JP2800746B2 - 面発光デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
面発光デバイスおよびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、面発光デバイスお
よびその製造方法に関し、特に、抵抗が低くかつ基本横
モードでの発振が可能な面発光レーザの構造およびその
製造方法に関するものである。
よびその製造方法に関し、特に、抵抗が低くかつ基本横
モードでの発振が可能な面発光レーザの構造およびその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光コンピューティング、光スイッチング
に関する関心が高まるなかで、大量の処理が可能な、２
次元的な光処理・接続システムの構築に向けて研究・開
発が活発化している。この用途に適した発光デバイスと
して面発光レーザがある。端面出射型レーザでは集積化
が困難であるため、電気的な配線の関係で並列配置され
る素子数が制限を受ける可能性が高いが、面発光レーザ
では、集積化が容易であるため、多数の発光素子の２次
元配列を容易に構成できるからである。而して、多くの
用途では、基本横モードで発振し偏光方向が安定してい
ることが求められる。
に関する関心が高まるなかで、大量の処理が可能な、２
次元的な光処理・接続システムの構築に向けて研究・開
発が活発化している。この用途に適した発光デバイスと
して面発光レーザがある。端面出射型レーザでは集積化
が困難であるため、電気的な配線の関係で並列配置され
る素子数が制限を受ける可能性が高いが、面発光レーザ
では、集積化が容易であるため、多数の発光素子の２次
元配列を容易に構成できるからである。而して、多くの
用途では、基本横モードで発振し偏光方向が安定してい
ることが求められる。
【０００３】この種用途に適した面発光デバイスが、栗
原他により１９９５年電子情報通信学会総合大会予稿集
Ｃ−３６３に報告されている。その斜視図を図５に示
す。この面発光レーザでは、ｎ型ＧａＡｓ基板２１の上
に、ｎ型多層反射膜２２、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
２３、ＩｎＧａＡｓ活性層２４、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層２５、ｐ型多層反射膜２６からなる多層膜がエピ
タキシャル成長されている。ここで、ｐ型多層反射膜２
６は、１６対のＧａＡｓ／ＡｌＡｓにより構成されてい
るが、その膜厚は、媒質内波長をλとしたとき、最下層
のＧａＡｓのみが５／４λ厚になされ、他は１／４λ厚
となっている。最下層のＧａＡｓ層は横方向のシート抵
抗を減少させるために厚い層になされており、ｐ側電極
２８のコンタクト層２６ａとして用いられている。
原他により１９９５年電子情報通信学会総合大会予稿集
Ｃ−３６３に報告されている。その斜視図を図５に示
す。この面発光レーザでは、ｎ型ＧａＡｓ基板２１の上
に、ｎ型多層反射膜２２、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
２３、ＩｎＧａＡｓ活性層２４、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層２５、ｐ型多層反射膜２６からなる多層膜がエピ
タキシャル成長されている。ここで、ｐ型多層反射膜２
６は、１６対のＧａＡｓ／ＡｌＡｓにより構成されてい
るが、その膜厚は、媒質内波長をλとしたとき、最下層
のＧａＡｓのみが５／４λ厚になされ、他は１／４λ厚
となっている。最下層のＧａＡｓ層は横方向のシート抵
抗を減少させるために厚い層になされており、ｐ側電極
２８のコンタクト層２６ａとして用いられている。
【０００４】素子分離は、ｐ型多層反射膜２６をコンタ
クト層２６ａまでのエッチングすることによって形成し
たポスト３０と活性層の深さへのイオン注入により形成
した高抵抗領域３１によって行っている。ｐ型電極２８
は素子を覆うように形成されており、ｐ型電極２８とコ
ンタクト層２６ａの接触する部分からＩｎＧａＡｓ活性
層２４に向かって横方向に電流が注入される。ｎ側電極
２７はエピタキシャル層の一部をエッチングしてｎ型多
層反射膜２２の一部を露出させてその上部に形成する。
電極形成後にｐ側電極２８とｎ側電極２７の上部にヒー
トシンクを兼ねた厚膜金属によるボンディングパッド
（図示なし）を形成する。基板裏面を研磨して、レーザ
光出射面である裏面に無反射コート２９を施す。
