JPS61222189A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS61222189A JPS61222189A JP60052606A JP5260685A JPS61222189A JP S61222189 A JPS61222189 A JP S61222189A JP 60052606 A JP60052606 A JP 60052606A JP 5260685 A JP5260685 A JP 5260685A JP S61222189 A JPS61222189 A JP S61222189A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active layer
- layer
- guide
- type
- diffraction grating
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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- H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
- H01S5/1215—Multiplicity of periods
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は波長選択性を付与するために回折格子′４
を形成した半導体レーザに関し、特に光通信用信号光源
として適するＧａ Ｉ ｎＡｓＰ／ Ｉ ｎＰ系の分布
帰還形半導体レーザ（以下ＤＦＢレーザ）に関するもの
である。
として適するＧａ Ｉ ｎＡｓＰ／ Ｉ ｎＰ系の分布
帰還形半導体レーザ（以下ＤＦＢレーザ）に関するもの
である。
〈従来の技術〉
ＩｎＰを基板さして用いたＧａ Ｉ ｎＡｓＰ／ Ｉ
ｎＰ系ダブルへテロ構造の半導体レーザは発振波長１．
０〜１．６μｍの値を有するため、光フアイバ通信用光
源として適しておシ、そのうちでも活性領域近傍に界面
の周期的凹凸構造（回折格子）を付加したＤＦＢレーザ
は、変調時においても単一波長のレーザ発振動作が得ら
れることから、次世代の高水準通信用光源として脚光を
あびている。かかる半導体レーザは、次のような方法に
より製造されている。
ｎＰ系ダブルへテロ構造の半導体レーザは発振波長１．
０〜１．６μｍの値を有するため、光フアイバ通信用光
源として適しておシ、そのうちでも活性領域近傍に界面
の周期的凹凸構造（回折格子）を付加したＤＦＢレーザ
は、変調時においても単一波長のレーザ発振動作が得ら
れることから、次世代の高水準通信用光源として脚光を
あびている。かかる半導体レーザは、次のような方法に
より製造されている。
まず、第２図（４）に示す如くｎ型１ｎＰ基板ｌの表面
に回折格子２を加工する。次いで、該基板１の回折格子
２が形成された面上に１回の液相成長サイクルによｆｉ
ｎ型Ｇａ１ｎＡｓＰのガイド層８．Ｇａ１ｎＡｓＰの活
性層４．ｐ型ＩｎＰのクラッド層５及びｐ型Ｇａ１ｎＡ
ｓＰのキャップ層６を順次連続的に成長させ、第２図（
Ｂ）に示す如くダブルへテロ接合型のし−ザ発振用多層
結晶構造を形成する０上記ガイド層３は活性層４より大
きいバンドギャップを有しておシ、光は活性層４とガイ
ド層３の双方にまたがって伝播するようになっている。
に回折格子２を加工する。次いで、該基板１の回折格子
２が形成された面上に１回の液相成長サイクルによｆｉ
ｎ型Ｇａ１ｎＡｓＰのガイド層８．Ｇａ１ｎＡｓＰの活
性層４．ｐ型ＩｎＰのクラッド層５及びｐ型Ｇａ１ｎＡ
ｓＰのキャップ層６を順次連続的に成長させ、第２図（
Ｂ）に示す如くダブルへテロ接合型のし−ザ発振用多層
結晶構造を形成する０上記ガイド層３は活性層４より大
きいバンドギャップを有しておシ、光は活性層４とガイ
ド層３の双方にまたがって伝播するようになっている。
一方、注入されたキャリアは活性層４の中に閉じ込めら
