WO2022239322A1

WO2022239322A1 - 面発光レーザ素子、電子機器及び面発光レーザ素子の製造方法

Info

Publication number: WO2022239322A1
Application number: PCT/JP2022/003911
Authority: WO
Inventors: 重吾御友; 耕太徳田
Original assignee: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority date: 2021-05-14
Filing date: 2022-02-02
Publication date: 2022-11-17
Also published as: US20240235167A1; CN117280554A; JPWO2022239322A1; EP4336685A1

Abstract

本技術は、第２領域に隣接する発光部と、該発光部以外の発光部との間での発光強度のばらつきを低減することができる面発光レーザ素子を提供する。　本技術に係る面発光レーザ素子は、基板と、前記基板の一面に設けられた電極と、前記一面の前記電極側とは反対側に設けられ、メサを有する発光部が複数配置された第１領域と、前記一面の前記電極側とは反対側における前記第１領域の周辺に配置された第２領域と、を備え、前記複数の発光部のメサのうち互いに隣接する２つのメサにより規定される第１凹部の深さ寸法よりも、前記複数の発光部のメサのうち前記第２領域に隣接するメサと前記第２領域とにより規定される第２凹部の深さ寸法の方が大きい。

Description

面発光レーザ素子、電子機器及び面発光レーザ素子の製造方法

　本開示に係る技術（以下「本技術」とも呼ぶ）は、面発光レーザ素子、電子機器及び面発光レーザ素子の製造方法に関する。

　従来、メサを有する発光部が複数配置された第１領域と該第１領域の周辺の第２領域とを備える面発光レーザ素子が知られている（例えば特許文献１参照）。

特開２０１４－１３２６９２号公報

　しかしながら、従来の面発光レーザ素子では、第２領域に隣接する発光部と、該発光部以外の発光部との間での発光強度のばらつきを低減することに関して改善の余地があった。

　そこで、本技術は、第２領域に隣接する発光部と、該発光部以外の発光部との間での発光強度のばらつきを低減することができる面発光レーザ素子を提供する。

　本技術は、基板と、
　前記基板の一面に設けられた電極と、
　前記一面の前記電極側とは反対側に設けられ、メサを有する発光部が複数配置された第１領域と、
　前記一面の前記電極側とは反対側における前記第１領域の周辺に配置された第２領域と、
　を備え、
　前記複数の発光部のメサのうち互いに隣接する２つのメサにより規定される第１凹部の深さ寸法よりも、前記複数の発光部のメサのうち前記第２領域に隣接するメサと前記第２領域とにより規定される第２凹部の深さ寸法の方が大きい、面発光レーザ素子を提供する。
　前記電極は、前記複数の発光部に対して共通に設けられた共通電極であってもよい。
　前記第２領域は、前記第２領域に隣接するメサに隣接するダミーメサを含み、前記第２領域に隣接するメサと前記ダミーメサとにより前記第２凹部が規定されてもよい。
　前記第２凹部の底面は、前記基板に垂直な方向に関して、前記第１凹部の底面よりも前記一面に近い位置に位置していてもよい。
　前記第１及び第２凹部の開口端は、略面一であってもよい。
　前記第１及び第２凹部の底面は、いずれも前記基板の他面の前記一面側とは反対側に位置してもよい。
　前記第１凹部の底面は、前記基板の他面の前記一面側とは反対側に位置し、前記第２凹部の底面は、前記基板内に位置していてもよい。
　前記第１及び第２凹部の底面は、いずれも前記基板内に位置していてもよい。
　前記第１及び第２領域は、前記基板を含む積層構造の面内方向の異なる位置に設けられ、前記積層構造では、前記一面の前記電極側とは反対側に第１多層膜反射鏡、活性層及び第２多層膜反射鏡がこの順に積層されていてもよい。
　前記第１及び第２凹部の底面は、いずれも前記第１多層膜反射鏡内に位置していてもよい。
　前記第１凹部の底面は、前記第２多層膜反射鏡内に位置し、前記第２凹部の底面は、前記第１多層膜反射鏡内に位置していてもよい。
　前記第１凹部の底面は、前記第１多層膜反射鏡内に位置し、前記第２凹部の底面は、前記基板内に位置していてもよい。
　前記第１凹部の底面は、前記第２多層膜反射鏡内に位置し、前記第２凹部の底面は、前記基板内に位置していてもよい。
　前記第１及び第２凹部の底面は、いずれも前記第２多層膜反射鏡内に位置していてもよい。
　前記互いに隣接する２つのメサ及び前記第２領域を一緒に切断した断面内において、前記第１凹部の幅よりも前記第２凹部の幅の方が大きくてもよい。
　前記第２領域に隣接する少なくとも１つの前記メサの頂部及び前記第２領域に隣接しない少なくとも２つの前記メサの頂部に共通の別の電極が設けられていてもよい。
　前記互いに隣接する２つのメサの中心間の間隔は、１０μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。
　本技術は、前記面発光レーザ素子を備える、電子機器も提供する。
　本技術は、基板上に第１多層膜反射鏡、活性層及び第２多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、
　前記積層体をエッチングしてメサが複数配置された第１領域及び該第１領域の周辺の第２領域を形成する工程と、
　前記基板の前記第１多層膜反射鏡側の面とは反対側の面に電極を形成する工程と、
　を含み、
　前記第１及び第２領域を形成する工程では、前記複数の発光部のメサのうち互いに隣接する２つのメサにより規定される第１凹部の深さ寸法よりも、前記複数の発光部のメサのうち前記第２領域に隣接するメサと前記第２領域とにより規定される第２凹部の深さ寸法の方が大きくなるように前記積層体をエッチングする、面発光レーザ素子の製造方法も提供する。
　前記電極を形成する工程では、前記基板の前記第１多層膜反射鏡側の面とは反対側の面の、少なくとも前記第１及び第２領域に対応する領域に前記電極を形成してもよい。

本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子の断面図（その１）である。本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子の断面図（その２）である。本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子の平面図である。本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子の製造方法の第１例を説明するためのフローチャートである。図４の第１工程を示す断面図である。図４の第２工程の第１サブ工程を示す断面図である。図４の第２工程の第２サブ工程を示す断面図である。図４の第２工程の第３サブ工程を示す断面図である。図４の第３工程の第１サブ工程を示す断面図である。図４の第３工程の第２サブ工程を示す断面図である。図４の第３工程の第３サブ工程を示す断面図である。図４の第４工程を示す断面図である。図４の第５工程を示す断面図である。図４の第６工程を示す断面図である。図４の第７工程を示す断面図である。図４の第８工程を示す断面図である。本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子の製造方法の第２例を説明するためのフローチャートである。図１７の第３工程の第１サブ工程を示す断面図である。図１７の第３工程の第２サブ工程を示す断面図である。図１７の第３工程の第３サブ工程を示す断面図である。図１７の第４工程の第１サブ工程を示す断面図である。図１７の第４工程の第２サブ工程を示す断面図である。本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子の製造方法の第３例を説明するためのフローチャートである。図２３の第３工程の第１サブ工程を示す断面図である。図２３の第３工程の第２サブ工程を示す断面図である。図２３の第３工程の第３サブ工程を示す断面図である。図２３の第４工程の第１サブ工程を示す断面図である。図２３の第４工程の第２サブ工程を示す断面図である。本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子の作用を説明するための図である。比較例の面発光レーザ素子の作用を説明するための図である。本技術の一実施形態の変形例１に係る面発光レーザ素子の断面図である。本技術の一実施形態の変形例２に係る面発光レーザ素子の断面図である。本技術の一実施形態の変形例３に係る面発光レーザ素子の断面図である。本技術の一実施形態の変形例４に係る面発光レーザ素子の断面図である。本技術の一実施形態の変形例５に係る面発光レーザ素子の断面図である。本技術の一実施形態の変形例６に係る面発光レーザ素子の断面図である。本技術の一実施形態の変形例７に係る面発光レーザ素子の断面図（その１）である。本技術の一実施形態の変形例７に係る面発光レーザ素子の断面図（その２）である。本技術の一実施形態の変形例７に係る面発光レーザ素子の平面図である。本技術の一実施形態の変形例８に係る面発光レーザ素子の平面図である。本技術の一実施形態の変形例９に係る面発光レーザ素子の平面図である。本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子の距離測定装置への適用例を示す図である。車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。距離測定装置の設置位置の一例を示す説明図である。

　以下に添付図面を参照しながら、本技術の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。本明細書において、本技術に係る面発光レーザ素子、電子機器及び面発光レーザ素子の製造方法の各々が複数の効果を奏することが記載される場合でも、本技術に係る面発光レーザ素子、電子機器及び面発光レーザ素子の製造方法の各々は、少なくとも１つの効果を奏すればよい。本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。

　また、以下の順序で説明を行う。
１．本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子の構成
２．本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子の動作
３．本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子の製造方法の第１例
４．本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子の製造方法の第２例
５．本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子の製造方法の第３例
６．本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子の効果及びその製造方法の効果
７．本技術の一実施形態の変形例１～９に係る面発光レーザ素子
８．本技術の一実施形態の他の変形例
９．電子機器への応用例
１０．面発光レーザ素子を距離測定装置に適用した例
１１．距離測定装置を移動体に搭載した例

１．＜本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子の構成＞
（全体構成）
　図１は、本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子の断面図（その１）である。図２は、本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子の断面図（その２）である。図３は、本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子の平面図である。
　以下、図１～図３に示すＸＹＺ３次元直交座標系を適宜用いて説明する。
　図１は、図３のＶ－Ｖ線断面図（ＹＺ断面図）である。図２は、図３のＷ－Ｗ線断面図（ＸＺ断面図）である。