クト層２６ａまでのエッチングすることによって形成し
たポスト３０と活性層の深さへのイオン注入により形成
した高抵抗領域３１によって行っている。ｐ型電極２８
は素子を覆うように形成されており、ｐ型電極２８とコ
ンタクト層２６ａの接触する部分からＩｎＧａＡｓ活性
層２４に向かって横方向に電流が注入される。ｎ側電極
２７はエピタキシャル層の一部をエッチングしてｎ型多
層反射膜２２の一部を露出させてその上部に形成する。
電極形成後にｐ側電極２８とｎ側電極２７の上部にヒー
トシンクを兼ねた厚膜金属によるボンディングパッド
（図示なし）を形成する。基板裏面を研磨して、レーザ
光出射面である裏面に無反射コート２９を施す。
【０００５】また、面発光レーザを用いた光接続システ
ムに偏光に依存する光学素子を用いる場合には、面発光
レーザの偏光を制御する必要があるが、面発光レーザの
偏光方向を制御する手段として、短辺が６μｍ以下の長
方形ポストを導入することによって、横モードの異方性
を利用して、偏光を１方向に制御する方法がある。これ
に関する技術は、吉川他により、１９９４年秋季応用物
理学会学術予稿集２２ｐ−Ｓ−５に報告されている。
ムに偏光に依存する光学素子を用いる場合には、面発光
レーザの偏光を制御する必要があるが、面発光レーザの
偏光方向を制御する手段として、短辺が６μｍ以下の長
方形ポストを導入することによって、横モードの異方性
を利用して、偏光を１方向に制御する方法がある。これ
に関する技術は、吉川他により、１９９４年秋季応用物
理学会学術予稿集２２ｐ−Ｓ−５に報告されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図５に示した面発光レ
ーザでは、素子抵抗は低くなるものの、活性層とポスト
の間に５／４λ層があるため、活性層とポストの距離が
遠くなるために光の横方向の閉じ込め作用が弱く、基本
横モードでの動作が困難であった。また、横多モード発
振の場合にはモードの飛びにより偏光方向もスイッチす
るので、偏光制御も困難となっていた。
ーザでは、素子抵抗は低くなるものの、活性層とポスト
の間に５／４λ層があるため、活性層とポストの距離が
遠くなるために光の横方向の閉じ込め作用が弱く、基本
横モードでの動作が困難であった。また、横多モード発
振の場合にはモードの飛びにより偏光方向もスイッチす
るので、偏光制御も困難となっていた。
【０００７】基本横モード発振の制御や偏光方向の制御
を行うためには、ポストと活性層の距離を狭くすること
が有効であるが、その場合には非常に薄い層を電流が横
方向に流れることから電流経路の抵抗が大きくなり、素
子抵抗の上昇、電力−光変換効率が低下するなどの問題
が生じることになる。すなわち、従来の面発光デバイス
では、素子抵抗の低減と基本横モード発振、あるいは偏
光制御とを両立させることができなかった。したがっ
て、本発明の目的とするところは、素子抵抗を上昇させ
ることなく、基本横モードでの動作を可能ならしめ、こ
れにより偏光の安定化を図ることである。
を行うためには、ポストと活性層の距離を狭くすること
が有効であるが、その場合には非常に薄い層を電流が横
方向に流れることから電流経路の抵抗が大きくなり、素
子抵抗の上昇、電力−光変換効率が低下するなどの問題
が生じることになる。すなわち、従来の面発光デバイス
では、素子抵抗の低減と基本横モード発振、あるいは偏
光制御とを両立させることができなかった。したがっ
て、本発明の目的とするところは、素子抵抗を上昇させ
ることなく、基本横モードでの動作を可能ならしめ、こ
れにより偏光の安定化を図ることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明による面発光デバイスは、半導体基板上に、
第１導電型多層反射膜、第１導電型クラッド層、活性
層、第２導電型クラッド層および第２導電型多層反射膜
が形成され、横断面が長方形の角柱型に加工されたポス
ト部分に面発光レーザが形成されているものであって、
前記ポストの対向する２側面の中心部下端は前記第１導
電型クラッド層と接しており、かつ、対向する他の２側
面は２段メサ形状をなしており、第１メサ部分の側面下
端は前記第２導電型多層反射膜の下層部分と接し、第２
メサ部分の側面下端は前記第１導電型多層反射膜と接し
ており、かつ、前記活性層の４つの側面は前記ポストの
側面をなしていることを特徴としている。
めの本発明による面発光デバイスは、半導体基板上に、
第１導電型多層反射膜、第１導電型クラッド層、活性
層、第２導電型クラッド層および第２導電型多層反射膜
が形成され、横断面が長方形の角柱型に加工されたポス
