JP2006093683A - 半導体基板、半導体素子、及び半導体発光素子 - Google Patents
半導体基板、半導体素子、及び半導体発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006093683A JP2006093683A JP2005243330A JP2005243330A JP2006093683A JP 2006093683 A JP2006093683 A JP 2006093683A JP 2005243330 A JP2005243330 A JP 2005243330A JP 2005243330 A JP2005243330 A JP 2005243330A JP 2006093683 A JP2006093683 A JP 2006093683A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- semiconductor
- gan substrate
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 202
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 48
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 211
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 69
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 65
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 57
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 46
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 382
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 117
- 238000000034 method Methods 0.000 description 36
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 29
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 20
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 17
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- FHUGMWWUMCDXBC-UHFFFAOYSA-N gold platinum titanium Chemical compound [Ti][Pt][Au] FHUGMWWUMCDXBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 2
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 description 2
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 2
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Mg+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N triethylindigane Chemical compound CC[In](CC)CC OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
【解決手段】 {0001}面から<1-100>方向へのオフ角度の絶対値が0.14°以上0.35°以下、且つ{0001}面から<11-20>方向へのオフ角度の絶対値が0.00°以上0.06°以下の面方位のGaN基板11と、このGaN基板11上に積層された窒化物系III−V族化合物半導体層12と、この窒化物系III−V族化合物半導体層12上の素子構造部(13〜20)とを備える。
【選択図】 図1
Description
中村修二他,「GaN基板上に成長したInGaN/GaN/AlGaN系レーザダイオードの連続動作(Continuous-wave operation of InGaN/GaN/AlGaN -based laser diodes grown on GaN substrates)」,アプライド・フィジックス・レターズ(Applied Physics Letters),1998年4月20日,第72巻,第2号,p.2014−2016
本発明の第1の実施の形態に係る半導体素子は、図1に示すように、n型GaN基板11上に、シリコン(Si)等のn型不純物がドープされたn型GaN層12が積層された積層基体(11,12)を基礎としている。なお、n型GaN層12は、例示であり、より、一般的には、InxGa1-x-yAlyN層等の他の窒化物系III−V族化合物半導体のn型単結晶層でも良い。n型GaN基板11は、{0001}面から<1-100>方向へのオフ角度Δθ1-100の絶対値、及び{0001}面から<11-20>方向へのオフ角度Δθ11-20の絶対値がそれぞれ,
本発明の第2の実施の形態に係る半導体素子は、図13に示すように、オフ角度Δθ1-100及びΔθ11-20が式(1)及び(2)の関係を満たすn型GaN基板11上に、n型GaN層12が積層された積層基体(11,12)を基礎としている点では、第1の実施の形態に係る半導体素子と同様であるが、第2の実施の形態に係る半導体素子では、この積層基体(11,12)上に、発光ダイオード(LED)の素子構造部が形成される。第1の実施の形態で説明したように、n型GaN層12は、例示であり、より、一般的には、InxGa1-x-yAlyN層等の他の窒化物系III−V族化合物半導体のn型単結晶層でも良いことは勿論である。
本発明の第3の実施の形態に係る半導体素子は、図15に示すように、オフ角度Δθ1-100及びΔθ11-20が式(1)及び(2)の関係を満たすn型GaN基板11上に、Siド−プGaN層からなるn型ドリフト層24、Mgド−プInxGa1-xN層からなるp型ベース層25、Siド−プ層からなるn型エミッタ層26が順に積層されてヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)を構成している。n型GaN基板11は、コレクタ層(コレクタコンタクト層)として機能する。
上記のように、本発明は第1〜第3の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
11…n型GaN基板
12…n型GaN層
13…n型クラッド層
14…n型GaNガイド層
15…発光層(活性層)
16…p型GaN第1ガイド層
17…オーバーフロー防止層
18…p型GaN第2ガイド層
19…p型クラッド層
20…p型GaNコンタクト層
21…発光層(活性層)
24…n型ドリフト層
25…p型ベース層
26…n型エミッタ層
31…n側電極
32…p側電極
33…p側電極
41…絶縁膜
42…パッシベーション膜
43…コレクタ電極
44…ベース電極
45…エミッタ電極
50a,50b…溝部
51…フォトレジスト
61…GaN基板
62…ノンドープGaN層(第1の単結晶層)
