DE102015115812A1 - Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung eines Bauelements - Google Patents

Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung eines Bauelements Download PDF

Info

Publication number
DE102015115812A1
DE102015115812A1 DE102015115812.4A DE102015115812A DE102015115812A1 DE 102015115812 A1 DE102015115812 A1 DE 102015115812A1 DE 102015115812 A DE102015115812 A DE 102015115812A DE 102015115812 A1 DE102015115812 A1 DE 102015115812A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
pixels
semiconductor
semiconductor units
component according
units
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102015115812.4A
Other languages
English (en)
Inventor
Alexander Martin
Dr. von Malm Norwin
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102015115812.4A priority Critical patent/DE102015115812A1/de
Priority to PCT/EP2016/071215 priority patent/WO2017046000A1/de
Priority to US15/757,970 priority patent/US10504879B2/en
Priority to JP2018513802A priority patent/JP2018529234A/ja
Priority to CN201680054089.7A priority patent/CN108028261B/zh
Publication of DE102015115812A1 publication Critical patent/DE102015115812A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate

Abstract

Es wird ein Bauelement angegeben, umfassend zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip (42) mit – einem Anschlusssubstrat (4) aufweisend eine Montagefläche (4a) und elektrische Kontaktstrukturen und – einer Vielzahl strukturierter Halbleitereinheiten (2), jeweils aufweisend eine Vielzahl von monolithisch zusammenhängenden Bildpunkten (21) mit jeweils einer aktiven Schicht, die im Betrieb Licht emittiert, wobei – die Halbleitereinheiten (2) lateral beabstandet zueinander auf der Montagefläche (4a) angeordnet sind, – ein Abstand (D) benachbarter Halbleitereinheiten (2) wenigstens 5 µm und höchstens 55 µm beträgt und – die Bildpunkte (21) elektrisch getrennt ansteuerbar sind.

