JPWO2017195502A1 - 窒化物系発光素子 - Google Patents
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Abstract
Description
実施の形態を説明する前に、本発明の基礎となった知見について説明する。
実施の形態1に係る窒化物系発光素子(以下、単に「発光素子」ともいう。)の断面構造を図1Aに示す。図1Aに示すのは、GaN基板11上に、N型AlGaNクラッド層(膜厚1.2μm)12、N型GaNからなる第2光ガイド層(100nm)13、アンドープのInGaNからなる第3光ガイド層(膜厚185nm)14、アンドープの多重量子井戸活性層15、アンドープのInGaNからなる第1光ガイド層(膜厚100nm)16、P型のGaNからなる中間層(膜厚5nm)17、P型の電子障壁層18、P型AlGaNクラッド層(膜厚660nm)19、P型GaNコンタクト層(膜厚0.1μm)20、光分布に対して透明な電流ブロック層30、N型電極31、P型電極32からなる発光素子の断面図である。リッジの幅(W)は16.0μmである。
以上、本実施の形態に係る窒化物系半導体発光装置によると、窒化物系の発光素子である発光素子において、ピエゾ電界による電子障壁層の価電子帯のバンド構造の変化を電子障壁層の組成変化による価電子バンド構造の変化で打ち消し、正孔に対するエネルギー障壁の増大を抑制することで動作電圧の増大を抑制することができる。また、電子に対するエネルギー障壁を増大することが可能となる。さらに、電子障壁層に近い側の第2クラッド層の不純物濃度を低減することで、導波路損失を低減することができる。この結果、第2クラッド層の不純物濃度を低減しても、動作電圧の増大を招くことなく、漏れ電流を抑制しつつ導波路損失の低減が可能となる。よって、動作電流値と動作電圧が低減される。従って、低導波路損失、低動作電圧かつ、漏れ電流の小さい発光素子を実現することができる。
次に、実施の形態2に係る発光素子について説明する。
次に、実施の形態3に係る発光素子について説明する。
次に、実施の形態4に係る発光素子について説明する。
次に、実施の形態5に係る発光素子について説明する。
次に、実施の形態6に係る発光素子について説明する。
なお、本発明は、上述した実施の形態に記載した構成に限定されるものではなく、例えば以下に示すような変更を適宜加えてもよい。
12 N型AlGaNクラッド層(第1導電側第1半導体層)
12a 高濃度不純物領域(第3領域)
12c 組成変化領域
12e 高濃度不純物領域
12g 組成変化領域
13 第2光ガイド層(第1導電側第2半導体層)
13a 高濃度不純物領域(第4領域)
13b 高濃度不純物領域(第7領域)
13c 組成変化領域
13d 組成変化領域
13e 高濃度不純物領域
13f 組成変化領域
13g 組成変化領域
13h 高濃度不純物領域
14 第3光ガイド層(第1導電側第3半導体層)
14b 高濃度不純物領域(第8領域)
14d 組成変化領域
14f 組成変化領域
14h 高濃度不純物領域
15 多重量子井戸活性層(活性層)
15a、15c、15e バリア層
15b、15d InGaNウェル層
16 第1光ガイド層(第2導電側第2半導体層)
17 GaN中間層(第2導電側第3半導体層)
18 電子障壁層
18a Al組成増大領域(第1領域)
18b Al組成一定領域(第2領域)
18c Al組成減少領域
19 P型AlGaNクラッド層(第2導電側第1半導体層)
19a 低ドーピング領域(電子障壁層に近い側の領域)
19b 高ドーピング領域(電子障壁層に遠い側の領域)
20 P型GaNコンタクト層
30 電流ブロック層
31 N型電極
32 P型電極
211 N型層
212 活性層
213 P型層
225 下部クラッド層
231b 第1の窒化物系半導体層
232b 第2の窒化物系半導体層
228 P側電子閉じ込め層
230 上部クラッド層
201 井戸層
202 障壁層
300 半導体レーザ
330 n−AlGaNクラッド層
340 N側非ドープGaN導波路
350 MQW活性層
352 InGaN井戸副層
354 GaN障壁副層
360 P側非ドープGaN導波路層
382 次第に増加するアルミニウム濃度部分
384 次第に減少するアルミニウム濃度部分
386 アルミニウム濃度が平坦域
370 SLSクラッド層
372 p−AlGaN副層
374 p−GaN副層
Claims (20)
- GaN基板上に、第1導電型の窒化物系半導体を含む第1導電側第1半導体層、GaまたはInを含む窒化物系半導体を含む活性層、第2導電型の窒化物系半導体を含む第2導電側第1半導体層を順次備え、
前記活性層と前記第2導電側第1半導体層の間には、少なくともAlを含む窒化物系半導体を含む第2導電型の電子障壁層を備え、
前記電子障壁層は、Al組成が変化する第1領域を有し、
前記第1領域は、前記活性層から前記第2導電側第1半導体層に向かう方向に対してAl組成が単調増加しており、
前記第2導電側第1半導体層における前記電子障壁層に近い側の領域の不純物濃度は、前記電子障壁層に遠い側の領域の不純物濃度に対して相対的に低い
