JP2000031533A - 半導体発光素子 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光効率の高い紫外域波長での発光が可能な
半導体発光素子の提供。 【解決手段】 本発明の半導体発光素子は、サファイア
基板１の上面に、バッファ層２、n-GaＮコンタクト層
３、n-AlGaＮ系クラッド層４、GaＮ活性層５、p-AlGaＮ
系クラッド層６、およびp-GaＮコンタクト層７を順に積
層したものである。n-AlGaＮ系クラッド層４、GaＮ活性
層５、p-AlGaＮ系クラッド層６、およびp-GaＮコンタク
ト層７の一部は、エッチング除去されて、n-GaＮコンタ
クト層３が露出され、その上面にはｎ側の電流注入用電
極８が形成される。p-GaＮコンタクト層７の上面の一部
には、n-GaＮ電流ブロック層９が形成され、p-GaＮコン
タクト層７とn-GaＮ電流ブロック層９の上面にはｐ側の
電流注入用電極１０が形成される。GaＮ活性層５の厚さ
は50nm以上とされ、電流注入用電極１０を介して電流を
注入する面積は５×10-4以下とされる。
半導体発光素子の提供。 【解決手段】 本発明の半導体発光素子は、サファイア
基板１の上面に、バッファ層２、n-GaＮコンタクト層
３、n-AlGaＮ系クラッド層４、GaＮ活性層５、p-AlGaＮ
系クラッド層６、およびp-GaＮコンタクト層７を順に積
層したものである。n-AlGaＮ系クラッド層４、GaＮ活性
層５、p-AlGaＮ系クラッド層６、およびp-GaＮコンタク
ト層７の一部は、エッチング除去されて、n-GaＮコンタ
クト層３が露出され、その上面にはｎ側の電流注入用電
極８が形成される。p-GaＮコンタクト層７の上面の一部
には、n-GaＮ電流ブロック層９が形成され、p-GaＮコン
タクト層７とn-GaＮ電流ブロック層９の上面にはｐ側の
電流注入用電極１０が形成される。GaＮ活性層５の厚さ
は50nm以上とされ、電流注入用電極１０を介して電流を
注入する面積は５×10-4以下とされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、活性層バンド間遷
移を利用して発光を行う窒化物半導体の素子構造に関す
る。
移を利用して発光を行う窒化物半導体の素子構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】窒化ガリウム系半導体（InAlGaN）は、
その光学遷移が直接遷移であるため、高効率の発光再結
合が可能であり、また、その遷移エネルギーが２〜6.2e
Vと広いため、半導体レーザや高輝度可視LEDなどの高効
率の発光素子材料としてその開発が行われている。さら
に、窒化ガリウム系半導体は、３−５族化合物半導体と
して紫外域波長での発光が可能であることも特徴であ
り、既存の紫外光源に対する置き換えも可能と考えられ
る。
その光学遷移が直接遷移であるため、高効率の発光再結
合が可能であり、また、その遷移エネルギーが２〜6.2e
Vと広いため、半導体レーザや高輝度可視LEDなどの高効
率の発光素子材料としてその開発が行われている。さら
に、窒化ガリウム系半導体は、３−５族化合物半導体と
して紫外域波長での発光が可能であることも特徴であ
り、既存の紫外光源に対する置き換えも可能と考えられ
る。
【０００３】窒化ガリウム系半導体結晶の一つであるＩ
ｎxＧａ1-xＮは、Inの組成割合ｘを変えることにより、
バンドギャップエネルギーをGaＮの3.4eVからInＮの２e
Vまで変化させることができ、可視の発光素子用の活性
層として用いることができる。
ｎxＧａ1-xＮは、Inの組成割合ｘを変えることにより、
バンドギャップエネルギーをGaＮの3.4eVからInＮの２e
Vまで変化させることができ、可視の発光素子用の活性
層として用いることができる。
【０００４】現在のところ、このInGaＮ混晶を発光層と
したLEDが実現され、また、半導体レーザについても電
流注入によるレーザ発振が実現されている。
したLEDが実現され、また、半導体レーザについても電
流注入によるレーザ発振が実現されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Inの組
成割合ｘの小さい（〜0.05以下）結晶を活性層としたLE
Dは、組成割合ｘの大きいものと発光機構が異なること
から、高効率の発光素子を得ることが難しかった。した
がって、高効率の紫外発光LEDを実現するには、成長方
法の改良や素子構造の改良による特性向上が求められて
いる。
成割合ｘの小さい（〜0.05以下）結晶を活性層としたLE
Dは、組成割合ｘの大きいものと発光機構が異なること