ト部分に面発光レーザが形成されているものであって、
前記ポストの対向する２側面の中心部下端は前記第１導
電型クラッド層と接しており、かつ、対向する他の２側
面は２段メサ形状をなしており、第１メサ部分の側面下
端は前記第２導電型多層反射膜の下層部分と接し、第２
メサ部分の側面下端は前記第１導電型多層反射膜と接し
ており、かつ、前記活性層の４つの側面は前記ポストの
側面をなしていることを特徴としている。
【０００９】また、上記の目的を達成するするための本
発明による面発光デバイスの製造方法は、 半導体基板上に、第１導電型多層反射膜、第１導電
型クラッド層、活性層、第２導電型クラッド層および第
２導電型多層反射膜を順次成長させる工程と、 １ないし複数本のストライプ状マスクを形成し、こ
れをマスクとして前記第２導電型多層反射膜をその下層
部分が露出するまでエッチングしてストライプ状のメサ
を形成する工程と、 前記メサに直交してこれを跨ぎ、端部が前記第２導
電型多層反射膜の下層部分と接する１乃至複数個の第２
導電型側電極を形成する工程と、 前記第２導電型側電極をマスクとしてエピタキシャ
ル成長層を所定の深さまでエッチングして１乃至複数個
の角柱状のポストを形成する工程と、 を有している。
発明による面発光デバイスの製造方法は、 半導体基板上に、第１導電型多層反射膜、第１導電
型クラッド層、活性層、第２導電型クラッド層および第
２導電型多層反射膜を順次成長させる工程と、 １ないし複数本のストライプ状マスクを形成し、こ
れをマスクとして前記第２導電型多層反射膜をその下層
部分が露出するまでエッチングしてストライプ状のメサ
を形成する工程と、 前記メサに直交してこれを跨ぎ、端部が前記第２導
電型多層反射膜の下層部分と接する１乃至複数個の第２
導電型側電極を形成する工程と、 前記第２導電型側電極をマスクとしてエピタキシャ
ル成長層を所定の深さまでエッチングして１乃至複数個
の角柱状のポストを形成する工程と、 を有している。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１（ａ）は、本発明による面発
光デバイスの平面図であり、図１（ｂ）、（ｃ）は、図
１（ａ）のＡ−Ａ線とＢ−Ｂ線での断面図である。ま
た、図２は、本発明による面発光デバイスの斜視図であ
る。図１、図２に示されるように、半導体基板１上に
は、第１多層反射膜２、第１クラッド層３、活性層４、
第２クラッド層５、第２多層反射膜６がエピタキシャル
成長されているが、第２多層反射膜６の最下層の層はコ
ンタクト層６ａとして他のλ／４厚の層より厚くなされ
ている。
光デバイスの平面図であり、図１（ｂ）、（ｃ）は、図
１（ａ）のＡ−Ａ線とＢ−Ｂ線での断面図である。ま
た、図２は、本発明による面発光デバイスの斜視図であ
る。図１、図２に示されるように、半導体基板１上に
は、第１多層反射膜２、第１クラッド層３、活性層４、
第２クラッド層５、第２多層反射膜６がエピタキシャル
成長されているが、第２多層反射膜６の最下層の層はコ
ンタクト層６ａとして他のλ／４厚の層より厚くなされ
ている。
【００１１】面発光レーザはポスト１０部分に形成され
るが、ポスト１０の図１（ｃ）の断面に垂直な側面は活
性層３を越えて第１クラッド層３と接している。ポスト
１０の図１（ｂ）の断面と垂直な側面は２段メサ状とな
っており、第１メサの側面は第２多層反射膜６の最下層
に設けられたコンタクト層６ａと接し、第２メサの側面
は第１多層反射膜２と接している。
るが、ポスト１０の図１（ｃ）の断面に垂直な側面は活
性層３を越えて第１クラッド層３と接している。ポスト
１０の図１（ｂ）の断面と垂直な側面は２段メサ状とな
っており、第１メサの側面は第２多層反射膜６の最下層
に設けられたコンタクト層６ａと接し、第２メサの側面
は第１多層反射膜２と接している。
【００１２】第１多層反射膜２上には第１電極７が形成
されており、また第２多層反射膜６上にはこれを覆うよ
うに、コンタクト層６ａと接する第２電極８が形成され
ている。この構成では、活性層３への電流注入はコンタ
クト層６ａでの横方向電流経路を介して行われる。基板
裏面には、光を取り出すための無反射コート９が施され
ている。図示された面発光デバイスでは、面発光レーザ
は１個しか形成されていないがアレイ状にあるいはマト
リックス状に複数のレーザを集積化することができる。
されており、また第２多層反射膜６上にはこれを覆うよ
うに、コンタクト層６ａと接する第２電極８が形成され
ている。この構成では、活性層３への電流注入はコンタ
クト層６ａでの横方向電流経路を介して行われる。基板
裏面には、光を取り出すための無反射コート９が施され
ている。図示された面発光デバイスでは、面発光レーザ
は１個しか形成されていないがアレイ状にあるいはマト
リックス状に複数のレーザを集積化することができる。
【００１３】ポスト１０は図１（ｂ）の断面と垂直な辺
を短辺とする長方形とすることができる。ポストの横断
面が長方形をなしているとき、短辺および長辺に平行な
振動面をもつ光が発振可能であるが振動方向が短辺に平
行な偏光の方が損失が大きいため、長辺に平行な振動面
をもつ偏光が優勢な発振が行われることになる。ポスト
形状を図１（ｂ）の断面と垂直な辺を短辺とする長方形
とするとき、長方形の長辺側が活性層の下までエッチン
グされていることにより、長辺に平行な振動面をもつ偏
光の光閉じ込め機能が強化され、横基本モードでの発振
が容易になり、また偏光状態も安定化する。また、本発
明の面発光デバイスでは、電流注入が比較的厚いコンタ
クト層を介して行われるため、素子抵抗が小さく維持す
ることができる。
を短辺とする長方形とすることができる。ポストの横断
面が長方形をなしているとき、短辺および長辺に平行な
振動面をもつ光が発振可能であるが振動方向が短辺に平
行な偏光の方が損失が大きいため、長辺に平行な振動面
をもつ偏光が優勢な発振が行われることになる。ポスト
形状を図１（ｂ）の断面と垂直な辺を短辺とする長方形
とするとき、長方形の長辺側が活性層の下までエッチン
グされていることにより、長辺に平行な振動面をもつ偏
光の光閉じ込め機能が強化され、横基本モードでの発振
が容易になり、また偏光状態も安定化する。また、本発
明の面発光デバイスでは、電流注入が比較的厚いコンタ
クト層を介して行われるため、素子抵抗が小さく維持す
ることができる。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図３（ａ）〜（ｄ）、図４（ｅ）〜（ｇ）
は、本発明の一実施例の製造方法を説明するための工程
順断面図である。また、図３（ｃ′）、図４（ｅ′）
は、それぞれ図３（ｃ）と図４（ｅ）の平面図である。
本実施例の面発光デバイスを作製するには、ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１１上に順に、ｎ型多層反射膜（ＧａＡｓ／Ａｌ
Ａｓの１８対）１２、ｎ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッ
ド層１３、Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層１４、ｎ型Ａｌ
0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層１５、ｐ型多層反射膜（Ｇ
ａＡｓ／ＡｌＡｓの１６対）１６を成長させたエピタキ
シャルウェハを用いる。その際、ｐ型多層反射膜の最も
中間層に近いＧａＡｓ層は、λを共振器内波長としたと
き、その厚さを５／４λとしたコンタクト層１６ａとす
る〔図３（ａ）〕。
て説明する。図３（ａ）〜（ｄ）、図４（ｅ）〜（ｇ）
は、本発明の一実施例の製造方法を説明するための工程
順断面図である。また、図３（ｃ′）、図４（ｅ′）
は、それぞれ図３（ｃ）と図４（ｅ）の平面図である。
本実施例の面発光デバイスを作製するには、ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１１上に順に、ｎ型多層反射膜（ＧａＡｓ／Ａｌ
Ａｓの１８対）１２、ｎ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッ
ド層１３、Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層１４、ｎ型Ａｌ
0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層１５、ｐ型多層反射膜（Ｇ
ａＡｓ／ＡｌＡｓの１６対）１６を成長させたエピタキ
シャルウェハを用いる。その際、ｐ型多層反射膜の最も
中間層に近いＧａＡｓ層は、λを共振器内波長としたと
き、その厚さを５／４λとしたコンタクト層１６ａとす
る〔図３（ａ）〕。
【００１５】まず、ウェハの一部をｎ型多層反射膜まで
エッチングして、ｎ型多層反射膜１２上にｎ側電極１７
を形成する〔図３（ｂ）〕。次に、このウェハ上にフォ
トリソグラフィ法を適用して幅６μｍのストライプ状の
フォトレジストマスク２０を形成し〔図３（ｃ）、
（ｃ′）〕、これをマスクとして塩素ガスなどを用いた
ドライエッチングによりｐ型多層反射膜１６を最下層の
コンタクト層１６ａまでエッチングする〔図３