　一実施形態に係る面発光レーザ素子１０は、一例として、図１に示すように、基板１００と、該基板１００の一面１００ａ（以下「裏面」とも呼ぶ）に設けられたカソード電極１１１と、該一面１００ａのカソード電極側１１１とは反対側に設けられ、メサＭを有する発光部ＬＥＰが複数配置された第１領域Ａ１と、基板１００の一面１００ａのカソード電極１１１側とは反対側における第１領域Ａ１の周辺に配置された第２領域Ａ２と、を備える。
　以下では、適宜、基板１００の一面１００ａ側を下側（－Ｚ側）、各メサＭの頂部側を上側（＋Ｚ側）として説明する。

　面発光レーザ素子１０では、一例として、図３に示すように、平面視で、第１領域Ａ１をＹ軸方向に挟む両側に第２領域Ａ２（２点鎖線で囲まれた領域）が配置されている。
　第１領域Ａ１には、一例として、メサＭを有する複数の発光部ＬＥＰが２次元配置されている。各発光部ＬＥＰは、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）である。
　ここでは、複数の発光部ＬＥＰは、一例としてＸ軸方向及びＹ軸方向のいずれにも等間隔でマトリクス状（正方格子状）に配置されているが、例えば千鳥状、ランダム状等の他のレイアウトで配置されてもよい。

　各メサＭは、図１～図３を総合すると分かるように、一例として略円柱形状を有しているが、略円錐台形状、略楕円錐台形状、略多角錐台形状等の他の形状を有していてもよい。
　各メサＭの上面は、略面一である。
　ここでは、第１領域Ａ１においてＸ軸方向又はＹ軸方向に互いに隣接する２つのメサＭのピッチ（該２つのメサＭの中心間の間隔）は、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下（好ましくは２０μｍ程度）に設定されている。

　第２領域Ａ２は、一例として、図１及び図３に示すように、各メサＭの上面と上面が略面一の突条部ＰＰを有する。突条部ＰＰは、Ｘ軸方向に延びている。

　図１に戻り、第１及び第２領域Ａ１、Ａ２は、一例として、基板１００を含む積層構造の面内方向の異なる位置に設けられている。当該積層構造では、一例として、基板１００の一面１００ａのカソード電極１１１側（－Ｚ側）とは反対側（＋Ｚ側）に第１多層膜反射鏡１０２、活性層１０５及び第２多層膜反射鏡１０７がこの順に積層されている。当該積層構造における積層方向は、Ｚ軸方向に一致する。

　さらに、当該積層構造では、一例として、基板１００と第１多層膜反射鏡１０２との間にスペーサ層１０１が配置されている。

　さらに、当該積層構造では、一例として、第１多層膜反射鏡１０２内に酸化狭窄層１０３が配置されている。

　さらに、当該積層構造では、一例として、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１０７の間において、活性層１０５をＺ軸方向に挟む両側に第１及び第２クラッド層１０４、１０５が配置されている。第２クラッド層１０６は、第１クラッド層１０４の上側（＋Ｚ側）に位置する。

　さらに、当該積層構造では、一例として、第２多層膜反射鏡１０７の上面（＋Ｚ側の面）にコンタクト層１０８が配置されている。

　各発光部ＬＥＰは、一例として、第１多層膜反射鏡１０２、活性層１０５及び第２多層膜反射鏡１０７を含んで構成される。より詳細には、各発光部ＬＥＰは、一例として、第１多層膜反射鏡１０２、酸化狭窄層１０３、第１クラッド層１０４、活性層１０５、第２クラッド層１０６、第２多層膜反射鏡１０７及びコンタクト層１０８を含んで構成される。

　各発光部ＬＥＰのメサＭは、一例として、第１多層膜反射鏡１０２の上部、活性層１０５及び第２多層膜反射鏡１０７を含んで構成される。より詳細には、各発光部ＬＥＰのメサＭは、一例として、第１多層膜反射鏡１０２の上部、酸化狭窄層１０３、第１クラッド層１０４、活性層１０５、第２クラッド層１０６、第２多層膜反射鏡１０７及びコンタクト層１０８を含んで構成される。

　第２領域Ａ２は、一例として、発光部ＬＥＰと同一の層構成を有する。第２領域Ａ２の突条部ＰＰは、一例として、メサＭと概ね同様の層構成を有する。

　第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２は、絶縁膜１０９で覆われている。絶縁膜１０９の各メサＭの頂部を覆う部分には、コンタクトホールＣＨが設けられている。

　絶縁膜１０９上には、アノード電極１１０が設けられている。アノード電極１１０は、各メサＭの頂部上に設けられたコンタクトホールＣＨを介してコンタクト層１０８に接触するように配置されている。
　詳述すると、アノード電極１１０は、各メサＭのコンタクトホールＣＨの周辺部を介してコンタクト層１０８に接触している。各メサＭ上におけるアノード電極１１０の内側（コンタクトホールＣＨの中央部）が、該メサＭを有する発光部ＬＥＰの出射口となっている。各発光部ＬＥＰの出射方向は、＋Ｚ方向である。

（基板）
　基板１００は、一例として、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板である。

（カソード電極）
　カソード電極１１１（ｎ側電極）は、一例として、複数の発光部（ここでは全発光部）に対して共通に設けられた共通電極である。カソード電極１１１は、一例として、基板１００の裏面の略全域にベタ状に設けられている。
　カソード電極１１１は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
　カソード電極１１１は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選択された少なくとも１種類の金属（合金を含む）によって構成されている。
　カソード電極１１１が積層構造である場合は、例えばＴｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｌ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔ、Ｎｉ／Ｐｔ、Ｐｄ／Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ等の材料で構成される。
　カソード電極１１１は、ドライバＩＣを含むレーザドライバの陰極側（負極側）に電気的に接続されている。

（スペーサ層）
　スペーサ層１０１は、一例として、第１導電型（例えばｎ型）のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。スペーサ層１０１は「バッファ層」とも呼ばれる。

（第１多層膜反射鏡）
　第１多層膜反射鏡１０２は、一例として、半導体多層膜反射鏡である。多層膜反射鏡は、分布型ブラッグ反射鏡（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ　Ｂｒａｇｇ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）とも呼ばれる。多層膜反射鏡（分布型ブラッグ反射鏡）の一種である半導体多層膜反射鏡は、光吸収が少なく、高反射率及び導電性を有する。第１多層膜反射鏡１０２は、下部ＤＢＲとも呼ばれる。
　第１の多層膜反射鏡１０２は、一例として、第１導電型の半導体多層膜反射鏡であり、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の半導体層（屈折率層）が発振波長λの１／４（λ／４）の光学厚さで交互に積層された構造を有する。第１の多層膜反射鏡１０２の各屈折率層は、第１導電型（例えばｎ型）のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。

（酸化狭窄層）
　酸化狭窄層１０３は、一例として、ＡｌＡｓからなる非酸化領域１０３ａと、該非酸化領域１０３ａの外周を取り囲む、ＡｌＡｓの酸化物（例えばＡｌ_２Ｏ_３）からなる酸化領域１０３ｂとを有する。

（第１クラッド層）
　第１クラッド層１０４は、第１導電型（例えばｎ型）のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。

（活性層）
　活性層１０５は、例えばＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる障壁層及び量子井戸層を含む量子井戸構造を有する。この量子井戸構造は、単一量子井戸構造（ＱＷ構造）であってもよいし、多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）であってもよい。

（第２クラッド層）
　第２クラッド層１０６は、第２導電型（例えばｐ型）のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。

　活性層１０５と、第１及び第２クラッド層１０４、１０６とを含んで、共振器が構成される。

（第２多層膜反射鏡）
　第２多層膜反射鏡１０７は、一例として、第２導電型の半導体多層膜反射鏡であり、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の半導体層（屈折率層）が発振波長の１／４波長の光学厚さで交互に積層された構造を有する。第２の多層膜反射鏡１０７の各屈折率層は、第２導電型（例えばｐ型）のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。

（コンタクト層）
　コンタクト層１０８は、第２導電型（例えばｐ型）のＧａＡｓ系化合物半導体からなる。

（絶縁膜）
　絶縁膜１０９は、例えばＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の誘電体からなる。

（アノード電極）
　アノード電極１１０（ｐ側電極）は、図１及び図２に示すように、第２領域Ａ２に隣接する少なくとも１つのメサＭの頂部及び第２領域Ａ２に隣接しない少なくとも２つのメサＭの頂部に共通に設けられた電極である。ここでは、アノード電極１１０は、一例として、全発光部ＬＥＰのメサＭに共通の共通電極である。なお、アノード電極１１０は、例えば、図３においてＹ軸方向に並ぶ複数のメサＭから各々が成る、Ｘ軸方向に並ぶ複数のメサ列毎に共通に設けられてもよいし、該複数のメサ列のうち少なくとも２つのメサ列毎に共通に設けられてもよい。
　アノード電極１１０は、複数の発光部ＬＥＰのメサＭ（但し該メサＭの頂部の中央部を除く）及び突条部ＰＰの一部を覆うように設けられている。
　アノード電極１１０は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
　アノード電極１１０は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選択された少なくとも１種類の金属（合金を含む）によって構成されている。
　アノード電極１１０が積層構造である場合は、例えばＴｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｌ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔ、Ｎｉ／Ｐｔ、Ｐｄ／Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ等の材料で構成される。
　アノード電極１１０は、一例として、第２領域Ａ２を覆う部分が、ドライバＩＣを含むレーザドライバの陽極側（正極側）に電気的に接続されている。

（第１及び第２凹部）
　複数の発光部ＬＥＰのメサＭのうち互いに隣接する２つのメサＭにより第１凹部Ｒ１が規定されている（図１及び図２参照）。
　複数の発光部ＬＥＰのメサＭのうち－Ｙ側の第２領域Ａ２に隣接するメサＭ（最も－Ｙ側のメサＭ）と－Ｙ側の第２領域Ａ２とにより－Ｙ側の第２凹部Ｒ２が規定されている（図１及び図３参照）。
　同様に、複数の発光部ＬＥＰのメサＭのうち＋Ｙ側の第２領域Ａ２に隣接するメサＭ（最も＋Ｙ側のメサＭ）と＋Ｙ側の第２領域Ａ２とにより＋Ｙ側の第２凹部Ｒ２が規定されている（図３参照）。
　以下、第２領域Ａ２に隣接するメサＭ（例えば最も－Ｙ側のメサＭ及び最も＋Ｙ側のメサＭ）を「最外周メサ」と総称する。

