KR20140028031A - 광전 반도체 모듈 및 다수의 상기 모듈들을 구비한 디스플레이 - Google Patents

광전 반도체 모듈 및 다수의 상기 모듈들을 구비한 디스플레이 Download PDF

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Abstract

본 발명은 작동 중에 발광하는 다수의 발광부들(1)을 포함하는 광전 반도체 모듈(10)에 관한 것이며, 적어도 하나의 발광부(1)의 적어도 2개의 접하는 측면 에지들(11a, 11b)은 서로 0°보다 크고 90°보다 작은 각(α)으로 배치된다. 본 발명은 또한 다수의 상기 모듈(10)을 구비한 디스플레이에 관한 것이다.

Description

광전 반도체 모듈 및 다수의 상기 모듈들을 구비한 디스플레이{OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR MODULE AND DISPLAY HAVING A PLURALITY OF SUCH MODULES}
본 발명은 작동 중에 발광하는 다수의 발광부를 구비한 광전 반도체 모듈에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 다수의 이러한 반도체 모듈을 구비한 디스플레이에 관한 것이다.
종종, 예컨대 헤드라이트에서 제한된 이면각 범위로 번들링되는 광을 방출하는 광원의 방출 방향을 작동 중에 변경할 필요가 있다. 이는 특히 자동차 헤드라이트에서 중요하다. 이 경우, 제어부와 기계적으로 연결된, 회전 가능한 헤드라이트 고정 수단이 공지되어 있다.
자동차 헤드라이트로서, 또한 어댑티브 프론트 라이팅 시스템, 소위 "Adaptive Front Lighting Systems", 약어 AFS가 공지되어 있다. 이러한 어댑티브 프론트 라이팅 시스템은 단일 조명 시스템에서 도로 교통의 많은 다양한 조명 과제를 충족시킨다. 특히, 교통 상황에 따른 조명 시나리오들이 발생될 수 있다. 그러나, 이러한 종래의 어댑티브 프론트 라이팅 시스템에서는 발광 다이오드의 직접 투영시, 개별 광원 및 어두운 사이 공간의 이미징이 나타남으로써, 균일한 조명이 달성되지 않는다는 문제가 있다. 이는 특히 자동차 헤드라이트에서 문제가 된다. 또한, 종래의 어댑티브 프론트 라이팅 시스템은 특히 로우 빔에 대해 규정된 바와 같은 명확히 부각되는 밝음-어둠 전환을 불가능하게 한다.
간행물 DE 10 2005 014 754, DE 10 2007 046 339 및 EP 1 842 723 에는 예컨대 별도로 작동될 수 있는 다수의 개별 LED 또는 LED-칩을 포함하는 예컨대 자동차-헤드라이트가 공지되어 있고, 상응하는 렌즈와 결합해서, 가변형 헤드라이트가 가능해진다.
본 출원의 과제는 특히 AFS에 적합하고, 예컨대 로우 빔에 대해 규정된 바와 같은 명확히 부각되는 밝음-어둠 전환이 달성되는, 변경된 방출 특성을 가진 광전 반도체 모듈을 제공하는 것이다.
상기 과제는 청구항 제 1 항의 특징들을 가진 광전 반도체 모듈에 의해 달성된다. 또한, 상기 과제는 청구항 제 13 항에 따른 다수의 상기 모듈을 구비한 디스플레이에 의해 달성된다. 모듈 및 디스플레이의 바람직한 실시예들은 종속 청구항들에 제시된다.
일 실시예에서, 광전 반도체 모듈은 작동 중에 발광하는 다수의 발광부를 포함하고, 적어도 하나의 발광부의 적어도 2개의 접하는 측면 에지들이 서로 0°보다 크고 90°보다 작은 각으로 배치된다.
따라서, 적어도 하나의 발광부는 정사각형 또는 직사각형의 형태로 형성되지 않고, 경사진 측면 에지들을 갖는다. 측면 에지가 경사지게 형성됨으로써, 바람직하게는 매우 높은 콘트라스트 및 직선의 에지를 가진 로우 빔의 규정된 휘어진 밝음-어둠 경계가 형성될 수 있다. 본 발명에 따른 모듈은 바람직하게 높은 공간 분해능과 동시에 필요한 조도를 가지며, 기계적 가동 부품 없는 예컨대 자동차 정면 조명의 범위에서 조명을 가능하게 한다.
작동 중에 발광하는 다수의 발광부는 일체형으로 형성될 수 있다. 이 경우, 다수의 발광부들은 방사선 발생에 적합한 액티브 층을 가진 공통의 반도체 바디를 포함한다. 발광부들은 반도체 바디의 영역들에 적절한 급전에 의해 형성된다.
대안으로서, 발광부들은 별도로 그리고 개별적으로 형성될 수 있다. 이 경우, 각각의 발광부는 방사선 발생을 위한 액티브 층을 가진 별도의 반도체 바디를 포함한다.
반도체 모듈은 바람직하게는 적어도 2 x 2 발광부들, 바람직하게는 적어도 10 x 10 발광부들, 특히 바람직하게는 적어도 20 x 20 발광부들을 포함한다.
적어도 하나의 발광부의 적어도 2개의 접하는 측면 에지들의 측면 길이는 동일한 길이로 형성될 수 있다. 대안으로서, 측면 에지들의 측면 길이들은 상이한 길이 비율을 갖는다.
