JPH0856049A - 面発光レーザの偏波制御法 - Google Patents
面発光レーザの偏波制御法Info
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- JPH0856049A JPH0856049A JP6211730A JP21173094A JPH0856049A JP H0856049 A JPH0856049 A JP H0856049A JP 6211730 A JP6211730 A JP 6211730A JP 21173094 A JP21173094 A JP 21173094A JP H0856049 A JPH0856049 A JP H0856049A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、光インターコネクション、大容量
光通信、光磁気ディスク等次世代エレクトロニクスキィ
デバイスとしての応用を目指した面発光レーザの偏波制
御法を提供するにある。 【構成】本発明は、基板面と垂直に光を出射する面発光
レーザの偏波方向を、金属／誘電体回折格子型偏光子と
半導体多層膜反射鏡から成る複合反射鏡の複屈折と位相
差を用いて制御することを特徴とする面発光レーザの偏
波制御法にある。
光通信、光磁気ディスク等次世代エレクトロニクスキィ
デバイスとしての応用を目指した面発光レーザの偏波制
御法を提供するにある。 【構成】本発明は、基板面と垂直に光を出射する面発光
レーザの偏波方向を、金属／誘電体回折格子型偏光子と
半導体多層膜反射鏡から成る複合反射鏡の複屈折と位相
差を用いて制御することを特徴とする面発光レーザの偏
波制御法にある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光インターコネクショ
ン、大容量光通信、光磁気ディスク等次世代エレクトロ
ニクスキィデバイスとしての応用を目指した面発光レー
ザの偏波制御法を提供するにある。
ン、大容量光通信、光磁気ディスク等次世代エレクトロ
ニクスキィデバイスとしての応用を目指した面発光レー
ザの偏波制御法を提供するにある。
【０００２】
【従来の技術】通常の端面出射型半導体レーザの導波モ
ードには互いに偏波方向が直交するＴＥ波とＴＭ波があ
る。半導体と空気の反射面においてＴＥ波の反射率が高
く、ＴＥ波の偏波方向でレーザ発振が起こる。しかし円
筒座標系を持つ垂直共振器面発光レーザの偏波方向は面
内でランダムであり、何らかの偏波制御機構が導入され
なければ安定な偏波状態が得られない。また従来、面発
光レーザの偏波を確実に制御する方法が提案されていな
い。
ードには互いに偏波方向が直交するＴＥ波とＴＭ波があ
る。半導体と空気の反射面においてＴＥ波の反射率が高
く、ＴＥ波の偏波方向でレーザ発振が起こる。しかし円
筒座標系を持つ垂直共振器面発光レーザの偏波方向は面
内でランダムであり、何らかの偏波制御機構が導入され
なければ安定な偏波状態が得られない。また従来、面発
光レーザの偏波を確実に制御する方法が提案されていな
い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】面発光レーザの偏波方
向は駆動電流の増加とともに直交する偏波にスイッチン
グが起きる場合がある。システムに応用する場合、偏波
スイッチング時に生じる過剰雑音、発振波長変化は問題
となる。また面発光レーザの偏波を情報として利用する
システムとして、光磁気ディスク等が考えられ、偏波方
向を固定する必要がある。本発明は、面発光レーザの偏
波安定性が実現されることを目的とする。
向は駆動電流の増加とともに直交する偏波にスイッチン
グが起きる場合がある。システムに応用する場合、偏波
スイッチング時に生じる過剰雑音、発振波長変化は問題
となる。また面発光レーザの偏波を情報として利用する
システムとして、光磁気ディスク等が考えられ、偏波方
向を固定する必要がある。本発明は、面発光レーザの偏
波安定性が実現されることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明では、面発光レー
ザの偏波状態を制御するための新しい偏波制御法を提案
するものであって、本発明は、共振器の損失に強い偏波
依存性を持たせることで、安定な偏波状態の制御を実現
しようとするものである。
ザの偏波状態を制御するための新しい偏波制御法を提案
するものであって、本発明は、共振器の損失に強い偏波