　第１及び第２凹部Ｒ１、Ｒ２の各々は、一例として、すり鉢状（中央部に近づくほど深くなる形状）を有している。

　第１凹部Ｒ１の深さ寸法Ｈ１よりも、第２凹部Ｒ２の深さ寸法Ｈ２の方が大きい。

　第１凹部Ｒ１の深さ寸法Ｈ１は、該第１凹部Ｒ１の底面の最も基板１００の一面１００ａに近い（最も－Ｚ側の）部分（例えば中央部）と各メサＭの上面（＋Ｚ側の面）までの距離である。
　第１凹部Ｒ１の底面は、基板１００の他面１００ｂ（＋Ｚ側の面）の一面１００ａ側（－Ｚ側）とは反対側（＋Ｚ側）に位置している。
　詳述すると、第１凹部Ｒ１の底面は、第１多層膜反射鏡１０２内に位置している。

　第２凹部Ｒ２の深さ寸法Ｈ２は、該第２凹部Ｒ２の底面の最も基板１００の一面１００ａに近い（最も－Ｚ側の）部分（例えば中央部）と各メサＭの上面（＋Ｚ側の面）までの距離である。
　第２凹部Ｒ２の底面は、基板１００の他面１００ｂ（＋Ｚ側の面）の一面１００ａ側（－Ｚ側）とは反対側（＋Ｚ側）に位置している。
　詳述すると、第２凹部Ｒ２の底面は、第１多層膜反射鏡１０２内における第１凹部Ｒ１の底面よりも下側（－Ｚ側）の位置に位置している。

　各メサＭの上面及び各突条部ＰＰの上面は、略面一である。すなわち、第１及び第２凹部Ｒ１、Ｒ２の開口端は、略面一である（同一平面上に位置する）。

　ここでは、第１領域Ａ１において互いに隣接する２つのメサＭ及び第２領域Ａ２を一緒に切断した断面（例えば図１に示すＹＺ断面）内において、第１凹部Ｒ１の幅よりも第２凹部Ｒ２の幅の方が大きい。なお、当該断面内において、第１及び第２凹部Ｒ１、Ｒ２の幅は同じであってもよいし、第１凹部Ｒ１の幅が第２凹部Ｒ２の幅よりも大きくてもよい。
　第１及び第２凹部Ｒ１、Ｒ２の幅は、一例として、数～数十μｍとされている。

　ここで、図３に示すように、最外周メサ以外のメサＭであって、最も＋Ｘ側及び最も－Ｘ側のメサＭを除くメサＭは、＋Ｘ側、－Ｘ側、＋Ｙ側及び－Ｙ側のいずれの側にも隣接するメサＭが存在する（四方に隣接するメサＭが存在する）。この場合に、当該最外周メサ以外のメサＭでは、アノード電極１１０から流入された電流は、隣接するメサＭの影響により、高さ方向（Ｚ軸方向）に沿ってカソード電極１１１へ向けて流れる。

　最外周メサ以外のメサＭであって、最も＋Ｘ側又は最も－Ｘ側のメサＭは、＋Ｘ側又は－Ｘ側に分離溝ＳＴが存在し、且つ、＋Ｙ側及び－Ｙ側と＋Ｘ側又－Ｘ側との３つの側に隣接するメサＭが存在する（三方に隣接するメサＭが存在し、一方に分離溝ＳＴが存在する）。この場合に、当該最外周メサ以外のメサＭでは、アノード電極１１０から流入された電流は、高さ方向（Ｚ軸方向）に沿ってカソード電極１１１へ向けて流れる。

　最外周メサは、隣接する第２領域Ａ２側に隣接するメサＭが存在しない。この場合に、最外周メサでは、アノード電極１１０から流入された電流は、高さ方向（Ｚ軸方向）に沿う方向から面内方向（ＸＹ平面）に沿って第２領域Ａ２側へ広がろうとするため、最外周メサ以外のメサＭよりも電気抵抗が下がるおそれがある（図３０参照）。この場合には、最外周メサに電流が集中し、最外周メサとそれ以外のメサＭとの間での発光強度のばらつきが増大する懸念がある。

　そこで、本実施形態では、上述のように、第２凹部Ｒ２の深さ寸法を第１凹部Ｒ１の深さ寸法よりも大きくすることにより、第２領域Ａ２側への電流の経路を狭くして、最外周メサに流れた電流が第２領域Ａ２側へ広がることを抑制することとしている（図２９参照）。これにより、最外周メサの電気抵抗が下がることが抑制されるので最外周メサに電流が集中することが抑制され、ひいては最外周メサとそれ以外のメサＭとの間での発光強度のばらつきを低減することができる。より詳細には、最外周メサの発光強度がそれ以外のメサＭの発光強度に比べて高くなることを抑制できる。

　なお、第１及び第２凹部Ｒ１、Ｒ２の深さ寸法の差（Ｈ２－Ｈ１）により、最外周メサと最外周メサ以外のメサＭとの電気抵抗の差（抵抗差）の低減度を設定することができる。
　基本的には、Ｈ２－Ｈ１が大きいほど、該抵抗差の低減度が大きくなる。逆に言うと、Ｈ２－Ｈ１が小さいほど、該抵抗差の低減度が小さくなる。
　そこで、Ｈ２－Ｈ１を、該抵抗差が小さくなるような場合、例えばメサピッチが比較的大きい場合（例えば３０～５０μｍ）には比較的小さく設定することが好ましく、該抵抗差が大きくなるような場合、例えばメサピッチが比較的小さい場合（例えば１０～３０μｍ）には比較的大きく設定することが好ましい。

　そこで、第１及び第２凹部Ｒ１、Ｒ２の深さ寸法の差Ｈ２－Ｈ１が、互いに隣接する２つのメサＭの中心間の間隔（メサピッチ）に基づいて設定されていてもよい。
　この場合、第１及び第２凹部Ｒ１、Ｒ２の深さ寸法の差Ｈ２－Ｈ１は、互いに隣接する２つのメサＭの中心間の間隔が狭いほど大きく設定されることが好ましい。

（分離溝）
　各第２領域Ａ２の第１領域Ａ１側とは反対側の端部及び第１領域Ａ１の＋Ｘ側及び－Ｘ側の端部には、素子分離用の分離溝ＳＴが形成されている（図１及び図３参照）。
　分離溝ＳＴの底面は、一例として、第１多層膜反射鏡１０２内に位置している。

２．＜本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子の動作＞
　面発光レーザ素子１０の各発光部ＬＥＰでは、レーザドライバの陽極側からアノード電極１１０、コンタクト層１０８、第２多層膜反射鏡１０７及び第２クラッド層１０６を介して活性層１０５に電流が注入されると、該活性層１０５が発光し、その光が第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１０７間を活性層１０５で増幅され酸化狭窄層１０３で狭窄されつつ往復し、発振条件を満たしたときに、基板１００の裏面側へレーザ光として出射される。活性層１０５に注入された電流は、第１クラッド層１０４、酸化狭窄層１０３及び第１多層膜反射鏡１０２及びカソード電極１１１を介してレーザドライバの陰極側へ流出される。

３．＜本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子の製造方法の第１例＞
　以下、一実施形態に係る面発光レーザ素子１０の製造方法の第１例について、図４のフローチャート、図５～図１６の断面図を参照して説明する。
　ここでは、一例として、半導体製造装置を用いた半導体製造方法により、基板１００の基材である１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ素子１０を同時に生成する。次いで、一連一体の複数の面発光レーザ素子１０をダイシングにより互いに分離して、チップ状の複数の面発光レーザ素子１０を得る。

　最初のステップＳ１では、積層体Ｌを生成する。具体的には、化学気層成長（ＣＶＤ）法、例えば有機金属気層成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いて、図５に示すように、基板１００上にスペーサ層１０１と、ＡｌＡｓからなる被選択酸化層１０３Ｓを含む第１多層膜反射鏡１０２と、第１クラッド層１０４と、活性層１０５と、第２クラッド層１０６と、第２多層膜反射鏡１０７と、コンタクト層１０８とをこの順に積層して積層体Ｌを生成する。

　次のステップＳ２では、最外周メサ以外のメサＭとなるメサ構造ＭＳを形成する。
　具体的には、先ず、積層体Ｌのコンタクト層１０８上に最外周メサ以外のメサＭとなるメサ構造ＭＳを形成するためのレジストパターンＲＰ１を生成する（図６参照）。
　次いで、このレジストパターンＲＰ１をマスクとして積層体Ｌをドライエッチング又はウェットエッチングによりエッチングして、メサ構造ＭＳを形成する（図７参照）。ここでは、少なくとも被選択酸化層１０３Ｓの側面が露出するまで（第１凹部Ｒ１の底面となるエッチング底面が第１多層膜反射鏡１０２内における被選択酸化層１０３Ｓの下側に位置するまで）エッチングを行う。互いに隣接する２つのメサ構造ＭＳが形成されることにより、深さ寸法Ｈ１の第１凹部Ｒ１が形成される。
　最後に、ドライエッチング又はウェットエッチングによりレジストパターンＲＰ１をエッチングして除去する（図８参照）。