れており、いわゆる５ＣＨ（５ｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎ
ｆｉｎｅｍｅｎｔＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ）
構造が採用されている。
れており、いわゆる５ＣＨ（５ｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎ
ｆｉｎｅｍｅｎｔＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ）
構造が採用されている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
Ｇａ Ｉ ｎＡｓＰ／ Ｉ ｎＰ系ＤＦＢレーザは通信
用光源として大きな期待を集めているものではあるが、
しかしながら上記従来の製造方法には、次のような問題
点があった。第１の問題点は、成長したウェハーを骨間
により分割してＤＦＢレーザとした場合、両臂開面で構
成されるファプリペロー共振器のモード（Ｆ−Ｐモード
）がＤＦＢモード以外に発振し、安定なりＦＢモード発
振が得られないことである。これを防ぐために、実際の
ＤＦＢレーザでは労開面の片端面を斜め研摩する等の手
段を！使してＦ−Ｐ共振モードの発振を抑圧している。
用光源として大きな期待を集めているものではあるが、
しかしながら上記従来の製造方法には、次のような問題
点があった。第１の問題点は、成長したウェハーを骨間
により分割してＤＦＢレーザとした場合、両臂開面で構
成されるファプリペロー共振器のモード（Ｆ−Ｐモード
）がＤＦＢモード以外に発振し、安定なりＦＢモード発
振が得られないことである。これを防ぐために、実際の
ＤＦＢレーザでは労開面の片端面を斜め研摩する等の手
段を！使してＦ−Ｐ共振モードの発振を抑圧している。
第２の問題点として、このような斜め研摩にょって片端
面からの反射をなくＬＦ−Ｐモードを抑圧しても、もう
一方の反射端面がＤＦＢモードに影響を与え、この端面
の反射率と位相によってはＤＦＢモードが単一とならず
、複数のＤＦＢモードを発振する可能性がある。片面反
射を考慮したＤＦＢモードの所要発振開始利得αは、素
子長をＬ１結合係数をに１反射端面の反射率をＲｔ＝０
．５６５ｅｘｐ（ｉの とすると、 （ｒＬ）２＋ （ｒＬ）２ｄｘｈ２（７ＬＸ ＋−Ｒ
ｔ）＋２ｉにＬＲｊγＬｓｆｎｈ （ｒＬ）房ｈ（ｒＬ
）＝０γ＝（α−１Δβ）２千に２ と表わされる。ここで、Δβは伝播定数のブラッグ波長
からのずれである。尚、ここではθ＝πとした。第８図
にこの式より得られたΔβＬに対するαＬの依存性を示
す０ に＝４０ｍ 、 Ｌ＝５００．４ｍとするとに
Ｌ＝２．０となシ、ブラッグ波長の両側で二つのモード
がほぼ同じ所要発振開始利得をもつこととなシ、２モ一
ド発振の可能性がある。第４図に上記の２モ一ド発振の
場合のスペクトルを示す。図の如く２つのモードが発振
するとＤＦＢＬ／−ザの目的である単一軸モード発振が
得られない。
面からの反射をなくＬＦ−Ｐモードを抑圧しても、もう
一方の反射端面がＤＦＢモードに影響を与え、この端面
の反射率と位相によってはＤＦＢモードが単一とならず
、複数のＤＦＢモードを発振する可能性がある。片面反
射を考慮したＤＦＢモードの所要発振開始利得αは、素
子長をＬ１結合係数をに１反射端面の反射率をＲｔ＝０
．５６５ｅｘｐ（ｉの とすると、 （ｒＬ）２＋ （ｒＬ）２ｄｘｈ２（７ＬＸ ＋−Ｒ
ｔ）＋２ｉにＬＲｊγＬｓｆｎｈ （ｒＬ）房ｈ（ｒＬ
）＝０γ＝（α−１Δβ）２千に２ と表わされる。ここで、Δβは伝播定数のブラッグ波長
からのずれである。尚、ここではθ＝πとした。第８図
にこの式より得られたΔβＬに対するαＬの依存性を示
す０ に＝４０ｍ 、 Ｌ＝５００．４ｍとするとに
Ｌ＝２．０となシ、ブラッグ波長の両側で二つのモード
がほぼ同じ所要発振開始利得をもつこととなシ、２モ一
ド発振の可能性がある。第４図に上記の２モ一ド発振の
