JP2000269607A - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ及びその製造方法Info
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- JP2000269607A JP2000269607A JP11074103A JP7410399A JP2000269607A JP 2000269607 A JP2000269607 A JP 2000269607A JP 11074103 A JP11074103 A JP 11074103A JP 7410399 A JP7410399 A JP 7410399A JP 2000269607 A JP2000269607 A JP 2000269607A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザの発光効率を低下させることな
く、低しきい値化を実現し、さらに温度特性を改善す
る。 【解決手段】 活性層５の中心には、Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ
量子井戸層と（Ａｌ0.6Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐバリア層
とが交互に積層された多重量子井戸層５２が配置されて
いる。この多重量子井戸層５２の上側には厚さ３０ｎｍ
のｐ側光ガイド層５３が配置されている。このｐ側光ガ
イド層５３は、厚さｄの故意には不純物を添加していな
い第１の光ガイド層（真性光ガイド層）５３ｉとその上
のｐ型不純物（Ｚｎ）を添加した第２の光ガイド層（ｐ
型光ガイド層）５３ｐとから構成されている。さらに、
この多重量子井戸層５２の下側には、厚さ３０ｎｍの故
意には不純物を添加していない第３の光ガイド層（ｎ側
光ガイド層）５１が配置されている。厚さｄは、１分子
層乃至４０分子層の厚さに選ばれる。
く、低しきい値化を実現し、さらに温度特性を改善す
る。 【解決手段】 活性層５の中心には、Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ
量子井戸層と（Ａｌ0.6Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐバリア層
とが交互に積層された多重量子井戸層５２が配置されて
いる。この多重量子井戸層５２の上側には厚さ３０ｎｍ
のｐ側光ガイド層５３が配置されている。このｐ側光ガ
イド層５３は、厚さｄの故意には不純物を添加していな
い第１の光ガイド層（真性光ガイド層）５３ｉとその上
のｐ型不純物（Ｚｎ）を添加した第２の光ガイド層（ｐ
型光ガイド層）５３ｐとから構成されている。さらに、
この多重量子井戸層５２の下側には、厚さ３０ｎｍの故
意には不純物を添加していない第３の光ガイド層（ｎ側
光ガイド層）５１が配置されている。厚さｄは、１分子
層乃至４０分子層の厚さに選ばれる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザに係
り、特に多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する半導体レ
ーザ及びその製造方法に関する。
り、特に多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する半導体レ
ーザ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク装置に用いられる６３０ｎｍ
〜６５０ｎｍ帯半導体レーザでは、Ｉｎ1-y（Ｇａ1-xＡ
ｌx）yＰ系の化合物半導体が用いられている。これらの
レーザでは、分離閉じ込め型ヘテロ（Separate Confine
ment Heterostructure：ＳＣＨ）構造の多重量子井戸活
性層が用いられるのが典型的である。その場合、多重量
子井戸層にＩｎＧａＰ、光ガイド層及びクラッド層にＩ
ｎ0.5（Ｇａ1-xＡｌx）0 .5Ｐが用いられ、クラッド層の
アルミニウム（Ａｌ）の組成ｘが０．７程度の場合、光
ガイド層のＡｌの組成ｘは０．４〜０．５の値に設定さ
れることが多い。また、光ガイド層を含む活性層全体は
故意にドーピングしないのが通常である。
〜６５０ｎｍ帯半導体レーザでは、Ｉｎ1-y（Ｇａ1-xＡ
ｌx）yＰ系の化合物半導体が用いられている。これらの
レーザでは、分離閉じ込め型ヘテロ（Separate Confine
ment Heterostructure：ＳＣＨ）構造の多重量子井戸活
性層が用いられるのが典型的である。その場合、多重量
子井戸層にＩｎＧａＰ、光ガイド層及びクラッド層にＩ
ｎ0.5（Ｇａ1-xＡｌx）0 .5Ｐが用いられ、クラッド層の
アルミニウム（Ａｌ）の組成ｘが０．７程度の場合、光
ガイド層のＡｌの組成ｘは０．４〜０．５の値に設定さ
れることが多い。また、光ガイド層を含む活性層全体は
故意にドーピングしないのが通常である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ａｌの
組成ｘの異なる光ガイド層（ｘ＝０．４〜０．５）とク
ラッド層（ｘ＝０．７）とのヘテロ接合界面において、
組成ｘの差が０．２〜０．３程度であるため、伝導帯に
おけるヘテロ障壁の高さΔＥCが小さいという性質があ
る。ヘテロ障壁によりキャリアを活性層内に閉じ込める
ダブルヘテロ（ＤＨ）型半導体レーザにおいてこの性質
は不都合であり、この材料系の大きな欠点とされてい
る。この低いヘテロ障壁の高さΔＥCにより、電子が多
重量子井戸層からクラッド層へもれ出し易くなるので発
振しきい値電流が高くなるからである。更に、同様な理
由により、発振しきい値電流の温度依存性が悪化してし
まう問題があった。
組成ｘの異なる光ガイド層（ｘ＝０．４〜０．５）とク
ラッド層（ｘ＝０．７）とのヘテロ接合界面において、
組成ｘの差が０．２〜０．３程度であるため、伝導帯に
おけるヘテロ障壁の高さΔＥCが小さいという性質があ
る。ヘテロ障壁によりキャリアを活性層内に閉じ込める
ダブルヘテロ（ＤＨ）型半導体レーザにおいてこの性質
は不都合であり、この材料系の大きな欠点とされてい
る。この低いヘテロ障壁の高さΔＥCにより、電子が多
重量子井戸層からクラッド層へもれ出し易くなるので発
振しきい値電流が高くなるからである。更に、同様な理
由により、発振しきい値電流の温度依存性が悪化してし
まう問題があった。
【０００４】また、こうしたアンドープの光ガイド層を
備える構造では活性層の微分利得が小さいため、本質的
にも発振しきい値電流が比較的大きかった。
備える構造では活性層の微分利得が小さいため、本質的
にも発振しきい値電流が比較的大きかった。
【０００５】これらの課題に対し、ｐ型クラッド層側の
光ガイド層にｐ型ドーピングを施すことが理論的には有
効であると期待されていた。しかしながら、現実には、
多重量子井戸層までｐ型ドーピングを施すと、この製造
工程中の熱処理により、ｐ型ドーピング領域から多重量
子井戸層にｐ型ドーパントが拡散し、拡散したドーパン
トが多重量子井戸層の発光効率を低下させるので、結果
として発振しきい値電流の改善に結び付かなかった。
光ガイド層にｐ型ドーピングを施すことが理論的には有
効であると期待されていた。しかしながら、現実には、
多重量子井戸層までｐ型ドーピングを施すと、この製造
工程中の熱処理により、ｐ型ドーピング領域から多重量
子井戸層にｐ型ドーパントが拡散し、拡散したドーパン
トが多重量子井戸層の発光効率を低下させるので、結果
として発振しきい値電流の改善に結び付かなかった。
【０００６】本発明は上記問題点を解決する目的でなさ
れたものである。すなわち、本発明の目的は、多重量子
井戸層と光ガイド層とのヘテロ接合界面における、伝導
帯のヘテロ障壁の高さΔＥCを高くすることにより、多
重量子井戸層から光ガイド層への電子の漏れだしを防止
し、発振しきい値電流の改善を図ることの可能な半導体
レーザを提供することである。
れたものである。すなわち、本発明の目的は、多重量子
井戸層と光ガイド層とのヘテロ接合界面における、伝導
帯のヘテロ障壁の高さΔＥCを高くすることにより、多
重量子井戸層から光ガイド層への電子の漏れだしを防止
し、発振しきい値電流の改善を図ることの可能な半導体
レーザを提供することである。
【０００７】本発明の他の目的は、ｐ型クラッド層に近
い方の光ガイド層において、井戸層から遠い光ガイド層
のみを正確に選択的にｐ型ドーピングし、多重量子井戸
層へはｐ型ドーピング及び非発光中心の導入が生じない
半導体レーザの製造方法を提供することである。
い方の光ガイド層において、井戸層から遠い光ガイド層
のみを正確に選択的にｐ型ドーピングし、多重量子井戸
層へはｐ型ドーピング及び非発光中心の導入が生じない
半導体レーザの製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の特徴は、活性層を有する半導体レー
ザにおいて、この活性層は、第１の半導体からなる量子