（ｄ）〕。図には、フォトレジストマスクは１本のみが
示されているだけであるが、ウェハ上に複数本平行に形
成することができる。
エッチングして、ｎ型多層反射膜１２上にｎ側電極１７
を形成する〔図３（ｂ）〕。次に、このウェハ上にフォ
トリソグラフィ法を適用して幅６μｍのストライプ状の
フォトレジストマスク２０を形成し〔図３（ｃ）、
（ｃ′）〕、これをマスクとして塩素ガスなどを用いた
ドライエッチングによりｐ型多層反射膜１６を最下層の
コンタクト層１６ａまでエッチングする〔図３
（ｄ）〕。図には、フォトレジストマスクは１本のみが
示されているだけであるが、ウェハ上に複数本平行に形
成することができる。
【００１６】さらに、フォトレジストマスク２０を適当
な溶剤、あるいは酸素プラズマなどを用いて剥離した後
に、元のストライプマスク上に垂直に５×１０μｍの長
方形のｐ側電極を兼ねた厚膜金属マスク１８を形成する
〔図４（ｅ）、（ｅ′）〕。その後、その厚膜金属マス
ク１８を用いて、エピタキシャルウェハをｎ型多層反射
膜１２までエッチングする〔図４（ｆ）〕。その際、最
初にフォトレジストマスクで覆われていた領域は活性層
の直ぐ下までエッチングされるようにする。最後に、基
板裏面を研磨し、無反射コート１９を施す〔図４
（ｇ）〕。
な溶剤、あるいは酸素プラズマなどを用いて剥離した後
に、元のストライプマスク上に垂直に５×１０μｍの長
方形のｐ側電極を兼ねた厚膜金属マスク１８を形成する
〔図４（ｅ）、（ｅ′）〕。その後、その厚膜金属マス
ク１８を用いて、エピタキシャルウェハをｎ型多層反射
膜１２までエッチングする〔図４（ｆ）〕。その際、最
初にフォトレジストマスクで覆われていた領域は活性層
の直ぐ下までエッチングされるようにする。最後に、基
板裏面を研磨し、無反射コート１９を施す〔図４
（ｇ）〕。
【００１７】上記実施例において材料系をＧａＡｓ／Ａ
ｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓとしたが、他の材料系でもよい。
また、ｎ側電極１７は、第２回目のエッチングの終了後
に行うようにしてもよい。また、第２回目のエッチング
はｎ型多層反射膜までとしたが、活性層の手前で止め
て、イオン注入により素子分離を行ってもよい。また、
素子サイズは５×６μｍとしたが、横基本モード発振が
可能なサイズであればこれに限らない。さらに、コンタ
クト層は５／４λ厚としたが、１／４λの奇数倍であれ
ばよい。
ｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓとしたが、他の材料系でもよい。
また、ｎ側電極１７は、第２回目のエッチングの終了後
に行うようにしてもよい。また、第２回目のエッチング
はｎ型多層反射膜までとしたが、活性層の手前で止め
て、イオン注入により素子分離を行ってもよい。また、
素子サイズは５×６μｍとしたが、横基本モード発振が
可能なサイズであればこれに限らない。さらに、コンタ
クト層は５／４λ厚としたが、１／４λの奇数倍であれ
ばよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による面発
光デバイスは、面発光レーザの形成されるポストの一方
の側面を活性層の近くあるいはこれを越えるように形成
し、他方を２段メサ構造とし、１段メサ部においてコン
タクトを取るようにしたものであるので、本発明によれ
ば、素子抵抗を低く抑えたまま、光閉じ込め機能を強化
して横基本モードでの発振を可能ならしめることがで
き、偏光方向を安定させることができる。
光デバイスは、面発光レーザの形成されるポストの一方
の側面を活性層の近くあるいはこれを越えるように形成
し、他方を２段メサ構造とし、１段メサ部においてコン
タクトを取るようにしたものであるので、本発明によれ
ば、素子抵抗を低く抑えたまま、光閉じ込め機能を強化
して横基本モードでの発振を可能ならしめることがで
き、偏光方向を安定させることができる。
【図１】本発明の実施の形態を説明するための平面図と
断面図。
断面図。
【図２】本発明の実施の形態を説明するための斜視図。
【図３】本発明の一実施例の製造方法を説明するための
工程順断面図の一部と一工程段階での平面図。
工程順断面図の一部と一工程段階での平面図。
【図４】本発明の一実施例の製造方法を説明するため
の、図３の工程に続く工程での工程順断面図と一工程段
階での平面図。
の、図３の工程に続く工程での工程順断面図と一工程段
階での平面図。
【図５】従来例の斜視図。
１ 半導体基板 ２ 第１多層反射膜 ３ 第１クラッド層 ４ 活性層 ５ 第２クラッド層 ６ 第２多層反射膜 ６ａ コンタクト層 ７ 第１電極 ８ 第２電極 ９、１９、２９ 無反射コート １０、３０ ポスト １１、２１ ｎ型ＧａＡｓ基板 １２、２２ ｎ型多層反射膜 １３ ｎ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層 ２３ ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層 １４ Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層 ２４ ＩｎＧａＡｓ活性層 １５ ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層 ２５ ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層 １６、２６ ｐ型多層反射膜 １６ａ、２６ａ コンタクト層 １７、２７ ｎ側電極 １８ 厚膜金属マスク（ｐ側電極） ２８ ｐ側電極 ２０ フォトレジストマスク ３１ 高抵抗領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−202162（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−343807（ＪＰ，Ａ) 1995年電子情報通信学会総合大会予稿 集Ｃ−363 ＪＰＮ．Ｊ．ＡＰＰＬ．ＰＨＹＳ．〜 32！（1993）Ｐ．604−608 ＩＥＥＥ ＰＨＯＴＯＮ．ＴＥＣＨＮ ＯＬ．ＬＥＴＴ．５〜２！（1993）Ｐ. 136−139 ＪＰＮ．Ｊ．ＡＰＰＬ．ＰＨＹＳ．〜 33！（1994）Ｐ．1352−1356 ＡＰＰＬ．ＰＨＹＳ．ＬＥＴＴ．66〜 ８！（1995）Ｐ．908−910 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板上に、第１導電型多層反射
膜、第１導電型クラッド層、活性層、第２導電型クラッ
ド層および第２導電型多層反射膜が形成され、横断面が
長方形の角柱型に加工されたポスト部分に面発光レーザ
が形成されている面発光デバイスにおいて、前記ポスト
の対向する２側面の中心部下端は前記第１導電型クラッ
ド層と接しており、かつ、対向する他の２側面は２段メ
サ形状をなしており、第１メサ部分の側面下端は前記第
２導電型多層反射膜の下層部分と接し、第２メサ部分の
側面下端は前記第１導電型多層反射膜と接しており、か
つ、前記活性層の４つの側面は前記ポストの側面をなし
ていることを特徴とする面発光デバイス。 - 【請求項２】 半導体基板上に、第１導電型多層反射
膜、第１導電型クラッド層、活性層、第２導電型クラッ
ド層および第２導電型多層反射膜が形成され、角柱型に
加工されたポスト部分に面発光レーザが形成されている
面発光デバイスにおいて、前記ポストの対向する２側面
の中心部下端は前記第２導電型クラッド層と接してお
り、対向する他の２側面は２段メサ形状をなしており、
第１メサ部分の側面下端は前記第２導電型多層反射膜の
下層部分と接し、第２メサ部分の側面下端は前記第２導
電型クラッド層または前記第１導電型クラッド層と接し
ており、かつ、前記活性層の少なくとも２側面部分は前
記ポストの側面をなしており該活性層の前記ポストの側
面をなしていない側面部分は素子分離用高抵抗領域に接
していることを特徴とする面発光デバイス。 - 【請求項３】 複数の面発光レーザが同一基板上に１列
若しくは複数列に配列されていることを特徴とする請求
項１または２記載の面発光デバイス。 - 【請求項４】 （１）半導体基板上に、第１導電型多層
反射膜、第１導電型クラッド層、活性層、第２導電型ク
ラッド層および第２導電型多層反射膜を順次成長させる
工程と、 （２）１ないし複数本のストライプ状マスクを形成し、
これをマスクとして前記第２導電型多層反射膜をその下
層部分が露出するまでエッチングしてストライプ状のメ
サを形成する工程と、 （３）前記メサに直交してこれを跨ぎ、端部が前記第２
導電型多層反射膜の下層部分と接する１乃至複数個の第
２導電型側電極を形成する工程と、 （４）前記第２導電型側電極をマスクとしてエピタキシ
ャル成長層を所定の深さまでエッチングして１乃至複数
個の角柱状のポストを形成する工程と、 を有することを特徴とする面発光デバイスの製造方法。 - 【請求項５】 前記第（４）の工程において、深い方の
エッチングが前記第１導電型反射膜にまで到達し、浅い
方のエッチングが前記活性層より下に達することを特徴
とする請求項４記載の面発光デバイスの製造方法。 - 【請求項６】 前記第（４）の工程における浅い方のエ
