KR101025972B1 - 교류 구동 발광 장치 - Google Patents

교류 구동 발광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101025972B1
KR101025972B1 KR1020080063127A KR20080063127A KR101025972B1 KR 101025972 B1 KR101025972 B1 KR 101025972B1 KR 1020080063127 A KR1020080063127 A KR 1020080063127A KR 20080063127 A KR20080063127 A KR 20080063127A KR 101025972 B1 KR101025972 B1 KR 101025972B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led
electrode
cell
cells
led cell
Prior art date
Application number
KR1020080063127A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100003033A (ko
Inventor
그리고리 오누쉬킨
박길한
양정자
이영진
Original Assignee
삼성엘이디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성엘이디 주식회사 filed Critical 삼성엘이디 주식회사
Priority to KR1020080063127A priority Critical patent/KR101025972B1/ko
Priority to US12/265,357 priority patent/US8040050B2/en
Priority to JP2008291548A priority patent/JP4864068B2/ja
Publication of KR20100003033A publication Critical patent/KR20100003033A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101025972B1 publication Critical patent/KR101025972B1/ko
Priority to US13/237,564 priority patent/US8188654B2/en
Priority to JP2011244688A priority patent/JP5311355B2/ja
Priority to US13/482,781 priority patent/US8754578B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • H05B45/42—Antiparallel configurations
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Abstract

본 발명에 따른 교류구동 발광장치는, 기판과, 상기 기판 상면에 일렬로 배열된 K개(여기서, K는 3 이하의 정수임)의 제1 LED 셀과, 상기 기판 상면에 상기 제1 LED셀의 열과 평행하게 일렬로 배열된 K개의 제2 LED 셀과, 상기 기판 상면에서 상기 제1 및 제2 LED 셀의 열 사이에 일렬로 배열된 K-1개의 제3 LED 셀을 포함하는 교류구동 발광장치를 제공한다.
상기 교류구동 발광장치는, 교류에서 구동가능한 LED 셀간의 연결구조를 갖는다. 본 실시형태에 따른 LED 셀간의 연결구조에서는, 특정 배열방향으로 상기 제1 내지 제3 LED 셀의 순서로 정의할 때에, m번째(여기서, m은 K보다 작은 홀수임) 제3 LED 셀의 제1 전극은 m번째와 m+1번째 제1 LED 셀의 제2 전극에 연결되고, m번째 제3 LED 셀의 제2 전극은 m 번째와 m+1번째 제2 LED 셀의 제1 전극에 연결된다. n번째(여기서, n은 K보다 작은 짝수임) 제3 LED 셀의 제1 전극은 n번째와 n+1번째 제2 LED 셀의 제2 전극에 연결되고, n번째 제3 LED 셀의 제2 전극은 n 번째와 n+1번째 제1 LED 셀의 제1 전극에 연결된다.
발광다이오드, 어레이, 모놀리식, 교류전압