井戸層と第１の半導体よりも禁制帯幅の広い第２の半導
体からなるバリア層とが交互に繰り返されて積層した多
重量子井戸層と、この多重量子井戸層の一端に隣接し、
且つ故意には不純物を添加していない第２の半導体から
なる第１の光ガイド層と、この第１の光ガイド層に隣接
し、且つｐ型不純物を添加した第２の半導体からなる第
２の光ガイド層と、多重量子井戸層の他端に隣接し、且
つ故意には不純物を添加していない第２の半導体からな
る第３の光ガイド層とからなる活性層を具備したことで
ある。ここで「故意には不純物を添加していない第２の
半導体」の不純物密度は、現在の結晶成長技術を鑑み、
５×１０16ｃｍ-3程度の残留不純物を許容する。第１及
び第２の光ガイド層はｐ側の光ガイド層を構成し、第３
の光ガイド層はｎ側の光ガイド層を構成する。従って、
第２の光ガイド層はｐ型クラッド層やｐ型ブラッグミラ
ー等のｐ型半導体領域に接続される。一方、第３の光ガ
イド層はｎ型クラッド層やｎ型ブラッグミラー等のｎ型
半導体領域に接続される。
め、本発明の第１の特徴は、活性層を有する半導体レー
ザにおいて、この活性層は、第１の半導体からなる量子
井戸層と第１の半導体よりも禁制帯幅の広い第２の半導
体からなるバリア層とが交互に繰り返されて積層した多
重量子井戸層と、この多重量子井戸層の一端に隣接し、
且つ故意には不純物を添加していない第２の半導体から
なる第１の光ガイド層と、この第１の光ガイド層に隣接
し、且つｐ型不純物を添加した第２の半導体からなる第
２の光ガイド層と、多重量子井戸層の他端に隣接し、且
つ故意には不純物を添加していない第２の半導体からな
る第３の光ガイド層とからなる活性層を具備したことで
ある。ここで「故意には不純物を添加していない第２の
半導体」の不純物密度は、現在の結晶成長技術を鑑み、
５×１０16ｃｍ-3程度の残留不純物を許容する。第１及
び第２の光ガイド層はｐ側の光ガイド層を構成し、第３
の光ガイド層はｎ側の光ガイド層を構成する。従って、
第２の光ガイド層はｐ型クラッド層やｐ型ブラッグミラ
ー等のｐ型半導体領域に接続される。一方、第３の光ガ
イド層はｎ型クラッド層やｎ型ブラッグミラー等のｎ型
半導体領域に接続される。
【０００９】本発明の第１の特徴によれば、ｐ型クラッ
ド層やｐ型ブラッグミラー等のｐ型半導体領域に近い方
の活性層に、故意には不純物を添加していない第２の半
導体からなる第１の光ガイド層を設けたことにより、多
重量子井戸層へのｐ型不純物（ドーパント）の過度の拡
散及び、非発光中心の導入が防止される。また、ｎ型ク
ラッド層やｎ型ブラッグミラー等のｎ型半導体領域に近
い方の活性層に、故意には不純物を添加していない第２
の半導体からなる第３の光ガイド層を設けたことによ
り、多重量子井戸層との界面に於ける結晶欠陥の発生
や、非発光中心の導入が防止される。さらに、第１の光
ガイド層に隣接してｐ型不純物を添加した第２の半導体
からなる第２の光ガイド層を設けたことにより、第１の
光ガイド層と第２の光ガイド層との間における伝導帯の
障壁の高さ、即ち実効的には多重量子井戸層と第２の光
ガイド層との間における伝導帯のヘテロ障壁の高さΔＥ
Cを増大させることが出来る。この結果、多重量子井戸
層から、第２の光ガイド層への電子の漏れ出しが減少す
るので、第２の光ガイド層とこの外側のｐ型半導体領域
との間におけるヘテロ障壁の高さΔＥCが小さい場合で
あっても、第２の光ガイド層から外側のｐ型クラッド層
への電子の漏れ出しが抑制できる。さらに、第２の光ガ
イド層とこの外側のｐ型半導体領域との間における価電
子帯のヘテロ障壁の高さΔＥVが大きくなり、正孔（ホ
ール）の漏れ出しも抑制できる。従って、発光効率の低
下を伴うことなく、多重量子井戸層へのキャリア閉じ込
め効果の改善が得られる。このため、微分利得の増加、
発振しきい値電流の低減が可能となる。
ド層やｐ型ブラッグミラー等のｐ型半導体領域に近い方
の活性層に、故意には不純物を添加していない第２の半
導体からなる第１の光ガイド層を設けたことにより、多
重量子井戸層へのｐ型不純物（ドーパント）の過度の拡
散及び、非発光中心の導入が防止される。また、ｎ型ク
ラッド層やｎ型ブラッグミラー等のｎ型半導体領域に近
い方の活性層に、故意には不純物を添加していない第２
の半導体からなる第３の光ガイド層を設けたことによ
り、多重量子井戸層との界面に於ける結晶欠陥の発生
や、非発光中心の導入が防止される。さらに、第１の光
ガイド層に隣接してｐ型不純物を添加した第２の半導体
からなる第２の光ガイド層を設けたことにより、第１の
光ガイド層と第２の光ガイド層との間における伝導帯の
障壁の高さ、即ち実効的には多重量子井戸層と第２の光
ガイド層との間における伝導帯のヘテロ障壁の高さΔＥ
Cを増大させることが出来る。この結果、多重量子井戸
層から、第２の光ガイド層への電子の漏れ出しが減少す
るので、第２の光ガイド層とこの外側のｐ型半導体領域
との間におけるヘテロ障壁の高さΔＥCが小さい場合で
あっても、第２の光ガイド層から外側のｐ型クラッド層
への電子の漏れ出しが抑制できる。さらに、第２の光ガ
イド層とこの外側のｐ型半導体領域との間における価電
子帯のヘテロ障壁の高さΔＥVが大きくなり、正孔（ホ
ール）の漏れ出しも抑制できる。従って、発光効率の低
下を伴うことなく、多重量子井戸層へのキャリア閉じ込
め効果の改善が得られる。このため、微分利得の増加、
発振しきい値電流の低減が可能となる。
【００１０】さらに、本発明の第１の特徴によれば、T0
が大きくなり、発振しきい値電流Jt h(T)の温度依存性が
小さくなる。ここで、T0は、温度Ｔにおける半導体レー
ザの発振しきい値電流Jth(T)を、温度T'における半導体
レーザの発振しきい値電流Jt h(T')を用いて、実験的に Jth(T)=Jth(T')exp((T-T')/T0) ・・・・・・・（１） と表した場合の温度依存性を示す定数である。
が大きくなり、発振しきい値電流Jt h(T)の温度依存性が
小さくなる。ここで、T0は、温度Ｔにおける半導体レー
ザの発振しきい値電流Jth(T)を、温度T'における半導体
レーザの発振しきい値電流Jt h(T')を用いて、実験的に Jth(T)=Jth(T')exp((T-T')/T0) ・・・・・・・（１） と表した場合の温度依存性を示す定数である。
【００１１】本発明の第１の特徴において、第１の光ガ
イド層の厚さは、第２の半導体の１分子層乃至４０分子
層の厚さであることが好ましい。ここで、せん亜鉛鉱型
結晶構造の（１００）面においては、１分子層の厚さは
格子定数ａの１／２の値となり、（１１１）面では格子
定数ａの１／３1/2の値である。たとえば、ＧａＡｓや
ＡｌＡｓの（１００）面では、１分子層の厚さは０．２
８３ｎｍである。ＧａＡｓ基板に格子整合する３元系若
しくは４元系の化合物半導体の１分子層の厚さも同様で
ある。第１の光ガイド層の厚さを第２の半導体の１分子
層乃至４０分子層の厚さに正確に制御することにより、
多重量子井戸層へのｐ型不純物（ドーパント）の過度の
拡散及び、非発光中心の導入が防止できるので、発振し
きい値電流の低減や、発振しきい値電流Jth(T)の温度依
存性を小さくするのが容易となる。
イド層の厚さは、第２の半導体の１分子層乃至４０分子
層の厚さであることが好ましい。ここで、せん亜鉛鉱型
結晶構造の（１００）面においては、１分子層の厚さは
格子定数ａの１／２の値となり、（１１１）面では格子
定数ａの１／３1/2の値である。たとえば、ＧａＡｓや
ＡｌＡｓの（１００）面では、１分子層の厚さは０．２
８３ｎｍである。ＧａＡｓ基板に格子整合する３元系若
しくは４元系の化合物半導体の１分子層の厚さも同様で
ある。第１の光ガイド層の厚さを第２の半導体の１分子
層乃至４０分子層の厚さに正確に制御することにより、
多重量子井戸層へのｐ型不純物（ドーパント）の過度の
拡散及び、非発光中心の導入が防止できるので、発振し
きい値電流の低減や、発振しきい値電流Jth(T)の温度依
存性を小さくするのが容易となる。
【００１２】本発明の第２の特徴に係る半導体レーザの
製造方法は、第１の半導体からなる量子井戸層と、この
第１の半導体よりも禁制帯幅の広い第２の半導体からな
るバリア層とを交互に所定の数積層して、多重量子井戸
層を形成する工程と、この多重量子井戸層の上部に故意
には不純物を添加していない第２の半導体からなる第１
の光ガイド層を５４分子層乃至９０分子層堆積する工程
と、第１の光ガイド層の上部にｐ型不純物を添加した第
２の半導体からなる第２の光ガイド層を堆積する工程
と、この第２の光ガイド層の上部にｐ型不純物を添加し
た他の半導体層を堆積する工程とを少なくとも含むこと
を特徴とする。ＧａＡｓ基板に格子整合する３元系若し
くは４元系の化合物半導体の１分子層の厚さは、０．２
８３ｎｍであるから、５４分子層とは約１５．３ｎｍ、
９０分子層は約２５．５ｎｍである。
製造方法は、第１の半導体からなる量子井戸層と、この
第１の半導体よりも禁制帯幅の広い第２の半導体からな
るバリア層とを交互に所定の数積層して、多重量子井戸
層を形成する工程と、この多重量子井戸層の上部に故意
