JP2007165535A - 発光素子アレイ及び画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】2個以上の発光素子が含まれる発光素子アレイにおいて、AlGaAs量子井戸活性層16上にアンドープAlGaAs抵抗層17、発光素子ごとに分離されたキャリア注入層となるp型AlGaAs層18が設けられ、少なくとも分離されたp型AlGaAs層18層間のアンドープAlGaAs抵抗層17の抵抗値がp型AlGaAs層18の抵抗値よりも大きい。p型AlGaAs層18の分離はエッチングにて行われており、このエッチングがp型AlGaAs層18間のアンドープAlGaAs抵抗層17で止まっている。アンドープAlGaAs抵抗層17とp型AlGaAs層18との間に、エッチングストップ層が設けられている。
【選択図】図1
Description
活性層上に抵抗層、前記発光素子ごとに分離されたキャリア注入層が設けられ、少なくとも前記キャリア注入層間の前記抵抗層の抵抗値が前記キャリア注入層の抵抗値よりも大きいことを特徴とする。
図1は本発明の第1の実施形態を示す発光素子アレイの断面図である。この実施形態では発光素子アレイは、n側電極11、n型Si基板12、金属ミラー13、n型GaAs層14、n型AlGaAs層15、AlGaAs量子井戸活性層16、アンドープAlGaAs抵抗層17を有する。また、アンドープAlGaAs抵抗層17上にキャリア注入層(ここではホール注入層)となるp型AlGaAs層18、p型GaAs層19、p側電極20および絶縁膜21を有する。素子分離のためにアンドープAlGaAs抵抗層17まで、p型GaAs層19およびp型AlGaAs層18が順次エッチングがされる。
(第2の実施形態)
図面を用いて本発明の他の実施形態を説明する。図7は本発明の第2の実施形態を示す発光素子アレイの断面図である。図7において、図1の構成部材と同一構成部材について同一符号を付して説明を省略する。
12 n型Si基板
13 金属ミラー
14 n型GaAs層
15 n型AlGaAs層
16 AlGaAs量子井戸活性層
17 アンドープAlGaAs抵抗層
18 p型AlGaAs層
19 p型GaAs層
20 p側電極
21 絶縁膜
22 AlAs選択エッチング分離層
23 GaAs基板
25 AlInGaPエッチングストップ層
Claims (16)
- 2個以上の発光素子が含まれる発光素子アレイにおいて、
活性層上に抵抗層、前記発光素子ごとに分離されたキャリア注入層が設けられ、少なくとも前記キャリア注入層間の前記抵抗層の抵抗値が前記キャリア注入層の抵抗値よりも大きいことを特徴とする発光素子アレイ。 - 請求項1に記載の発光素子アレイにおいて、
前記抵抗層がAlGaAsであることを特徴とする発光素子アレイ。 - 請求項1又は2に記載の発光素子アレイにおいて、
前記抵抗層はp型であり、p型不純物のドーピング濃度は3×1017cm−3以下であることを特徴とする発光素子アレイ。 - 請求項1又は2に記載の発光素子アレイにおいて、
前記抵抗層はn型であり、n型不純物のドーピング濃度は3×1016cm−3以下であることを特徴とする発光素子アレイ。 - 請求項1又は2に記載の発光素子アレイにおいて、
前記抵抗層がアンドープ層であることを特徴とする発光素子アレイ。 - 請求項1又は2に記載の発光素子アレイにおいて、前記キャリア注入層間の前記抵抗層の不純物ドーピング濃度は、前記キャリア注入層下の前記抵抗層の不純物ドーピング濃度よりも低いことを特徴とする発光素子アレイ。
- 請求項1から6のいずれか1項に記載の発光素子アレイにおいて、
前記キャリア注入層の分離はエッチングにて行われており、このエッチングが前記抵抗層で止まっていることを特徴とする発光素子アレイ。 - 請求項1から6のいずれか1項に記載の発光素子アレイにおいて、前記抵抗層上にエッチングストップ層が設けられていることを特徴とする発光素子アレイ。
- 請求項8に記載の発光素子アレイにおいて、前記エッチングストップ層は前記キャリア注入層間において除去されていることを特徴とする発光素子アレイ。
- 請求項8又は9に記載の発光素子アレイにおいて、前記エッチングストップ層がAlInGaPであることを特徴とする発光素子アレイ。
- 請求項8から10のいずれか1項に記載の発光素子アレイにおいて、
前記エッチングストップ層はp型であり、p型不純物のドーピング濃度は3×1017cm−3以下であることを特徴とする発光素子アレイ。 - 請求項8から10のいずれか1項に記載の発光素子アレイにおいて、
前記エッチングストップ層はn型であり、n型不純物のドーピング濃度は3×1016cm−3以下であることを特徴とする発光素子アレイ。 - 請求項8から10のいずれか1項に記載の発光素子アレイにおいて、
前記エッチングストップ層はアンドープ層であることを特徴とする発光素子アレイ。 - 請求項1から13のいずれか1項に記載の発光素子アレイにおいて、前記発光素子内において金属膜を含むことを特徴とする発光素子アレイ。
- 請求項1から14のいずれか1項に記載の発光素子アレイにおいて、前記活性層が量子井戸構造であることを特徴とする発光素子アレイ。
- 請求項1から15のいずれか1項に記載の発光素子アレイと、該発光素子アレイから発せられた光に基づいて画像を形成する画像形成手段と、を備えることを特徴とする画像形成装置。
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