場合のスペクトルを示す。図の如く２つのモードが発振
するとＤＦＢＬ／−ザの目的である単一軸モード発振が
得られない。
以上の如＜ＤＦＢレーザの端面反射率、その位相及び結
合定数の条件の組み合わせによっては、ＤＦＢレーザが
単一軸モード発振しないことがあり、光ファイバとの光
学的結合等に際して支障をきたすこととなる。
合定数の条件の組み合わせによっては、ＤＦＢレーザが
単一軸モード発振しないことがあり、光ファイバとの光
学的結合等に際して支障をきたすこととなる。
〈発明の目的〉
本発明は上述の問題点に鑑み、ＤＦＢレーザの端面の反
射率、その位相及び結合定数の値にかかわらず安定な単
一モード発振を得ることが可能なりＦＢレーザを提供す
ることを目的とするものである。
射率、その位相及び結合定数の値にかかわらず安定な単
一モード発振を得ることが可能なりＦＢレーザを提供す
ることを目的とするものである。
〈発明の概要〉
本発明は上記目的を達成するため、レーザ発振用活性層
をはさむ上下２つのガイド層を設け、このガイド層双方
に互にピッチの異なる回折格子を形成することによって
、所要発振開始利得の最小のモードが、端面の反射率、
その位相及び結合定数にかかわらず常に１つであるよう
にして、安定な単一モードのＤＦＢレーザを得るように
構成さ九でいる。
をはさむ上下２つのガイド層を設け、このガイド層双方
に互にピッチの異なる回折格子を形成することによって
、所要発振開始利得の最小のモードが、端面の反射率、
その位相及び結合定数にかかわらず常に１つであるよう
にして、安定な単一モードのＤＦＢレーザを得るように
構成さ九でいる。
〈実施例〉
第１図（４）は本発明の１実施例を示す半導体レーザの
模式構成図である。また第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）に
示す半導体レーザの原理説明に供するαＬの波長依存性
を示している。以下製造工程順に説明するＯ まず、（００１）のｎ型ＩｎＰ基板ＩＩの表面にピッチ
Δ１の回折格子！２を加工する。次いで、該基板１１０
回折格子１２側にエピタキシャル成長法でｎ型Ｇａ１ｎ
ＡｓＰガイド層１３．ノンドープＧｍ１ｎＡｓＰ活性層
！４．ｐ型ＧａＩｎＡｓＰガイド層１５を成長させ、レ
ーザ発振用活性層１４の両界面に１対のｎ型ガイド層１
３とｐ型ガイド層＋５を接合させる。ｐ型ガイド層１５
の表面にピッチΔ２（Ａ２＞Ａ１）の回折格子を加工す
る。
模式構成図である。また第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）に
示す半導体レーザの原理説明に供するαＬの波長依存性
を示している。以下製造工程順に説明するＯ まず、（００１）のｎ型ＩｎＰ基板ＩＩの表面にピッチ
Δ１の回折格子！２を加工する。次いで、該基板１１０
回折格子１２側にエピタキシャル成長法でｎ型Ｇａ１ｎ
ＡｓＰガイド層１３．ノンドープＧｍ１ｎＡｓＰ活性層
！４．ｐ型ＧａＩｎＡｓＰガイド層１５を成長させ、レ
ーザ発振用活性層１４の両界面に１対のｎ型ガイド層１
３とｐ型ガイド層＋５を接合させる。ｐ型ガイド層１５
の表面にピッチΔ２（Ａ２＞Ａ１）の回折格子を加工す
る。
次に、この活性層１４をガイド層１８．１５で挟設した
三層構造部上に再度エピタキシャル成長法でｐ型１ｎＰ
クラッド層＋６及びｐ型ＧａＩｎＡｓＰキャップ層１７
を連続的に成長させて、ダブルヘテロ接合構造のレーザ
発振用多層結晶構造ウエノ・を製作する０ここで活性層
■４を挟設する上下２つの光ガイド層１３．１５は活性
層１４よりも屈折率が小さく禁制帯幅が大きくなるよう
に混晶比が設定されている。また各々に異なるピッチΔ
ｌ。
三層構造部上に再度エピタキシャル成長法でｐ型１ｎＰ
クラッド層＋６及びｐ型ＧａＩｎＡｓＰキャップ層１７
を連続的に成長させて、ダブルヘテロ接合構造のレーザ
発振用多層結晶構造ウエノ・を製作する０ここで活性層
■４を挟設する上下２つの光ガイド層１３．１５は活性
層１４よりも屈折率が小さく禁制帯幅が大きくなるよう