Description

교류 구동 발광 장치{AC DRIVING LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 교류 구동 발광장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 DC 전원으로 변환시키는 컨버젼 장치없이 AC 전원에서 직접 사용가능한 교류 구동 발광장치에 관한 것이다.
반도체 발광다이오드(LED)는 출력 및 효율이나 신뢰성 측면에서 광원으로서 유익한 장점을 가지므로, 조명장치 또는 디스플레이 장치의 백라이트를 대체할 수 있는 고출력, 고효율 광원으로서 적극적으로 연구 개발되고 있다.
일반적으로, 발광다이오드는 낮은 직류전류에서 구동된다. 따라서, 정규전압(예, 교류 220V)에서 발광다이오드를 구동하기 위해서는 낮은 DC 출력전압을 공급하는 추가적인 회로(예, AC/DC 컨버터)가 요구된다. 그러나, 이러한 추가적인 회로의 도입은 LED 모듈의 구성을 복잡하게 할 뿐만 아니라, 공급전원의 변환과정에서 효율성과 신뢰성의 저하가 야기될 수 있다. 또한, 광원 외의 추가적인 부품으로 인해 제품 가격이 증가하고 제품의 크기가 증가되며 스위칭 모드 동작시에 주기성분에 의해 EMI 특성이 나빠지는 단점이 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해서, 추가적인 컨버터 없이 AC 전압에도 구동가능한 다양한 형태의 LED 구동회로가 제안되고 있다. 하지만, 일반적으로 AC 구동형 LED 구동회로에서는, 대부분의 LED가 AC 전압의 특정 반주기에서만 구동가능하도록 배열되므로, 원하는 광량을 얻는데 필요한 LED의 개수가 크게 증가한다.
이러한 LED의 필요 개수는 동일한 광량을 제공하더라도 그 LED의 배열 방법에 따라 달라질 수 있으나, 종래의 배열에서는 매우 낮은 효율을 갖고 있다. 예를 들어, 종래의 대표적인 역병렬 배열 또는 브리지 배열인 경우에는, 각각 실제 연속적으로 발광되는 LED 수는 전체 LED 수의 50%와 60% 정도에 불과하다. 즉, 원하는 발광수준을 얻기 위해서 소모되는 LED 수가 많아지는 비효율적인 문제가 있다.
따라서, 보다 효율적인 LED의 배열을 통해 동일한 광량을 보다 적은 수의 LED를 사용하여 제공될 수 있으며, 이는 AC 구동형 LED회로의 제조와 판매의 경제성 측면에서 매우 중요한 문제이다.
또한, 실제 교류 구동 발광장치를 구현하는데 있어서, 각 단위 LED 셀의 연결은 일반적으로 복잡한 양상을 가질 수 있다. 따라서, 배선 연결형태 및 이를 형성하는 공정을 복잡하고 양산성이 낮다는 문제가 있을 수 있다. 또한, 다수의 LED 셀을 복잡한 연결을 가지므로, 높은 집적도를 갖도록 소형화된 형태로 설계하는 것도 중요한 과제로 인식되고 있다.
본 발명은 상기한 기술적 과제를 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 AC에서 구동가능한 연결구조를 가지면서 각 LED 셀의 연결 및 배열형태를 최적화하여 높은 집적도를 갖는 우수한 교류 구동형 발광장치를 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 일 실시형태는,
기판과, 상기 기판 상면에 일렬로 배열된 K개(여기서, K는 3 이하의 정수임)의 제1 LED 셀과, 상기 기판 상면에 상기 제1 LED셀의 열과 평행하게 일렬로 배열된 K개의 제2 LED 셀과, 상기 기판 상면에서 상기 제1 및 제2 LED 셀의 열 사이에 일렬로 배열된 K-1개의 제3 LED 셀을 포함하는 교류구동 발광장치를 제공한다.
상기 교류구동 발광장치는, 교류에서 구동가능한 LED 셀간의 연결구조를 갖는다.
본 실시형태에 따른 LED 셀간의 연결구조에서는, 특정 배열방향으로 상기 제1 내지 제3 LED 셀의 순서로 정의할 때에, m번째(여기서, m은 K보다 작은 홀수임) 제3 LED 셀의 제1 전극은 m번째와 m+1번째 제1 LED 셀의 제2 전극에 연결되고, m번째 제3 LED 셀의 제2 전극은 m 번째와 m+1번째 제2 LED 셀의 제1 전극에 연결된다.
n번째(여기서, n은 K보다 작은 짝수임) 제3 LED 셀의 제1 전극은 n번째와 n+1번째 제2 LED 셀의 제2 전극에 연결되고, n번째 제3 LED 셀의 제2 전극은 n 번 째와 n+1번째 제1 LED 셀의 제1 전극에 연결된다.
또한, 본 실시형태에 따른 교류구동 발광장치는, 1 번째 제1 LED 셀의 제1 전극과 1 번째 제2 LED 셀의 제2 전극에 연결된 제1 외부전극과, K 번째 제1 및 제2 LED 셀의 전극 중 제3 LED 셀에 연결되지 않은 전극에 연결된 제2 외부전극을 더 포함한다.
바람직하게, 상기 제1 내지 3 LED 셀의 제1 및 제2 전극은 각각 해당 셀 상면에서 대향하는 양변에 인접하도록 위치하며, 해당 변에 따라 연장된 부분을 가질 수 있다. 이로써 각 LED 셀의 전체 발광면적에서 균일한 전류분포를 도모하여 보다 높은 발광효율을 기대할 수 있다.
상기 기판의 상면은, 제1 내지 제4변으로 이루어진 직사각형일 수 있다. 이 경우에, 상기 제1 및 제2 LED 셀은 각각 상기 제1 및 제2변을 따라 나란히 배열되고, 상기 1번째의 제1 및 제2 LED 셀은 상기 제3변에 인접하고, 상기 K번째의 제1 및 제2 LED 셀은 상기 제4변에 인접하도록 배열될 수 있다.
바람직하게, 높은 집적도를 실현하기 위해서, 상기 제3 LED 셀은 전극이 연결된 2개의 제1 LED 셀과 전극이 연결된 2개의 제2 LED 셀과 인접하도록 배열될 수 있다.
특정 실시형태에서, 상기 제3 LED 셀은 각각 그 배열방향으로 기울어진 평행사변형인 상면을 갖는 형태로 제공될 수 있다.
본 실시형태에서, 전극배선연결을 보다 짧게 구현하여 그로 인한 불량을 감소시키기 위해서, 상기 제3 LED 셀의 제1 및 제2 전극은 각각 상기 제3 LED 셀 상면에서 경사진 양변에 인접하여 형성된 것이 바람직하다.
또한, 이 경우에, 상기 제1 LED 셀의 제1 및 제2 전극은 각각 상기 제1 LED 셀 상면에서 그 제1 LED 셀의 배열방향과 수직인 양 변에 인접하도록 형성되며, 상기 제2 LED 셀의 제1 및 제2 전극은 각각 상기 제2 LED 셀 상면에서 그 제2 LED 셀의 배열방향과 수직인 양 변에 인접하도록 형성된 것이 바람직하다.
이와 달리, 다른 실시형태에서, 상기 제3 LED 셀은, 대향하는 2개의 장변과 대향하는 2개의 단변으로 이루어진 거의 직사각형인 상면을 갖는 형태일 수 있다.
본 실시형태에서, 상기 제3 LED 셀의 제1 및 제2 전극은 각각 상기 직사각형인 상면 중 2개의 장변에 인접하도록 형성될 수 있다.
이 경우에, 상기 제3 LED 셀은 그 장변이 상기 제3 LED 셀의 배열방향과 거의 수직이 되도록 배열되며, 상기 제1 LED 셀의 제1 및 제2 전극은 각각 상기 제1 LED 셀 상면에서 그 제1 LED 셀의 배열방향과 평행인 양 변에 인접하도록 형성되며, 상기 제2 LED 셀의 제1 및 제2 전극은 각각 상기 제2 LED 셀 상면에서 그 제2 LED 셀의 배열방향과 평행인 양 변에 인접하도록 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제1 및 제2 LED 셀과의 외부전극 연결을 높은 집적도를 만족하도록 실현하기 위해서, 상기 1 번째의 제1 LED 셀은 상기 기판 상면의 제3 변을 따라 상기 1 번째의 제2 LED 셀에 인접하도록 연장되며, 상기 K 번째의 제2 LED 셀은 상기 기판 상면의 제4 변을 따라 상기 K 번째의 제1 LED 셀에 인접하도록 연장되도록 형성될 수 있다.
이 경우에, 상기 제1 및 제2 외부 전극은 연장된 LED 셀 상에 위치할 수 있다. 즉, 상기 제1 외부 전극은 상기 1번째의 제1 LED 셀 상에 위치하며, 상기 제2 외부 전극은 상기 K 번째의 제2 LED 셀 상에 위치할 수 있다.
바람직하게, 특정 셀에 전압이 집중되는 것을 방지하기 위해서, 상기 제1 내지 제3 LED 셀은 거의 동일한 발광 면적을 가질 수 있다.