일 실시예에서, 모듈의 모든 발광부들은 2개의 접하는 측면 에지를 포함하고, 상기 측면 에지들은 서로 0°보다 크고 90°보다 작은 각으로 배치된다. 이에 따라 모든 발광부들은 경사진 측면 에지들을 포함하고, 상기 측면 에지들은 매우 높은 콘트라스트 및 밝음-어둠 경계의 직선 에지를 형성하기에 적합하다.
개선예에서, 모듈의 발광부들은, 모듈이 마찬가지로 경사진 측면 에지들, 즉 서로 0°보다 크고 90°보다 작은 각으로 배치된 적어도 2개의 접하는 측면 에지들을 갖도록, 서로 배치된다.
개선예에서, 발광부들은 표면 방출 영역들이다. 발광부들은 바람직하게 전자적으로 발생된 데이터 또는 에너지를 광 방출로 또는 그 역으로 변환하는데 특히 적합하다. 발광부들은 특히 광전 또는 방사선 방출 영역들이다. 예컨대, 발광부들은 LED, 특히 바람직하게 박막-LED 이다. 본 출원의 범위에서, 박막-LED는 반도체 바디(들)가 에피택셜로 성장되었던 성장 기판이 바람직하게는 완전히 분리되는 동안 제조되는 LED 이다.
발광부들은 각각 바람직하게는 방사선 발생을 위한 pn-접합, 2중 헤테로 구조, 단일 양자 우물 구조(SQW, single quantum well) 또는 다중 양자 우물 구조(MQW, multi quantum well)를 가진 액티브 층 또는 액티브 층의 영역을 포함한다. 발광부들, 특히 발광부들의 층들은 바람직하게는 III/V-반도체 재료를 포함한다. III/V-반도체 재료들은 자외선에서 가시광선을 거쳐 적외선 스펙트럼 범위까지 방사선 발생에 특히 적합하다. 바람직하게 발광부들은 청색 발광부이다.
개선예에서, 2개의 접하는 측면 에지들 사이의 각은 15°이상 내지 45°이하의 범위에 놓인다. 상기 범위의 각을 가진 측면 에지들에서, 특히 큰 콘트라스트 및 모듈의 직선 에지를 가진 매우 양호한 밝음-어둠 경계가 보장될 수 있다. 개선예에서, 접하는 측면 에지들에 의해 형성되는 적어도 하나의 발광부의 모든 각은 90°가 아니다. 바람직하게는 모듈의 모든 발광부의 모든 각이 90°가 아니다.
개선예에서, 적어도 하나의 발광부가 평행사변형의 형태로 형성된다. 바람직하게는 적어도 하나의 발광부가 마름모꼴로 형성된다. 바람직하게는 모듈의 모든 발광부가 평행사변형의 형태로 형성된다. 특히 바람직하게 모듈의 발광부들은 모듈이 평행사변형의 형태로 형성되도록 서로 배치된다.
개선예에서, 적어도 하나의 발광부는 삼각형의 형태로 형성된다. 따라서, 이 경우 평행사변형들은 중앙에서 2개의 별도의 부분으로 세분된다. 바람직하게는 모듈의 모든 발광부가 삼각형의 형태로 형성된다. 특히 바람직하게 삼각형 발광부는 모듈이 전체적으로 평행사변형의 형태로 형성되도록 서로 배치된다.
개선예에서, 모듈의 발광부들은 매트릭스 형태로 배치된다. 여기서, 매트릭스 형태는 발광부들이 행 및 열로 배치됨으로써 규칙적인 격자를 형성하는 것을 의미한다. 바람직하게는 인접한 발광부들이 서로 규칙적이고 동일한 간격을 갖는다.
바람직하게 하나의 열 또는 하나의 행의 발광부들은 모듈의 나머지 행들 또는 열들과는 별도로 전자적으로 트리거될 수 있다. 이로 인해, 바람직하게는 소정 행 또는 열의 트리거에 의한 확장된 조절이 가능해진다.
개선예에서, 모듈의 발광부들은 균일하게 선형 행들로, 교대로 정렬된 행들로 또는 블록별로 배치된다. 선형 행들로의 배치는 예컨대 평행사변형으로서 모듈의 형상을 가능하게 한다. 교대로 정렬된 행들은 특히 대칭 축에 대해 거울 대칭으로 형성된 행들을 의미한다. 블록별 배치는 특히 발광부들이 그룹으로 배치되는 것을 의미하고, 이 경우 발광부들의 상이한 그룹들은 해당 발광부들의 상이한 형태를 가질 수 있다. 예컨대, 제 1 그룹의 발광부들은 직사각형 형태를 갖는 한편, 제 2 그룹의 발광부들은 평형사변형의 형태로 형성된다.
개선예에서, 2개의 발광부 사이의 간격은 1 ㎛ 이상 내지 100 ㎛ 이하이다. 바람직하게 2개의 발광부 사이의 간격은 100 ㎛ 보다 작고, 바람직하게는 20 ㎛ 보다 작고, 특히 바람직하게는 10 ㎛ 보다 작다.