に混晶比が設定されている。また各々に異なるピッチΔ
ｌ。
、（２の回折格子を加工する理由は次の如くである０い
ま、第１図のＤＦＢレーザにおいて、上下いずれか一方
だけにピッチ／（Ｈの回折格子を印刻したＤＦＢレーザ
を仮定し、その結合定数をに＝４０ｃＩｎ”、共振器長
をＬ＝５００μｍとする０また回折格子のピッチΔｌを
発振波長λｂｌ”１．５５μｍとなるようにブラッグ反
射の条件より ＝２２１４Ａ （ｎｅｆｆ”有効屈折率） とする。更に活性層１４の四元混晶をλｂｌに対応する
ようにＩｎＯ，６５ＧａＧ、８５ＡＳＯ，７９ＰＯ，２
１とする０この場合のＤＦＢレーザでは第３図よりにＬ
＝２．０であるから、ΔβＬニー４．０とΔβＬユ２．
０にほぼ互に等しい発振開始利得がある。このため、こ
の構造のレーザ素子では次に示すように ！ ！ ΔβＩ＝、β１−βｂｌ ＝ ２π” ｅｆ ｆ （Ａ
、−ａ ｂ、 ）（βｂ＝ブラッグ波長に対応する伝
搬定数）となる。この式にΔβｌ −Ｌ＝ −４、λｂ
１ ＝ １．５５ ｐｍ 。
ま、第１図のＤＦＢレーザにおいて、上下いずれか一方
だけにピッチ／（Ｈの回折格子を印刻したＤＦＢレーザ
を仮定し、その結合定数をに＝４０ｃＩｎ”、共振器長
をＬ＝５００μｍとする０また回折格子のピッチΔｌを
発振波長λｂｌ”１．５５μｍとなるようにブラッグ反
射の条件より ＝２２１４Ａ （ｎｅｆｆ”有効屈折率） とする。更に活性層１４の四元混晶をλｂｌに対応する
ようにＩｎＯ，６５ＧａＧ、８５ＡＳＯ，７９ＰＯ，２
１とする０この場合のＤＦＢレーザでは第３図よりにＬ
＝２．０であるから、ΔβＬニー４．０とΔβＬユ２．
０にほぼ互に等しい発振開始利得がある。このため、こ
の構造のレーザ素子では次に示すように ！ ！ ΔβＩ＝、β１−βｂｌ ＝ ２π” ｅｆ ｆ （Ａ
、−ａ ｂ、 ）（βｂ＝ブラッグ波長に対応する伝
搬定数）となる。この式にΔβｌ −Ｌ＝ −４、λｂ
１ ＝ １．５５ ｐｍ 。
ｎ ｅｆ ｆ＝ ８．５０ 、 Ｌ＝５００ ｐｍを代
入するととなる。またΔ自・Ｌ＝２の場合は となり、λ菖−λ１’＝＋ａＸ離れた２つの波長で発振
する可能性がある。
入するととなる。またΔ自・Ｌ＝２の場合は となり、λ菖−λ１’＝＋ａＸ離れた２つの波長で発振
する可能性がある。
次にピッチΔ２の回折格子のみを印刻したＤＦＢレーザ
を仮定し、上記λ１．λ１′に対応する値をλ２゜λ２
′とすると となる。
を仮定し、上記λ１．λ１′に対応する値をλ２゜λ２
′とすると となる。
次に第４図に示す２つの回折格子を印刻した構造のＤＦ
Ｂレーザにおいて各回折格子のピッチΔｌ。
Ｂレーザにおいて各回折格子のピッチΔｌ。
Δ２を以下によって決定する。即ち、上述のピッチｌＩ
におけるブラッグ波長より長波長側の発振閾値利得最小
となる波長λｌとピッチΔ２におけるブラッグ波長より
短波長側の発振閾値利得最小となる波長λ２′が等しい
値（λｌ＝λ２′）となるように設定する。従って、 となる。λｂｌとλｂ２を決定し よりΔ１．Δ２を決定する。
におけるブラッグ波長より長波長側の発振閾値利得最小
となる波長λｌとピッチΔ２におけるブラッグ波長より
短波長側の発振閾値利得最小となる波長λ２′が等しい
値（λｌ＝λ２′）となるように設定する。従って、 となる。λｂｌとλｂ２を決定し よりΔ１．Δ２を決定する。
上述の様にＡｌ、Δ２を選定すると、各々の回折格子に
よって定まるΔβＩＬ、Δβ２Ｌ対αＬ壽性は１つのグ
ラフに書き表わすと第１図（Ｂ）の如くとなる。同図に
はΔβＩＬとΔβ２Ｌに対応する波長も記しである０第
１図（４）に示すＤＦＢレーザにおけるαＬの波長依存
性は、近似的には第１図（Ｂ）に示す２つのαＬの波長
依存性の平均と考えてよい０このため、第１図（４）の
ＤＦＢレーザでは第１図（Ｂ）よりλ＝１．５５０９μ
ｍのとき発振開始利得が最小となりかつ他の波長の発振
開始利得よりも十分に小さい。このため、発振スペクト
ルは常に単一となる。
よって定まるΔβＩＬ、Δβ２Ｌ対αＬ壽性は１つのグ
