JP2008172002A - 光送信モジュール - Google Patents

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一宏 逆井
Shinya Kyozuka
信也 経塚
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修 大谷
Osamu Ueno
修 上野
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Abstract

【課題】光送信用の光出力特性に影響を与えずに発光光量をモニタできる光送信モジュールを得る。
【解決手段】駆動電流が共通電極18に供給され、発光素子16の主発光部22、従発光部24から、信号光SL、モニタ光MLを出射する。モニタ光MLは、反射ミラー32で反射され、受光面38に入射する。制御回路15は、モニタ光MLのフィードバック制御を行う。このように、1つの発光素子16に主発光部22及び従発光部24の2つの発光部が設けられているので、モニタ光MLと信号光SLの発光特性のばらつきが発生しにくく、信号光SLに影響を与えずに発光光量をモニタできる。
【選択図】図1

Description

本発明は、光送信モジュールに関する。
従来、大容量の映像信号等を高速に送信する手段として、電気信号を光信号に変換して送信する光送信モジュールがある。
光送信モジュールは、発光素子と、発光素子を電気的に駆動するためのドライバICとを備えており、発光素子から出射された出射光が、光ファイバー等の光伝送手段に入射されて光送信が行われる。
ここで、発光素子における出射光の光量を制御する手段として、出射光の一部を受光素子でモニタしてフィードバックをかけ、所定の光量となるように駆動素子を制御する光量制御手段がある。
光量制御手段を有する光送信モジュールの第1例として、面発光型レーザの発光素子と、光路上に配置されたカバーガラスと、モニタ用の受光素子を備えた光送信モジュールがある(例えば、特許文献1参照)。
第1例の光送信モジュールは、発光素子からの信号光の一部がカバーガラスで反射され、受光素子に入射する。この受光素子に入射した光量に基づいて、信号光の光量を制御する。
光量制御手段を有する光送信モジュールの第2例として、受光素子の上に発光素子を配置し、発光素子からの信号光を反射するカバーガラスを備えた光送信モジュールがある(例えば、特許文献2参照)。
第2例の光送信モジュールは、発光素子からの信号光の一部をカバーガラスで反射し、発光素子で隠れていない受光素子面でこの信号光の一部を受光して、信号光の光量を制御する。
光量制御手段を有する光送信モジュールの第3例として、面発光素子の信号光の出射面と反対側の面に受光素子を配置した光送信モジュールがある(例えば、特許文献3参照)。
第3例の光送信モジュールは、面発光素子において信号光と逆向きに出射される光を受光素子で受光して、信号光の光量を制御する。
光量制御手段を有する光送信モジュールの第4例として、複数の発光素子を備えた光送信モジュールがある(例えば、特許文献4参照)。
第4例の光送信モジュールは、複数の発光素子の一つと対向する位置に受光素子を配置し、この受光素子で受光した光量に基づいて信号光の光量を制御する。
特開平10−51067 特開2000−323791 特開2002−100829 特開2002−204019
本発明は、光送信用の光出力特性に影響を与えずに発光光量をモニタできる光送信モジュールを得ることを目的とする。
本発明の請求項1に係る光送信モジュールは、共通の電極を介して駆動素子により駆動される主発光部及び従発光部を有し、前記主発光部が光送信の信号光を発光し、前記従発光部が前記信号光の光量制御に用いられる発光光を発光する発光素子と、前記従発光部からの発光光を受光する受光部を有し、前記従発光部からの発光光量を検出する受光素子と、前記受光素子で検出された前記従発光部からの発光光量に基づいて前記駆動素子を制御し、前記主発光部の発光光量を制御する制御回路と、を備えたことを特徴としている。
本発明の請求項2に係る光送信モジュールは、前記発光素子が面発光型レーザであることを特徴としている。
本発明の請求項3に係る光送信モジュールは、前記従発光部の発光光量を前記主発光部の発光光量より小さくする光量制御手段を設けたことを特徴としている。
本発明の請求項4に係る光送信モジュールは、前記光量制御手段が、前記主発光部及び前記従発光部に設けられ発光光量を制御するアパーチャであり、前記従発光部のアパーチャ径が、前記主発光部のアパーチャ径より小さいことを特徴としている。
本発明の請求項5に係る光送信モジュールは、前記光量制御手段が、前記電極と前記従発光部との間に設けた抵抗素子であることを特徴としている。
本発明の請求項6に係る光送信モジュールは、前記光量制御手段が、前記主発光部と前記従発光部の発光部の数の大小であり、前記主発光部の数を従発光部の数より多くしたことを特徴としている。
本発明の請求項7に係る光送信モジュールは、前記従発光部における発光が、単峰性の放射パターンであることを特徴としている。
本発明の請求項8に係る光送信モジュールは、前記主発光部の発光光の発振波長と、前記従発光部の発光光の発振波長とが異なる波長となるように前記主発光部及び前記従発光部を構成し、前記主発光部の発光光を透過し前記従発光部の発光光を前記受光素子へ反射する波長選択フィルタを備えたことを特徴としている。
本発明の請求項9に係る光送信モジュールは、前記電極において、前記駆動素子に近い側に前記主発光部が設けられ、前記駆動素子から遠い側に前記従発光部が設けられていることを特徴としている。
本発明の請求項10に係る光送信モジュールは、前記電極において、主発光部と従発光部との間にインピーダンス素子を設けたことを特徴としている。
本発明の請求項11に係る光送信モジュールは、前記従発光部からの発光光を前記受光素子に入射させる導光路を設けたことを特徴としている。
本発明の請求項12に係る光送信モジュールは、前記導光路の前記従発光部と対向する面の面積が、前記従発光部の面積よりも大きく、前記導波路の前記受光素子と対向する面の面積が、前記受光素子の面積より小さいことを特徴としている。