から、高効率の発光素子を得ることが難しかった。した
がって、高効率の紫外発光LEDを実現するには、成長方
法の改良や素子構造の改良による特性向上が求められて
いる。
【０００６】本発明は、このような点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、発光効率が高く、紫外域波長
での発光が可能な半導体発光素子を提供することにあ
る。
ものであり、その目的は、発光効率が高く、紫外域波長
での発光が可能な半導体発光素子を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１の発明は、活性層を間に挟んだ積層構
造の窒化物半導体に電流を注入することにより、前記活
性層のバンド間遷移を介して発光を行う半導体発光素子
において、前記活性層の厚さを50nm以上で、かつ、電流
を注入する領域の面積を５×10-4以下にしたことを特徴
とする。
ために、請求項１の発明は、活性層を間に挟んだ積層構
造の窒化物半導体に電流を注入することにより、前記活
性層のバンド間遷移を介して発光を行う半導体発光素子
において、前記活性層の厚さを50nm以上で、かつ、電流
を注入する領域の面積を５×10-4以下にしたことを特徴
とする。
【０００８】例えば、前記活性層は、ＩｎxＧａ1-xＮ
（ただし、０≦ｘ≦0.1）である。また、例えば、前記
活性層は、ＡｌxＧａ1-xＮ（ただし、０≦ｘ≦１）であ
る。
（ただし、０≦ｘ≦0.1）である。また、例えば、前記
活性層は、ＡｌxＧａ1-xＮ（ただし、０≦ｘ≦１）であ
る。
【０００９】さらに、紫外域波長での発光が行われるよ
うに、前記窒化物半導体を構成する各材料の組成割合を
設定する。
うに、前記窒化物半導体を構成する各材料の組成割合を
設定する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体発光素
子の製造方法ついて、図面を参照しながら具体的に説明
する。図１は本発明に係る半導体発光素子の一実施形態
の断面構造を示す図である。図１の半導体発光素子は、
サファイア基板１の上面に、バッファ層２、n-GaＮコン
タクト層３、n-AlGaＮ（n-AlyGa1-yＮ）系クラッド層
４、GaＮ活性層５、p-AlGaＮ（p-AlyGa1-yＮ）系クラッ
ド層６、およびp-GaＮコンタクト層７を順に積層したも
のである。
子の製造方法ついて、図面を参照しながら具体的に説明
する。図１は本発明に係る半導体発光素子の一実施形態
の断面構造を示す図である。図１の半導体発光素子は、
サファイア基板１の上面に、バッファ層２、n-GaＮコン
タクト層３、n-AlGaＮ（n-AlyGa1-yＮ）系クラッド層
４、GaＮ活性層５、p-AlGaＮ（p-AlyGa1-yＮ）系クラッ
ド層６、およびp-GaＮコンタクト層７を順に積層したも
のである。
【００１１】n-AlGaＮ系クラッド層４、GaＮ活性層５、
p-AlGaＮ系クラッド層５、およびp-GaＮコンタクト層６
の一部は、エッチング除去されてメサ型の構造にされ、
n-GaＮコンタクト層３の一部が露出される。この露出さ
れたn-GaＮコンタクト層３の上面にはｎ側の電流注入用
電極８が形成される。
p-AlGaＮ系クラッド層５、およびp-GaＮコンタクト層６
の一部は、エッチング除去されてメサ型の構造にされ、
n-GaＮコンタクト層３の一部が露出される。この露出さ
れたn-GaＮコンタクト層３の上面にはｎ側の電流注入用
電極８が形成される。
【００１２】また、p-GaＮコンタクト層７の上面の一部
には、n-GaＮ電流ブロック層９が形成され、p-GaＮコン
タクト層７とn-GaＮ電流ブロック層９の上面にはｐ側の
電流注入用電極１０が形成される。ｐ側への電流注入
は、n-GaＮ電流ブロック層９で覆われた部分を除くp-Ga
Ｎコンタクト層７の上面側から行われる。
には、n-GaＮ電流ブロック層９が形成され、p-GaＮコン
タクト層７とn-GaＮ電流ブロック層９の上面にはｐ側の
電流注入用電極１０が形成される。ｐ側への電流注入
は、n-GaＮ電流ブロック層９で覆われた部分を除くp-Ga
Ｎコンタクト層７の上面側から行われる。
【００１３】本実施形態では、n-AlGaＮ系クラッド層４
とp-AlGaＮ系クラッド層６の膜厚をいずれも0.2μm、Al
混晶比ｙを0.2、GaＮ活性層５の膜厚を100nmとした。
とp-AlGaＮ系クラッド層６の膜厚をいずれも0.2μm、Al
混晶比ｙを0.2、GaＮ活性層５の膜厚を100nmとした。
【００１４】図１の半導体発光素子を製造する際には、
例えば、MOCVD法で各層を形成し、原料ガスとして例え