바람직하게, 본 교류 구동 발광장치의 제1 내지 제3 LED 셀은 상기 기판 상에 순차적으로 성장된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층으로부터 얻어질 수 있다. 즉, 기판 전체 상면에 성장된 발광구조를 위한 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 적절한 분리공정을 통해 각 셀 단위로 분리시킴으로써 원하는 제1 내지 제3 LED 셀의 배열을 얻을 수 있다.
이러한 분리공정은, LED 셀간의 연결형태에 따라 기판까지 노출시키는 완전분리공정(full-isolation) 또는 제1 도전형 반도체층까지만 노출시키는 반분리공정(half-isolation)으로 구분될 수 있다.
예를 들어, m 번째 제2 LED 셀과 m+1번째 제2 LED 셀 중 적어도 한 쌍은, 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 영역(반분리공정)에 의해 서로 분리될 수 있으며, 상기 제1 도전형 반도체층의 노출된 영역에 형성된 하나의 제2 전극을 공유할 수 있다.
이와 유사하게, n 번째 제1 LED 셀과 n+1번째 제1 LED 셀 중 적어도 한 쌍도, 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 영역에 의해 서로 분리되며, 상기 제1 도전형 반도체층의 노출된 영역에 형성된 하나의 제2 전극을 공유할 수 있다.
이와 같이, 특정 셀에 대해 반분리공정을 적용하고 제2 전극을 공유하도록 구성함으로써 공정을 단순화하고 집적화도를 보다 향상시킬 수 있다.
바람직한 예에서, m 번째 제2 LED 셀과 m+1번째 제2 LED 셀의 모든 쌍은 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 영역에 의해 서로 분리되고, 상기 제1 도전형 반도체층의 노출된 영역에 형성된 하나의 제2 전극을 공유하며, n 번째 제1 LED 셀과 n+1번째 제1 LED 셀의 모든 쌍은 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 영역에 의해 서로 분리되며, 상기 제1 도전형 반도체층의 노출된 영역에 형성된 하나의 제2 전극을 공유하고, 나머지 다른 인접한 제1 내지 제3 LED 셀은 상기 기판까지 노출된 영역(완전분리공정)에 의해 분리될 수 있다.
이와 달리, 상기 제1 내지 제3 LED 셀은 모두 상기 기판까지 노출된 영역(완전분리공정)에 의해 인접한 다른 LED 셀과 분리될 수도 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 교류구동 발광장치는, 기판과, 상기 기판 상면에 나란히 형성된 적어도 제1 및 제2 사다리망 회로 LED 어레이를 포함한다. 여기서, 상기 제1 및 제2 사다리망 회로형 LED 어레이 각각은,상기 기판 상면에 일렬로 배열된 K개(여기서, K는 3 이하의 정수임)의 제1 LED 셀과, 상기 기판 상면에 상기 제1 LED 셀의 열과 평행하게 일렬로 배열된 K개의 제2 LED 셀과, 상기 기판 상면에서 상기 제1 및 제2 LED 셀의 열 사이에 일렬로 배열된 K-1개의 제3 LED 셀을 포함한다.
상기 제1 및 제2 사다리망 회로형 LED 어레이는 각각의 제2 LED 셀의 열이 인접하도록 배열된다.
또한, 상기 각 사다리망 회로형 LED 어레이에서의 각 LED 셀의 연결형태의 경우에는, 특정 배열방향으로 상기 제1 내지 제3 LED 셀의 순서를 정의할 때에, m번째(여기서, m은 K보다 작은 홀수임) 제3 LED 셀의 제1 전극은 m번째와 m+1번째 제1 LED 셀의 제2 전극에 연결되고, m번째 제3 LED 셀의 제2 전극은 m 번째와 m+1번째 제2 LED 셀의 제1 전극에 연결되고, n번째(여기서, n은 K보다 작은 짝수임) 제3 LED 셀의 제1 전극은 n번째와 n+1번째 제2 LED 셀의 제2 전극에 연결되고, n번째 제3 LED 셀의 제2 전극은 n 번째와 n+1번째 제1 LED 셀의 제1 전극에 연결된다.
1 번째 제1 LED 셀의 제1 전극과 1 번째 제2 LED 셀의 제2 전극은 서로 연결되고, K 번째 제1 및 제2 LED 셀의 전극 중 제3 LED 셀에 연결되지 않은 전극은 서로 연결된다.
또한, 본 실시형태의 교류구동 발광장치는, 상기 제1 및 제2 사다리망 회로 형 LED 어레이 간의 연결을 위해서, 상기 제1 사다리망 회로형 LED 어레이의 K 번째 제2 LED 셀과 상기 제2 사다리망 회로형 LED 어레이의 K 번째의 제2 LED 셀 중 제3 LED 셀에 연결되지 않은 전극은 서로 연결된다.
바람직하게, 상기 각 사다리망 회로형 LED 어레이의 상기 제1 내지 제3 LED 셀은 상기 기판 상에 순차적으로 성장된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.
상기 각 사다리망 회로형 LED 어레이에서 상기 제1 및 제2 LED 셀의 개수(K)는 홀수인 경우에, 상기 제1 사다리망 회로형 LED 어레이의 K 번째 제2 LED 셀과 상기 제2 사다리망 회로형 LED 어레이의 K 번째의 제2 LED 셀은 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 영역에 의해 서로 분리되며, 하나의 제2 전극을 공유할 수 있다.
또한, 이와 유사한 형태로 적어도 하나의 제3 사다리망 회로 LED 어레이가 연결된 형태로 구현될 수 있다.
본 발명에 따르면, AC 구동을 위한 복잡한 사다리망 회로연결구조를 높은 집적도를 갖도록 최적화를 실현할 수 있는 교류구동 발광장치를 제공한다. 특히, 각 LED 셀의 높은 효율을 보장할 수 있으면서도 LED 셀 간의 연결형태를 간소화될 수 있도록 LED 셀의 배열을 실현하고 전극 위치 및 전극간의 연결방식을 제안함으로써 높은 양산성을 갖는 우수한 교류 구동형 발광장치를 제공할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 상세히 설명한다.
도1a는 본 발명의 일 실시형태(단위 배열)에 따른 LED 구동회로를 나타낸다.
도1a에 도시된 LED 구동회로는, 외부단자(P1,P2)로 제공되는 제1 및 제2 접점 사이에 서로 병렬로 연결된 3개의 제1 LED 셀(A1,A2,A3)과 3개의 제2 LED 셀(B1,B2,B3)과, 각 제1 LED 셀(A1,A2,A3) 사이의 2개의 중간접점과 제2 LED 셀(B1,B2,B3)의 2개의 중간접점 사이에 각각 연결된 2개의 제3 LED 셀(C1,C2)을 포함한다.
제1 내지 제3 LED 셀의 전극 간의 연결을 살펴 보면, 1번째 제3 LED 셀(C1)의 제1 전극(-)은 1번째와 2번째 제1 LED 셀(A1,A2)의 제2 전극(+)에 연결되고, 1번째 제3 LED 셀(C1)의 제2 전극(+)은 1번째와 2번째 제2 LED 셀(B1,B2)의 제1 전극(-)에 연결된다. 2번째 제3 LED 셀(C2)의 제1 전극(-)은 2번째와 3번째 제2 LED 셀(B2,B3)의 제2 전극(+)에 연결되고, 2번째 제3 LED 셀(C2)의 제2 전극(+)은 2번째와 3번째 제1 LED 셀(A2,A3)의 제1 전극(-)에 연결된다.
또한, 상기 제1 접점에는 1번째 제1 LED 셀(A1)의 제1 전극(-)과 1번째 제2 LED 셀(B1)의 제2 전극(+)이 연결되고, 상기 제2 접점에는 3번째 제1 LED 셀(A3)의 제2 전극(+)과 3번째 제2 LED 셀(B3)의 제1 전극(-)이 연결된다.
이러한 연결에 의해 도1a에 도시된 LED 구동회로는 교류전압의 서로 다른 반주기에 구동되도록 2개의 전류 루프를 가질 수 있다.
교류전압의 제1 반주기에서는, 직렬로 연결된 LED 셀의 그룹(B1-C1-A2-C2-B3)은 제1 전류루프를 형성한다. 교류전압의 제2 반주기에서는, 직렬로 연결된 LED 셀의 그룹(A3-C2-B2-C1-A1)은 제2 전류루프를 형성한다. 이러한 동작을 통해서, 2개의 제3 LED 셀(C1,C2)은 교류 전압의 전체 주기에 걸쳐서 연속적으로 구동될 수 있다.