63…ノンドープAlxGa1-xN層(第2の単結晶層)
64…二次元電子雲
65…n型ソース領域
66…n型ドレイン領域
71…ソース電極
72…ドレイン電極
73…ゲート電極(ショットキ・バリア・ゲート)
Claims (20)
- {0001}面から<1-100>方向へのオフ角度の絶対値が0.12°以上0.35°以下、且つ{0001}面から<11-20>方向へのオフ角度の絶対値が0.00°以上0.06°以下の面方位のGaN基板と、
該GaN基板上に積層された窒化物系III−V族化合物半導体単結晶層と、
を備えることを特徴とする半導体基板。 - 前記GaN基板と前記窒化物系III−V族化合物半導体単結晶層との間に不純物元素を5x1017cm-3以上2x1019cm-3以下含有する層を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板。
- 前記不純物元素を含有する層の厚さは、0.3nm以上、200nm以下であることを特徴とする請求項2に記載の半導体基板。
- 前記GaN基板はn型GaN基板であり、前記不純物元素を含有する層はn型不純物元素を含有することを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体基板。
- 前記{0001}面から<1-100>方向へのオフ角度の絶対値は、0.12°以上、0.30°以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体基板。
- 前記{0001}面から<1-100>方向へのオフ角度の絶対値は、0.14°以上、0.28°以下であることを特徴とする請求項5に記載の半導体基板。
- {0001}面から<1-100>方向へのオフ角度の絶対値が0.12°以上0.35°以下、且つ{0001}面から<11-20>方向へのオフ角度の絶対値が0.00°以上0.06°以下の面方位のGaN基板と、
該GaN基板上に積層された窒化物系III−V族化合物半導体単結晶層と、
該窒化物系III−V族化合物半導体単結晶層上に設けられ窒化物系III−V族化合物からなる発光層と、
を備えることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記GaN基板はn型GaN基板であり、前記単結晶層はn型窒化物系III−V族化合物半導体からなることを特徴とする請求項7に記載の半導体発光素子。
- 前記単結晶層と前記発光層の間に挿入された窒化物系III−V族化合物半導体からなるn型クラッド層と、
前記発光層上の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型クラッド層
とを更に備えることを特徴とする請求項8に記載の半導体発光素子。 - 前記n型クラッド層及び前記発光層の間に挿入された窒化物系III−V族化合物半導体からなるn型光ガイド層と、
前記p型クラッド層及び前記発光層の間に挿入された窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型光ガイド層
とを更に備えることを特徴とする請求項9に記載の半導体発光素子。 - 前記GaN基板と前記窒化物系III−V族化合物半導体単結晶層との間に不純物元素を5x1017cm-3以上2x1019cm-3以下含有する層を更に備えることを特徴とする請求項7〜10のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記不純物元素を含有する層の厚さは、0.3nm以上、200nm以下であることを特徴とする請求項11に記載の半導体発光素子。
- 前記GaN基板はn型GaN基板であり、前記不純物元素を含有する層はn型不純物元素を含有することを特徴とする請求項11又は12に記載の半導体発光素子。
- 前記{0001}面から<1-100>方向へのオフ角度の絶対値は、0.12°以上、0.30°以下であることを特徴とする請求項7〜13のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記{0001}面から<1-100>方向へのオフ角度の絶対値は、0.14°以上、0.28°以下であることを特徴とする請求項14に記載の半導体発光素子。
- {0001}面から<1-100>方向へのオフ角度の絶対値が0.12°以上0.35°以下、且つ{0001}面から<11-20>方向へのオフ角度の絶対値が0.00°以上0.06°以下の面方位のGaN基板と、
該GaN基板上にエピタキシャル成長された窒化物系III−V族化合物半導体からなる素子構造部
とを備えることを特徴とする半導体素子。 - 前記素子構造部は発光層を備えることを特徴とする請求項16に記載の半導体素子。
- 前記GaN基板は、n型GaN基板であり、且つ前記素子構造部は、
前記n型GaN基板上の窒化物系III−V族化合物半導体からなるn型ドリフト層と、
該n型ドリフト層上の窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型ベース層と、
該p型ベース層上の窒化物系III−V族化合物半導体からなるn型エミッタ層
とを備えることを特徴とする請求項16に記載の半導体素子。 - 前記n型エミッタ層は、前記p型ベースより広い禁制帯幅を有することを特徴とする請求項18に記載の半導体素子。
- 前記素子構造部は、
前記GaN基板上の窒化物系III−V族化合物半導体からなる第1の単結晶層と、
該第1の単結晶層上に配置され、且つ該第1の単結晶層より広い禁制帯幅を有する窒化物系III−V族化合物半導体からなる第2の単結晶層
とを備えることを特徴とする請求項16に記載の半導体素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005243330A JP4693547B2 (ja) | 2004-08-24 | 2005-08-24 | 半導体基板、半導体素子、及び半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004244072 | 2004-08-24 | ||
JP2004244072 | 2004-08-24 | ||
JP2005243330A JP4693547B2 (ja) | 2004-08-24 | 2005-08-24 | 半導体基板、半導体素子、及び半導体発光素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011006382A Division JP4892103B2 (ja) | 2004-08-24 | 2011-01-14 | 半導体基板及び半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006093683A true JP2006093683A (ja) | 2006-04-06 |
JP4693547B2 JP4693547B2 (ja) | 2011-06-01 |
Family
ID=36234308
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005243330A Active JP4693547B2 (ja) | 2004-08-24 | 2005-08-24 | 半導体基板、半導体素子、及び半導体発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4693547B2 (ja) |
