JP2000307150A - ＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子 - Google Patents
ＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 台座電極下での電流の漏れを防ぎ、外部量子
効率の向上とそのばらつきの低減を図ることができるよ
うに改良されたＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子を提供
することを主要な目的とする。 【解決手段】 ＺｎＳｅ単結晶基板１の上に、ｎ型半導
体層２，３が設けられている。ｎ型半導体層２，３の上
に発光層４が設けられている。発光層４の上に、ｐ型半
導体層５，６，７，８が設けられている。ｐ型半導体層
５，６，７，８の上に、ワイヤボンディングをするため
の台座電極１１が設けられている。台座電極１１の直下
の半導体層に電流が流れないようにされている。
効率の向上とそのばらつきの低減を図ることができるよ
うに改良されたＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子を提供
することを主要な目的とする。 【解決手段】 ＺｎＳｅ単結晶基板１の上に、ｎ型半導
体層２，３が設けられている。ｎ型半導体層２，３の上
に発光層４が設けられている。発光層４の上に、ｐ型半
導体層５，６，７，８が設けられている。ｐ型半導体層
５，６，７，８の上に、ワイヤボンディングをするため
の台座電極１１が設けられている。台座電極１１の直下
の半導体層に電流が流れないようにされている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、一般に、ＺｎＳ
ｅ系化合物半導体発光素子に関するものであり、より特
定的には、台座電極下での電流の漏れを防ぎ、外部量子
効率の向上とそのばらつき低減を図ることができるよう
に改良されたＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子に関す
る。
ｅ系化合物半導体発光素子に関するものであり、より特
定的には、台座電極下での電流の漏れを防ぎ、外部量子
効率の向上とそのばらつき低減を図ることができるよう
に改良されたＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の発光素子の構造（ａ）と
発光機構（ｂ）を示す図である。
発光機構（ｂ）を示す図である。
【０００３】図４を参照して、発光ダイオード（Light-
Emitting Diode：ＬＥＤ）は、ｐおよびｎ型半導体結晶
が隣り合って構成するｐｎ接合部での少数キャリア注入
と、これに続く発光再結合現象を利用した電気−光変換
型の半導体発光素子である。
Emitting Diode：ＬＥＤ）は、ｐおよびｎ型半導体結晶
が隣り合って構成するｐｎ接合部での少数キャリア注入
と、これに続く発光再結合現象を利用した電気−光変換
型の半導体発光素子である。
【０００４】素子そのものは、０．３ｍｍ角程度の半導
体結晶材料でできており、図４（ａ）に示すように、基
本構造はＳｉ整流素子と変わるところがない。
体結晶材料でできており、図４（ａ）に示すように、基
本構造はＳｉ整流素子と変わるところがない。
【０００５】ｐ型結晶に正、ｎ型結晶に負の順方向電圧
を印加すると、図４（ｂ）に示すように、ｐ領域には電
子が、ｎ領域には正孔が注入される。これらの少数キャ
リアの一部が多数キャリアと発光再結合することによっ
て光を生ずる。
を印加すると、図４（ｂ）に示すように、ｐ領域には電
子が、ｎ領域には正孔が注入される。これらの少数キャ
リアの一部が多数キャリアと発光再結合することによっ
て光を生ずる。
【０００６】さて、最近、青・緑色の発光波長帯でＺｎ
Ｓｅ系化合物半導体を発光層に用いた発光素子が、脚光
を浴びている。たとえば、動作時間が４００時間にも及
