JP2669373B2 - 面発光型レーザ - Google Patents
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18305—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は面発光レーザに関し、特
に偏光制御が可能な面発光レーザに関する。
に偏光制御が可能な面発光レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】垂直共振器型の面発光レーザは、特願平
３−０３４７５４号にあるように上下２組の半導体多層
反射膜で共振器を形成し、基板に対して垂直方向に光を
出射する半導体レーザである。ストライプ型のレーザに
較べて、出射角が狭い。縦モード間隔が大きい、アレー
にしやすい等の特徴を持つ。一方、偏光に対しては、ス
トライプ型レーザにおけるＴＥ、ＴＭモードの導波損及
び反射率の差のような偏光決定要因が無いため、その向
きは不確定である。現在、半導体レーザを光源とする光
通信等のシステムでは、偏光の方向に依存するビームス
プリッタや偏光子などの使用が不可欠なので、面発光レ
ーザにおいても偏光を制御することが応用上極めて重要
である。
３−０３４７５４号にあるように上下２組の半導体多層
反射膜で共振器を形成し、基板に対して垂直方向に光を
出射する半導体レーザである。ストライプ型のレーザに
較べて、出射角が狭い。縦モード間隔が大きい、アレー
にしやすい等の特徴を持つ。一方、偏光に対しては、ス
トライプ型レーザにおけるＴＥ、ＴＭモードの導波損及
び反射率の差のような偏光決定要因が無いため、その向
きは不確定である。現在、半導体レーザを光源とする光
通信等のシステムでは、偏光の方向に依存するビームス
プリッタや偏光子などの使用が不可欠なので、面発光レ
ーザにおいても偏光を制御することが応用上極めて重要
である。
【０００３】垂直共振器型面発光レーザにおいて偏光を
制御しようとする試みはいくつか報告があるが大きく分
けて２種類ある。ひとつは多層反射膜の反射率に異方性
を持たせようという試みでＭｉｔｓｕａｋｉ Ｓｈｉｍ
ｉｚｕらがジャパニーズ ジャーナル オブ アプライ
ド フィジックス ３０巻 Ｌ１０１５−Ｌ１０１７ペ
ージ（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ．３０ ＰＰ．Ｌ
１０１５−Ｌ１０１７，１９９１）に示したように、上
部の半導体多層膜の側面のうち向かいあう２面のみを高
反射率の金属で覆った例があるが実験結果からはこの方
法の有効姓は確認されていない。
制御しようとする試みはいくつか報告があるが大きく分
けて２種類ある。ひとつは多層反射膜の反射率に異方性
を持たせようという試みでＭｉｔｓｕａｋｉ Ｓｈｉｍ
ｉｚｕらがジャパニーズ ジャーナル オブ アプライ
ド フィジックス ３０巻 Ｌ１０１５−Ｌ１０１７ペ
ージ（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ．３０ ＰＰ．Ｌ
１０１５−Ｌ１０１７，１９９１）に示したように、上
部の半導体多層膜の側面のうち向かいあう２面のみを高
反射率の金属で覆った例があるが実験結果からはこの方
法の有効姓は確認されていない。
【０００４】もうひとつの方法は、活性層に異方的なス
トレスを与える方法でＴｏｓｈｉｋａｚｕ Ｍｕｋａｉ
ｈａｒａらがジャパニーズ ジャーナル オブ アプラ
イドフィジックス ３１巻 １３８９−１３９０ページ
（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，３１，ｐｐ１３８９−１３９
０，１９９２）に示したように基板を楕円に掘りこんで
異方的なストレスを与えることで長軸に平行な偏光を得
ようというものだが、基板へのストレスを用いると、温
度変化による熱膨張や、パッケージング、取扱い時に発
生するストレスの影響を受け易く現実的でない。
トレスを与える方法でＴｏｓｈｉｋａｚｕ Ｍｕｋａｉ
ｈａｒａらがジャパニーズ ジャーナル オブ アプラ
イドフィジックス ３１巻 １３８９−１３９０ページ