실제로 사다리망 회로에서 연속적으로 발광되는 LED 소자를 5개(사용 LED 개수 대비 구동 LED 개수: 5/8=62.5%)로 확보할 수 있다. 이는 종래의 AC 구동형 LED 배열인 역극성 배열(50%) 또는 브릿지 배열(통상 60%)보다 향상된 수치이다.
본 발명은 도1a에 예시된 바와 같은 사다리망 LED 구동회로를 구현하는 레이아웃을 제공한다. 이러한 LED 셀의 레이아웃은 높은 집적도와 우수한 발광효율의 보장과 함께 전극간의 연결을 간소화하게 구현될 수 있다.
도1b는 본 발명의 일 예를 설명하기 위한 개략도로서, 도1a의 회로를 발광 장치로 구현하기 위한 LED 셀의 개략적인 레이아웃을 나타낸다.
도1b를 참조하면, 일렬로 3개의 제1 LED 셀(A1,A2,A3)이 배열되며, 이와 평행하게 3개의 제2 LED 셀(B1,B2,B3)이 배열된다. 상기 제1 및 제2 LED 셀 사이에는 2개의 제3 LED 셀(C1,C2)이 배열된다.
이러한 배열형태를 통해서 제3 LED 셀(C1,C2)을 기준으로 하여 다른 제1 및 제2 LED 셀과의 연결을 위한 배선(ac1, ac2, bc1, bc2)을 보다 간단하게 구현할 수 있다.
도1b에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 교류구동 발광장치는, 1 번째와 2번째 제1 LED 셀(A1,A2)의 제2 전극(+)과 1번째 제3 LED 셀(C1)의 제1 전극(-)을 연결하는 배선(ac1)과, 1번째와 2번째 제2 LED 셀(B1,B2)의 제1 전극(-)과 1번째 제3 LED 셀(C1)의 제2 전극(+)을 연결하는 배선(bc1)과, 2번째와 3번째 제1 LED 셀(A2,A3)의 제1 전극(-)과 2번째 제3 LED 셀(C2)의 제2 전극(+)을 연결하는 배선(ac2)과, 2번째와 3번째 제2 LED 셀(B2,B3)의 제2 전극(+)과 2번째 제3 LED 셀(C2)의 제1 전극(-)을 연결하는 배선을 갖는다. 이러한 셀 간의 배선은 에어브릿지(air-bridge) 또는 와이어 등의 공지된 형태의 배선으로 구현될 수 있다.
또한, 상기 제1 접점(P1)에는 1번째 제1 LED 셀(A1)의 제1 전극(-)과 1번째 제2 LED 셀(B1)의 제2 전극(+)이 연결되고, 상기 제2 접점(P2)에는 3번째 제1 LED 셀(A3)의 제2 전극(+)과 3번째 제2 LED 셀(B3)의 제1 전극(-)이 연결된다.
도2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광 장치를 나타내는 평면도이다. 도2는 도1b가 실제 구현된 바람직한 형태의 발광장치를 나타내는 것으로 이해할 수 있다.
도2에 도시된 교류구동형 발광장치는 4개의 변, 즉 제1 내지 제4 변(e1-e4)으로 이루어진 직사각형인 기판(31)을 포함한다.
상기 기판(31) 상면의 제1 변(e1)을 따라 3개의 제1 LED 셀(A1,A2,A3)이 나란히 배열되며, 상기 제1 변(e1)과 대향하는 제2 변(e2)을 따라 3개의 제2 LED 셀(B1,B2,B3)이 나란히 배열된다. 상기 제1 및 제2 LED 셀의 열 사이에는 2개의 제3 LED 셀(C1,C2)이 배열된다.
본 실시형태에 채용되는 제1 내지 3 LED 셀에서, 제1 및 제2 전극(37,37' 및 38)은 각각 해당 셀 상면에서 대향하는 양변에 인접하도록 배치된다. 또한, 상기 제1 및 제2 전극(37,37' 및 38)은 그 변에 따라 연장된 부분을 갖도록 형성된다. 이와 같이 상기 제1 및 제2 전극(37,37' 및 38)이 대향하는 양변에서 연장되도록 형성됨으로써 각 LED 셀의 전체 발광면적에서 더욱 균일한 전류분포를 도모할 수 있으며, 결과적으로 발광효율을 향상시킬 수 있다.
본 실시형태와 같이, 1번째의 제1 LED 셀(A1)은 상기 기판(31) 상면의 제3 변(e3)을 따라 1번째의 제2 LED 셀(B1)까지 연장되도록 형성될 수 있다. 또한, 마지막인 3번째의 제2 LED 셀(B3)은 상기 기판(31) 상면의 제4 변(e4)을 따라 3번째의 제1 LED 셀(A3)까지 연장되도록 형성될 수 있다. 이러한 셀의 크기와 형상을 조정함으로써 더욱 높은 집적도를 실현할 수 있다.
상기 교류구동 발광장치는 상기 1번째 제1 LED 셀(A1)의 제1 전극 및 상기 1번째 제2 LED 셀(B1)의 제2 전극에 연결된 제1 외부전극(P1)과, 3번째 제1 LED 셀(A3)의 제2 전극 및 3번째 제2 LED 셀(B3)의 제2 전극에 연결된 제2 외부전극(P2)을 갖는다.
바람직하게, 도2에 도시된 바와 같이, 상기 제1 외부전극(P1)은 상기 1번째의 제1 LED 셀(A1) 상에 위치하며, 상기 제2 외부전극(P2)은 상기 3번째의 제2 LED 셀(B3) 상에 위치할 수 있다. 연장된 LED 셀(A1,B3)이 다른 셀에 비해 상대적으로 넓은 발광면적을 갖도록 설계하기에 유리하므로, 외부전극을 위한 면적을 확보하기 용이할 수 있다. 또한, 특정 셀에 전압이 집중되는 것을 방지하기 위해서, 상기 제1 내지 제3 LED 셀은 거의 동일한 발광 면적을 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.
본 명세서에서 사용되는 "발광면적"이라는 용어는, 발광에 가담하는 면적을 의미하는 것으로서, 각 셀의 활성층 면적으로 이해할 수 있다.
도3a 내지 도3d는 도2에 도시된 발광 장치의 측단면도이다.
본 실시형태에 따른 교류 구동 발광장치의 제1 내지 제3 LED 셀은 상기 기판(31) 상에 순차적으로 성장된 제1 도전형 반도체층(34), 활성층(35) 및 제2 도전형 반도체층(36)으로부터 얻어질 수 있다. 즉, 기판(31) 전체 상면에 성장된 발광구조를 위한 제1 도전형 반도체층(34), 활성층(35) 및 제2 도전형 반도체층(36)을 적절한 분리공정을 통해 각 셀 단위로 분리시킴으로써 도1에 도시된 다수의 제1 내지 제3 LED 셀의 배열형태를 얻을 수 있다.
도3a 내지 도3d는 도2에 도시된 발광 장치의 측단면도이며, 바람직하게 채용될 수 있는 각 셀 단위의 분리형태를 나타내며, 각 도면을 통해서 도2에 도시된 구조를 보다 상세히 설명하기로 한다.
도3a는 도2에 도시된 발광장치를 X1-X1'선을 따라 절개해 본 단면도이다.
도3a를 참조하면, 1번째 제1 LED 셀(A1)과 2 번째 제1 LED 셀(A2)은 기판영역까지 노출시키는 완전분리공정(I1)에 의해 분리되는데 반하여, 2번째 제1 LED 셀(A2)과 3번째 제1 LED 셀(A3)은 제1 도전형 반도체층 영역까지만 노출시키는 반분리공정(I2)으로 구분될 수 있다. 바람직하게, 2번째 제1 LED 셀(A2)과 3번째 제1 LED 셀(A3)은 상기 제1 도전형 반도체층(34)의 노출된 영역에 형성된 제2 전극(37')을 공유할 수 있다.
이와 같이, 원하는 LED 구동회로가 유지되는 범위에서 부분적으로 반분리공정을 적용하고, 그 노출된 제1 도전형 반도체층영역에 제2 전극(37')을 형성하여 인접한 셀간의 공유 전극으로서 제공함으로써 공정을 단순화하고 집적화도를 보다 향상시킬 수 있다.
도3b는 도2에 도시된 발광장치를 X2-X2'선을 따라 절개해 본 단면도이다.
도3b에 도시된 바와 같이, 1번째 제1 LED 셀(A1)과 3 번째 제2 LED 셀(B3)은 완전분리공정(I1)에 의해 제3 LED 셀들(C1,C2)과 분리되며, 제2 LED 셀(B1,B2)은 서로 완전분리공정(I1)에 의해 분리된다.
도3c는 도2에 도시된 발광장치를 Y1-Y1'선을 따라 절개해 본 단면도이다.
도3c에 도시된 바와 같이, 제1 LED 셀(A1)과 제2 LED 셀(B3) 및 제3 LED 셀은 서로 완전분리공정(I1)에 의해 분리된다. 각 셀의 전극간의 배선(39)은 앞서 설명한 바와 같이 에어 브릿지 또는 와이어에 의해 구현될 수 있다.
도3d는 도2에 도시된 발광장치를 Y2-Y2'선을 따라 절개해 본 단면도이다.
도3d에 도시된 바와 같이, 1번째의 제1 LED 셀(A1)과 1번째 제2 LED 셀(B1)은 완전분리공정(I1)에 의해 분리된다. 이와 유사하게, 마지막인 3 번째의 제1 및 제3 LED 셀(A3,B3)의 분리 및 연결형태도 유사하게 이해될 수 있다.