依存性を持たせることで、安定な偏波状態の制御を実現
しようとするものである。
【０００５】本発明は、基板面と垂直に光を出射する面
発光レーザの偏波方向を、金属／誘電体回折格子型偏光
子と半導体多層膜反射鏡から成る複合反射鏡の複屈折と
位相差を用いて制御することを特徴とする面発光レーザ
の偏波制御法にある。
発光レーザの偏波方向を、金属／誘電体回折格子型偏光
子と半導体多層膜反射鏡から成る複合反射鏡の複屈折と
位相差を用いて制御することを特徴とする面発光レーザ
の偏波制御法にある。
【０００６】本発明の実施に当っては、金属／半導体偏
光子と半導体多層膜反射鏡から成る複合反射鏡により偏
波方向を制御するものにおいて、金属を同時に電極とし
て利用することが好ましい。
光子と半導体多層膜反射鏡から成る複合反射鏡により偏
波方向を制御するものにおいて、金属を同時に電極とし
て利用することが好ましい。
【０００７】
【作用】波長より小さい周期の金属／誘電体回折格子型
偏光子は直交する偏波に対して複屈折を示す。この偏光
子を面発光レーザの共振器を形成する半導体多層膜反射
鏡の上部に導入し、複合反射鏡を形成する。この複合反
射鏡内部での複屈折と位相差を考慮することで直交する
偏波に対して偏波依存性を設けることができる。例えば
金属として光の波長に対して屈折率の虚部が大きいＡ
ｕ、誘電体として光の波長に対して透明なＳｉＯ2 を用
いて回折格子型偏光子を形成する。２つの屈折率の異な
る半導体を積層して形成する半導体多層膜反射鏡とし
て、例えばＧａＡｓ／ＡｌＡｓ多層膜反射鏡を用いる。
偏光子部分では回折格子に垂直方向
偏光子は直交する偏波に対して複屈折を示す。この偏光
子を面発光レーザの共振器を形成する半導体多層膜反射
鏡の上部に導入し、複合反射鏡を形成する。この複合反
射鏡内部での複屈折と位相差を考慮することで直交する
偏波に対して偏波依存性を設けることができる。例えば
金属として光の波長に対して屈折率の虚部が大きいＡ
ｕ、誘電体として光の波長に対して透明なＳｉＯ2 を用
いて回折格子型偏光子を形成する。２つの屈折率の異な
る半導体を積層して形成する半導体多層膜反射鏡とし
て、例えばＧａＡｓ／ＡｌＡｓ多層膜反射鏡を用いる。
偏光子部分では回折格子に垂直方向
【外１】 と偏波方向
【外２】 の偏波に対して複屈折を示す。
【外３】 に対しては誘電体、
【外４】 に対しては金属的な屈折率を示す。そこで半導体多層膜
上部のキャップ層を位相補償膜としてその膜厚を制御す
ることで
上部のキャップ層を位相補償膜としてその膜厚を制御す
ることで
【外５】 に対してのみ共振波長λにおいて位相、つまり反射率の
低いティップを設けることができる。
低いティップを設けることができる。
【外６】 に対しては高い反射率を維持することから他のレーザ特
性に影響は与えない。
性に影響は与えない。
【０００８】また金属／半導体偏光子と半導体多層膜反
射鏡から成る複合反射鏡も同様な原理で偏波方向を制御
できる。例えば金属として金を用いることで電極として
作用させることができる。
射鏡から成る複合反射鏡も同様な原理で偏波方向を制御
できる。例えば金属として金を用いることで電極として
作用させることができる。
【０００９】以下にその動作機構を具体的に説明する。
図１に示す如く、本発明の偏波制御素子の構造は、誘電
体／金属周期構造の偏光子と半導体多層膜反射鏡から構
成される。図１は、本発明の面発光レーザの偏波制御を
行う偏光子構造を示す斜視図である。図１において、１
はＧａＡｓ／ＡｌＡｓのＤＢＲ層、２はＧａＡｓキャッ
プ層、３はＳｉＯ2 層、４はＡｕ層を示し、ｔ1 ，ｔ2
はギャップを示す。
図１に示す如く、本発明の偏波制御素子の構造は、誘電
体／金属周期構造の偏光子と半導体多層膜反射鏡から構
成される。図１は、本発明の面発光レーザの偏波制御を
行う偏光子構造を示す斜視図である。図１において、１
はＧａＡｓ／ＡｌＡｓのＤＢＲ層、２はＧａＡｓキャッ
プ層、３はＳｉＯ2 層、４はＡｕ層を示し、ｔ1 ，ｔ2
はギャップを示す。
【００１０】誘電体・金属周期構造は、電界が周期構造
と垂直方向の場合には誘電体的な性質を示し、電界が平
行方向のときには金属的な性質を示す。従って、このよ
うな偏光子で反射された光の位相は、強い偏波依存性を
有することになる。このような偏光子で終端された半導
体多層膜反射鏡の反射率は、各偏波状態の位相を調節す
ることにより、例えば、偏光子と平行方向の光に対し
て、低下させ、逆に直交する偏波に対しては増大させる