（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，３１，ｐｐ１３８９−１３９
０，１９９２）に示したように基板を楕円に掘りこんで
異方的なストレスを与えることで長軸に平行な偏光を得
ようというものだが、基板へのストレスを用いると、温
度変化による熱膨張や、パッケージング、取扱い時に発
生するストレスの影響を受け易く現実的でない。
【０００５】その他では特開平１−２６５５８４号にあ
るような、光出射部に矩形の高屈折率導波部を設け、そ
の長辺に平行な偏光を通す試みがあるが、高屈折率導波
部へ有効に光が閉じ込められるかは疑問で、それを用い
た偏光制御効果も強くないと考えられる。
るような、光出射部に矩形の高屈折率導波部を設け、そ
の長辺に平行な偏光を通す試みがあるが、高屈折率導波
部へ有効に光が閉じ込められるかは疑問で、それを用い
た偏光制御効果も強くないと考えられる。
【０００６】また特開平４−２４２９８９号公報にある
ように、異方形状を有する電極により、異方的な利得を
与える利得閉じ込め型レーザの一種の例があるが、利得
閉じ込め型においては閉じ込めが弱く光は発散してお
り、電極下部に閉じ込められている割合（光閉じ込め係
数）は非常に小さいので、電極形状の変化で与えられる
利得の異方性は非常に弱い。従って、それを利用した偏
波制御効果も小さいと思われる。
ように、異方形状を有する電極により、異方的な利得を
与える利得閉じ込め型レーザの一種の例があるが、利得
閉じ込め型においては閉じ込めが弱く光は発散してお
り、電極下部に閉じ込められている割合（光閉じ込め係
数）は非常に小さいので、電極形状の変化で与えられる
利得の異方性は非常に弱い。従って、それを利用した偏
波制御効果も小さいと思われる。
【０００７】また特開平４−１４４１８３号公報では垂
直共振器部分を、２軸を有する異方的な形状にする試み
も行われている。しかしながら共振器の断面形状を異方
的にしただけでは、偏光に対して何ら影響を及ぼさない
ことが、この公報中に実施例として挙げられているひし
形断面の面発光レーザを用いて、ＩＥＥＥ フォトニク
ステクノロジーレターズ第６巻第４１ページ図２（ＩＥ
ＥＥ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ，６，ｐｐ４０−４２，１９９４）に偏光
制御効果が無いことが述べられていることからも明らか
である。公報中でも偏光制御の物理的な根拠に関しては
何も振れずに、ただ長軸に平行な偏波が得られると記載
されているだけである。また、この公報中の実施例の楕
円形状の断面を有する面発光レーザについても、特開平
１−２６５５８４号公報の“従来の技術”の中でも否定
されており、むしろこの方法では偏光制御が行えないこ
とが周知の事実となっている。
直共振器部分を、２軸を有する異方的な形状にする試み
も行われている。しかしながら共振器の断面形状を異方
的にしただけでは、偏光に対して何ら影響を及ぼさない
ことが、この公報中に実施例として挙げられているひし
形断面の面発光レーザを用いて、ＩＥＥＥ フォトニク
ステクノロジーレターズ第６巻第４１ページ図２（ＩＥ
ＥＥ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ，６，ｐｐ４０−４２，１９９４）に偏光
制御効果が無いことが述べられていることからも明らか
である。公報中でも偏光制御の物理的な根拠に関しては
何も振れずに、ただ長軸に平行な偏波が得られると記載
されているだけである。また、この公報中の実施例の楕
円形状の断面を有する面発光レーザについても、特開平
１−２６５５８４号公報の“従来の技術”の中でも否定
されており、むしろこの方法では偏光制御が行えないこ
とが周知の事実となっている。
【０００８】一方、単一基本モードが得られるサイズで
矩形、平行四辺形等の長さの異なる平行な辺を有する断
面の面発光レーザにおいては、完全な偏光制御が行われ
る。しかし、この方法はレーザ光のモード形状とポスト
断面形状が異なるために、側面での損失を伴い、レーザ
の光学特性を劣化させる。偏光方向固定の強さと、レー
ザの光学特性にトレードオフの関係があり、極わずかな