Cited By (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007299793A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物系電子デバイスおよびエピタキシャル基板 |
JP2007317794A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2008004779A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体バイポーラトランジスタ及び窒化物半導体バイポーラトランジスタの製造方法 |
JP2008091488A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体製造方法 |
JP2008124109A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Sony Corp | 半導体レーザ、半導体レーザの製造方法、光ピックアップ、光ディスク装置、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2008182202A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-08-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
JP2008182069A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2008258456A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Opnext Japan Inc | 窒化物半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JP2008277657A (ja) * | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体基板およびその製造方法 |
JP2009004569A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物系半導体発光素子 |
JP2009026886A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
WO2009066725A1 (ja) * | 2007-11-22 | 2009-05-28 | Rohm Co., Ltd. | ZnO系半導体素子 |
JP2009224602A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ、窒化物半導体レーザを作製する方法、及び窒化物半導体レーザのためのエピタキシャルウエハ |
JP2009267030A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ装置の製造方法 |
JP2010067953A (ja) * | 2009-06-29 | 2010-03-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物系半導体光素子、窒化物系半導体光素子のためのエピタキシャルウエハ、及び半導体発光素子を製造する方法 |
JP2010219490A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ガリウム系半導体膜を成長する方法、窒化ガリウム系半導体電子デバイスを作製する方法、エピタキシャル基板、及び窒化ガリウム系半導体電子デバイス |
JP2011077352A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、及び、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法 |
JP2012019246A (ja) * | 2011-10-25 | 2012-01-26 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
CN101276990B (zh) * | 2007-03-30 | 2012-02-01 | 三洋电机株式会社 | 半导体激光元件及其制造方法 |
JP2012235091A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-29 | Soraa Inc | ミスカットバルク基板上にエピタキシャルプロセスを行う方法およびシステム |
JP2013033983A (ja) * | 2012-09-24 | 2013-02-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物系電子デバイス |
JP2013038092A (ja) * | 2011-08-03 | 2013-02-21 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2013070099A (ja) * | 2013-01-08 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2014027315A (ja) * | 2004-08-24 | 2014-02-06 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
WO2014050740A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | シャープ株式会社 | スイッチング素子 |
US8847249B2 (en) | 2008-06-16 | 2014-09-30 | Soraa, Inc. | Solid-state optical device having enhanced indium content in active regions |
JP2016537831A (ja) * | 2013-11-04 | 2016-12-01 | アヴォジー,インコーポレイテッド | ミスカット基板を用いた高パワーの窒化ガリウムエレクトロニクス |
US9646827B1 (en) | 2011-08-23 | 2017-05-09 | Soraa, Inc. | Method for smoothing surface of a substrate containing gallium and nitrogen |
WO2017195502A1 (ja) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 窒化物系発光素子 |
JP2018032829A (ja) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | 学校法人法政大学 | 半導体積層物の観察方法、観察装置、観察プログラム、および、半導体装置の製造方法 |
JP2018064103A (ja) * | 2013-06-06 | 2018-04-19 | 日本碍子株式会社 | 13族窒化物複合基板、半導体素子、および13族窒化物複合基板の製造方法 |
JPWO2017073047A1 (ja) * | 2015-10-27 | 2018-08-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000223743A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子及び窒化物半導体層の成長方法 |