ぶＺｎＳｅ系半導体レーザが報告されている。
Ｓｅ系化合物半導体を発光層に用いた発光素子が、脚光
を浴びている。たとえば、動作時間が４００時間にも及
ぶＺｎＳｅ系半導体レーザが報告されている。
【０００７】しかしながら、この材料系で発光ダイオー
ドを製造する場合、従来のＧａＡｓＰ系、ＡｌＧａＡｓ
系、ＧａＰ系、ＡｌＧａＩｎＰ系と異なり、光吸収の少
ない電流拡散層を設けることができない。このため、Ａ
ｕ線等のワイヤをボンディングするための金属電極の直
下に、電流が集中してしまい、発光が遮られ、発光効率
が低いといった欠点がある。このため、ＺｎＳｅ系発光
ダイオードでは、電流を拡げるための透光性の金属電極
とワイヤボンディング用の台座電極を設ける手法が一般
的によく用いられている。
ドを製造する場合、従来のＧａＡｓＰ系、ＡｌＧａＡｓ
系、ＧａＰ系、ＡｌＧａＩｎＰ系と異なり、光吸収の少
ない電流拡散層を設けることができない。このため、Ａ
ｕ線等のワイヤをボンディングするための金属電極の直
下に、電流が集中してしまい、発光が遮られ、発光効率
が低いといった欠点がある。このため、ＺｎＳｅ系発光
ダイオードでは、電流を拡げるための透光性の金属電極
とワイヤボンディング用の台座電極を設ける手法が一般
的によく用いられている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、電流を
注入するための透光性の金属電極とワイヤをボンディン
グするための台座電極を設けることにより、ＺｎＳｅ系
発光ダイオードの発光効率は著しく向上する。このこと
は、素子のｐ型電極側から発光の様子を光学顕微鏡で観
察すると、発光領域が台座電極の周囲のみならず、素子
全面にわたって均一に広がって見えることでも確認でき
る。
注入するための透光性の金属電極とワイヤをボンディン
グするための台座電極を設けることにより、ＺｎＳｅ系
発光ダイオードの発光効率は著しく向上する。このこと
は、素子のｐ型電極側から発光の様子を光学顕微鏡で観
察すると、発光領域が台座電極の周囲のみならず、素子
全面にわたって均一に広がって見えることでも確認でき
る。
【０００９】しかしながら、上記のような電極構造を有
する素子の発光像を基板側から観察したところ（我々
は、透明なＺｎＳｅ基板を用いているため、基板側から
発光像を観察することができる）、台座電極直下の領域
でも、電流が流れる場合があることを見い出した。これ
は、発光効率を低下させるのみならず、素子特性のばら
つきの要因にもなる。
する素子の発光像を基板側から観察したところ（我々
は、透明なＺｎＳｅ基板を用いているため、基板側から
発光像を観察することができる）、台座電極直下の領域
でも、電流が流れる場合があることを見い出した。これ
は、発光効率を低下させるのみならず、素子特性のばら
つきの要因にもなる。
【００１０】それゆえに、この発明の目的は、台座電極
下での電流の漏れを防ぎ、外部量子効率の向上とそのば
らつき低減を図ることができるように改良されたＺｎＳ
ｅ系化合物半導体発光素子を提供することを目的とす
る。
下での電流の漏れを防ぎ、外部量子効率の向上とそのば
らつき低減を図ることができるように改良されたＺｎＳ
ｅ系化合物半導体発光素子を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１に係るＺｎＳｅ
系化合物半導体発光素子は、ＺｎＳｅ単結晶基板を備え
る。上記ＺｎＳｅ単結晶基板の上に、ｎ型半導体層が設
けられている。上記ｎ型半導体層の上に発光層が設けら
れている。上記発光層の上にｐ型半導体層が設けられて
いる。上記ｐ型半導体層の上に、ワイヤボンディングを
するための台座電極が設けられている。上記台座電極の
直下の半導体層に電流が流れないようにされている。
系化合物半導体発光素子は、ＺｎＳｅ単結晶基板を備え
る。上記ＺｎＳｅ単結晶基板の上に、ｎ型半導体層が設
けられている。上記ｎ型半導体層の上に発光層が設けら
れている。上記発光層の上にｐ型半導体層が設けられて