本発明の請求項13に係る光送信モジュールは、前記従発光部の発光面の位置と前記受光素子の受光面の位置とが同じ高さ位置となるように配置されており、前記導光路が、両端に角度45度の反射面を有することを特徴としている。
本発明の請求項14に係る光送信モジュールは、前記導光路は、前記従発光部からの発光光が進行するコア部と、前記コア部よりも屈折率の低いクラッド部とで構成され、少なくとも前記従発光部及び前記受光素子と対向する前記導光路の面にはクラッド部が配置され、前記クラッド部が、前記クラッド部の屈折率より高い屈折率を有する接着剤によって、前記従発光部及び前記受光素子に接着されたことを特徴としている。
本発明の請求項15に係る光送信モジュールは、前記主発光部、前記従発光部、及び前記従発光部に対応する前記受光部を、それぞれ複数設けたことを特徴としている。
本発明の請求項16に係る光送信モジュールは、前記従発光部と前記受光素子をそれぞれ導光路で光結合させたことを特徴としている。
本発明の請求項17に係る光送信モジュールは、前記発光素子を複数設け、複数の前記発光素子の前記従発光部からの発光光を1つの前記受光素子で受光することを特徴としている。
請求項1の発明は、1つの発光素子に主発光部及び従発光部の2つの発光部が設けられているので、製造プロセスにおける主発光部と従発光部の発光特性のばらつきが発生しにくい。このため、従発光部の発光光量に基づいて主発光部の発光光量を制御できる。また、主発光部から発光された光の出力特性に影響を与えないので、精度良く信号光を送ることができる。
請求項2の発明は、片面のみで発光するので、端面発光型レーザと比較して光量のモニタが容易となる。
請求項3の発明は、従発光部の発光光量を必要最小限とすることができるので、主発光部の発光光量を効率良く制御できる。
請求項4の発明は、アパーチャ径を変えるだけで光量が絞れるので、簡易な構造で従発光部の光量を小さくすることができる。
請求項5の発明は、抵抗素子によって電圧降下が発生し、従発光部の光量を小さくすることができるので、簡易な構造で従発光部の光量を小さくすることができる。
請求項6の発明は、主発光部の数と従発光部の数を変えることによって、従発光部の光量を小さくすることができるので、簡易な構造で従発光部の光量を小さくすることができる。
請求項7の発明は、従発光部で発光された単峰の放射パターンの発光光が受光素子に入射することにより、温度変動による放射パターン形状の変化が小さくなるので、従発光部の発光光量を正確にとらえることができ、主発光部の光量制御を安定して行える。
請求項8の発明は、波長選択反射フィルタにより主発光部の発光光の透過と従発光部の発光光の反射を同時に行えるので、光送信モジュールをコンパクトにまとめることができ、実装が容易となる。
請求項9の発明は、主発光部は駆動素子に近い側にあるので主発光部の高速駆動が可能となり、高速の光送信が行える。
請求項10の発明は、従発光部が、駆動素子からの高周波信号に対してハイインピーダンスとなるので、主発光部の高速駆動が可能となる。
請求項11の発明は、導光路によって従発光部の発光光をそのまま受光素子に入射させることができるので、受光素子に入射される光量が低減されることがなくなり、安定した光量制御が可能となる。
請求項12の発明は、従発光部の面積よりも導光路の面積の方が大きいので、従発光部の発光光がそのまま受光素子に入射する。一方、導光路の面積が受光素子の面積よりも小さいので、導光路から出射された光は全て受光素子に入射される。これにより、従発光部の発光光量が低減されることがなくなり、安定した光量制御が可能となる。
請求項13の発明は、従発光部の発光面の位置と受光素子の受光面の位置とが同じ高さ位置なので、導光路の実装が容易となる。
請求項14の発明は、クラッド部が、クラッド部の屈折率より高い屈折率を有する接着剤によって接着されるので、クラッド部と接着剤との界面で光が反射して受光素子に入射する光が低減されるのを防ぐことができる。
請求項15の発明は、複数の信号光を利用できるので、大容量データの光送信が行える。
請求項16の発明は、複数の信号光の光量制御をそれぞれ安定して行うことができる。
請求項17の発明は、複数の発光素子の光量を1つの受光素子で平均化して光量制御するので、簡易な構成で複数の発光素子の光量制御ができる。
本発明の光送信モジュールの第1実施形態を図面に基づき説明する。
図1a及び図1bに示すように、光送信モジュール10は、発光素子16と、反射ミラー32と、受光素子36を備えている。
発光素子16は、矩形状の板材からなる基板12上に突設されたサブマウント部14上に実装されている。
また、発光素子16は、略円形の開口部26から光送信用の信号光SL(Signal Light)が出射される主発光部22と、略円形の開口部28から信号光SLの光量制御に用いられるモニタ光ML(Monitor Light)が出射される従発光部24とを備えている。
主発光部22と従発光部24は、発光素子16に設けられた1つの共通電極18を介して導通している。
共通電極18上で主発光部22と従発光部24との間には、細線などで構成されたインピーダンス素子29が形成されている。
また、共通電極18の端部で、主発光部22に近い側には、発光素子16のアノード電極となる電極パッド20が設けられている。発光素子16のカソード電極は発光素子16の下面であり、銀エポキシなどの材料によりサブマウント部14に接続され、接地されている。
電極パッド20には、ワイヤボンディングによりワイヤ23が接続されており、基板12上の配線30を介し、制御回路15の出力端子17に接続されている。
受光素子36は、上面に受光面38を有し、受光面38で受光した光の光量を電流として出力するアノード電極としての出力電極40と、受光素子36の下面にあり受光素子36に逆バイアス電圧を供給するカソード電極(図示せず)をもつ。カソード電極は、アノード電極の電位より高い電位が与えられている。
制御回路15は、入力端子19、出力端子17、及び駆動回路74(図3参照)を有しており、受光素子36から出力される電流が予め設定された値となるように駆動回路74にフィードバック制御を行い、発光素子16を駆動する駆動電流を出力端子17から出力する。
