JP2701596B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JP2701596B2 JP2701596B2 JP16854591A JP16854591A JP2701596B2 JP 2701596 B2 JP2701596 B2 JP 2701596B2 JP 16854591 A JP16854591 A JP 16854591A JP 16854591 A JP16854591 A JP 16854591A JP 2701596 B2 JP2701596 B2 JP 2701596B2
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- JP
- Japan
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- reflection mirror
- mirror layer
- laser device
- semiconductor laser
- layer
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板に垂直な共振器を
有する半導体レーザ装置に関するものである。
有する半導体レーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ装置は、従来結晶基板の端
面内に共振器を形成しているが、結晶成長技術の進歩に
よって基板と垂直方向に共振器を形成することが可能と
なった。
面内に共振器を形成しているが、結晶成長技術の進歩に
よって基板と垂直方向に共振器を形成することが可能と
なった。
【０００３】図３に従来の垂直共振器型のレーザの構造
例を示す。ＧａＡｓ基板１上にＧａＡｓとＡｌＡｓの交
互積層多層膜よりなる第１の反射ミラー層２、ＩｎＧａ
Ａｓの量子井戸をＡｌＧａＡｓでサンドイッチにした活
性層３、ＧａＡｓとＡｌＡｓの交互積層多層膜とＡｕ金
属電極層よりなる第２の反射ミラー層４を形成する。ミ
ラー層の多層膜は１／４波長厚の層より構成される。１
０〜２０層程度の層数で９９％以上の反射率を得ること
が出来る。第２の反射ミラー層４では、電極金属による
反射分も加味することが出来る。第１の反射ミラー層２
はｎ型に第２の反射ミラー層４はｐ型にドープされてい
る。各層を形成した後にメサエッチングにより第２の反
射ミラー層４と活性層３をエッチングすることで横モー
ドが閉じ込められた共振器構造が出来上がる。発振波長
は９５０ｎｍ低度であり、この構造ではレーザ光は基板
側へ出射される。
例を示す。ＧａＡｓ基板１上にＧａＡｓとＡｌＡｓの交
互積層多層膜よりなる第１の反射ミラー層２、ＩｎＧａ
Ａｓの量子井戸をＡｌＧａＡｓでサンドイッチにした活
性層３、ＧａＡｓとＡｌＡｓの交互積層多層膜とＡｕ金
属電極層よりなる第２の反射ミラー層４を形成する。ミ
ラー層の多層膜は１／４波長厚の層より構成される。１
０〜２０層程度の層数で９９％以上の反射率を得ること
が出来る。第２の反射ミラー層４では、電極金属による
反射分も加味することが出来る。第１の反射ミラー層２
はｎ型に第２の反射ミラー層４はｐ型にドープされてい
る。各層を形成した後にメサエッチングにより第２の反
射ミラー層４と活性層３をエッチングすることで横モー
ドが閉じ込められた共振器構造が出来上がる。発振波長
は９５０ｎｍ低度であり、この構造ではレーザ光は基板
側へ出射される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この半導体レーザ装置
に用いられる材料は等方的なものであり、垂直共振器構
造では面内方向の異方性は存在しない。従って、発振す
るレーザ光の偏光方向は一定とはならずに、光学装置へ
の応用が限定されてしまう。
に用いられる材料は等方的なものであり、垂直共振器構
造では面内方向の異方性は存在しない。従って、発振す
るレーザ光の偏光方向は一定とはならずに、光学装置へ
の応用が限定されてしまう。
【０００５】本発明の目的は、上記のような問題点を生
じることなく特定方向の偏光出力を得ることの出来る半
導体レーザ装置を提供することにある。
じることなく特定方向の偏光出力を得ることの出来る半
導体レーザ装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、半導体基板上に第１の反射ミラー層、活性層、第
２の反射ミラー層を順次積層して構成した垂直共振器型
の半導体レーザ装置において、メサエッチングにより共
振器側面を形成し、前記側面の１部分にのみ金属膜を形
成したことを特徴とする。
置は、半導体基板上に第１の反射ミラー層、活性層、第
２の反射ミラー層を順次積層して構成した垂直共振器型
の半導体レーザ装置において、メサエッチングにより共
振器側面を形成し、前記側面の１部分にのみ金属膜を形
成したことを特徴とする。
【０００７】
【作用】図により本発明の作用を説明する。特定の偏光
方向での発振を得るためには、直交する２つの偏光間で
共振器損失の差を生じさせればよい。図１に示す様な４
角形のメサを形成した時は対向する２面にＡｕなどの金
属膜６を形成する。このような構造にすると、金属膜に
平行な偏光成分を有する共振器モードの損失は、直交す
る偏光成分のモードに比べて大きくなる。従って、一定
の偏光方向のモードのみを発振させることが出来る。円
形のメサを形成する場合は、図２のようにほぼ対角上の
２箇所に部分的に金属膜を設ければよい。また、金属膜
は、２箇所ではなく１箇所に設けても、特性は多少劣化
するが同様の効果を得ることが出来る。
方向での発振を得るためには、直交する２つの偏光間で
共振器損失の差を生じさせればよい。図１に示す様な４
角形のメサを形成した時は対向する２面にＡｕなどの金
属膜６を形成する。このような構造にすると、金属膜に
平行な偏光成分を有する共振器モードの損失は、直交す
る偏光成分のモードに比べて大きくなる。従って、一定
の偏光方向のモードのみを発振させることが出来る。円
形のメサを形成する場合は、図２のようにほぼ対角上の
２箇所に部分的に金属膜を設ければよい。また、金属膜
は、２箇所ではなく１箇所に設けても、特性は多少劣化
するが同様の効果を得ることが出来る。
【０００８】
【実施例】図１に本発明の１つの実施例を示す。ＧａＡ
ｓ基板１上にＧａＡｓとＡｌＡｓの交互積層の多層膜よ
りなる第１の反射ミラー層２、ＩｎＧａＡｓの量子井戸
をＡｌＧａＡｓでサンドイッチにした活性層３、ＧａＡ
ｓとＡｌＡｓの多層膜と金属電極層よりなる第２の反射
ミラー層４を形成する。第１の反射ミラー層２はｎ型に
第２の反射ミラー層はｐ型にドープされている。各層を
形成した後にメサエッチングにより第２の反射ミラー層
４と活性層をエッチングすることで横モードが閉じ込め
られた共振器構造が出来上がる。エッチング面にＳｉＯ
2 パッシベーション膜５を形成した後に対向する２面に
Ａｕ金属膜６を形成する。
ｓ基板１上にＧａＡｓとＡｌＡｓの交互積層の多層膜よ
りなる第１の反射ミラー層２、ＩｎＧａＡｓの量子井戸
をＡｌＧａＡｓでサンドイッチにした活性層３、ＧａＡ
ｓとＡｌＡｓの多層膜と金属電極層よりなる第２の反射
ミラー層４を形成する。第１の反射ミラー層２はｎ型に
第２の反射ミラー層はｐ型にドープされている。各層を
形成した後にメサエッチングにより第２の反射ミラー層
４と活性層をエッチングすることで横モードが閉じ込め
られた共振器構造が出来上がる。エッチング面にＳｉＯ
2 パッシベーション膜５を形成した後に対向する２面に
Ａｕ金属膜６を形成する。
【０００９】図２は本発明の別の実施例である。円形の
メサエッチングを行った後に部分的に金属膜６が形成さ
れている。
メサエッチングを行った後に部分的に金属膜６が形成さ
れている。
【００１０】
【発明の効果】本発明により、偏光方向が制御された垂
直共振器型の半導体レーザ装置を容易に得ることが出来
る。
直共振器型の半導体レーザ装置を容易に得ることが出来
る。
【図１】本発明の１つの実施例を示す図。
【図２】本発明の１つの実施例を示す図。
【図３】従来の技術を示す図。
１ 基板 ２ 第１の反射ミラー層 ３ 活性層 ４ 第２の反射ミラー層 ５ パッシベーション膜 ６ 金属膜
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に第１の反射ミラー層、活
性層、第２の反射ミラー層を順次積層して構成した垂直
共振器型の半導体レーザ装置において、メサエッチング
により共振器側面を形成し、前記側面の一部分にのみ金
属膜を形成したことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16854591A JP2701596B2 (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16854591A JP2701596B2 (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521890A JPH0521890A (ja) | 1993-01-29 |
| JP2701596B2 true JP2701596B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=15870006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16854591A Expired - Lifetime JP2701596B2 (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2701596B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11307882A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-11-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レ―ザ、面発光型半導体レ―ザアレイ、及び面発光型半導体レ―ザの製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4752201B2 (ja) * | 2004-06-29 | 2011-08-17 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-07-10 JP JP16854591A patent/JP2701596B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11307882A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-11-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レ―ザ、面発光型半導体レ―ザアレイ、及び面発光型半導体レ―ザの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0521890A (ja) | 1993-01-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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