いる。上記ｐ型半導体層の上に、ワイヤボンディングを
するための台座電極が設けられている。上記台座電極の
直下の半導体層に電流が流れないようにされている。
【００１２】この発明によれば、台座電極の直下の半導
体層に電流が流れないようにされているので、台座電極
下での電流の漏れを防ぎ、外部量子効率の向上と、その
ばらつき低減を図ることができる。
体層に電流が流れないようにされているので、台座電極
下での電流の漏れを防ぎ、外部量子効率の向上と、その
ばらつき低減を図ることができる。
【００１３】請求項２に係るＺｎＳｅ系化合物半導体発
光素子においては、上記台座電極は、上記ｐ型半導体層
とオーミック接触を果たし得ない材料で形成されてい
る。
光素子においては、上記台座電極は、上記ｐ型半導体層
とオーミック接触を果たし得ない材料で形成されてい
る。
【００１４】この発明によれば、台座電極が、上記ｐ型
半導体層とオーミック接触を果たせない材料で形成され
ているので、台座電極の直下の半導体層に電流が流れな
い。
半導体層とオーミック接触を果たせない材料で形成され
ているので、台座電極の直下の半導体層に電流が流れな
い。
【００１５】請求項３に係るＺｎＳｅ系化合物半導体発
光素子においては、上記ｐ型半導体層の不純物濃度は、
上記台座電極と上記ｐ型半導体層とがオーミック接触を
果たし得ないように選ばれている。
光素子においては、上記ｐ型半導体層の不純物濃度は、
上記台座電極と上記ｐ型半導体層とがオーミック接触を
果たし得ないように選ばれている。
【００１６】この発明によれば、ｐ型半導体層の不純物
濃度が、台座電極とｐ型半導体層とがオーミック接触を
果たし得ないように選ばれているので、台座電極の直下
の半導体層に電流が流れない。
濃度が、台座電極とｐ型半導体層とがオーミック接触を
果たし得ないように選ばれているので、台座電極の直下
の半導体層に電流が流れない。
【００１７】請求項４に係るＺｎＳｅ系化合物半導体発
光素子においては、上記台座電極は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｎ
Ｓ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 およびＳｉＮからなる群より
選ばれた材料、またはＴｉ、Ａｌ、ＺｎＳ、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 およびＳｉＮからなる群より選ばれた
ものを含む合金、あるいはＴｉ、Ａｌ、ＺｎＳ、Ａｌ2
Ｏ3、ＳｉＯ2 およびＳｉＮからなる群より選ばれたも
のを含む化合物から形成されている。
光素子においては、上記台座電極は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｎ
Ｓ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 およびＳｉＮからなる群より
選ばれた材料、またはＴｉ、Ａｌ、ＺｎＳ、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 およびＳｉＮからなる群より選ばれた
ものを含む合金、あるいはＴｉ、Ａｌ、ＺｎＳ、Ａｌ2
Ｏ3、ＳｉＯ2 およびＳｉＮからなる群より選ばれたも
のを含む化合物から形成されている。
【００１８】この発明によれば、台座電極が、ｐ型半導
体層とオーミック接触を果たし得ない材料で形成されて
いるので、台座電極の直下の半導体層に電流が流れな
い。
体層とオーミック接触を果たし得ない材料で形成されて
いるので、台座電極の直下の半導体層に電流が流れな
い。
【００１９】請求項５に係るＺｎＳｅ系化合物半導体発
光素子においては、上記台座電極の直下に位置する上記
ｐ型半導体層の一部がエッチングにより除去され、それ
によって、金属電極とオーミック接触を果たし得ない半
導体層が露出しており、上記半導体層の上記露出部に上
記台座電極が接触している。