には不純物を添加していない第２の半導体からなる第１
の光ガイド層を５４分子層乃至９０分子層堆積する工程
と、第１の光ガイド層の上部にｐ型不純物を添加した第
２の半導体からなる第２の光ガイド層を堆積する工程
と、この第２の光ガイド層の上部にｐ型不純物を添加し
た他の半導体層を堆積する工程とを少なくとも含むこと
を特徴とする。ＧａＡｓ基板に格子整合する３元系若し
くは４元系の化合物半導体の１分子層の厚さは、０．２
８３ｎｍであるから、５４分子層とは約１５．３ｎｍ、
９０分子層は約２５．５ｎｍである。
【００１３】本発明者の実験によれば、第２の光ガイド
層の上部にｐ型不純物を添加した種々の他の半導体層を
形成し、ＳＣＨ構造等の所望の半導体レーザの構造を完
成するために必要となる全体としての熱処理工程で、第
２の光ガイド層中のｐ型不純物が第１の光ガイド層に約
５３分子層程度拡散し、界面がだれることを、確認して
いる。従って、第１の光ガイド層の厚さを、５４分子層
乃至９０分子層堆積しておけば、全体としての熱処理工
程の後に、仕上がりとして、ｐ型不純物が多重量子井戸
層にまで滲み込むことはない。従って、多重量子井戸層
へのｐ型不純物（ドーパント）の過度の拡散及び、非発
光中心の導入を防止できる。さらに、第１の光ガイド層
の上部にｐ型不純物を添加した第２の半導体からなる第
２の光ガイド層を堆積したことにより、多重量子井戸層
と第２の光ガイド層との間のヘテロ障壁の高さΔＥCを
増大させることが出来る。この結果、多重量子井戸層の
発光効率の低下を伴うことなく、多重量子井戸層へのキ
ャリア閉じ込め効果の改善が得られる。従って、微分利
得の増加、発振しきい値電流の低減、さらには、発振し
きい値電流Jth(T)の温度依存性を小さくすることが可能
となる。
層の上部にｐ型不純物を添加した種々の他の半導体層を
形成し、ＳＣＨ構造等の所望の半導体レーザの構造を完
成するために必要となる全体としての熱処理工程で、第
２の光ガイド層中のｐ型不純物が第１の光ガイド層に約
５３分子層程度拡散し、界面がだれることを、確認して
いる。従って、第１の光ガイド層の厚さを、５４分子層
乃至９０分子層堆積しておけば、全体としての熱処理工
程の後に、仕上がりとして、ｐ型不純物が多重量子井戸
層にまで滲み込むことはない。従って、多重量子井戸層
へのｐ型不純物（ドーパント）の過度の拡散及び、非発
光中心の導入を防止できる。さらに、第１の光ガイド層
の上部にｐ型不純物を添加した第２の半導体からなる第
２の光ガイド層を堆積したことにより、多重量子井戸層
と第２の光ガイド層との間のヘテロ障壁の高さΔＥCを
増大させることが出来る。この結果、多重量子井戸層の
発光効率の低下を伴うことなく、多重量子井戸層へのキ
ャリア閉じ込め効果の改善が得られる。従って、微分利
得の増加、発振しきい値電流の低減、さらには、発振し
きい値電流Jth(T)の温度依存性を小さくすることが可能
となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一
又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。
ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法と
の関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なるこ
とに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸
法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また
図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる
部分が含まれていることはもちろんである。
施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一
又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。
ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法と
の関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なるこ
とに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸
法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また
図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる
部分が含まれていることはもちろんである。
【００１５】図１は本発明の実施の形態に係る半導体レ
ーザの断面構造の模式図である。図１に示すように本発
明の実施の形態に係る半導体レーザは、［１１０］方向
に１２°オフの（１００）面を有する不純物密度１×１
０18ｃｍ-3で、ｎ+−ＧａＡｓ基板（Ｓｉドープ）２の
上に、不純物密度５×１０17ｃｍ-3で、厚さ１μｍのｎ
−ＧａＡｓバッファー層（Ｓｉドープ）３；不純物密度
３×１０17ｃｍ-3で、厚さ１μｍのｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ
0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層４（Ｓｉドープ）；活性
層５；不純物密度３×１０17ｃｍ-3で、厚さ０．２μｍ
のｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0. 5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層（Ｚ
ｎドープ）６；不純物密度３×１０17ｃｍ-3で、厚さ
０．０５μｍのｐ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ0.5Ｐエ
ッチングストップ層（Ｚｎドープ）７；不純物密度３×
１０17ｃｍ-3で、厚さ０．７μｍのｐ−（Ａｌ0.2Ｇａ
0.8）0. 5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層（Ｚｎドープ）８；不純
物密度３×１０17ｃｍ-3で、厚さ０．２μｍのｐ−Ｇａ
Ａｓキャップ層（Ｚｎドープ）９；不純物密度１×１０
19ｃｍ-3で、厚さ３μｍのｐ+−ＧａＡｓコンタクト層
（Ｚｎドープ）１１が順に積層された構造をしている。
ーザの断面構造の模式図である。図１に示すように本発
明の実施の形態に係る半導体レーザは、［１１０］方向
に１２°オフの（１００）面を有する不純物密度１×１
０18ｃｍ-3で、ｎ+−ＧａＡｓ基板（Ｓｉドープ）２の
上に、不純物密度５×１０17ｃｍ-3で、厚さ１μｍのｎ
−ＧａＡｓバッファー層（Ｓｉドープ）３；不純物密度
３×１０17ｃｍ-3で、厚さ１μｍのｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ
0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層４（Ｓｉドープ）；活性
層５；不純物密度３×１０17ｃｍ-3で、厚さ０．２μｍ
のｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0. 5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層（Ｚ
ｎドープ）６；不純物密度３×１０17ｃｍ-3で、厚さ
０．０５μｍのｐ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ0.5Ｐエ
ッチングストップ層（Ｚｎドープ）７；不純物密度３×
１０17ｃｍ-3で、厚さ０．７μｍのｐ−（Ａｌ0.2Ｇａ
0.8）0. 5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層（Ｚｎドープ）８；不純
物密度３×１０17ｃｍ-3で、厚さ０．２μｍのｐ−Ｇａ
Ａｓキャップ層（Ｚｎドープ）９；不純物密度１×１０
19ｃｍ-3で、厚さ３μｍのｐ+−ＧａＡｓコンタクト層
（Ｚｎドープ）１１が順に積層された構造をしている。
【００１６】活性層５及びこの近傍の詳細な構造を図２
に示す。図２において横軸は、Ｉｎ0.5（Ｇａ1-xＡ
ｌx）0.5ＰのＡｌの組成ｘで、縦軸は厚み方向の座標軸
を表す。図２に示すように、活性層５の中心には、厚さ
４ｎｍの第１の半導体（Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ）からなる量
子井戸層と厚さ４ｎｍの第１の半導体よりも禁制帯幅の
広い第２の半導体（（Ａｌ0.6Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ）
からなるバリア層とが交互に積層された多重量子井戸