　次のステップＳ３では、最外周メサとなるメサ構造ＭＳ及び突条部ＰＰとなる突条構造ＰＳを形成する。
　具体的には、先ず、メサ構造ＭＳが形成された積層体上に最外周メサとなるメサ構造ＭＳ及び突条部ＰＰとなる突条構造ＰＳを形成するためのレジストパターンＲＰ２を形成する（図９参照）。
　次いで、このレジストパターンＲＰ２をマスクとして該積層体をドライエッチング又はウェットエッチングによりエッチングして、最外周メサとなるメサ構造ＭＳ及び突条部ＰＰとなる突条構造ＰＳを形成する（図１０参照）。ここでは、第２凹部Ｒ２の底面となるエッチング底面が第１多層膜反射鏡１０２内における第１凹部Ｒ１の底面よりも下側に位置するまでエッチングを行う。最外周メサとなるメサ構造ＭＳ及び突条部ＰＰとなる突条構造ＰＳが形成されることにより、深さ寸法Ｈ２の第２凹部Ｒ２及び分離溝ＳＴが形成される。
　最後に、ドライエッチング又はウェットエッチングによりレジストパターンＲＰ２をエッチングして除去する（図１１参照）

　次のステップＳ４では、酸化狭窄層１０３を形成する。具体的には、メサ構造ＭＳ（図１１参照）の被選択酸化層１０３Ｓの周囲部を酸化して酸化狭窄層１０３を生成する（図１２参照）。詳述すると、メサ構造ＭＳを水蒸気雰囲気中にさらし、被選択酸化層１０３Ｓを側面から酸化（ＡｌＡｓ中のＡｌを選択酸化）して、非酸化領域１０３ａが酸化領域１０３ｂに取り囲まれた酸化狭窄層１０３を形成する。この際、突条構造ＰＳの被選択酸化層１０３Ｓも同様に酸化される。この結果、メサ構造ＭＳがメサＭとなって第１領域Ａ１が形成されるとともに突条構造ＰＳが突条部ＰＰとなって第２領域Ａ２が形成される。

　次のステップＳ５では、絶縁膜１０９を形成する（図１３参照）。具体的には、第１及び第２領域Ａ１、Ａ２が形成された積層体上に蒸着法、スパッタ法等により絶縁膜１０９を形成する。

　次のステップＳ６では、コンタクトホールＣＨを形成する（図１４参照）。具体的には、メサＭの頂部を覆う絶縁膜１０９をドライエッチング又はウェットエッチングによりエッチングして除去する。この結果、コンタクトホールＣＨが形成され、メサＭの頂部（コンタクト層１０８）が露出する。

　次のステップＳ７では、アノード電極１１０を形成する。具体的には、コンタクトホールＣＨが開口する絶縁膜１０９上にアノード電極１１０の電極材料を蒸着法やスパッタ法等により成膜し、例えばリフトオフ法によりパターンニングを行う（図１５参照）。

　最後のステップＳ８では、カソード電極１１１を形成する（図１６参照）。具体的には、基板１００の裏面を研磨して薄膜化した後、蒸着法やスパッタ法により基板１００の裏面の略全域にカソード電極１１１の電極材料をベタ状に成膜する。

　この後、アニール等の処理がなされ、１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ素子１０が形成される。その後、分離溝ＳＴに沿ってダイシングすることにより、複数の面発光レーザ素子１０を素子毎に分離し、チップ状の複数の面発光レーザ素子１０を得る。

４．＜本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子の製造方法の第２例＞
　以下、一実施形態に係る面発光レーザ素子１０の製造方法の第２例について、図１７のフローチャート、図５～図８、図１１～図１６、図１８～図２２の断面図を参照して説明する。
　ここでは、一例として、半導体製造装置を用いた半導体製造方法により、基板１００の基材である１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ素子１０を同時に生成する。次いで、一連一体の複数の面発光レーザ素子１０をダイシングにより互いに分離して、チップ状の複数の面発光レーザ素子１０を得る。

　最初のステップＳ１１では、積層体Ｌを生成する。具体的には、化学気層成長（ＣＶＤ）法、例えば有機金属気層成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いて、図５に示すように、基板１００上にスペーサ層１０１と、ＡｌＡｓからなる被選択酸化層１０３Ｓを含む第１多層膜反射鏡１０２と、第１クラッド層１０４と、活性層１０５と、第２クラッド層１０６と、第２多層膜反射鏡１０７と、コンタクト層１０８とをこの順に積層して積層体Ｌを生成する。

　次のステップＳ１２では、最外周メサ以外のメサＭとなるメサ構造ＭＳを形成する。
　具体的には、先ず、積層体Ｌのコンタクト層１０８上に最外周メサ以外のメサＭとなるメサ構造ＭＳを形成するためのレジストパターンＲＰ１を生成する（図６参照）。
　次いで、このレジストパターンＲＰ１をマスクとして積層体Ｌをドライエッチング又はウェットエッチングによりエッチングして、メサ構造ＭＳを形成する（図７参照）。ここでは、少なくとも被選択酸化層１０３Ｓの側面が露出するまで（第１凹部Ｒ１の底面となるエッチング底面が第１多層膜反射鏡１０２内における被選択酸化層１０３Ｓの下側に位置するまで）エッチングを行う。互いに隣接する２つのメサ構造ＭＳが形成されることにより、深さ寸法Ｈ１の第１凹部Ｒ１が形成される。
　最後に、ドライエッチング又はウェットエッチングによりレジストパターンＲＰ１をエッチングして除去する（図８参照）。

　次のステップＳ１３では、最外周メサとなるメサ構造ＭＳを形成する。
　具体的には、先ず、メサ構造ＭＳが形成された積層体上に最外周メサとなるメサ構造ＭＳを形成するためのレジストパターンＲＰ３を形成する（図１８参照）。
　次いで、このレジストパターンＲＰ３をマスクとして該積層体をドライエッチング又はウェットエッチングによりエッチングして、最外周メサとなるメサ構造ＭＳを形成する（図１９参照）。ここでは、第２凹部Ｒ２の底面となるエッチング底面が第１多層膜反射鏡１０２内における第１凹部Ｒ１の底面よりも下側に位置するまでエッチングを行う。最外周メサとなるメサ構造ＭＳが形成されることにより、深さ寸法Ｈ２の第２凹部Ｒ２が形成される。
　最後に、ドライエッチング又はウェットエッチングによりレジストパターンＲＰ３をエッチングして除去する（図２０参照）。

　次のステップＳ１４では、突条部ＰＰとなる突条構造ＰＳを形成する。
　具体的には、先ず、メサ構造ＭＳが形成された積層体上に突条部ＰＰとなる突条構造ＰＳを形成するためのレジストパターンＲＰ４を形成する（図２１参照）。
　次いで、このレジストパターンＲＰ４をマスクとして該積層体をドライエッチング又はウェットエッチングによりエッチングして、突条部ＰＰとなる突条構造ＰＳを形成する（図２２参照）。ここでは、分離溝ＳＴの底面となるエッチング底面が第１多層膜反射鏡１０２内における被選択酸化層１０３Ｓの下側に位置するまでエッチングを行う。突条部ＰＰとなる突条構造ＰＳが形成されることにより、分離溝ＳＴが形成される。
　最後に、ドライエッチング又はウェットエッチングによりレジストパターンＲＰ４をエッチングして除去する（図１１参照）。

　次のステップＳ１５では、酸化狭窄層１０３を形成する。具体的には、メサ構造ＭＳ（１１参照）の被選択酸化層１０３Ｓの周囲部を酸化して酸化狭窄層１０３を生成する（図１２参照）。詳述すると、メサ構造ＭＳを水蒸気雰囲気中にさらし、被選択酸化層１０３Ｓを側面から酸化（ＡｌＡｓ中のＡｌを選択酸化）して、非酸化領域１０３ａが酸化領域１０３ｂに取り囲まれた酸化狭窄層１０３を形成する。この際、突条構造ＰＳの被選択酸化層１０３Ｓも同様に酸化される。この結果、メサ構造ＭＳがメサＭとなって第１領域Ａ１が形成されるとともに突条構造ＰＳが突条部ＰＰとなって第２領域Ａ２が形成される。

　次のステップＳ１６では、絶縁膜１０９を形成する（図１３参照）。具体的には、第１及び第２領域Ａ１、Ａ２が形成された積層体上に蒸着法、スパッタ法等により絶縁膜１０９を形成する。

　次のステップＳ１７では、コンタクトホールＣＨを形成する（図１４参照）。具体的には、メサＭの頂部を覆う絶縁膜１０９をドライエッチング又はウェットエッチングによりエッチングして除去する。この結果、コンタクトホールＣＨが形成され、メサＭの頂部（コンタクト層１０８）が露出する。

　次のステップＳ１８では、アノード電極１１０を形成する。具体的には、コンタクトホールＣＨが開口する絶縁膜１０９上にアノード電極１１０の電極材料を蒸着法やスパッタ法等により成膜し、例えばリフトオフ法によりパターンニングを行う（図１５参照）。

　最後のステップＳ１９では、カソード電極１１１を形成する（図１６参照）。具体的には、基板１００の裏面を研磨して薄膜化した後、蒸着法やスパッタ法により基板１００の裏面の略全域にカソード電極１１１の電極材料をベタ状に成膜する。

５．＜本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子の製造方法の第３例＞
　以下、一実施形態に係る面発光レーザ素子１０の製造方法の第３例について、図２３のフローチャート、図５～図８、図１１～図１６、図２４～図２８の断面図を参照して説明する。
　ここでは、一例として、半導体製造装置を用いた半導体製造方法により、基板１００の基材である１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ素子１０を同時に生成する。次いで、一連一体の複数の面発光レーザ素子１０をダイシングにより互いに分離して、チップ状の複数の面発光レーザ素子１０を得る。

　最初のステップＳ２１では、積層体Ｌを生成する。具体的には、化学気層成長（ＣＶＤ）法、例えば有機金属気層成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いて、図５に示すように、基板１００上にスペーサ層１０１と、ＡｌＡｓからなる被選択酸化層１０３Ｓを含む第１多層膜反射鏡１０２と、第１クラッド層１０４と、活性層１０５と、第２クラッド層１０６と、第２多層膜反射鏡１０７と、コンタクト層１０８とをこの順に積層して積層体Ｌを生成する。