入力端子19には、配線42の一端が接続されており、配線42の他端には、ワイヤボンディングによるワイヤ47を介して受光素子36の出力電極40に接続されている。
一方、前述の従発光部24と対向する位置には、反射ミラー32が設けられている。
反射ミラー32は、従発光部24と対向する側の面に発光光の反射面が形成されており、基板12から立設された図示しない側板の穴に挿通され、接着剤等により固定されている。反射ミラー32の固定角度は、従発光部24から出射されたモニタ光MLが、受光面38に入射されるように、所定の角度となっている。
ここで、発光素子16の内部構造について説明する。
図2に示すように、n型GaAs基板48上に、有機金属気相成長(MOCVD)法を用いて、n型GaAsバッファ層50、下部n型DBR(Distributed Bragg Refrector:分布反射)層52、活性領域54、p型AlAs層56、上部p型DBR層58、及びp型GaAsコンタクト層60が積層されている。
n型GaAsバッファ層50は、n型の不純物となるSiをドーピングしたn−GaAsからなり、Alを含むエピタキシャル成長をスムーズに進める役割を果たしている。
下部n型DBR層52は、n型のAl0.9Ga0.1Asとn型のAl0.3Ga0.7Asとを交互に積層した複数層積層体である。
活性領域54は、図示しないアンドープのAl0.11Ga0.89Asよりなる量子井戸層と、アンドープのAl0.3Ga0.7Asよりなる障壁層と、量子井戸層及び障壁層を挟み込むアンドープのAl0.5Ga0.5Asよりなるスぺーサ層とで構成された積層体である。
p型AlAs層56は、AlAs層を選択的に酸化させて高抵抗した酸化領域であり、活性領域54の直上部分に略円形の開口部68を形成している。
また、開口部68の内側は、AlAs層の酸化において酸化されずに残った非酸化領域である電流注入領域57となっている。
上部p型DBR層58は、p型のAl0.9Ga0.1Asとp型のAl0.3Ga0.7Asとを、交互に積層した複数層積層体である。
p型のGaAsコンタクト層60は、p型の不純物となるZnをドーピングしたp−GaAsからなる。
p型のGaAsコンタクト層60上には、p型電極であるTi、Auを連続的に堆積させた前述の共通電極18が設けられている。また、p型のGaAsコンタクト層60上の一部の領域には、イオンエッチングによりSiON膜62が形成されており、共通電極18とSiON膜62の間にはSiN保護膜が形成されている。
ここで、p型AlAs層56から共通電極18までの各層が、活性領域54上に2箇所設けられ、それぞれ主発光部22、従発光部24を形成している。
共通電極18には、前述の開口部26、28が形成されており、共通電極18の一部は、樹脂製のパッケージ44により封止されている。
一方、n型GaAs基板48の裏面側には、Au/Au−Geからなるn型電極46が蒸着により形成されている。n型電極46は、図示しない配線により制御回路15に接続されている。
ここで、主発光部22及び従発光部24において、上部p型DBR層58の厚みd1、d2を変えることにより、信号光SL、モニタ光ML(図1b参照)の波長を変えることができる。本実施形態においては、信号光SL、モニタ光MLともに波長が850nmとなるようにd1、d2が設定されている。
なお、上部p型DBR層58における厚みをd、屈折率をn、発光される光の波長をλとしたとき、d=λ/nの関係がある。
また、開口部26の内径W2及び開口部68の内径W1、又は開口部28の内径W4及び開口部70の内径W3を変えることにより、信号光SL、モニタ光MLの光強度を変えることができる。ここでは、信号光SLの光強度をモニタ光MLの光強度より強くするようにW1、W2、W3、W4が決められている。すなわち、同一の駆動電圧が供給されたときに、主発光部22の発光光量が従発光部24での発光光量よりも多くなるように、開口部26の径が、開口部28の径より大きくなっている。
図4は、開口部の大きさが異なる発光素子の特性を示したものである。Aは開口部が大きいもので、Bは開口部が小さいものを表している。主発光部をA、従発光部をBとすることにより、従発光部の光量より主発光部の光量を大きくすることができる。
マルチモード発光では、図5aのPK1、PK2のように複数のピークを有しており、シングルモード発光では、図5bのPK3のように単一のピークを有している。
次に、本発明の第1実施形態の作用について説明する。
図1及び図3に示すように、まず、開始時の駆動電流が制御回路15に設定され、制御回路15内部の駆動回路74から駆動電流が出力される。
駆動電流は、配線30、ワイヤ23、及び電極パッド20を介して共通電極18に流入し、主発光部22及び従発光部24から、それぞれ信号光SL、モニタ光MLを出射する。
続いて、従発光部24から出射されたモニタ光MLは、反射ミラー32で反射され、受光素子36の受光面38に入射する。
受光面38に入射された光の光量は、電流に変換され、出力電極40からワイヤ47及び配線42を介して制御回路15の入力端子19に電流値I1として入力される。
続いて、制御回路15は、入力端子19に入力された電流値I1が、予め設定された電流値I2となるように駆動回路74にフィードバック制御を行い、駆動電流を出力端子17から出力する。
以上の工程を繰り返すことにより、主発光部22からの信号光SLの光量を制御できる。
また、開口部28の径が開口部26の径よりも小さく、動作抵抗が大きいので、従発光部24に流れる電流値が低下する。そのため、主発光部22と従発光部24との和である全体の駆動電流が、主発光部22と従発光部24が同一構造のものに比べ少なくなり、光送信モジュール10としての消費電力を抑えることができる。
さらに、インピーダンス素子29によって、従発光部24側が高インピーダンスとなるので、高周波の信号成分は従発光部24の影響を受けず、主発光部22を安定して高速駆動することができる。
本発明の光送信モジュールの第2実施形態を図面に基づき説明する。
なお、前述した第1実施形態と基本的に同一の部品には、前記第1実施形態と同一の符号を付与してその説明を省略する。
図6に示すように、光送信モジュール80は、発光素子82と、反射ミラー32と、受光素子36を備えている。