Description

  • Es wird ein Bauelement sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben.
  • Die Druckschrift DE 10 2011 056 888 A1 beschreibt ein Bauelement sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelement.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Bauelement mit reduzierten Herstellungskosten anzugeben. Ferner soll ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements mit reduzierten Herstellungskosten angegeben werden.
  • Es wird ein Bauelement angegeben. Das Bauelement ist insbesondere zur Emission von Licht vorgesehen. Beispielsweise handelt es sich bei dem Bauelement um eine Lichtquelle. Insbesondere kann es sich bei dem Bauelement um einen Scheinwerfer, insbesondere einen adaptiven Autoscheinwerfer (englisch: Adaptive Front-lighting System, AFS), handeln.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements umfasst dieses zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip, im Folgenden auch "Halbleiterchip". Der Halbleiterchip ist insbesondere zur Emission von Licht vorgesehen. Beispielsweise handelt es sich bei dem Halbleiterchip um einen pixelierten Leuchtdiodenchip. "Pixeliert" kann hierbei und im Folgenden bedeuten, dass der Leuchtdiodenchip eine Vielzahl von, insbesondere elektrisch getrennt ansteuerbaren, Bildpunkten aufweist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Halbleiterchip ein Anschlusssubstrat auf. Das Anschlusssubstrat umfasst eine Montagefläche und elektrische Kontaktstrukturen. Die elektrischen Kontaktstrukturen können zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips vorgesehen sein. Hierzu können die elektrischen Kontaktstrukturen ein elektrisch leitendes Material, wie beispielsweise ein Metall, umfassen oder aus einem solchen Material bestehen.
  • Das Anschlusssubstrat weist eine Haupterstreckungsebene auf, in der es sich in lateralen Richtungen erstreckt. Senkrecht zu der Haupterstreckungsebene, in einer vertikalen Richtung, weist das Anschlusssubstrat eine Dicke auf. Die Dicke des Anschlusssubstrats ist klein gegen die maximale Erstreckung des Anschlusssubstrats in den lateralen Richtungen. Eine Hauptebene des Anschlusssubstrats bildet die Montagefläche.
  • Das Anschlusssubstrat kann als mechanisch stabilisierende Komponente des Halbleiterchips ausgebildet sein. "Mechanisch stabilisierend" bedeutet hierbei und im Folgenden, dass die mechanische Handhabung des Halbleiterchips durch den stabilisierenden Teil des Gehäuses verbessert wird und dadurch beispielsweise eine höhere externe Kraft an dem Halbleiterchip wirken kann, ohne dass dieser zerstört wird. Insbesondere kann der Halbleiterchip durch das Anschlusssubstrat mechanisch selbsttragend werden, das heißt, dass der Halbleiterchip etwa im Rahmen eines Fertigungsverfahrens mit Werkzeugen wie beispielsweise einer Pinzette gehandhabt werden kann, ohne dass ein weiteres stützendes Element vorhanden sein muss.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterchip eine Vielzahl strukturierter Halbleitereinheiten. Jede der Halbleitereinheiten weist eine Vielzahl von monolithisch zusammenhängenden Bildpunkten mit jeweils einer aktiven Schicht, die im Betrieb Licht emittiert, auf. Bei den Bildpunkten kann es sich insbesondere um Pixel, also um voneinander getrennte Emissionsbereiche der Halbleitereinheit, handeln. Jeder Bildpunkt kann eine dem Anschlusssubstrat abgewandte Lichtaustrittsfläche aufweisen. Hierbei ist es möglich, dass das von der aktiven Schicht emittierte Licht durch die Lichtaustrittsfläche aus den Bildpunkten ausgekoppelt wird.
  • "Monolithisch zusammenhängend" kann hierbei und im Folgenden bedeuten, dass die Bildpunkte aus einer einzigen, insbesondere zusammenhängend ausgebildeten, Halbleiterschichtenfolge gebildet sind. Insbesondere können die Bildpunkte aus einer monolithischen Halbleiterschichtenfolge hergestellt sein. Beispielsweise ist es möglich, dass für die Herstellung der Bildpunkte zunächst die Halbleiterschichtenfolge auf ein Aufwachssubstrat aufgebracht wird und die Bildpunkte mittels einer anschließenden, zumindest teilweisen Vereinzelung der Halbleiterschichtenfolge bereitgestellt werden.
  • Beispielsweise ist die Halbleiterschichtenfolge mit einer n-leitenden Halbleiterschicht, einer aktiven Halbleiterschicht und einer p-leitenden Halbleiterschicht gebildet. Die aktiven Schichten der Bildpunkte können aus der aktiven Halbleiterschicht hervorgegangen sein. Ferner können die Bildpunkte jeweils eine p-leitende Schicht und eine n-leitende Schicht, die aus der p-leitenden Halbleiterschicht und der n-leitenden Halbleiterschicht hervorgegangen sind, aufweisen. Dass eine Schicht aus einer Halbleiterschicht "hervorgegangen ist" kann hierbei und im Folgenden bedeuten, dass die Schicht durch Vereinzelung der Halbleiterschicht erzeugt wurde und ein Teil der Halbleiterschicht ist. Hierbei ist es möglich, dass die Bildpunkte mittels zumindest einer gemeinsamen Halbleiterschicht, bei der es sich um die n-leitende oder um die p-leitende Halbleiterschicht handeln kann, teilweise untereinander verbunden sind. Insbesondere können die Bildpunkte durch mehrere Halbleiterschichten, beispielsweise die n-leitende Halbleiterschicht, die p-leitende Halbleiterschicht und die aktive Schicht, miteinander verbunden sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Halbleitereinheiten lateral beabstandet zueinander auf der Montagefläche angeordnet. Mit anderen Worten, zwischen den Halbleitereinheiten befindet sich ein Graben. Insbesondere ist es möglich, dass Bildpunkte benachbarter Halbleitereinheiten nicht monolithisch zusammenhängend sind und/oder nicht mittels Halbleitermaterial miteinander verbunden sind.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt ein Abstand benachbarter Halbleitereinheiten wenigstens 5 µm und höchstens 55 µm, bevorzugt wenigstens 10 µm und höchstens 20 µm. Bei dem Abstand handelt es sich insbesondere um den kleinsten Abstand zwischen Seitenflächen zweier benachbarter Halbleitereinheiten in den lateralen Richtungen. Bei den Seitenflächen der Halbleitereinheiten kann es sich um entlang der vertikalen Richtung verlaufende Außenflächen der Halbleitereinheiten handeln.