　次のステップＳ２２では、最外周メサ以外のメサＭとなるメサ構造ＭＳを形成する。
　具体的には、先ず、積層体Ｌのコンタクト層１０８上に最外周メサ以外のメサＭとなるメサ構造ＭＳを形成するためのレジストパターンＲＰ１を生成する（図６参照）。
　次いで、このレジストパターンＲＰ１をマスクとして積層体Ｌをドライエッチング又はウェットエッチングによりエッチングして、メサ構造ＭＳを形成する（図７参照）。ここでは、少なくとも被選択酸化層１０３Ｓの側面が露出するまで（第１凹部Ｒ１の底面となるエッチング底面が第１多層膜反射鏡１０２内における被選択酸化層１０３Ｓの下側に位置するまで）エッチングを行う。互いに隣接する２つのメサ構造ＭＳが形成されることにより、深さ寸法Ｈ１の第１凹部Ｒ１が形成される。
　最後に、ドライエッチング又はウェットエッチングによりレジストパターンＲＰ１をエッチングして除去する（図８参照）。

　次のステップＳ２３では、分離溝ＳＴを形成する。
　具体的には、先ず、メサ構造ＭＳが形成された積層体上に分離溝ＳＴを形成するためのレジストパターンＲＰ５を形成する（図２４参照）。
　次いで、このレジストパターンＲＰ５をマスクとして該積層体をドライエッチング又はウェットエッチングによりエッチングして、分離溝ＳＴを形成する（図２５参照）。ここでは、分離溝ＳＴの底面となるエッチング底面が第１多層膜反射鏡１０２内における被選択酸化層１０３Ｓの下側に位置するまでエッチングを行う。
　最後に、ドライエッチング又はウェットエッチングによりレジストパターンＲＰ５をエッチングして除去する（図２６参照）。

　次のステップＳ２４では、最外周メサとなるメサ構造ＭＳ及び突条部ＰＰとなる突条構造ＰＳを形成する。
　具体的には、先ず、メサ構造ＭＳ及び分離溝ＳＴが形成された積層体上に最外周メサとなるメサ構造ＭＳ及び突条部ＰＰとなる突条構造ＰＳを形成するためのレジストパターンＲＰ６を形成する（図２７参照）。
　次いで、このレジストパターンＲＰ６をマスクとして該積層体をドライエッチング又はウェットエッチングによりエッチングして、最外周メサとなるメサ構造ＭＳ及び突条部ＰＰとなる突条構造ＰＳを形成する（図２８参照）。ここでは、第２凹部Ｒ２の底面となるエッチング底面が第１多層膜反射鏡１０２内における第１凹部Ｒ１の底面の下側に位置するまでエッチングを行う。
　最後に、ドライエッチング又はウェットエッチングによりレジストパターンＲＰ６をエッチングして除去する（図１１参照）。

　次のステップＳ２５では、酸化狭窄層１０３を形成する。具体的には、メサ構造ＭＳ（図１１参照）の被選択酸化層１０３Ｓの周囲部を酸化して酸化狭窄層１０３を生成する（図１２参照）。詳述すると、メサ構造ＭＳを水蒸気雰囲気中にさらし、被選択酸化層１０３Ｓを側面から酸化（ＡｌＡｓ中のＡｌを選択酸化）して、非酸化領域１０３ａが酸化領域１０３ｂに取り囲まれた酸化狭窄層１０３を形成する。この際、突条構造ＰＳの被選択酸化層１０３Ｓも同様に酸化される。この結果、メサ構造ＭＳがメサＭとなって第１領域Ａ１が形成されるとともに突条構造ＰＳが突条部ＰＰとなって第２領域Ａ２が形成される。

　次のステップＳ２６では、絶縁膜１０９を形成する（図１３参照）。具体的には、第１及び第２領域Ａ１、Ａ２が形成された積層体上に蒸着法、スパッタ法等により絶縁膜１０９を形成する。

　次のステップＳ２７では、コンタクトホールＣＨを形成する（図１４参照）。具体的には、メサＭの頂部を覆う絶縁膜１０９をドライエッチング又はウェットエッチングによりエッチングして除去する。この結果、コンタクトホールＣＨが形成され、メサＭの頂部（コンタクト層１０８）が露出する。

　次のステップＳ２８では、アノード電極１１０を形成する。具体的には、コンタクトホールＣＨが開口する絶縁膜１０９上にアノード電極１１０の電極材料を蒸着法やスパッタ法等により成膜し、例えばリフトオフ法によりパターンニングを行う（図１５参照）。

　最後のステップＳ２９では、カソード電極１１１を形成する（図１６参照）。具体的には、基板１００の裏面を研磨して薄膜化した後、蒸着法やスパッタ法により基板１００の裏面の略全域にカソード電極１１１の電極材料をベタ状に成膜する。

　以上説明した面発光レーザ素子１０の製造方法の第１～第３例では、いずれも最外周メサ以外のメサＭとなるメサ構造ＭＳをエッチングにより形成した後に、突条部ＰＰとなる突条構造ＰＳや第２凹部Ｒ２や分離溝ＳＴをエッチングにより形成しているが、これに限られない。例えば最外周メサ以外のメサＭとなるメサ構造ＭＳと突条部ＰＰとなる突条構造ＰＳや第２凹部Ｒ２や分離溝ＳＴをエッチングにより同時に形成してもよい。但し、第１凹部Ｒ１、第２凹部Ｒ２、分離溝ＳＴをできるだけ（好ましくは全てを）別々のエッチングにより形成した方が各々のエッチング深さの精度（底面の位置精度）を高めることができる。

６．＜本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子及びその製造方法の効果＞
　以下に、本技術の一実施形態に係る面発光レーザ素子１０及びその製造方法の効果について説明する。

　一実施形態に係る面発光レーザ素子１０は、基板１００と、該基板１００の一面１００ａ（裏面）に設けられたカソード電極１１１と、該一面１００ａのカソード電極１１１側とは反対側に設けられ、メサＭを有する発光部ＬＥＰが複数配置された第１領域Ａ１と、該一面１００ａのカソード電極１１１側とは反対側における第１領域Ａ１の周辺に配置された第２領域Ａ２と、を備え、複数の発光部ＬＥＰのメサＭのうち互いに隣接する２つのメサＭにより規定される第１凹部Ｒ１の深さ寸法Ｈ１よりも、複数の発光部ＬＥＰのメサＭのうち第２領域Ａ２に隣接するメサＭ（最外周メサ）と第２領域Ａ２とにより規定される第２凹部Ｒ２の深さ寸法Ｈ２の方が大きい。
　この場合、最外周メサを流れた電流が第２領域Ａ２側に広がることが抑制されるので最外周メサの電気抵抗が低下することが抑制され、ひいては最外周メサに電流が集中することが抑制される（図２９参照）。
　結果として、面発光レーザ素子１０によれば、第２領域Ａ２に隣接する発光部ＬＥＰのと、該発光部ＬＥＰ以外の発光部ＬＥＰとの間での発光強度のばらつきを低減することができる。

　一方、図３０に示す比較例の面発光レーザ素子１０Ｃでは、複数の発光部のメサＭのうち互いに隣接する２つのメサＭにより規定される凹部Ｒの深さ寸法Ｈと、複数の発光部のメサＭのうち突条部ＰＰに隣接するメサＭ（最外周メサ）と突条部ＰＰとにより規定される凹部Ｒの深さ寸法Ｈが同一である。この場合には、最外周メサを流れた電流が突条部ＰＰ側に広がることを抑制できず、最外周メサの電気抵抗が低下し、最外周メサに電流が集中する。この結果、突条部ＰＰに隣接するメサを有する発光部と、該発光部以外の発光部との間での発光強度のばらつきを低減することができない。これは、特許文献１に記載の面発光レーザ素子についても当てはまる。

　カソード電極１１１は、複数の発光部ＬＥＰに対して共通に設けられた共通電極である。この場合、各メサＭを流れた電流は、カソード電極１１１側（基板１００の裏面側）へ流れるため、面発光レーザ素子１０の上記構成が特に有効となる。

　第２凹部Ｒ２の底面は、基板１００に垂直な方向（Ｚ軸方向）に関して、第１凹部Ｒ１の底面よりも基板１００の一面１００ａに近い位置に位置している。これにより、上記発光強度のばらつきを確実に低減することができる。
　さらに、第１及び第２凹部Ｒ１、Ｒ２の開口端は、略面一である。これにより、１回の結晶成長（例えばエピタキシャル成長）によって生成された積層体Ｌをエッチングすることにより、第１及び第２凹部Ｒ１、Ｒ２を形成することができる。

　面発光レーザ素子１０は、第２領域Ａ２に隣接する少なくとも１つのメサＭの頂部及び第２領域Ａ２に隣接しない少なくとも２つのメサＭの頂部に接触して設けられたアノード電極１１０を更に備える。この場合、各メサＭを含む発光部ＬＥＰが同時に同一電圧で駆動されるが、その場合でも、上記発光強度のばらつきを抑制できる。

　互いに隣接する２つのメサＭの中心間の間隔（メサピッチ）は、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。この場合、メサピッチが比較的小さいので、最外周メサとその他のメサとの間の抵抗差が比較的大きくなりやすく、面発光レーザ素子１０の構成が特に有効となる。

　面発光レーザ素子１０の製造方法（第１～第３例）は、基板１００上に第１多層膜反射鏡１０２、活性層及び第２多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体Ｌを生成する工程と、該積層体ＬをエッチングしてメサＭを含む発光部ＬＥＰが複数配置された第１領域Ａ１及び該第１領域Ａ１の周辺の第２領域Ａ２を形成する工程と、基板１００の第１多層膜反射鏡１０２側の面とは反対側の面にカソード電極１１１を形成する工程と、を含み、第１及び第２領域Ａ１、Ａ２を形成する工程では、複数の発光部ＬＥＰのメサＭのうち互いに隣接する２つのメサＭにより規定される第１凹部Ｒ１の深さ寸法よりも、複数の発光部ＬＥＰのメサＭのうち第２領域Ａ２に隣接するメサＭと第２領域Ａ２とにより規定される第２凹部Ｒ２の深さ寸法の方が大きくなるように積層体をエッチングする。
　面発光レーザ素子１０の製造方法によれば、第２領域Ａ２に隣接する発光部ＬＥＰと、該発光部ＬＥＰ以外の発光部ＬＥＰとの間での発光強度のばらつきを低減することができる面発光レーザ素子を製造できる。

