WO2023176308A1 - 発光装置、測距装置及び車載装置 - Google Patents

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    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]

Definitions

  • a unit structure is formed by multiple luminescent units,
  • the luminous unit is a first structure including a first multilayer reflector; a second structure including a second multilayer reflector; an active layer disposed between the first structure and the second structure; has a first electrode electrically connected between first structures of different light emitting units; a second electrode electrically connected between second structures of different light emitting units; has The combination of the first electrode and the second electrode connected to the predetermined light emitting unit in the predetermined unit structure is one; It is a light emitting device.
  • the present disclosure may be a distance measuring device having the above-described light emitting device. Further, the present disclosure may be an in-vehicle device having the distance measuring device described above.
  • the surface emitting laser according to the present embodiment is a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL).
  • a surface emitting laser 10 (one surface emitting laser) corresponds to an example of a light emitting unit.
  • a surface emitting laser array is formed by a plurality of surface emitting lasers.
  • a light emitting device according to the present disclosure includes one or more surface emitting lasers.
  • a light emitting section is configured including the first and second structures S1 and S2 and the active layer 104.
  • the surface emitting laser 10 emits laser light from the back surface (lower surface) side of the substrate 100, for example. That is, the surface emitting laser 10 is, for example, a back emission type VCSEL.
  • the active layer 104 has, for example, a quantum well structure including a barrier layer and a quantum well layer made of an AlGaAs-based compound semiconductor.
  • This quantum well structure may be a single quantum well structure (QW structure) or a multiple quantum well structure (MQW structure).
  • QW structure single quantum well structure
  • MQW structure multiple quantum well structure
  • the active layer 104 may have a plurality of QW structures or a plurality of MQW structures stacked via tunnel junctions.
  • the second cladding layer 105 is made of, for example, a first conductivity type (for example, n-type) AlGaAs-based compound semiconductor.
  • the light emitting device 1000 includes, for example, four surface emitting lasers 10 arranged in the X direction (horizontal direction), which is an example of a first direction, and a second direction, which is an example of a second direction orthogonal to the first direction.
  • the number of surface emitting lasers 10 arranged is not limited to 16, and may be any other number.
  • the arrangement mode of the surface emitting laser 10 is not limited to a matrix shape, but may be a honeycomb shape or the like.
  • Each surface emitting laser 10 is insulated by a high resistance region 21.
  • the second plating metal is composed of, for example, an Au layer.
  • the thickness of the Au layer is, for example, 1000 nm to 5000 nm.
  • the second plating metal may not be provided as long as it is possible to prevent the second pad metal from breaking and reduce the resistance by, for example, forming the second pad metal thickly, or it may be omitted with other configurations. There may be.
  • FIG. 8 is a plan view of a light emitting device according to Modification Example 3, and FIG. 9 shows a cross section of the light emitting device taken along cutting line CC-CC in FIG.
  • the first electrode e1 is connected to the top of the mesa M. Further, regarding the mesa M to which the first electrode e1 is connected, an insulating film 41 is formed except for the portion to which the first electrode e1 is connected.