개선예에서, 각각의 발광부의 적어도 하나의 측면 에지는 30 ㎛ 이상 내지 1 mm 이하의 길이를 갖는다. 바람직하게는 발광부의 측면 길이들이 1 mm 보다 작고, 바람직하게는 300 ㎛ 보다 작고, 특히 바람직하게는 150 ㎛ 보다 작다.
개선예에서, 방출 방향으로 볼 때 발광부 후방에 방출 특성을 바꾸기 위한 1차 렌즈 및/또는 2차 렌즈가 배치된다. 발광부 후방에 하나의 공통 1차 렌즈 및/또는 공통 2차 렌즈가 배치될 수 있다. 대안으로서, 각각의 발광부가 별도의 1차 렌즈 및/또는 2차 렌즈를 포함할 수 있다. 이 경우, 발광부들은 서로 100 ㎛ 보다 훨씬 더 큰 간격을 가질 수 있다.
개선예에서, 방출 방향으로 볼 때 발광부들 후방에 전환 층이 배치된다. 전환 층은 모듈의 모든 발광부들에 대해 공통인 하나의 층으로 이루어질 수 있다. 대안으로서, 각각의 발광부는 별도의 전환 층을 포함할 수 있다. 전환 층의 재료로는 투명한 매트릭스, 예컨대 실리콘 매트릭스에 매립된 인 입자, 또는 세라믹 컨버터가 사용된다.
바람직하게는 발광부들이 청색 방사선을 방출한다. 전환 층은 바람직하게 청색 방사선을 예컨대 노란 방사선으로 전환하기에 적합하므로, 모듈이 전체적으로 백색 범위의 방사선을 방출한다.
모듈에 의해 방출되는 방사선의 색 및 강도의 가능한 프로파일은 산란 정도의 변동 및/또는 전환 층의 구조적 형태에 의해 조절될 수 있다.
개별 발광부에 의해 방출된 방사선의 크로스토크는, 발광부들이 전방 방향으로 우선 방향을 가지고 방출된 방사선의 방출 특성을 갖도록, 액티브 층에 의해 방출 면의 방향으로 방출된 방사선이 거울 층에서 반사하는 방사선에 의해 간섭되게, 방출 면에 마주 놓인 거울 층이 발광부의 액티브 층에 대해 간격을 두고 조절됨으로써 방지될 수 있다. 또한, 크로스토크는 발광부들 사이의 흡수 또는 반사 스트립에 의해서도 방지될 수 있다.
개선예에서, 발광부들은 각각 서로 독립적으로 급전될 수 있다. 이를 위해, 예컨대 각각의 발광부가 액티브 매트릭스 트리거부의 트랜지스터에 1:1 대응된다.
일 실시예에서, 디스플레이는 측방으로 서로 나란히 배치된 다수의 광전 반도체 모듈을 포함한다. 따라서, 예컨대 자동차 헤드라이트로서 사용되는 디스플레이가 달성될 수 있다. 디스플레이의 개별 모듈들은 직접 나란히 배치될 수 있으므로, 모든 모듈에 걸쳐 발광부들의 규칙적인 매트릭스가 형성된다. 대안으로서, 디스플레이의 모듈들은 임의로 분할될 수 있다. 즉, 서로 상이한 간격으로 배치될 수 있다. 이로 인해, 바람직하게는 작은 분산형 투사 렌즈 및 그에 따라 매우 편평한 헤드라이트 디자인의 가능성이 주어진다. 모듈 후방에 배치된 투사 렌즈는 바람직하게 모듈에 의해 방출된 방사선의 개별 몫을 통합하여 하나의 연속하는 광 매트릭스를 형성한다.
모듈과 관련해서 설명된 특징들은 디스플레이와 관련해서도 사용되고, 반대로 디스플레이와 관련해서 설명된 특징들은 모듈과 관련해서도 사용된다.
개선예에서 하나의 모듈에 포함된 발광부들은 각각 인접한 모듈의 발광부들과 무관하게 작동될 수 있다. 예컨대, 디스플레이의 모듈들은 액티브 매트릭스 트리거부와 접속됨으로써, 서로 별도로 급전될 수 있다. 바람직하게는, 예컨대 각각의 발광부가 액티브 매트릭스 트리거부의 트랜지스터에 1:1 대응됨으로써, 하나의 모듈의 발광부들이 각각 서로 무관하게 급전될 수 있다.
바람직하게 디스플레이는 적어도 하나의 모듈의 발광부들의 작동을 위한 적어도 하나의 트리거 회로를 포함한다. 예컨대, 광전 모듈을 가진 디스플레이는 예컨대 외부로부터 발광부들의 구성, 예컨대 행 및 열의 스위칭 패턴으로 코딩된 신호의 변환을 수행하는 전자 소자에 의해 확장된다. 이 경우, 예컨대 CAN-버스 또는 I2C-인터페이스의 입력 신호가 고려될 수 있다. 전자 소자들 및 제어 소자들은 모듈들과 통합되어 모놀리식으로 형성되거나 또는 별개의 부품으로서 구현된다.
디스플레이의 액티브 매트릭스 트리거부는 바람직하게 Si로 구현된 CMOS 구조 형태의 트랜지스터를 포함하고, 상기 트랜지스터는 모듈의 발광부들과 접속된다. 이는 예컨대 발광부들 또는 Si-웨이퍼의 반도체 층들의 다이렉트 본딩에 의해 이루어지거나, 또는 Si-웨이퍼의 조립 면 상에 발광부들의 층들의 동시의 또는 순차적인 전사(transfer)에 의해 이루어진다. 대안으로서, 발광부들의 성장 기판이 예컨대 박막 트랜지스터의 증착 및 구조화를 위한 기판으로 사용될 수 있다.
