を有する。また、ｎ型（Ａｌx2Ｇ
ａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ層９ｂはｎ型ＧａＡｓ基板
１と格子整合している。なお、これらのｎ型（Ａｌx2Ｇ
ａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａおよびｎ型（Ａｌx2
Ｇａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ層９ｂは、ともに、ｎ型
（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層２、
ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層
４およびｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐク
ラッド層６よりバンドギャップが大きく、低屈折率であ
る。
ｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａおよびｎ型
（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ層９ｂにおける
ｘ２は、例えば０．６≦ｘ２≦１．０を満たすものであ
り、一例を挙げるとｘ２＝０．７である。ｎ型（Ａｌx2
Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａは、ｎ型ＧａＡｓ
基板１に対して約２×１０-3の格子不整合を有し、した
がって、圧縮歪を有する。また、ｎ型（Ａｌx2Ｇ
ａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ層９ｂはｎ型ＧａＡｓ基板
１と格子整合している。なお、これらのｎ型（Ａｌx2Ｇ
ａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａおよびｎ型（Ａｌx2
Ｇａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ層９ｂは、ともに、ｎ型
（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層２、
ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層
４およびｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐク
ラッド層６よりバンドギャップが大きく、低屈折率であ
る。
【００２７】ここで、ｎ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉ
ｎ0.484 Ｐクラッド層２、ｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）
0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａおよびｎ型（Ａｌx2Ｇ
ａ1-x2）0.516Ｉｎ0.484 Ｐ層９ｂには、ｎ型不純物と
して例えばＳｉがドープされている。また、ｐ型（Ａｌ
x1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層４、ｐ型Ｇ
ａＩｎＰエッチング停止層５、ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）
0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層６、ｐ型ＧａＩｎＰ中間
層７およびｐ型ＧａＡｓキャップ層８には、ｐ型不純物
として例えばＺｎがドープされている。
ｎ0.484 Ｐクラッド層２、ｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）
0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａおよびｎ型（Ａｌx2Ｇ
ａ1-x2）0.516Ｉｎ0.484 Ｐ層９ｂには、ｎ型不純物と
して例えばＳｉがドープされている。また、ｐ型（Ａｌ
x1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層４、ｐ型Ｇ
ａＩｎＰエッチング停止層５、ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）
0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層６、ｐ型ＧａＩｎＰ中間
層７およびｐ型ＧａＡｓキャップ層８には、ｐ型不純物
として例えばＺｎがドープされている。
【００２８】また、ｎ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ
0.484 Ｐクラッド層２の厚さは例えば１μｍ、活性層３
の厚さは例えば１０ｎｍ、ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）
0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層４の厚さは例えば０．３
μｍ、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層５の厚さは例え
ば１０ｎｍ、ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484
Ｐクラッド層６の厚さは例えば０．７μｍ、ｐ型ＧａＩ
ｎＰ中間層７の厚さは例えば５０ｎｍ、ｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層８の厚さは例えば０．３μｍである。また、ｎ
型電流狭窄層９の全体の厚さは例えば１μｍであり、こ
のうち、ｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層
９ａの厚さは例えば２００ｎｍである。
0.484 Ｐクラッド層２の厚さは例えば１μｍ、活性層３
の厚さは例えば１０ｎｍ、ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）
0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層４の厚さは例えば０．３
μｍ、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層５の厚さは例え
ば１０ｎｍ、ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484
Ｐクラッド層６の厚さは例えば０．７μｍ、ｐ型ＧａＩ
ｎＰ中間層７の厚さは例えば５０ｎｍ、ｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層８の厚さは例えば０．３μｍである。また、ｎ
型電流狭窄層９の全体の厚さは例えば１μｍであり、こ
のうち、ｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層