（ＭＱＷ）層５２が配置されている。Ｇａ0.5Ｉｎ0 .5Ｐ
量子井戸層の数は５である。この多重量子井戸層５２の
上側には厚さ３０ｎｍのｐ側光ガイド層５３が配置され
ている。このｐ側光ガイド層５３は、厚さｄの故意には
不純物を添加していない第２の半導体からなる第１の光
ガイド層（真性光ガイド層）５３ｉとその上のｐ型不純
物（Ｚｎ）を添加した第２の半導体からなる第２の光ガ
イド層（ｐ型光ガイド層）５３ｐとから構成されてい
る。さらに、この多重量子井戸層５２の下側には、厚さ
３０ｎｍの故意には不純物を添加していない第２の半導
体からなる第３の光ガイド層（ｎ側光ガイド層）５１が
配置されている。真性光ガイド層５３ｉは、故意には不
純物を添加していない半導体層であれば良く、必ずしも
厳密な意味での真性半導体領域を意味しない。従って、
真性光ガイド層５３ｉ及びｎ側光ガイド層５１の不純物
密度は、現実の問題として５×１０16ｃｍ-3程度の残留
不純物を許容することに留意すべきである。第１の光ガ
イド層（真性光ガイド層）５３ｉの厚さｄは、第２の半
導体の１分子層乃至４０分子層の厚さ、例えば、１０ｎ
ｍ程度に選ばれる。ｐ型光ガイド層５３ｐは、Ｚｎドー
プの不純物密度５×１０17ｃｍ-3の領域である。
に示す。図２において横軸は、Ｉｎ0.5（Ｇａ1-xＡ
ｌx）0.5ＰのＡｌの組成ｘで、縦軸は厚み方向の座標軸
を表す。図２に示すように、活性層５の中心には、厚さ
４ｎｍの第１の半導体（Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ）からなる量
子井戸層と厚さ４ｎｍの第１の半導体よりも禁制帯幅の
広い第２の半導体（（Ａｌ0.6Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ）
からなるバリア層とが交互に積層された多重量子井戸
（ＭＱＷ）層５２が配置されている。Ｇａ0.5Ｉｎ0 .5Ｐ
量子井戸層の数は５である。この多重量子井戸層５２の
上側には厚さ３０ｎｍのｐ側光ガイド層５３が配置され
ている。このｐ側光ガイド層５３は、厚さｄの故意には
不純物を添加していない第２の半導体からなる第１の光
ガイド層（真性光ガイド層）５３ｉとその上のｐ型不純
物（Ｚｎ）を添加した第２の半導体からなる第２の光ガ
イド層（ｐ型光ガイド層）５３ｐとから構成されてい
る。さらに、この多重量子井戸層５２の下側には、厚さ
３０ｎｍの故意には不純物を添加していない第２の半導
体からなる第３の光ガイド層（ｎ側光ガイド層）５１が
配置されている。真性光ガイド層５３ｉは、故意には不
純物を添加していない半導体層であれば良く、必ずしも
厳密な意味での真性半導体領域を意味しない。従って、
真性光ガイド層５３ｉ及びｎ側光ガイド層５１の不純物
密度は、現実の問題として５×１０16ｃｍ-3程度の残留
不純物を許容することに留意すべきである。第１の光ガ
イド層（真性光ガイド層）５３ｉの厚さｄは、第２の半
導体の１分子層乃至４０分子層の厚さ、例えば、１０ｎ
ｍ程度に選ばれる。ｐ型光ガイド層５３ｐは、Ｚｎドー
プの不純物密度５×１０17ｃｍ-3の領域である。
【００１７】図１に戻るが、ｐ−ＧａＡｓキャップ層９
とｐ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ0 .5Ｐクラッド層８は
断面が台形のリッジストライプ状に形成され、両側を不
純物密度５×１０17ｃｍ-3で、厚さ０．５μｍのｎ−Ｇ
ａＡｓ電流狭窄層（Ｓｉドープ）１０が挟んでいる。リ
ッジストライプ部分の台形状断面における上底、下底の
仕上がり寸法はそれぞれ約３μｍ、約６μｍである。
とｐ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ0 .5Ｐクラッド層８は
断面が台形のリッジストライプ状に形成され、両側を不
純物密度５×１０17ｃｍ-3で、厚さ０．５μｍのｎ−Ｇ
ａＡｓ電流狭窄層（Ｓｉドープ）１０が挟んでいる。リ
ッジストライプ部分の台形状断面における上底、下底の
仕上がり寸法はそれぞれ約３μｍ、約６μｍである。
【００１８】ｎ+−ＧａＡｓ基板２の裏面には金ゲルマ
ニウム（ＡｕＧｅ）／金（Ａｕ）等のｎ側電極層１が、
ｐ+−ＧａＡｓコンタクト層１１の表面には、金亜鉛
（ＡｕＺｎ）／Ａｕ等のｐ側電極層１２が形成されてい
る。ｎ側電極層１としては、（ＡｕＧｅ）／ニッケル
（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）／Ａｕや、アルミニウム（Ａ
ｌ）、インジウム（Ｉｎ）の単層、あるいはＴｉやＡｕ
を含めた積層構造や合金も可能である。ｐ側電極層１２
としては、白金（Ｐｔ）／タンタル（Ｔａ）／Ａｕ、Ｎ
ｉ／Ａｕの積層構造や、パラジウム（Ｐｄ）、Ｔｉ、Ｐ
ｔ，インジウム（Ｉｎ）の単層、あるいはＮｉやＡｕを
含めた積層構造、合金でも可能である。
ニウム（ＡｕＧｅ）／金（Ａｕ）等のｎ側電極層１が、
ｐ+−ＧａＡｓコンタクト層１１の表面には、金亜鉛
（ＡｕＺｎ）／Ａｕ等のｐ側電極層１２が形成されてい
る。ｎ側電極層１としては、（ＡｕＧｅ）／ニッケル
（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）／Ａｕや、アルミニウム（Ａ
ｌ）、インジウム（Ｉｎ）の単層、あるいはＴｉやＡｕ
を含めた積層構造や合金も可能である。ｐ側電極層１２
としては、白金（Ｐｔ）／タンタル（Ｔａ）／Ａｕ、Ｎ
ｉ／Ａｕの積層構造や、パラジウム（Ｐｄ）、Ｔｉ、Ｐ
ｔ，インジウム（Ｉｎ）の単層、あるいはＮｉやＡｕを
含めた積層構造、合金でも可能である。
【００１９】図１及び図２に示すように、活性層内のｐ
型クラッド層６に近い方の光ガイド層において、真性光
ガイド層５３ｉを設けたことにより、多重量子井戸層５
２へのドーパントの拡散及び、非発光中心の導入が防止
され、同時に、多重量子井戸層５２とｐ型光ガイド層５
３ｐとの間における伝導帯のヘテロ障壁の高さΔＥCを
０．１ｍｅＶ程度増大させることが出来る。この結果、
多重量子井戸層５２から、ｐ型光ガイド層５３ｐへの電
子の漏れだしが減少するので、ｐ型光ガイド層５３ｐか
らｐ型クラッド層６への電子の漏れ出しも抑制できる。
さらに、ｐ型光ガイド層５３ｐとｐ型クラッド層６との
間における価電子帯のヘテロ障壁の高さΔＥVが大きく
なり、ｐ型クラッド層６への正孔（ホール）の漏れ出し
も抑制できる。このような理由から、発振しきい値電流
Ｊthが、従来の５９ｍＡから５１ｍＡと約２０％改善さ
れることが認められた。さらに、本発明の実施の形態に
係る半導体レーザによれば、（１）式で示されるＴ0の
値が、従来の１３０°Ｋから１５０°Ｋに改善されるこ
とが認められ、発振しきい値電流Ｊthの温度依存性が小
さくなることが分かった。
型クラッド層６に近い方の光ガイド層において、真性光
ガイド層５３ｉを設けたことにより、多重量子井戸層５
２へのドーパントの拡散及び、非発光中心の導入が防止
され、同時に、多重量子井戸層５２とｐ型光ガイド層５
３ｐとの間における伝導帯のヘテロ障壁の高さΔＥCを
０．１ｍｅＶ程度増大させることが出来る。この結果、
多重量子井戸層５２から、ｐ型光ガイド層５３ｐへの電
子の漏れだしが減少するので、ｐ型光ガイド層５３ｐか
らｐ型クラッド層６への電子の漏れ出しも抑制できる。
さらに、ｐ型光ガイド層５３ｐとｐ型クラッド層６との
間における価電子帯のヘテロ障壁の高さΔＥVが大きく
なり、ｐ型クラッド層６への正孔（ホール）の漏れ出し
も抑制できる。このような理由から、発振しきい値電流
Ｊthが、従来の５９ｍＡから５１ｍＡと約２０％改善さ
れることが認められた。さらに、本発明の実施の形態に
係る半導体レーザによれば、（１）式で示されるＴ0の
値が、従来の１３０°Ｋから１５０°Ｋに改善されるこ
とが認められ、発振しきい値電流Ｊthの温度依存性が小
さくなることが分かった。
【００２０】本発明の実施の形態に係る半導体レーザは
図３乃至図８に示す工程によって製造できる。
図３乃至図８に示す工程によって製造できる。
【００２１】（イ）まず、図３に示すように、ｎ+−Ｇ
ａＡｓ基板（ウェハ）２上に、ｎ−ＧａＡｓバッファー
層３、ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層
４、活性層５、ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐク
ラッド層６、ｐ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ0.5Ｐエッ
チングストップ層７、ｐ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ
0.5Ｐクラッド層８、ｐ−ＧａＡｓキャップ層９を順次
堆積するように第１回目の結晶成長を行う。この第１回
目の結晶成長は、減圧ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＣＢＥ
法(Chemical Beam Epitaxy法）、あるいはＭＬＥ法(Mol