개선예에서, 디스플레이는 예컨대 모듈 내에 또는 상에 통합되는 광 센서, 컬러 센서 또는 온도 센서와 같은 추가 소자를 포함한다.
일 실시예에서, 다수의 모듈을 가진 디스플레이는 발광부의 트리거에 따라 상이한 광 기능을 충족시키는 자동차 헤드라이트로서 사용된다. 광 기능으로는, 특히 도시, 국도, 고속도로용 어댑티브 방현(antiglare) 어퍼 빔 및 로우 빔, 주간 주행 등, 위치 등, 스포트라이트, 커브 라이트, 턴 라이트, 헤드라이트의 자동 범위 조정 및 운전자에 따른 디자인이 있다.
본 발명에 의해, 특히 AFS에 적합하고, 예컨대 로우 빔에 대해 규정된 바와 같은 명확히 부각되는 밝음-어둠 전환이 달성되는, 변경된 방출 특성을 가진 광전 반도체 모듈이 제공된다.
본 발명의 다른 장점들 및 바람직한 실시예들은 하기에 도 1 내지 도 4와 관련해서 설명된 실시예들에 제시된다.
도 1a 내지 도 1d는 각각 본 발명에 따른 모듈의 실시예의 개략도.
도 2a 내지 도 4는 각각 본 발명에 따른 디스플레이의 실시예의 개략도.
도면들에서 동일한 또는 동일한 작용을 하는 구성 부분은 동일한 도면 부호로 표시될 수 있다. 도시된 구성 부분 및 그들 간의 크기 비율은 척도에 맞지 않는다. 오히려, 개별 구성 부분들, 예컨대 층들, 구조들, 부품들 및 영역들은 더 나은 도시를 위해 및/또는 더 나은 이해를 위해 과도한 두께 또는 크기로 도시될 수 있다.
도 1a에는 작동 중에 발광하는 다수의 발광부들을 포함하는 광전 반도체 모듈(10)의 평면도가 도시된다. 발광부들(1)은 예컨대 지지체 상에 매트릭스 형태로 배치된다. 즉, 발광부들(1)은 행 n 및 열 m로 배치되므로, 발광부들(1)의 배치는 격자 형태로 구현된다. 발광부들(1)은 동일한 크기를 가지며, 서로 규칙적이고 동일한 간격으로 배치된다. 발광부들(1) 사이의 간격(D)은 1 ㎛ 이상 내지 100 ㎛ 이하, 바람직하게는 ≤ 100 ㎛, 더욱 바람직하게는 ≤ 20 ㎛, 특히 바람직하게는 ≤ 10 ㎛ 이다.
도 1a의 모듈은 4 x 4 발광부로 이루어진 매트릭스를 포함한다. 그러나, 모듈은 그와는 다른 수의 발광부들을 포함할 수 있다. 예컨대, 모듈은 적어도 20 x 20 발광부들, 바람직하게는 적어도 10 x 10 발광부들을 포함한다.
도 1a의 모듈의 발광부들(1)은 접하는 측면 에지를 갖고, 상기 측면 에지들은 모두 90°가 아닌 각으로 배치된다. 특히, 발광부들(1)은 각각 평행 사변형의 형태로 형성된다. 평행사변형은 각각 90°의 각이 아니기 때문에, 직사각형 또는 정사각형으로서 형성되지 않는다. 즉, 발광부의 측면 에지들은 90°의 각으로, 즉 서로 수직으로 놓이지 않는다. 평행 사변형은 하나의 작은 각 α 및 인접한 모서리에서 다른 각 β을 갖는다. 더 작은 각 α는 바람직하게 15°이상 내지 45°이하의 범위에 놓인다. 이렇게 형성된 발광부들은 특히 자동차 헤드라이트의 로우 빔의 밝음-어둠 경계를 보장하기에 특히 적합하다. 밝음-어둠 경계는 바람직하게 높은 콘트라스트 및 직선의 에지를 형성한다. 따라서, 기계적 가동 부품 없이, 단일 모듈에서 상이한 조명에 의한 다양한 헤드라이트 기능들이 달성될 수 있고, 동시에 높은 공간 분해능 및 높은 조도가 형성된다.
발광부들(1)은 선형 행과 선형 열로 분할된 규칙적이고 균일한 발광부들(1)의 구성이 주어지도록 행 n 및 열 m로 배치된다.
발광부들(1)은 추가로, 모듈(10)이 전체적으로 하나의 평행사변형을 형성하도록 서로 배치된다. 상기 평행사변형에서 접하는 2개의 측면 에지가 서로 경사지게 형성된다. 즉, 0°보다 크고 90°보다 작은 각을 갖는다.
각각의 발광부(1)의 측면 에지(Ⅱa)는 30 ㎛ 이상 내지 1 mm 이하 범위의 길이(L)를 갖는다. 바람직하게는 측면 길이 ≤ 1mm, 바람직하게는 ≤ 300 ㎛, 특히 바람직하게는 ≤ 150 ㎛ 이다. 발광부의 측면 에지들은 상이한 길이 비율을 가질 수 있다.