ばGa源のトリメチルガリウムやトリエチルガリウムを用
い、In源としてトリメチルインジウムやトリエチルイン
ジウムを用い、Al源としてトリメチルアルミニウムやト
リエチルアルミニウムを用い、Ｎ源としてアンモニアや
ヒドラジン等を用いることができる。
例えば、MOCVD法で各層を形成し、原料ガスとして例え
ばGa源のトリメチルガリウムやトリエチルガリウムを用
い、In源としてトリメチルインジウムやトリエチルイン
ジウムを用い、Al源としてトリメチルアルミニウムやト
リエチルアルミニウムを用い、Ｎ源としてアンモニアや
ヒドラジン等を用いることができる。
【００１５】以下では、ｎ型不純物としてモノシランを
用い、ｐ型不純物としてビスシクロペンタジエニルマグ
ネシウムを用いた例について説明する。
用い、ｐ型不純物としてビスシクロペンタジエニルマグ
ネシウムを用いた例について説明する。
【００１６】図１の半導体発光素子は、電流注入用電極
８，１０を介して電流を注入することにより、活性層内
でバンド間遷移が起こり、紫外域波長での発光が行われ
る。
８，１０を介して電流を注入することにより、活性層内
でバンド間遷移が起こり、紫外域波長での発光が行われ
る。
【００１７】図２は図１の半導体発光素子に順方向バイ
アスを印加して動作させた場合の動作電流と光出力との
関係を示す図である。図２からわかるように、動作電流
が100mAに達しても、注入キャリアのオーバーフローや
ジュール熱に起因する光出力の飽和傾向は見られない。
このため、一般的に使用される動作電流20mAでの発光効
率は低く、素子の設計に問題があることがわかる。
アスを印加して動作させた場合の動作電流と光出力との
関係を示す図である。図２からわかるように、動作電流
が100mAに達しても、注入キャリアのオーバーフローや
ジュール熱に起因する光出力の飽和傾向は見られない。
このため、一般的に使用される動作電流20mAでの発光効
率は低く、素子の設計に問題があることがわかる。
【００１８】通常、このような場合、GaＮ活性層５の厚
さ（以下、活性層厚）を薄くするとともに、電流注入領
域を狭くする施策が取られる。ここでの活性層厚の最適
値は注入キャリアの拡散長程度とし、活性層５の膜厚方
向への注入キャリアの分布をなくすように設計するのが
一般的である。
さ（以下、活性層厚）を薄くするとともに、電流注入領
域を狭くする施策が取られる。ここでの活性層厚の最適
値は注入キャリアの拡散長程度とし、活性層５の膜厚方
向への注入キャリアの分布をなくすように設計するのが
一般的である。
【００１９】しかしながら、アンドープGaＮの移動度を
700cm2/Vsec、キャリアのライフタイムを１nsecとして
キャリアの拡散長を見積もると約1.3μmとなる。すなわ
ち、キャリアの拡散長は、図１の構造の活性層厚（100n
m）よりも十分に長いことが予想される。
700cm2/Vsec、キャリアのライフタイムを１nsecとして
キャリアの拡散長を見積もると約1.3μmとなる。すなわ
ち、キャリアの拡散長は、図１の構造の活性層厚（100n
m）よりも十分に長いことが予想される。
【００２０】図３は電流注入面積を変えたときに活性層
厚と光出力とが変化する様子を示す図であり、動作電流
は20mA固定にしている。図３には、電流注入面積がそれ
ぞれ３×10-4、５×10-4、１×10-3の曲線ｐ，ｑ，ｒが
表示されている。
厚と光出力とが変化する様子を示す図であり、動作電流
は20mA固定にしている。図３には、電流注入面積がそれ
ぞれ３×10-4、５×10-4、１×10-3の曲線ｐ，ｑ，ｒが
表示されている。
【００２１】図３からわかるように、電流注入面積が大
きいほど光出力が小さくなり、かつ、活性層厚が拡散長
よりも薄い場合には、光出力の低下が著しくなる。これ
は、キャリアが飽和（オーバーフロー）したためと予測
できるが、図３では飽和現象が見られていないため、こ
の特性を簡単には説明できない。
きいほど光出力が小さくなり、かつ、活性層厚が拡散長
よりも薄い場合には、光出力の低下が著しくなる。これ
は、キャリアが飽和（オーバーフロー）したためと予測
できるが、図３では飽和現象が見られていないため、こ
の特性を簡単には説明できない。
【００２２】活性層厚を薄くした場合に光出力の低下が
著しくなる理由として、GaＮの結晶品質が成長初期では
よくないことや、活性層５とクラッド層４，６の界面特
性がよくないことが考えられ、格子不整合系での成長が
もたらす結果であることが示唆されるが、現状では確か
な理由はわかっていない。
著しくなる理由として、GaＮの結晶品質が成長初期では
よくないことや、活性層５とクラッド層４，６の界面特
性がよくないことが考えられ、格子不整合系での成長が