ことが可能である。理論的に、偏光子としてＡｕとＳｉ
Ｏ2 の周期構造を想定すると、約10％程度の大きな反射
率差を設けることが可能である。実際にＡｌＡｓ／Ｇａ
Ａｓ半導体多層膜とこのような偏光子を組み合わせた偏
波制御構造を試作したところ、図４に示すように５％程
度の大きな反射率差を直交する偏波間で実現することが
できた。また、この反射率差の値は、面発光レーザの偏
波状態を制御する上で充分な値であることが理論的に確
かめられた。
と垂直方向の場合には誘電体的な性質を示し、電界が平
行方向のときには金属的な性質を示す。従って、このよ
うな偏光子で反射された光の位相は、強い偏波依存性を
有することになる。このような偏光子で終端された半導
体多層膜反射鏡の反射率は、各偏波状態の位相を調節す
ることにより、例えば、偏光子と平行方向の光に対し
て、低下させ、逆に直交する偏波に対しては増大させる
ことが可能である。理論的に、偏光子としてＡｕとＳｉ
Ｏ2 の周期構造を想定すると、約10％程度の大きな反射
率差を設けることが可能である。実際にＡｌＡｓ／Ｇａ
Ａｓ半導体多層膜とこのような偏光子を組み合わせた偏
波制御構造を試作したところ、図４に示すように５％程
度の大きな反射率差を直交する偏波間で実現することが
できた。また、この反射率差の値は、面発光レーザの偏
波状態を制御する上で充分な値であることが理論的に確
かめられた。
【００１１】また、本発明の面発光レーザの偏波制御構
造の主要部分である金属／誘電体偏光子の作製法として
は、干渉露光法等による周期構造形成技術が適用でき、
量産技術としても適用可能である。このように、本発明
の偏波制御構造は、面発光レーザの偏波制御法としは、
実用上、性能上からみても、優れた方法であると考えら
れる。
造の主要部分である金属／誘電体偏光子の作製法として
は、干渉露光法等による周期構造形成技術が適用でき、
量産技術としても適用可能である。このように、本発明
の偏波制御構造は、面発光レーザの偏波制御法としは、
実用上、性能上からみても、優れた方法であると考えら
れる。
【００１２】
1.実験の目的 将来の大容量光通信、光インタコネクション等への応用
が期待される面発光レーザの偏波を制御することは低雑
音化の点で極めて重要である。これまでに面発光レーザ
の偏波決定要因の解明と偏波制御を試みてきた。本発明
においては、より安定な制御を目的として金属／誘電体
回折格子型偏光子と半導体多層膜反射鏡から成る複合反
射鏡を用いて制御する方法の開発に成功した本発明を知
見した。
が期待される面発光レーザの偏波を制御することは低雑
音化の点で極めて重要である。これまでに面発光レーザ
の偏波決定要因の解明と偏波制御を試みてきた。本発明
においては、より安定な制御を目的として金属／誘電体
回折格子型偏光子と半導体多層膜反射鏡から成る複合反
射鏡を用いて制御する方法の開発に成功した本発明を知
見した。
【００１３】垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥ
Ｌ）は単一論理モード操作、出力のサーキュラー、ビー
ム、スポット及び低しきい値電流等に幾多の利点があ
る。しかし、これらのポテンシャルは平行な光学通信、
光学的相互連結及び光学操作の光源の作製には有効であ
る。
Ｌ）は単一論理モード操作、出力のサーキュラー、ビー
ム、スポット及び低しきい値電流等に幾多の利点があ
る。しかし、これらのポテンシャルは平行な光学通信、
光学的相互連結及び光学操作の光源の作製には有効であ
る。
【００１４】前記ＶＣＳＥＬの偏光特性は知られてお
り、更に強い偏波選択性が固定偏波状態の安定操作のた
めに必要であることが知られている。従来の研究では、
本発明者等は直線的に偏波した振動の機構を提案した、
そして楕円形にエッジした基板の孔より異方性ストレス
により偏波制御して80％の再現性を達成した。他の出力
偏波制御ではフラクション層超格子構造の異方性利得媒
体又はオフ−アングル基板上の歪んだ量子井戸（ＱＷ）
によりデモンストレートした。本発明者等は積層金属／
誘電体偏光子を使用すると共に、２つの偏光モード間の
フェース遅延を調節する新規の偏波制御方法を開発し
た。
り、更に強い偏波選択性が固定偏波状態の安定操作のた
めに必要であることが知られている。従来の研究では、
本発明者等は直線的に偏波した振動の機構を提案した、
そして楕円形にエッジした基板の孔より異方性ストレス
により偏波制御して80％の再現性を達成した。他の出力