光素子においては、上記台座電極の直下に位置する上記
ｐ型半導体層の一部がエッチングにより除去され、それ
によって、金属電極とオーミック接触を果たし得ない半
導体層が露出しており、上記半導体層の上記露出部に上
記台座電極が接触している。
【００２０】この発明によれば、台座電極が、金属電極
とオーミック接触を果たし得ない半導体層に接触してい
るので、台座電極の直下の半導体層に電流が流れない。
とオーミック接触を果たし得ない半導体層に接触してい
るので、台座電極の直下の半導体層に電流が流れない。
【００２１】請求項６に係るＺｎＳｅ系化合物半導体発
光素子においては、上記エッチングは、上記半導体層の
露出面に凹凸が形成されるような条件で行なわれてい
る。
光素子においては、上記エッチングは、上記半導体層の
露出面に凹凸が形成されるような条件で行なわれてい
る。
【００２２】この発明によれば、半導体層の露出面に凹
凸が形成されるので、半導体層の露出面と台座電極との
密着性が飛躍的に向上する。このような凹凸の形成は、
イオンミリング、反応性イオンエッチング等で実現する
ことができる。
凸が形成されるので、半導体層の露出面と台座電極との
密着性が飛躍的に向上する。このような凹凸の形成は、
イオンミリング、反応性イオンエッチング等で実現する
ことができる。
【００２３】請求項７に係るＺｎＳｅ系化合物半導体発
光素子においては、上記ｐ型半導体層中であって、上記
台座電極の直下に位置し、かつ上記発光層より上に位置
する部分に設けられたｎ型半導体層を、さらに備える。
光素子においては、上記ｐ型半導体層中であって、上記
台座電極の直下に位置し、かつ上記発光層より上に位置
する部分に設けられたｎ型半導体層を、さらに備える。
【００２４】この発明によれば、台座電極の直下におい
て、ｐｎｐｎサイリスタ構造が形成され、台座電極の直
下の半導体層に電流が流れない。
て、ｐｎｐｎサイリスタ構造が形成され、台座電極の直
下の半導体層に電流が流れない。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
について説明する。
について説明する。
【００２６】実施の形態１ 図１は、実施の形態１に係るＺｎＳｅ系化合物半導体発
光素子の断面図である。
光素子の断面図である。
【００２７】導電性ＺｎＳｅ単結晶基板１の上に、１μ
ｍ厚のｎ型ＺｎＳｅバッファ層２、１μｍ厚のｎ型Ｚｎ
ＭｇＳＳｅクラッド層３、ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多重
量子井戸活性層４、１μｍ厚のｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラ
ッド層５、０．２μｍ厚のｐ型ＺｎＳｅ層６、ＺｎＴｅ
とＺｎＳｅの積層超格子構造からなるｐ型コンタクト層
７が順次設けられている。最も上の表面には、６０ｎｍ
厚のｐ型ＺｎＴｅ層８が設けられている。ここで、最表
面層のｐ型ＺｎＴｅ層８のドーピング濃度は、Ｔｉとシ
ョットキー接触が得られるように、１×１０19ｃｍ-3以
下とされている。
ｍ厚のｎ型ＺｎＳｅバッファ層２、１μｍ厚のｎ型Ｚｎ
ＭｇＳＳｅクラッド層３、ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多重
量子井戸活性層４、１μｍ厚のｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラ
ッド層５、０．２μｍ厚のｐ型ＺｎＳｅ層６、ＺｎＴｅ
とＺｎＳｅの積層超格子構造からなるｐ型コンタクト層
７が順次設けられている。最も上の表面には、６０ｎｍ
厚のｐ型ＺｎＴｅ層８が設けられている。ここで、最表
面層のｐ型ＺｎＴｅ層８のドーピング濃度は、Ｔｉとシ
ョットキー接触が得られるように、１×１０19ｃｍ-3以
下とされている。
【００２８】このようなエピ構造の上に、Ｔｉ／Ａｕか
らなるワイヤボンディング用の台座電極（約３０００Å
のＡｕ層とその下に形成された１０００ÅのＴｉ層から
なる）１１と、２０ｎｍ以下の厚みからなる透光性の全
面Ａｕ電極１０（約１００Å）とが形成されている。電
極形成後のエピタキシャルウェハを、３００μｍ角チッ
プに切出し、Ｐ型電極が形成されている面を上にしてリ
ードフレームに固定した。ＺｎＳｅ単結晶基板１の裏面
にはｎ型電極１２を形成する。
らなるワイヤボンディング用の台座電極（約３０００Å
のＡｕ層とその下に形成された１０００ÅのＴｉ層から
なる）１１と、２０ｎｍ以下の厚みからなる透光性の全
面Ａｕ電極１０（約１００Å）とが形成されている。電
極形成後のエピタキシャルウェハを、３００μｍ角チッ
プに切出し、Ｐ型電極が形成されている面を上にしてリ
ードフレームに固定した。ＺｎＳｅ単結晶基板１の裏面
にはｎ型電極１２を形成する。
【００２９】台座電極１１が、ｐ型半導体層とオーミッ
ク接触を果たし得ない材料であるＴｉを含むので、台座
電極１１の直下の半導体層に電流が流れない。
ク接触を果たし得ない材料であるＴｉを含むので、台座
電極１１の直下の半導体層に電流が流れない。
【００３０】実際、得られた発光ダイオードを定電流モ
ードで測定したところ、２０ｍＡ通電時で、発光強度が
３ｍＷにも及ぶ高輝度の緑色発光が得られた。また、Ｐ
型電極が形成されている面を下にして素子架台に固定し
て、基板側から発光像を観察したところ、Ｔｉ／Ａｕ台
座電極１１の下での発光は見られなかった。
ードで測定したところ、２０ｍＡ通電時で、発光強度が
３ｍＷにも及ぶ高輝度の緑色発光が得られた。また、Ｐ
型電極が形成されている面を下にして素子架台に固定し
て、基板側から発光像を観察したところ、Ｔｉ／Ａｕ台
座電極１１の下での発光は見られなかった。
【００３１】実施の形態２ 図２は、実施の形態２に係るＺｎＳｅ系化合物半導体発
光素子の断面図である。図２に示すＺｎＳｅ系化合物半
導体発光素子は、以下の点を除いて、図１に示すＺｎＳ
ｅ系化合物半導体発光素子と、同一であるので、同一ま
たは相当する部分には、同一の参照番号を付し、その説
明を繰返さない。
光素子の断面図である。図２に示すＺｎＳｅ系化合物半
導体発光素子は、以下の点を除いて、図１に示すＺｎＳ
ｅ系化合物半導体発光素子と、同一であるので、同一ま
たは相当する部分には、同一の参照番号を付し、その説
明を繰返さない。
【００３２】図２に示すＺｎＳｅ系化合物半導体発光素
子においては、ｐ型コンタクト層７とｐ型ＺｎＴｅ層８
の一部がエッチングにより除去され、それによって、金
属電極とオーミック接触を果たし得ないｐ型ＺｎＳｅ層
６が露出している。ｐ型ＺｎＳｅ層６の露出部に、Ｔｉ
／Ａｕからなる台座電極１１が接触している。さらに詳
しく説明すると、ｐ型ＺｎＴｅ層８とｐ型コンタクト層
７は、透光性のＡｕ電極１０を形成する領域のみ残し
て、化学エッチングにより、ｐ型ＺｎＳｅ層６の表面を
露出させるように、除去されている。
子においては、ｐ型コンタクト層７とｐ型ＺｎＴｅ層８
の一部がエッチングにより除去され、それによって、金
属電極とオーミック接触を果たし得ないｐ型ＺｎＳｅ層
６が露出している。ｐ型ＺｎＳｅ層６の露出部に、Ｔｉ
／Ａｕからなる台座電極１１が接触している。さらに詳
しく説明すると、ｐ型ＺｎＴｅ層８とｐ型コンタクト層
７は、透光性のＡｕ電極１０を形成する領域のみ残し
て、化学エッチングにより、ｐ型ＺｎＳｅ層６の表面を
露出させるように、除去されている。
【００３３】透光性のＡｕ電極１０は、実施の形態１と
同様に、その厚みは２０ｎｍ以下である。電極形成後の
エピタキシャルウェハを３００μｍ角のチップに切出
し、ｐ型電極が形成されている面を上にしてリードフレ
ームに固定した。
同様に、その厚みは２０ｎｍ以下である。電極形成後の
エピタキシャルウェハを３００μｍ角のチップに切出
し、ｐ型電極が形成されている面を上にしてリードフレ
ームに固定した。
【００３４】得られた発光ダイオードを、定電流モード
で測定したところ、実施の形態１と同様、２０ｍＡ通電