물론, 본 실시형태와 달리,, 상기 제1 내지 제3 LED 셀은 모두 상기 기판까지 노출된 영역(완전분리공정)에 의해 인접한 다른 LED 셀과 분리되도록 형성될 수 있으며, 공유전극 없이 각 셀마다 개별 제1 및 제2 전극을 갖도록 형성할 수 있다.
도2에 도시된 바와 같이, 집적도를 향상시키고 다른 LED 셀의 전극간의 연결을 위한 배선이 짧은 길이를 갖도록, 상기 제3 LED 셀(C1,C2)은 전극이 연결된 2개의 제1 LED 셀(A1,A2/A2,A3)과 전극이 연결된 2개의 제2 LED 셀(B1,B2/B2,B3)과 인접하도록 배열되는 것이 바람직하다.
도2에 도시된 바와 같이, 상기 제3 LED 셀(C1,C2)은 각각 그 배열방향으로 기울어진 평행사변형인 상면을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 제3 LED 셀의 제1 및 제2 전극(37,38)은 각각 상기 제3 LED 셀 상면에서 경사진 양변에 인접하여 형성된 것이 바람직하다. 이러한 제3 LED 셀(C1,C2)의 설계는 전극배선연결을 더욱 짧게 구현할 수 있으며, 이로써 배선형성과정에서 발생할 수 있는 불량을 감소시킬 수있다.
배선연결이 더욱 간소하게 구현될 수 있도록, 상기 제1 LED 셀(A1,A2,A3)의 제1 및 제2 전극(37,38)은 각각 해당 LED 셀 상면에서 그 제1 LED 셀의 배열방향과 수직인 양 변에 인접하도록 형성되며, 상기 제2 LED 셀(B1,B2,B3)의 제1 및 제2 전극(37,38)은 각각 해당 LED 셀 상면에서 그 제2 LED 셀의 배열방향과 수직인 양 변에 인접하도록 형성된 것이 바람직하다.
이러한 배열형태는 다양하게 구현될 수 있으며, 예를 들어 도2에 도시된 형태 외에도 도4의 도시된 예로도 구현될 수 있다..
도4에 도시된 발광장치에서, 각 셀은 앞선 실시형태와 유사하게 기판 상에 제1 도전형 반도체층(44), 활성층(미도시) 및 제2 도전형 반도체층(46)을 순차적으로 형성한 후에, 적절한 셀단위의 분리공정을 통해 얻어진 구조일 수 있다. 각 셀단위 분리공정에 의해서 얻어진 형태는 도3a 내지 도3d에서 설명된 형태와 유사한 구조로 이해될 수 있다.
본 실시형태에서, 상기 제3 LED 셀(C1,C2)은 대향하는 2개의 장변과 대향하는 2개의 단변으로 이루어진 거의 직사각형인 상면을 갖는 형태로 제공된다. 물론 엄밀한 의미에서 직사각형만이 아니라, 더욱 높은 집적도를 갖도록 부분적으로 변형된 거의 직사각형을 포함하는 의미로 이해할 수 있다.
본 실시형태에서, 상기 제3 LED 셀(C1,C2)의 제1 및 제2 전극(47,48)은 각각 상기 직사각형인 상면 중 2개의 장변에 인접하도록 형성될 수 있다.
이 경우에, 상기 제3 LED 셀(C1,C2)은 그 장변이 상기 제3 LED 셀(C1,C2)의 배열방향과 거의 수직이 되도록 배열되는 것이 바람직하다.
또한 상기 제1 LED 셀(A1-A3)의 제1 및 제2 전극(47,48)은 각각 상기 제1 LED 셀(A1-A3) 상면에서 그 제1 LED 셀의 배열방향과 평행인 양 변에 인접하도록 형성되고, 상기 제2 LED 셀(B1-B3)의 제1 및 제2 전극(47,48)은 각각 상기 제2 LED 셀(B1-B3) 상면에서 그 제2 LED 셀의 배열방향과 평행인 양 변에 인접하도록 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 보다 용이한 이해를 위해서, 제1 및 제2 LED 셀이 3개이고, 제3 LED 셀의 1개인 발광장치를 예시하여 설명하였으나, 더 많은 수의 LED 셀을 갖는 실시형태에서도 유사하게 적용될 수 있다.
본 발명은 특정 셀의 개수로 정의하지 않고 일반화하면 아래와 같이 표현될 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 교류 구동 발광장치에서, 제1 및 제2 LED 셀은 K개(여기서, K는 3 이하의 정수임)이고 서로 나란히 열을 형성하도록 배열된 형태이며, 제3 LED 셀은 K-1개이고 제1 및 제2 LED 셀의 열 사이에 배열된 형태일 수 있다. 이 경우에, 제1 내지 제3 LED 셀의 전극연결은 아래와 같이 표현될 수 있다.
특정 배열방향으로 상기 제1 내지 제3 LED 셀의 순서로 정의할 때에, m번째(여기서, m은 K보다 작은 홀수임) 제3 LED 셀의 제1 전극은 m번째와 m+1번째 제1 LED 셀의 제2 전극에 연결되고, m번째 제3 LED 셀의 제2 전극은 m 번째와 m+1번째 제2 LED 셀의 제1 전극에 연결된다. n번째(여기서, n은 K보다 작은 짝수임) 제3 LED 셀의 제1 전극은 n번째와 n+1번째 제2 LED 셀의 제2 전극에 연결되고, n번째 제3 LED 셀의 제2 전극은 n 번째와 n+1번째 제1 LED 셀의 제1 전극에 연결된다.
1번째 제1 LED 셀의 제1 전극과 1번째 제2 LED 셀의 제2 전극에 서로 연결되어 제1 외부전극으로 제공될 접점을 형성하고, 마지막인 K 번째에 해당되는 제1 및 제2 LED 셀의 전극 중 제3 LED 셀에 연결되지 않은 전극에 서로 연결되어 제2 외부전극으로 제공될 접점을 형성한다.
또한, 도3a 내지 도3d에서 설명된 셀간의 분리형태는, 아래와 같이 일반화되어 설명될 수 있다.
즉, m 번째 제2 LED 셀과 m+1번째 제2 LED 셀의 모든 쌍은 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 영역에 의해 서로 분리되고, 상기 제1 도전형 반도체층의 노출된 영역에 형성된 하나의 제2 전극을 공유하도록 설계할 수 있다. 이와 유사하게, n 번째 제1 LED 셀과 n+1번째 제1 LED 셀의 모든 쌍은 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 영역에 의해 서로 분리되며, 상기 제1 도전형 반도체층의 노출된 영역에 형성된 하나의 제2 전극을 공유하도록 설계할 수 있다.
이 경우에, 나머지 다른 인접한 제1 내지 제3 LED 셀은 상기 기판영역까지 노출된 완전분리공정을 통해서 분리하는 것이 바람직하다.
도5은 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 발광장치를 나타내는 평면도이며, 도6은 도5에 도시된 발광장치의 등가회로를 나타낸다.
도5에 도시된 발광장치(100)는, 기판(101)과 그 기판(101) 상에 나란히 형성된 제1 내지 제3 사다리망 회로 LED 어레이(110,120,130)를 포함한다. 상기 제1 내지 제3 사다리망 회로 LED 어레이(110,120,130)는 각각 일변으로부터 대향하는 다른 변을 향해 배열된다(점선방향 참조).
상기 제1 내지 제3 사다리망 회로 LED 어레이(110,120,130) 각각은 기판(101) 상면에 일렬로 배열된 13개의 제1 LED 셀(110A,120A,130A) 및 제2 LED 셀(110B,120B,130B)과, 상기 기판(100) 상면에서 상기 제1 및 제2 LED 셀(110A,120A,130A와 110B,120B,130B)의 열 사이에 그 열들과 평행하게 일렬로 배열된 12개의 제3 LED 셀(110C,120C,130C)을 포함한다.
또한, 상기 제1 내지 제3 사다리망 회로 LED 어레이(110,120,130)는, 사다리망 회로를 구현하기 위한 제1 내지 3 LED 셀간의 연결형태를 갖는다. 이러한 연결형태는 도2에 예시된 LED 셀 간의 연결과 유사한 방식으로 구현될 수 있다.
이하, 본 실시형태에서 채용된 LED 셀간의 연결을 보다 용이하게 설명하기 위해서, 상기 복수의 제1 내지 제3 LED 셀을 각각 특정 배열방향(여기서는 우측에 서 좌측으로의 방향)으로의 순서로 지칭한다.
m번째(여기서, m은 13보다 작은 홀수임) 제3 LED 셀(110C,120C,130C)의 제1 전극(117,127,137)은 m번째와 m+1번째 제1 LED 셀(110A,120A,130A)의 제2 전극(118,128,138)에 연결된다. m번째 제3 LED 셀(110C,120C,130C)의 제2 전극(118,128,138)은 m 번째와 m+1번째 제2 LED 셀(110B,120B,130B)의 제1 전극(117,127,137)에 연결된다.