発光素子82は、略円形の開口部94から光送信用の信号光SLが出射される主発光部88と、略円形の開口部96から信号光SLの光量制御に用いられるモニタ光MLが出射される従発光部90とを有しており、サブマウント部14上に実装されている。
主発光部88と従発光部90は、発光素子82に設けられた1つの共通電極84を介して導通している。主発光部88の開口部94と、従発光部90の開口部96との大きさは略等しい大きさとなっている。
なお、発光素子82の内部構造については、開口部94と開口部96の大きさが略等しいことを除いて第1実施形態の発光素子16と同様のため、説明を省略する。
図6に示すように、共通電極84上で主発光部88と従発光部90との間には、抵抗素子92が設けられている。また、共通電極84の端部で、主発光部88に近い側には、電極パッド86が設けられている。
電極パッド86にはワイヤ87の一端が接続され、配線30(図示せず)を介し前述の制御回路15の出力端子17に接続されている。
一方、前述の従発光部90と対向する位置には、反射ミラー32が設けられている。
受光素子36の接続形態は、第1実施形態と同様のため説明を省略する。
次に、本発明の第2実施形態の作用について説明する。
図6に示すように、まず、開始時の駆動電流が制御回路15(図1参照)に設定され、制御回路15内部の駆動回路74から駆動電流が出力される。
駆動電流は、配線30、ワイヤ87、及び電極パッド86を介して共通電極84に供給され、主発光部88及び従発光部90から、それぞれ信号光SL、モニタ光MLを出射する。
続いて、従発光部90から出射されたモニタ光MLは、反射ミラー32で反射され、受光素子36の受光面38に入射する。
受光面38に入射された光の光量は、電流に変換され、出力電極40からワイヤ47及び配線42を介して制御回路15の入力端子19に電流値I1として入力される。
続いて、制御回路15は、入力端子19に入力された電流値I1が、予め設定された電流値I2となるように駆動回路74にフィードバック制御を行い、駆動電圧を出力端子17から出力する。
以上の工程が繰り返されることにより、主発光部88からの信号光SLの光量が制御されるので、信号光としての信号光SLの発光が安定する。
また、従発光部90にかかる電圧は、主発光部88にかかる電圧に比べ、抵抗素子92に流れる電流の電圧降下分だけ低くなるので、従発光部90に流れる電流値が、主発光部88に流れる電流値よりも低下する。そのため、主発光部88の光量は従発光部90の光量より大きくなり、従発光部90の少ない光量に基づいて主発光部88の大きな光量を制御できるので、光量モニタを効率よく行える。
本発明の光送信モジュールの第3実施形態を図面に基づき説明する。
なお、前述した第1、第2実施形態と基本的に同一の部品には、同一の符号を付与してその説明を省略する。
図7a及び図7bに示すように、光送信モジュール100は、基板124上に発光素子101と、受光素子102とを備えている。
発光素子101は、光送信用の4つの信号光SL1、SL2、SL3、SL4が出射される主発光部107、108、109、110と、信号光SLの光量制御に用いられるモニタ光MLが出射される1つの従発光部111とを有しており、サブマウント部117上に実装されている。
主発光部107、108、109、110と従発光部111は、発光素子101に設けられた1つの共通電極105を介して導通している。
また、主発光部107、108、109、110の信号光SL1、SL2、SL3、SL4の波長は、従発光部111のモニタ光MLと同様で850nmとなっている。
共通電極105の端部で、主発光部107、109に近い側には、電極パッド106が設けられている。
電極パッド106には、ワイヤ114の一端が接続されており、ワイヤ114の他端は、前述の制御回路15(図1参照)の出力端子17に接続されている。
一方、基板124上には固定ベース104が突設されている。固定ベース104には、受光素子102が所定の角度で傾けて、従発光部111と対向して取付けられている。
受光素子102は、受光面103を備え、面接合部120にボンディングされたワイヤ122を介して逆バイアス電圧が印加されている。また、受光素子102は、面接合部116にボンディングされたワイヤ118を介して、入力端子19(図1参照)に電流を出力するようになっている。
次に、本発明の第3実施形態の作用について説明する。
図7に示すように、まず、開始時の駆動電流が制御回路15(図1参照)に設定され、制御回路15内部の駆動回路74から駆動電流が出力される。
駆動電流は、ワイヤ114及び電極パッド106を介して共通電極105に流入し、主発光部107、108、109、110及び従発光部111から、それぞれ信号光SL1、SL2、SL3、SL4、モニタ光MLを出射する。
主発光部107、108、109、110、及び従発光部111には、それぞれ同量の電流が流れ、それぞれ同量の光量となっているため、信号光SLの光量は、モニタ光MLの光量の4倍となっている。
続いて、従発光部111から出射されたモニタ光MLは、受光素子102の受光面103に入射する。
受光面103に入射された光の光量は、電流に変換され、ワイヤ118を介して制御回路15の入力端子19に電流値I1として入力される。
続いて、制御回路15は、入力端子19に入力された電流値I1が、予め設定された電流値I2となるように駆動回路74にフィードバック制御を行い、駆動電圧を出力端子17から出力する。
以上の工程が繰り返されることにより、主発光部107、108、109、110からの信号光SL1、SL2、SL3、SL4の光量が制御されるので、複数の信号光SL1、SL2、SL3、SL4の発光が安定する。
また、信号光SLの光量が、モニタ光MLの光量の4倍となるので、従発光部111の少ない光量に基づいて主発光部107、108、109、110の大きな光量を制御できるので、効率的な光量モニタが可能となる。
本発明の光送信モジュールの第4実施形態を図面に基づき説明する。
なお、前述した第1〜第3実施形態と基本的に同一の部品には、同一の符号を付与してその説明を省略する。
図8a及び図8bに示すように、光送信モジュール130は、発光素子131と、反射ミラー32と、受光素子36を備えている。