偏波制御ではフラクション層超格子構造の異方性利得媒
体又はオフ−アングル基板上の歪んだ量子井戸（ＱＷ）
によりデモンストレートした。本発明者等は積層金属／
誘電体偏光子を使用すると共に、２つの偏光モード間の
フェース遅延を調節する新規の偏波制御方法を開発し
た。
【００１５】図１に面発光レーザの偏波制御を行う偏光
子構造を示す。２つの偏波状態に対して複屈折を生ずる
周期的金属／誘電体格子をＧａＡｓ／ＡｌＡｓで分布し
たブラック反射鏡（ＤＢＲ）の頂部に導入した。格子に
対して直角及び平行な電界をもった電波を図１に示すよ
うに、
子構造を示す。２つの偏波状態に対して複屈折を生ずる
周期的金属／誘電体格子をＧａＡｓ／ＡｌＡｓで分布し
たブラック反射鏡（ＤＢＲ）の頂部に導入した。格子に
対して直角及び平行な電界をもった電波を図１に示すよ
うに、
【外７】 と定義した。金属／誘電体において、２つの偏波状態の
大きな減衰は103 〜104の範囲の一つの偏光を抑制する
ことに使用される。他方、本発明の方法では、偏波の選
択性は金属／誘電体偏光子及びＤＢＲよりなる複合反射
鏡のフェイス状態を調節することにより偏光子の複屈折
性能によっている。
大きな減衰は103 〜104の範囲の一つの偏光を抑制する
ことに使用される。他方、本発明の方法では、偏波の選
択性は金属／誘電体偏光子及びＤＢＲよりなる複合反射
鏡のフェイス状態を調節することにより偏光子の複屈折
性能によっている。
【００１６】本発明で提案する偏波制御機構は、電界が
平面波であると仮定すると次の如く説明できる。偏光子
とＧａＡｓキャップ層との間の境界において、
平面波であると仮定すると次の如く説明できる。偏光子
とＧａＡｓキャップ層との間の境界において、
【外８】 に対する反射率は
【外９】 に対する反射率より高く、そのフェイスはその複屈折に
より互いに相違している。従って、
より互いに相違している。従って、
【外１０】 に対して反共振フェイス状態となるようフェイスをコン
トロールし、ＧａＡｓキャップ層の厚みを調節すること
により、キャビティ共振波長で
トロールし、ＧａＡｓキャップ層の厚みを調節すること
により、キャビティ共振波長で
【外１１】 に対する反射率の低いティップを設けることができる。
他方、
他方、
【外１２】 に対する反射率は常に高く保持できる。
【００１７】例えば、横幅がＡｕに対し1000Åで、Ｓｉ
Ｏ2 に対し5000ÅであるＡｕ／ＳｉＯ2 について述べる
とすると、堆積したＳｉＯ2 の厚みは1.5 ×λ／４であ
る。ここでλはキャビティ共振波長である。この場合、
偏光子領域の
Ｏ2 に対し5000ÅであるＡｕ／ＳｉＯ2 について述べる
とすると、堆積したＳｉＯ2 の厚みは1.5 ×λ／４であ
る。ここでλはキャビティ共振波長である。この場合、
偏光子領域の
【外１３】 に対し計算した有効反射指数は
【数１】 となる。
【００１８】図２は
【外１４】 に対する反射率の計算値を示す。ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ
ＤＢＲスタックは15ペアより成り、キャビティ共振波長
λは1.0 μｍである。ＧａＡｓキャップ層の厚さを0.33
×λ／４にセットすると、
ＤＢＲスタックは15ペアより成り、キャビティ共振波長
λは1.0 μｍである。ＧａＡｓキャップ層の厚さを0.33
×λ／４にセットすると、
【外１５】 の反射率はキャビティ共振波長で顕著に低下する。図２
に示すように、キャビティ共振波長において、47％の反
射率の差を得ることができると共に、
に示すように、キャビティ共振波長において、47％の反
射率の差を得ることができると共に、
【外１６】 の反射率は99.9％に保持できる。反共振の終了を考慮に
入れなければ、キャビティ波長における反射率の差違は
λ／４のキャップ層に対して0.004 ％だけである。
入れなければ、キャビティ波長における反射率の差違は
λ／４のキャップ層に対して0.004 ％だけである。
【００１９】本構成の他の特徴は偏光子のＳｉＯ2 の厚
さを変えることにより
さを変えることにより
【外１７】 ティップの位置を制御できる。図３においては、ＳｉＯ
2 の厚さがλ／８であると、
2 の厚さがλ／８であると、
【外１８】 ティップが
【外１９】 ティップに近いような反射率スぺクトルを示す。キャビ
ティ共振波長を時間的にチューニングすることにより、
２つの直角の偏波モード間の高速スイッチが期待でき