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Bildpunkte elektrisch getrennt ansteuerbar. Insbesondere ist es möglich, dass jedem Bildpunkt zumindest eine elektrische Kontaktstruktur eineindeutig zugeordnet ist. Dadurch kann es möglich sein, die Emission einzelner Bildpunkte gezielt an- beziehungsweise auszuschalten. Zwei oder mehr der Bildpunkte können damit zu gleichen und zu unterschiedlichen Zeiten betrieben werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements umfasst dieses zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einem Anschlusssubstrat mit einer Montagefläche und elektrischen Kontaktstrukturen und einer Vielzahl strukturierter Halbleitereinheiten, jeweils aufweisend eine Vielzahl von monolithisch zusammenhängenden Bildpunkten mit jeweils einer aktiven Schicht, die im Betrieb Licht emittiert. Die Halbleitereinheiten des Halbleiterchips sind lateral beabstandet zueinander auf der Montagefläche angeordnet. Ein Abstand benachbarter Halbleitereinheiten beträgt wenigstens 5 µm und höchstens 55 µm. Ferner sind die Bildpunkte elektrisch getrennt ansteuerbar.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements sind die aktiven Schichten der Bildpunkte monolithisch zusammenhängend ausgebildet. Beispielsweise sind die aktiven Schichten Teil einer einzigen aktiven Halbleiterschicht. Ferner sind die Bildpunkte mittels mehrerer lateral beabstandeter Halbleiterkontakte elektrisch getrennt ansteuerbar. Ein lateraler Abstand benachbarter Halbleiterkontakte beträgt wenigstens 1 µm und höchstens 25 µm. Beispielsweise ist jeder Bildpunkt mit zumindest einem Halbleiterkontakt elektrisch leitend verbunden. Ferner kann die einem Bildpunkt zugeordnete elektrische Kontaktstruktur mit dem Halbleiterkontakt des jeweiligen Bildpunktes elektrisch leitend verbunden sein. Die Halbleiterkontakte können mit einem elektrisch leitenden Material, wie beispielsweise einem Metall, gebildet sein oder daraus bestehen. Insbesondere kann das Bauelement mehrere Halbleiterkontakte aufweisen, die jeweils zumindest einem Bildpunkt zugeordnet sind. Beispielsweise sind die Halbleiterkontakte lateral beabstandet zueinander an einer dem Anschlusssubstrat zugewandten Bodenfläche und/oder an der Lichtdurchtrittsfläche der Bildpunkte angeordnet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist zwischen den aktiven Schichten benachbarter Bildpunkte jeweils ein Trenngraben angeordnet. Es ist möglich, dass die aktiven Schichten der Bildpunkte untereinander nicht verbunden sind. Insbesondere kann jedem Bildpunkt eine aktive Schicht eineindeutig zugeordnet sein. Die aktiven Schichten können beispielsweise durch die Trenngräben rahmenartig umgeben sein. „Rahmenartig“ heißt hierbei und im Folgenden, dass jeder Bildpunkt und/oder jede aktive Schicht in einer Aufsicht auf die Montagefläche in lateralen Richtungen vollständig von Trenngräben umgeben ist. In der Aufsicht erscheinen die Trenngräben dann als Gitter oder Netz, wobei die Bildpunkte von einzelnen Maschen des Gitters oder des Netzes umschlossen sind. Die Trenngräben können beispielsweise mittels Ätzens erzeugt worden sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt die Breite eines Trenngrabens wenigstens 1 µm und höchstens 25 µm, bevorzugt wenigstens 5 µm und höchstens 20 µm. Bei der Breite eines Trenngrabens handelt es sich insbesondere um die kleinste Ausdehnung der Trenngräben lateralen Richtungen. Insbesondere handelt es sich bei der Breite eines Trenngrabens um den kleinsten Abstand zwischen Seitenflächen zweier benachbarter Bildpunkte in lateralen Richtungen. Bei den Seitenflächen der Bildpunkte kann es sich um entlang der vertikalen Richtung verlaufende Außenflächen der Bildpunkte handeln.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Bildpunkte optisch voneinander getrennt. Eine optische Trennung der Bildpunkte kann beispielsweise mittels der Trenngräben herbeigeführt werden. Es ist ferner möglich, dass zwischen benachbarten Bildpunkten absorbierendes und/oder reflektierendes Material angeordnet ist. Ein Material ist hierbei und im Folgenden „absorbierend“ bzw. „reflektierend“, wenn es für die von den aktiven Schichten emittierte Strahlung einen Transmissionsgrad von höchstens 0,4, bevorzugt höchstens 0,3, bzw. einen Reflexionsgrad von wenigstens 0,5, bevorzugt wenigstens 0,7 und besonders bevorzugt wenigstens 0,85, aufweist. Aufgrund der optischen Trennung der Bildpunkte in Verbindung mit der getrennten elektrischen Ansteuerbarkeit ist es beispielsweise möglich, lediglich einzelne Bereiche des Bauelements gezielt zum Leuchten zu bringen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen wenigstens zwei der Halbleitereinheiten eine unterschiedliche Anzahl an Bildpunkten auf. Beispielsweise ist es möglich, wenigstens eine Halbleitereinheit einer ersten Gruppe von Halbleitereinheiten zuzuordnen und wenigstens eine weitere Halbleitereinheit einer zweiten Gruppe von Halbleitereinheiten zuzuordnen. Die Halbleitereinheiten der ersten Gruppe können jeweils eine erste Anzahl an Bildpunkten aufweisen und die Halbleitereinheiten der zweiten Gruppe können jeweils eine zweite Anzahl an Bildpunkten aufweisen, wobei sich die erste Anzahl und die zweite Anzahl unterscheiden.
  • Es ist möglich, dass Halbleitereinheiten, die eine unterschiedliche Anzahl an Bildpunkten aufweisen, eine unterschiedliche Größe aufweisen. Die Größe einer Halbleitereinheit und/oder eines Bildpunkts ist hierbei und im Folgenden die jeweilige Ausdehnung der Halbleitereinheit und/oder des Bildpunkt in lateralen Richtungen. Hierbei ist es möglich, dass die Bildpunkte eine unterschiedliche Größe aufweisen. Alternativ können die Bildpunkte der unterschiedlichen Halbleitereinheiten im Rahmen der Herstellungstoleranzen eine gleiche Größe aufweisen.