もたらす結果であることが示唆されるが、現状では確か
な理由はわかっていない。
【００２３】一方、電流注入面積の変化に対する光出力
の特性は、予想されたものになる。図４は電流注入面積
と光出力との関係を示す図である。図４では、動作電流
を20mA、活性層厚を100nmに設定した例を示している。
図４からわかるように、電流注入面積が小さいほど光出
力は大きくなるため、電流注入面積は小さい方が望まし
いことがわかる。
の特性は、予想されたものになる。図４は電流注入面積
と光出力との関係を示す図である。図４では、動作電流
を20mA、活性層厚を100nmに設定した例を示している。
図４からわかるように、電流注入面積が小さいほど光出
力は大きくなるため、電流注入面積は小さい方が望まし
いことがわかる。
【００２４】図３と図４の両方の特性を考慮に入れる
と、GaＮを活性層５とする紫外発光ＬＥＤでは、活性層
厚を50nm以上で電流注入面積を５×10-4cm2以下にする
ことが高効率発光を行うために必要であり、さらに望ま
しくは、活性層厚を100nm以上で電流注入面積を１×10
-4cm2以下にすればよいことがわかる。
と、GaＮを活性層５とする紫外発光ＬＥＤでは、活性層
厚を50nm以上で電流注入面積を５×10-4cm2以下にする
ことが高効率発光を行うために必要であり、さらに望ま
しくは、活性層厚を100nm以上で電流注入面積を１×10
-4cm2以下にすればよいことがわかる。
【００２５】このように、本実施形態では、窒化ガリウ
ム系半導体の活性層厚に対する光出力の特性と、電流注
入面積に対する光出力の特性とに基づいて、活性層厚を
50nm以上で電流注入面積を５×10-4cm2以下に設定した
ため、従来に比べて、発光効率の高い紫外発光ＬＥＤを
得ることができる。
ム系半導体の活性層厚に対する光出力の特性と、電流注
入面積に対する光出力の特性とに基づいて、活性層厚を
50nm以上で電流注入面積を５×10-4cm2以下に設定した
ため、従来に比べて、発光効率の高い紫外発光ＬＥＤを
得ることができる。
【００２６】上述した実施形態では、動作電流を一般的
な20mAとする例を説明したが、動作電流には特に制限は
なく、動作電流を変えても、活性層厚を50nm以上で電流
注入面積を５×10-4cm2以下にすれば、発光効率を向上
できる点では変わりはない。
な20mAとする例を説明したが、動作電流には特に制限は
なく、動作電流を変えても、活性層厚を50nm以上で電流
注入面積を５×10-4cm2以下にすれば、発光効率を向上
できる点では変わりはない。
【００２７】また、上述した実施形態では、活性層５に
GaＮを用いる例を説明したが、ＩｎxＧａ1-xＮ（ｘは非
混合領域以外）の混晶や、ＡｌＧａＮの混晶でも、同様
の効果が得られる。活性層５をＩｎxＧａ1-xＮの混晶で
形成する場合は、紫外域波長で発光を行わせるには、組
成割合ｘを０≦ｘ≦0.1に設定するのが望ましい。ま
た、活性層５をＡｌxＧａ1-xＮの混晶で形成する場合に
は、組成割合ｘを０≦ｘ≦１に設定するのが望ましい。
GaＮを用いる例を説明したが、ＩｎxＧａ1-xＮ（ｘは非
混合領域以外）の混晶や、ＡｌＧａＮの混晶でも、同様
の効果が得られる。活性層５をＩｎxＧａ1-xＮの混晶で
形成する場合は、紫外域波長で発光を行わせるには、組
成割合ｘを０≦ｘ≦0.1に設定するのが望ましい。ま
た、活性層５をＡｌxＧａ1-xＮの混晶で形成する場合に
は、組成割合ｘを０≦ｘ≦１に設定するのが望ましい。
【００２８】さらに、活性層５への不純物ドーピング
や、ＡｌyＧａ1-yＮクラッド層の特性（例えば、Ａｌ混
晶比ｙ、膜厚、キャリア濃度など）のキャリアの注入条
件を決めるパラメータが変化した場合には、種々換算し
て適用すればよい。
や、ＡｌyＧａ1-yＮクラッド層の特性（例えば、Ａｌ混
晶比ｙ、膜厚、キャリア濃度など）のキャリアの注入条
件を決めるパラメータが変化した場合には、種々換算し
て適用すればよい。
【００２９】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、活性層を間に挟んだ積層構造の窒化物半導体に電
流を注入して発光を行わせる場合に、活性層の厚さを50
nm以上で、電流を注入する領域の面積を５×10-4以下に
したため、従来に比べて、発光効率が高くて紫外域波長
での発光が可能な半導体発光素子を得ることができる。
れば、活性層を間に挟んだ積層構造の窒化物半導体に電
流を注入して発光を行わせる場合に、活性層の厚さを50
nm以上で、電流を注入する領域の面積を５×10-4以下に
したため、従来に比べて、発光効率が高くて紫外域波長