る。
ティ共振波長を時間的にチューニングすることにより、
２つの直角の偏波モード間の高速スイッチが期待でき
る。
【００２０】本構造の偏波選択を試験的に試みるため
に、低圧の金属−有機化学蒸気堆積により成長した10組
のＧａＡｓ／ＡｌＡｓ ＤＢＲをターミネイトした。
に、低圧の金属−有機化学蒸気堆積により成長した10組
のＧａＡｓ／ＡｌＡｓ ＤＢＲをターミネイトした。
【００２１】Ａｕ（4000Å）／ＳｉＯ2 （1.0 μｍ）の
偏光子を製造した。ブラッグ（Ｂｒａｇｇ）波長は1.0
μｍである。キャップ層の厚さは偏光子とＤＢＲよりな
る複合鏡におけるフェイスの整合を考慮して0.44×λ／
４と決定した。反射率差の計算値は、ブラッグ波長の99
％である。第１に、ＤＢＲ上で厚さλ／４のＳｉＯ2 の
層を電子ビームリソグラフィによりパターン化し、ＣＦ
4 反応性イオンエッチング法によりエッチングした。し
かる後、金（Ａｕ）を蒸発しエッジした溝に担持させそ
の全表面を被覆した。基板を研磨して100 μｍ以下とし
た後、両
偏光子を製造した。ブラッグ（Ｂｒａｇｇ）波長は1.0
μｍである。キャップ層の厚さは偏光子とＤＢＲよりな
る複合鏡におけるフェイスの整合を考慮して0.44×λ／
４と決定した。反射率差の計算値は、ブラッグ波長の99
％である。第１に、ＤＢＲ上で厚さλ／４のＳｉＯ2 の
層を電子ビームリソグラフィによりパターン化し、ＣＦ
4 反応性イオンエッチング法によりエッチングした。し
かる後、金（Ａｕ）を蒸発しエッジした溝に担持させそ
の全表面を被覆した。基板を研磨して100 μｍ以下とし
た後、両
【外２０】 に対する反射率スぺクトルを基板側より測定し図４に示
した。反射率差は1.0μｍの波長で5.4 ％である。反射
率差の測定値は予想値より小さい。その理由は、偏光子
のＳｉＯ2 領域は比較的広いので偏光子とキャップ層間
の境界における
した。反射率差は1.0μｍの波長で5.4 ％である。反射
率差の測定値は予想値より小さい。その理由は、偏光子
のＳｉＯ2 領域は比較的広いので偏光子とキャップ層間
の境界における
【外２１】 に対する反射率は、比較的低いからである。しかし、得
られた反射率差はＶＣＳＥＬの偏波制御に充分であり、
タイトな偏波制御の可能性を示す。ＩｎＧａＡｓ／Ｇａ
Ａｓ ＱＷ−ＶＣＳＥＬＳの偏波制御の概念を適用し
た。
られた反射率差はＶＣＳＥＬの偏波制御に充分であり、
タイトな偏波制御の可能性を示す。ＩｎＧａＡｓ／Ｇａ
Ａｓ ＱＷ−ＶＣＳＥＬＳの偏波制御の概念を適用し
た。
【００２２】結論として、本発明者は金属／誘電体偏光
子を使用した新規偏波制御方法を提案するものである。
ＤＢＲと偏光子との複合反射鏡におけるフェイズマッチ
ングは２つの偏波スティト間の反射率における極端に大
きな差違で提供できる。この偏光子は、標準的ホモグラ
フィ法を使用して通常のＱＷレーザ構造が生長した後製
造できる。本発明の方法は極めて簡単で偏波制御に好適
である。
子を使用した新規偏波制御方法を提案するものである。
ＤＢＲと偏光子との複合反射鏡におけるフェイズマッチ
ングは２つの偏波スティト間の反射率における極端に大
きな差違で提供できる。この偏光子は、標準的ホモグラ
フィ法を使用して通常のＱＷレーザ構造が生長した後製
造できる。本発明の方法は極めて簡単で偏波制御に好適
である。
【００２３】
【発明の効果】以上のようにして、例えば15対のＧａＡ
ｓ／ＡｌＡｓ半導体多層膜反射鏡の上部に金属として金
（幅1000Å）／誘電体としてＳｉＯ2 （幅5000Å）の偏
光子を導入する。
ｓ／ＡｌＡｓ半導体多層膜反射鏡の上部に金属として金
（幅1000Å）／誘電体としてＳｉＯ2 （幅5000Å）の偏
光子を導入する。
【外２２】 に対して逆位相にするためキャップ層（位相補償膜）の
厚さを0.33×λ／４厚にすることで、直交する偏波に対
して共振波長1.0 μｍにおいて47％の反射率差を得るこ
とができる。これは共振器長１μｍで規格化すると3000
cm-1程度の大きい利得差になる。またこときの
厚さを0.33×λ／４厚にすることで、直交する偏波に対
して共振波長1.0 μｍにおいて47％の反射率差を得るこ
とができる。これは共振器長１μｍで規格化すると3000
cm-1程度の大きい利得差になる。またこときの
【外２３】 は99.9％の高反射率を保持している。
【図１】図１は本発明の面発光レーザの偏波制御を行う
偏光子構造を示す斜視図である。
偏光子構造を示す斜視図である。
【図２】図２は本発明の金属／誘電体偏光子と半導体多
層膜反射鏡から成る偏波制御複合反射鏡による直交する
偏波に対する偏波方向制御の場合の反射率特性図であ
る。
層膜反射鏡から成る偏波制御複合反射鏡による直交する
偏波に対する偏波方向制御の場合の反射率特性図であ
る。
【図３】図３は前記偏波制御複合反射鏡による直交する
偏波に対する偏波スイッチングの反射率特性図である。
偏波に対する偏波スイッチングの反射率特性図である。
【図４】図４は本発明により製作した偏光子の反射率特
性図である。
性図である。
１ ＧａＡｓ／ＡｌＡｓのＤＢＲ層 ２ ＧａＡｓのキャップ層 ３ ＳｉＯ2 層 ４ Ａｕ層
【外２４】
【外２５】 ｔ1 ，ｔ2 ギャップの幅 Ｌ1 ギャップの深さ Ｌ2 ＧａＡｓのギャップ層の厚さ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１２月１９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】
【発明の効果】以上のようにして、例えば15対のＧａＡ
ｓ／ＡｌＡｓ半導体多層膜反射鏡の上部に金属として金
（幅1000Å）／誘電体としてＳｉＯ2 （幅5000Å）の偏
光子を導入する。
ｓ／ＡｌＡｓ半導体多層膜反射鏡の上部に金属として金
（幅1000Å）／誘電体としてＳｉＯ2 （幅5000Å）の偏
光子を導入する。
【外２２】 に対して逆位相にするためキャップ層（位相補償膜）の
厚さを0.33×λ／４厚にすることで、平行する偏波に対
して共振波長1.0 μｍにおいて47％の反射率差を得るこ
とができる。これは共振器長１μｍで規格化すると3000
cm-1程度の大きい利得差になる。またこときの
厚さを0.33×λ／４厚にすることで、平行する偏波に対
して共振波長1.0 μｍにおいて47％の反射率差を得るこ
とができる。これは共振器長１μｍで規格化すると3000
cm-1程度の大きい利得差になる。またこときの
【外２３】 は99.9％の高反射率を保持している。
Claims (2)
- 【請求項１】 基板面と垂直に光を出射する面発光レー
ザの偏波方向を、金属／誘電体回折格子型偏光子と半導
体多層膜反射鏡から成る複合反射鏡の複屈折と位相差を
用いて制御することを特徴とする面発光レーザの偏波制
御法。 - 【請求項２】 金属／半導体偏光子と半導体多層膜反射
鏡から成る複合反射鏡により偏波方向を制御するものに
おいて、金属を同時に電極として利用する請求項１記載
の面発光レーザの偏波制御法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6211730A JPH0856049A (ja) | 1994-08-15 | 1994-08-15 | 面発光レーザの偏波制御法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6211730A JPH0856049A (ja) | 1994-08-15 | 1994-08-15 | 面発光レーザの偏波制御法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0856049A true JPH0856049A (ja) | 1996-02-27 |
Family
ID=16610651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6211730A Pending JPH0856049A (ja) | 1994-08-15 | 1994-08-15 | 面発光レーザの偏波制御法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0856049A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001009650A3 (en) * | 1999-08-02 | 2001-08-09 | Univ Jean Monnet | Optical polarizing device and laser polarisation device |
| WO2001091257A3 (en) * | 2000-05-23 | 2002-06-06 | Honeywell Int Inc | System and method for vcsel polarization control |
| KR100462089B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2004-12-17 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 면 발광형 반도체 레이저 및 면 발광형 반도체 레이저어레이 |
| EP1868015A1 (en) * | 1999-08-02 | 2007-12-19 | Universite Jean Monnet | Optical polarizing device and laser polarisation device |
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| EP2190082A2 (de) | 2008-11-21 | 2010-05-26 | Vertilas GMBH | Oberflächenemittierende Halbleiterlaserdiode und Verfahren zur Herstellung derselben |
| US7817176B2 (en) | 2005-12-26 | 2010-10-19 | Ricoh Company, Ltd. | Light source device, optical scanning device, and image forming apparatus |
| US7944957B2 (en) | 2007-05-11 | 2011-05-17 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Surface emitting semiconductor laser, method for fabricating surface emitting semiconductor laser, module, light source apparatus, data processing apparatus, light sending apparatus, optical spatial transmission apparatus, and optical spatial transmission system |
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0521889A (ja) * | 1991-07-10 | 1993-01-29 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
-
1994
- 1994-08-15 JP JP6211730A patent/JPH0856049A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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| US6963598B1 (en) | 2000-05-23 | 2005-11-08 | Finisar Corporation | System and method for VCSEL polarization control |
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| WO2009039844A3 (de) * | 2007-09-28 | 2009-07-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Polarisierte strahlung emittierender halbleiterchip |
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| KR20150122626A (ko) * | 2012-11-30 | 2015-11-02 | 오네라 (오피스 내셔널 드뚜드데 에 드 르셰세 에어로스페시알르) | 광파면의 위상을 제어하기 위한 디바이스 |
| JP2016500160A (ja) * | 2012-11-30 | 2016-01-07 | オフィス ナシオナール デチュード エ ド ルシェルシュ アエロスパシアル | 光学波面の位相制御のための装置 |
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