n번째(여기서, n은 13보다 작은 짝수임) 제3 LED 셀(110C,120C,130C)의 제1 전극(117,127,137)은 n번째와 n+1번째 제2 LED 셀(110B,120B,130B)의 제2 전극(118,128,138)에 연결된다. n번째 제3 LED 셀(110C,120C,130C)의 제2 전극(118,128,138)은 n 번째와 n+1번째 제1 LED 셀(110A,120A,130A)의 제1 전극(117,127,137)에 연결된다.
1번째 제1 LED 셀의 제1 전극과 1번째 제2 LED 셀의 제2 전극은 서로 연결되고, 마직막 번째 제1 및 제2 LED 셀의 전극 중 제3 LED 셀에 연결되지 않은 전극, 즉 13번째 제1 LED 셀의 제2 전극과 제13번째 제2 LED 셀의 제1 전극은 서로 연결된다.
이러한 LED 셀의 전극간의 연결은 배선수단(119,129,139)으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 공지된 배선수단으로는 이에 한정되지는 않으나, 에어브릿지 또는 와이어 등이 있을 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 도2 및 도3a 내지 도3d에 도시되어 설명된 사항은 본 실시형태와 모순되지 않는 한 본 실시형태에 대한 설명으로 결합되어 이해될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 내지 제3 LED 셀은 모두 기판(101) 상에 순차적으로 성장된 제1 도전형 반도체층(104), 활성층(105) 및 제2 도전형 반도체층(106)의 적층체를 적절한 분리공정을 통해 얻어진 구조일 수 있다(도7a 내지 도7c 참조). 또한, 제1 및 제3 LED 셀은 제1 전극이 인접한 2개의 셀 단위로 공유되도록 제1 도전형 반도체층까지만 노출되도록 분리될 수 있다(도3a 참조).
또한, 제3 LED 셀(110C,120C,130C)은 도시된 바와 같이 각각 그 배열방향으로 기울어진 평행사변형인 상면을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 제3 LED 셀(110C,120C,130C)의 제1 및 제2 전극(117,127,137과 118,128,138)은 각각 상기 제3 LED 셀 상면에서 경사진 양변에 인접하여 형성된 것이 바람직하다. 이러한 제3 LED 셀(110C,120C,130C)의 설계는 전극배선을 단축시킬 수 있다.
나아가, 배선연결이 더욱 간소하게 구현될 수 있도록, 상기 제1 LED 셀(110A,120A,130A)의 제1 및 제2 전극(117,127,137과 118,128,138)은 각각 해당 LED 셀 상면에서 그 제1 LED 셀의 배열방향과 수직인 양 변에 인접하도록 형성되며, 상기 제2 LED 셀(110C,120C,130C)의 제1 및 제2 전극(117,127,137과 118,128,138)은 각각 해당 LED 셀 상면에서 그 제2 LED 셀의 배열방향과 수직인 양 변에 인접하도록 형성된 것이 바람직하다.
본 실시형태에서, 상기 제2 사다리망 회로 LED 어레이(120)는 상기 제1 및 제3 사다리망 회로 LED 어레이(110,130) 사이에 위치하도록 배열된다.
바람직하게, 상기 제1 및 제2 사다리망 회로형 LED 어레이(110, 120)는 각각의 제2 LED 셀(110B,120B)의 열이 서로 인접하도록 배열되며, 상기 제2 및 제3 사다리망 회로형 LED 어레이(120, 130)는 각각의 제1 LED 셀(120A,130A)의 열이 서로 인접하도록 배열된다.
이러한 배열을 통해 아래에서 설명된 사다리망 회로간의 연결을 용이하게 구현할 수 있다. 즉, 본 실시형태에서, 상기 제2 사다리망 회로 LED 어레이(120)는 양단에서 인접한 제1 및 제3 사다리망 회로 LED 어레이(110,130)와 전기적으로 연결된다.
도7a 내지 도7c는 도6에 도시된 발광장치의 사다리망 회로 열의 연결부(A)를 나타내는 평면도 및 측단면도이다.
상기 제1 사다리망 회로형 LED 어레이(110)의 13번째 제2 LED 셀(110B) 중 제3 LED 셀(110C)에 연결되지 않은 전극(즉, 본 실시형태에서는 제1 전극(117))과, 상기 제2 사다리망 회로형 LED 어레이(120)의 13번째의 제2 LED 셀(120B) 중 제3 LED 셀(120C)에 연결되지 않은 전극(즉, 본 실시형태에서는 제1 전극(127))은 서로 연결된다.
이와 유사하게, 상기 제2 사다리망 회로형 LED 어레이(120)의 1번째 제1 LED 셀(120A) 중 제3 LED 셀(110C)에 연결되지 않은 전극(즉, 본 실시형태에서는 제1 전극(127))과, 상기 제2 사다리망 회로형 LED 어레이(130)의 13번째의 제1 LED 셀(130A) 중 제3 LED 셀(130C)에 연결되지 않은 전극(즉, 본 실시형태에서는 제1 전극(137))은 서로 연결된다.
본 실시형태에서는 제2 전극을 통해서 서로 연결된 형태를 갖는다. 이 경우에 사다리망 회로간의 연결전극을 공통전극형태로 구현하여 사다리망회로간 연결을 용이하게 구현할 수 있다.
도7a 내지 도7c에 도시된 바와 같이, 상기 제1 사다리망 회로형 LED 어레이(110)의 13번째 제2 LED 셀(110B)과, 상기 제2 사다리망 회로형 LED 어레이(120)의 13번째의 제2 LED 셀(120B)은 상면에서 볼 때에 T자 형으로 제1 도전형 반도체층(104)까지만 노출되도록 반분리공정을 통해 분리되어 얻어질 수 있다. 또한, 상기 노출된 영역 중 기판의 일변영역에 인접한 부분에 제1 공통 전극(107)을 형성하여 두 LED 셀이 서로 공유하도록 형성하는 동시에, 앞선 설명된 사다리망 회로간의 연결을 실현할 수 있다.
이와 유사하게, 상기 제2 사다리망 회로형 LED 어레이(120)의 1번째 제2 LED 셀(120B)과, 상기 제3 사다리망 회로형 LED 어레이(130)의 1번째의 제2 LED 셀(130B)은 상면에서 볼 때에 T자 형으로 제1 도전형 반도체층(104)까지만 노출되도록 반분리공정을 통해 분리되어 얻어질 수 있다. 또한, 상기 노출된 영역 중 기판의 일변영역에 인접한 부분에 제1 공유 전극(107)을 형성하여 두 LED 셀이 서로 공유하도록 형성하는 동시에, 앞선 설명된 사다리망 회로간의 연결을 실현할 수 있다.
이로써 도6에 도시된 등가회로와 같이, 제1 내지 제3 사다리망 회로(110,120,130)는 나란히 연결되어 원하는 사다리망 회로형태의 교류구동형 발광장치를 구현할 수 있다.
본 실시형태에서는, 3개의 사다리망 회로 LED 어레이를 갖는 발광장치를 예시하였으나, 사다리망 회로 LED 어레이의 수에 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 발명은 2개의 사다리망 회로 LED 어레이만을 갖는 형태로도 구현될 수 있으며, 4개 이상의 사다리망 회로 LED 어레이로 구현될 수도 있다. 물론, 각 사다리망 회로 LED 어레이에 속하는 LED 셀의 수도 도시된 형태에 한정되지 않는 것은 당업자에게 자명할 것이다.
이와 같이, 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.
도1a는 본 발명의 일 실시형태(단위 배열)에 따른 LED 구동회로를 나타낸다.
도1a는 본 발명의 일 실시형태(단위 배열)에 따른 LED 구동회로를 나타낸다.
도1b는 도1a의 회로에 따른 발광 장치를 구현하기 위한 LED 셀의 배열을 나타낸다.
도2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광 장치를 나타내는 평면도이다.
도3a 내지 도3d는 도2에 도시된 발광 장치의 측단면도이다.
도4는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 발광 장치를 나타내는 평면도이다.
도5은 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 발광장치를 나타내는 평면도이다.
도6은 도5에 도시된 발광장치의 등가회로를 나타낸다.
도7a 내지 도7c는 도6에 도시된 발광장치의 사다리망 회로 열의 연결부(A)를 나타내는 평면도 및 측단면도이다.