発光素子131は、略円形の開口部136から光送信用の信号光SLが出射される主発光部134と、略円形の開口部137から信号光SLの光量制御に用いられるモニタ光MLが出射される従発光部135とを有しており、サブマウント部14上に実装されている。
主発光部134は、放射角度により強度分布を持つマルチモード発光(図5a参照)をするようになっており、従発光部135は、中心部の発光強度が強い単峰性を有するシングルモード発光(図5b参照)をするようになっている。
主発光部134と従発光部135は、発光素子131に設けられた1つの共通電極132を介して導通している。主発光部134の開口部136の大きさは、従発光部135の開口部137の大きさよりも大きくなっている。
なお、発光素子131の内部構造については、開口部136と開口部137の大きさの違いを除いて第1実施形態の発光素子16と同様のため、説明を省略する。
図8に示すように、主発光部134と従発光部135は、共通電極132で直接導通している。また、共通電極132の端部で、主発光部134に近い側には、電極パッド133が設けられている。
電極パッド133にはワイヤ23の一端が接続され、配線30(図示せず)を介し前述の制御回路15の出力端子17に接続されている。
一方、前述の従発光部135と対向する位置には、反射ミラー32が設けられている。
次に、本発明の第4実施形態の作用について説明する。
図8に示すように、まず、開始時の駆動電流が制御回路15に設定され、制御回路15内部の駆動回路74(図示せず)から駆動電流が出力される。
駆動電流は、配線30、ワイヤ23、及び電極パッド133を介して共通電極132に流入し、主発光部134及び従発光部135から、それぞれ信号光SL、モニタ光MLを出射する。
続いて、従発光部135から出射されたモニタ光MLは、反射ミラー32で反射され、受光素子36の受光面38に入射する。
受光面38に入射された光の光量は、電流に変換され、出力電極40からワイヤ47及び配線42を介して制御回路15の入力端子19に電流値I1として入力される。
続いて、制御回路15は、入力端子19に入力された電流値I1が、予め設定された電流値I2となるように駆動回路74にフィードバック制御を行い、駆動電流を出力端子17から出力する。
以上の工程を繰り返すことにより、主発光部134からの信号光SLの光量を制御できる。
また、開口部137の径が開口部136の径よりも小さく、動作抵抗が大きいので、従発光部135に流れる電流値が低下する。そのため、主発光部134と従発光部135との和である全体の駆動電流が、主発光部134と従発光部135が同一構造のものに比べ少なくなり、光送信モジュール130としての消費電力を抑えることができる。
さらに、従発光部135の発光モードがシングルモード発光で中心部の発光強度が強い単峰性となっているため、発光強度中心を受光面38の中心に位置させることで、モニタ光MLの受光時の洩れが少なくなり、受光素子36におけるモニタ光MLの受光が安定する。
本発明の光送信モジュールの第5実施形態を図面に基づき説明する。
なお、前述した第1〜第4実施形態と基本的に同一の部品には、同一の符号を付与してその説明を省略する。
図9a及び図9bに示すように、光送信モジュール140は、発光素子141と、波長選択フィルタ板139と、受光素子36を備えている。
発光素子141は、光送信用の信号光SLが出射される主発光部144と、信号光SLの光量制御に用いられるモニタ光MLが出射される従発光部146とを有しており、サブマウント部14上に実装されている。
主発光部144と従発光部146は、発光素子141に設けられた1つの共通電極142を介して導通している。
また、主発光部144と従発光部146は、上部p型DBR層58の厚みd1がd2よりも大きくなっており、主発光部144の信号光MLの波長が850nm、従発光部146のモニタ光SLの波長が780nmとなっている。
主発光部144の開口部148の幅W2は、従発光部146の開口部150の幅W4よりも大きくなっている。
共通電極142の端部で、主発光部144に近い側には、電極パッド145が設けられている。
電極パッド145には、配線30の一端が接続されており、配線30の他端が前述の制御回路15(図1参照)の出力端子17に接続されている。
一方、前述の主発光部144及び従発光部146と対向する位置には、波長選択フィルタ板139が設けられている。
波長選択フィルタ板139は、波長850nmの光を透過し、波長780nmの光を反射する特性を有している。
次に、本発明の第5実施形態の作用について説明する。
図9に示すように、まず、開始時の駆動電流が制御回路15(図1参照)に設定され、制御回路15内部の駆動回路74から駆動電流が出力される。
駆動電流は、ワイヤ87及び電極パッド145を介して共通電極142に流入し、主発光部144及び従発光部146から、それぞれ信号光SL、モニタ光MLを出射する。
続いて、主発光部144から出射された信号光SLは、波長選択フィルタ板139を透過する。一方、従発光部146から出射されたモニタ光MLは、波長選択フィルタ板139で反射され、受光素子36の受光面38に入射する。
受光面38に入射された光の光量は、電流に変換され、出力電極40からワイヤ47および配線42(図示せず)を介して制御回路15の入力端子19に電流値I1として入力される。
続いて、制御回路15は、入力端子19に入力された電流値I1が、予め設定された電流値I2となるように駆動回路74にフィードバック制御を行い、駆動電圧を出力端子17から出力する。
以上の工程が繰り返されることにより、主発光部144からの信号光SLの光量が制御されるので、信号光SLとモニタ光MLの波長が異なる場合でも、信号光SLの発光が安定する。
本発明の光送信モジュールの第6実施形態を図面に基づき説明する。
なお、前述した第1〜第5実施形態と基本的に同一の部品には、同一の符号を付与してその説明を省略する。
図10a及び図10bに示すように、光送信モジュール160は、発光素子162と、受光素子36と、導光路176とを備えている。
発光素子162は、略円形の開口部172から光送信用の信号光SLが出射される主発光部168と、略円形の開口部174から信号光SLの光量制御に用いられるモニタ光SLが出射される従発光部170とを有しており、サブマウント部14上に実装されている。