がら、閾値の上昇、光出力の低下が起きる問題がある。
矩形、平行四辺形等の長さの異なる平行な辺を有する断
面の面発光レーザにおいては、完全な偏光制御が行われ
る。しかし、この方法はレーザ光のモード形状とポスト
断面形状が異なるために、側面での損失を伴い、レーザ
の光学特性を劣化させる。偏光方向固定の強さと、レー
ザの光学特性にトレードオフの関係があり、極わずかな
がら、閾値の上昇、光出力の低下が起きる問題がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上に述べた
問題を解決するもので、偏光が正確に取り扱える単一横
モードで発振する素子について、少なくとも５０以上の
素子の偏波方向を、ある一方向に揃えることが第一の課
題である。さらにその際にレーザの光学特性の劣化をな
るべく小さく抑制することが課題である。
問題を解決するもので、偏光が正確に取り扱える単一横
モードで発振する素子について、少なくとも５０以上の
素子の偏波方向を、ある一方向に揃えることが第一の課
題である。さらにその際にレーザの光学特性の劣化をな
るべく小さく抑制することが課題である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の面発光型レーザ
は活性層及び光閉じ込め層からなる中間層と、前記中間
層を挟み込む１組の半導体多層反射膜とを有し、前記半
導体反射膜の一方は、少なくとも一組の側面を持つポス
ト形状に加工され、かつ、任意の一組の両面は鋸歯状の
側面となっていることを特徴とする。また、前記鋸歯状
の側面に代えて１／２〜１波長オーダーの凹凸を有する
側面であることを特徴とする。
は活性層及び光閉じ込め層からなる中間層と、前記中間
層を挟み込む１組の半導体多層反射膜とを有し、前記半
導体反射膜の一方は、少なくとも一組の側面を持つポス
ト形状に加工され、かつ、任意の一組の両面は鋸歯状の
側面となっていることを特徴とする。また、前記鋸歯状
の側面に代えて１／２〜１波長オーダーの凹凸を有する
側面であることを特徴とする。
【００１１】本発明の面発光型レーザは活性層及び光閉
じ込め層からなる中間層と、前記中間層を挟み込む１組
の半導体多層反射膜とを有し、前記半導体反射膜の一方
は、少なくとも一組の側面を持つポスト形状に加工さ
れ、前記側面は前記ポスト側面の底部と活性層までの距
離が、各一組の側面ごとに異なることを特徴とする。ま
た前記深く加工された側面の前記ポスト側面の底部と活
性層までの距離が１波長程度で、浅く加工された側面の
前記ポスト側面の底部と活性層までの距離が２波長程度
であることを特徴とする。さらに前記ポスト形状の断面
積が基本単一横モード（０次モード）かつ単一縦モード
かつ直線偏光の発振光が得られる程度にポスト構造の断
面積が十分小さいことを特徴とする。
じ込め層からなる中間層と、前記中間層を挟み込む１組
の半導体多層反射膜とを有し、前記半導体反射膜の一方
は、少なくとも一組の側面を持つポスト形状に加工さ
れ、前記側面は前記ポスト側面の底部と活性層までの距
離が、各一組の側面ごとに異なることを特徴とする。ま
た前記深く加工された側面の前記ポスト側面の底部と活
性層までの距離が１波長程度で、浅く加工された側面の
前記ポスト側面の底部と活性層までの距離が２波長程度
であることを特徴とする。さらに前記ポスト形状の断面
積が基本単一横モード（０次モード）かつ単一縦モード
かつ直線偏光の発振光が得られる程度にポスト構造の断
面積が十分小さいことを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明では偏光制御の一つの手段として、ポス
ト構造の側面を鋸歯状にしている。ポスト側面での透過
によるポスト外への損失は、ポスト側面が平面の場合で
はその面に平行な偏光は反射が大きく透過損失は少な
い。一方、鋸歯状側面では、その面に平行な偏光の透過
は大きくなるので、結果として鋸歯状側面に垂直な偏光
が優勢となる。したがって鋸歯状の辺に垂直な偏光成分
が多くなり、鋸歯状辺に垂直な偏光の発振が得られる。
ト構造の側面を鋸歯状にしている。ポスト側面での透過
によるポスト外への損失は、ポスト側面が平面の場合で
はその面に平行な偏光は反射が大きく透過損失は少な
い。一方、鋸歯状側面では、その面に平行な偏光の透過
は大きくなるので、結果として鋸歯状側面に垂直な偏光
が優勢となる。したがって鋸歯状の辺に垂直な偏光成分
が多くなり、鋸歯状辺に垂直な偏光の発振が得られる。
【００１３】また、本発明の他の偏光制御の手段とし
て、活性層と面発光レーザのポスト底面の距離がポスト
構造の一組の側面ごとに異ならせている。この場合、ポ
スト底面と活性層の距離が短いと光の場に対するポスト
側面の影響が大きくなり、反対に距離が長いと小さくな
る。ポスト底面と活性層の距離の短いときは光の場の密
度が高い位置までポスト側面が到達するので側面での透
過損失が大きくなる。したがって、その面に垂直な偏光
が大きくなるため、偏光方向が制御される。本発明で
は、ポストエッチングの際に出射方向に垂直な２つの軸
方向での互いのエッチングの深さを変えることによっ
て、深いエッチングを行った方の側面での影響が大き
く、偏光方向が揃うようにしている。
て、活性層と面発光レーザのポスト底面の距離がポスト
構造の一組の側面ごとに異ならせている。この場合、ポ
スト底面と活性層の距離が短いと光の場に対するポスト
側面の影響が大きくなり、反対に距離が長いと小さくな
る。ポスト底面と活性層の距離の短いときは光の場の密
度が高い位置までポスト側面が到達するので側面での透
過損失が大きくなる。したがって、その面に垂直な偏光
が大きくなるため、偏光方向が制御される。本発明で
は、ポストエッチングの際に出射方向に垂直な２つの軸
方向での互いのエッチングの深さを変えることによっ
て、深いエッチングを行った方の側面での影響が大き
く、偏光方向が揃うようにしている。
【００１４】
【実施例】以下実施例を挙げて本発明の面発光レーザを
説明する。
説明する。
【００１５】図１に本発明の第１の実施例の鋸歯状辺を
有する面発光レーザを示す。第１の実施例の面発光レー
ザは、ＧａＡｓ基板上にＧａＡｓ／ＡｌＡｓのｎ型半導
体多層反射膜６、ｎ型光閉じ込め層４、ＩｎＧａＡｓ活
性層３、ｐ型光閉じ込め層４、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓのｐ
型半導体多層反射膜２を形成した後に、反応性イオンビ
ームエッチングにより、陽極側半導体多層反射膜２をポ
スト形状に加工する。さらにポスト形状とした半導体多
層反射膜２の下部以外の活性層３はプロトン注入により
不活性化領域５とした。この後、陰極側の半導体多層反
射膜６まで貫いてエッチングを行い、そこに陰極７をと
る。最後にポスト形状加工した全体を電極材Ａｇで覆っ
て陽極１とする。
有する面発光レーザを示す。第１の実施例の面発光レー
ザは、ＧａＡｓ基板上にＧａＡｓ／ＡｌＡｓのｎ型半導
体多層反射膜６、ｎ型光閉じ込め層４、ＩｎＧａＡｓ活
性層３、ｐ型光閉じ込め層４、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓのｐ
型半導体多層反射膜２を形成した後に、反応性イオンビ
ームエッチングにより、陽極側半導体多層反射膜２をポ
スト形状に加工する。さらにポスト形状とした半導体多
層反射膜２の下部以外の活性層３はプロトン注入により
不活性化領域５とした。この後、陰極側の半導体多層反
射膜６まで貫いてエッチングを行い、そこに陰極７をと
る。最後にポスト形状加工した全体を電極材Ａｇで覆っ
て陽極１とする。
【００１６】第１の実施例ではポスト形状の断面８を６
μm ×６μm の正方形とし、ポスト側面の向かいあった
１組の面（辺）を鋸歯状になるように加工した。鋸歯の
形状はマスクを鋸歯状に形成し、これを用いてドライエ
ッチングを行うことにより得られる。ポスト側面を鋸歯
状にすることにより、ポスト側面で透過するポスト外へ
の損失は、平面状側面ではその側面に平行な偏光は反射
が大きく透過損失は少なくなる。一方、鋸歯状側面で
は、その側面に平行な偏光の透過が大きくなる。したが
って、鋸歯状側面に垂直な偏光が優勢となり発振するよ
うになる。１／２〜１波長程度であれば鋸歯状でなくて
凹凸でもよい。
μm ×６μm の正方形とし、ポスト側面の向かいあった
１組の面（辺）を鋸歯状になるように加工した。鋸歯の
形状はマスクを鋸歯状に形成し、これを用いてドライエ
ッチングを行うことにより得られる。ポスト側面を鋸歯
状にすることにより、ポスト側面で透過するポスト外へ
の損失は、平面状側面ではその側面に平行な偏光は反射
が大きく透過損失は少なくなる。一方、鋸歯状側面で
は、その側面に平行な偏光の透過が大きくなる。したが
って、鋸歯状側面に垂直な偏光が優勢となり発振するよ
うになる。１／２〜１波長程度であれば鋸歯状でなくて
凹凸でもよい。
【００１７】図２は第１の実施例を用いて作製した８×
８（６４素子）の面発光レーザアレイの偏光方向の割合
を示す図である。通常の６×６μm サイズの面発光レー
ザでは偏光方向がばらばらとなっているのに対し、本発
明を用いることにより９２％の面発光レーザ素子が鋸歯
状に垂直な偏光を示した。
８（６４素子）の面発光レーザアレイの偏光方向の割合
を示す図である。通常の６×６μm サイズの面発光レー
ザでは偏光方向がばらばらとなっているのに対し、本発
明を用いることにより９２％の面発光レーザ素子が鋸歯
状に垂直な偏光を示した。
【００１８】図３は第１の実施例のＩ−Ｌ特性を示す図
である。ポストサイズは６×６μmのままであるため、
レーザの光学特性に与える影響はほとんどなく、通常の
６×６μm サイズのレーザとほぼ同等の基本単一横モー
ドかつ単一横モードの直線偏光の発振光が得られる。
である。ポストサイズは６×６μmのままであるため、
レーザの光学特性に与える影響はほとんどなく、通常の
６×６μm サイズのレーザとほぼ同等の基本単一横モー
ドかつ単一横モードの直線偏光の発振光が得られる。
【００１９】本発明の第２の実施例を図４を用いて説明
する。図４に本発明の第２の実施例レーザを示す。図４
（ａ）は第２の実施例の上部から見た図で１１はポスト
部分を、１２はポスト下部に形成された溝を示してい
る。軸Ａ９、軸Ｂ１０はそれぞれ出射方向に垂直な方向
となっていて、互いに垂直な関係である。図４（ｂ）は
軸Ｂ１０における第２の実施例の断面図を示す図であ
る。また、図４（ｃ）は軸Ａ９における第２の実施例の
断面図である。
する。図４に本発明の第２の実施例レーザを示す。図４
（ａ）は第２の実施例の上部から見た図で１１はポスト
部分を、１２はポスト下部に形成された溝を示してい
る。軸Ａ９、軸Ｂ１０はそれぞれ出射方向に垂直な方向
となっていて、互いに垂直な関係である。図４（ｂ）は
軸Ｂ１０における第２の実施例の断面図を示す図であ
る。また、図４（ｃ）は軸Ａ９における第２の実施例の
断面図である。
【００２０】第２の実施例の面発光レーザは、ＧａＡｓ
基板上にＧａＡｓ／ＡｌＡｓのｎ型半導体多層反射膜
６、ｎ型光閉じ込め層４、ＩｎＧａＡｓ活性層３、ｐ型
光閉じ込め層４、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓのｐ型半導体多層
反射膜２を形成した後に、反応性イオンビームエッチン
グにより、陽極側半導体多層反射膜２をポスト形状の断
面８が６μm ×６μm の正方形となるようポスト形状を
加工する。
基板上にＧａＡｓ／ＡｌＡｓのｎ型半導体多層反射膜
６、ｎ型光閉じ込め層４、ＩｎＧａＡｓ活性層３、ｐ型
光閉じ込め層４、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓのｐ型半導体多層
反射膜２を形成した後に、反応性イオンビームエッチン
グにより、陽極側半導体多層反射膜２をポスト形状の断
面８が６μm ×６μm の正方形となるようポスト形状を
加工する。
【００２１】さらにポスト形状とした半導体多層反射膜
２の下部以外の活性層３はプロトン注入により不活性化
領域５とした。図４に示すように、ポストエッチングを
２回に分け、軸Ｂ１０方向のポスト脇に溝１２を作製す
る。このとき、軸Ａ９方向は活性層とポスト底部の距離
が光学長２波長、軸Ｂ１０方向は１波長となるようにす
る。この後、陰極側の半導体多層反射膜６まで貫いてエ
ッチングを行い、そこに陰極７を形成する。最後にポス
ト形状加工した全体を電極材Ａｇで覆い陽極１を得る。
２の下部以外の活性層３はプロトン注入により不活性化
領域５とした。図４に示すように、ポストエッチングを
２回に分け、軸Ｂ１０方向のポスト脇に溝１２を作製す