９ａの厚さは例えば２００ｎｍである。
【００２９】ｐ型ＧａＡｓキャップ層８およびｎ型電流
狭窄層９の上には、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のよう
なｐ側電極１０が設けられている。一方、ｎ型ＧａＡｓ
基板１の裏面には、例えばＩｎ電極のようなｎ側電極１
１が設けられている。
狭窄層９の上には、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のよう
なｐ側電極１０が設けられている。一方、ｎ型ＧａＡｓ
基板１の裏面には、例えばＩｎ電極のようなｎ側電極１
１が設けられている。
【００３０】次に、上述のように構成されたこの第１の
実施形態による実屈折率導波型の埋め込みリッジ型Ａｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザの製造方法について説明す
る。
実施形態による実屈折率導波型の埋め込みリッジ型Ａｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザの製造方法について説明す
る。
【００３１】まず、図２に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基
板１上に、例えば有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）
法または分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により、ｎ型
（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層２、
活性層３、ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ
クラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層５、ｐ
型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層
６、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層７およびｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層８を順次成長させる。
板１上に、例えば有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）
法または分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により、ｎ型
（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層２、
活性層３、ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ
クラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層５、ｐ
型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層
６、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層７およびｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層８を順次成長させる。
【００３２】次に、図３に示すように、ｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層８の全面に例えばＣＶＤ法法により例えばＳｉ
Ｏ2 膜やＳｉＮx 膜を形成した後、これをエッチングに
よりパターニングして［１−１０］方向に延びるストラ
イプ形状のマスク１２を形成する。
ャップ層８の全面に例えばＣＶＤ法法により例えばＳｉ
Ｏ2 膜やＳｉＮx 膜を形成した後、これをエッチングに
よりパターニングして［１−１０］方向に延びるストラ
イプ形状のマスク１２を形成する。
【００３３】次に、図４に示すように、マスク１２をエ
ッチングマスクとして用いて、ウエットエッチング法に
より、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層５が露出するま
でエッチングする。これによって、ｐ型（Ａｌx1Ｇａ
1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層６、ｐ型ＧａＩｎ
Ｐ中間層７およびｐ型ＧａＡｓキャップ層８が［１−１
０］方向に延びるリッジストライプ形状にパターニング
される。
ッチングマスクとして用いて、ウエットエッチング法に
より、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層５が露出するま
でエッチングする。これによって、ｐ型（Ａｌx1Ｇａ
1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層６、ｐ型ＧａＩｎ
Ｐ中間層７およびｐ型ＧａＡｓキャップ層８が［１−１
０］方向に延びるリッジストライプ形状にパターニング
される。
【００３４】次に、図５に示すように、マスク１２を成
長マスクとして用いて、例えばＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法
により、リッジストライプ部の両側の部分に、このリッ
ジストライプ部の側面を覆うように、ｎ型ＧａＡｓ基板
１に対して約２×１０-3の格子不整合を有するｎ型（Ａ
ｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａを成長させ
る。なお、このｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ
0.511 Ｐ層９ａの格子不整合は、このｎ型（Ａｌx2Ｇａ
1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａを成長させる際に、例
えばＩｎ原料の流量を調節することによって与えられ
る。
長マスクとして用いて、例えばＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法
により、リッジストライプ部の両側の部分に、このリッ
ジストライプ部の側面を覆うように、ｎ型ＧａＡｓ基板
１に対して約２×１０-3の格子不整合を有するｎ型（Ａ
ｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａを成長させ
る。なお、このｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ
0.511 Ｐ層９ａの格子不整合は、このｎ型（Ａｌx2Ｇａ
1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａを成長させる際に、例
えばＩｎ原料の流量を調節することによって与えられ
る。
【００３５】次に、図６に示すように、マスク１２を成