での発光が可能な半導体発光素子を得ることができる。
【図１】本発明に係る半導体発光素子の一実施形態の断
面構造を示す図。
面構造を示す図。
【図２】図１の半導体発光素子に順方向バイアスを印加
して動作させた場合の動作電流と光出力との関係を示す
図。
して動作させた場合の動作電流と光出力との関係を示す
図。
【図３】電流注入面積を変えたときに活性層厚と光出力
とが変化する様子を示す図。
とが変化する様子を示す図。
【図４】電流注入面積と光出力との関係を示す図。
１ サファイア基板 ２ バッファ層 ３ n-GaＮコンタクト層 ４ n-AlGaＮ系クラッド層 ５ GaＮ活性層 ６ p-AlGaＮ系クラッド層 ７ p-GaＮコンタクト層 ８，１０ 電流注入用電極 ９ n-GaＮ電流ブロック層
Claims (4)
- 【請求項１】活性層を間に挟んだ積層構造の窒化物半導
体に電流を注入することにより、前記活性層のバンド間
遷移を介して発光を行う半導体発光素子において、 前記活性層の厚さを50nm以上で、かつ、電流を注入する
領域の面積を５×10-４以下にしたことを特徴とする半
導体発光素子。 - 【請求項２】前記活性層は、ＩｎxＧａ1-xＮ（ただし、
０≦ｘ≦0.1）であることを特徴とする請求項１に記載
の半導体発光素子。 - 【請求項３】前記活性層は、ＡｌxＧａ1-xＮ（ただし、
０≦ｘ≦１）であることを特徴とする請求項１に記載の
半導体発光素子。 - 【請求項４】紫外域波長での発光が行われるように、前
記窒化物半導体を構成する各材料の組成割合を設定する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導
体発光素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19883598A JP2000031533A (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | 半導体発光素子 |
| US09/351,897 US6191439B1 (en) | 1998-07-14 | 1999-07-13 | Semiconductor light emitting device |
| EP99113649A EP0973207A3 (en) | 1998-07-14 | 1999-07-14 | Semiconductor light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19883598A JP2000031533A (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031533A true JP2000031533A (ja) | 2000-01-28 |
Family
ID=16397717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19883598A Pending JP2000031533A (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | 半導体発光素子 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6191439B1 (ja) |
| EP (1) | EP0973207A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000031533A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| RU2296189C2 (ru) | 2001-06-06 | 2007-03-27 | АММОНО Сп.з о.о. | Способ и устройство для получения объемного монокристаллического галлийсодержащего нитрида (варианты) |
| PL214287B1 (pl) * | 2001-10-26 | 2013-07-31 | Ammono Spolka Z Ograniczona Odpowiedzialnoscia | Struktura urzadzenia emitujacego swiatlo z monokrystaliczna objetosciowa warstwa azotku |