발광부들(1)은 반도체 재료로 형성된다. 바람직하게 발광부들(1)은 방사선 발생을 위해 제공된 적합한 액티브 층을 포함하는 반도체 바디로 형성된다. 모듈(10)의 개별 발광부(1)는 하나의 공통 반도체 바디를 포함하거나 또는 서로 인접하게 배치된 별도의 반도체 바디를 포함할 수 있다.
예컨대, 발광부들은 각각 바람직하게 청색 파장 범위의 방사선을 방출하는 LED 이다.
도 1a 의 실시예와는 달리, 도 1b 의 발광부들(1)은 교대로 정렬된 행 n으로 배치된다. 즉, 발광부들(1)은 대칭축에 대해 거울 대칭으로 배치된다. 도 1b의 실시예에 따른 모듈(10)의 모든 발광부들(1)은 서로 경사진 측면 에지들(IIa, IIb)을 포함하고, 상기 측면 에지들은 서로 0°보다 크고 90°보다 작은 각 α을 형성한다.
도 1c의 실시예의 모듈과 도 1a의 모듈의 차이점은 발광부들(1)이 블록별로 배치된다는 것이다. 즉, 발광부들(1)은 2개의 그룹(2a, 2b)으로 분할될 수 있고, 하나의 그룹의 모든 발광부들은 서로 동일하게 형성된다. 예컨대, 제 1 그룹(2a)의 발광부들(1)은 0° 보다 크고 90°보다 작은 각을 형성하는 서로 경사진 측면 에지들(IIa, IIb)을 포함하는 평행사변형의 형태로 형성된다. 제 2 그룹(2b)의 발광부들(1)은 직사각형 또는 정사각형의 형태로 형성된다. 따라서, 상기 발광부들은 서로 수직인 측면 에지들을 갖는다.
도 1d에 도시된 모듈(10)의 실시예는, 도 1a의 모듈의 실시예와는 달리, 평행사변형 형태로 주어진 중앙에서 분할된 발광부들을 포함한다. 따라서, 도 1d의 모듈(10)의 발광부들(1)은 삼각형으로서 형성된다. 삼각형으로서 형성된 발광부들은 2개의 측면 에지들(11a, 11b)을 가지며, 상기 측면 에지들은 서로 90°가 아닌 각 α를 형성한다. 상기 각 α는 바람직하게는 45°또는 15°이다. 발광부들(1)은 다시 행 n 및 열 m 로 분할됨으로써 매트릭스 형태의 격자를 형성한다.
도 2에는 측방으로 서로 나란히 배치된 다수의 광전 반도체 모듈(10)을 포함하는 디스플레이가 도시된다. 도 2a의 디스플레이의 모듈(10)은 도 1a의 실시예의 모듈에 상응한다.
모듈들(10)은 서로 간격 A로 배치된다. 대안으로서 모듈들(10)은, 모든 모듈에 걸쳐 발광부들의 규칙적인 매트릭스가 형성되도록(도시되지 않음) 서로 바로 옆에 배치될 수 있다.
디스플레이의 모듈들(10)의 수는 도 2a에 도시된 실시예와는 다를 수 있다. 특히, 2개보다 많은 모듈(10)이 하나의 디스플레이를 형성할 수 있다.
하나의 모듈(10)에 속한 발광부들(1)은 바람직하게 각각 인접한 모듈의 발광부들과 무관하게 작동될 수 있다. 이를 위해, 예컨대 트리거 회로가 사용된다. 예컨대 디스플레이 및 이것에 속한 모듈은 액티브 매트릭스 트리거부에 의해 급전된다. 이를 위해 예컨대 각각의 발광부는 액티브 매트릭스 트리거부의 트랜지스터에 1:1 대응됨으로써, 발광부들은 서로 독립적으로 급전될 수 있다. 상기 방식의 액티브 매트릭스 트리거부는 도 3의 실시예와 관련해서 상세히 설명된다.
도 2b의 실시예와 도 2a의 실시예의 차이점은 상이하게 형성된 모듈(10)이 디스플레이에 사용된다는 것이다. 모듈들(10) 중 하나는 예컨대 도 1a의 모듈에 상응하게 형성되는 한편, 제 2 모듈(10)은 도 1d에 따른 실시예의 모듈에 상응한다. 따라서, 소정 방출 특성에 따라 다수의 상이한 모듈이 조합되어 하나의 디스플레이를 형성할 수 있다. 상이한 모듈(10)의 조합은 예컨대 디스플레이의 소정 광 기능에 의존한다. 광 기능으로서, 특히 도시, 국도, 고속도로용 어댑티브 방현(antiglare) 어퍼 빔 및 로우 빔, 주간 주행 등, 위치 등, 스포트라이트, 커브 라이트, 턴 라이트, 헤드라이트의 자동 범위 조정 및 운전자에 따른 디자인이 있다.