長マスクとして用いて、例えばＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法
により、ｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層
９ａ上に、ｎ型ＧａＡｓ基板１と格子整合するｎ型（Ａ
ｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ層９ｂを成長させ
る。これにより、ｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ
0.511 Ｐ層９ａおよびｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉ
ｎ0.484 Ｐ層９ｂからなるｎ型電流狭窄層９が形成され
る。
長マスクとして用いて、例えばＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法
により、ｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層
９ａ上に、ｎ型ＧａＡｓ基板１と格子整合するｎ型（Ａ
ｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ層９ｂを成長させ
る。これにより、ｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ
0.511 Ｐ層９ａおよびｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉ
ｎ0.484 Ｐ層９ｂからなるｎ型電流狭窄層９が形成され
る。
【００３６】次に、図７に示すように、マスク１２を除
去した後、ｎ型電流狭窄層９の表面を平坦化する。
去した後、ｎ型電流狭窄層９の表面を平坦化する。
【００３７】この後、図１に示すように、例えば真空蒸
着法やスパッタリング法により、ｐ型ＧａＡｓキャップ
層８およびｎ型電流狭窄層９の全面にｐ側電極１０を形
成するとともに、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面にｎ側電極
１１を形成する。
着法やスパッタリング法により、ｐ型ＧａＡｓキャップ
層８およびｎ型電流狭窄層９の全面にｐ側電極１０を形
成するとともに、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面にｎ側電極
１１を形成する。
【００３８】以上により、目的とする埋め込みリッジ型
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザが製造される。
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザが製造される。
【００３９】以上のように、この第１の実施形態によれ
ば、ｎ型電流狭窄層９のうちリッジストライプ部と接す
る部分が、ｎ型ＧａＡｓ基板１に対して約２×１０-3の
格子不整合を有する、したがって、圧縮歪を有するｎ型
（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａからなる
ことにより、リッジストライプ部に導入されたｐ型不純
物であるＺｎがｎ型電流狭窄層９に拡散することを抑制
することができ、横方向への電流の広がりが設計値より
も大きくなることを防止することができる。これによっ
て、動作電流が設計値に比べて上昇したり、遠視野像
（ＦＦＰ）における水平方向のビーム広がり角θ//が設
計値に比べて小さくなることが防止され、この埋め込み
リッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの静特性の悪化
の防止および製造歩留まりの安定化を図ることができ
る。また、ｎ型電流狭窄層９においては、圧縮歪を有す
るｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａの
厚さが２００ｎｍと小さく、この上のｎ型（Ａｌx2Ｇａ
1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ層９ｂがｎ型ＧａＡｓ基板１
と格子整合しているため、欠陥の発生が抑制されてい
る。
ば、ｎ型電流狭窄層９のうちリッジストライプ部と接す
る部分が、ｎ型ＧａＡｓ基板１に対して約２×１０-3の
格子不整合を有する、したがって、圧縮歪を有するｎ型
（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａからなる
ことにより、リッジストライプ部に導入されたｐ型不純
物であるＺｎがｎ型電流狭窄層９に拡散することを抑制
することができ、横方向への電流の広がりが設計値より
も大きくなることを防止することができる。これによっ
て、動作電流が設計値に比べて上昇したり、遠視野像
（ＦＦＰ）における水平方向のビーム広がり角θ//が設
計値に比べて小さくなることが防止され、この埋め込み
リッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの静特性の悪化
の防止および製造歩留まりの安定化を図ることができ
る。また、ｎ型電流狭窄層９においては、圧縮歪を有す
るｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａの
厚さが２００ｎｍと小さく、この上のｎ型（Ａｌx2Ｇａ
1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ層９ｂがｎ型ＧａＡｓ基板１
と格子整合しているため、欠陥の発生が抑制されてい
る。
【００４０】次に、この発明の第２の実施形態について
説明する。図８は、この発明の第２の実施形態による埋
め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの断面図
である。この埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体
レーザは実屈折率導波型半導体レーザである。
説明する。図８は、この発明の第２の実施形態による埋
め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの断面図
である。この埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体
レーザは実屈折率導波型半導体レーザである。
【００４１】図８に示すように、この第２の実施形態に
よる埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザに
おいては、ｎ型電流狭窄層９が、リッジストライプ部の
側面およびその両側の部分におけるｐ型ＧａＩｎＰエッ
チング停止層５と接するｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.489
Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａと、この上のｎ型（Ａｌx2Ｇ
ａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ層９ｂと、この上のｎ型Ｇ
ａＡｓ層９ｃとからなる。
よる埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザに
おいては、ｎ型電流狭窄層９が、リッジストライプ部の
側面およびその両側の部分におけるｐ型ＧａＩｎＰエッ
チング停止層５と接するｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.489
Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａと、この上のｎ型（Ａｌx2Ｇ
ａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ層９ｂと、この上のｎ型Ｇ
ａＡｓ層９ｃとからなる。
【００４２】ｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511
Ｐ層９ａは、ｎ型ＧａＡｓ基板１に対して約２×１０-3
の格子不整合を有し、ｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉ
ｎ0. 484 Ｐ層９ｂおよびｎ型ＧａＡｓ層９ｃは、それぞ
れ、ｎ型ＧａＡｓ基板１と格子整合している。この場
合、ｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａ
およびｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ層９
ｂの合計の厚さは、ｎ型ＧａＡｓ層９ｃによって活性層
３からの光が吸収されないように、十分に大きく選ばれ
ている。具体的には、この場合、ｎ型（Ａｌx2Ｇ
ａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａの厚さは例えば０．
２μｍ、ｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ層
９ｂの厚さは例えば０．７μｍ、ｎ型ＧａＡｓ層９ｃの
厚さは例えば０．１μｍである。
Ｐ層９ａは、ｎ型ＧａＡｓ基板１に対して約２×１０-3
の格子不整合を有し、ｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉ
ｎ0. 484 Ｐ層９ｂおよびｎ型ＧａＡｓ層９ｃは、それぞ
れ、ｎ型ＧａＡｓ基板１と格子整合している。この場
合、ｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａ
およびｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ層９
ｂの合計の厚さは、ｎ型ＧａＡｓ層９ｃによって活性層
３からの光が吸収されないように、十分に大きく選ばれ
ている。具体的には、この場合、ｎ型（Ａｌx2Ｇ
ａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層９ａの厚さは例えば０．
２μｍ、ｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ層
９ｂの厚さは例えば０．７μｍ、ｎ型ＧａＡｓ層９ｃの
厚さは例えば０．１μｍである。
【００４３】この実屈折率導波型の埋め込みリッジ型Ａ
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザのその他の構成は、第１の
実施形態による実屈折率導波型の埋め込みリッジ型Ａｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザと同様であるので、説明を省
略する。
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザのその他の構成は、第１の
実施形態による実屈折率導波型の埋め込みリッジ型Ａｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザと同様であるので、説明を省
略する。
【００４４】この第２の実施形態による実屈折率導波型
の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの製
造方法は、第１の実施形態による実屈折率導波型の埋め
込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの製造方法
と同様であるので、説明を省略する。
の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの製
造方法は、第１の実施形態による実屈折率導波型の埋め
込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの製造方法
と同様であるので、説明を省略する。
【００４５】この第２の実施形態によれば、第１の実施
形態と同様の利点を得ることができる。また、この第２
の実施形態によれば、ｎ型電流狭窄層９の最上層がｎ型
ＧａＡｓ層９ｃとなっており、酸化されやすいＡｌを含
んだ層がほとんど露出しないため、半導体レーザの特性
および品質の安定化を図ることができる。
形態と同様の利点を得ることができる。また、この第２
の実施形態によれば、ｎ型電流狭窄層９の最上層がｎ型
ＧａＡｓ層９ｃとなっており、酸化されやすいＡｌを含
んだ層がほとんど露出しないため、半導体レーザの特性
および品質の安定化を図ることができる。
【００４６】次に、この発明の第３の実施形態について
説明する。図９は、この発明の第３の実施形態による埋
め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの断面図
である。この埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体
レーザは、実屈折率導波型半導体レーザであり、ＳＣＨ
構造（Separate Confienment Heterostructure）を有
し、活性層は多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有するもの
である。
説明する。図９は、この発明の第３の実施形態による埋
め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの断面図
である。この埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体
レーザは、実屈折率導波型半導体レーザであり、ＳＣＨ
構造（Separate Confienment Heterostructure）を有
し、活性層は多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有するもの
である。
【００４７】図９に示すように、この第３の実施形態に
よる実屈折率導波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザにおいては、ｎ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）