ecular Layer Epitaxy法）等を用いることが可能であ
る。例えば、減圧ＭＯＣＶＤ法で成長するには、真空チ
ャンバ内に、ｎ+−ＧａＡｓ基板２を載置し、真空チャ
ンバ内を１×１０-3Ｐａ乃至１×１０-6Ｐａまで排気す
る。その後、成長圧力（反応圧力）が、約１ｋＰａ乃至
５０ｋＰａになるように調整しながら、基板温度を７２
０℃に設定して、水素（Ｈ2）等のキャリアガス、アル
シン（ＡｓＨ3）及びトリメチルガリウム（ＴＭＧ：Gａ
(CH3)3）を導入し、ｎ−ＧａＡｓバッファー層３を成長
する。さらに、この基板温度７２０℃を維持して、Ａｓ
Ｈ3の供給を停止し、フォスフィン（ＰＨ3）、ＴＭＧ、
トリメチルインジウム（ＴＭＩ：In(CH3)3）、トリメチ
ルアルミニウム（ＴＭＡ：Al(CH3)3）を導入すれば、ｎ
−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層４、活性
層５、ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層
６、ｐ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチングス
トップ層７、ｐ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラ
ッド層８が成長できる。そして、再び、この基板温度７
２０℃において、ＡｓＨ3とＴＭＧの供給に切り替えれ
ば、ｐ−ＧａＡｓキャップ層９が成長できる。上記の各
層の成長において、適宜、ｎ型のドーパントガスとし
て、ＳｉＨ4（モノシラン）又はＳｉ2Ｈ6（ジシラン）
等、ｐ型のドーパントガスとしてＤＥＺｎ（ジエチル亜
鉛）等を導入すればよい。
ａＡｓ基板（ウェハ）２上に、ｎ−ＧａＡｓバッファー
層３、ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層
４、活性層５、ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐク
ラッド層６、ｐ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ0.5Ｐエッ
チングストップ層７、ｐ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ
0.5Ｐクラッド層８、ｐ−ＧａＡｓキャップ層９を順次
堆積するように第１回目の結晶成長を行う。この第１回
目の結晶成長は、減圧ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＣＢＥ
法(Chemical Beam Epitaxy法）、あるいはＭＬＥ法(Mol
ecular Layer Epitaxy法）等を用いることが可能であ
る。例えば、減圧ＭＯＣＶＤ法で成長するには、真空チ
ャンバ内に、ｎ+−ＧａＡｓ基板２を載置し、真空チャ
ンバ内を１×１０-3Ｐａ乃至１×１０-6Ｐａまで排気す
る。その後、成長圧力（反応圧力）が、約１ｋＰａ乃至
５０ｋＰａになるように調整しながら、基板温度を７２
０℃に設定して、水素（Ｈ2）等のキャリアガス、アル
シン（ＡｓＨ3）及びトリメチルガリウム（ＴＭＧ：Gａ
(CH3)3）を導入し、ｎ−ＧａＡｓバッファー層３を成長
する。さらに、この基板温度７２０℃を維持して、Ａｓ
Ｈ3の供給を停止し、フォスフィン（ＰＨ3）、ＴＭＧ、
トリメチルインジウム（ＴＭＩ：In(CH3)3）、トリメチ
ルアルミニウム（ＴＭＡ：Al(CH3)3）を導入すれば、ｎ
−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層４、活性
層５、ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層
６、ｐ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチングス
トップ層７、ｐ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラ
ッド層８が成長できる。そして、再び、この基板温度７
２０℃において、ＡｓＨ3とＴＭＧの供給に切り替えれ
ば、ｐ−ＧａＡｓキャップ層９が成長できる。上記の各
層の成長において、適宜、ｎ型のドーパントガスとし
て、ＳｉＨ4（モノシラン）又はＳｉ2Ｈ6（ジシラン）
等、ｐ型のドーパントガスとしてＤＥＺｎ（ジエチル亜
鉛）等を導入すればよい。
【００２２】ここで重要なのは、活性層５の形成方法で
ある。活性層５は、まず、ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5
Ｉｎ0.5Ｐクラッド層４の上に、厚さ３０ｎｍの故意に
は不純物を添加していない（Ａｌ0.6Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ
0.5Ｐからなる第３の光ガイド層（ｎ側光ガイド層）５
１を形成し、その上に、厚さ４ｎｍのＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ
（第１の半導体）からなる量子井戸層と厚さ４ｎｍのＧ
ａ0.5Ｉｎ0.5Ｐよりも禁制帯幅の広い（Ａｌ0.6Ｇ
ａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（第２の半導体）からなるバリア
層とが交互に積層された多重量子井戸（ＭＱＷ）層５２
を形成し、更にその上部に故意には不純物を添加してい
ない（Ａｌ0.6Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる第１の光
ガイド層５３ｉを５４分子層乃至９０分子層（即ち、約
１５．３ｎｍ乃至２５．５ｎｍ）堆積し、更に、第１の
光ガイド層５３ｉの上部にｐ型不純物を添加した（Ａｌ
0.6Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる第２の光ガイド層５
３ｐを堆積する工程とからなる。なお、活性層５の上の
ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層６、ｐ
−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチングストップ
層７、ｐ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層
８の成長時の熱工程により、第２の光ガイド層５３ｐ中
のｐ型不純物（Ｚｎ）が第１の光ガイド層５３ｉに若干
拡散するので、第１の光ガイド層５３ｉの厚さは当初設
定した厚さより薄くなる。
ある。活性層５は、まず、ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5
Ｉｎ0.5Ｐクラッド層４の上に、厚さ３０ｎｍの故意に
は不純物を添加していない（Ａｌ0.6Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ
0.5Ｐからなる第３の光ガイド層（ｎ側光ガイド層）５
１を形成し、その上に、厚さ４ｎｍのＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ
（第１の半導体）からなる量子井戸層と厚さ４ｎｍのＧ
ａ0.5Ｉｎ0.5Ｐよりも禁制帯幅の広い（Ａｌ0.6Ｇ
ａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（第２の半導体）からなるバリア
層とが交互に積層された多重量子井戸（ＭＱＷ）層５２
を形成し、更にその上部に故意には不純物を添加してい
ない（Ａｌ0.6Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる第１の光
ガイド層５３ｉを５４分子層乃至９０分子層（即ち、約
１５．３ｎｍ乃至２５．５ｎｍ）堆積し、更に、第１の
光ガイド層５３ｉの上部にｐ型不純物を添加した（Ａｌ
0.6Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる第２の光ガイド層５
３ｐを堆積する工程とからなる。なお、活性層５の上の
ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層６、ｐ
−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチングストップ
層７、ｐ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層
８の成長時の熱工程により、第２の光ガイド層５３ｐ中
のｐ型不純物（Ｚｎ）が第１の光ガイド層５３ｉに若干
拡散するので、第１の光ガイド層５３ｉの厚さは当初設
定した厚さより薄くなる。
【００２３】ＡｓＨ3のかわりにＴＢＡ（ターシャリー
・ブチル・アルシン（（Ｃ4Ｈ9）ＡｓＨ2））、ＰＨ3の
かわりにＴＢＰ（ターシャリー・ブチル・フォスフィン
（（Ｃ4Ｈ9）ＰＨ2））を用いてもよい。またＭＯＣＶ
Ｄに用いるソースガスを交互導入し、半導体基板上の交
換表面反応を用いればＭＬＥ法となる。たとえば基板温
度４５０℃で、圧力６×１０-4ＰａにおいてＴＭＡ、Ｔ
ＭＧ、ＴＭＩｎを同時に４秒導入、３秒真空排気、ＰＨ
3を２０秒導入、その後３秒真空排気のガス導入１サイ
クルでＩｎ1-y（Ｇａ1-xＡｌx）yＰの１分子層が成長で
きるので、ＭＬＥ法によれば多重量子井戸（ＭＱＷ）層
５２を構成する積層ウェハは分子層単位の精度を有した
構造となる。
・ブチル・アルシン（（Ｃ4Ｈ9）ＡｓＨ2））、ＰＨ3の
かわりにＴＢＰ（ターシャリー・ブチル・フォスフィン
（（Ｃ4Ｈ9）ＰＨ2））を用いてもよい。またＭＯＣＶ
Ｄに用いるソースガスを交互導入し、半導体基板上の交
換表面反応を用いればＭＬＥ法となる。たとえば基板温
度４５０℃で、圧力６×１０-4ＰａにおいてＴＭＡ、Ｔ
ＭＧ、ＴＭＩｎを同時に４秒導入、３秒真空排気、ＰＨ
3を２０秒導入、その後３秒真空排気のガス導入１サイ
クルでＩｎ1-y（Ｇａ1-xＡｌx）yＰの１分子層が成長で
きるので、ＭＬＥ法によれば多重量子井戸（ＭＱＷ）層
５２を構成する積層ウェハは分子層単位の精度を有した
構造となる。
【００２４】（ロ）次に、ＳｉＨ4若しくはＳｉ2Ｈ6と
亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）等を用いたＣＶＤ法により、シリ
コン酸化膜（ＳｉＯ2膜）１３をｐ−ＧａＡｓキャップ
層９の上全面に３００ｎｍ乃至１μｍ堆積する。そし
て、ＳｉＯ2膜１３の上に、スピンナーを用いて、フォ
トレジスト１４を塗布し、フォトリソグラフィー法によ
り、フォトレジスト１４を図４に示すようにパターニン
グする。フォトレジスト１４は、幅ｗ1＝３μｍのスト
ライプ状にパターニングする。
亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）等を用いたＣＶＤ法により、シリ
コン酸化膜（ＳｉＯ2膜）１３をｐ−ＧａＡｓキャップ
層９の上全面に３００ｎｍ乃至１μｍ堆積する。そし
て、ＳｉＯ2膜１３の上に、スピンナーを用いて、フォ
トレジスト１４を塗布し、フォトリソグラフィー法によ
り、フォトレジスト１４を図４に示すようにパターニン
グする。フォトレジスト１４は、幅ｗ1＝３μｍのスト
ライプ状にパターニングする。
【００２５】（ハ）続いて、フォトレジスト１４をマス
クとしてテトラフルオロメタン（ＣＦ4）を用いた反応
性イオンエッチング（ＲＩＥ）等のドライエッチングを
施すことにより、ＳｉＯ2膜１３を選択的にエッチング
除去し、図５に示すように酸化膜マスク１５を形成す
る。そして、酸化膜マスク１５のエッチングに用いたフ
ォトレジスト１４を除去する。これにより、ストライプ
状の酸化膜マスク１５を残し、それ以外の部分はｐ−Ｇ
ａＡｓキャップ層９が露出する。
クとしてテトラフルオロメタン（ＣＦ4）を用いた反応
性イオンエッチング（ＲＩＥ）等のドライエッチングを
施すことにより、ＳｉＯ2膜１３を選択的にエッチング
除去し、図５に示すように酸化膜マスク１５を形成す
る。そして、酸化膜マスク１５のエッチングに用いたフ
ォトレジスト１４を除去する。これにより、ストライプ
状の酸化膜マスク１５を残し、それ以外の部分はｐ−Ｇ
ａＡｓキャップ層９が露出する。
【００２６】（ニ）この酸化膜マスク１５を用いて、硫
酸系エッチング液によりｐ−ＧａＡｓキャップ層９、ｐ
−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層８をエッ
チングし、ｐ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチ
ングストップ層７を露出させる。この結果、図６に示す
ように、上底、下底の仕上がり寸法がそれぞれ約３μ
ｍ、約６μｍの台形状断面を有したリッジストライプ部
分ができあがる。
酸系エッチング液によりｐ−ＧａＡｓキャップ層９、ｐ
−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層８をエッ
チングし、ｐ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチ
ングストップ層７を露出させる。この結果、図６に示す
ように、上底、下底の仕上がり寸法がそれぞれ約３μ
ｍ、約６μｍの台形状断面を有したリッジストライプ部
分ができあがる。
【００２７】（ホ）次に、表面洗浄した後、基板温度を
７２０℃に設定して、図７のように第２回目の結晶成長
により、ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層１０を酸化膜マスク１
５以外の部分に選択成長し、第２回目の成長を完了す
る。第２回目の結晶成長は第１回目の結晶成長と同様の
減圧ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＣＢＥ法、あるいはＭＬ
Ｅ法等を用いればよい。この第２回目の結晶成長終了時
において、第２の光ガイド層５３ｐ中のｐ型不純物（Ｚ
ｎ）が第１の光ガイド層５３ｉに若干拡散するので、第
１の光ガイド層５３ｉの厚さは当初の厚さより薄くな
る。
７２０℃に設定して、図７のように第２回目の結晶成長
により、ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層１０を酸化膜マスク１
５以外の部分に選択成長し、第２回目の成長を完了す
る。第２回目の結晶成長は第１回目の結晶成長と同様の
減圧ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＣＢＥ法、あるいはＭＬ
Ｅ法等を用いればよい。この第２回目の結晶成長終了時
において、第２の光ガイド層５３ｐ中のｐ型不純物（Ｚ
ｎ）が第１の光ガイド層５３ｉに若干拡散するので、第
１の光ガイド層５３ｉの厚さは当初の厚さより薄くな
る。
【００２８】（へ）次に、フッ酸（ＨＦ）／フッ化アン
モニウム（ＮＨ4Ｆ）水溶液等の化学エッチング液によ
り酸化膜マスク１５を除去し、ｐ−ＧａＡｓキャップ層
９を露出させる。これを表面洗浄した後、基板温度を６
９０℃に設定して、図８に示すように第３回目の結晶成
長により、ｐ+−ＧａＡｓコンタクト層１１を成長す
る。第３回目の結晶成長も第１回目の結晶成長と同様の
減圧ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＣＢＥ法、あるいはＭＬ
Ｅ法等を用いればよい。この第３回目の結晶成長終了時
において、第２回目の結晶成長における熱処理等も含め
て、第２の光ガイド層５３ｐ中のｐ型不純物（Ｚｎ）が
第１の光ガイド層５３ｉに全体として約５３分子層（約
１５ｎｍ）程度拡散するが、この拡散深さを見込んで最
初に第１の光ガイド層５３ｉを厚めに堆積しているの
で、最終的には、第１の光ガイド層５３ｉの厚さが１分
子層乃至２７分子層残る。したがって、多重量子井戸層
５２へのｐ型不純物（Ｚｎ）の過度の拡散及び、非発光
中心の導入を防止できる。
モニウム（ＮＨ4Ｆ）水溶液等の化学エッチング液によ
り酸化膜マスク１５を除去し、ｐ−ＧａＡｓキャップ層
９を露出させる。これを表面洗浄した後、基板温度を６
９０℃に設定して、図８に示すように第３回目の結晶成
長により、ｐ+−ＧａＡｓコンタクト層１１を成長す
る。第３回目の結晶成長も第１回目の結晶成長と同様の
減圧ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＣＢＥ法、あるいはＭＬ
Ｅ法等を用いればよい。この第３回目の結晶成長終了時
において、第２回目の結晶成長における熱処理等も含め
て、第２の光ガイド層５３ｐ中のｐ型不純物（Ｚｎ）が
第１の光ガイド層５３ｉに全体として約５３分子層（約
１５ｎｍ）程度拡散するが、この拡散深さを見込んで最
初に第１の光ガイド層５３ｉを厚めに堆積しているの
で、最終的には、第１の光ガイド層５３ｉの厚さが１分
子層乃至２７分子層残る。したがって、多重量子井戸層
５２へのｐ型不純物（Ｚｎ）の過度の拡散及び、非発光
中心の導入を防止できる。
【００２９】（ト）その後、ｐ+−ＧａＡｓコンタクト
層１１上にＡｕＺｎ膜を２０ｎｍ乃至５０ｎｍ程度、更
にその上にＡｕ膜を４００ｎｍ乃至１μｍ程度、周知の
真空蒸着法やスパッタ法などを用いて堆積し、ｐ側電極
層１２を形成する。そして、ウェハー全体の厚みが１０
０μｍ程度になるようにｎ+−ＧａＡｓ基板２を研磨し
た後、ｎ+−ＧａＡｓ基板２の裏面には、２０ｎｍ乃至
５０ｎｍ程度のＡｕＧｅ膜、更にその上に４００ｎｍ乃
至１μｍ程度のＡｕ膜を、周知の真空蒸着法やスパッタ
法などを用いて堆積し、ｎ側電極層１を形成する。その
後、ストライプの長さが５００μｍ程度になるように短
冊状に、劈開する。最後に、所定のレーザチップの大き
さになるように、劈開で分離すれば、図１に示す本発明
の実施の形態に係る半導体レーザが完成する。
層１１上にＡｕＺｎ膜を２０ｎｍ乃至５０ｎｍ程度、更