　カソード電極１１１を形成する工程では、基板１００の第１多層膜反射鏡１０２側の面とは反対側の面の、少なくとも第１及び第２領域Ａ１、Ａ２に対応する領域にカソード電極１１１を例えばベタ状に形成する。これにより、複数の発光部ＬＥＰに共通のカソード電極１１１を簡単に形成することができる。

７．＜本技術の一実施形態の変形例１～９に係る面発光レーザ素子＞
　以下、本技術の一実施形態の変形例１～９に係る面発光レーザ素子１０－１～１０－９について、図面を参照して説明する。

（変形例１に係る面発光レーザ素子）
　図３１は、変形例１の面発光レーザ素子１０－１の断面図（図３のＶ－Ｖ線断面図（図１）に対応する断面図）である。
　変形例１に係る面発光レーザ素子１０－１では、図３１に示すように、第１凹部Ｒ１の底面が第１多層膜反射鏡１０２内に位置し、且つ、第２凹部Ｒ２の底面が基板１００内に位置する点を除いて、一実施形態の面発光レーザ素子１０と同様の構成を有する。

　面発光レーザ素子１０－１によれば、一実施形態の面発光レーザ素子１０と概ね同様の効果を奏する。

　ここで、第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１０７は、フリーキャリアロスを低減するために、基板１００よりも比抵抗が高くなるように設計されている。よって、面発光レーザ素子１０－１では、第１及び第２凹部Ｒ１、Ｒ２の深さ寸法の差（Ｈ２－Ｈ１）が同一の条件下において、一実施形態の面発光レーザ素子１０に比べて、最外周メサと該最外周メサ以外のメサＭとの間での電気抵抗の差（抵抗差）の低減度が小さい。但し、第２凹部Ｒ２の底面が基板１００内に位置するので（第２凹部Ｒ２が深いので）、第２領域Ａ２側へ電流が広がろうとするのを抑制する効果は高い。

　面発光レーザ素子１０－１も、面発光レーザ素子１０の製造方法と同様の製造方法により製造できる。

（変形例２に係る面発光レーザ素子）
　図３２は、変形例２の面発光レーザ素子１０－２の断面図（図３のＶ－Ｖ線断面図（図１）に対応する断面図）である。
　変形例２に係る面発光レーザ素子１０－２では、図３２に示すように、第１凹部Ｒ１の底面及び第２凹部Ｒ２の底面のいずれも基板１００内に位置する点を除いて、一実施形態の面発光レーザ素子１０と同様の構成を有する。

　面発光レーザ素子１０－２によれば、一実施形態の面発光レーザ素子１０と概ね同様の効果を奏するが、Ｈ２－Ｈ１が同一の条件下において、面発光レーザ素子１０に比べて抵抗差の低減度が小さい。但し、第２凹部Ｒ２の底面が基板１００内に位置するので（第２凹部Ｒ２が深いので）、第２領域Ａ２側へ電流が広がろうとするのを抑制する効果は高い。

　面発光レーザ素子１０－２も、面発光レーザ素子１０の製造方法と同様の製造方法により製造できる。

（変形例３に係る面発光レーザ素子）
　図３３は、変形例３の面発光レーザ素子１０－３の断面図（図３のＶ－Ｖ線断面図（図１）に対応する断面図）である。
　変形例３に係る面発光レーザ素子１０－３では、図３３に示すように、第１凹部Ｒ１の底面及び第２凹部Ｒ２の底面のいずれも第２多層膜反射鏡１０７内に位置する点を除いて、一実施形態の面発光レーザ素子１０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ素子１０－３では、酸化狭窄層１０３が第２多層膜反射鏡１０７内に設けられている。
　面発光レーザ素子１０―３では、各メサＭ及び突条部ＰＰが活性層１０５を有していない。

　面発光レーザ素子１０－３によれば、一実施形態の面発光レーザ素子１０と概ね同様の効果を奏する。
　面発光レーザ素子１０－３も、面発光レーザ素子１０の製造方法と同様の製造方法により製造できる。

（変形例４に係る面発光レーザ素子）
　図３４は、変形例４の面発光レーザ素子１０－４の断面図（図３のＶ－Ｖ線断面図（図１）に対応する断面図）である。
　変形例４に係る面発光レーザ素子１０－４では、図３４に示すように、第１凹部Ｒ１の底面及び第２凹部Ｒ２の底面のいずれも第１多層膜反射鏡１０７内に位置している。
　面発光レーザ素子１０－４では、Ｈ２－Ｈ１が、一実施形態の面発光レーザ素子１０よりも小さくなっている。

　面発光レーザ素子１０－４によれば、一実施形態の面発光レーザ素子１０と概ね同様の効果を奏するが、一実施形態の面発光レーザ素子１０に比べて抵抗差の低減度が低いので、最外周メサとそれ以外のメサＭとの間の電気抵抗の差が小さくなる場合（例えばメサピッチが比較的大きい場合等）に特に有効である。
　面発光レーザ素子１０－４も、面発光レーザ素子１０の製造方法と同様の製造方法により製造できる。

（変形例５に係る面発光レーザ素子）
　図３５は、変形例５の面発光レーザ素子１０－５の断面図（図３のＶ－Ｖ線断面図（図１）に対応する断面図）である。
　変形例５に係る面発光レーザ素子１０－５では、図３５に示すように、Ｈ２－Ｈ１の大きさを除いて、変形例１の面発光レーザ素子１０－１と同様の構成を有する。

　面発光レーザ素子１０－５では、変形例１の面発光レーザ素子１０－１に比べて、Ｈ２－Ｈ１が大きい。

　面発光レーザ素子１０－５によれば、一実施形態の面発光レーザ素子１０と概ね同様の効果を奏するが、変形例１の面発光レーザ素子１０－１に比べて抵抗差の低減度が高いので、最外周メサとそれ以外のメサＭとの間の電気抵抗の差が大きくなる場合（例えばメサピッチが比較的小さい場合等）に特に有効である。

　面発光レーザ素子１０－５も、一実施形態の面発光レーザ素子１０の製造方法と同様の製造方法により製造できる。

（変形例６に係る面発光レーザ素子）
　図３６は、変形例６の面発光レーザ素子１０－６の断面図（図３のＶ－Ｖ線断面図（図１）に対応する断面図）である。
　変形例６に係る面発光レーザ素子１０－６では、図３６に示すように、第１凹部Ｒ１の底面が第２多層膜反射鏡１０７内に位置し、第２凹部Ｒ２の底面が基板１００内に位置する点を除いて、一実施形態の面発光レーザ素子１０と同様の構成を有する。

　面発光レーザ素子１０－６では、第２多層膜反射鏡１０７内に酸化狭窄層１０３が設けられていている。
　面発光レーザ素子１０－６では、各メサＭは、活性層１０５を有していない。

　面発光レーザ素子１０－６によれば、一実施形態の面発光レーザ素子１０と概ね同様の効果を奏するが、一実施形態の面発光レーザ素子１０に比べてＨ２－Ｈ１が大きいので抵抗差の低減度が大きく、且つ、第２凹部Ｒ２の底面が基板１００内に位置するので最外周メサから第２領域Ａ２側への電流の広がりを抑制する効果が高い。
　すなわち、面発光レーザ素子１０－６は、特に、メサピッチが小さく、最外周メサとそれ以外のメサＭとの間での抵抗差が大きくなる場合に有効である。
　面発光レーザ素子１０－６も、一実施形態の面発光レーザ素子１０の製造方法と同様の製造方法により製造できる。

（変形例７に係る面発光レーザ素子）
　図３７は、変形例７の面発光レーザ素子１０－７の断面図（その１）である。図３８は、変形例７の面発光レーザ素子１０－７の断面図（その２）である。図３９は、変形例７の面発光レーザ素子１０－７の平面図である。図３７は、図３９のＶ７－Ｖ７線断面図（ＹＺ断面図）である。図３８は、図３９のＷ７－Ｗ７線断面図（ＸＺ断面図）である。

　変形例７に係る面発光レーザ素子１０－７では、図３７～図３９に示すように、第２領域Ａ２が、第２領域Ａ２に隣接するメサＭ（第１領域Ａ１の最外周メサ）に隣接するダミーメサＤＭを含み、第２領域Ａ２に隣接するメサＭとダミーメサＤＭとにより第２凹部Ｒ２が規定される点を除いて、一実施形態の面発光レーザ素子１０と同様の構成を有する。
　ダミーメサＤＭは、コンタクトホールＣＨ及びアノード電極１１０が設けられておらず、通電されない非発光部が有するメサである。

　詳述すると、面発光レーザ素子１０－７では、各第２領域Ａ２が、突条部ＰＰと第１領域Ａ１との間に設けられたダミーメサＤＭと、突条部ＰＰとを含んで構成されている。

　面発光レーザ素子１０－７では、第１領域Ａ１の最外周メサと第２領域Ａ２のダミーメサＤＭとにより第２凹部Ｒ２が規定されている。

　面発光レーザ素子１０－７によれば、ダミーメサＤＭに隣接するメサＭ（第１領域Ａ１の最外周メサ）に流れた電流がダミーメサＤＭ側に広がることが抑制される。この結果、最外周メサの電気抵抗が下がることが抑制され、最外周メサに電流が集中することが抑制され、ひいては最外周メサと最外周メサ以外のメサＭとの間の発光強度のばらつきを低減することができる。
　面発光レーザ素子１０－７も、一実施形態の面発光レーザ素子１０の製造方法と概ね同様の製造方法により製造できる。