0.516Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層２と活性層３との間に、
ｎ型（Ａｌx3Ｇａ1-x3）0.516Ｉｎ0.484 Ｐ光導波層１
３が挿入され、活性層３とｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）
0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層４との間に、ｐ型（Ａｌ
x3Ｇａ1-x3）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ光導波層１４が挿入さ
れている。また、活性層３は、ＧａＩｎＰ層を量子井戸
層、（Ａｌx3Ｇａ1-x3）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ層を障壁層
とするＭＱＷ構造を有する。ここで、ｎ型（Ａｌx3Ｇａ
1-x3）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ光導波層１３、ｐ型（Ａｌx3
Ｇａ1-x3）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ光導波層１４および活性
層３の（Ａｌx3Ｇａ1-x3）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ障壁層に
おけるｘ３の一例を挙げると、ｘ３＝０．４である。
よる実屈折率導波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザにおいては、ｎ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）
0.516Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層２と活性層３との間に、
ｎ型（Ａｌx3Ｇａ1-x3）0.516Ｉｎ0.484 Ｐ光導波層１
３が挿入され、活性層３とｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）
0.516 Ｉｎ0.484 Ｐクラッド層４との間に、ｐ型（Ａｌ
x3Ｇａ1-x3）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ光導波層１４が挿入さ
れている。また、活性層３は、ＧａＩｎＰ層を量子井戸
層、（Ａｌx3Ｇａ1-x3）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ層を障壁層
とするＭＱＷ構造を有する。ここで、ｎ型（Ａｌx3Ｇａ
1-x3）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ光導波層１３、ｐ型（Ａｌx3
Ｇａ1-x3）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ光導波層１４および活性
層３の（Ａｌx3Ｇａ1-x3）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ障壁層に
おけるｘ３の一例を挙げると、ｘ３＝０．４である。
【００４８】ｎ型（Ａｌx3Ｇａ1-x3）0.516 Ｉｎ0.484
Ｐ光導波層１３およびｐ型（Ａｌx3Ｇａ1-x3）0.516 Ｉ
ｎ0.484 Ｐ光導波層１４の厚さは、それぞれ例えば５０
ｎｍであり、活性層３のＧａＩｎＰ量子井戸層および
（Ａｌx3Ｇａ1-x3）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ障壁層の厚さ
は、それぞれ、例えば５ｎｍである。また、活性層３は
ＧａＩｎＰ量子井戸層を、例えば５層程度有する。
Ｐ光導波層１３およびｐ型（Ａｌx3Ｇａ1-x3）0.516 Ｉ
ｎ0.484 Ｐ光導波層１４の厚さは、それぞれ例えば５０
ｎｍであり、活性層３のＧａＩｎＰ量子井戸層および
（Ａｌx3Ｇａ1-x3）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ障壁層の厚さ
は、それぞれ、例えば５ｎｍである。また、活性層３は
ＧａＩｎＰ量子井戸層を、例えば５層程度有する。
【００４９】この実屈折率導波型の埋め込みリッジ型Ａ
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザのその他の構成は、第１の
実施形態による実屈折率導波型の埋め込みリッジ型Ａｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザと同様であるので、説明を省
略する。
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザのその他の構成は、第１の
実施形態による実屈折率導波型の埋め込みリッジ型Ａｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザと同様であるので、説明を省
略する。
【００５０】この第３の実施形態による実屈折率導波型
の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの製
造方法は、第１の実施形態による実屈折率導波型の埋め
込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの製造方法
と同様であるので、説明を省略する。
の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの製
造方法は、第１の実施形態による実屈折率導波型の埋め
込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの製造方法
と同様であるので、説明を省略する。
【００５１】この第３の実施形態によれば、第１の実施
形態と同様の利点を得ることができる。
形態と同様の利点を得ることができる。
【００５２】以上この発明の実施形態について具体的に
説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。
説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。
【００５３】例えば、実施形態において挙げた数値、材
料などはあくまで例に過ぎず、必要に応じてこれと異な
る数値や材料を用いることも可能である。具体的には、
例えば、上述の第１〜第３の実施形態におけるｐ型不純
物としては、Ｚｎに代えて、例えばＭｇを用いてもよ
く、また、ｎ型不純物としては、Ｓｉに代えて例えばＳ
ｅを用いてもよい。
料などはあくまで例に過ぎず、必要に応じてこれと異な
る数値や材料を用いることも可能である。具体的には、
例えば、上述の第１〜第３の実施形態におけるｐ型不純
物としては、Ｚｎに代えて、例えばＭｇを用いてもよ
く、また、ｎ型不純物としては、Ｓｉに代えて例えばＳ
ｅを用いてもよい。
【００５４】また、上述の第１〜第３の実施形態におい
ては、この発明を実屈折率導波型半導体レーザに適用し