窒化物系発光素子。 - 前記第2導電側第1半導体層は、前記電子障壁層と接している
請求項1に記載の窒化物系発光素子。 - 前記電子障壁層は、Al組成が一定である第2領域を有し、
前記第2領域は、前記第1領域と前記第2導電側第1半導体層の間に配置されている
請求項1または2に記載の窒化物系発光素子。 - 前記電子障壁層の前記第2領域は、前記第2導電側第1半導体層に接する
請求項3に記載の窒化物系発光素子。 - 前記第1領域の膜厚は、5nm以上10nm以下である
請求項1〜4のいずれか1項に記載の窒化物系発光素子。 - 前記第2領域の膜厚は、4nm以下である
請求項3または4に記載の窒化物系発光素子。 - 前記電子障壁層のAl組成の最大の割合は、25%以上である
請求項1〜6のいずれか1項に記載の窒化物系発光素子。 - 前記電子障壁層の不純物濃度は、1×10−19cm−3以上である
請求項1〜7のいずれか1項に記載の窒化物系発光素子。 - 前記第2導電側第1半導体層における前記電子障壁層に近い側の領域の膜厚は200nm以上300nm以下であり、前記第2導電側第1半導体層における前記電子障壁層に近い側の領域の不純物濃度は、1×1019cm−3以上5×1019cm−3以下である
請求項1〜8のいずれか1項に記載の窒化物系発光素子。 - 前記活性層と前記電子障壁層の間には、第2導電側第2半導体層が配置されている
請求項1〜9のいずれか1項に記載の窒化物系発光素子。 - 前記第2導電側第2半導体層と前記第2導電側第1半導体層との間には、第2導電側第3半導体層が配置され、前記第2導電側第3半導体層のバンドギャップエネルギーは、前記第2導電側第2半導体層よりも大きく、かつ、前記第1領域のバンドギャップエネルギー以下である
請求項10に記載の窒化物系発光素子。 - 前記第2導電側第3半導体層は、p型のGaNである
請求項11に記載の窒化物系発光素子。 - 前記第1導電側第1半導体層と前記活性層の間には、第1導電側第2半導体層が配置され、前記第1導電側第1半導体層のバンドギャップエネルギーをE1、
前記第1導電側第2半導体層のバンドギャップエネルギーをE2とすると、
E1>E2の関係を有している
請求項1〜12のいずれか1項に記載の窒化物系発光素子。 - 前記第1導電側第1半導体層において前記第1導電側第1半導体層と前記第1導電側第2半導体層との界面に隣接する第3領域および前記第1導電側第2半導体層において前記第1導電側第2半導体層と前記第1導電側第1半導体層との界面に隣接する第4領域の少なくとも一方は、前記第1導電側第1半導体層の前記第3領域に隣接する第5領域及び前記第1導電側第2半導体層の前記第4領域に隣接する第6領域の不純物濃度と比較して相対的に高い濃度の不純物がドーピングされている高濃度不純物領域、または、前記第5領域から前記第6領域までの原子組成を補間するように組成が変化している組成変化領域の少なくとも一方が形成されている
請求項13に記載の窒化物系発光素子。 - 前記第1導電側第2半導体層と前記活性層の間には、第1導電側第3半導体層が配置され、前記第1導電側第3半導体層のバンドギャップエネルギーをE3とすると、
E2>E3の関係を有している
請求項13または14に記載の窒化物系発光素子。 - 前記第1導電側第2半導体層において前記第1導電側第2半導体層と前記第1導電側第3半導体層との界面に隣接する第7領域および前記第1導電側第3半導体層において前記第1導電側第3半導体層と前記第1導電側第2半導体層との界面に隣接する第8領域の少なくとも一方は、前記第1導電側第2半導体層の前記第7領域に隣接する第9領域及び前記第1導電側第3半導体層の前記第8領域に隣接する第10領域の不純物濃度と比較して相対的に高い濃度の不純物がドーピングされている高濃度不純物領域、または、前記第9領域から前記第10領域までの原子組成を補間するように組成が変化している組成変化領域の少なくとも一方が形成されている
請求項15に記載の窒化物系発光素子。 - 前記高濃度不純物領域における不純物濃度は、1×1018cm−3以上1.5×1018cm−3以下であって、前記高濃度不純物領域が形成されている領域は、前記高濃度不純物領域に隣接する界面から、当該界面からの距離が10nm以上20nm以下までの領域である
請求項16に記載の窒化物系発光素子。 - 前記高濃度不純物領域における不純物濃度は、2×1018cm−3以上2.5×1018cm−3以下であって、前記高濃度不純物領域が形成されている領域は、前記高濃度不純物領域に隣接する界面から、当該界面からの距離が5nm以上10nm以下までの領域である
請求項16に記載の窒化物系発光素子。 - 前記組成変化領域における不純物濃度は、5×1017cm−3以上であって、前記組成変化領域が形成されている領域は、前記組成変化領域に隣接する界面から、当該界面からの距離が10nm以上の領域である
請求項16に記載の窒化物系発光素子。 - 前記第1導電側第3半導体層の膜厚は、前記第1導電側第2半導体層の膜厚よりも大きい
請求項15〜19のいずれか1項に記載の窒化物系発光素子。
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