Claims (25)

  1. 기판;
    상기 기판 상면에 일렬로 배열된 K개(여기서, K는 3 이하의 정수임)의 제1 LED 셀;
    상기 기판 상면에 상기 제1 LED셀의 열과 평행하게 일렬로 배열된 K개의 제2 LED 셀; 및
    상기 기판 상면에서 상기 제1 및 제2 LED 셀의 열 사이에 일렬로 배열된 K-1개의 제3 LED 셀을 포함하며,
    특정 배열방향으로 상기 제1 내지 제3 LED 셀의 순서로 정의할 때에,
    m번째(여기서, m은 K보다 작은 홀수임) 제3 LED 셀의 제1 전극은 m번째와 m+1번째 제1 LED 셀의 제2 전극에 연결되고, m번째 제3 LED 셀의 제2 전극은 m 번째와 m+1번째 제2 LED 셀의 제1 전극에 연결되고,
    n번째(여기서, n은 K보다 작은 짝수임) 제3 LED 셀의 제1 전극은 n번째와 n+1번째 제2 LED 셀의 제2 전극에 연결되고, n번째 제3 LED 셀의 제2 전극은 n 번째와 n+1번째 제1 LED 셀의 제1 전극에 연결되며,
    1 번째 제1 LED 셀의 제1 전극과 1 번째 제2 LED 셀의 제2 전극에 연결된 제1 외부전극과, K 번째 제1 및 제2 LED 셀의 전극 중 제3 LED 셀에 연결되지 않은 전극에 연결된 제2 외부전극을 더 포함하고,
    상기 제1 내지 제3 LED 셀의 제1 및 제2 전극은 각각 해당 셀 상면에서 대향하는 양변에 인접하도록 위치하며, 해당 변에 따라 연장된 부분을 갖는 교류구동 발광장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 상면은, 제1 내지 제4변으로 이루어진 직사각형이며,
    상기 제1 및 제2 LED 셀은 각각 상기 제1 및 제2변을 따라 나란히 배열되고, 상기 1번째의 제1 및 제2 LED 셀은 상기 제3변에 인접하고, 상기 K번째의 제1 및 제2 LED 셀은 상기 제4변에 인접하도록 배열되는 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 변은 상기 제3 및 제4 변보다 긴 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제3 LED 셀은 전극이 연결된 2개의 제1 LED 셀과 전극이 연결된 2개의 제2 LED 셀과 인접하도록 배열된 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제3 LED 셀은 각각 그 배열방향으로 기울어진 평행사변형인 상면을 갖는 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제3 LED 셀의 제1 및 제2 전극은 각각 상기 제3 LED 셀 상면에서 경사진 양변에 인접하여 형성된 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 LED 셀의 제1 및 제2 전극은 각각 상기 제1 LED 셀 상면에서 그 제1 LED 셀의 배열방향과 수직인 양 변에 인접하도록 형성되며, 상기 제2 LED 셀의 제1 및 제2 전극은 각각 상기 제2 LED 셀 상면에서 그 제2 LED 셀의 배열방향과 수직인 양 변에 인접하도록 형성된 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제3 LED 셀은, 대향하는 2개의 장변과 대향하는 2개의 단변으로 이루어진 직사각형인 상면을 갖는 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제3 LED 셀의 제1 및 제2 전극은 각각 상기 직사각형인 상면 중 2개의 장변에 인접하도록 형성된 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제3 LED 셀은 그 장변이 상기 제3 LED 셀의 배열방향과 수직이 되도록 배열되며,
    상기 제1 LED 셀의 제1 및 제2 전극은 각각 상기 제1 LED 셀 상면에서 그 제1 LED 셀의 배열방향과 평행인 양 변에 인접하도록 형성되며, 상기 제2 LED 셀의 제1 및 제2 전극은 각각 상기 제2 LED 셀 상면에서 그 제2 LED 셀의 배열방향과 평행인 양 변에 인접하도록 형성된 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치.
  12. 기판;
    상기 기판 상면에 일렬로 배열된 K개(여기서, K는 3 이하의 정수임)의 제1 LED 셀;
    상기 기판 상면에 상기 제1 LED셀의 열과 평행하게 일렬로 배열된 K개의 제2 LED 셀; 및
    상기 기판 상면에서 상기 제1 및 제2 LED 셀의 열 사이에 일렬로 배열된 K-1개의 제3 LED 셀을 포함하며,
    특정 배열방향으로 상기 제1 내지 제3 LED 셀의 순서로 정의할 때에,
    m번째(여기서, m은 K보다 작은 홀수임) 제3 LED 셀의 제1 전극은 m번째와 m+1번째 제1 LED 셀의 제2 전극에 연결되고, m번째 제3 LED 셀의 제2 전극은 m 번째와 m+1번째 제2 LED 셀의 제1 전극에 연결되고,
    n번째(여기서, n은 K보다 작은 짝수임) 제3 LED 셀의 제1 전극은 n번째와 n+1번째 제2 LED 셀의 제2 전극에 연결되고, n번째 제3 LED 셀의 제2 전극은 n 번째와 n+1번째 제1 LED 셀의 제1 전극에 연결되며,
    1 번째 제1 LED 셀의 제1 전극과 1 번째 제2 LED 셀의 제2 전극에 연결된 제1 외부전극과, K 번째 제1 및 제2 LED 셀의 전극 중 제3 LED 셀에 연결되지 않은 전극에 연결된 제2 외부전극을 더 포함하고,
    상기 1 번째의 제1 LED 셀은 상기 기판 상면의 제3 변을 따라 상기 1 번째의 제2 LED 셀에 인접하도록 연장되며,
    상기 K 번째의 제2 LED 셀은 상기 기판 상면의 제4 변을 따라 상기 K 번째의 제1 LED 셀에 인접하도록 연장된 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치,
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 외부 전극은 상기 1번째의 제1 LED 셀 상에 위치하며, 상기 제2 외부 전극은 상기 K 번째의 제2 LED 셀 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 LED 셀은 동일한 발광 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 LED 셀은 각각 상기 기판 상에 순차적으로 성장된 제1 도 전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치.
  16. 제15항에 있어서,
    m 번째 제2 LED 셀과 m+1번째 제2 LED 셀 중 적어도 한 쌍은, 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 영역에 의해 서로 분리되고, 상기 제1 도전형 반도체층의 노출된 영역에 형성된 하나의 제2 전극을 공유하는 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치.
  17. 제15항 또는 제16항에 있어서,
    n 번째 제1 LED 셀과 n+1번째 제1 LED 셀 중 적어도 한 쌍은, 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 영역에 의해 서로 분리되며, 상기 제1 도전형 반도체층의 노출된 영역에 형성된 하나의 제2 전극을 공유하는 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치.
  18. 제17항에 있어서,
    m 번째 제2 LED 셀과 m+1번째 제2 LED 셀의 모든 쌍은 상기 제1 도전형 반도 체층이 노출된 영역에 의해 서로 분리되고, 상기 제1 도전형 반도체층의 노출된 영역에 형성된 하나의 제2 전극을 공유하며,
    n 번째 제1 LED 셀과 n+1번째 제1 LED 셀의 모든 쌍은 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 영역에 의해 서로 분리되며, 상기 제1 도전형 반도체층의 노출된 영역에 형성된 하나의 제2 전극을 공유하고,
    나머지 다른 인접한 제1 내지 제3 LED 셀은 상기 기판까지 노출된 영역에 의해 분리된 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치.
  19. 기판;
    상기 기판 상면에 일렬로 배열된 K개(여기서, K는 3 이하의 정수임)의 제1 LED 셀;
    상기 기판 상면에 상기 제1 LED셀의 열과 평행하게 일렬로 배열된 K개의 제2 LED 셀; 및
    상기 기판 상면에서 상기 제1 및 제2 LED 셀의 열 사이에 일렬로 배열된 K-1개의 제3 LED 셀을 포함하며,
    특정 배열방향으로 상기 제1 내지 제3 LED 셀의 순서로 정의할 때에,
    m번째(여기서, m은 K보다 작은 홀수임) 제3 LED 셀의 제1 전극은 m번째와 m+1번째 제1 LED 셀의 제2 전극에 연결되고, m번째 제3 LED 셀의 제2 전극은 m 번째와 m+1번째 제2 LED 셀의 제1 전극에 연결되고,
    n번째(여기서, n은 K보다 작은 짝수임) 제3 LED 셀의 제1 전극은 n번째와 n+1번째 제2 LED 셀의 제2 전극에 연결되고, n번째 제3 LED 셀의 제2 전극은 n 번째와 n+1번째 제1 LED 셀의 제1 전극에 연결되며,
    1 번째 제1 LED 셀의 제1 전극과 1 번째 제2 LED 셀의 제2 전극에 연결된 제1 외부전극과, K 번째 제1 및 제2 LED 셀의 전극 중 제3 LED 셀에 연결되지 않은 전극에 연결된 제2 외부전극을 더 포함하고,
    상기 제1 내지 제3 LED 셀은 모두 상기 기판까지 노출된 영역에 의해 인접한 다른 LED 셀과 분리되는 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치.
  20. 기판; 및
    상기 기판 상면에 나란히 형성된 적어도 제1 및 제2 사다리망 회로 LED 어레이를 포함하며,
    상기 제1 및 제2 사다리망 회로형 LED 어레이 각각은,
    상기 기판 상면에 일렬로 배열된 K개(여기서, K는 3 이하의 정수임)의 제1 LED 셀과, 상기 기판 상면에 상기 제1 LED 셀의 열과 평행하게 일렬로 배열된 K개 의 제2 LED 셀과, 상기 기판 상면에서 상기 제1 및 제2 LED 셀의 열 사이에 일렬로 배열된 K-1개의 제3 LED 셀을 포함하며,
    상기 제1 및 제2 사다리망 회로형 LED 어레이는 각각의 제2 LED 셀의 열이 서로 인접하도록 배열되고,
    특정 배열방향으로 상기 제1 내지 제3 LED 셀의 순서를 정의할 때에,
    m번째(여기서, m은 K보다 작은 홀수임) 제3 LED 셀의 제1 전극은 m번째와 m+1번째 제1 LED 셀의 제2 전극에 연결되고, m번째 제3 LED 셀의 제2 전극은 m 번째와 m+1번째 제2 LED 셀의 제1 전극에 연결되고,
    n번째(여기서, n은 K보다 작은 짝수임) 제3 LED 셀의 제1 전극은 n번째와 n+1번째 제2 LED 셀의 제2 전극에 연결되고, n번째 제3 LED 셀의 제2 전극은 n 번째와 n+1번째 제1 LED 셀의 제1 전극에 연결되며,
    1 번째 제1 LED 셀의 제1 전극과 1 번째 제2 LED 셀의 제2 전극은 서로 연결되고, K 번째 제1 및 제2 LED 셀의 전극 중 제3 LED 셀에 연결되지 않은 전극은 서로 연결되고,
    상기 제1 사다리망 회로형 LED 어레이의 K 번째 제2 LED 셀과 상기 제2 사다리망 회로형 LED 어레이의 K 번째의 제2 LED 셀 중 제3 LED 셀에 연결되지 않은 전극은 서로 연결된 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 각 사다리망 회로형 LED 어레이의 상기 제1 내지 제3 LED 셀은 상기 기판 상에 순차적으로 성장된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 각 사다리망 회로형 LED 어레이에서 상기 제1 및 제2 LED 셀의 개수(K)는 홀수이며,
    상기 제1 사다리망 회로형 LED 어레이의 K 번째 제2 LED 셀과 상기 제2 사다리망 회로형 LED 어레이의 K 번째의 제2 LED 셀은 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 영역에 의해 서로 분리되며, 하나의 제2 전극을 공유하는 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치.
  23. 제20항에 있어서,
    상기 기판 상면에 일렬로 배열된 K개(여기서, K는 3 이하의 정수임)의 제1 LED 셀과, 상기 기판 상면에 상기 제1 LED셀의 열과 평행하게 일렬로 배열된 K개의 제2 LED 셀과, 상기 기판 상면에서 상기 제1 및 제2 LED 셀의 열 사이에 일렬로 배열된 K-1개의 제3 LED 셀을 포함하며, 상기 제1 사다리망 회로 LED 어레이에서의 제1 내지 제3 LED 셀의 전극 연결형태와 동일한 형태의 전극연결형태를 갖는 제3 사다리망 회로형 LED 어레이를 더 포함하며,
    상기 제3 사다리망 회로형 LED 어레이의 제1 LED 셀은 상기 제2 사다리망 회로형 LED 어레이의 제1 LED 셀과 인접하여 나란히 배열되고,
    상기 제2 사다리망 회로형 LED 어레이의 1번째의 제1 LED 셀과 상기 제2 사다리망 회로형 LED 어레이의 1번째의 제1 LED 셀 중 제3 LED 셀에 연결되지 않은 전극은 서로 연결된 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 각 사다리망 회로형 LED 어레이의 제1 내지 제3 LED 셀은 상기 기판 상에 순차적으로 성장된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 각 사다리망 회로형 LED 어레이에서 상기 제1 및 제2 LED 셀의 개수(K)는 홀수이며,
    상기 제1 사다리망 회로형 LED 어레이의 K 번째의 제2 LED 셀과 상기 제2 사다리망 회로형 LED 어레이의 K 번째의 제2 LED 셀은 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 영역에 의해 서로 분리되며, 하나의 제2 전극을 공유하며,
    상기 제1 사다리망 회로형 LED 어레이의 1번째의 제1 LED 셀과 상기 제2 사다리망 회로형 LED 어레이의 1번째의 제1 LED 셀은 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 영역에 의해 서로 분리되며, 하나의 제2 전극을 공유하는 것을 특징으로 하는 교류구동 발광장치.
KR1020080063127A 2008-06-30 2008-06-30 교류 구동 발광 장치 KR101025972B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080063127A KR101025972B1 (ko) 2008-06-30 2008-06-30 교류 구동 발광 장치
US12/265,357 US8040050B2 (en) 2008-06-30 2008-11-05 AC driven light emitting device
JP2008291548A JP4864068B2 (ja) 2008-06-30 2008-11-13 交流駆動発光装置
US13/237,564 US8188654B2 (en) 2008-06-30 2011-09-20 AC driven light emitting device
JP2011244688A JP5311355B2 (ja) 2008-06-30 2011-11-08 交流駆動発光装置
US13/482,781 US8754578B2 (en) 2008-06-30 2012-05-29 AC driven light emitting device connection structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080063127A KR101025972B1 (ko) 2008-06-30 2008-06-30 교류 구동 발광 장치