た場合について説明したが、この発明は、例えば自励発
振型半導体レーザに適用することも可能である。この場
合、例えば、ｎ型電流狭窄層９のうち、リッジストライ
プ部と接する部分を、例えば活性層３からの光を吸収
し、かつ、ｎ型ＧａＡｓ基板１に対して１×１０-3以上
２×１０-3以下の格子不整合を有する（圧縮歪を有す
る）ｎ型ＧａＩｎＰ層とし、それ以外の部分を例えばｎ
型ＧａＡｓ層とする。
ては、この発明を実屈折率導波型半導体レーザに適用し
た場合について説明したが、この発明は、例えば自励発
振型半導体レーザに適用することも可能である。この場
合、例えば、ｎ型電流狭窄層９のうち、リッジストライ
プ部と接する部分を、例えば活性層３からの光を吸収
し、かつ、ｎ型ＧａＡｓ基板１に対して１×１０-3以上
２×１０-3以下の格子不整合を有する（圧縮歪を有す
る）ｎ型ＧａＩｎＰ層とし、それ以外の部分を例えばｎ
型ＧａＡｓ層とする。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ｎ型電流狭窄層のうち、少なくともｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層のストライプ部と接する部分が圧縮歪を
有することにより、ストライプ部に導入されたｐ型不純
物がｎ型電流狭窄層に拡散することを抑制することがで
き、横方向への電流の広がりが設計値に比べて大きくな
ることを防止することができるため、半導体レーザの静
特性の悪化の防止および製造歩留まりの向上を図ること
ができる。
ば、ｎ型電流狭窄層のうち、少なくともｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層のストライプ部と接する部分が圧縮歪を
有することにより、ストライプ部に導入されたｐ型不純
物がｎ型電流狭窄層に拡散することを抑制することがで
き、横方向への電流の広がりが設計値に比べて大きくな
ることを防止することができるため、半導体レーザの静
特性の悪化の防止および製造歩留まりの向上を図ること
ができる。
【図１】 この発明の第１の実施形態による実屈折率導
波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
の断面図である。
波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
の断面図である。
【図２】 この発明の第１の実施形態による実屈折率導
波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
の製造方法を説明するための断面図である。
波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
の製造方法を説明するための断面図である。
【図３】 この発明の第１の実施形態による実屈折率導
波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
の製造方法を説明するための断面図である。
波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】 この発明の第１の実施形態による実屈折率導
波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
の製造方法を説明するための断面図である。
波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】 この発明の第１の実施形態による実屈折率導
波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
の製造方法を説明するための断面図である。
波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】 この発明の第１の実施形態による実屈折率導
波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
の製造方法を説明するための断面図である。
波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】 この発明の第１の実施形態による実屈折率導
波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
の製造方法を説明するための断面図である。
波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】 この発明の第２の実施形態による実屈折率導
波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
の断面図である。
波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
の断面図である。
【図９】 この発明の第３の実施形態による実屈折率導
波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
の断面図である。
波型の埋め込みリッジ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
の断面図である。
【図１０】 従来の実屈折率導波型の埋め込みリッジ型
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの断面図である。
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの断面図である。
【図１１】 従来の実屈折率導波型の埋め込みリッジ型
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザにおける問題点を説明す
るための断面図である。
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザにおける問題点を説明す
るための断面図である。
１・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、２・・・ｎ型（Ａｌx1Ｇａ
1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐラッド層、３・・・活性層、
４，６・・・ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484
Ｐラッド層、５・・・ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止
層、７・・・ｐ型ＧａＩｎＰ中間層、８・・・ｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層、９・・・ｎ型電流狭窄層、９ａ・・・
ｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層、９ｂ・
・・ｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ層、９
ｃ・・・ｎ型ＧａＡｓ層