にその上にＡｕ膜を４００ｎｍ乃至１μｍ程度、周知の
真空蒸着法やスパッタ法などを用いて堆積し、ｐ側電極
層１２を形成する。そして、ウェハー全体の厚みが１０
０μｍ程度になるようにｎ+−ＧａＡｓ基板２を研磨し
た後、ｎ+−ＧａＡｓ基板２の裏面には、２０ｎｍ乃至
５０ｎｍ程度のＡｕＧｅ膜、更にその上に４００ｎｍ乃
至１μｍ程度のＡｕ膜を、周知の真空蒸着法やスパッタ
法などを用いて堆積し、ｎ側電極層１を形成する。その
後、ストライプの長さが５００μｍ程度になるように短
冊状に、劈開する。最後に、所定のレーザチップの大き
さになるように、劈開で分離すれば、図１に示す本発明
の実施の形態に係る半導体レーザが完成する。
【００３０】（その他の実施の形態）上記のように、本
発明は上記の実施の形態によって記載したが、この開示
の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するもので
あると理解すべきではない。この開示から当業者には様
々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとな
ろう。
発明は上記の実施の形態によって記載したが、この開示
の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するもので
あると理解すべきではない。この開示から当業者には様
々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとな
ろう。
【００３１】上記の実施の形態においては、６３０ｎｍ
〜６５０ｎｍ帯のＩｎＧａＡｌＰ系の半導体レーザに付
いて述べたが、化合物半導体材料は所望の波長に応じて
適宜選べばよい。例えば、７８０ｎｍ帯のＡｌＧａＡｓ
系の半導体レーザや、１μｍ帯のＩｎＧａＡｓＰ系の半
導体レーザでもかまわない。
〜６５０ｎｍ帯のＩｎＧａＡｌＰ系の半導体レーザに付
いて述べたが、化合物半導体材料は所望の波長に応じて
適宜選べばよい。例えば、７８０ｎｍ帯のＡｌＧａＡｓ
系の半導体レーザや、１μｍ帯のＩｎＧａＡｓＰ系の半
導体レーザでもかまわない。
【００３２】また、上記の実施の形態においてはリッジ
ストライプ構造の半導体レーザに付いて説明したが、図
９に示すように、垂直キャビティ表面出力型半導体レー
ザ（ＶＣＳＥＬ）でもかまわない。
ストライプ構造の半導体レーザに付いて説明したが、図
９に示すように、垂直キャビティ表面出力型半導体レー
ザ（ＶＣＳＥＬ）でもかまわない。
【００３３】図９に示すように本発明の他の実施の形態
に係る表面出力型半導体レーザは、ｎ+−ＧａＡｓ基板
２の上に、ｎ−ＧａＡｓバッファー層３、ｎ側ブラッグ
ミラー２１、活性層５、ｐ側ブラッグミラー２２、ｐ+
−ＧａＡｓコンタクト層１１が順に積層された構造をし
ている。ｎ側ブラッグミラー２１とｐ側ブラッグミラー
２２との間で、垂直キャビティが構成されている。
に係る表面出力型半導体レーザは、ｎ+−ＧａＡｓ基板
２の上に、ｎ−ＧａＡｓバッファー層３、ｎ側ブラッグ
ミラー２１、活性層５、ｐ側ブラッグミラー２２、ｐ+
−ＧａＡｓコンタクト層１１が順に積層された構造をし
ている。ｎ側ブラッグミラー２１とｐ側ブラッグミラー
２２との間で、垂直キャビティが構成されている。
【００３４】活性層５の中心には、第１の半導体（Ｉｎ
ＧａＡｓ）からなる量子井戸層と第１の半導体よりも禁
制帯幅の広い第２の半導体（ＩｎＧａＡｓＰ）からなる
バリア層とが交互に積層された多重量子井戸（ＭＱＷ）
層５２が配置されている。この多重量子井戸層５２の上
側には厚さ３０ｎｍのｐ側光ガイド層５３が配置されて
いる。このｐ側光ガイド層５３は、厚さｄの故意には不
純物を添加していない第２の半導体（ＩｎＧａＡｓＰ）
からなる第１の光ガイド層（真性光ガイド層）５３ｉと
その上のｐ型不純物（Ｚｎ）を添加した第２の半導体
（ＩｎＧａＡｓＰ）からなる第２の光ガイド層（ｐ型光
ガイド層）５３ｐとから構成されている。さらに、この
多重量子井戸層５２の下側には、厚さ３０ｎｍの故意に
は不純物を添加していない第２の半導体（ＩｎＧａＡｓ
Ｐ）からなる第３の光ガイド層（ｎ側光ガイド層）５１
が配置されている。厚さｄは、第２の半導体（ＩｎＧａ
ＡｓＰ）の１分子層乃至４０分子層の厚さ、例えば、１
０ｎｍ程度に選ばれる。ｐ型光ガイド層５３ｐは、Ｚｎ
ドープの不純物密度５×１０17ｃｍ-3程度の領域であ
る。
ＧａＡｓ）からなる量子井戸層と第１の半導体よりも禁
制帯幅の広い第２の半導体（ＩｎＧａＡｓＰ）からなる
バリア層とが交互に積層された多重量子井戸（ＭＱＷ）
層５２が配置されている。この多重量子井戸層５２の上
側には厚さ３０ｎｍのｐ側光ガイド層５３が配置されて
いる。このｐ側光ガイド層５３は、厚さｄの故意には不
純物を添加していない第２の半導体（ＩｎＧａＡｓＰ）
からなる第１の光ガイド層（真性光ガイド層）５３ｉと
その上のｐ型不純物（Ｚｎ）を添加した第２の半導体
（ＩｎＧａＡｓＰ）からなる第２の光ガイド層（ｐ型光
ガイド層）５３ｐとから構成されている。さらに、この
多重量子井戸層５２の下側には、厚さ３０ｎｍの故意に
は不純物を添加していない第２の半導体（ＩｎＧａＡｓ
Ｐ）からなる第３の光ガイド層（ｎ側光ガイド層）５１
が配置されている。厚さｄは、第２の半導体（ＩｎＧａ
ＡｓＰ）の１分子層乃至４０分子層の厚さ、例えば、１
０ｎｍ程度に選ばれる。ｐ型光ガイド層５３ｐは、Ｚｎ
ドープの不純物密度５×１０17ｃｍ-3程度の領域であ
る。
【００３５】ｎ側ブラッグミラー２１及びｐ側ブラッグ
ミラー２２は発振波長の１／４厚保のＧａＡｓとＡｌＡ
ｓとの積層構造で形成されている。たとえば、発振波長
１μｍに於けるＧａＡｓの屈折率は３．５で、ＡｌＡｓ
の屈折率は２．９であるので、ＧａＡｓの厚さを７０ｎ
ｍ、ＡｌＡｓの厚さを８４ｎｍ程度にして交互に積層し
てブラッグミラーを構成すればよい。
ミラー２２は発振波長の１／４厚保のＧａＡｓとＡｌＡ
ｓとの積層構造で形成されている。たとえば、発振波長
１μｍに於けるＧａＡｓの屈折率は３．５で、ＡｌＡｓ
の屈折率は２．９であるので、ＧａＡｓの厚さを７０ｎ
ｍ、ＡｌＡｓの厚さを８４ｎｍ程度にして交互に積層し
てブラッグミラーを構成すればよい。
【００３６】ｎ+−ＧａＡｓ基板２の裏面にはＡｕＧｅ
／Ａｕ等のｎ側電極層１が、ｐ+−ＧａＡｓコンタクト
層１１の表面には、ＡｕＺｎ／Ａｕ等のｐ側穴あき電極
層２３が形成されている。このｐ側穴あき電極層２３の
開口部からレーザ光が取り出される。ｐ側穴あき電極層
２３の陰になる部分については、プロトン照射による高
抵抗領域３１が形成されている。このプロトン照射電流
狭窄層３１により、注入された電流が有効に発光に寄与
できるように構成されている。
／Ａｕ等のｎ側電極層１が、ｐ+−ＧａＡｓコンタクト
層１１の表面には、ＡｕＺｎ／Ａｕ等のｐ側穴あき電極
層２３が形成されている。このｐ側穴あき電極層２３の
開口部からレーザ光が取り出される。ｐ側穴あき電極層
２３の陰になる部分については、プロトン照射による高
抵抗領域３１が形成されている。このプロトン照射電流
狭窄層３１により、注入された電流が有効に発光に寄与
できるように構成されている。
【００３７】上記の実施の形態においてはｐ型不純物と
して亜鉛（Ｚｎ）、ｎ型不純物としてシリコン（Ｓｉ）
について説明したが、用いる不純物はこれらに限られな
い。例えば、ｐ型不純物としては炭素（Ｃ）、ベリリウ
ム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）等が使用可能であ
り、ｎ型不純物としては、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔ
ｅ）等が使用可能である。
して亜鉛（Ｚｎ）、ｎ型不純物としてシリコン（Ｓｉ）
について説明したが、用いる不純物はこれらに限られな
い。例えば、ｐ型不純物としては炭素（Ｃ）、ベリリウ
ム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）等が使用可能であ
り、ｎ型不純物としては、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔ
ｅ）等が使用可能である。
【００３８】このように、本発明はここでは記載してい
ない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。した
がって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特
許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められ
るものである。
ない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。した
がって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特
許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められ