  • Alternativ ist es möglich, dass Halbleitereinheiten, die eine unterschiedliche Anzahl an Bildpunkten aufweisen, im Rahmen der Herstellungstoleranzen die gleiche Größe aufweisen. In diesem Fall können die Bildpunkte eine unterschiedliche Größe aufweisen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Anschlusssubstrat wenigstens einen integrierten Schaltkreis auf. Beispielsweise weist das Anschlusssubstrat dotierte Bereiche auf, mittels derer Schaltvorgänge ermöglicht werden. Insbesondere kann es sich bei dem integrierten Schaltkreis um die elektrischen Kontaktstrukturen des Anschlusssubstrats handeln. Beispielsweise weist das Anschlusssubstrat Transistoren, Kondensatoren, Widerstände und/oder weitere elektronische Komponenten als integrierte Schaltkreise auf. Das Anschlusssubstrat kann mit Silizium gebildet sein oder daraus bestehen. Insbesondere kann es sich bei dem Anschlusssubstrat um ein Aktiv-Matrix-Silizium-Substrat handeln. Ein Aktiv-Matrix-Silizium-Substrat kann eine Matrix von Transistoren, enthalten, mittels derer die einzelnen Bildpunkte angesteuert werden können. Die Transistoren können beispielsweise in CMOS- oder Dünnschicht-Technologie hergestellt worden sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform enthält das Anschlusssubstrat eine Vielzahl von Stromquellen. Jede der Stromquellen ist einem der Bildpunkte eineindeutig zugeordnet. Ferner ist jede der Stromquellen mit dem ihr zugeordneten Bildpunkt elektrisch leitend verbunden. Insbesondere ist jeder Bildpunkt mit einer Stromquelle elektrisch leitend verbunden. Bei der Stromquelle kann es sich beispielsweise um eine miniaturisierte Stromquelle handeln.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weicht der Abstand benachbarter Halbleitereinheiten um höchstens +/–10 % von einer mittleren Breite der Trenngräben ab. Der Abstand benachbarter Halbleitereinheiten kann im Rahmen der Herstellungstoleranzen der mittleren Breite der Trenngräben entsprechen. Mit anderen Worten, Bildpunkte benachbarter Halbleitereinheiten können im Wesentlichen den gleichen Abstand aufweisen wie Bildpunkte derselben Halbleitereinheit. Bei der mittleren Breite der Trenngräben kann es sich beispielsweise um ein arithmetisches Mittel über die jeweiligen Breiten der Trenngräben handeln. Insbesondere ist es möglich, dass sowohl der Abstand benachbarter Halbleitereinheiten als auch die Breite der Trenngräben wenigstens 5 µm und höchstens 55 µm beträgt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weichen die Abstände benachbarter Halbleitereinheiten um höchstens +/–10 % von einem mittleren Abstand benachbarter Halbleitereinheiten ab.
  • Bei dem mittleren Abstand benachbarter Halbleitereinheiten kann es sich um ein arithmetisches Mittel über die jeweiligen Abstände der Halbleitereinheiten handeln. Mit anderen Worten, die Halbleitereinheiten sind in regelmäßigem Abstand zueinander auf dem Anschlusssubstrat platziert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt eine Leuchtfläche des Bauelements wenigstens 8 mm2, bevorzugt wenigstens 32 mm2. Bei der Leuchtfläche des Bauelements handelt es sich insbesondere um die Summe aller Lichtaustrittsflächen der Bildpunkte des Bauelements.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt eine Gesamtzahl der Bildpunkte wenigstens 128, bevorzugt wenigstens 2048, und/oder ein Lichtstrom des von der Gesamtzahl der Bildpunkte emittierten Lichts wenigstens 1600 Lumen, bevorzugt wenigstens 6400 Lumen. Bei dem Bauelement kann es sich beispielsweise um eine hochauflösende Lichtquelle und/oder um eine Lichtquelle mit einer hohen Leuchtdichte handeln. Insbesondere wäre die Herstellung einer einzigen pixelierten Halbleitereinheit, die einen Lichtstrom von über 6400 Lumen aufweist, nicht mit wirtschaftlich vertretbaren Ausbeuten zu fertigen. Hierbei ermöglicht die Aufteilung des Bauelements in einzelne Halbleitereinheiten mit jeweils einer Vielzahl von Bildpunkten eine kostengünstige und wirtschaftlich vertretbare Herstellung eines Bauelements mit einer hohen Auflösung und/oder einem hohen Lichtstrom.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Bauelement wenigstens zwei Halbleiterchips. Jeder der Halbleiterchips kann wie oben beschrieben aufgebaut sein. Insbesondere umfasst jeder Halbleiterchip eine Vielzahl von Halbleitereinheiten, die auf einem Anschlusssubstrat angeordnet sind.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die wenigstens zwei Halbleiterchips auf einer Leiterplatte angeordnet. Bei einer Leiterplatte kann es sich beispielsweise um eine Metallkernplatine oder um einen sogenannten Submount handeln. Die Leiterplatte kann insbesondere zur elektrischen Ansteuerung und/oder zur Kühlung der auf der Leiterplatte angeordneten Halbleiterchips vorgesehen sein.
  • Es wird ferner ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben. Das Bauelement ist bevorzugt mit einem hier beschriebenen Verfahren herstellbar. Das heißt, sämtliche für das Bauelement offenbarten Merkmale sind auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Vielzahl von Halbleitereinheiten mit der Vielzahl von Bildpunkten bereitgestellt. Jede Halbleitereinheit ist auf einem Aufwachssubstrat aufgebracht. Bei dem Aufwachssubstrat kann es sich beispielsweise um ein monokristallines Substrat, das beispielsweise mit Saphir gebildet sein kann, handeln. Hierbei ist es möglich, dass die Bildpunkte jeder Halbleitereinheit aus einer gemeinsamen Halbleiterschichtenfolge, die auf dem Aufwachssubstrat epitaktisch aufgewachsen wurde, hervorgehen, wobei nach dem epitaktischen Aufwachsen eine Vereinzelung in die Bildpunkte erfolgen kann.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Anschlusssubstrat mit der Montagefläche und den elektrischen Kontaktstrukturen bereitgestellt. Die Halbleitereinheiten werden auf die Montagefläche des Anschlusssubstrats aufgebracht. Das Aufbringen der Halbleitereinheiten erfolgt derart, dass die Halbleitereinheiten lateral beabstandet zueinander auf der Montagefläche angeordnet sind, wobei der Abstand benachbarter Halbleitereinheiten wenigstens 5 µm und höchstens 55 µm, bevorzugt wenigstens 10 µm und höchstens 20 µm, beträgt. Ferner sind die Bildpunkte elektrisch getrennt voneinander ansteuerbar.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Aufwachssubstrat zumindest teilweise abgelöst. Insbesondere kann das Aufwachssubstrat vollständig, beispielsweise mittels eines Ätzprozesses oder eines Laser-Lift-Off-Prozesses, abgelöst werden. In diesem Fall verbleiben lediglich die lichtemittierenden Halbleiterschichten der Bildpunkte auf dem Anschlusssubstrat. Alternativ ist es möglich, dass das Aufwachssubstrat, beispielsweise mittels eines Ätzprozesses oder durch physikalisches Abtragen wie Schleifen oder Polieren, gedünnt wird. In diesem Fall verbleiben Teile des Aufwachssubstrats an den Bildpunkten.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Bauelements umfasst dieses die folgenden Verfahrensschritte.