JP2006066869A (ja) * | 2004-04-02 | 2006-03-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体素子 |
-
2005
- 2005-08-24 JP JP2005243330A patent/JP4693547B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000223743A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子及び窒化物半導体層の成長方法 |
JP2006066869A (ja) * | 2004-04-02 | 2006-03-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体素子 |
Cited By (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014027315A (ja) * | 2004-08-24 | 2014-02-06 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2007299793A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物系電子デバイスおよびエピタキシャル基板 |
JP2007317794A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2008004779A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体バイポーラトランジスタ及び窒化物半導体バイポーラトランジスタの製造方法 |
JP2008091488A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体製造方法 |
JP2008124109A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Sony Corp | 半導体レーザ、半導体レーザの製造方法、光ピックアップ、光ディスク装置、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2008182202A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-08-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
JP2008182069A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
CN101276990B (zh) * | 2007-03-30 | 2012-02-01 | 三洋电机株式会社 | 半导体激光元件及其制造方法 |
JP2008258456A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Opnext Japan Inc | 窒化物半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JP2008277657A (ja) * | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体基板およびその製造方法 |
JP2009004569A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物系半導体発光素子 |
US8829545B2 (en) | 2007-06-21 | 2014-09-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Group III nitride semiconductor light-emitting device |
JP2009026886A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
JP2009130133A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Rohm Co Ltd | ZnO系半導体素子 |
WO2009066725A1 (ja) * | 2007-11-22 | 2009-05-28 | Rohm Co., Ltd. | ZnO系半導体素子 |
JP2009224602A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ、窒化物半導体レーザを作製する方法、及び窒化物半導体レーザのためのエピタキシャルウエハ |
JP2009267030A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ装置の製造方法 |
US8847249B2 (en) | 2008-06-16 | 2014-09-30 | Soraa, Inc. | Solid-state optical device having enhanced indium content in active regions |
JP2010219490A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ガリウム系半導体膜を成長する方法、窒化ガリウム系半導体電子デバイスを作製する方法、エピタキシャル基板、及び窒化ガリウム系半導体電子デバイス |
JP2013211552A (ja) * | 2009-02-20 | 2013-10-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ガリウム系半導体膜を成長する方法、窒化ガリウム系半導体電子デバイスを作製する方法、エピタキシャル基板、及び窒化ガリウム系半導体電子デバイス |
JP2010067953A (ja) * | 2009-06-29 | 2010-03-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物系半導体光素子、窒化物系半導体光素子のためのエピタキシャルウエハ、及び半導体発光素子を製造する方法 |
JP2011077352A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、及び、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法 |
JP2012235091A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-29 | Soraa Inc | ミスカットバルク基板上にエピタキシャルプロセスを行う方法およびシステム |
US9236530B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-01-12 | Soraa, Inc. | Miscut bulk substrates |
JP2013038092A (ja) * | 2011-08-03 | 2013-02-21 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置 |
US9407065B2 (en) | 2011-08-03 | 2016-08-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser |
US9646827B1 (en) | 2011-08-23 | 2017-05-09 | Soraa, Inc. | Method for smoothing surface of a substrate containing gallium and nitrogen |
JP2012019246A (ja) * | 2011-10-25 | 2012-01-26 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2013033983A (ja) * | 2012-09-24 | 2013-02-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物系電子デバイス |
WO2014050740A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | シャープ株式会社 | スイッチング素子 |
JP2013070099A (ja) * | 2013-01-08 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2018064103A (ja) * | 2013-06-06 | 2018-04-19 | 日本碍子株式会社 | 13族窒化物複合基板、半導体素子、および13族窒化物複合基板の製造方法 |
JP2016537831A (ja) * | 2013-11-04 | 2016-12-01 | アヴォジー,インコーポレイテッド | ミスカット基板を用いた高パワーの窒化ガリウムエレクトロニクス |
US10347736B2 (en) | 2013-11-04 | 2019-07-09 | Nexgen Power Systems, Inc. | High power gallium nitride electronics using miscut substrates |
US10566439B2 (en) | 2013-11-04 | 2020-02-18 | Nexgen Power Systems, Inc. | High power gallium nitride electronics using miscut substrates |
US10854727B2 (en) | 2013-11-04 | 2020-12-01 | Nexgen Power Systems, Inc. | High power gallium nitride electronics using miscut substrates |
JPWO2017073047A1 (ja) * | 2015-10-27 | 2018-08-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
WO2017195502A1 (ja) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 窒化物系発光素子 |
JPWO2017195502A1 (ja) * | 2016-05-13 | 2019-03-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 窒化物系発光素子 |
JP2018032829A (ja) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | 学校法人法政大学 | 半導体積層物の観察方法、観察装置、観察プログラム、および、半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4693547B2 (ja) | 2011-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4693547B2 (ja) | 半導体基板、半導体素子、及び半導体発光素子 | |
JP5717825B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
US7760785B2 (en) | Group-III nitride semiconductor device | |
US8304756B2 (en) | Deep ultraviolet light emitting device and method for fabricating same | |
KR100863928B1 (ko) | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법, 및 반도체 장치 및 그제조 방법 | |
US10304997B2 (en) | III-nitride light emitting device with a region including only ternary, quaternary, and/or quinary III-nitride layers | |
US7417258B2 (en) | Semiconductor light-emitting device, and a method of manufacture of a semiconductor device | |
US8138002B2 (en) | Semiconductor light-emitting element, fabrication method thereof, convex part formed on backing, and convex part formation method for backing | |
JP2008205514A (ja) | Iii−v族窒化物半導体素子 | |
JP2003152219A (ja) | 窒化ガリウムインジウムの分離封じ込めヘテロ構造発光デバイス | |
JP4458223B2 (ja) | 化合物半導体素子及びその製造方法 | |
JPH11191659A (ja) | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 | |
JP2016058693A (ja) | 半導体装置、半導体ウェーハ、及び、半導体装置の製造方法 | |
JPH11340508A (ja) | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 | |
JPH11274560A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
JP5314257B2 (ja) | 低欠陥の半導体基板、半導体発光素子、およびそれらの製造方法 | |
JP4058592B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
KR100659898B1 (ko) | 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101116 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110201 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110222 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140304 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4693547 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |