JP2701596B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JP2701596B2 JP2701596B2 JP16854591A JP16854591A JP2701596B2 JP 2701596 B2 JP2701596 B2 JP 2701596B2 JP 16854591 A JP16854591 A JP 16854591A JP 16854591 A JP16854591 A JP 16854591A JP 2701596 B2 JP2701596 B2 JP 2701596B2
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- semiconductor laser
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Description
有する半導体レーザ装置に関するものである。
面内に共振器を形成しているが、結晶成長技術の進歩に
よって基板と垂直方向に共振器を形成することが可能と
なった。
例を示す。GaAs基板1上にGaAsとAlAsの交
互積層多層膜よりなる第1の反射ミラー層2、InGa
Asの量子井戸をAlGaAsでサンドイッチにした活
性層3、GaAsとAlAsの交互積層多層膜とAu金
属電極層よりなる第2の反射ミラー層4を形成する。ミ
ラー層の多層膜は1/4波長厚の層より構成される。1
0〜20層程度の層数で99%以上の反射率を得ること
が出来る。第2の反射ミラー層4では、電極金属による
反射分も加味することが出来る。第1の反射ミラー層2
はn型に第2の反射ミラー層4はp型にドープされてい
る。各層を形成した後にメサエッチングにより第2の反
射ミラー層4と活性層3をエッチングすることで横モー
ドが閉じ込められた共振器構造が出来上がる。発振波長
は950nm低度であり、この構造ではレーザ光は基板
側へ出射される。
に用いられる材料は等方的なものであり、垂直共振器構
造では面内方向の異方性は存在しない。従って、発振す
るレーザ光の偏光方向は一定とはならずに、光学装置へ
の応用が限定されてしまう。
じることなく特定方向の偏光出力を得ることの出来る半
導体レーザ装置を提供することにある。
置は、半導体基板上に第1の反射ミラー層、活性層、第
2の反射ミラー層を順次積層して構成した垂直共振器型
の半導体レーザ装置において、メサエッチングにより共
振器側面を形成し、前記側面の1部分にのみ金属膜を形
成したことを特徴とする。
方向での発振を得るためには、直交する2つの偏光間で
共振器損失の差を生じさせればよい。図1に示す様な4
角形のメサを形成した時は対向する2面にAuなどの金
属膜6を形成する。このような構造にすると、金属膜に
平行な偏光成分を有する共振器モードの損失は、直交す
る偏光成分のモードに比べて大きくなる。従って、一定
の偏光方向のモードのみを発振させることが出来る。円
形のメサを形成する場合は、図2のようにほぼ対角上の
2箇所に部分的に金属膜を設ければよい。また、金属膜
は、2箇所ではなく1箇所に設けても、特性は多少劣化
するが同様の効果を得ることが出来る。
s基板1上にGaAsとAlAsの交互積層の多層膜よ
りなる第1の反射ミラー層2、InGaAsの量子井戸
をAlGaAsでサンドイッチにした活性層3、GaA
sとAlAsの多層膜と金属電極層よりなる第2の反射
ミラー層4を形成する。第1の反射ミラー層2はn型に
第2の反射ミラー層はp型にドープされている。各層を
形成した後にメサエッチングにより第2の反射ミラー層
4と活性層をエッチングすることで横モードが閉じ込め
られた共振器構造が出来上がる。エッチング面にSiO
2 パッシベーション膜5を形成した後に対向する2面に
Au金属膜6を形成する。
メサエッチングを行った後に部分的に金属膜6が形成さ
れている。
直共振器型の半導体レーザ装置を容易に得ることが出来
る。
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体基板上に第1の反射ミラー層、活
性層、第2の反射ミラー層を順次積層して構成した垂直
共振器型の半導体レーザ装置において、メサエッチング
により共振器側面を形成し、前記側面の一部分にのみ金
属膜を形成したことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16854591A JP2701596B2 (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16854591A JP2701596B2 (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0521890A JPH0521890A (ja) | 1993-01-29 |
JP2701596B2 true JP2701596B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=15870006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16854591A Expired - Lifetime JP2701596B2 (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2701596B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11307882A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-11-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レ―ザ、面発光型半導体レ―ザアレイ、及び面発光型半導体レ―ザの製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4752201B2 (ja) * | 2004-06-29 | 2011-08-17 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-07-10 JP JP16854591A patent/JP2701596B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11307882A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-11-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レ―ザ、面発光型半導体レ―ザアレイ、及び面発光型半導体レ―ザの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0521890A (ja) | 1993-01-29 |
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Legal Events
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