    • – Bereitstellen einer Vielzahl von Halbleitereinheiten, jeweils aufweisend eine Vielzahl von monolithisch zusammenhängenden Bildpunkten mit jeweils einer aktiven Schicht, die im Betrieb Licht emittiert, wobei jede Halbleitereinheit auf jeweils einem Aufwachssubstrat aufgebracht ist,
    • – Bereitstellen eines Anschlusssubstrats mit einer Montagefläche und elektrischen Kontaktstrukturen,
    • – Aufbringen der Halbleitereinheiten auf die Montagefläche derart, dass die Halbleitereinheiten lateral beabstandet zueinander auf der Montagefläche angeordnet sind, wobei ein Abstand benachbarter Halbleitereinheiten wenigstens 5 µm und höchstens 55 µm beträgt und die Bildpunkte elektrisch getrennt ansteuerbar sind,
    • – zumindest teilweises Ablösen des Aufwachssubstrats.
  • Die Verfahrensschritte können in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Halbleitereinheiten mittels Vereinzelung aus einem Waferverbund mit einer Vielzahl von Bildpunkten bereitgestellt. Beispielsweise erfolgt die Vereinzelung mittels Sägen, mittels Ritzen und Brechen oder mittels Lasertrennen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Bereitstellen der Halbleitereinheiten ein Ermitteln von Halbleitereinheiten mit fehlerhaften Bildpunkten sowie ein Aussortieren der Halbleitereinheiten mit fehlerhaften Bildpunkten derart, dass im Rahmen der Herstellungstoleranzen ausschließlich Halbleitereinheiten mit intakten Bildpunkten auf die Montagefläche aufgebracht werden. Mit anderen Worten, das Verfahren umfasst eine Selektion von intakten Bildpunkten. Hierdurch kann sichergestellt werden, dass nur voll funktionale Halbleitereinheiten auf das Anschlusssubstrat übertragen werden.
  • Ein fehlerhafter Bildpunkt zeichnet sich beispielsweise dadurch aus, dass er eine geringere Leuchtdichte und/oder einen geringeren Lichtstrom oder einen höheren Spannungsabfall als intakte Bildpunkte aufweist. Beispielsweise emittiert ein fehlerhafter Bildpunkt kein Licht.
  • Beispielsweise werden die Bildpunkte im Waferverbund hergestellt, wobei einem epitaktischen Aufwachsen ein Vereinzelungsschritt in Halbleitereinheiten nachfolgt. Das Ermitteln der Halbleitereinheiten mit fehlerhaften Bildpunkten kann vor oder nach der Vereinzelung erfolgen. Beispielsweise ist es möglich, vor der Vereinzelung fehlerhafte Bildpunkte zu identifizieren und diese bei der Vereinzelung aus dem Waferverbund zu entfernen. Alternativ ist es möglich, zunächst die Vereinzelung in einzelne Halbleitereinheiten durchzuführen und anschließend Halbleitereinheiten mit fehlerhaften Bildpunkten auszusortieren.
  • Bei dem hier beschriebenen Verfahren zur Herstellung eines Bauelements sowie dem hier beschriebenen Bauelement wird insbesondere die Idee verfolgt, die monolithische Herstellung von Bildpunkten mit dem einzelnen Setzen von Halbleitereinheiten auf ein Anschlusssubstrat zu kombinieren. Dies ermöglicht die Bereitstellung eines Bauelements mit einer hohen Anzahl an Bildpunkten, die in einem geringen Abstand zueinander auf einem Anschlusssubstrat positioniert sind.
  • Im Gegensatz zu ausschließlich monolithisch hergestellten hochpixelierten Bauelementen ermöglicht die Aufteilung in einzelne Halbleitereinheiten eine Selektion von fehlerhaften Halbleitereinheiten. Dies ermöglicht es, fehlerhafte Bildpunkte, die beispielsweise statistisch verteilt Defekte im Halbleitermaterial oder in der Struktur aufweisen, vor der Übertragung auf das Anschlusssubstrat auszusortieren. Hierdurch steigt die Ausbeute an voll funktionalen Bauelementen mit entsprechend großer Leuchtfläche erheblich.
  • Ferner ist im Gegensatz zum einzelnen Setzen von Bildpunkten ein geringer Abstand der Bildpunkte zueinander möglich. Hierdurch kann auf die Verwendung weiterer Optiken verzichtet werden oder die Anzahl weiterer Optiken erheblich reduziert werden. Zudem wird durch eine beliebige Aufteilung der gesamten benötigten Leuchtfläche auf mehrere Halbleitereinheiten und/oder auf mehrere Halbleiterchips eine Freiheit im Design des Bauelements ermöglicht. Die Anzahl und/oder die Anordnung der Bildpunkte innerhalb einer Halbleitereinheit und/oder innerhalb eines Halbleiterchips kann dabei so gewählt werden, dass je nach gewähltem Verbindungsprozess und/oder je nach Defektrate der Bildpunkte eine optimale Ausbeute und damit eine optimale Kostenposition erreicht werden kann.
  • Im Folgenden werden das hier beschriebene Bauelement sowie das hier beschriebene Verfahren anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert.
  • Anhand der schematischen Darstellungen der 1A und 1B ist ein Ausführungsbeispiel einer hier beschriebenen Halbleitereinheit eines hier beschriebenen Bauelements näher erläutert.
  • Anhand der schematischen Darstellungen der 2A, 2B, 2C und 2D sind ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung eines Bauelements sowie ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Bauelements näher erläutert.
  • Anhand der schematischen Darstellungen der 3, 4A, 4B und 4C sind Ausführungsbeispiele eines hier beschriebenen Bauelements näher erläutert.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
  • Anhand der schematischen Darstellungen der 1A und 1B ist ein Ausführungsbeispiel einer Halbleitereinheit eines hier beschriebenen Bauelements näher erläutert. Das Ausführungsbeispiel ist in der 1B im Vergleich zur 1A um 180° gedreht dargestellt.