る。このとき、軸Ａ９方向は活性層とポスト底部の距離
が光学長２波長、軸Ｂ１０方向は１波長となるようにす
る。この後、陰極側の半導体多層反射膜６まで貫いてエ
ッチングを行い、そこに陰極７を形成する。最後にポス
ト形状加工した全体を電極材Ａｇで覆い陽極１を得る。
【００２２】本実施例では出射方向に垂直な２つの軸方
向について、ポスト底部と活性層の距離を変化させてい
る。図５は光の場のポスト側面の位置を示す図である。
向について、ポスト底部と活性層の距離を変化させてい
る。図５は光の場のポスト側面の位置を示す図である。
【００２３】図５に示すように距離の短い軸Ｂ１０方向
では光の場１５の密度が高い位置までポスト側面が到達
するため、側面への透過損失が大きい。側面への透過損
失はその面に垂直な偏光が大きいため、結果として軸Ｂ
１０に垂直な偏光が優勢となり偏光方向が制御される。
では光の場１５の密度が高い位置までポスト側面が到達
するため、側面への透過損失が大きい。側面への透過損
失はその面に垂直な偏光が大きいため、結果として軸Ｂ
１０に垂直な偏光が優勢となり偏光方向が制御される。
【００２４】この場合もポストサイズは６×６μm のま
まであるため、レーザの光学特性に与える影響はほとん
どなく、通常の６×６μm サイズのレーザとほぼ同等の
基本単一横モードかつ単一横モードの直線偏光の発振光
が得られる。
まであるため、レーザの光学特性に与える影響はほとん
どなく、通常の６×６μm サイズのレーザとほぼ同等の
基本単一横モードかつ単一横モードの直線偏光の発振光
が得られる。
【００２５】
【発明の効果】上記のように、鋸歯状側面を有するポス
ト構造、及びポストと活性層の距離を２方向で変化させ
た構造の面発光レーザにより、レーザの光学特性の劣化
をともなわずに、その偏光方向の制御を行うことが実現
された。
ト構造、及びポストと活性層の距離を２方向で変化させ
た構造の面発光レーザにより、レーザの光学特性の劣化
をともなわずに、その偏光方向の制御を行うことが実現
された。
【図１】本発明の第１の実施例の鋸歯状面を有する面発
光レーザの構造を示す図である。
光レーザの構造を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施例の面発光レーザの偏光の
割合を示す図である。
割合を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施例の面発光レーザの電流−
光出力特性を示す図である。
光出力特性を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施例のポスト底部と活性層と
の距離を変化させた面発光レーザの構造を示す図であ
る。
の距離を変化させた面発光レーザの構造を示す図であ
る。
【図５】本発明の第２の実施例の光の場ポスト側面の位
置を示す図である。
置を示す図である。
１ 陽極 ２ ポスト状陽極側半導体多層反射膜 ３ ＩｎＧａＡｓ活性層 ４ 光閉じ込め層 ５ イオン注入による不活性化領域 ６ 陰極側半導体多層反射膜 ７ 陰極 ８ 面発光レーザ断面 ９ 軸Ａ １０ 軸Ｂ １１ ポスト １２ 溝 １３ 軸Ｂの断面 １４ 軸Ａの断面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−21890（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−293790（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−216472（ＪＰ，Ａ) 1994年（平成６年）秋季第55回応用物 理学会学術講演会予稿集第３分冊21ｐ− Ｓ−４ Ｐ．960
Claims (5)
- 【請求項１】活性層及び光閉じ込め層からなる中間層
と、前記中間層を挟み込む１組の半導体多層反射膜とを
有し、前記半導体反射膜の一方は、少なくとも一組の側
面を持つポスト形状に加工され、かつ、任意の一組の両
面は鋸歯状の側面となっていることを特徴とする面発光
型レーザ。 - 【請求項２】前記鋸歯状の側面に代えて１／２〜１波長
オーダーの凹凸を有する側面であることを特徴とする請