  • the second electrode e2 is connected to the contact layer 101.
  • An insulating layer 42 is formed between the mesa M and the second electrode e2.
  • An insulating material 31 is provided between each mesa M. Current confinement is achieved by the insulating material 31. In this way, the current confinement structure does not need to be an ion implantation structure, and may be a current confinement structure provided by forming a mesa, for example, as shown in FIGS. 8 and 9.
  • the laminated electrode structure of the first electrode e1 and the second electrode e2 does not need to include all of the contact metal, pad metal, and plating metal.
  • a structure without plated metal may be used.
  • metal of other materials including Cu or the like may be laminated on the plated metal.
  • the output device When the output device is a display device, the display device displays results obtained from various processes performed by the microcomputer 7610 or information received from other control units in various formats such as text, images, tables, graphs, etc. Show it visually. Further, when the output device is an audio output device, the audio output device converts an audio signal consisting of reproduced audio data or acoustic data into an analog signal and audibly outputs the analog signal.

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Abstract

例えば、発光部の有効発光面積を極力、大きくする。　複数の発光単位により単位構造が形成され、発光単位は、第１多層膜反射鏡を含む第１構造と、第２多層膜反射鏡を含む第２構造と、第１構造及び第２構造の間に配置された活性層と、を有し、異なる発光単位の第１構造間に対して電気的に接続される第１電極と、異なる発光単位の第２構造間に対して電気的に接続される第２電極と、を有し、所定の単位構造における所定の発光単位に接続される第１電極及び第２電極の組み合わせが１つである、発光装置である。

Description

発光装置、測距装置及び車載装置
　本開示は、発光装置、測距装置及び車載装置に関する。
　下記の特許文献１及び特許文献２は、複数の面発光レーザ素子が２次元的に配置され、各面発光レーザ素子に接続される２つの配線が同一基板上に形成されたレーザアレイチップを開示する。また、特許文献３は、一方の極性の接点について複数の素子で共用することで素子の集積度を向上させる技術を開示する。
特開２０００－１２９７３号公報 特開２０００－２２２７４号公報 特開２０２１－４８２０８号公報
　この分野では、発光部の有効発光面積を極力、大きくすることが望まれる。
　本開示は、発光部の有効発光面積を極力、大きくすることができる発光装置、測距装置及び車載装置を提供することを目的の一つとする。
　本開示は、例えば、
　複数の発光単位により単位構造が形成され、
　発光単位は、
　第１多層膜反射鏡を含む第１構造と、
　第２多層膜反射鏡を含む第２構造と、
　第１構造及び第２構造の間に配置された活性層と、
　を有し、
　異なる発光単位の第１構造間に対して電気的に接続される第１電極と、
　異なる発光単位の第２構造間に対して電気的に接続される第２電極と、
　を有し、
　所定の単位構造における所定の発光単位に接続される第１電極及び第２電極の組み合わせが１つである、
　発光装置である。
　本開示は、上述した発光装置を有する測距装置であってもよい。
　また、本開示は、上述した測距装置を有する車載装置であってもよい。
一実施形態に係る面発光レーザの構成例を示す図である。 一実施形態に係る発光装置の構成例についての説明がなされる際に参照される図である。 一実施形態に係る発光装置の構成例についての説明がなされる際に参照される図である。 一実施形態により得られる係る効果についての説明がなされる際に参照される図である。 一実施形態により得られる係る効果についての説明がなされる際に参照される図である。 変形例を説明するための図である。 変形例を説明するための図である。 変形例を説明するための図である。 変形例を説明するための図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
　以下、本開示の実施形態等について図面を参照しながら説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
＜一実施形態＞
＜変形例＞
＜応用例＞
　以下に説明する実施形態等は本開示の好適な具体例であり、本開示の内容がこれらの実施形態等に限定されるものではない。なお、以下の説明において、実質的に同一の機能構成を有するものについては同一の符号を付し、重複説明を適宜省略する。また、図示が煩雑になることを防止するために、一部の構成のみに参照符号を付す場合や、図示を簡略化したり、拡大／縮小する場合もある。また、説明の便宜上、左右上下等の方向を規定するが、本開示の内容が係る方向に限定されるものではない。
＜一実施形態＞
［面発光レーザについて］
　本実施形態に係る面発光レーザ（以下、面発光レーザ１０と適宜、称する。）は、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)）である。面発光レーザ１０（１つの面発光レーザ）が、発光単位の一例に対応している。複数の面発光レーザにより面発光レーザアレイが形成される。本開示に係る発光装置は、１又は複数の面発光レーザを有している。
　図１は、一実施形態に係る面発光レーザ１０の断面構成例を示す図である。面発光レーザ１０は、図１に示すように、第１基板の一例である基板１００と、第１多層膜反射鏡１０２を含む第１構造Ｓ１と、第２多層膜反射鏡１０７を含む第２構造Ｓ２と、第１及び第２構造Ｓ１、Ｓ２の間に配置された活性層１０４と、を備える。面発光レーザ１０に対して、第１電極及び第２電極が電気的に接続される（詳細は後述する。）。面発光レーザ１０は、例えばレーザドライバ（不図示）により駆動される。基板１００は、例えば、第２多層膜反射鏡１０７の活性層１０４側とは反対側に配置される。
　第１構造Ｓ１は、第１多層膜反射鏡１０２と活性層１０４との間に配置された第１クラッド層１０３を備える。第１クラッド層１０３内には、酸化狭窄層１０６が設けられている。
　第２構造Ｓ２は、さらに、基板１００と第２多層膜反射鏡１０７との間に配置されたコンタクト層１０１と、第２多層膜反射鏡１０７と活性層１０４との間に配置された第２クラッド層１０５とを含む。
　第１及び第２構造Ｓ１、Ｓ２と活性層１０４とを含んで、発光部（共振器）が構成されている。
　第１構造Ｓ１の一部、第２構造Ｓ２及び活性層１０４により第１構造Ｓ１に頂部を有するメサＭが構成されている。メサＭは、一例として、第１多層膜反射鏡１０２、活性層１０４、酸化狭窄層１０６を含む第１クラッド層１０３、第２多層膜反射鏡１０７及び第２クラッド層１０５を含んで構成されている。メサＭは、例えば略円柱形状であるが、例えば略楕円柱形状、多角柱形状、円錐台形状、楕円錐台形状、多角錐台形状等の他の形状であってもよい。メサＭの高さ方向は、面発光レーザ１０の積層方向（図１における上下方向）に略一致する。メサＭの直径は、例えば１μｍ～５００μｍである。メサＭの表面（例えば、頂部の表面）とは反対側に基板１００が配置される。
　面発光レーザ１０は、一例として、基板１００の裏面（下面）側からレーザ光を出射する。すなわち、面発光レーザ１０は、一例として裏面出射型のＶＣＳＥＬである。