1-x1）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐラッド層、３・・・活性層、
４，６・・・ｐ型（Ａｌx1Ｇａ1-x1）0.516 Ｉｎ0.484
Ｐラッド層、５・・・ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止
層、７・・・ｐ型ＧａＩｎＰ中間層、８・・・ｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層、９・・・ｎ型電流狭窄層、９ａ・・・
ｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.489 Ｉｎ0.511 Ｐ層、９ｂ・
・・ｎ型（Ａｌx2Ｇａ1-x2）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐ層、９
ｃ・・・ｎ型ＧａＡｓ層
Claims (7)
- 【請求項１】 基板と、 上記基板上のｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層と、 上記ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層上の活性層と、 上記活性層上のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とを有
し、 上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層に設けられたストラ
イプ部の両側の部分にｎ型電流狭窄層が埋め込まれた電
流狭窄構造を有する半導体レーザにおいて、 上記ｎ型電流狭窄層のうち、少なくとも上記ｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層の上記ストライプ部と接する部分が
圧縮歪を有することを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 上記ｎ型電流狭窄層のうち上記圧縮歪を
有する部分が、上記基板に対して１×１０-3以上２×１
０-3以下の格子不整合を有することを特徴とする請求項
１記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 上記基板がＧａＡｓ基板であることを特
徴とする請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】 上記ｎ型電流狭窄層のうち上記圧縮歪を
有する部分の厚さが１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項５】 上記ｎ型電流狭窄層のうち上記圧縮歪を
有する部分が、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層であることを特徴
とする請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項６】 上記ｎ型電流狭窄層のうち上記圧縮歪を
有する部分が、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層のバ
ンドギャップより大きいかまたは同等のバンドギャップ
を有するｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層であることを特徴とする
請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項７】 上記ｎ型電流狭窄層のうち上記圧縮歪を
有する部分が、ｎ型ＧａＩｎＰ層であることを特徴とす
る請求項１記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35720897A JP3991409B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35720897A JP3991409B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186655A true JPH11186655A (ja) | 1999-07-09 |
| JP3991409B2 JP3991409B2 (ja) | 2007-10-17 |
Family
ID=18452941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35720897A Expired - Fee Related JP3991409B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3991409B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1347548A3 (en) * | 2002-03-20 | 2006-02-01 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device |
| CN1305192C (zh) * | 2003-06-25 | 2007-03-14 | 三星电机株式会社 | 具有高阶模式吸收层的半导体激光二极管 |
| JP2007103790A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Rohm Co Ltd | 高出力赤色半導体レーザ |
| CN1322643C (zh) * | 2003-07-22 | 2007-06-20 | 夏普株式会社 | 半导体激光器及其生产方法 |
-
1997
- 1997-12-25 JP JP35720897A patent/JP3991409B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1347548A3 (en) * | 2002-03-20 | 2006-02-01 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device |
| CN1305192C (zh) * | 2003-06-25 | 2007-03-14 | 三星电机株式会社 | 具有高阶模式吸收层的半导体激光二极管 |
| CN1322643C (zh) * | 2003-07-22 | 2007-06-20 | 夏普株式会社 | 半导体激光器及其生产方法 |
| JP2007103790A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Rohm Co Ltd | 高出力赤色半導体レーザ |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3991409B2 (ja) | 2007-10-17 |
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| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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