主発光部168と従発光部170は、発光素子162に設けられた1つの共通電極166を介して導通している。また、開口部172の径と開口部174の径はほぼ同じ大きさとなっている。
なお、発光素子162の内部構造については、第1実施形態の発光素子16と同様のため、説明を省略する。
共通電極166の端部で、主発光部168に近い側には、電極パッド164が設けられている。
電極パッド164には、ワイヤ87の一端が接続され、配線30(図示せず)を介し前述の制御回路15の出力端子17に接続されている。
一方、従発光部170の上面と、受光素子36の受光面38に架橋されるように、導光路176が配置されている。
図10cに示すように、導光路176は、両端にθ=45度の斜面184、186を有し、斜面184が従発光部170上に位置し、斜面186が受光面38上に位置するように配置され、接着剤182によって固定されている。
また、導光路176は、コア部180と、コア部の外周に設けられたクラッド部178とで構成されている。
コア部180は、例えばポリメチルメタクリレート(PMMA)で構成されており、モニタ光SLの伝播領域を形成している。
クラッド部178は、コア部にPMMAを採用したため含フッ素ポリマが好適に採用される。コア部180よりも屈折率が低く、モニタ光SLが伝送されるように反射領域を形成している。
接着剤182は、エポキシ系の接着剤であり、クラッド部178よりも屈折率が高くなっている。
さらに、導光路176は、従発光部170と対向する部分の面積が、従発光部の面積よりも大きく、受光面38と対向する部分の面積が、受光面38の面積よりも小さくなるように、外形の大きさが設定されている。
次に、本発明の第6実施形態の作用について説明する。
図10に示すように、まず、開始時の駆動電流が制御回路15(図1参照)に設定され、制御回路15内部の駆動回路74から駆動電流が出力される。
駆動電流は、配線30、ワイヤ87及び電極パッド164を介して共通電極166に流入し、主発光部168及び従発光部170から、それぞれ信号光SL、モニタ光MLを出射する。
続いて、従発光部170から出射されたモニタ光MLは、導光路176の斜面184で進行方向が変えられ、コア部180を伝播し、斜面186で進行方向が変えられ、受光面38へと結合される。
受光面38に入射された光の光量は、電流に変換され、出力電極40からワイヤ47及び配線42を介して制御回路15の入力端子19に電流値I1として入力される。
続いて、制御回路15は、入力端子19に入力された電流値I1が、予め設定された電流値I2となるように駆動回路74にフィードバック制御を行い、駆動電圧を出力端子17から出力する。
以上の工程が繰り返されることにより、主発光部88からの信号光SLの光量が制御されるので、信号光SLの発光が安定する。
また、導光路176の大きさは、従発光部170と対向する部分の面積が従発光部の面積よりも大きく、受光面38と対向する部分の面積が受光面38の面積よりも小さくなっているので、光送信モジュール160を製造するときに、導光路の位置合わせが容易となる。特に、受光面38の大きさを導光路176の大きさに比べて十分大きくしておけば、従発光部170との位置合わせのみで実装することが可能である。
本発明の光送信モジュールの第7実施形態を図面に基づき説明する。
なお、前述した第1〜第6実施形態と基本的に同一の部品には、同一の符号を付与してその説明を省略する。
図11a及び図11bに示すように、光送信モジュール190は、発光素子196、197、受光素子210、240、第1導光路209、及び第2導光路211を備えている。
まず、発光素子196について説明する。
発光素子196は、第1発光部205を備えている。第1発光部205は、光送信用の信号光SLが出射される主発光部202と、信号光SLの光量制御に用いられるモニタ光MLが出射される従発光部204とを有している。
主発光部202と従発光部204は、共通電極200を介して導通しており、共通電極200の端部で主発光部202に近い側には、電極パッド198が設けられている。
電極パッド198には、ワイヤ87の一端が接続され、配線30(図示せず)を介し前述の制御回路15の出力端子17に接続されている。
一方、発光素子197は、第2発光部207を備えている。第2発光部207は、光送信用の信号光SLが出射される主発光部206と、信号光SLの光量制御に用いられるモニタ光MLが出射される従発光部208とを有している。
主発光部206と従発光部208は、共通電極201を介して導通しており、共通電極201の端部で主発光部206に近い側には、電極パッド199が設けられている。
電極パッド199には、ワイヤ89の一端が接続され、配線31(図示せず)を介し前述の制御回路15の出力端子17と異なる出力端子に接続されている。
次に、受光素子210について説明する。
受光素子210は、第1受光部214を備えている。第1受光部214は、受光面212を有しており、受光面212に入射されたモニタ光MLが受光素子210内部で電流に変換され、ライン216、出力電極218、及びワイヤ231を介して配線42(図示せず)へ出力されるようになっている。
配線42は、前述の制御回路15(図1参照)の入力端子19に接続されている。
また、第1受光部214は、ライン220、電極222、ワイヤ233、及び配線224(図示せず)を介して図示しない電源から逆バイアス電圧が印加されている。
一方、受光素子240は、第2受光部215を備えている。第2受光部215は、受光面213を有しており、受光面213に入射されたモニタ光MLが受光素子210内部で電流に変換され、ライン217、出力電極219、及びワイヤ235を介して配線43(図示せず)へ出力されるようになっている。
配線43は、前述の制御回路15(図1参照)における入力端子19とは異なる入力端子に接続されている。
また、第2受光部215は、ライン221、電極223、ワイヤ237、及び配線225(図示せず)を介して図示しない電源から逆バイアス電圧が印加されている。
次に、第1導光路209、第2導光路211について説明する。
第1導光路209は、両端にθ=45度の斜面を有し、一端の斜面が従発光部204上に位置し、他端の斜面が受光面212上に位置するように配置され、接着剤によって固定されている。