（変形例８に係る面発光レーザ素子）
　図３８は、変形例８の面発光レーザ素子１０－８の平面図である。

　変形例８に係る面発光レーザ素子１０－８では、図４０に示すように、第２領域Ａ２が、平面視枠状の形状（図４０の二点鎖線で囲まれた領域）を有している。

　面発光レーザ素子１０－８では、第２領域Ａ２及び複数のメサＭを一緒に切断したＹＺ断面及び第２領域Ａ２及び複数のメサＭを一緒に切断したＸＺ断面が同様となる。面発光レーザ素子１０－８のＹＺ断面及びＸＺ断面は、一実施形態及び変形例１～６の面発光レーザ素子１０、１０－１～１０－６のいずれかのＹＺ断面と同様である。

　面発光レーザ素子１０－８によれば、一実施形態の面発光レーザ素子１０と概ね同様の効果を奏する。
　面発光レーザ素子１０－８も、一実施形態の面発光レーザ素子１０の製造方法と同様の製造方法により製造できる。

（変形例９に係る面発光レーザ素子）
　図４１は、変形例９の面発光レーザ素子１０－９の平面図である。

　変形例９に係る面発光レーザ素子１０－９では、図４１に示すように、第２領域Ａ２が、平面視枠状の形状（図４１の二点鎖線で囲まれた領域）を有している。

　面発光レーザ素子１０－９では、第２領域Ａ２及び複数のメサＭを一緒に切断したＹＺ断面及び第２領域Ａ２及び複数のメサＭを一緒に切断したＸＺ断面が同様となる。面発光レーザ素子１０－９のＹＺ断面及びＸＺ断面は、変形例７の面発光レーザ素子１０－７のＹＺ断面と同様である。

　面発光レーザ素子１０－９によれば、変形例７の面発光レーザ素子１０－７と概ね同様の効果を奏する。
　面発光レーザ素子１０－９も、一実施形態の面発光レーザ素子１０の製造方法と同様の製造方法により製造できる。

８．＜本技術の一実施形態の他の変形例＞
　本技術に係る面発光レーザ素子は、上記実施形態及び各変形例で説明した構成に限らず、適宜変更可能である。

　上記実施形態及び各変形例では、本技術の面発光レーザ素子として発光部がメサの頂部側から光を出射する表面出射型を例にとって説明したが、本技術の面発光レーザ素子は発光部が基板の裏面側へ光を出射する裏面出射型にも適用可能である。この場合、基板の裏面に設けられた電極の、各発光部に対応する箇所に出射口となる開口を設ける必要がある。

　上記実施形態及び各変形例では、メサＭの頂部側にアノード電極が設けられ、且つ、基板１００の裏面側にカソード電極が設けられているが、メサＭの頂部側にカソード電極を設け、且つ、基板１００の裏面側にアノード電極を設けてもよい。この場合には、導電型（ｐ型及びｎ型）も入れ替える必要がある。

　上記実施形態及び各変形例では、第１及び第２の多層膜反射鏡１０２、１０７のいずれも半導体多層膜反射鏡であるが、これに限らない。
　例えば、第１の多層膜反射鏡１０２が半導体多層膜反射鏡であり、且つ、第２の多層膜反射鏡１０７が誘電体多層膜反射鏡であってもよい。誘電体多層膜反射鏡も、分布型ブラッグ反射鏡の一種である。
　例えば、第１の多層膜反射鏡１０２が誘電体多層膜反射鏡であり、且つ、第２の多層膜反射鏡１０７が半導体多層膜反射鏡であってもよい。
　例えば、第１及び第２の多層膜反射鏡１０２、１０７のいずれも誘電体多層膜反射鏡であってもよい。

　上記実施形態及び各変形例の面発光レーザ素子において、スペーサ層１０１は、必ずしも設けられていなくてもよい。

　上記実施形態及び各変形例の面発光レーザ素子において、酸化狭窄層１０３は、第１及び第２クラッド層１０４、１０６のいずれかの内部に設けられてもよい。

　上記実施形態及び各変形例の面発光レーザ素子において、コンタクト層１０８は、必ずしも設けられていなくてもよい。

　上記実施形態及び各変形例の面発光レーザ素子の構成の一部を相互に矛盾しない範囲内で組み合わせてもよい。例えば、変形例１０の面発光レーザ素子のように、第１凹部Ｒ１の底面が第２多層膜反射鏡１０７内に位置し、且つ、第２凹部Ｒ２の底面が第１多層膜反射鏡１０２内に位置していてもよい。

　以上説明した実施形態及び各変形例において、面発光レーザ素子を構成する各構成要素の材質、導電型、厚み、幅、長さ、形状、大きさ、配置等は、面発光レーザ素子として機能する範囲内で適宜変更可能である。

９．電子機器への応用例
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品（電子機器）へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される素子として実現されてもよい。

　本技術に係る面発光レーザ素子は、例えば、レーザ光により画像を形成又は表示する機器（例えばレーザプリンタ、レーザ複写機、プロジェクタ、ヘッドマウントディスプレイ、ヘッドアップディスプレイ等）の光源としても応用可能である。

１０．＜面発光レーザ素子を距離測定装置に適用した例＞
　以下に、上記実施形態及び各変形例に係る面発光レーザ素子の適用例について説明する。

　図４２は、本技術に係る電子機器の一例としての、面発光レーザ素子１０を備えた距離測定装置１０００の概略構成の一例を表したものである。距離測定装置１０００は、ＴＯＦ（Time Of Flight）方式により被検体Ｓまでの距離を測定するものである。距離測定装置１０００は、光源として面発光レーザ素子１０を備えている。距離測定装置１０００は、例えば、面発光レーザ素子１０、受光装置１２５、レンズ１１５、１３５、信号処理部１４０、制御部１５０、表示部１６０および記憶部１７０を備えている。

　受光装置１２５は、被検体Ｓで反射された光を検出する。レンズ１１５は、面発光レーザ素子１０から出射された光を平行光化するためのレンズであり、コリメートレンズである。レンズ１３５は、被検体Ｓで反射された光を集光し、受光装置１２５に導くためのレンズであり、集光レンズである。

信号処理部１４０は、受光装置１２５から入力された信号と、制御部１５０から入力された参照信号との差分に対応する信号を生成するための回路である。制御部１５０は、例えば、Time to Digital Converter (TDC)を含んで構成されている。参照信号は、制御部１５０から入力される信号であってもよいし、面発光レーザ素子１０の出力を直接検出する検出部の出力信号であってもよい。制御部１５０は、例えば、面発光レーザ素子１０、受光装置１２５、信号処理部１４０、表示部１６０および記憶部１７０を制御するプロセッサである。制御部１５０は、信号処理部１４０で生成された信号に基づいて、被検体Ｓまでの距離を計測する回路である。制御部１５０は、被検体Ｓまでの距離についての情報を表示するための映像信号を生成し、表示部１６０に出力する。表示部１６０は、制御部１５０から入力された映像信号に基づいて、被検体Ｓまでの距離についての情報を表示する。制御部１５０は、被検体Ｓまでの距離についての情報を記憶部１７０に格納する。

　本適用例において、面発光レーザ素子１０に代えて、上記面発光レーザ素子１０－１、１０－２、１０－３、１０－４、１０－５、１０－６、１０－７、１０－８、１０－９のいずれかを距離測定装置１０００に適用することもできる。
１１．＜距離測定装置を移動体に搭載した例＞

　図４３は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図４３に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。

　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、距離測定装置１２０３１が接続される。距離測定装置１２０３１には、上述の距離測定装置１０００が含まれる。車外情報検出ユニット１２０３０は、距離測定装置１２０３１に車外の物体（被検体Ｓ）との距離を計測させ、それにより得られた距離データを取得する。車外情報検出ユニット１２０３０は、取得した距離データに基づいて、人、車、障害物、標識等の物体検出処理を行ってもよい。

　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（ＡｄｖａｎｃｅｄＤｒｉｖｅｒＡｓｓｉｓｔａｎｃｅＳｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図４３の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

　図４４は、距離測定装置１２０３１の設置位置の例を示す図である。

　図４４では、車両１２１００は、距離測定装置１２０３１として、距離測定装置１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。

　距離測定装置１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる距離測定装置１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる距離測定装置１２１０５は、主として車両１２１００の前方のデータを取得する。サイドミラーに備えられる距離測定装置１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方のデータを取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる距離測定装置１２１０４は、主として車両１２１００の後方のデータを取得する。距離測定装置１２１０１及び１２１０５で取得される前方のデータは、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識等の検出に用いられる。

　なお、図４４には、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４の検出範囲の一例が示されている。検出範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた距離測定装置１２１０１の検出範囲を示し、検出範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた距離測定装置１２１０２，１２１０３の検出範囲を示し、検出範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた距離測定装置１２１０４の検出範囲を示す。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４から得られた距離データを基に、検出範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４から得られた距離データを元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