ラフに書き表わすと第１図（Ｂ）の如くとなる。同図に
はΔβＩＬとΔβ２Ｌに対応する波長も記しである０第
１図（４）に示すＤＦＢレーザにおけるαＬの波長依存
性は、近似的には第１図（Ｂ）に示す２つのαＬの波長
依存性の平均と考えてよい０このため、第１図（４）の
ＤＦＢレーザでは第１図（Ｂ）よりλ＝１．５５０９μ
ｍのとき発振開始利得が最小となりかつ他の波長の発振
開始利得よりも十分に小さい。このため、発振スペクト
ルは常に単一となる。
なお、上述の実施例は片面反射で位相がπの場合につい
て記したが、詳細な計算によると、Ａｌ。
て記したが、詳細な計算によると、Ａｌ。
Δ２の値を同程度に違えることによって、端面反射率及
び位相の値にかかわらず、最小利得を与える波長が唯一
に決定され、単一軸モード発振が得られる。また半導体
レーザはＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系に限定されず他の材
料を用いることも可能であり、更にはＤＦＢレーザ以外
に分布ブラッグ反射型レーザ（ＤＢＲレーザ）に適用す
ることもできる０〈発明の効果〉 ｅ＋上詳述した如く、本発明によれば常に単一軸モード
発振が可能な半導体レーザを容易に得ることができると
共に発振波長を良好に制御できる等顕著な効果を奏する
ｂ
び位相の値にかかわらず、最小利得を与える波長が唯一
に決定され、単一軸モード発振が得られる。また半導体
レーザはＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系に限定されず他の材
料を用いることも可能であり、更にはＤＦＢレーザ以外
に分布ブラッグ反射型レーザ（ＤＢＲレーザ）に適用す
ることもできる０〈発明の効果〉 ｅ＋上詳述した如く、本発明によれば常に単一軸モード
発振が可能な半導体レーザを容易に得ることができると
共に発振波長を良好に制御できる等顕著な効果を奏する
ｂ
第１図（４）（Ｂ）は本発明の夏実施例を示すＤＦＢレ
ーザの模式断面図及びαＬの波長依存性を示す説明図で
ある。第２図囚（Ｂ）は従来のＤＦＢレーザを製造工程
順に示す断面図である。第８図は所要発振開始利得αＬ
の波長依存性を示す説明図である。 第４図は２モ一ド発振する分布帰還型レーザのスペクト
ル特性図である。 １し・・ｎ型１ｎＰ基板、＋２・・・回折格子、＋３・
・・ｎ型ガイド層、１４・・・ノンドープ活性層、１５
・・・ｐ型ガイド層 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）にＬ＃２．
０ 第１図 咲来のＤＦ８シーｔ″ 第２図 Δβ・Ｌ 第３図 球り酷 スイク７Ｌルキ舎ヤおＶ 第４図
ーザの模式断面図及びαＬの波長依存性を示す説明図で
ある。第２図囚（Ｂ）は従来のＤＦＢレーザを製造工程
順に示す断面図である。第８図は所要発振開始利得αＬ
の波長依存性を示す説明図である。 第４図は２モ一ド発振する分布帰還型レーザのスペクト
ル特性図である。 １し・・ｎ型１ｎＰ基板、＋２・・・回折格子、＋３・
・・ｎ型ガイド層、１４・・・ノンドープ活性層、１５
・・・ｐ型ガイド層 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）にＬ＃２．
０ 第１図 咲来のＤＦ８シーｔ″ 第２図 Δβ・Ｌ 第３図 球り酷 スイク７Ｌルキ舎ヤおＶ 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上にレーザ発振用活性層と該活性層の両
界面に接合される該活性層より屈折率が小さく禁制帯幅
が大きい１対のガイド層とから成る三層構造を成長形成
し、前記両ガイド層の少なくとも１界面に前記両ガイド
層の各々間で配列ピッチが異なる回折格子を内設したこ
とを特徴とする半導体レーザ。 ２、回折格子の各々のピッチに対応して定まるブラッグ
波長より長波長側と短波長側での発振閾値利得最小とな
る発振波長が一致するように回折格子の配列ピッチを設