るものである。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、実質的に従来と全く同
じウェハー工程（化学プロセス）を用いて、低しきい値
且つ高発光効率の半導体レーザが提供できる。
じウェハー工程（化学プロセス）を用いて、低しきい値
且つ高発光効率の半導体レーザが提供できる。
【００４０】本発明によれば、温度特性が改善された高
発光効率の半導体レーザが提供できる。
発光効率の半導体レーザが提供できる。
【００４１】本発明によれば、ｐ型クラッド層に近い方
の光ガイド層において、井戸層から遠い光ガイド層のみ
を正確に選択的にｐ型ドーピングし、多重量子井戸層へ
はｐ型ドーピングが生じない半導体レーザの製造方法を
提供することが出来る。
の光ガイド層において、井戸層から遠い光ガイド層のみ
を正確に選択的にｐ型ドーピングし、多重量子井戸層へ
はｐ型ドーピングが生じない半導体レーザの製造方法を
提供することが出来る。
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体レーザの断面
構造の模式図である。
構造の模式図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体レーザの活性
層及びこの近傍の詳細な構造を示す模式図である。
層及びこの近傍の詳細な構造を示す模式図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体レーザの製造
方法を説明するための工程断面図である（その１）。
方法を説明するための工程断面図である（その１）。
【図４】本発明の実施の形態に係る半導体レーザの製造
方法を説明するための工程断面図である（その２）。
方法を説明するための工程断面図である（その２）。
【図５】本発明の実施の形態に係る半導体レーザの製造
方法を説明するための工程断面図である（その３）。
方法を説明するための工程断面図である（その３）。
【図６】本発明の実施の形態に係る半導体レーザの製造
方法を説明するための工程断面図である（その４）。
方法を説明するための工程断面図である（その４）。
【図７】本発明の実施の形態に係る半導体レーザの製造
方法を説明するための工程断面図である（その５）。
方法を説明するための工程断面図である（その５）。
【図８】本発明の実施の形態に係る半導体レーザの製造
方法を説明するための工程断面図である（その６）。
方法を説明するための工程断面図である（その６）。
【図９】本発明の他の実施の形態に係る半導体レーザの
断面構造の模式図である。
断面構造の模式図である。
１ ｎ側電極層 ２ ｎ+−ＧａＡｓ基板（ウェハ） ３ ｎ−ＧａＡｓバッファー層 ４ ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層 ５ 活性層 ６ ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層 ７ ｐ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチングス
トップ層 ８ ｐ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層 ９ ｐ−ＧａＡｓキャップ層 １０ ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層 １１ ｐ+−ＧａＡｓコンタクト層 １２ ｐ側電極層 ２１ ｎ側ブラッグミラー ２２ ｐ側ブラッグミラー ２３ ｐ側穴あき電極層 ３１ プロトン照射電流狭窄層 ５１ 第３の光ガイド層（ｎ側光ガイド層） ５２ 多重量子井戸（ＭＱＷ）層 ５３ ｐ側光ガイド層 ５３ｉ 第１の光ガイド層（真性光ガイド層） ５３ｐ 第２の光ガイド層（ｐ型光ガイド層）
トップ層 ８ ｐ−（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層 ９ ｐ−ＧａＡｓキャップ層 １０ ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層 １１ ｐ+−ＧａＡｓコンタクト層 １２ ｐ側電極層 ２１ ｎ側ブラッグミラー ２２ ｐ側ブラッグミラー ２３ ｐ側穴あき電極層 ３１ プロトン照射電流狭窄層 ５１ 第３の光ガイド層（ｎ側光ガイド層） ５２ 多重量子井戸（ＭＱＷ）層 ５３ ｐ側光ガイド層 ５３ｉ 第１の光ガイド層（真性光ガイド層） ５３ｐ 第２の光ガイド層（ｐ型光ガイド層）
Claims (3)
- 【請求項１】 活性層を有する半導体レーザにおいて、 前記活性層は、 第１の半導体からなる量子井戸層と該第１の半導体より
も禁制帯幅の広い第２の半導体からなるバリア層とが交
互に積層した多重量子井戸層と、 前記多重量子井戸層の一端に隣接し、且つ故意には不純
物を添加していない前記第２の半導体からなる第１の光
ガイド層と、 前記第１の光ガイド層に隣接し、且つｐ型不純物を添加
した前記第２の半導体からなる第２の光ガイド層と、 前記多重量子井戸層の他端に隣接し、且つ故意には不純
物を添加していない前記第２の半導体からなる第３の光
ガイド層とであることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記第１の光ガイド層の厚さが前記第２
の半導体の１分子層乃至４０分子層の厚さであることを
特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 第１の半導体からなる量子井戸層と、該
第１の半導体よりも禁制帯幅の広い第２の半導体からな
るバリア層とを交互に積層した多重量子井戸層を形成す
る工程と、 前記多重量子井戸層の上部に故意には不純物を添加して
いない前記第２の半導体からなる第１の光ガイド層を５
４分子層乃至９０分子層堆積する工程と、 前記第１の光ガイド層の上部にｐ型不純物を添加した前
記第２の半導体からなる第２の光ガイド層を堆積する工
程と、 前記第２の光ガイド層の上部にｐ型不純物を添加した他
の半導体層を堆積する工程とから形成されることを特徴
とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11074103A JP2000269607A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11074103A JP2000269607A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269607A true JP2000269607A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13537530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11074103A Pending JP2000269607A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000269607A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006269568A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
| JP2007165535A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Canon Inc | 発光素子アレイ及び画像形成装置 |
| JP2007335804A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子およびその製造方法 |
-
1999
- 1999-03-18 JP JP11074103A patent/JP2000269607A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006269568A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
| JP2007165535A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Canon Inc | 発光素子アレイ及び画像形成装置 |
| US8164104B2 (en) | 2005-12-13 | 2012-04-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting element array and image forming apparatus |
| JP2007335804A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子およびその製造方法 |
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