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| US7335262B2 (en) | 2002-05-17 | 2008-02-26 | Ammono Sp. Z O.O. | Apparatus for obtaining a bulk single crystal using supercritical ammonia |
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| AU2002354467A1 (en) | 2002-05-17 | 2003-12-02 | Ammono Sp.Zo.O. | Light emitting element structure having nitride bulk single crystal layer |
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| AU2003285767A1 (en) | 2002-12-11 | 2004-06-30 | Ammono Sp. Z O.O. | Process for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride |
| KR100882977B1 (ko) | 2003-03-03 | 2009-02-12 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 제조 방법 |
| US8398767B2 (en) | 2004-06-11 | 2013-03-19 | Ammono S.A. | Bulk mono-crystalline gallium-containing nitride and its application |
| PL371405A1 (pl) | 2004-11-26 | 2006-05-29 | Ammono Sp.Z O.O. | Sposób wytwarzania objętościowych monokryształów metodą wzrostu na zarodku |
| JP6474044B2 (ja) * | 2015-09-15 | 2019-02-27 | 豊田合成株式会社 | 発光ユニット |
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| US5574304A (en) * | 1992-09-14 | 1996-11-12 | Rohm Co., Ltd. | Superluminescent diode with offset current injection regions |
| US5751752A (en) | 1994-09-14 | 1998-05-12 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| JP3448450B2 (ja) | 1996-04-26 | 2003-09-22 | 三洋電機株式会社 | 発光素子およびその製造方法 |
| JP3713100B2 (ja) | 1996-05-23 | 2005-11-02 | ローム株式会社 | 半導体発光素子の製法 |
| JP2000031533A (ja) | 1998-07-14 | 2000-01-28 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
-
1998
- 1998-07-14 JP JP19883598A patent/JP2000031533A/ja active Pending
-
1999
- 1999-07-13 US US09/351,897 patent/US6191439B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-14 EP EP99113649A patent/EP0973207A3/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011066456A (ja) * | 2002-07-30 | 2011-03-31 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | ｐ型活性層を有するＩＩＩ族窒化物発光装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0973207A3 (en) | 2000-08-02 |
| US6191439B1 (en) | 2001-02-20 |
| EP0973207A2 (en) | 2000-01-19 |
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