  • Auf einem Aufwachssubstrat 1 ist eine Halbleitereinheit 2 (in den Figuren lediglich schematisch dargestellt) aufgebracht. Die Halbleitereinheit 2 weist eine Vielzahl von Bildpunkten 21 auf. Die Bildpunkte 21 sind durch Trenngräben 22 voneinander beabstandet. Die Breite B der Trenngräben 22 beträgt wenigstens 5 µm und höchstens 25 µm.
  • Jeder Bildpunkt 21 kann eine n-leitende Schicht, eine p-leitende Schicht und eine aktive Schicht aufweisen. Beispielsweise gehen die n-leitende Schicht und die p-leitende Schicht aus einer n-leitenden Halbleiterschicht und einer p-leitenden Halbleiterschicht hervor. Es ist hierbei möglich, dass die n-leitende Schicht oder die p-leitende Schicht der n-leitenden Halbleiterschicht oder der p-leitenden Halbleiterschicht entspricht. Beispielsweise sind die n-leitende Halbleiterschicht und die p-leitende Halbleiterschicht mit einem (Verbindungs-)Halbleitermaterial gebildet oder bestehen aus einem solchen Material.
  • Anhand der schematischen Darstellungen der 2A, 2B, 2C und 2D ist ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung eines Bauelements näher erläutert.
  • In dem in der 2A dargestellten Verfahrensschritt wird eine auf einem Aufwachssubstrat 1 aufgebrachte Halbleitereinheit 2 bereitgestellt und mit ersten Lötkugeln 31, die mit einem Lötmetall gebildet sein können, versehen.
  • In dem in der 2B dargestellten Verfahrensschritt wird ein Anschlusssubstrat 4 mit einer Montagefläche 4a bereitgestellt. Auf der Montagefläche 4a sind Anschlussbereiche 33 vorgegeben, die mit Anschlussflächen 32 versehen sind, die entsprechend der ersten Lötkugeln 31 angeordnet sein können. Die Anschlussflächen 32 können mit einem Metall gebildet sein oder aus einem Metall bestehen. Auf jeden Anschlussbereich 33 wird eine Halbleitereinheit 2 zusammen mit dem Aufwachssubstrat 1 aufgebracht. Anschließend kann ein Erwärmen der ersten Lötkugeln 31 und der Anschlussflächen 32 erfolgen, wodurch die Halbleitereinheiten 2 und insbesondere der Bildpunkte 21 mit dem Anschlusssubstrat 4 mechanisch und/oder elektrisch verbunden werden können. Alternativ oder zusätzlich kann eine mechanische und/oder eine elektrische Verbindung der Halbleitereinheiten 2 und insbesondere der Bildpunkte 21 mittels Bonden erfolgen.
  • In dem in der 2C dargestellten Verfahrensschritt ist eine Vielzahl von Halbleitereinheiten 2, jeweils versehen mit einem Aufwachssubstrat 1, auf der Montagefläche 4a des Anschlusssubstrats 4 aufgebracht.
  • In dem in der 2D dargestellten Verfahrensschritt werden die Aufwachssubstrate 1 von den Halbleitereinheiten 2 abgelöst. Alternativ können die Aufwachssubstrate 1 lediglich teilweise abgelöst oder gedünnt werden. Die Vielzahl von Halbleitereinheiten 2 mit jeweils einer Vielzahl von Bildpunkten 21 bildet dann zusammen mit dem Anschlusssubstrat 4 einen Halbleiterchip 42. Die Halbleitereinheiten 2 des Halbleiterchips 42 sind lateral beabstandet voneinander auf der Montagefläche 4a des Anschlusssubstrats 4 angeordnet. Ein Abstand d benachbarter Halbleitereinheiten 2 beträgt wenigstens 5 µm und höchstens 55 µm.
  • Anhand der schematischen Darstellung der 3 ist ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Bauelements näher erläutert. Das Bauelement umfasst eine Vielzahl von Halbleiterchips 42 die gemeinsam auf einer Leiterplatte 51 aufgebracht sind. An einer der Leiterplatte 51 abgewandten Deckfläche der Halbleitereinheiten 2 der Halbleiterchips 42 ist jeweils ein Konversionselement 53 aufgebracht. Bei dem Konversionselement 53 kann es sich um ein Keramikplättchen oder eine Polymerschicht mit wellenlängenkonvertierenden Partikeln handeln.
  • Mittels einer elektrischen Schnittstelle 52 kann eine elektrische Kontaktierung und/oder Ansteuerung der Anschlusssubstrate 4 der Halbleiterchips 42 und insbesondere der einzelnen Bildpunkte 21 der Halbleitereinheiten 2 erfolgen. Insbesondere kann die elektrische Kontaktierung des Anschlusssubstrats 4 nach dem Aufbringen des Anschlusssubstrats 4 auf die Leiterplatte 51 von der der Leiterplatte 51 abgewandten Oberseite her erfolgen, zum Beispiel mittels Bonddrähte, die auf an der Oberseite angeordnete Bondpads führen. Alternativ kann das Anschlusssubstrat 4 mit Durchkontakten versehen sein. In diesem Fall kann das Bauelement ein oberflächenmontierbares Bauteil (englisch: surface-mountable device, SMD) sein.
  • Anhand der schematischen Darstellungen der 4A, 4B und 4C sind Ausführungsbeispiele eines Halbleiterchips 42 für ein hier beschriebenes Bauelement näher erläutert.
  • Die 4A zeigt einen Halbleiterchip 42 mit einer Vielzahl von Halbleitereinheiten 2, jeweils umfassend eine Vielzahl von Bildpunkten 21. Die Halbleitereinheiten 2 sind auf einem Anschlusssubstrat 4 aufgebracht. Wie in der 4A dargestellt, können die Halbleitereinheiten 2 jeweils eine gleiche Anzahl von Bildpunkten 21 aufweisen. Ferner können die Halbleitereinheiten 2 eine ähnliche oder eine gleiche Größe aufweisen. An einer dem Anschlusssubstrat 4 abgewandten Deckfläche der Halbleitereinheiten 2 kann ein Konversionselement 53 aufgebracht sein.
  • Bei dem in der 4B dargestellten Ausführungsbeispiel umfasst der Halbleiterchip 42 lediglich eine einzige Halbleitereinheit 2 mit einer Vielzahl von Bildpunkten 21. Die Halbleitereinheit 2 kann an ihrer Deckfläche optional ein Konversionselement 53 aufweisen (in der 2B nicht dargestellt).
  • Bei dem in der 4C dargestellten Ausführungsbeispiel umfasst der Halbleiterchip 42 eine Vielzahl von Halbleitereinheiten 2, wobei die Halbleitereinheiten 2 eine unterschiedliche Anzahl an Bildpunkten 21, mit jeweils unterschiedlichen Größen, aufweisen.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn diese Merkmale oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Aufwachssubstrat
    2
    Halbleitereinheit
    21
    Bildpunkt
    22
    Trenngraben
    B
    Breite
    d
    Abstand
    31
    erste Lötkugeln
    32
    Anschlussflächen
    33
    Anschlussbereich
    4
    Anschlusssubstrat
    4a
    Montagefläche
    42
    optoelektronischer Halbleiterchip
    51
    Leiterplatte
    52
    elektrische Schnittstelle
    53
    Konversionselement
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102011056888 A1 [0002]