（基板）
　基板１００は、一例として、絶縁型の半導体基板（例えばＧａＡｓ基板）からなる。基板１００の裏面（下面）には、ＡＲコート膜として面発光レーザ１０の出射光（面発光レーザ１０の発振波長λの光）を吸収しない又はほとんど吸収しない薄膜が成膜されている。
　コンタクト層１０１は、一例として第１導電型（例えばｎ型）の半導体層（例えばＧａＡｓ層）からなる。コンタクト層１０１は、基板１００よりも不純物のドープ濃度が高く低抵抗である。
（第１多層膜反射鏡）
　第１多層膜反射鏡１０２は、一例として、半導体多層膜反射鏡である。多層膜反射鏡は、分布型ブラッグ反射鏡（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ　Ｂｒａｇｇ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）とも呼ばれる。多層膜反射鏡（分布型ブラッグ反射鏡）の一種である半導体多層膜反射鏡は、光吸収が少なく、高反射率及び導電性を有する。詳述すると、第１多層膜反射鏡１０２は、一例として、第２導電型（例えばｐ型）の半導体多層膜反射鏡であり、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の半導体層が発振波長の１／４波長の光学厚さで交互に積層された構造を有する。第１多層膜反射鏡１０２は、第２多層膜反射鏡１０７よりも反射率が僅かに高く設定されている。
（第１クラッド層）
　第１クラッド層１０３は、一例として、第２導電型（例えばｐ型）のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。
（活性層）
　活性層１０４は、一例として、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる障壁層及び量子井戸層を含む量子井戸構造を有する。この量子井戸構造は、単一量子井戸構造（ＱＷ構造）であってもよいし、多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）であってもよい。活性層１０４は、後述する、酸化狭窄層１０６の非酸化領域１０６ａ（電流通過部）に対応する領域が発光領域となる。なお、活性層１０４は、トンネルジャンクションを介して積層された複数のＱＷ構造又は複数のＭＱＷ構造を有していてもよい。
（第２クラッド層）
　第２クラッド層１０５は、一例として、第１導電型（例えばｎ型）のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。
（酸化狭窄層）
　酸化狭窄層１０６は、一例として、ＡｌＧａＡｓ系からなる非酸化領域１０６ａと、その周囲を取り囲むＡｌＧａＡｓ系の酸化物（例えばＡｌ２Ｏ３）からなる酸化領域１０６ｂとを有する。非酸化領域１０６ａが電流・光通過部として機能し、酸化領域１０６ｂが電流・光閉じ込め部として機能する。
（第２多層膜反射鏡）
　第２多層膜反射鏡１０７は、一例として、半導体多層膜反射鏡である。詳述すると、第２多層膜反射鏡１０７は、一例として、第１導電型（例えばｎ型）の半導体多層膜反射鏡であり、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の半導体層が発振波長の１／４波長の光学厚さで交互に積層された構造を有する。第２多層膜反射鏡１０７の各屈折率層は、第１導電型（例えばｎ型）のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。
［発光装置］
　次に、図２及び図３を参照しつつ、上述した面発光レーザ１０を複数、有する発光装置（以下、発光装置１０００と適宜、称する。）について説明する。図２は、発光装置１０００を平面視した図であり、図３は、図２における切断線ＡＡ－ＡＡで発光装置１０００を切断した場合の断面を示す断面図である。
　図２に示すように、発光装置１０００は、例えば、第１方向の一例であるＸ方向（水平方向）に４個の面発光レーザ１０が配置され、第１方向と直交する第２方向の一例であるＹ方向（垂直方向）に４個の面発光レーザ１０が配置された構成を含む。もちろん、面発光レーザ１０の配置数は１６個に限定されることはなく他の個数であってもよい。また、面発光レーザ１０の配置態様は、マトリクス状に限定されることはなくハニカム状等であってもよい。各面発光レーザ１０間は、高抵抗領域部２１によって絶縁されている。
　発光装置１０００は、複数の発光単位により形成される単位構造を有している。図２に示すように、例えば、Ｘ方向に配置される２個の面発光レーザ１０と、Ｙ方向に配置される２個の面発光レーザ１０とにより単位構造ＵＡが形成される。具体的には、面発光レーザ１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄにより単位構造ＵＡが形成される。図２では、単位構造ＵＡの箇所が点で囲まれている。なお、単位構造ＵＡは、本実施形態では概念的なものであるが、物理的に検出可能な枠状のものであってもよい。また、図２では１個の単位構造ＵＡのみが示されているが、実際には、発光装置１０００は、複数の単位構造ＵＡを有している。
　面発光レーザ１０に対して第１及び第２電極ｅ１、ｅ２が電気的に接続される。第１電極ｅ１は、アノード電極として機能し、例えばレーザドライバの陽極（正極）に電気的に接続される。第２電極ｅ２は、カソード電極として機能し、例えばレーザドライバの陰極（負極）に電気的に接続される。
　図３に示すように、第１電極ｅ１（例えば、第１電極ｅ１Ｄ）は、一部が第１構造Ｓ１（例えば、第１構造Ｓ１の頂部の表面）と接続されている。例えば、第１電極ｅ１の一部は、第１構造Ｓ１のメサＭの周辺に露出する面に接している。また、第１電極ｅ１は、第２構造Ｓ２、基板１００及びコンタクト層１０１とは高抵抗領域部２１により絶縁されている。
　第１電極ｅ１は、一例として、第１コンタクトメタル、第１パッドメタル及び第１メッキメタルがこの順に積層された積層構造（例えば３層構造）を有する。なお、これらの構成の図示は省略している。
　第１コンタクトメタルは、例えばＴｉ層、Ｐｔ層及びＡｕ層が基板１００若しくはコンタクト層１０１に近い側からこの順に積層された構成を有している。Ｔｉ層の厚さは例えば２ｎｍ～１００ｎｍである。Ｐｔ層の厚さは例えば２ｎｍ～３００ｎｍである。Ａｕ層の厚さは例えば１００ｎｍ～５００ｎｍである。なお、第１コンタクトメタルは、例えば第１構造Ｓ１と電気的に接続されていればよく、上述した層構造に限定されるものではない。
　第１パッドメタルは、例えばＴｉ層、Ｐｔ層及びＡｕ層が第１コンタクトメタル側に近い側からの順に積層された積層構造（例えば３層構造）を有する。Ｔｉ層の厚さは例えば２ｎｍ～１００ｎｍである。Ｐｔ層の厚さは例えば２ｎｍ～３００ｎｍである。Ａｕ層の厚さは例えば１００ｎｍ～１０００ｎｍである。なお、第１パッドメタルの構成は、上述した層構造以外であってもよい。
　第１メッキメタルは、例えばＡｕ層で構成される。Ａｕ層の厚さは、例えば１０００ｎｍ～５０００ｎｍである。第１メッキメタルは、例えば第１パッドメタルを厚く形成することにより第１パッドメタルの断切れを防止でき、且つ、低抵抗化できるのであれば設けられていなくてもよいし、他の構成であってもよい。
　第２電極ｅ２（例えば、第２電極ｅ２Ａ）は、例えばトレンチ構造によってコンタクト層１０１と接続されている。第２電極ｅ２は、高抵抗領域部２１により第１構造Ｓ１と絶縁されている。また、第２電極ｅ２とメサＭの頂部（第１構造Ｓ１の頂部）との間には絶縁部（絶縁層）２２が設けられており、両者は当該絶縁部２２により絶縁されている。なお、第１電極ｅ１及び第２電極ｅ２の径は、メサＭの径よりも１～４００μｍほど小さいサイズである。
　第２コンタクトメタルは、例えばＴｉ層、Ｐｔ層及びＡｕ層が基板１００若しくはコンタクト層１０１に近い側からこの順に積層された構成を有している。Ｔｉ層の厚さは例えば２ｎｍ～１００ｎｍである。Ｐｔ層の厚さは例えば２ｎｍ～３００ｎｍである。Ａｕ層の厚さは例えば１００ｎｍ～５００ｎｍである。なお、第２コンタクトメタルは、例えばコンタクト層１０１と接続されていればよく、上述した層構造に限定されるものではない。
　第２パッドメタルは、例えばＴｉ層、Ｐｔ層及びＡｕ層が第２コンタクトメタル側に近い側からの順に積層された積層構造（例えば３層構造）を有する。Ｔｉ層の厚さは例えば２ｎｍ～１００ｎｍである。Ｐｔ層の厚さは例えば２ｎｍ～３００ｎｍである。Ａｕ層の厚さは例えば１００ｎｍ～１０００ｎｍである。なお、第２パッドメタルの構成は、上述した層構造以外であってもよい。
　第２メッキメタルは、例えばＡｕ層で構成される。Ａｕ層の厚さは、例えば１０００ｎｍ～５０００ｎｍである。第２メッキメタルは、例えば第２パッドメタルを厚く形成することにより第２パッドメタルの断切れを防止でき、且つ、低抵抗化できるのであれば設けられていなくてもよいし、他の構成であってもよい。
　絶縁部２２は、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等からなる絶縁膜である。絶縁部２２の膜厚は、例えば１０～３００ｎｍである。
　効率よく発光装置１０００を発振させるためには、電流狭窄構造が必要となるが、本実施形態では例えばイオン注入により高抵抗領域部２１を形成している。但し、電流狭窄ができるのであれば方法はこれに限らない。電流狭窄の方法としては例えばＧａ空孔拡散によりアパーチャ径箇所とその外部にバンドギャップエネルギー差を設けてキャリアを閉じ込めるＱＷＩや埋め込みＴＪが挙げられる。光狭窄の方法としては段差を設けてアパーチャ部の実効的な屈折率を上げる方法が挙げられる。光電流狭窄の方法としてはＤＢＲまたはクラッド層のいずれかの層にＡｌＯｘ層（酸化狭窄層）を備える方法が挙げられる。
　図３に示すように、発光装置１０００の上面（図２の紙面に向かって手前側）には、第２基板２００が配置される。第２基板２００には、第１配線部２０１及び第２配線部２０２が配置されている。第１配線部２０１は、第１電極ｅ１と電気的に接続される。第２配線部２０２は、第２電極ｅ２と電気的に接続される。図３に示す例では、第１配線部２０１Ｂが第１電極ｅ１Ｂに接続され、第１配線部２０１Ｄが第１電極ｅ１Ｄに接続される。また、第２配線部２０２Ａが第２電極ｅ２Ａに接続される。第１配線部２０１を介して第１電極ｅ１に、第２配線部２０２を介して第２電極ｅ２にそれぞれ電流が注入される。
　図２及び図３に示すように、端部ではない内側に配置される第１電極ｅ１（例えば、第１電極ｅ１Ａ，第１電極ｅ１Ｂ，第１電極ｅ１Ｃ，第１電極ｅ１Ｄ）は、異なる面発光レーザ１０の第１構造Ｓ１間に対して電気的に接続される。また、第２電極ｅ２（例えば、第２電極ｅ２Ａ）は、異なる面発光レーザ１０のコンタクト層１０１（第２構造Ｓ２）間に対して電気的に接続される。そして、所定の単位構造における所定の面発光レーザ１０に接続される第１電極ｅ１及び第２電極ｅ２の組み合わせは１つである。
　例えば、所定の単位構造ＵＡについてみると、単位構造ＵＡは、４個の面発光レーザ１０Ａ～１０Ｄを含む。単位構造ＵＡの外縁は、略矩形を成す。単位構造ＵＡの略中央付近に第２電極ｅ２Ａが配置される。単位構造ＵＡに含まれる各第１電極ｅ１は、第２電極ｅ２Ａを取り囲むように配置される。例えば、４個の第１電極ｅ１Ａ～第１電極ｅ１Ｄが、第２電極ｅ２Ａの周囲の４か所（単位構造ＵＡのコーナー付近）に配置される。
　図２に示すように、第１電極ｅ１が電気的に接続される面発光レーザ１０は、異なる単位構造における面発光レーザ１０となっている。例えば、第１電極ｅ１Ａは、単位構造ＵＡ内の面発光レーザ１０Ａに対して電気的に接続されており、且つ、単位構造ＵＡ外に位置し、他の単位構造を形成し得る面発光レーザ１０に対しても電気的に接続される。一方、第２電極ｅ２Ａは、単位構造ＵＡ内の全ての面発光レーザ１０（面発光レーザ１０Ａ～１０Ｄ）に対して電気的に接続される。また、本実施形態では、単位構造ＵＡにおける第２電極ｅ２の個数は１個である。
　係る構成によって、所定の単位構造における所定の面発光レーザ１０に接続される第１電極ｅ１及び第２電極ｅ２の組み合わせは１つになる。例えば、単位構造ＵＡにおける面発光レーザ１０Ａに接続される第１電極及び第２電極の組み合わせは、第１電極ｅ１Ａと第２電極ｅ２Ａとの１つになる。また、単位構造ＵＡにおける面発光レーザ１０Ｂに接続される第１電極及び第２電極の組み合わせは、第１電極ｅ１Ｂと第２電極ｅ２Ａとの１つになる。また、単位構造ＵＡにおける面発光レーザ１０Ｃに接続される第１電極及び第２電極の組み合わせは、第１電極ｅ１Ｃと第２電極ｅ２Ａとの１つになる。また、単位構造ＵＡにおける面発光レーザ１０Ｄに接続される第１電極及び第２電極の組み合わせは、第１電極ｅ１Ｄと第２電極ｅ２Ａとの１つになる。
［発光装置の動作］
　次に、発光装置１０００の動作例について説明する。例えばレーザドライバの陽極側から供給され第１電極ｅ１（アノード電極）から流入した電流は、第１多層膜反射鏡１０２を経て酸化狭窄層１０６で狭窄されて活性層１０４に注入される。このとき、活性層１０４が発光し、その光が第１及び第２多層膜反射鏡１０２、１０７の間を活性層１０４で増幅され且つ酸化狭窄層１０６で閉じ込められつつ往復し、発振条件を満たしたときに、基板１００の裏面からレーザ光として射出される。活性層１０４を経た電流は、第２クラッド層１０５、第２多層膜反射鏡１０７を介して第２電極ｅ２（カソード電極）へ至り、第２電極ｅ２から例えばレーザドライバの陰極側へ流出される。
［発光装置の製造方法例］
　次に、発光装置１０００の製造方法例について説明する。ここでは、一例として、半導体製造装置を用いた半導体製造方法により、基板１００の基材である１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ１０を同時に生成する。次いで、一連一体の複数の面発光レーザ１０を互いに分離して、チップ状の複数の面発光レーザ１０を得る。
　まず、ＧａＡｓからなる基板１００を用意する。次に、この基板１００の表面に、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属化学気相成長）法により、例えば、基板１００から順にコンタクト層１０１、第２多層膜反射鏡１０７、第２クラッド層１０５、活性層１０４、第１クラッド層１０３、第１多層膜反射鏡１０２を、例えば成長温度６０５℃でエピタキシャル成長させる。
　なお、ＭＯＣＶＤを行う際、ガリウムの原料ガスとしては、例えばトリメチルガリウム（（ＣＨ３）３Ｇａ）、アルミニウムの原料ガスとしては、例えばトリメチルアルミニウム（（ＣＨ３）３Ａｌ）、インジウムの原料ガスとしては、例えばトリメチルインジウム（（ＣＨ３）３Ｉｎ）、Ａｓの原料ガスとしては、例えばトリメチルヒ素（（ＣＨ３）３Ａｓ）をそれぞれ用いる。また、ケイ素の原料ガスとしては、例えばモノシラン（ＳｉＨ４）を用い、炭素の原料ガスとしては、例えば、四臭化炭素（ＣＢｒ４）を用いる。
　次に、第１多層膜反射鏡１０２上にレジストコート膜を形成し、イオン注入法によって高抵抗領域部２１を形成する。その際、注入深さは例えばコンタクト層１０１の下までとする。その後レジストコート膜を除去する。
　次に、第１多層膜反射鏡１０２上にレジストコート膜を形成し、ドライエッチング法、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって高抵抗領域部２１にトレンチ構造を形成する。その際、エッチングの深さは例えばコンタクト層１０１の層中までとする。その後レジストコート膜を除去する。
　次に、発光領域上部にｐコンタクトメタルを例えばリフトオフ法を用いて形成する。このときコンタクトメタルサイズは発光領域サイズよりも１～３００μｍほど短い。コンタクトメタルは真空蒸着法やスパッタ法により形成する。
　次に絶縁膜を、例えば真空蒸着法やスパッタ法を用い、表面上に形成する。続いて、例えばＲＩＥ法やフッ化水素を含む溶液により、コンタクトメタル上とコンタクト層１０１の一部にある絶縁膜をエッチングによって除去する。
　次に、コンタクト層１０１上およびトレンチ側壁にコンタクトメタルを形成する。コンタクトメタルは真空蒸着法やスパッタ法により形成する。次に、コンタクト層上のコンタクトメタル上に、例えばリフトオフ法により、パッドメタルを形成する。パッドメタルは真空蒸着法やスパッタ法により形成する。続いてパッドメタル上にメッキメタルを形成する。メッキメタルはパッドメタル上に形成される。
　以上のプロセスにより発光装置１０００が作製される。
［本実施形態により得られる効果］
　本実施形態により得られる効果の一例について説明する。
　図４は、従来における発光装置を平面視した図であり、図５は、図４における切断線ＢＢ－ＢＢで当該発光装置を切断した場合における発光装置の断面構成例を示した図である。従来は、所定の発光単位（例えば、面発光レーザ１０）毎に配線領域（第１電極ｅ１及び第２電極ｅ２）を設ける必要があり、素子全体に対する発光面積の割合が低下してしまう問題があった。しかしながら、本実施形態によれば、第１電極ｅ１及び第２電極ｅ２のそれぞれを複数の発光単位で共通とすることで、発光面積の低下を極力、抑制でき、有効発光面積を極力、大きくできる。また、発光単位（本実施形態における面発光レーザ１０）の周面に第１電極ｅ１及び第２電極ｅ２を形成する必要がない。すなわち、電極の共通化と相まってサイズの一層の小型化が実現可能となる。
　また、第１電極ｅ１及び第２電極ｅ２を、面発光レーザ１０近傍に配置できるため、ワイヤボンディングによる接続に比べて低インピーダンス化を実現できる。
　また、第１電極ｅ１及び第２電極ｅ２間の間隔を確保できるため、高度な実装技術を用いなくても発光装置を製造できる。
　さらに、本実施形態によれば、発光単位での個別駆動が可能となる。一般に、電極を共通化してしまうと、当該電極に接続される全ての発光領域が発光することにより個別駆動が困難となる。本実施形態によれば、例えば、図２において、第１電極ｅ１Ａ及び第２電極ｅ２Ａ間に電流を注入することで、同じ単位構造ＵＡ内の面発光レーザ１０Ｂ～１０Ｄや他の面発光レーザ１０が発光することなく、面発光レーザ１０Ａのみを発光させることができる。すなわち、個別駆動が可能となる。
　発光単位の個別駆動が可能となることで、高い電流密度を実現できるので、レーザ強度を向上させることができる。例えば、発光装置が測距装置に適用された場合には、測距方式によっては受光側でどの発光単位から出射されたレーザ光の反射光であるかを区別できないため、発光させる発光単位を時分割で変化させる必要がある。この場合、本実施形態によれば、発光単位の個別駆動ができ、さらに、レーザ強度を向上できるので、発光する発光単位を時分割に変化させることができ、且つ、近距離はもとより遠距離の測距対象物にもレーザ光を照射できる。すなわち、測距のダイナミックレンジを大きくすることができ、測距装置の性能を向上させることができる。
＜変形例＞
　以上、本開示の一実施形態について具体的に説明したが、本開示の内容は上述した実施形態に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
［変形例１］
　発光単位を平面視した形状は、矩形状に限らず、円形状や三角形状等の他の形状であってもよい。また、単位構造は、多角形状に配置された発光単位を含むものであってもよい。例えば、図６に示すように、単位構造ＵＡが、平面視が三角形状の発光単位を６個含む構成を有していてもよい。係る構成の場合、単位構造ＵＡの外縁は、多角形状（例えば、６角形状）を成す。各発光単位の中央寄りの頂点に対して、第２電極ｅ２が配置され接続されている。第２電極ｅ２の周囲を囲むように、６個の第１電極ｅ１（第１電極ｅ１Ａ～ｅ１Ｆ）が配置されており、それぞれの第１電極ｅ１は対応する発光単位に接続される。図６に示す構成によっても、一実施形態と同様の効果が得られる。
［変形例２］
　一実施形態では、１個の発光単位の個別駆動について説明したが、複数の発光単位からなる組毎の個別駆動であってもよい。図７は、本変形例に係る発光装置の平面図である。本変形例に係る単位構造ＵＡは、Ｘ方向に配置される２個の面発光レーザ１０及びＹ方向に配置される６個の面発光レーザ１０の計、１２個の面発光レーザ１０を有している。
　第１電極ｅ１は、例えば、帯状の形状を有し、Ｙ方向に延在する６個の面発光レーザ１０のうちの所定の面発光レーザ１０に対して電気的に接続される。より具体的には、第１電極ｅ１は、第１電極ｅ１の延在方向に沿って配置される複数の面発光レーザ１０のうち、１個おきの面発光レーザ１０（本例では、３個の面発光レーザ１０）に接続される。例えば、第１電極ｅ１Ａは、図７における最も左側の列に配置される６個の面発光レーザ１０のうち、Ｙ方向奥側から１個目、３個目、５個目の面発光レーザ１０に対して電気的に接続される（図７では帯状の形状からＸ方向に突出する凸部が電気的に接続されていることを示している。）。第１電極ｅ１Ｂは、図７における最も左側の列に配置される６個の面発光レーザ１０のうち、Ｙ方向奥側から２個目、４個目、６個目の面発光レーザ１０に対して電気的に接続される。第１電極ｅ１Ｃは、図７における左側から２列目に配置される６個の面発光レーザ１０のうち、Ｙ方向奥側から１個目、３個目、５個目の面発光レーザ１０に対して電気的に接続される。第１電極ｅ１Ｄは、図７における左側から２列目に配置される６個の面発光レーザ１０のうち、Ｙ方向奥側から２個目、４個目、６個目の面発光レーザ１０に対して電気的に接続される。
　１６個の面発光レーザ１０が、例えば４個ごとのブロック（正方形状に配置される４個の面発光レーザ１０）に分けられ、ブロックを構成する４個の面発光レーザ１０に対して第２電極ｅ２が電気的に接続される。例えば、第２電極ｅ２ＡはＹ方向の奥側から１番目のブロックを構成する４個の面発光レーザ１０の全てに対して電気的に接続される。また、第２電極ｅ２ＢはＹ方向の奥側から２番目のブロックを構成する４個の面発光レーザ１０の全てに対して電気的に接続される。また、第２電極ｅ２ＣはＹ方向の奥側から３番目のブロックを構成する４個の面発光レーザ１０の全てに対して電気的に接続される。
　なお、第１電極ｅ１及び第２電極ｅ２は、例えば一実施形態と同様の態様で面発光レーザ１０に対して電気的に接続される。
　本変形例のように、第１電極ｅ１が電気的に接続される面発光レーザ１０が、一実施形態のように異なる単位構造における発光単位ではなく、同一の単位構造における面発光レーザ１０であってもよい。また、第１電極ｅ１が帯状の形状を有していてもよい。
［変形例３］
　図８は、変形例３に係る発光装置を平面視した図であり、図９は、図８における切断線ＣＣ－ＣＣで発光装置を切断した場合の断面を示す。第１電極ｅ１は、メサＭの頂部に接続されている。また、第１電極ｅ１が接続されるメサＭについては、第１電極ｅ１が接続される箇所を除いて絶縁膜４１が形成されている。第２電極ｅ２は、コンタクト層１０１に接続されている。メサＭと第２電極ｅ２との間には、絶縁層４２が形成されている。各メサＭ間には、絶縁材３１が設けられている。係る絶縁材３１により、電流狭窄がなされる。このように、電流狭窄構造はイオン注入構造でなくてもよく、図８及び図９に示すように、例えばメサを形成して設けた電流狭窄構造であってもよい。
［その他の変形例］
　一実施形態及び変形例に係る面発光レーザが有する基板は、例えば、ＧａＮを用いた基板やIｎＰを用いた基板などでもよい。すなわち、レーザの発振波長帯（例えば２００ｎｍ～２０００ｎｍ）に応じて適宜な材料を選択することができる。
　上述した一実施形態及び変形例において、第１多層膜反射鏡や第２多層膜反射鏡の構成材料は半導体のみでなく、例えば絶縁材料や金属で構成されたものを含むものであってもよい。
　上述した一実施形態及び変形例において、第１電極ｅ１及び第２電極ｅ２の積層電極構造はコンタクトメタル、パッドメタル、メッキメタルのすべてを含む必要はない。例えば、メッキメタルがない構造であってもよい。また、Ｃｕ等を含む他の材料のメタルがメッキメタル上に積層されていてもよい。
　上述した一実施形態及び変形例において、第１電極ｅ１や第２電極ｅ２電極は、モジュールとして形成した際にそれぞれの電極を共用された構成であれば、電極が接続される箇所は、一実施形態と反対側であってもよい。
　上述した一実施形態および変形例において、電極構造はイントラキャビティ構造であってもよい。また、上述した一実施形態において、基板１００は、ｎ型の基板であってもよい。この場合には、コンタクト層１０１と第２多層膜反射鏡１０７との間に絶縁機能を有する層が設けられてもよい。
　上述した一実施形態および変形例において、発光領域を平面視した形状は円形に限定されることなく、例えば三角形状、四角形状、楕円形状などでもよい。
　本開示は、発光装置だけでなく、発光装置を用いた測距装置、当該測距装置を有する車載装置や、方法等の形態によっても実現できる。なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
　なお、本開示は以下のような構成もとることができる。
（１）
　複数の発光単位により単位構造が形成され、
　前記発光単位は、
　第１多層膜反射鏡を含む第１構造と、
　第２多層膜反射鏡を含む第２構造と、
　前記第１構造及び前記第２構造の間に配置された活性層と、
　を有し、
　異なる前記発光単位の第１構造間に対して電気的に接続される第１電極と、
　異なる前記発光単位の第２構造間に対して電気的に接続される第２電極と、
　を有し、
　所定の前記単位構造における所定の前記発光単位に接続される前記第１電極及び前記第２電極の組み合わせが１つである、
　発光装置。
（２）
　前記単位構造において前記第１電極は前記第２電極を取り囲むように配置されている、（１）に記載の発光装置。
（３）
　前記第１電極が電気的に接続される前記発光単位は、異なる単位構造における発光単位である、（１）又は（２）に記載の発光装置。
（４）
　前記単位構造において、第１方向及び当該第１方向と直交する第２方向のそれぞれの方向に沿って複数の前記発光単位が配置されている、（３）に記載の発光装置。
（５）
　前記第１方向に沿って２個の前記発光単位が配置され、前記第２方向に沿って２個の前記発光単位が配置されている、（４）に記載の発光装置。
（６）
　前記単位構造において、複数の前記発光単位が多角形状に配置されている、（２）に記載の発光装置。
（７）
　前記第１電極が電気的に接続される前記発光単位は、同一の単位構造における発光単位である、（１）又は（２）に記載の発光装置。
（８）
　前記第１電極が帯状の形状を有する、（７）に記載の発光装置。
（９）
　前記第１電極は、当該第１電極の延在方向に沿って配置される複数の発光単位のうち、１個おきの発光単位に接続される、（８）に記載の発光装置。
（１０）
　前記第１構造の表面に前記第１電極が設けられ、前記第１構造の表面に絶縁層を介して前記第２電極が設けられている、（１）から（９）までの何れかに記載の発光装置。
（１１）
　前記表面とは反対側に配置される第１基板を有し、当該第１基板側からレーザ光が出射される、（１０）に記載の発光装置。
（１２）
　前記第１構造の表面側に配置される第２基板を有し、前記第２基板に、前記第１電極に電気的に接続される第１配線部と、前記第２電極に電気的に接続される第２配線部とが設けられている、（１０）又は（１１）に記載の発光装置。
（１３）
　前記単位構造における前記第２電極の数が１つである
　（１）から（１２）までの何れかに記載の発光装置。
（１４）
　前記第２電極が前記単位構造における全ての前記発光単位に対して電気的に接続されている
　（１３）に記載の発光装置。
（１５）
　（１）から（１４）までの何れかに記載の発光装置を有する測距装置。
（１６）
　（１５）に記載の測距装置を有する車載装置。
＜応用例＞
　本開示に係る技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット、建設機械、農業機械（トラクター）などのいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
　図１０は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システム７０００の概略的な構成例を示すブロック図である。車両制御システム７０００は、通信ネットワーク７０１０を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図１０に示した例では、車両制御システム７０００は、駆動系制御ユニット７１００、ボディ系制御ユニット７２００、バッテリ制御ユニット７３００、車外情報検出ユニット７４００、車内情報検出ユニット７５００、及び統合制御ユニット７６００を備える。これらの複数の制御ユニットを接続する通信ネットワーク７０１０は、例えば、ＣＡＮ（Controller　Area　Network）、ＬＩＮ（Local　Interconnect　Network）、ＬＡＮ（Local　Area　Network）又はＦｌｅｘＲａｙ（登録商標）等の任意の規格に準拠した車載通信ネットワークであってよい。
　各制御ユニットは、各種プログラムにしたがって演算処理を行うマイクロコンピュータと、マイクロコンピュータにより実行されるプログラム又は各種演算に用いられるパラメータ等を記憶する記憶部と、各種制御対象の装置を駆動する駆動回路とを備える。各制御ユニットは、通信ネットワーク７０１０を介して他の制御ユニットとの間で通信を行うためのネットワークＩ／Ｆを備えるとともに、車内外の装置又はセンサー等との間で、有線通信又は無線通信により通信を行うための通信Ｉ／Ｆを備える。図１０では、統合制御ユニット７６００の機能構成として、マイクロコンピュータ７６１０、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０、音声画像出力部７６７０、車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０及び記憶部７６９０が図示されている。他の制御ユニットも同様に、マイクロコンピュータ、通信Ｉ／Ｆ及び記憶部等を備える。
　駆動系制御ユニット７１００は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット７１００は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。駆動系制御ユニット７１００は、ＡＢＳ（Antilock　Brake　System）又はＥＳＣ（Electronic　Stability　Control）等の制御装置としての機能を有してもよい。
　駆動系制御ユニット７１００には、車両状態検出部７１１０が接続される。車両状態検出部７１１０には、例えば、車体の軸回転運動の角速度を検出するジャイロセンサー、車両の加速度を検出する加速度センサー、あるいは、アクセルペダルの操作量、ブレーキペダルの操作量、ステアリングホイールの操舵角、エンジン回転数又は車輪の回転速度等を検出するためのセンサーのうちの少なくとも一つが含まれる。駆動系制御ユニット７１００は、車両状態検出部７１１０から入力される信号を用いて演算処理を行い、内燃機関、駆動用モータ、電動パワーステアリング装置又はブレーキ装置等を制御する。
　ボディ系制御ユニット７２００は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット７２００は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット７２００には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット７２００は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
　バッテリ制御ユニット７３００は、各種プログラムにしたがって駆動用モータの電力供給源である二次電池７３１０を制御する。例えば、バッテリ制御ユニット７３００には、二次電池７３１０を備えたバッテリ装置から、バッテリ温度、バッテリ出力電圧又はバッテリの残存容量等の情報が入力される。バッテリ制御ユニット７３００は、これらの信号を用いて演算処理を行い、二次電池７３１０の温度調節制御又はバッテリ装置に備えられた冷却装置等の制御を行う。
　車外情報検出ユニット７４００は、車両制御システム７０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット７４００には、撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０のうちの少なくとも一方が接続される。撮像部７４１０には、ＴｏＦ（Time　Of　Flight）カメラ、ステレオカメラ、単眼カメラ、赤外線カメラ及びその他のカメラのうちの少なくとも一つが含まれる。車外情報検出部７４２０には、例えば、現在の天候又は気象を検出するための環境センサー、あるいは、車両制御システム７０００を搭載した車両の周囲の他の車両、障害物又は歩行者等を検出するための周囲情報検出センサーのうちの少なくとも一つが含まれる。
　環境センサーは、例えば、雨天を検出する雨滴センサー、霧を検出する霧センサー、日照度合いを検出する日照センサー、及び降雪を検出する雪センサーのうちの少なくとも一つであってよい。周囲情報検出センサーは、超音波センサー、レーダ装置及びＬＩＤＡＲ（Light　Detection　and　Ranging、Laser　Imaging　Detection　and　Ranging）装置のうちの少なくとも一つであってよい。これらの撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０は、それぞれ独立したセンサーないし装置として備えられてもよいし、複数のセンサーないし装置が統合された装置として備えられてもよい。
　ここで、図１１は、撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０の設置位置の例を示す。撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６，７９１８は、例えば、車両７９００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部のうちの少なくとも一つの位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部７９１０及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部７９１８は、主として車両７９００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部７９１２，７９１４は、主として車両７９００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部７９１６は、主として車両７９００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部７９１８は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
　なお、図１１には、それぞれの撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲ａは、フロントノーズに設けられた撮像部７９１０の撮像範囲を示し、撮像範囲ｂ，ｃは、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部７９１２，７９１４の撮像範囲を示し、撮像範囲ｄは、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部７９１６の撮像範囲を示す。例えば、撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両７９００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
　車両７９００のフロント、リア、サイド、コーナ及び車室内のフロントガラスの上部に設けられる車外情報検出部７９２０，７９２２，７９２４，７９２６，７９２８，７９３０は、例えば超音波センサー又はレーダ装置であってよい。車両７９００のフロントノーズ、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部に設けられる車外情報検出部７９２０，７９２６，７９３０は、例えばＬＩＤＡＲ装置であってよい。これらの車外情報検出部７９２０～７９３０は、主として先行車両、歩行者又は障害物等の検出に用いられる。
　図１０に戻って説明を続ける。車外情報検出ユニット７４００は、撮像部７４１０に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像データを受信する。また、車外情報検出ユニット７４００は、接続されている車外情報検出部７４２０から検出情報を受信する。車外情報検出部７４２０が超音波センサー、レーダ装置又はＬＩＤＡＲ装置である場合には、車外情報検出ユニット７４００は、超音波又は電磁波等を発信させるとともに、受信された反射波の情報を受信する。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、降雨、霧又は路面状況等を認識する環境認識処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、車外の物体までの距離を算出してもよい。
　また、車外情報検出ユニット７４００は、受信した画像データに基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等を認識する画像認識処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した画像データに対して歪補正又は位置合わせ等の処理を行うとともに、異なる撮像部７４１０により撮像された画像データを合成して、俯瞰画像又はパノラマ画像を生成してもよい。車外情報検出ユニット７４００は、異なる撮像部７４１０により撮像された画像データを用いて、視点変換処理を行ってもよい。
　車内情報検出ユニット７５００は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット７５００には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部７５１０が接続される。運転者状態検出部７５１０は、運転者を撮像するカメラ、運転者の生体情報を検出する生体センサー又は車室内の音声を集音するマイク等を含んでもよい。生体センサーは、例えば、座面又はステアリングホイール等に設けられ、座席に座った搭乗者又はステアリングホイールを握る運転者の生体情報を検出する。車内情報検出ユニット７５００は、運転者状態検出部７５１０から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。車内情報検出ユニット７５００は、集音された音声信号に対してノイズキャンセリング処理等の処理を行ってもよい。
　統合制御ユニット７６００は、各種プログラムにしたがって車両制御システム７０００内の動作全般を制御する。統合制御ユニット７６００には、入力部７８００が接続されている。入力部７８００は、例えば、タッチパネル、ボタン、マイクロフォン、スイッチ又はレバー等、搭乗者によって入力操作され得る装置によって実現される。統合制御ユニット７６００には、マイクロフォンにより入力される音声を音声認識することにより得たデータが入力されてもよい。入力部７８００は、例えば、赤外線又はその他の電波を利用したリモートコントロール装置であってもよいし、車両制御システム７０００の操作に対応した携帯電話又はＰＤＡ（Personal　Digital　Assistant）等の外部接続機器であってもよい。入力部７８００は、例えばカメラであってもよく、その場合搭乗者はジェスチャにより情報を入力することができる。あるいは、搭乗者が装着したウェアラブル装置の動きを検出することで得られたデータが入力されてもよい。さらに、入力部７８００は、例えば、上記の入力部７８００を用いて搭乗者等により入力された情報に基づいて入力信号を生成し、統合制御ユニット７６００に出力する入力制御回路などを含んでもよい。搭乗者等は、この入力部７８００を操作することにより、車両制御システム７０００に対して各種のデータを入力したり処理動作を指示したりする。
　記憶部７６９０は、マイクロコンピュータにより実行される各種プログラムを記憶するＲＯＭ（Read　Only　Memory）、及び各種パラメータ、演算結果又はセンサー値等を記憶するＲＡＭ（Random　Access　Memory）を含んでいてもよい。また、記憶部７６９０は、ＨＤＤ（Hard　Disc　Drive）等の磁気記憶デバイス、半導体記憶デバイス、光記憶デバイス又は光磁気記憶デバイス等によって実現してもよい。
　汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、外部環境７７５０に存在する様々な機器との間の通信を仲介する汎用的な通信Ｉ／Ｆである。汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、ＧＳＭ（登録商標）（Global　System　of　Mobile　communications）、ＷｉＭＡＸ（登録商標）、ＬＴＥ（登録商標）（Long　Term　Evolution）若しくはＬＴＥ－Ａ（LTE－Advanced）などのセルラー通信プロトコル、又は無線ＬＡＮ（Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標）ともいう）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）などのその他の無線通信プロトコルを実装してよい。汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、例えば、基地局又はアクセスポイントを介して、外部ネットワーク（例えば、インターネット、クラウドネットワーク又は事業者固有のネットワーク）上に存在する機器（例えば、アプリケーションサーバ又は制御サーバ）へ接続してもよい。また、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、例えばＰ２Ｐ（Peer　To　Peer）技術を用いて、車両の近傍に存在する端末（例えば、運転者、歩行者若しくは店舗の端末、又はＭＴＣ（Machine　Type　Communication）端末）と接続してもよい。
　専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、車両における使用を目的として策定された通信プロトコルをサポートする通信Ｉ／Ｆである。専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、例えば、下位レイヤのＩＥＥＥ８０２．１１ｐと上位レイヤのＩＥＥＥ１６０９との組合せであるＷＡＶＥ（Wireless　Access　in　Vehicle　Environment）、ＤＳＲＣ（Dedicated　Short　Range　Communications）、又はセルラー通信プロトコルといった標準プロトコルを実装してよい。専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、典型的には、車車間（Vehicle　to　Vehicle）通信、路車間（Vehicle　to　Infrastructure）通信、車両と家との間（Vehicle　to　Home）の通信及び歩車間（Vehicle　to　Pedestrian）通信のうちの１つ以上を含む概念であるＶ２Ｘ通信を遂行する。
　測位部７６４０は、例えば、ＧＮＳＳ（Global　Navigation　Satellite　System）衛星からのＧＮＳＳ信号（例えば、ＧＰＳ（Global　Positioning　System）衛星からのＧＰＳ信号）を受信して測位を実行し、車両の緯度、経度及び高度を含む位置情報を生成する。なお、測位部７６４０は、無線アクセスポイントとの信号の交換により現在位置を特定してもよく、又は測位機能を有する携帯電話、ＰＨＳ若しくはスマートフォンといった端末から位置情報を取得してもよい。
　ビーコン受信部７６５０は、例えば、道路上に設置された無線局等から発信される電波あるいは電磁波を受信し、現在位置、渋滞、通行止め又は所要時間等の情報を取得する。なお、ビーコン受信部７６５０の機能は、上述した専用通信Ｉ／Ｆ７６３０に含まれてもよい。
　車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、マイクロコンピュータ７６１０と車内に存在する様々な車内機器７７６０との間の接続を仲介する通信インターフェースである。車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、無線ＬＡＮ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＮＦＣ（Near　Field　Communication）又はＷＵＳＢ（Wireless　USB）といった無線通信プロトコルを用いて無線接続を確立してもよい。また、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、図示しない接続端子（及び、必要であればケーブル）を介して、ＵＳＢ（Universal　Serial　Bus）、ＨＤＭＩ（登録商標）（High-Definition　Multimedia　Interface、又はＭＨＬ（Mobile　High-definition　Link）等の有線接続を確立してもよい。車内機器７７６０は、例えば、搭乗者が有するモバイル機器若しくはウェアラブル機器、又は車両に搬入され若しくは取り付けられる情報機器のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。また、車内機器７７６０は、任意の目的地までの経路探索を行うナビゲーション装置を含んでいてもよい。車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、これらの車内機器７７６０との間で、制御信号又はデータ信号を交換する。
　車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０は、マイクロコンピュータ７６１０と通信ネットワーク７０１０との間の通信を仲介するインターフェースである。車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０は、通信ネットワーク７０１０によりサポートされる所定のプロトコルに則して、信号等を送受信する。
　統合制御ユニット７６００のマイクロコンピュータ７６１０は、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０及び車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０のうちの少なくとも一つを介して取得される情報に基づき、各種プログラムにしたがって、車両制御システム７０００を制御する。例えば、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット７１００に対して制御指令を出力してもよい。例えば、マイクロコンピュータ７６１０は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced　Driver　Assistance　System）の機能実現を目的とした協調制御を行ってもよい。また、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行ってもよい。
　マイクロコンピュータ７６１０は、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０及び車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０のうちの少なくとも一つを介して取得される情報に基づき、車両と周辺の構造物や人物等の物体との間の３次元距離情報を生成し、車両の現在位置の周辺情報を含むローカル地図情報を作成してもよい。また、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される情報に基づき、車両の衝突、歩行者等の近接又は通行止めの道路への進入等の危険を予測し、警告用信号を生成してもよい。警告用信号は、例えば、警告音を発生させたり、警告ランプを点灯させたりするための信号であってよい。
　音声画像出力部７６７０は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１０の例では、出力装置として、オーディオスピーカ７７１０、表示部７７２０及びインストルメントパネル７７３０が例示されている。表示部７７２０は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。表示部７７２０は、ＡＲ（Augmented　Reality）表示機能を有していてもよい。出力装置は、これらの装置以外の、ヘッドホン、搭乗者が装着する眼鏡型ディスプレイ等のウェアラブルデバイス、プロジェクタ又はランプ等の他の装置であってもよい。出力装置が表示装置の場合、表示装置は、マイクロコンピュータ７６１０が行った各種処理により得られた結果又は他の制御ユニットから受信された情報を、テキスト、イメージ、表、グラフ等、様々な形式で視覚的に表示する。また、出力装置が音声出力装置の場合、音声出力装置は、再生された音声データ又は音響データ等からなるオーディオ信号をアナログ信号に変換して聴覚的に出力する。
　なお、図１０に示した例において、通信ネットワーク７０１０を介して接続された少なくとも二つの制御ユニットが一つの制御ユニットとして一体化されてもよい。あるいは、個々の制御ユニットが、複数の制御ユニットにより構成されてもよい。さらに、車両制御システム７０００が、図示されていない別の制御ユニットを備えてもよい。また、上記の説明において、いずれかの制御ユニットが担う機能の一部又は全部を、他の制御ユニットに持たせてもよい。つまり、通信ネットワーク７０１０を介して情報の送受信がされるようになっていれば、所定の演算処理が、いずれかの制御ユニットで行われるようになってもよい。同様に、いずれかの制御ユニットに接続されているセンサー又は装置が、他の制御ユニットに接続されるとともに、複数の制御ユニットが、通信ネットワーク７０１０を介して相互に検出情報を送受信してもよい。
　以上説明した車両制御システム７０００において、本開示の発光装置は、例えば、車外情報検出部に適用され得る。
１０・・・面発光レーザ
１００・・・基板
１０１・・・コンタクト層
１０２・・・第１多層膜反射鏡
１０３・・・第１クラッド層
１０４・・・活性層
１０５・・・第２クラッド層
１０６・・・酸化狭窄層
１０７・・・第２多層膜反射鏡
ＵＡ・・・単位構造
ｅ１・・・第１電極
ｅ２・・・第２電極
Ｓ１・・・第１構造
Ｓ２・・・第２構造

Claims (16)

  1. 　複数の発光単位により単位構造が形成され、
    　前記発光単位は、
    　第１多層膜反射鏡を含む第１構造と、
    　第２多層膜反射鏡を含む第２構造と、
    　前記第１構造及び前記第２構造の間に配置された活性層と、
    　を有し、
    　異なる前記発光単位の第１構造間に対して電気的に接続される第１電極と、
    　異なる前記発光単位の第２構造間に対して電気的に接続される第２電極と、
    　を有し、
    　所定の前記単位構造における所定の前記発光単位に接続される前記第１電極及び前記第２電極の組み合わせが１つである、
    　発光装置。
  2. 　前記単位構造において前記第１電極は前記第２電極を取り囲むように配置されている、請求項１に記載の発光装置。
  3. 　前記第１電極が電気的に接続される前記発光単位は、異なる単位構造における発光単位である、請求項１に記載の発光装置。
  4. 　前記単位構造において、第１方向及び当該第１方向と直交する第２方向のそれぞれの方向に沿って複数の前記発光単位が配置されている、請求項３に記載の発光装置。
  5. 　前記第１方向に沿って２個の前記発光単位が配置され、前記第２方向に沿って２個の前記発光単位が配置されている、請求項４に記載の発光装置。
  6. 　前記単位構造において、複数の前記発光単位が多角形状に配置されている、請求項２に記載の発光装置。
  7. 　前記第１電極が電気的に接続される前記発光単位は、同一の単位構造における発光単位である、請求項１に記載の発光装置。
  8. 　前記第１電極が帯状の形状を有する、請求項７に記載の発光装置。
  9. 　前記第１電極は、当該第１電極の延在方向に沿って配置される複数の発光単位のうち、１個おきの発光単位に接続される、請求項８に記載の発光装置。
  10. 　前記第１構造の表面に前記第１電極が設けられ、前記第１構造の表面に絶縁層を介して前記第２電極が設けられている、請求項１に記載の発光装置。
  11. 　前記表面とは反対側に配置される第１基板を有し、当該第１基板側からレーザ光が出射される、請求項１０に記載の発光装置。
  12. 　前記第１構造の表面側に配置される第２基板を有し、前記第２基板に、前記第１電極に電気的に接続される第１配線部と、前記第２電極に電気的に接続される第２配線部とが設けられている、請求項１０に記載の発光装置。
  13. 　前記単位構造における前記第２電極の数が１つである
    　請求項１に記載の発光装置。
  14. 　前記第２電極が前記単位構造における全ての前記発光単位に対して電気的に接続されている
    　請求項１３に記載の発光装置。
  15. 　請求項１に記載の発光装置を有する測距装置。
  16. 　請求項１５に記載の測距装置を有する車載装置。
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