　以上、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、距離測定装置１２０３１に適用され得る。

　また、本技術は、以下のような構成をとることもできる。
（１）基板と、
　前記基板の一面に設けられた電極と、
　前記一面の前記電極側とは反対側に設けられ、メサを有する発光部が複数配置された第１領域と、
　前記一面の前記電極側とは反対側における前記第１領域の周辺に配置された第２領域と、
　を備え、
　前記複数の発光部のメサのうち互いに隣接する２つのメサにより規定される第１凹部の深さ寸法よりも、前記複数の発光部のメサのうち前記第２領域に隣接するメサと前記第２領域とにより規定される第２凹部の深さ寸法の方が大きい、面発光レーザ素子。
（２）前記電極は、前記複数の発光部に対して共通に設けられた共通電極である、（１）に記載の面発光レーザ素子。
（３）前記第２領域は、前記第２領域に隣接するメサに隣接するダミーメサを含み、前記第２領域に隣接するメサと前記ダミーメサとにより前記第２凹部が規定される、（１）又は（２）に記載の面発光レーザ素子。
（４）前記第２凹部の底面は、前記基板に垂直な方向に関して、前記第１凹部の底面よりも前記一面に近い位置に位置する、（１）～（３）のいずれか１つに記載の面発光レーザ素子。
（５）前記第１及び第２凹部の開口端は、略面一である、（１）～（４）のいずれか１つに記載の面発光レーザ素子。
（６）前記第１及び第２凹部の底面は、いずれも前記基板の他面の前記一面側とは反対側に位置する、（１）～（５）のいずれか１つに記載の面発光レーザ素子。
（７）前記第１凹部の底面は、前記基板の他面の前記一面側とは反対側に位置し、前記第２凹部の底面は、前記基板内に位置する、（１）～（６）のいずれか１つに記載の面発光レーザ素子。
（８）前記第１及び第２凹部の底面は、いずれも前記基板内に位置する、（１）～（７）のいずれか１つに記載の面発光レーザ素子。
（９）前記第１及び第２領域は、前記基板を含む積層構造の面内方向の異なる位置に設けられ、前記積層構造では、前記一面の前記電極側とは反対側に第１多層膜反射鏡、活性層及び第２多層膜反射鏡がこの順に積層されている、（１）～（８）のいずれか１つに記載の面発光レーザ素子。
（１０）前記第１及び第２凹部の底面は、いずれも前記第１多層膜反射鏡内に位置する、（９）に記載の面発光レーザ素子。
（１１）前記第１凹部の底面は、前記第２多層膜反射鏡内に位置し、前記第２凹部の底面は、前記第１多層膜反射鏡内に位置する、（９）に記載の面発光レーザ素子。
（１２）前記第１凹部の底面は、前記第１多層膜反射鏡内に位置し、前記第２凹部の底面は、前記基板内に位置する、（９）に記載の面発光レーザ素子。
（１３）前記第１凹部の底面は、前記第２多層膜反射鏡内に位置し、前記第２凹部の底面は、前記基板内に位置する、（９）に記載の面発光レーザ素子。
（１４）前記第１及び第２凹部の底面は、いずれも前記第２多層膜反射鏡内に位置する、（９）に記載の面発光レーザ素子。
（１５）前記互いに隣接する２つのメサ及び前記第２領域を一緒に切断した断面内において、前記第１凹部の幅よりも前記第２凹部の幅の方が大きい、（１）～（１４）のいずれか１つに記載の面発光レーザ素子。
（１６）前記第２領域に隣接する少なくとも１つの前記メサの頂部及び前記第２領域に隣接しない少なくとも２つの前記メサの頂部に共通の別の電極が設けられる、（１）～（１５）のいずれか１つに記載の面発光レーザ素子。
（１７）前記互いに隣接する２つのメサの中心間の間隔は、１０μｍ以上５０μｍ以下である、（１）～（１６）のいずれか１つに面発光レーザ素子。
（１８）前記第１及び第２凹部の深さ寸法の差が、前記互いに隣接する２つのメサの中心間の間隔に基づいて設定されている、（１）～（１７）のいずれか１つに記載の面発光レーザ素子。
（１９）前記第１及び第２凹部の深さ寸法の差は、前記互いに隣接する２つのメサの中心間の間隔が狭いほど大きく設定される、（１）～（１８）のいずれか１つに記載の面発光レーザ素子。
（２０）（１）～（１９）のいずれか１つに記載の面発光レーザ素子を備える、電子機器。
（２１）基板上に第１多層膜反射鏡、活性層及び第２多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、
　前記積層体をエッチングしてメサを含む発光部が複数配置された第１領域及び該第１領域の周辺の第２領域を形成する工程と、
　前記基板の前記第１多層膜反射鏡側の面とは反対側の面に電極を形成する工程と、
　を含み、
　前記第１及び第２領域を形成する工程では、前記複数の発光部のメサのうち互いに隣接する２つのメサにより規定される第１凹部の深さ寸法よりも、前記複数の発光部のメサのうち前記第２領域に隣接するメサと前記第２領域とにより規定される第２凹部の深さ寸法の方が大きくなるように前記積層体をエッチングする、面発光レーザ素子の製造方法。
（２２）前記電極を形成する工程では、前記基板の前記第１多層膜反射鏡側の面とは反対側の面の、少なくとも前記第１及び第２領域に対応する領域に前記電極を形成する、請求項２１に記載の面発光レーザ素子の製造方法。
（２３）前記第１及び第２領域を形成する工程では、前記積層体をエッチングして前記第１及び第２領域の一方を形成した後、前記一方が形成された前記積層体をエッチングして前記第１及び第２領域の他方を形成する、（２１）又は（２２）に記載の面発光レーザ素子の製造方法。

　１０、１０－１～１０－９：面発光レーザ素子、１００：基板、１００ａ：基板の一面、１００ｂ：基板の他面、１０２：第１多層膜反射鏡、１０３：酸化狭窄層、１０５：活性層、１０７：第２多層膜反射鏡、１１０：アノード電極（別の電極）、１１１：カソード電極（電極）、１０００：距離測定装置（電子機器）、ＬＥＰ：発光部、Ａ１：第１領域、Ａ２：第２領域、Ｍ：メサ、ＤＭ：ダミーメサ、Ｒ１：第１凹部、Ｒ２：第２凹部、Ｈ１：第１凹部の深さ寸法、Ｈ２：第２凹部の深さ寸法。

Claims

　基板と、
　前記基板の一面に設けられた電極と、
　前記一面の前記電極側とは反対側に設けられ、メサを有する発光部が複数配置された第１領域と、
　前記一面の前記電極側とは反対側における前記第１領域の周辺に配置された第２領域と、
　を備え、
　前記複数の発光部のメサのうち互いに隣接する２つのメサにより規定される第１凹部の深さ寸法よりも、前記複数の発光部のメサのうち前記第２領域に隣接するメサと前記第２領域とにより規定される第２凹部の深さ寸法の方が大きい、面発光レーザ素子。
　前記電極は、前記複数の発光部に対して共通に設けられた共通電極である、請求項１に記載の面発光レーザ素子。
　前記第２領域は、前記第２領域に隣接するメサに隣接するダミーメサを含み、
　前記第２領域に隣接するメサと前記ダミーメサとにより前記第２凹部が規定される、請求項１に記載の面発光レーザ素子。
　前記第２凹部の底面は、前記基板に垂直な方向に関して、前記第１凹部の底面よりも前記一面に近い位置に位置する、請求項１に記載の面発光レーザ素子。
　前記第１及び第２凹部の開口端は、略面一である、請求項１に記載の面発光レーザ素子。
　前記第１及び第２凹部の底面は、いずれも前記基板の他面の前記一面側とは反対側に位置する、請求項１に記載の面発光レーザ素子。
　前記第１凹部の底面は、前記基板の他面の前記一面側とは反対側に位置し、
　前記第２凹部の底面は、前記基板内に位置する、請求項１に記載の面発光レーザ素子。
　前記第１及び第２凹部の底面は、いずれも前記基板内に位置する、請求項１に記載の面発光レーザ素子。
　前記第１及び第２領域は、前記基板を含む積層構造の面内方向の異なる位置に設けられ、
　前記積層構造では、前記一面の前記電極側とは反対側に第１多層膜反射鏡、活性層及び第２多層膜反射鏡がこの順に積層されている、請求項１に記載の面発光レーザ素子。
　前記第１及び第２凹部の底面は、いずれも前記第１多層膜反射鏡内に位置する、請求項９に記載の面発光レーザ素子。
　前記第１凹部の底面は、前記第２多層膜反射鏡内に位置し、
　前記第２凹部の底面は、前記第１多層膜反射鏡内に位置する、請求項９に記載の面発光レーザ素子。
　前記第１凹部の底面は、前記第１多層膜反射鏡内に位置し、
　前記第２凹部の底面は、前記基板内に位置する、請求項９に記載の面発光レーザ素子。
　前記第１凹部の底面は、前記第２多層膜反射鏡内に位置し、
　前記第２凹部の底面は、前記基板内に位置する、請求項９に記載の面発光レーザ素子。
　前記第１及び第２凹部の底面は、いずれも前記第２多層膜反射鏡内に位置する、請求項９に記載の面発光レーザ素子。
　前記互いに隣接する２つのメサ及び前記第２領域を一緒に切断した断面内において、前記第１凹部の幅よりも前記第２凹部の幅の方が大きい、請求項１に記載の面発光レーザ素子。
　前記第２領域に隣接する少なくとも１つの前記メサの頂部及び前記第２領域に隣接しない少なくとも２つの前記メサの頂部に接触するように設けられた別の電極を更に備える、請求項１に記載の面発光レーザ素子。
　前記互いに隣接する２つのメサの中心間の間隔は、１０μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１に面発光レーザ素子。
　請求項１に記載の面発光レーザ素子を備える、電子機器。
　基板上に第１多層膜反射鏡、活性層及び第２多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、
　前記積層体をエッチングしてメサを含む発光部が複数配置された第１領域及び該第１領域の周辺の第２領域を形成する工程と、
　前記基板の前記第１多層膜反射鏡側の面とは反対側の面に電極を形成する工程と、
　を含み、
　前記第１及び第２領域を形成する工程では、前記複数の発光部のメサのうち互いに隣接する２つのメサにより規定される第１凹部の深さ寸法よりも、前記複数の発光部のメサのうち前記第２領域に隣接するメサと前記第２領域とにより規定される第２凹部の深さ寸法の方が大きくなるように前記積層体をエッチングする、面発光レーザ素子の製造方法。
　前記電極を形成する工程では、前記基板の前記第１多層膜反射鏡側の面とは反対側の面の、少なくとも前記第１及び第２領域に対応する領域に前記電極を形成する、請求項１９に記載の面発光レーザ素子の製造方法。