도 3에는 액티브 매트릭스 트리거부(4, 5, 6, 7) 상에 배치된 발광부들을 가진 적어도 하나의 모듈을 포함하는 본 발명에 따른 디스플레이의 횡단면도가 도시된다. 디스플레이는 도 2a 및 도 2b의 실시예에 비해 전자 소자들에 의해 확장되고, 상기 전자 소자들은 예컨대 외부로부터 모듈의 행 및 열의 스위칭 패턴으로 코딩된 신호의 변환을 수행한다. 이 경우, 예컨대 CAN 버스 또는 I2C-인터페이스의 입력 신호가 고려된다. 전자 제어 소자들은 모놀리식으로 구현되거나 또는 별개의 부품으로서 구현된다.
액티브 매트릭스 트리거부는 예컨대 트래지스터들(5)을 포함하고, 상기 트랜지스터들은 Si로 구현된 CMOS-구조의 형태로 주어지고, 상기 CMOS-구조는 모듈의 발광부와 1:1 대응으로 전기적으로 및 기계적으로 접속된다. 이는 예컨대 발광부들과 트랜지스터들의 다이렉트 본딩에 의해 구현될 수 있다. 대안으로서, 발광부들은 순차적으로 또는 동시에 트랜지스터의 Si-웨이퍼의 조립 면 상에 조립될 수 있다. 대안으로서, 발광부(1)의 층들의 성장을 위해 사용되는 성장 기판이 박막 트랜지스터(5)의 증착 및 구조화를 위한 기판으로서 사용될 수도 있다.
도 3의 액티브 매트릭스는 트랜지스터(5)와 더불어 Si로 이루어진 액티브 매트릭스(4), 마이크로컨트롤러(6) 및 접속 영역(7)을 포함한다.
발광부들 상에, 특히 발광부들(1)의 방사선 방출 면 상에 전환 층(3)이 배치된다. 전환 층(3)은 방출 방향으로 볼 때 발광부들(1) 후방에 배치된다. 전환 층(3)은 예컨대 실리콘과 같은 투명한 매트릭스 내에 매립된 인 입자 또는 세라믹 컨버터를 포함한다. 바람직하게는 발광부(1)가 청색 방사선을 방출하고, 상기 방사선은 전환 층(3)에 의해 노란 방사선으로 변환됨으로써, 전체적으로 디스플레이는 백색 광을 방출한다.
도 3의 실시예에서, 모듈의 모든 발광부 후방에 전환 층(3)이 공통 층으로서 배치된다.
도 3의 실시예의 디스플레이에 추가로 다른 전자 소자들, 예컨대 광 센서, 컬러 센서 또는 온도 센서가 통합될 수 있다(도시되지 않음).
도 4의 실시예에는 도 3에 도시된 디스플레이와는 달리, 방출 방향으로 볼 때 발광부들(1) 후방에 1차 렌즈(8a) 및 2차 렌즈(8b)가 배치된다. 1차 렌즈(8a)는 발광부들(1)에 의해 방출되는 방사선에 미리 정해진 방식으로 영향을 준다. 각각의 발광부(1) 후방에 별도의 1차 렌즈(8a)가 배치된다. 방출 방향으로 볼 때 1차 렌즈(8a) 후방에 2차 렌즈가 배치되고, 이 경우 2차 방사선(8b)은 모든 발광부에 대해 공통이다. 도 4에는, 1차 렌즈(8a)와 2차 렌즈(8b) 사이에서 선에 의해 개별 발광부(1)의 광 방출이 도시된다.
도 3의 실시예와는 달리, 도 4의 실시예의 전환 층(3)은 별도의 영역을 포함한다. 예컨대, 각각의 별도의 발광부(1) 후방에 정확히 하나의 전환층이 배치되고, 개별 발광부들의 전환층들은 공간적으로 그리고 기계적으로 서로 분리되어 있다.
발광부들(1)에 의해 방출되는 방사선을 1차 렌즈(8a) 및 2차 렌즈(8b)에 의해 결합함으로써, 발광부들(1)은 서로 큰 간격으로 배치될 수 있고, 특히 100 ㎛ 보다 큰 간격으로 배치될 수 있다. 2차 렌즈(8b)는 바람직하게 발광부들의 개별 몫들을 통합하여 하나의 연속하는 광 매트릭스를 형성하기에 적합하다.
본 발명은 실시예를 참고로 설명되지만, 이것에 제한되지 않으며, 모든 새로운 특징 및 특징들의 모든 조합이 청구범위 또는 실시예에 명시되지 않더라도, 모든 새로운 특징 및 특징들의 모든 조합, 특히 청구범위에 포함된 특징들의 모든 조합을 포함한다.
본 특허 출원은 독일 특허 출원 10 2011 102 032.6의 우선권을 주장하며, 상기 독일 특허 출원의 공개 내용은 인용에 의해 여기에 포함된다.
1 발광부
2a, 2b 그룹
3 전환 층
4, 5, 6, 7 트리거 회로
8a 1차 렌즈
8b 2차 렌즈
10 모듈
11a, 11b 측면 에지

Claims (15)

  1. 작동 중에 발광하는 다수의 발광부들(1)을 포함하는 방사선 방출 반도체 모듈(10)로서, 적어도 하나의 발광부(1)의 적어도 2개의 접하는 측면 에지들(11a, 11b)은 서로 0°보다 크고 90°보다 작은 각(α)으로 배치되는 것을 특징으로 하는 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광부들(1)은 2개의 그룹(2a, 2b)으로 나눠지고, 그룹들(2a, 2b) 내의 모든 발광부들(1)은 서로 동일하게 형성되고,
    제 1 그룹(2a)의 상기 발광부들(1)은 평행사변형의 형태로 형성되고, 상기 각(α)은 15°이상 내지 45°이하의 범위 내에 놓이고,
    제 2 그룹(2b)의 상기 발광부들(1)은 직사각형 또는 정사각형의 형태로 형성되고,
    그룹들(2a, 2b)은 측방으로 나란히 배치되고 서로 독립적으로 급전될 수 있는 것을 특징으로 하는 모듈.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 각(α)은 15°이상 내지 45°이하의 범위 내에 놓이는 것을 특징으로 하는 모듈.
  4. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    접하는 측면 에지들(11a, 11b)에 의해 형성된, 적어도 하나의 발광부(1)의 모든 각은 90°가 아닌 것을 특징으로 하는 모듈.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 발광부(1)는 평행사변형의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 모듈.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 발광부(1)는 삼각형의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 모듈.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광부들(1)은 매트릭스 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는 모듈.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광부들(1)은 균일하게 선형 행들(n)로, 교대로 정렬된 행들(n)로 또는 블록 별로(2a, 2b) 배치되는 것을 특징으로 하는 모듈.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 2개의 발광부들(1) 사이의 간격(D)은 1 ㎛ 이상 내지 100 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 모듈.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 각각의 발광부(1)의 적어도 하나의 측면 에지(11a)는 30 ㎛ 이상 내지 1 ㎜ 이하의 범위의 길이(L)를 갖는 것을 특징으로 하는 모듈.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 방출 방향으로 볼 때 상기 발광부들(1) 후방에 1차 렌즈(8a) 및/또는 2차 렌즈(8b)가 배치되는 것을 특징으로 하는 모듈.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 방출 방향으로 볼 때 상기 발광부들(1) 후방에 전환 층(3)이 배치되는 것을 특징으로 하는 모듈.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광부들(1)은 각각 서로 독립적으로 급전될 수 있는 것을 특징으로 하는 모듈.
  14. 측방으로 서로 나란히 배치된, 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 다수의 광전 반도체 모듈(10)을 구비한 디스플레이로서,
    적어도 하나의 모듈(10)의 발광부들(1)의 작동을 위한 적어도 하나의 트리거 회로(4, 5, 6, 7)를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이.
  15. 상기 발광부들(1)의 트리거에 따라 상이한 광 기능을 총족시키는 자동차 헤트라이트로서 제 14 항에 따른 디스플레이의 용도.
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Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103765086B (zh) 2011-09-01 2016-08-17 株式会社小糸制作所 车辆用前照灯装置
DE102011056888A1 (de) 2011-12-22 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
US9308858B2 (en) 2012-07-13 2016-04-12 Lg Innotek Co., Ltd. Lamp unit and lighting system for vehicle
US9809149B2 (en) * 2012-07-13 2017-11-07 Lg Innotek Co., Ltd Lamp and vehicle lamp apparatus using the same
DE102012112530A1 (de) * 2012-12-18 2014-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
KR102003001B1 (ko) * 2013-03-13 2019-07-23 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈
JP2015015104A (ja) * 2013-07-03 2015-01-22 スタンレー電気株式会社 光源装置、車両用前照灯、車両用前照灯システム
DE102013114691A1 (de) 2013-12-20 2015-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und adaptiver Scheinwerfer für ein Kraftfahrzeug
DE102014112551A1 (de) * 2014-09-01 2016-03-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
JP6484011B2 (ja) * 2014-11-25 2019-03-13 スタンレー電気株式会社 発光ダイオード装置
JP6527695B2 (ja) * 2014-12-22 2019-06-05 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
US10032757B2 (en) 2015-09-04 2018-07-24 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Projection display system
US10177127B2 (en) 2015-09-04 2019-01-08 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same
US10304811B2 (en) 2015-09-04 2019-05-28 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Light-emitting diode display panel with micro lens array
FR3041148A1 (fr) * 2015-09-14 2017-03-17 Valeo Vision Source lumineuse led comprenant un circuit electronique
DE102015115812A1 (de) * 2015-09-18 2017-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
FR3044467B1 (fr) 2015-11-26 2018-08-10 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dalle lumineuse et procede de fabrication d'une telle dalle lumineuse
US10079264B2 (en) * 2015-12-21 2018-09-18 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Semiconductor devices with integrated thin-film transistor circuitry
DE102016100351B4 (de) 2016-01-11 2023-07-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement, Leuchtvorrichtung und Autoscheinwerfer
DE102016104385A1 (de) * 2016-03-10 2017-09-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Projektionsoptik, optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Beleuchtungssystem, Kamera, Endgerät
FR3053439B1 (fr) * 2016-07-01 2018-08-10 Valeo Vision Dispositif lumineux apte a generer une source a pixels fins
FR3053761A1 (fr) * 2016-07-05 2018-01-12 Valeo Vision Dispositif d’eclairage et/ou de signalisation pour vehicule automobile
JP6428730B2 (ja) * 2016-08-24 2018-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
FR3055945B1 (fr) * 2016-09-15 2019-06-28 Valeo Vision Procede de montage de composants matriciels a elements semi-conducteurs electroluminescents pour realiser une source lumineuse pour un vehicule automobile
DE102017107201A1 (de) * 2017-04-04 2018-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements und optoelektronisches Halbleiterbauelement