また、第1導光路209は、従発光部204と対向する部分の面積が、従発光部204の面積よりも大きく、受光面212と対向する部分の面積が、受光面212の面積よりも小さくなるように、外形の大きさが設定されている。
一方、第2導光路211は、両端にθ=45度の斜面を有し、一端の斜面が従発光部208上に位置し、他端の斜面が受光面213上に位置するように配置され、接着剤によって固定されている。
また、第2導光路211は、従発光部208と対向する部分の面積が、従発光部208の面積よりも大きく、受光面213と対向する部分の面積が、受光面213の面積よりも小さくなるように、外形の大きさが設定されている。
ここで、第1発光部205、第1導光路209、及び第1受光部214によって、第1アレイ(A)が形成され、第2発光部207、第2導光路211、及び第2受光部215によって、第2アレイ(B)が形成されている。
第1アレイA及び第2アレイBにより、複数の信号光が同時に送信される。
次に、本発明の第7実施形態の作用について説明する。
図11に示すように、まず、開始時の駆動電流が制御回路15(図1参照)に設定され、制御回路15内部の駆動回路74から2系統の駆動電流が出力される。
2系統の駆動電流の一方は、第1アレイAの共通電極198に流入し、第1発光部205の主発光部202及び従発光部204から、それぞれ信号光SL、モニタ光MLを出射する。
従発光部204から出射されたモニタ光MLは、導光路209内部を伝播し、第1受光部214の受光面212に入射される。
受光面212に入射された光の光量は、電流に変換され、出力電極218からワイヤ231及び配線42を介して制御回路15の入力端子19に電流値I1として入力される。
続いて、制御回路15は、入力端子19に入力された電流値I1が、予め設定された電流値I2となるように駆動回路74にフィードバック制御を行い、駆動電圧を出力端子17から出力する。
以上の工程が繰り返されることにより、第1発光部205の信号光SLの光量が制御され、信号光SLの発光が安定する。
2系統の駆動電流の他方は、第2アレイBの共通電極201に流入し、第2発光部207の主発光部206及び従発光部208から、それぞれ信号光SL、モニタ光MLを出射する。
従発光部208から出射されたモニタ光MLは、導光路211内部を伝播し、第2受光部215の受光面213に入射される。
受光面213に入射された光の光量は、電流に変換され、出力電極219からワイヤ235及び配線43を介して制御回路15の入力端子19と異なる入力端子に電流値I3として入力される。
続いて、制御回路15は、電流値I3が、予め設定された電流値I4となるように駆動回路74にフィードバック制御を行い、駆動電圧を出力端子17と異なる出力端子から出力する。
以上の工程が繰り返されることにより、第2発光部207の信号光SLの光量が制御され、信号光SLの発光が安定する。
このようにして、第1アレイA及び第2アレイBによる複数の信号光SLの光量制御がそれぞれ行われる。
本発明の光送信モジュールの第8実施形態を図面に基づき説明する。
なお、前述した第1〜第7実施形態と基本的に同一の部品には、同一の符号を付与してその説明を省略する。
図12a及び図12bに示すように、光送信モジュール230は、発光素子196、197、受光素子36、導光路232を備えている。
導光路232は、両端に45度の斜面234、236を有し、一端の斜面が従発光部204及び従発光部208上に位置し、他端の斜面が受光面38上に位置するように配置され、接着剤によって固定されている。
次に、本発明の第8実施形態の作用について説明する。
図12a及び図12bに示すように、まず、開始時の駆動電流が制御回路15(図1参照)に設定され、制御回路15内部の駆動回路74から2系統の駆動電流が出力される。
2系統の駆動電流の一方は、共通電極198に流入し、第1発光部205の主発光部202及び従発光部204から、それぞれ信号光SL、モニタ光MLを出射する。
2系統の駆動電流の他方は、共通電極201に流入し、第2発光部207の主発光部206及び従発光部208から、それぞれ信号光SL、モニタ光MLを出射する。
第1発光部205から出射されたモニタ光MLと、第2発光部207から出射されたモニタ光MLは、導光路232内部をそれぞれ伝播し、受光面38に入射される。
受光面38に入射された光の光量は、電流に変換され、出力電極40から配線42を介して制御回路15の入力端子19に電流値として入力される。
続いて、制御回路15は、入力端子19に入力された電流値が、予め設定された電流値となるように駆動回路74にフィードバック制御を行い、駆動電流を出力端子17、及び出力端子17と異なる出力端子から出力する。
以上の工程が繰り返されることにより、第1発光部205及び第2発光部207の信号光SLの光量が、平均化されたモニタ光MLによって制御され、信号光SLの発光が安定する。
なお、本発明は上記の実施形態に限定されない。
発光素子における信号光及びモニタ光の発振波長は、780nmや850nm以外の波長であってもよい。
主発光部、従発光部は、マルチモード、シングルモードいずれを用いてもよい。
受光素子の受光面は、複数分割されたものであってもよい。
導光路の固定は、従発光部や受光素子上で接着固定されていてもよく、従発光部と受光素子の間で接着固定されていても構わない。
導光路の斜面の角度θは、受光面の角度に合わせて45度以外の角度を設定してもよい。
導光路の斜面には、蒸着などによる金属反射膜を設けてもよい。