ッチングが前記活性層より上で終了しており、かつ、前
記第（４）の工程の後に、活性層の前記ポストの側面に
囲まれていない周囲にイオン注入を行って素子分離用高
抵抗領域を形成する工程が付加されることを特徴とする
請求項４記載の面発光デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7321258A JP2800746B2 (ja) | 1995-11-16 | 1995-11-16 | 面発光デバイスおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7321258A JP2800746B2 (ja) | 1995-11-16 | 1995-11-16 | 面発光デバイスおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09139547A JPH09139547A (ja) | 1997-05-27 |
| JP2800746B2 true JP2800746B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
ID=18130575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7321258A Expired - Fee Related JP2800746B2 (ja) | 1995-11-16 | 1995-11-16 | 面発光デバイスおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2800746B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6898105B2 (en) | 2002-06-19 | 2005-05-24 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Ferroelectric non-volatile memory device having integral capacitor and gate electrode, and driving method of a ferroelectric non-volatile memory device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008159627A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3093547B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2000-10-03 | 日本電気株式会社 | 光集積回路およびその製造方法 |
-
1995
- 1995-11-16 JP JP7321258A patent/JP2800746B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (5)
| Title |
|---|
| １９９５年電子情報通信学会総合大会予稿集Ｃ−３６３ |
| ＡＰＰＬ．ＰＨＹＳ．ＬＥＴＴ．６６〜８！（１９９５）Ｐ．９０８−９１０ |
| ＩＥＥＥ ＰＨＯＴＯＮ．ＴＥＣＨＮＯＬ．ＬＥＴＴ．５〜２！（１９９３）Ｐ．１３６−１３９ |
| ＪＰＮ．Ｊ．ＡＰＰＬ．ＰＨＹＳ．〜３２！（１９９３）Ｐ．６０４−６０８ |
| ＪＰＮ．Ｊ．ＡＰＰＬ．ＰＨＹＳ．〜３３！（１９９４）Ｐ．１３５２−１３５６ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6898105B2 (en) | 2002-06-19 | 2005-05-24 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Ferroelectric non-volatile memory device having integral capacitor and gate electrode, and driving method of a ferroelectric non-volatile memory device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09139547A (ja) | 1997-05-27 |
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