定した特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60052606A JPS61222189A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 半導体レ−ザ |
| US06/839,869 US4803690A (en) | 1985-03-15 | 1986-03-13 | Semiconductor laser |
| EP86301868A EP0194894B1 (en) | 1985-03-15 | 1986-03-14 | A semiconductor laser |
| DE8686301868T DE3678471D1 (de) | 1985-03-15 | 1986-03-14 | Halbleiterlaser. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60052606A JPS61222189A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61222189A true JPS61222189A (ja) | 1986-10-02 |
| JPH0337874B2 JPH0337874B2 (ja) | 1991-06-06 |
Family
ID=12919447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60052606A Granted JPS61222189A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 半導体レ−ザ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4803690A (ja) |
| EP (1) | EP0194894B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61222189A (ja) |
| DE (1) | DE3678471D1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100453814B1 (ko) * | 2002-02-07 | 2004-10-20 | 한국전자통신연구원 | 이종 회절격자를 가지는 반도체 광소자 및 그 제조 방법 |
| KR100572745B1 (ko) * | 2002-02-12 | 2006-04-25 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 분포귀환형 레이저장치 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2209408B (en) * | 1987-09-04 | 1991-08-21 | Plessey Co Plc | Optical waveguide device having surface relief diffraction grating |
| EP0309744A3 (de) * | 1987-09-29 | 1989-06-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Anordnung mit einem flächig sich erstreckenden Dünnfilmwellenleiter |
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| DE3934865A1 (de) * | 1989-10-19 | 1991-04-25 | Siemens Ag | Hochfrequent modulierbarer halbleiterlaser |
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