Claims (16)

  1. Bauelement umfassend zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip (42) mit – einem Anschlusssubstrat (4) aufweisend eine Montagefläche (4a) und elektrische Kontaktstrukturen und – einer Vielzahl strukturierter Halbleitereinheiten (2), jeweils aufweisend eine Vielzahl von monolithisch zusammenhängenden Bildpunkten (21) mit jeweils einer aktiven Schicht, die im Betrieb Licht emittiert, wobei – die Halbleitereinheiten (2) lateral beabstandet zueinander auf der Montagefläche (4a) angeordnet sind und – die Bildpunkte (21) elektrisch getrennt ansteuerbar sind.
  2. Bauelement nach dem vorherigen Anspruch, bei dem ein Abstand (d) benachbarter Halbleitereinheiten (2) wenigstens 5 µm und höchstens 55 µm beträgt.
  3. Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem – die aktiven Schichten der Bildpunkte (21) monolithisch zusammenhängend ausgebildet sind und – die Bildpunkte (21) mittels mehrerer, lateral beabstandeter Halbleiterkontakte (210) elektrisch getrennt ansteuerbar sind, wobei – ein Abstand (a) benachbarter Halbleiterkontakte (210) wenigstens 1 µm und höchstens 25 µm beträgt.
  4. Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem zwischen den aktiven Schichten benachbarter Bildpunkte (21) jeweils ein Trenngraben (22) mit einer Breite (B) von wenigstens 5 µm und höchstens 25 µm angeordnet ist.
  5. Bauelement nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die Bildpunkte (21) optisch voneinander getrennt sind.
  6. Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem wenigstens zwei der Halbleitereinheiten (2) eine unterschiedliche Anzahl an Bildpunkten (21) aufweisen.
  7. Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das Anschlusssubstrat (4) wenigstens einen integrierten Schaltkreis aufweist.
  8. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Anschlusssubstrat (4) eine Vielzahl von Stromquellen enthält, wobei jede der Stromquellen einem der Bildpunkte (21) eineindeutig zugeordnet ist und mit diesem Bildpunkt (21) elektrisch leitend verbunden ist.
  9. Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der Abstand benachbarter Halbleitereinheiten (2) um höchstens +/–10 % von einer mittleren Breite der Trenngräben (22) abweicht.
  10. Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die Abstände benachbarter Halbleitereinheiten (2) um höchstens +/–10 % von einem mittleren Abstand (a) benachbarter Halbleitereinheiten (2) abweicht.
  11. Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem eine Leuchtfläche des Bauelements wenigstens 8 mm2, bevorzugt wenigstens 40 mm2, beträgt.
  12. Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem eine Gesamtzahl der Bildpunkte (21) des Bauelements wenigstens 128, bevorzugt wenigstens 2500, beträgt und/oder ein Lichtstrom des von der Gesamtzahl der Bildpunkte (21) emittierten Lichts wenigstens 1600 Lumen, bevorzugt wenigstens 6400 Lumen, beträgt.
  13. Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, umfassend wenigstens zwei optoelektronische Halbleiterchips (42), die auf einer Leiterplatte (51) angeordnet sind.
  14. Verfahren zur Herstellung eines Bauelements, umfassend die folgenden Verfahrensschritte: – Bereitstellen einer Vielzahl von Halbleitereinheiten (2), jeweils aufweisend eine Vielzahl von monolithisch hergestellten Bildpunkten (21) mit jeweils einer aktiven Schicht, die im Betrieb Licht emittiert, wobei jede Halbleitereinheit (2) auf jeweils einem Aufwachssubstrat (1) aufgebracht ist; – Bereitstellen eines Anschlusssubstrats (4) mit einer Montagefläche (4a) und elektrischen Kontaktstrukturen, – Aufbringen der Halbleitereinheiten (2) auf die Montagefläche (4a) derart, dass die Halbleitereinheiten (2) lateral beabstandet zueinander auf der Montagefläche (4a) angeordnet sind, wobei – ein Abstand (d) benachbarter Halbleitereinheiten (2) wenigstens 5 µm und höchstens 55 µm beträgt und – die Bildpunkte (21) elektrisch getrennt ansteuerbar sind; und – zumindest teilweises Ablösen des Aufwachssubstrats (1).
  15. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei die Halbleitereinheiten (2) mittels Vereinzelung aus einem Waferverbund mit einer Vielzahl von Bildpunkten (21) bereitgestellt werden.
  16. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei das Bereitstellen der Halbleitereinheiten (2) ferner die folgenden Verfahrensschritte umfasst: – Ermitteln von Halbleitereinheiten mit fehlerhaften Bildpunkten (21), – Aussortieren der Halbleitereinheiten (2) mit fehlerhaften Bildpunkte (21) derart, dass im Rahmen der Herstellungstoleranzen ausschließlich Halbleitereinheiten mit intakten Bildpunkten (21) auf die Montagefläche (4a) aufgebracht werden.
DE102015115812.4A 2015-09-18 2015-09-18 Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung eines Bauelements Pending DE102015115812A1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015115812.4A DE102015115812A1 (de) 2015-09-18 2015-09-18 Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
PCT/EP2016/071215 WO2017046000A1 (de) 2015-09-18 2016-09-08 Lichtemittierendes bauelement sowie verfahren zur herstellung eines lichtemittierenden bauelements
US15/757,970 US10504879B2 (en) 2015-09-18 2016-09-08 Light-emitting component and method for producing a light-emitting component
JP2018513802A JP2018529234A (ja) 2015-09-18 2016-09-08 発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法
CN201680054089.7A CN108028261B (zh) 2015-09-18 2016-09-08 发光器件以及用于制造发光器件的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015115812.4A DE102015115812A1 (de) 2015-09-18 2015-09-18 Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung eines Bauelements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102015115812A1 true DE102015115812A1 (de) 2017-03-23