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100102599A Division KR101361109B1 (ko) 2010-10-20 2010-10-20 교류 구동 발광 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100003033A KR20100003033A (ko) 2010-01-07
KR101025972B1 true KR101025972B1 (ko) 2011-03-30

Family

ID=41446544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080063127A KR101025972B1 (ko) 2008-06-30 2008-06-30 교류 구동 발광 장치

Country Status (3)

Country Link
US (3) US8040050B2 (ko)
JP (2) JP4864068B2 (ko)
KR (1) KR101025972B1 (ko)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7768020B2 (en) 2007-03-13 2010-08-03 Seoul Opto Device Co., Ltd. AC light emitting diode
KR100956224B1 (ko) * 2008-06-30 2010-05-04 삼성엘이디 주식회사 Ｌｅｄ 구동회로 및 ｌｅｄ 어레이 장치
KR101025972B1 (ko) * 2008-06-30 2011-03-30 삼성엘이디 주식회사 교류 구동 발광 장치
CN101800219B (zh) * 2009-02-09 2019-09-17 晶元光电股份有限公司 发光元件
TWI533474B (zh) * 2009-10-20 2016-05-11 晶元光電股份有限公司 光電元件
US9324691B2 (en) * 2009-10-20 2016-04-26 Epistar Corporation Optoelectronic device
WO2011115361A2 (ko) 2010-03-15 2011-09-22 서울옵토디바이스주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 장치
KR101649267B1 (ko) * 2010-04-30 2016-08-18 서울바이오시스 주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드
CN102340904B (zh) 2010-07-14 2015-06-17 通用电气公司 发光二极管驱动装置及其驱动方法
DE102010047450A1 (de) 2010-10-04 2012-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtvorrichtung
TWI451555B (zh) * 2010-10-25 2014-09-01 Epistar Corp 整流單元、發光二極體元件及其組合
DE102011102032A1 (de) * 2011-05-19 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleitermodul und Display mit einer Mehrzahl derartiger Module
KR20140059985A (ko) * 2012-11-09 2014-05-19 엘지이노텍 주식회사 발광소자
US9269745B2 (en) * 2012-11-23 2016-02-23 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode having a plurality of light emitting units
KR101992366B1 (ko) 2012-12-27 2019-06-24 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
JP6176032B2 (ja) * 2013-01-30 2017-08-09 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
EP2830094B1 (en) 2013-07-22 2020-02-26 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device
TWD169527S (zh) * 2014-08-20 2015-08-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件之部分
CN110676286B (zh) * 2015-02-13 2024-01-19 首尔伟傲世有限公司 发光元件以及发光二极管
KR102239626B1 (ko) * 2015-03-06 2021-04-12 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
US9905729B2 (en) * 2015-03-27 2018-02-27 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode
US9601674B2 (en) * 2015-08-13 2017-03-21 Epistar Corporation Light-emitting device
KR20210144483A (ko) 2020-05-22 2021-11-30 삼성전자주식회사 발광 장치 및 운송 수단용 헤드램프

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006203182A (ja) 2005-01-19 2006-08-03 Samsung Electro Mech Co Ltd Ｌｅｄアレイ回路
KR100675774B1 (ko) 2004-08-31 2007-01-29 인더스트리얼 테크놀로지 리써치 인스티튜트 Ａｃ 발광 다이오드
JP2007173549A (ja) 2005-12-22 2007-07-05 Rohm Co Ltd 発光装置
KR100843402B1 (ko) * 2007-06-22 2008-07-03 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 구동회로 및 ｌｅｄ 어레이 장치

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH088069A (ja) 1994-04-21 1996-01-12 Takaaki Ikeda ソーラーサイン
JP3497741B2 (ja) * 1998-09-25 2004-02-16 株式会社東芝 半導体発光装置及び半導体発光装置の駆動方法
JP3822545B2 (ja) 2002-04-12 2006-09-20 士郎 酒井 発光装置
EP1892764B1 (en) 2002-08-29 2016-03-09 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light-emitting device having light-emitting diodes
US6957899B2 (en) * 2002-10-24 2005-10-25 Hongxing Jiang Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
KR100616595B1 (ko) 2004-07-02 2006-08-28 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 이를 구비한 광원
KR20060028009A (ko) 2004-09-24 2006-03-29 삼성전자주식회사 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 로딩방법 및 언로딩 방법
US7138770B2 (en) 2004-12-27 2006-11-21 Top Union Globaltek Inc. LED driving circuit
KR101121726B1 (ko) 2005-02-03 2012-03-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
US7474681B2 (en) 2005-05-13 2009-01-06 Industrial Technology Research Institute Alternating current light-emitting device
TW200640045A (en) 2005-05-13 2006-11-16 Ind Tech Res Inst Alternating current light-emitting device
JP4945112B2 (ja) 2005-10-28 2012-06-06 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ照明装置
JP2007173548A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Rohm Co Ltd 発光装置及び照明器具
KR101236238B1 (ko) 2006-03-15 2013-02-22 엘지디스플레이 주식회사 엘이디 백라이트 구동회로
KR20070095041A (ko) * 2006-03-20 2007-09-28 삼성전기주식회사 교류 전압용 발광 소자 유닛
KR101025972B1 (ko) * 2008-06-30 2011-03-30 삼성엘이디 주식회사 교류 구동 발광 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100675774B1 (ko) 2004-08-31 2007-01-29 인더스트리얼 테크놀로지 리써치 인스티튜트 Ａｃ 발광 다이오드
JP2006203182A (ja) 2005-01-19 2006-08-03 Samsung Electro Mech Co Ltd Ｌｅｄアレイ回路
JP2007173549A (ja) 2005-12-22 2007-07-05 Rohm Co Ltd 発光装置
KR100843402B1 (ko) * 2007-06-22 2008-07-03 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 구동회로 및 ｌｅｄ 어레이 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US8188654B2 (en) 2012-05-29
KR20100003033A (ko) 2010-01-07
US20090322241A1 (en) 2009-12-31
JP2012028821A (ja) 2012-02-09
JP4864068B2 (ja) 2012-01-25
US8754578B2 (en) 2014-06-17
JP5311355B2 (ja) 2013-10-09
US20120235584A1 (en) 2012-09-20
US20120007499A1 (en) 2012-01-12
US8040050B2 (en) 2011-10-18
JP2010016333A (ja) 2010-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101025972B1 (ko) 교류 구동 발광 장치
KR100961110B1 (ko) 교류구동 발광장치
US9252326B2 (en) Light emitting device having a plurality of light emitting cells
KR100966372B1 (ko) 모놀리식 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법
US9368548B2 (en) AC light emitting diode and method for fabricating the same
US8188489B2 (en) Light emitting diode for AC operation
US20110298382A1 (en) Light emitting diode driving circuit and light emitting diode array device
KR20110098874A (ko) 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
US8736181B2 (en) AC driven light emitting device
KR20130045793A (ko) 발광 다이오드 어레이
KR101361109B1 (ko) 교류 구동 발광 장치
KR101038808B1 (ko) 교류구동 백색 발광장치
KR20060020089A (ko) 다수의 셀이 결합된 발광 소자
KR100998014B1 (ko) 교류구동 발광장치
EP3993029A1 (en) Light-emitting module having plurality of light-emitting diode chips connected in series and parallel
KR20070062731A (ko) 다수개의 발광 셀이 어레이된 발광 소자
KR20100023400A (ko) 교류용 발광 다이오드
KR101087650B1 (ko) 순방향 직렬접속된 발광셀 어레이의 접속구조
KR20100023399A (ko) 교류용 발광 다이오드

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140228

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150302

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170228

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180228

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190228

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200228

Year of fee payment: 10