求項１記載の面発光型レーザ。 - 【請求項３】活性層及び光閉じ込め層からなる中間層
と、前記中間層を挟み込む１組の半導体多層反射膜とを
有し、前記半導体反射膜の一方は、少なくとも一組の側
面を持つポスト形状に加工され、前記側面は前記ポスト
側面の底部と活性層までの距離が、各一組の側面ごとに
異なることを特徴とする面発光型レーザ。 - 【請求項４】前記深く加工された側面の前記ポスト側面
の底部と活性層までの距離が１波長程度で、浅く加工さ
れた側面の前記ポスト側面の底部と活性層までの距離が
２波長程度であることを特徴とする請求項３記載の面発
光型レーザ。 - 【請求項５】前記ポスト形状の断面積が基本単一横モー
ド（０次モード）かつ単一縦モードかつ直線偏光の発振
光が得られる程度にポスト構造の断面積が十分小さいこ
とを特徴とする請求項１又は２又は３又は４記載の面発
光型レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7000302A JP2669373B2 (ja) | 1995-01-05 | 1995-01-05 | 面発光型レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7000302A JP2669373B2 (ja) | 1995-01-05 | 1995-01-05 | 面発光型レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08186328A JPH08186328A (ja) | 1996-07-16 |
| JP2669373B2 true JP2669373B2 (ja) | 1997-10-27 |
Family
ID=11470115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7000302A Expired - Lifetime JP2669373B2 (ja) | 1995-01-05 | 1995-01-05 | 面発光型レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2669373B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106549297A (zh) * | 2016-10-26 | 2017-03-29 | 同济大学 | 一种钕玻璃激光器用背入射式高反薄膜系统的制备方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6967985B2 (en) | 2002-02-12 | 2005-11-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Surface emission semiconductor laser device |
-
1995
- 1995-01-05 JP JP7000302A patent/JP2669373B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| １９９４年（平成６年）秋季第５５回応用物理学会学術講演会予稿集第３分冊２１ｐ−Ｓ−４ Ｐ．９６０ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106549297A (zh) * | 2016-10-26 | 2017-03-29 | 同济大学 | 一种钕玻璃激光器用背入射式高反薄膜系统的制备方法 |
| CN106549297B (zh) * | 2016-10-26 | 2018-12-18 | 同济大学 | 一种钕玻璃激光器用背入射式高反薄膜系统的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08186328A (ja) | 1996-07-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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