Family

ID=56883813

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102015115812.4A Pending DE102015115812A1 (de) 2015-09-18 2015-09-18 Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung eines Bauelements

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10504879B2 (de)
JP (1) JP2018529234A (de)
CN (1) CN108028261B (de)
DE (1) DE102015115812A1 (de)
WO (1) WO2017046000A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020202425A1 (de) 2020-02-26 2021-08-26 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung einer optoelektronischen vorrichtung und optoelektronische vorrichtung
WO2022167285A1 (de) * 2021-02-02 2022-08-11 Ams-Osram International Gmbh Verfahren zur herstellung einer anordnung von halbleiterchips und anordnung von halbleiterchips

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3125764B1 (fr) * 2021-07-30 2023-11-03 Faurecia Clarion Electronics Europe Dispositif lumineux et composant de véhicule comprenant un tel dispositif lumineux

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070019430A1 (en) * 2005-07-21 2007-01-25 Valeo Vision Optical module for a motor vehicle lighting device
WO2008109296A1 (en) * 2007-03-08 2008-09-12 3M Innovative Properties Company Array of luminescent elements
DE102011102032A1 (de) * 2011-05-19 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleitermodul und Display mit einer Mehrzahl derartiger Module
DE102011056888A1 (de) 2011-12-22 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5558584A (en) * 1978-10-24 1980-05-01 Sanyo Electric Co Ltd Manufacture of solid display device
US5385632A (en) * 1993-06-25 1995-01-31 At&T Laboratories Method for manufacturing integrated semiconductor devices
GB2305096B (en) * 1995-08-29 1997-09-10 Simage Oy Imaging system and method
EP1063699A4 (de) * 1998-02-10 2007-07-25 Nissha Printing Grundfolie für halbleitermodul, verfahren zur herstellung einer grundfolie für ein halbleitermodul, und halbleitermodul
US20070181781A1 (en) * 2001-03-06 2007-08-09 Digital Optics Corporation Integrated optical transceiver
US7078791B1 (en) * 2001-05-09 2006-07-18 Ess Technology, Inc. Chip on board package for imager
JP3901004B2 (ja) * 2001-06-13 2007-04-04 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
US6775308B2 (en) * 2001-06-29 2004-08-10 Xanoptix, Inc. Multi-wavelength semiconductor laser arrays and applications thereof
JP4179866B2 (ja) * 2002-12-24 2008-11-12 株式会社沖データ 半導体複合装置及びｌｅｄヘッド
IL158345A0 (en) * 2003-10-09 2004-05-12 Interon As Pixel detector and method of manufacture and assembly thereof
US9018655B2 (en) 2005-02-03 2015-04-28 Epistar Corporation Light emitting apparatus and manufacture method thereof
JP2009016093A (ja) * 2007-07-02 2009-01-22 Sharp Corp Ｌｅｄモジュール及び照明装置
KR101755207B1 (ko) * 2008-03-05 2017-07-19 더 보드 오브 트러스티즈 오브 더 유니버시티 오브 일리노이 펴고 접을 수 있는 전자장치
US20100006873A1 (en) * 2008-06-25 2010-01-14 Soraa, Inc. HIGHLY POLARIZED WHITE LIGHT SOURCE BY COMBINING BLUE LED ON SEMIPOLAR OR NONPOLAR GaN WITH YELLOW LED ON SEMIPOLAR OR NONPOLAR GaN
WO2010036807A1 (en) * 2008-09-24 2010-04-01 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Arrays of ultrathin silicon solar microcells
TWM374153U (en) * 2009-03-19 2010-02-11 Intematix Technology Ct Corp Light emitting device applied to AC drive
WO2010123809A2 (en) * 2009-04-20 2010-10-28 3M Innovative Properties Company Non-radiatively pumped wavelength converter
US8384114B2 (en) * 2009-06-27 2013-02-26 Cooledge Lighting Inc. High efficiency LEDs and LED lamps
US8642363B2 (en) * 2009-12-09 2014-02-04 Nano And Advanced Materials Institute Limited Monolithic full-color LED micro-display on an active matrix panel manufactured using flip-chip technology
US9786811B2 (en) * 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
DE102011015821B4 (de) * 2011-04-01 2023-04-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
CN103636000B (zh) * 2011-05-12 2017-11-17 德普伊辛迪斯制品公司 具有使公差被最优化的互连的图像传感器
US9748214B2 (en) * 2011-10-21 2017-08-29 Santa Barbara Infrared, Inc. Techniques for tiling arrays of pixel elements and fabricating hybridized tiles
US8934512B2 (en) * 2011-12-08 2015-01-13 Binoptics Corporation Edge-emitting etched-facet lasers
DE102013102667A1 (de) * 2013-03-15 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung
JP2015018948A (ja) * 2013-07-11 2015-01-29 ウシオ電機株式会社 光源ユニット
US9277618B2 (en) * 2014-06-27 2016-03-01 Bridgelux, Inc. Monolithic LED chip in an integrated control module with active circuitry
US9853197B2 (en) * 2014-09-29 2017-12-26 Bridgelux, Inc. Light emitting diode package having series connected LEDs

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070019430A1 (en) * 2005-07-21 2007-01-25 Valeo Vision Optical module for a motor vehicle lighting device
WO2008109296A1 (en) * 2007-03-08 2008-09-12 3M Innovative Properties Company Array of luminescent elements
DE102011102032A1 (de) * 2011-05-19 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleitermodul und Display mit einer Mehrzahl derartiger Module
DE102011056888A1 (de) 2011-12-22 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020202425A1 (de) 2020-02-26 2021-08-26 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung einer optoelektronischen vorrichtung und optoelektronische vorrichtung
WO2022167285A1 (de) * 2021-02-02 2022-08-11 Ams-Osram International Gmbh Verfahren zur herstellung einer anordnung von halbleiterchips und anordnung von halbleiterchips

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018529234A (ja) 2018-10-04
US20180254264A1 (en) 2018-09-06
CN108028261A (zh) 2018-05-11
WO2017046000A1 (de) 2017-03-23
US10504879B2 (en) 2019-12-10
CN108028261B (zh) 2022-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102011015821B4 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
WO2013092304A1 (de) Anzeigevorrichtung und verfahren zur herstellung einer anzeigevorrichtung
DE102009053064A1 (de) Dünnfilm-Halbleiterbauelement mit Schutzdiodenstruktur und Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterbauelements
DE102012213343A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil mit saphir-flip-chip
DE102015111492B4 (de) Bauelemente und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen
DE102017128457A1 (de) Herstellung optoelektronischer bauelemente
DE102017123290A1 (de) Lichtemittierendes Bauteil, Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
WO2015010997A1 (de) Oberflächenmontierbares optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung zumindest eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen halbleiterbauteils
EP2223336A1 (de) Leuchtdiodenchip mit überspannungsschutz
DE102018126936A1 (de) Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen
WO2010000224A2 (de) Verfahren zur herstellung einer vielzahl von optoelektronischen bauelementen
DE102013202902A1 (de) Optoelektronisches Bauelement
DE102013221788B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Kontaktelements und eines optoelektronischen Bauelements
WO2014056911A1 (de) Optoelektronisches bauelement mit integrierter schutzdiode und verfahren zu seiner herstellung
WO2017009332A1 (de) Optoelektronisches bauelement und ein verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
WO2017046000A1 (de) Lichtemittierendes bauelement sowie verfahren zur herstellung eines lichtemittierenden bauelements
DE102017100812B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
EP2486604B1 (de) Kontaktierung eines optoelektronischen halbleiterbauteils durch konversionselement
DE102018125281A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil
WO2018185086A1 (de) Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen halbleiterbauelements und optoelektronisches halbleiterbauelement
WO2018011298A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
DE102021101657A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines hybriden Bauelements
DE102016103632A1 (de) Bildpunkteeinheit und Videoanzeigeeinrichtung
DE102016105491A1 (de) Herstellung von halbleiterbauelementen
WO2012013435A1 (de) Licht emittierendes halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines licht emittierenden halbleiterbauelements

Legal Events

Date Code Title Description
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0025075000

Ipc: H01L0025065000

R163 Identified publications notified
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication