JP2003258379A - 面発光レーザおよび面発光レーザの製造方法 - Google Patents
面発光レーザおよび面発光レーザの製造方法Info
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- JP2003258379A JP2003258379A JP2002060713A JP2002060713A JP2003258379A JP 2003258379 A JP2003258379 A JP 2003258379A JP 2002060713 A JP2002060713 A JP 2002060713A JP 2002060713 A JP2002060713 A JP 2002060713A JP 2003258379 A JP2003258379 A JP 2003258379A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 酸化層を酸化する際にスペーサ層の酸化を抑
制する。 【解決手段】 ｐ型分布ブラッグ反射層６を構成するｐ
型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層６ｂの少なくともいずれか１層
を、Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層１０ｃ、Ａｌ0.7Ｇ
ａ0.3Ａｓ酸化ストップ層１０ｂおよびＡｌ0.98Ｇａ
0.02Ａｓ酸化層１０ａが順次積層された電流狭窄層１０
で置換する。
制する。 【解決手段】 ｐ型分布ブラッグ反射層６を構成するｐ
型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層６ｂの少なくともいずれか１層
を、Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層１０ｃ、Ａｌ0.7Ｇ
ａ0.3Ａｓ酸化ストップ層１０ｂおよびＡｌ0.98Ｇａ
0.02Ａｓ酸化層１０ａが順次積層された電流狭窄層１０
で置換する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、面発光レーザおよ
び面発光レーザの製造方法に関し、特に、分布ブラッグ
反射膜に選択酸化層を設けた面発光レーザに適用して好
適なものである。
び面発光レーザの製造方法に関し、特に、分布ブラッグ
反射膜に選択酸化層を設けた面発光レーザに適用して好
適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の面発光レーザでは、しきい値電流
を低減するために、分布ブラッグ反射膜の層間に酸化層
を設け、その酸化層を選択的に酸化することにより、電
流狭窄を行なう方法があった。ここで、酸化層を選択的
に酸化するために、酸化層として、分布ブラッグ反射膜
の高アルミ組成層よりもさらにアルミ組成の高い膜が用
いられるが、アルミ組成の高い膜を酸化すると、その部
分が体積収縮を起こし、周囲に歪みを生じさせる。
を低減するために、分布ブラッグ反射膜の層間に酸化層
を設け、その酸化層を選択的に酸化することにより、電
流狭窄を行なう方法があった。ここで、酸化層を選択的
に酸化するために、酸化層として、分布ブラッグ反射膜
の高アルミ組成層よりもさらにアルミ組成の高い膜が用
いられるが、アルミ組成の高い膜を酸化すると、その部
分が体積収縮を起こし、周囲に歪みを生じさせる。
【０００３】このため、従来の面発光レーザでは、分布
ブラッグ反射膜の層間にスペーサ層を介して酸化層を形
成し、酸化層の厚みを極力薄くすることにより、体積収
縮の影響を低減させて、周囲に生じる歪みを低下させる
ようにしていた。
ブラッグ反射膜の層間にスペーサ層を介して酸化層を形
成し、酸化層の厚みを極力薄くすることにより、体積収
縮の影響を低減させて、周囲に生じる歪みを低下させる
ようにしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、酸化層
とスペーサ層からなる２層構造を分布ブラッグ反射膜の
層間に設ける方法では、酸化層が酸化される際にスペー
サ層も酸化され、体積収縮の低減効果が小さくなるとい
う問題があった。そこで、本発明の目的は、酸化層を酸
化する際にスペーサ層の酸化を抑制することが可能な面
発光レーザおよび面発光レーザの製造方法を提供するこ
とである。
とスペーサ層からなる２層構造を分布ブラッグ反射膜の
層間に設ける方法では、酸化層が酸化される際にスペー
サ層も酸化され、体積収縮の低減効果が小さくなるとい
う問題があった。そこで、本発明の目的は、酸化層を酸
化する際にスペーサ層の酸化を抑制することが可能な面
発光レーザおよび面発光レーザの製造方法を提供するこ
とである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明の面発光レーザによれば、活性層と、前
記活性層の上下層に設けられた分布ブラッグ反射層と、
前記分布ブラッグ反射層内の少なくとも一層に設けられ
た酸化層と、前記酸化層の上下面の少なくとも一方に設
けられたスペーサ層と、前記酸化層と前記スペーサ層と
の間に設けられた酸化ストップ層とを備えることを特徴
とする。
ために、本発明の面発光レーザによれば、活性層と、前
記活性層の上下層に設けられた分布ブラッグ反射層と、
前記分布ブラッグ反射層内の少なくとも一層に設けられ
た酸化層と、前記酸化層の上下面の少なくとも一方に設
けられたスペーサ層と、前記酸化層と前記スペーサ層と
の間に設けられた酸化ストップ層とを備えることを特徴
とする。
【０００６】これにより、酸化層の酸化に伴うスペーサ
層の酸化を抑制することが可能となり、酸化層の厚みを
薄くするためにスペーサ層を設けた場合においても、酸
化層を酸化した際の体積収縮の影響を低減することがで
きる。このため、面発光レーザの特性劣化を抑制しつ
つ、電流狭窄を実現することが可能となり、また面発光
レーザの長寿命化を図ることができる。
層の酸化を抑制することが可能となり、酸化層の厚みを
薄くするためにスペーサ層を設けた場合においても、酸
化層を酸化した際の体積収縮の影響を低減することがで
きる。このため、面発光レーザの特性劣化を抑制しつ
つ、電流狭窄を実現することが可能となり、また面発光
レーザの長寿命化を図ることができる。
【０００７】また、前記スペーサ層の厚みは、前記酸化
層、前記スペーサ層および前記酸化ストップ層の全体の
厚みがλ／（４ｎ）（ただし、λは波長、ｎは屈折率）
を満たすように設定されることを特徴とする。これによ
り、酸化層の厚みを薄くした場合においても、スペーサ
層の酸化を抑制しつつ、分布ブラッグ反射層の周期性を
維持することが可能となり、面発光レーザの特性劣化を
抑制しつつ、電流狭窄を実現することが可能となる。
層、前記スペーサ層および前記酸化ストップ層の全体の
厚みがλ／（４ｎ）（ただし、λは波長、ｎは屈折率）
を満たすように設定されることを特徴とする。これによ
り、酸化層の厚みを薄くした場合においても、スペーサ
層の酸化を抑制しつつ、分布ブラッグ反射層の周期性を
維持することが可能となり、面発光レーザの特性劣化を
抑制しつつ、電流狭窄を実現することが可能となる。
【０００８】また、前記分布ブラッグ反射層は、高アル
ミ組成層と低アルミ組成層とをペアに持つ多層膜、前記
酸化層、前記スペーサ層および前記酸化ストップ層を有
していることを特徴とする。これにより、分布ブラッグ
反射層内に酸化層を設けた場合においても、分布ブラッ
グ反射層の周期性を維持しつつ、酸化層の酸化による体
積収縮を軽減することができ、面発光レーザの特性劣化
を抑制しつつ、電流狭窄を実現することが可能となる。
ミ組成層と低アルミ組成層とをペアに持つ多層膜、前記
酸化層、前記スペーサ層および前記酸化ストップ層を有
していることを特徴とする。これにより、分布ブラッグ
反射層内に酸化層を設けた場合においても、分布ブラッ
グ反射層の周期性を維持しつつ、酸化層の酸化による体
積収縮を軽減することができ、面発光レーザの特性劣化
を抑制しつつ、電流狭窄を実現することが可能となる。
【０００９】また、前記酸化層は、前記分布ブラッグ反
射層を導波する光波の節側に設けられ、前記スペーサ層
は、前記分布ブラッグ反射層を導波する光波の腹側に設
けられていることを特徴とする。これにより、体積収縮
が酸化層の部分で起こったために、分布ブラッグ反射層
の周期性が乱れた場合においても、そこを導波する光波
への影響を抑制することができ、選択酸化による電流狭
窄を行なった場合においても、面発光レーザの特性劣化
を抑制することができる。
射層を導波する光波の節側に設けられ、前記スペーサ層
は、前記分布ブラッグ反射層を導波する光波の腹側に設
けられていることを特徴とする。これにより、体積収縮
が酸化層の部分で起こったために、分布ブラッグ反射層
の周期性が乱れた場合においても、そこを導波する光波
への影響を抑制することができ、選択酸化による電流狭
窄を行なった場合においても、面発光レーザの特性劣化
を抑制することができる。
【００１０】また、前記分布ブラッグ反射層は、高アル
ミ組成層と低アルミ組成層とをペアに持つ多層膜、前記
酸化層、前記スペーサ層および前記酸化ストップ層を有
しており、前記酸化層は、前記分布ブラッグ反射層を導
波する光波の節の位置に設けられ、前記スペーサ層は、
前記酸化ストップ層を介して前記酸化層の上下面に設け
られていることを特徴とする。
ミ組成層と低アルミ組成層とをペアに持つ多層膜、前記
酸化層、前記スペーサ層および前記酸化ストップ層を有
しており、前記酸化層は、前記分布ブラッグ反射層を導
波する光波の節の位置に設けられ、前記スペーサ層は、
前記酸化ストップ層を介して前記酸化層の上下面に設け
られていることを特徴とする。
【００１１】これにより、分布ブラッグ反射層内に選択
酸化層を設けた場合においても、分布ブラッグ反射層の
周期性を維持しつつ、酸化層の体積収縮が起こる部分を
光波の節に一致させることができ、体積収縮が導波光に
及ぼす影響をより一層低減することができる。また、前
記酸化層のアルミ組成がｘ、前記スペーサ層のアルミ組
成がｙ、前記酸化ストップ層のアルミ組成がｚであると
すると、０≦ｚ＜ｙ＜ｘ≦１であることを特徴とする。
酸化層を設けた場合においても、分布ブラッグ反射層の
周期性を維持しつつ、酸化層の体積収縮が起こる部分を
光波の節に一致させることができ、体積収縮が導波光に
及ぼす影響をより一層低減することができる。また、前
記酸化層のアルミ組成がｘ、前記スペーサ層のアルミ組
成がｙ、前記酸化ストップ層のアルミ組成がｚであると
すると、０≦ｚ＜ｙ＜ｘ≦１であることを特徴とする。
【００１２】これにより、分布ブラッグ反射層形成時に
おけるアルミ組成を変化させるだけで、分布ブラッグ反
射層内に酸化層を設けることが可能となるとともに、酸
化層の酸化に伴うスペーサ層の酸化を抑制することがで
き、面発光レーザの製造工程における整合性を維持しつ
つ、電流狭窄を実現することが可能となる。また、第１
導電型半導体基板上に高アルミ組成層と低アルミ組成層
とをペアに持つ第１導電型ブラッグ反射多層膜を形成す
る工程と、前記第１導電型ブラッグ反射多層膜上に第１
導電型クラッド層を形成する工程と、前記第１導電型ク
ラッド層上に活性層を形成する工程と、前記活性層上に
第２導電型クラッド層を形成する工程と、前記第２導電
型クラッド層上に高アルミ組成層と低アルミ組成層とを
ペアに持つ第２導電型ブラッグ反射多層膜を形成する工
程と、前記低アルミ組成層の間に、スペーサ層、酸化ス
トップ層および酸化層を形成する工程と、少なくとも前
記第２導電型ブラッグ反射多層膜を円盤状または多角形
またはそれらを組み合わせた形状にエッチングすること
により、前記酸化層の側壁を露出させる工程と、前記酸
化層の側壁を酸化性ガスに晒すことにより、前記酸化層
の周囲を酸化する工程とを備えることを特徴とする。
おけるアルミ組成を変化させるだけで、分布ブラッグ反
射層内に酸化層を設けることが可能となるとともに、酸
化層の酸化に伴うスペーサ層の酸化を抑制することがで
き、面発光レーザの製造工程における整合性を維持しつ
つ、電流狭窄を実現することが可能となる。また、第１
導電型半導体基板上に高アルミ組成層と低アルミ組成層
とをペアに持つ第１導電型ブラッグ反射多層膜を形成す
る工程と、前記第１導電型ブラッグ反射多層膜上に第１
導電型クラッド層を形成する工程と、前記第１導電型ク
ラッド層上に活性層を形成する工程と、前記活性層上に
第２導電型クラッド層を形成する工程と、前記第２導電
型クラッド層上に高アルミ組成層と低アルミ組成層とを
ペアに持つ第２導電型ブラッグ反射多層膜を形成する工
程と、前記低アルミ組成層の間に、スペーサ層、酸化ス
トップ層および酸化層を形成する工程と、少なくとも前
記第２導電型ブラッグ反射多層膜を円盤状または多角形
またはそれらを組み合わせた形状にエッチングすること
により、前記酸化層の側壁を露出させる工程と、前記酸
化層の側壁を酸化性ガスに晒すことにより、前記酸化層
の周囲を酸化する工程とを備えることを特徴とする。
【００１３】これにより、酸化層の側壁を介して酸化性
ガスが進入した際に、酸化性ガスが酸化層の界面を介し
てスペーサ層に進入することを抑制することが可能とな
り、酸化層が酸化される際にスペーサ層が酸化されるこ
とを抑制することができる。このため、酸化層とスペー
サ層との間に酸化ストップ層を形成するだけで、酸化層
のみを選択的に酸化することができ、体積収縮の影響を
低減しつつ、電流狭窄を実現することが可能となること
から、面発光レーザの結晶構造に対する歪を低減しつ
つ、面発光レーザのしきい値電流を低下させることが可
能となる。
ガスが進入した際に、酸化性ガスが酸化層の界面を介し
てスペーサ層に進入することを抑制することが可能とな
り、酸化層が酸化される際にスペーサ層が酸化されるこ
とを抑制することができる。このため、酸化層とスペー
サ層との間に酸化ストップ層を形成するだけで、酸化層
のみを選択的に酸化することができ、体積収縮の影響を
低減しつつ、電流狭窄を実現することが可能となること
から、面発光レーザの結晶構造に対する歪を低減しつ
つ、面発光レーザのしきい値電流を低下させることが可
能となる。
【００１４】また、前記高アルミ組成層の組成はＡｌa
Ｇａ1-aＡｓ、前記低アルミ組成層の組成はＡｌbＧａ
1-bＡｓ、前記酸化層の組成はＡｌxＧａ1-xＡｓ、前記
スペーサ層の組成はＡｌyＧａ1-yＡｓ、前記酸化ストッ
プ層の組成はＡｌzＧａ1-zＡｓであるとすると、０≦ｂ
≦ｚ＜ｙ≦ａ＜ｘ≦１または０≦ｂ≦ｚ＜ａ≦ｙ＜ｘ≦
１の関係を満たすことを特徴とする。
Ｇａ1-aＡｓ、前記低アルミ組成層の組成はＡｌbＧａ
1-bＡｓ、前記酸化層の組成はＡｌxＧａ1-xＡｓ、前記
スペーサ層の組成はＡｌyＧａ1-yＡｓ、前記酸化ストッ
プ層の組成はＡｌzＧａ1-zＡｓであるとすると、０≦ｂ
≦ｚ＜ｙ≦ａ＜ｘ≦１または０≦ｂ≦ｚ＜ａ≦ｙ＜ｘ≦
１の関係を満たすことを特徴とする。
【００１５】これにより、分布ブラッグ反射層形成時に
おけるアルミ組成を変化させるだけで、分布ブラッグ反
射層の周期性を維持しつつ、分布ブラッグ反射層内に酸
化層を設けることが可能となるとともに、酸化層の酸化
に伴うスペーサ層の酸化を抑制することができ、面発光
レーザの製造工程における整合性を維持しつつ、電流狭
窄を実現することが可能となる。
おけるアルミ組成を変化させるだけで、分布ブラッグ反
射層の周期性を維持しつつ、分布ブラッグ反射層内に酸
化層を設けることが可能となるとともに、酸化層の酸化
に伴うスペーサ層の酸化を抑制することができ、面発光
レーザの製造工程における整合性を維持しつつ、電流狭
窄を実現することが可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係る面
発光レーザについて、８５０ｎｍ帯ＡｌＧａＡｓ系面発
光レーザを例にとって説明する。図１（ａ）は、本発明
の第１実施形態に係る面発光レーザの概略構成を示す断
面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のｐ型分布ブラッグ反
射層６の部分を拡大して示す断面図である。
発光レーザについて、８５０ｎｍ帯ＡｌＧａＡｓ系面発
光レーザを例にとって説明する。図１（ａ）は、本発明
の第１実施形態に係る面発光レーザの概略構成を示す断
面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のｐ型分布ブラッグ反
射層６の部分を拡大して示す断面図である。
【００１７】図１（ａ）において、ｎ型ＧａＡｓ基板１
上には、ｎ型分布ブラッグ反射層２、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ
0.5Ａｓクラッド層３、ＭＱＷ（多重量子井戸）活性層
４、ｐ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層５およびｐ型分
布ブラッグ反射層６が順次形成されている。ここで、Ｍ
ＱＷ活性層４は、７ｎｍの厚みのＧａＡｓ層と１０ｎｍ
の厚みのＡｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ層とが交互に積層された３
ＱＷ構造から構成され、ＭＱＷ活性層４の上下面には、
１００ｎｍの厚みのｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層
３および１００ｎｍの厚みのｐ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓク
ラッド層５がそれぞれ形成されている。
上には、ｎ型分布ブラッグ反射層２、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ
0.5Ａｓクラッド層３、ＭＱＷ（多重量子井戸）活性層
４、ｐ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層５およびｐ型分
布ブラッグ反射層６が順次形成されている。ここで、Ｍ
ＱＷ活性層４は、７ｎｍの厚みのＧａＡｓ層と１０ｎｍ
の厚みのＡｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ層とが交互に積層された３
ＱＷ構造から構成され、ＭＱＷ活性層４の上下面には、
１００ｎｍの厚みのｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層
３および１００ｎｍの厚みのｐ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓク
ラッド層５がそれぞれ形成されている。
【００１８】また、ｎ型分布ブラッグ反射層２は、ｎ型
Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層２ａとｎ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ
層２ｂとをペアとして３１、５ペアだけ積層され、各層
の厚みＴは、λ／（４ｎ）（ただし、λは波長、ｎは屈
折率）を満たすように設定される。すなわち、ｎ型Ａｌ
0.15Ｇａ0.85Ａｓ層２ａの厚みは５０ｎｍ、ｎ型Ａｌ
0.9Ｇａ0.1Ａｓ層２ｂの厚みは４０ｎｍに設定される。
Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層２ａとｎ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ
層２ｂとをペアとして３１、５ペアだけ積層され、各層
の厚みＴは、λ／（４ｎ）（ただし、λは波長、ｎは屈
折率）を満たすように設定される。すなわち、ｎ型Ａｌ
0.15Ｇａ0.85Ａｓ層２ａの厚みは５０ｎｍ、ｎ型Ａｌ
0.9Ｇａ0.1Ａｓ層２ｂの厚みは４０ｎｍに設定される。
【００１９】また、ｐ型分布ブラッグ反射層６は、ｐ型
Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層６ａとｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ
層６ｂとをペアとして２３ペアだけ積層され、各層の厚
みＴは、λ／（４ｎ）を満たすように設定される。すな
わち、ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層６ａの厚みは５０ｎ
ｍ、ｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層２ｂの厚みは４０ｎｍに
設定される。
Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層６ａとｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ
層６ｂとをペアとして２３ペアだけ積層され、各層の厚
みＴは、λ／（４ｎ）を満たすように設定される。すな
わち、ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層６ａの厚みは５０ｎ
ｍ、ｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層２ｂの厚みは４０ｎｍに
設定される。
【００２０】そして、ｐ型分布ブラッグ反射層６を構成
するｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層６ｂの少なくともいずれ
か１層は、電流狭窄層１０で置換され、この電流狭窄層
１０は、図１（ｂ）に示すように、Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ
スペーサ層１０ｃ、Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ酸化ストップ層
１０ｂおよびＡｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０ａが順次
積層された構造を有している。
するｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層６ｂの少なくともいずれ
か１層は、電流狭窄層１０で置換され、この電流狭窄層
１０は、図１（ｂ）に示すように、Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ
スペーサ層１０ｃ、Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ酸化ストップ層
１０ｂおよびＡｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０ａが順次
積層された構造を有している。
【００２１】ここで、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０
ａのＡｌ組成は、このＡｌ0.98Ｇａ 0.02Ａｓ酸化層１０
ａのみを選択的に酸化するために、ｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1
Ａｓ層６ｂのＡｌ組成よりも多くなるように設定され
る。また、Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ酸化ストップ層１０ｂの
Ａｌ組成は、Ａｌ0.9Ｇａ0 .1Ａｓスペーサ層１０ｃの酸
化を抑制するために、ｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層６ｂの
Ａｌ組成よりも少なくなるように設定される。
ａのＡｌ組成は、このＡｌ0.98Ｇａ 0.02Ａｓ酸化層１０
ａのみを選択的に酸化するために、ｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1
Ａｓ層６ｂのＡｌ組成よりも多くなるように設定され
る。また、Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ酸化ストップ層１０ｂの
Ａｌ組成は、Ａｌ0.9Ｇａ0 .1Ａｓスペーサ層１０ｃの酸
化を抑制するために、ｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層６ｂの
Ａｌ組成よりも少なくなるように設定される。
【００２２】また、Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層１０
ｃは、高アルミ組成のｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層６ｂの
代わりとして、ｐ型分布ブラッグ反射層６の屈折率分布
の周期性を維持するように、高アルミ組成に設定され
る。また、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層３、ＭＱ
Ｗ（多重量子井戸）活性層４、ｐ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ
クラッド層５およびｐ型分布ブラッグ反射層６は円盤状
にエッチングされ、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０ａ
の側壁が露出されている。なお、酸化層までエッチング
されることが好ましい。
ｃは、高アルミ組成のｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層６ｂの
代わりとして、ｐ型分布ブラッグ反射層６の屈折率分布
の周期性を維持するように、高アルミ組成に設定され
る。また、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層３、ＭＱ
Ｗ（多重量子井戸）活性層４、ｐ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ
クラッド層５およびｐ型分布ブラッグ反射層６は円盤状
にエッチングされ、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０ａ
の側壁が露出されている。なお、酸化層までエッチング
されることが好ましい。
【００２３】そして、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０
ａの側壁部分を酸化性ガスに晒して、Ａｌ0.98Ｇａ0.02
Ａｓ酸化層１０ａをリング状に酸化することにより、Ａ
ｌ0. 98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０ａの周囲にリング状の酸
化領域１０ａ’が形成されている。ここで、Ａｌ0.98Ｇ
ａ0.02Ａｓ酸化層１０ａを酸化する場合、Ａｌ0.7Ｇａ
0.3Ａｓ酸化ストップ層１０ｂにより、Ａｌ0.9Ｇａ0.1
Ａｓスペーサ層１０ｃへの酸化性ガスの進入が妨げられ
るため、高アルミ組成のＡｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層
１０ｃの酸化が抑制される。
ａの側壁部分を酸化性ガスに晒して、Ａｌ0.98Ｇａ0.02
Ａｓ酸化層１０ａをリング状に酸化することにより、Ａ
ｌ0. 98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０ａの周囲にリング状の酸
化領域１０ａ’が形成されている。ここで、Ａｌ0.98Ｇ
ａ0.02Ａｓ酸化層１０ａを酸化する場合、Ａｌ0.7Ｇａ
0.3Ａｓ酸化ストップ層１０ｂにより、Ａｌ0.9Ｇａ0.1
Ａｓスペーサ層１０ｃへの酸化性ガスの進入が妨げられ
るため、高アルミ組成のＡｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層
１０ｃの酸化が抑制される。
【００２４】このため、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１
０ａが酸化された場合の体積収縮を抑制するために、Ａ
ｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０ａの厚みを薄くしてＡｌ
0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層１０ｃを設けた場合において
も、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０ａのみを効率よく
酸化することができ、酸化領域１０ａ’を形成する際の
歪を低減することができる。
０ａが酸化された場合の体積収縮を抑制するために、Ａ
ｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０ａの厚みを薄くしてＡｌ
0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層１０ｃを設けた場合において
も、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０ａのみを効率よく
酸化することができ、酸化領域１０ａ’を形成する際の
歪を低減することができる。
【００２５】また、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０ａ
の厚みを３０ｎｍに設定し、Ａｌ0. 7Ｇａ0.3Ａｓ酸化ス
トップ層１０ｂの厚みを１０ｎｍに設定した場合、電流
狭窄層１０がλ／（４ｎ）の関係を満たすように、Ａｌ
0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層１０ｃの厚みを２０ｎｍに設
定する。これにより、ｐ型分布ブラッグ反射層６を構成
するｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層６ｂの１層を電流狭窄層
１０で置換した場合においても、ｐ型分布ブラッグ反射
層６における屈折率分布の周期性を維持することがで
き、面発光レーザの特性劣化を抑制することができる。
の厚みを３０ｎｍに設定し、Ａｌ0. 7Ｇａ0.3Ａｓ酸化ス
トップ層１０ｂの厚みを１０ｎｍに設定した場合、電流
狭窄層１０がλ／（４ｎ）の関係を満たすように、Ａｌ
0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層１０ｃの厚みを２０ｎｍに設
定する。これにより、ｐ型分布ブラッグ反射層６を構成
するｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層６ｂの１層を電流狭窄層
１０で置換した場合においても、ｐ型分布ブラッグ反射
層６における屈折率分布の周期性を維持することがで
き、面発光レーザの特性劣化を抑制することができる。
【００２６】また、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０ａ
は、光波Ｗの節側にくるように配置し、Ａｌ0.9Ｇａ0.1
Ａｓスペーサ層１０ｃは、光波Ｗの腹側にくるように配
置する。これにより、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０
ａを酸化して酸化領域１０ａ’を形成した場合において
も、酸化領域１０ａ’が光波Ｗの節側に配置されるよう
にすることができ、酸化領域１０ａ’の部分で体積収縮
が起こった場合においても、酸化領域１０ａ’が光導波
に及ぼす影響を低減することができる。
は、光波Ｗの節側にくるように配置し、Ａｌ0.9Ｇａ0.1
Ａｓスペーサ層１０ｃは、光波Ｗの腹側にくるように配
置する。これにより、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０
ａを酸化して酸化領域１０ａ’を形成した場合において
も、酸化領域１０ａ’が光波Ｗの節側に配置されるよう
にすることができ、酸化領域１０ａ’の部分で体積収縮
が起こった場合においても、酸化領域１０ａ’が光導波
に及ぼす影響を低減することができる。
【００２７】また、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層
３、ＭＱＷ（多重量子井戸）活性層４、ｐ型Ａｌ0.5Ｇ
ａ0.5Ａｓクラッド層５およびｐ型分布ブラッグ反射層
６の側壁には、ポリイミドなどの絶縁膜７が形成され、
ｐ型分布ブラッグ反射層６上および絶縁膜７上には、電
流Ｉを注入するためのｐ側電極８が形成されている。こ
こで、ｐ側電極８の中心部には、出射光の損失を減らす
ために開口部が形成されている。
３、ＭＱＷ（多重量子井戸）活性層４、ｐ型Ａｌ0.5Ｇ
ａ0.5Ａｓクラッド層５およびｐ型分布ブラッグ反射層
６の側壁には、ポリイミドなどの絶縁膜７が形成され、
ｐ型分布ブラッグ反射層６上および絶縁膜７上には、電
流Ｉを注入するためのｐ側電極８が形成されている。こ
こで、ｐ側電極８の中心部には、出射光の損失を減らす
ために開口部が形成されている。
【００２８】また、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面にはｎ側
電極９が形成されている。そして、ｐ側電極８から注入
された電流Ｉは、ｐ型分布ブラッグ反射層６を進むに従
って広がろうとするが、電流狭窄層１０に達すると、酸
化領域１０ａ’の内側に狭窄される。このため、ｐ側電
極８から注入された電流ＩをＭＱＷ活性層４の発光領域
に効率よく注入することができ、しきい値電流を低減し
て、面発光レーザの発光効率を向上させることが可能と
なるとともに、発振モードを制御したり、面発光レーザ
の信頼性を向上させたりすることが可能となる。
電極９が形成されている。そして、ｐ側電極８から注入
された電流Ｉは、ｐ型分布ブラッグ反射層６を進むに従
って広がろうとするが、電流狭窄層１０に達すると、酸
化領域１０ａ’の内側に狭窄される。このため、ｐ側電
極８から注入された電流ＩをＭＱＷ活性層４の発光領域
に効率よく注入することができ、しきい値電流を低減し
て、面発光レーザの発光効率を向上させることが可能と
なるとともに、発振モードを制御したり、面発光レーザ
の信頼性を向上させたりすることが可能となる。
【００２９】図２、３は、本発明の一実施形態に係る面
発光レーザの製造工程を示す断面図である。図２（ａ）
において、例えば、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成
長）法により、ｎ型分布ブラッグ反射層２、ｎ型Ａｌ
0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層３、ＭＱＷ（多重量子井戸）
活性層４、ｐ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層５および
ｐ型分布ブラッグ反射層６をｎ型ＧａＡｓ基板１上に順
次積層し、ｐ型分布ブラッグ反射層６を構成するｐ型Ａ
ｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層６ｂの少なくともいずれか１層の代
わりに電流狭窄層１０を積層する。
発光レーザの製造工程を示す断面図である。図２（ａ）
において、例えば、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成
長）法により、ｎ型分布ブラッグ反射層２、ｎ型Ａｌ
0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層３、ＭＱＷ（多重量子井戸）
活性層４、ｐ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層５および
ｐ型分布ブラッグ反射層６をｎ型ＧａＡｓ基板１上に順
次積層し、ｐ型分布ブラッグ反射層６を構成するｐ型Ａ
ｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層６ｂの少なくともいずれか１層の代
わりに電流狭窄層１０を積層する。
【００３０】ここで、電流狭窄層１０として、Ａｌ0.9
Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層１０ｃ、Ａｌ 0.7Ｇａ0.3Ａｓ酸
化ストップ層１０ｂおよびＡｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層
１０ａを順次積層する。次に、図２（ｂ）に示すよう
に、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を
用いることにより、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層
３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド
層５およびｐ型分布ブラッグ反射層６を円盤状にエッチ
ングし、電流狭窄層１０の側壁を露出させる。
Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層１０ｃ、Ａｌ 0.7Ｇａ0.3Ａｓ酸
化ストップ層１０ｂおよびＡｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層
１０ａを順次積層する。次に、図２（ｂ）に示すよう
に、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を
用いることにより、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層
３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド
層５およびｐ型分布ブラッグ反射層６を円盤状にエッチ
ングし、電流狭窄層１０の側壁を露出させる。
【００３１】次に、図３（ａ）に示すように、電流狭窄
層１０の側壁を酸化性ガスＧｓに晒すことにより、電流
狭窄層１０を構成するＡｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０
ａをリング状に酸化し、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１
０ａの周囲にリング状の酸化領域１０ａ’を形成する。
ここで、図１（ａ）に示すように、Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ
スペーサ層１０ｃとＡｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０ａ
との間にＡｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ酸化ストップ層１０ｂを設
けることにより、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０ａを
酸化する際に、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０ａに入
り込んだ酸化性ガスＧｓがＡｌ0.7Ｇａ0 .3Ａｓ酸化スト
ップ層１０ｂを突き抜けてＡｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ
層１０ｃに入り込むことを抑制することができ、Ａｌ
0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層１０ｃの酸化を抑制して、体
積収縮を低減させることが可能となる。
層１０の側壁を酸化性ガスＧｓに晒すことにより、電流
狭窄層１０を構成するＡｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０
ａをリング状に酸化し、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１
０ａの周囲にリング状の酸化領域１０ａ’を形成する。
ここで、図１（ａ）に示すように、Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ
スペーサ層１０ｃとＡｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０ａ
との間にＡｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ酸化ストップ層１０ｂを設
けることにより、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０ａを
酸化する際に、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０ａに入
り込んだ酸化性ガスＧｓがＡｌ0.7Ｇａ0 .3Ａｓ酸化スト
ップ層１０ｂを突き抜けてＡｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ
層１０ｃに入り込むことを抑制することができ、Ａｌ
0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層１０ｃの酸化を抑制して、体
積収縮を低減させることが可能となる。
【００３２】次に、図３（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法
などにより、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層３、Ｍ
ＱＷ（多重量子井戸）活性層４、ｐ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａ
ｓクラッド層５およびｐ型分布ブラッグ反射層６の側壁
にポリイミドなどの絶縁膜７を形成する。さらに、スパ
ッタ法または蒸着法などにより、ｐ型分布ブラッグ反射
層６上および絶縁膜７上にｐ側電極８を形成するととも
に、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面にｎ側電極９を形成す
る。
などにより、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層３、Ｍ
ＱＷ（多重量子井戸）活性層４、ｐ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａ
ｓクラッド層５およびｐ型分布ブラッグ反射層６の側壁
にポリイミドなどの絶縁膜７を形成する。さらに、スパ
ッタ法または蒸着法などにより、ｐ型分布ブラッグ反射
層６上および絶縁膜７上にｐ側電極８を形成するととも
に、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面にｎ側電極９を形成す
る。
【００３３】そして、フォトリソグラフィー技術および
リフトオフ技術を用いることにより、出射光を効率よく
取り出すための開口部をｐ側電極８に形成する。これに
より、結晶成長時のアルミ組成を変化させるだけで、Ａ
ｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層１０ｃとＡｌ0.98Ｇａ0.02
Ａｓ酸化層１０ａとの間にＡｌ0.7Ｇａ0 .3Ａｓ酸化スト
ップ層１０ｂを形成することができ、面発光レーザの製
造工程における整合性を維持しつつ、結晶歪の少ない電
流狭窄を実現することが可能となる。
リフトオフ技術を用いることにより、出射光を効率よく
取り出すための開口部をｐ側電極８に形成する。これに
より、結晶成長時のアルミ組成を変化させるだけで、Ａ
ｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層１０ｃとＡｌ0.98Ｇａ0.02
Ａｓ酸化層１０ａとの間にＡｌ0.7Ｇａ0 .3Ａｓ酸化スト
ップ層１０ｂを形成することができ、面発光レーザの製
造工程における整合性を維持しつつ、結晶歪の少ない電
流狭窄を実現することが可能となる。
【００３４】なお、上述した実施形態では、ｎ型分布ブ
ラッグ反射層２、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0 .5Ａｓクラッド層
３、ＭＱＷ（多重量子井戸）活性層４、ｐ型Ａｌ0.5Ｇ
ａ0.5Ａｓクラッド層５ｐ型分布ブラッグ反射層６、Ａ
ｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層１０ｃ、Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａ
ｓ酸化ストップ層１０ｂおよびＡｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸
化層１０ａを結晶成長させるために、ＭＯＣＶＤ法を例
にとって説明したが、ＭＢＥ（分子線エピタキシャル成
長）法またはＡＬＥ（原子層エピタキシャル成長）法な
どを用いるようにしてもよい。
ラッグ反射層２、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0 .5Ａｓクラッド層
３、ＭＱＷ（多重量子井戸）活性層４、ｐ型Ａｌ0.5Ｇ
ａ0.5Ａｓクラッド層５ｐ型分布ブラッグ反射層６、Ａ
ｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層１０ｃ、Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａ
ｓ酸化ストップ層１０ｂおよびＡｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸
化層１０ａを結晶成長させるために、ＭＯＣＶＤ法を例
にとって説明したが、ＭＢＥ（分子線エピタキシャル成
長）法またはＡＬＥ（原子層エピタキシャル成長）法な
どを用いるようにしてもよい。
【００３５】図４（ａ）は、本発明の第２実施形態に係
る面発光レーザの概略構成を示す断面図、図４（ｂ）
は、図４（ａ）のｐ型分布ブラッグ反射層１６の部分を
拡大して示す断面図である。図４（ａ）において、ｎ型
ＧａＡｓ基板１１上には、ｎ型分布ブラッグ反射層１
２、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層１３、ＭＱＷ活
性層１４、ｐ型Ａｌ0. 5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層１５およ
びｐ型分布ブラッグ反射層１６が順次形成されている。
る面発光レーザの概略構成を示す断面図、図４（ｂ）
は、図４（ａ）のｐ型分布ブラッグ反射層１６の部分を
拡大して示す断面図である。図４（ａ）において、ｎ型
ＧａＡｓ基板１１上には、ｎ型分布ブラッグ反射層１
２、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層１３、ＭＱＷ活
性層１４、ｐ型Ａｌ0. 5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層１５およ
びｐ型分布ブラッグ反射層１６が順次形成されている。
【００３６】ここで、ＭＱＷ活性層１４は、７ｎｍの厚
みのＧａＡｓ層と１０ｎｍの厚みのＡｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ
層とが交互に積層された３ＱＷ構造から構成され、ＭＱ
Ｗ活性層１４の上下面には、１００ｎｍの厚みのｎ型Ａ
ｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層１３および１００ｎｍの厚
みのｐ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層１５がそれぞれ
形成されている。
みのＧａＡｓ層と１０ｎｍの厚みのＡｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ
層とが交互に積層された３ＱＷ構造から構成され、ＭＱ
Ｗ活性層１４の上下面には、１００ｎｍの厚みのｎ型Ａ
ｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層１３および１００ｎｍの厚
みのｐ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層１５がそれぞれ
形成されている。
【００３７】また、ｎ型分布ブラッグ反射層１２は、ｎ
型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層１２ａとｎ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1
Ａｓ層１２ｂとをペアとして３１、５ペアだけ積層さ
れ、各層の厚みＴは、λ／（４ｎ）（ただし、λは波
長、ｎは屈折率）を満たすように設定される。すなわ
ち、ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層１２ａの厚みは５０ｎ
ｍ、ｎ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層１２ｂの厚みは４０ｎｍ
に設定される。
型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層１２ａとｎ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1
Ａｓ層１２ｂとをペアとして３１、５ペアだけ積層さ
れ、各層の厚みＴは、λ／（４ｎ）（ただし、λは波
長、ｎは屈折率）を満たすように設定される。すなわ
ち、ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層１２ａの厚みは５０ｎ
ｍ、ｎ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層１２ｂの厚みは４０ｎｍ
に設定される。
【００３８】また、ｐ型分布ブラッグ反射層１６は、ｐ
型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層１６ａとｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1
Ａｓ層１６ｂとをペアとして２３ペアだけ積層され、各
層の厚みＴは、λ／（４ｎ）ように設定される。すなわ
ち、ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層１６ａの厚みは５０ｎ
ｍ、ｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層１２ｂの厚みは４０ｎｍ
に設定される。
型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層１６ａとｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1
Ａｓ層１６ｂとをペアとして２３ペアだけ積層され、各
層の厚みＴは、λ／（４ｎ）ように設定される。すなわ
ち、ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層１６ａの厚みは５０ｎ
ｍ、ｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層１２ｂの厚みは４０ｎｍ
に設定される。
【００３９】そして、ｐ型分布ブラッグ反射層１６を構
成するｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層１６ａとｐ型Ａｌ
0.9Ｇａ0.1Ａｓ層１６ｂとのペアが、電流狭窄層２０で
置換され、この電流狭窄層２０は、図４（ｂ）に示すよ
うに、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２０ｃの上下面にＡ
ｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層２０ａ、２０ｅがそれぞれ
形成されるとともに、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２０
ｃの各上下面とＡｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層２０ａ、
２０ｅとの間には、Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ酸化ストップ層
２０ｂ、２０ｄがそれぞれ形成された構造を有してい
る。
成するｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層１６ａとｐ型Ａｌ
0.9Ｇａ0.1Ａｓ層１６ｂとのペアが、電流狭窄層２０で
置換され、この電流狭窄層２０は、図４（ｂ）に示すよ
うに、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２０ｃの上下面にＡ
ｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層２０ａ、２０ｅがそれぞれ
形成されるとともに、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２０
ｃの各上下面とＡｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層２０ａ、
２０ｅとの間には、Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ酸化ストップ層
２０ｂ、２０ｄがそれぞれ形成された構造を有してい
る。
【００４０】ここで、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２０
ｃのＡｌ組成は、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２０ｃの
みを選択的に酸化するために、ｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ
層１６ｂのＡｌ組成よりも多くなるように設定される。
また、Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ酸化ストップ層２０ｂ、２０
ｄのＡｌ組成は、Ａｌ 0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層２０
ａ、２０ｅの酸化を抑制するために、ｐ型Ａｌ0. 9Ｇａ
0.1Ａｓ層１６ｂのＡｌ組成よりも少なくなるように設
定される。
ｃのＡｌ組成は、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２０ｃの
みを選択的に酸化するために、ｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ
層１６ｂのＡｌ組成よりも多くなるように設定される。
また、Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ酸化ストップ層２０ｂ、２０
ｄのＡｌ組成は、Ａｌ 0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層２０
ａ、２０ｅの酸化を抑制するために、ｐ型Ａｌ0. 9Ｇａ
0.1Ａｓ層１６ｂのＡｌ組成よりも少なくなるように設
定される。
【００４１】また、Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層２０
ａ、２０ｅは、ｐ型分布ブラッグ反射層１６の屈折率分
布の周期性を保つために、ｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層１
６ｂと同等の高アルミ組成に設定される。このため、ｐ
型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層１６ａとｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1
Ａｓ層１６ｂとのペアを電流狭窄層２０で置換するため
に、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２０ｃの上下面にＡｌ
0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層２０ａ、２０ｅをそれぞれ設
けた場合においても、ｐ型分布ブラッグ反射層１６の屈
折率分布の周期性を維持しつつ、電流狭窄を実現する際
の体積収縮を低減することができ、面発光レーザの特性
劣化を抑制しつつ、低しきい値電流化を図ることが可能
となる。
ａ、２０ｅは、ｐ型分布ブラッグ反射層１６の屈折率分
布の周期性を保つために、ｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層１
６ｂと同等の高アルミ組成に設定される。このため、ｐ
型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層１６ａとｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1
Ａｓ層１６ｂとのペアを電流狭窄層２０で置換するため
に、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２０ｃの上下面にＡｌ
0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層２０ａ、２０ｅをそれぞれ設
けた場合においても、ｐ型分布ブラッグ反射層１６の屈
折率分布の周期性を維持しつつ、電流狭窄を実現する際
の体積収縮を低減することができ、面発光レーザの特性
劣化を抑制しつつ、低しきい値電流化を図ることが可能
となる。
【００４２】また、ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層１６ａ
とｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層１６ｂとのペアを電流狭窄
層２０で置換することにより、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸
化層１０ａの中央が光波Ｗの節側に一致するように、Ａ
ｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０ａを配置することができ
る。このため、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２０ｃを酸
化して酸化領域２０ｃ’を形成した場合においても、酸
化領域２０ｃ’が光波Ｗの節に配置されるようにするこ
とができ、酸化領域２０ｃ’の部分で体積収縮が起こっ
た場合においても、酸化領域２０ｃ’が光導波に及ぼす
影響をより一層低減することができる。
とｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層１６ｂとのペアを電流狭窄
層２０で置換することにより、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸
化層１０ａの中央が光波Ｗの節側に一致するように、Ａ
ｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層１０ａを配置することができ
る。このため、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２０ｃを酸
化して酸化領域２０ｃ’を形成した場合においても、酸
化領域２０ｃ’が光波Ｗの節に配置されるようにするこ
とができ、酸化領域２０ｃ’の部分で体積収縮が起こっ
た場合においても、酸化領域２０ｃ’が光導波に及ぼす
影響をより一層低減することができる。
【００４３】また、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層
１３、ＭＱＷ活性層１４、ｐ型Ａｌ 0.5Ｇａ0.5Ａｓクラ
ッド層１５およびｐ型分布ブラッグ反射層１６は円盤状
にエッチングされ、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２０ｃ
の側壁が露出されている。そして、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａ
ｓ酸化層２０ｃの側壁部分を酸化性ガスに晒して、Ａｌ
0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２０ｃをリング状に酸化するこ
とにより、Ａｌ0. 98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２０ｃ周囲にリ
ング状の酸化領域２０ｃ’が形成されている。
１３、ＭＱＷ活性層１４、ｐ型Ａｌ 0.5Ｇａ0.5Ａｓクラ
ッド層１５およびｐ型分布ブラッグ反射層１６は円盤状
にエッチングされ、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２０ｃ
の側壁が露出されている。そして、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａ
ｓ酸化層２０ｃの側壁部分を酸化性ガスに晒して、Ａｌ
0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２０ｃをリング状に酸化するこ
とにより、Ａｌ0. 98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２０ｃ周囲にリ
ング状の酸化領域２０ｃ’が形成されている。
【００４４】ここで、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２０
ｃを酸化する場合、Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ酸化ストップ層
２０ｂ、２０ｄにより、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２
０ｃの側壁を介して進入した酸化性ガスが、Ａｌ0.98Ｇ
ａ0.02Ａｓ酸化層２０ｃの界面を介してのＡｌ0.9Ｇａ
0.1Ａｓスペーサ層２０ａ、２０ｅに進入することを抑
制することができ、高アルミ組成のＡｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ
スペーサ層２０ａ、２０ｅの酸化を抑制することができ
る。
ｃを酸化する場合、Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ酸化ストップ層
２０ｂ、２０ｄにより、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２
０ｃの側壁を介して進入した酸化性ガスが、Ａｌ0.98Ｇ
ａ0.02Ａｓ酸化層２０ｃの界面を介してのＡｌ0.9Ｇａ
0.1Ａｓスペーサ層２０ａ、２０ｅに進入することを抑
制することができ、高アルミ組成のＡｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ
スペーサ層２０ａ、２０ｅの酸化を抑制することができ
る。
【００４５】このため、Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２
０ｃが酸化された場合の体積収縮を抑制するために、Ａ
ｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２０ｃの厚みを薄くしてＡｌ
0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層２０ａ、２０ｅを設けた場合
においても、Ａｌ0.98Ｇａ0 .02Ａｓ酸化層２０ｃのみを
効率よく酸化することができ、酸化領域２０ｃ’を形成
する際の結晶歪を低減することができる。
０ｃが酸化された場合の体積収縮を抑制するために、Ａ
ｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層２０ｃの厚みを薄くしてＡｌ
0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ層２０ａ、２０ｅを設けた場合
においても、Ａｌ0.98Ｇａ0 .02Ａｓ酸化層２０ｃのみを
効率よく酸化することができ、酸化領域２０ｃ’を形成
する際の結晶歪を低減することができる。
【００４６】また、ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層
１３、ＭＱＷ活性層１４、ｐ型Ａｌ 0.5Ｇａ0.5Ａｓクラ
ッド層１５およびｐ型分布ブラッグ反射層１６の側壁に
は、ポリイミドなどの絶縁膜１７が形成され、ｐ型分布
ブラッグ反射層１６上および絶縁膜１７上には、電流Ｉ
を注入するためのｐ側電極１８が形成されている。ここ
で、ｐ側電極１８の中心部には、出射光の損失を減らす
ために開口部が形成されている。
１３、ＭＱＷ活性層１４、ｐ型Ａｌ 0.5Ｇａ0.5Ａｓクラ
ッド層１５およびｐ型分布ブラッグ反射層１６の側壁に
は、ポリイミドなどの絶縁膜１７が形成され、ｐ型分布
ブラッグ反射層１６上および絶縁膜１７上には、電流Ｉ
を注入するためのｐ側電極１８が形成されている。ここ
で、ｐ側電極１８の中心部には、出射光の損失を減らす
ために開口部が形成されている。
【００４７】また、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の裏面にはｎ
側電極１９が形成されている。そして、ｐ側電極１８か
ら注入された電流Ｉは、ｐ型分布ブラッグ反射層１６を
進むに従って広がろうとするが、電流狭窄層２０に達す
ると、酸化領域２０ｃ’の内側に狭窄される。このた
め、ｐ側電極１８から注入された電流ＩをＭＱＷ活性層
１４の発光領域に効率よく注入することができ、しきい
値電流を低減して、面発光レーザの高出力化が可能とな
るとともに、面発光レーザの信頼性を向上させることが
可能となる。
側電極１９が形成されている。そして、ｐ側電極１８か
ら注入された電流Ｉは、ｐ型分布ブラッグ反射層１６を
進むに従って広がろうとするが、電流狭窄層２０に達す
ると、酸化領域２０ｃ’の内側に狭窄される。このた
め、ｐ側電極１８から注入された電流ＩをＭＱＷ活性層
１４の発光領域に効率よく注入することができ、しきい
値電流を低減して、面発光レーザの高出力化が可能とな
るとともに、面発光レーザの信頼性を向上させることが
可能となる。
【００４８】なお、上述した実施形態では、８５０ｎｍ
帯ＡｌＧａＡｓ系面発光レーザを例にとって説明した
が、これ以外の分布ブラック反射膜にＡｌＧａＡｓ系を
用いる面発光レーザにも適用できる。例えば、ＩｎＡｌ
ＧａＡｓ系面発光レーザやＡｌＧａＳｂ系面発光レー
ザ、ＩｎＧａＡｓ系面発光レーザ、ＧａＩｎNＡｓ系面
発光レーザなどに適用してもよい。
帯ＡｌＧａＡｓ系面発光レーザを例にとって説明した
が、これ以外の分布ブラック反射膜にＡｌＧａＡｓ系を
用いる面発光レーザにも適用できる。例えば、ＩｎＡｌ
ＧａＡｓ系面発光レーザやＡｌＧａＳｂ系面発光レー
ザ、ＩｎＧａＡｓ系面発光レーザ、ＧａＩｎNＡｓ系面
発光レーザなどに適用してもよい。
【００４９】また、上述した実施形態では、ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１、１１上に面発光レーザを形成する方法につい
て説明したが、ｐ型ＧａＡｓ基板上に面発光レーザを形
成するようにしてもよい。また、上述した実施形態で
は、ｐ型分布ブラッグ反射層６、１６にのみ電流狭窄層
１０、２０を設ける構成について説明したが、ｎ型分布
ブラッグ反射層２、１２に電流狭窄層を設けてもよく、
ｐ型分布ブラッグ反射層６、１６およびｎ型分布ブラッ
グ反射層２、１２の両方に電流狭窄層を設けるようにし
てもよい。
ｓ基板１、１１上に面発光レーザを形成する方法につい
て説明したが、ｐ型ＧａＡｓ基板上に面発光レーザを形
成するようにしてもよい。また、上述した実施形態で
は、ｐ型分布ブラッグ反射層６、１６にのみ電流狭窄層
１０、２０を設ける構成について説明したが、ｎ型分布
ブラッグ反射層２、１２に電流狭窄層を設けてもよく、
ｐ型分布ブラッグ反射層６、１６およびｎ型分布ブラッ
グ反射層２、１２の両方に電流狭窄層を設けるようにし
てもよい。
【００５０】また、上述した実施形態では、ｎ型分布ブ
ラッグ反射層２、１２として、ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａ
ｓ層２ａ、１２ａとｎ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層２ｂ、１
２ｂとを交互に積層し、ｐ型分布ブラッグ反射層６、１
６として、ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ 0.85Ａｓ層６ａ、１６ａと
ｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層６ｂ、１６ｂとを交互に積層
した構造を例にとって説明したが、ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ
0.85Ａｓ層２ａ、１２ａとｎ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層２
ｂ、１２ｂとの間、またはｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層
６ａ、１６ａとｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層６ｂ、１６ｂ
との間に、０．１５＜ｃ＜０．９のＡｌ組成ｃを有する
グレーティッドインデックス層を設けるようにしてもよ
い。
ラッグ反射層２、１２として、ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａ
ｓ層２ａ、１２ａとｎ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層２ｂ、１
２ｂとを交互に積層し、ｐ型分布ブラッグ反射層６、１
６として、ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ 0.85Ａｓ層６ａ、１６ａと
ｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層６ｂ、１６ｂとを交互に積層
した構造を例にとって説明したが、ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ
0.85Ａｓ層２ａ、１２ａとｎ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層２
ｂ、１２ｂとの間、またはｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層
６ａ、１６ａとｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層６ｂ、１６ｂ
との間に、０．１５＜ｃ＜０．９のＡｌ組成ｃを有する
グレーティッドインデックス層を設けるようにしてもよ
い。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
酸化層の酸化に伴うスペーサ層の酸化を抑制することが
可能となり、面発光レーザの結晶構造に対する歪を低減
しつつ、電流狭窄を実現することが可能となる。
酸化層の酸化に伴うスペーサ層の酸化を抑制することが
可能となり、面発光レーザの結晶構造に対する歪を低減
しつつ、電流狭窄を実現することが可能となる。
【図１】図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る面
発光レーザの概略構成を示す断面図、図１（ｂ）は、図
１（ａ）のｐ型分布ブラッグ反射層６の部分を拡大して
示す断面図である。
発光レーザの概略構成を示す断面図、図１（ｂ）は、図
１（ａ）のｐ型分布ブラッグ反射層６の部分を拡大して
示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る面発光レーザの製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る面発光レーザの製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図４】図４（ａ）は、本発明の第２実施形態に係る面
発光レーザの概略構成を示す断面図、図４（ｂ）は、図
４（ａ）のｐ型分布ブラッグ反射層１６の部分を拡大し
て示す断面図である。
発光レーザの概略構成を示す断面図、図４（ｂ）は、図
４（ａ）のｐ型分布ブラッグ反射層１６の部分を拡大し
て示す断面図である。
１、１１ ｎ型ＧａＡｓ基板
２、１２ ｎ型分布ブラッグ反射層
２ａ、１２ａ ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層
２ｂ、１２ｂ ｎ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層
３、１３ ｎ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層
４、１４ ＭＱＷ活性層
５、１５ ｐ型Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層
６、１６ ｐ型分布ブラッグ反射層
６ａ、１６ａ ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層
６ｂ、１６ｂ ｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層
７、１７ 絶縁層
８、１８ ｐ側電極
９、１９ ｎ側電極
１０、２０ 電流狭窄層
１０ｃ、２０ａ、２０ｅ Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓスペーサ
層 １０ｂ、２０ｂ、２０ｄ Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ酸化スト
ップ層 １０ａ、２０ｃ Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層 １０ａ’、２０ｃ’ 酸化領域
層 １０ｂ、２０ｂ、２０ｄ Ａｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓ酸化スト
ップ層 １０ａ、２０ｃ Ａｌ0.98Ｇａ0.02Ａｓ酸化層 １０ａ’、２０ｃ’ 酸化領域
Claims (8)
- 【請求項１】 活性層と、 前記活性層の上下層に設けられた分布ブラッグ反射層
と、 前記分布ブラッグ反射層内の少なくとも一層に設けられ
た酸化層と、 前記酸化層の上下面の少なくとも一方に設けられたスペ
ーサ層と、 前記酸化層と前記スペーサ層との間に設けられた酸化ス
トップ層とを備えることを特徴とする面発光レーザ。 - 【請求項２】 前記スペーサ層の厚みは、前記酸化層、
前記スペーサ層および前記酸化ストップ層の全体の厚み
がλ／（４ｎ）（ただし、λは波長、ｎは屈折率）を満
たすように設定されることを特徴とする請求項１記載の
面発光レーザ。 - 【請求項３】 前記分布ブラッグ反射層は、高アルミ組
成層と低アルミ組成層とをペアに持つ多層膜、前記酸化
層、前記スペーサ層および前記酸化ストップ層を有して
いることを特徴とする請求項１または２記載の面発光レ
ーザ。 - 【請求項４】 前記酸化層は、前記分布ブラッグ反射層
を導波する光波の節側に設けられ、前記スペーサ層は、
前記分布ブラッグ反射層を導波する光波の腹側に設けら
れていることを特徴とする請求項３記載の面発光レー
ザ。 - 【請求項５】 前記分布ブラッグ反射層は、高アルミ組
成層と低アルミ組成層とをペアに持つ多層膜、前記酸化
層、前記スペーサ層および前記酸化ストップ層とを有し
ており、 前記酸化層は、前記分布ブラッグ反射層を導波する光波
の節の位置に設けられ、前記スペーサ層は、前記酸化ス
トップ層を介して前記酸化層の上下面に設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の面発光レーザ。 - 【請求項６】 前記酸化層のアルミ組成がｘ、前記スペ
ーサ層のアルミ組成がｙ、前記酸化ストップ層のアルミ
組成がｚであるとすると、 ０≦ｚ＜ｙ＜ｘ≦１ の関係を満たすことを特徴とする請求項１〜５のいずれ
か１項記載の面発光レーザ。 - 【請求項７】 第１導電型半導体基板上に高アルミ組成
層と低アルミ組成層とをペアに持つ第１導電型ブラッグ
反射多層膜を形成する工程と、 前記第１導電型ブラッグ反射多層膜上に第１導電型クラ
ッド層を形成する工程と、 前記第１導電型クラッド層上に活性層を形成する工程
と、 前記活性層上に第２導電型クラッド層を形成する工程
と、 前記第２導電型クラッド層上に高アルミ組成層と低アル
ミ組成層とをペアに持つ第２導電型ブラッグ反射多層膜
を形成する工程と、 前記低アルミ組成層の間に、スペーサ層、酸化ストップ
層および酸化層を形成する工程と、 少なくとも前記第２導電型ブラッグ反射多層膜を円盤状
または多角形またはそれらを組み合わせた形状にエッチ
ングすることにより、前記酸化層の側壁を露出させる工
程と、 前記酸化層の側壁を酸化性ガスに晒すことにより、前記
酸化層の周囲を酸化する工程とを備えることを特徴とす
る面発光レーザの製造方法。 - 【請求項８】 前記高アルミ組成層の組成はＡｌaＧａ
1-aＡｓ、前記低アルミ組成層の組成はＡｌbＧａ1-bＡ
ｓ、前記酸化層の組成はＡｌxＧａ1-xＡｓ、前記スペー
サ層の組成はＡｌyＧａ1-yＡｓ、前記酸化ストップ層の
組成はＡｌzＧａ1-zＡｓであるとすると、 ０≦ｂ≦ｚ＜ｙ≦ａ＜ｘ≦１ または ０≦ｂ≦ｚ＜ａ≦ｙ＜ｘ≦１ の関係を満たすことを特徴とする請求項７記載の面発光
レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002060713A JP4085655B2 (ja) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | 面発光レーザおよび面発光レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002060713A JP4085655B2 (ja) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | 面発光レーザおよび面発光レーザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003258379A true JP2003258379A (ja) | 2003-09-12 |
| JP4085655B2 JP4085655B2 (ja) | 2008-05-14 |
Family
ID=28669975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002060713A Expired - Fee Related JP4085655B2 (ja) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | 面発光レーザおよび面発光レーザの製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4085655B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009266919A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Sony Corp | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP2011211227A (ja) * | 2011-06-20 | 2011-10-20 | Canon Inc | 面発光レーザ、面発光レーザの製造方法、画像形成装置 |
| JP2012019041A (ja) * | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光レーザ |
| US10054870B2 (en) | 2015-12-11 | 2018-08-21 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emitting laser, surface-emitting laser array, laser device, ignitor, internal combustion engine, optical scanner, image forming apparatus, light transmission module, and light emission system |
-
2002
- 2002-03-06 JP JP2002060713A patent/JP4085655B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009266919A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Sony Corp | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
| US8085827B2 (en) | 2008-04-23 | 2011-12-27 | Sony Corporation | Vertical cavity surface emitting laser and method of manufacturing the same |
| US8218596B2 (en) | 2008-04-23 | 2012-07-10 | Sony Corporation | Vertical cavity surface emitting laser and method of manufacturing the same |
| JP2012019041A (ja) * | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光レーザ |
| JP2011211227A (ja) * | 2011-06-20 | 2011-10-20 | Canon Inc | 面発光レーザ、面発光レーザの製造方法、画像形成装置 |
| US10054870B2 (en) | 2015-12-11 | 2018-08-21 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emitting laser, surface-emitting laser array, laser device, ignitor, internal combustion engine, optical scanner, image forming apparatus, light transmission module, and light emission system |
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