FR3069105B1 (fr) 2017-07-17 2022-08-12 Valeo Vision Detection d'objets pour vehicule automobile
JP6941503B2 (ja) 2017-08-24 2021-09-29 スタンレー電気株式会社 車両用前照灯システム
JP6975603B2 (ja) * 2017-09-27 2021-12-01 京セラ株式会社 発光装置
US11749790B2 (en) * 2017-12-20 2023-09-05 Lumileds Llc Segmented LED with embedded transistors
US11054112B2 (en) 2017-12-22 2021-07-06 Lumileds Llc Ceramic phosphor with lateral light barriers
DE102018103603A1 (de) * 2018-02-19 2019-08-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung
CN108397746B (zh) * 2018-04-13 2024-06-14 华域视觉科技(上海)有限公司 基于光导的远近光系统及车灯
DE102018119312A1 (de) 2018-08-08 2020-02-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtvorrichtung
FR3087246B1 (fr) * 2018-10-15 2022-12-16 Valeo Vision Source lumineuse matricielle a architecture ajustable
DE102019111175A1 (de) * 2019-04-30 2020-11-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Anordnung und Verfahren zur Herstellung einer Anordnung sowie eines Bauteils
JP7311401B2 (ja) * 2019-11-15 2023-07-19 スタンレー電気株式会社 液晶素子、照明装置
FR3135163A1 (fr) * 2022-04-29 2023-11-03 Valeo Vision Module lumineux d’un dispositif de signalisation d’un véhicule automobile
WO2024044424A1 (en) * 2022-08-25 2024-02-29 Apple Inc. Vehicle lights with multiple functions

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040092437A (ko) * 2003-04-23 2004-11-03 가부시키가이샤 고이토 세이사꾸쇼 차량용 전조등
JP2007165535A (ja) * 2005-12-13 2007-06-28 Canon Inc 発光素子アレイ及び画像形成装置
KR20070108416A (ko) * 2005-03-04 2007-11-09 오스람 실바니아 인코포레이티드 발광 다이오드 헤드램프 시스템
JP2011511447A (ja) * 2008-01-31 2011-04-07 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクスモジュールおよびオプトエレクトロニクスモジュールを備えたプロジェクション装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2149907A3 (en) * 2002-08-29 2014-05-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light-emitting device having light-emitting diodes
DE10314524A1 (de) 2003-03-31 2004-10-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Scheinwerfer und Scheinwerferelement
ITTO20030610A1 (it) * 2003-08-05 2005-02-06 Fiat Ricerche Disposizione di illuminamento a profondita' ridotta per
JP4314911B2 (ja) 2003-08-20 2009-08-19 スタンレー電気株式会社 車両前照灯
TW200637033A (en) 2004-11-22 2006-10-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting device, light-emitting module, display unit, lighting unit and method for manufacturing light-emitting device
WO2006068297A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting device, illumination module, illumination apparatus, method for manufacturing semiconductor light emitting device, and method for manufacturing semiconductor light emitting element
DE102005014754A1 (de) 2005-03-31 2006-10-05 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH KFZ-Scheinwerfer
US8222116B2 (en) * 2006-03-03 2012-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
DE102006015117A1 (de) * 2006-03-31 2007-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Scheinwerfer, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Scheinwerfers und Lumineszenzdiodenchip
US20080018630A1 (en) * 2006-07-18 2008-01-24 Yusuke Fujino Liquid crystal display device, liquid crystal display and method of driving liquid crystal display device
US20080025037A1 (en) * 2006-07-28 2008-01-31 Visteon Global Technologies, Inc. LED headlamp
EP2122695A4 (en) * 2007-03-08 2013-09-11 3M Innovative Properties Co NETWORK OF LUMINESCENT ELEMENTS
GB2451884A (en) * 2007-08-16 2009-02-18 Sharp Kk A Semiconductor Device and a Method of Manufacture Thereof
DE102007041193A1 (de) * 2007-08-31 2009-03-05 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtmodul für eine Beleuchtungseinrichtung und Beleuchtungseinrichtung
DE102007046339A1 (de) 2007-09-27 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquelle mit veränderlicher Abstrahlcharakteristik
DE102008025397A1 (de) * 2008-05-28 2009-12-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Fahrzeugbeleuchtungsvorrichtung mit mindestens zwei Halbleiter-Leuchtelementen
KR101025972B1 (ko) * 2008-06-30 2011-03-30 삼성엘이디 주식회사 교류 구동 발광 장치
DE102011015726B9 (de) 2011-03-31 2023-07-13 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterchip, Display mit einer Mehrzahl von Halbleiterchips und Verfahren zu deren Herstellung

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040092437A (ko) * 2003-04-23 2004-11-03 가부시키가이샤 고이토 세이사꾸쇼 차량용 전조등
KR20070108416A (ko) * 2005-03-04 2007-11-09 오스람 실바니아 인코포레이티드 발광 다이오드 헤드램프 시스템
JP2007165535A (ja) * 2005-12-13 2007-06-28 Canon Inc 発光素子アレイ及び画像形成装置
JP2011511447A (ja) * 2008-01-31 2011-04-07 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクスモジュールおよびオプトエレクトロニクスモジュールを備えたプロジェクション装置

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