(a)本発明の第1実施形態に係る光送信モジュールの平面図である。(b)本発明の第1実施形態に係る光送信モジュールの断面図である。 本発明の第1実施形態に係る発光素子の断面図である。 本発明の第1実施形態に係る光送信モジュールの部分回路図である。 発光素子の駆動電圧と発光光量の関係を示すグラフである。 (a)本発明におけるマルチモード発光の光強度分布を示すグラフである。(b)本発明におけるシングルモード発光の光強度分布を示すグラフである。 (a)本発明の第2実施形態に係る光送信モジュールの平面図である。(b)本発明の第2実施形態に係る光送信モジュールの断面図である。(c)本発明の第2実施形態に係る光送信モジュールの部分回路図である。 (a)本発明の第3実施形態に係る光送信モジュールの平面図である。(b)本発明の第3実施形態に係る光送信モジュールの断面図である。 (a)本発明の第4実施形態に係る光送信モジュールの平面図である。(b)本発明の第4実施形態に係る光送信モジュールの断面図である。 (a)本発明の第5実施形態に係る光送信モジュールの断面図である。(b)本発明の第5実施形態に係る発光素子の断面図である。 (a)本発明の第6実施形態に係る光送信モジュールの平面図である。(b)本発明の第6実施形態に係る光送信モジュールの断面図である。(c)本発明の第6実施形態に係る光送信モジュールの部分断面図である。 (a)本発明の第7実施形態に係る光送信モジュールの平面図である。(b)本発明の第7実施形態に係る光送信モジュールの断面図である。 (a)本発明の第8実施形態に係る光送信モジュールの平面図である。(b)本発明の第8実施形態に係る光送信モジュールの断面図である。
符号の説明
10 光送信モジュール(光送信モジュール)
15 制御回路(制御回路)
16 発光素子(発光素子)
20 共通電極(電極)
22 主発光部(主発光部)
24 従発光部(従発光部)
26 開口部(光量絞り手段、アパーチャ)
28 開口部(光量絞り手段、アパーチャ)
29 チップ抵抗(抵抗素子)
32 反射ミラー(反射面)
36 受光素子(受光素子)
38 受光面(受光部)
74 駆動回路(駆動素子)
92 インピーダンス素子(インピーダンス素子)
98 波長選択フィルタ板(波長選択フィルタ)
176 導光路(導光路)
178 クラッド部(クラッド部)
180 コア部(コア部)
182 接着剤(接着剤)

Claims (17)

  1. 共通の電極を介して駆動素子により駆動される主発光部及び従発光部を有し、前記主発光部が光送信の信号光を発光し、前記従発光部が前記信号光の光量制御に用いられる発光光を発光する発光素子と、
    前記従発光部からの発光光を受光する受光部を有し、前記従発光部からの発光光量を検出する受光素子と、
    前記受光素子で検出された前記従発光部からの発光光量に基づいて前記駆動素子を制御し、前記主発光部の発光光量を制御する制御回路と、
    を備えたことを特徴とする光送信モジュール。
  2. 前記発光素子が面発光型レーザであることを特徴とする請求項1に記載の光送信モジュール。
  3. 前記従発光部の発光光量を前記主発光部の発光光量より小さくする光量制御手段を設けたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の光送信モジュール。
  4. 前記光量制御手段が、前記主発光部及び前記従発光部に設けられ発光光量を制御するアパーチャであり、前記従発光部のアパーチャ径が、前記主発光部のアパーチャ径より小さいことを特徴とする請求項3に記載の光送信モジュール。
  5. 前記光量制御手段が、前記電極と前記従発光部との間に設けた抵抗素子であることを特徴とする請求項3に記載の光送信モジュール。
  6. 前記光量制御手段が、前記主発光部と前記従発光部の発光部の数の大小であり、前記主発光部の数を従発光部の数より多くしたことを特徴とする請求項3に記載の光送信モジュール。
  7. 前記従発光部における発光が、単峰性の放射パターンであることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の光送信モジュール。
  8. 前記主発光部の発光光の発振波長と、前記従発光部の発光光の発振波長とが異なる波長となるように前記主発光部及び前記従発光部を構成し、前記主発光部の発光光を透過し前記従発光部の発光光を前記受光素子へ反射する波長選択フィルタを備えたことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の光送信モジュール。
  9. 前記電極において、前記駆動素子に近い側に前記主発光部が設けられ、前記駆動素子から遠い側に前記従発光部が設けられていることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の光送信モジュール。
  10. 前記電極において、主発光部と従発光部との間にインピーダンス素子を設けたことを特徴とする請求項9に記載の光送信モジュール。
  11. 前記従発光部からの発光光を前記受光素子に入射させる導光路を設けたことを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の光送信モジュール。
  12. 前記導光路の前記従発光部と対向する面の面積が、前記従発光部の面積よりも大きく、前記導波路の前記受光素子と対向する面の面積が、前記受光素子の面積より小さいことを特徴とする請求項11に記載の光送信モジュール。
  13. 前記従発光部の発光面の位置と前記受光素子の受光面の位置とが同じ高さ位置となるように配置されており、前記導光路が、両端に角度45度の反射面を有することを特徴とする請求項11又は請求項12に記載の光送信モジュール。
  14. 前記導光路は、前記従発光部からの発光光が進行するコア部と、前記コア部よりも屈折率の低いクラッド部とで構成され、少なくとも前記従発光部及び前記受光素子と対向する前記導光路の面にはクラッド部が配置され、前記クラッド部が、前記クラッド部の屈折率より高い屈折率を有する接着剤によって、前記従発光部及び前記受光素子に接着されたことを特徴とする請求項11から請求項13のいずれか1項に記載の光送信モジュール。
  15. 前記主発光部、前記従発光部、及び前記従発光部に対応する前記受光部を、それぞれ複数設けたことを特徴とする請求項1から請求項14のいずれか1項に記載の光送信モジュール。
  16. 前記従発光部と前記受光素子をそれぞれ導光路で光結合させたことを特徴とする請求項15に記載の光送信モジュール。
  17. 前記発光素子を複数設け、複数の前記発光素子の前記従発光部からの発光光を1つの前記受光素子で受光することを特徴とする請求項1から請求項14のいずれか1項に記載の光送信モジュール。
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