時で、発光強度が３ｍＷにも及ぶ高輝度の緑色発光が得
られた。また、ｐ型電極が形成されている面を下にし
て、素子架台に固定して、基板側から発光像を観察した
ところ、Ｔｉ／Ａｕ台座電極１１の下での発光は認めら
れなかった。
で測定したところ、実施の形態１と同様、２０ｍＡ通電
時で、発光強度が３ｍＷにも及ぶ高輝度の緑色発光が得
られた。また、ｐ型電極が形成されている面を下にし
て、素子架台に固定して、基板側から発光像を観察した
ところ、Ｔｉ／Ａｕ台座電極１１の下での発光は認めら
れなかった。
【００３５】実施の形態３ 図３は、実施の形態３に係るＺｎＳｅ系化合物半導体発
光素子の断面図である。
光素子の断面図である。
【００３６】導電性のＺｎＳｅ単結晶基板１の上に、１
μｍ厚のｎ型ＺｎＳｅバッファ層２、１μｍ厚のｎ型Ｚ
ｎＭｇＳＳｅクラッド層３、ＺｎＳｅとＺｎＣｄＳｅの
多重量子井戸活性層４、１μｍ厚のｐ型ＺｎＭｇＳＳｅ
クラッド層５、ｐ型ＺｎＳｅ層６、０．２μｍ厚のｎ型
ＺｎＳｅ層９を形成する。台座電極１１を形成させる領
域のみ残して、上記のｎ型ＺｎＳｅ層９を化学エッチン
グで除去した後、ＺｎＴｅとＺｎＳｅの積層超格子構造
からなるｐ型コンタクト層７を、ｎ型ＺｎＳｅ層９を覆
うように全面に形成する。層６，７，９でｐｎｐｎサイ
リスタ構造が形成される。最上表面に、６０ｍｍのｐ型
ＺｎＴｅ層８を形成する。
μｍ厚のｎ型ＺｎＳｅバッファ層２、１μｍ厚のｎ型Ｚ
ｎＭｇＳＳｅクラッド層３、ＺｎＳｅとＺｎＣｄＳｅの
多重量子井戸活性層４、１μｍ厚のｐ型ＺｎＭｇＳＳｅ
クラッド層５、ｐ型ＺｎＳｅ層６、０．２μｍ厚のｎ型
ＺｎＳｅ層９を形成する。台座電極１１を形成させる領
域のみ残して、上記のｎ型ＺｎＳｅ層９を化学エッチン
グで除去した後、ＺｎＴｅとＺｎＳｅの積層超格子構造
からなるｐ型コンタクト層７を、ｎ型ＺｎＳｅ層９を覆
うように全面に形成する。層６，７，９でｐｎｐｎサイ
リスタ構造が形成される。最上表面に、６０ｍｍのｐ型
ＺｎＴｅ層８を形成する。
【００３７】このような、エピタキシャル構造の上に、
Ｔｉ／Ａｕからなるワイヤボンディング用の台座電極１
１と、２０ｎｍ以下の厚みからなる透光性の全面Ａｕ電
極１０を形成した。電極形成後の、エピタキシャルウェ
ハを、３００μｍ角のチップに切出し、ｐ型電極が形成
されている面を上にしてリードフレームに固定した。
Ｔｉ／Ａｕからなるワイヤボンディング用の台座電極１
１と、２０ｎｍ以下の厚みからなる透光性の全面Ａｕ電
極１０を形成した。電極形成後の、エピタキシャルウェ
ハを、３００μｍ角のチップに切出し、ｐ型電極が形成
されている面を上にしてリードフレームに固定した。
【００３８】得られた発光ダイオードを定電流モードで
測定したところ、実施の形態１と同様、２０ｍＡ通電時
で、発光強度が３ｍＷにも及ぶ高輝度の緑色発光が得ら
れた。また、Ｐ型電極が形成されている面を下にして素
子架台に固定して、基板側から発光像を観察したとこ
ろ、Ｔｉ／Ａｕ台座電極１１の下での発光は見受けられ
なかった。
測定したところ、実施の形態１と同様、２０ｍＡ通電時
で、発光強度が３ｍＷにも及ぶ高輝度の緑色発光が得ら
れた。また、Ｐ型電極が形成されている面を下にして素
子架台に固定して、基板側から発光像を観察したとこ
ろ、Ｔｉ／Ａｕ台座電極１１の下での発光は見受けられ
なかった。
【００３９】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明に係るＺ
ｎＳｅ系化合物半導体発光素子によれば、台座電極直下
の半導体層上の電流の漏れを防ぐこにとより、外部量子
効率を向上させるという効果を奏する。
ｎＳｅ系化合物半導体発光素子によれば、台座電極直下
の半導体層上の電流の漏れを防ぐこにとより、外部量子
効率を向上させるという効果を奏する。
【図１】実施の形態１に係るＺｎＳｅ系化合物半導体発
光素子の断面図である。
光素子の断面図である。
【図２】実施の形態２に係るＺｎＳｅ系化合物半導体発
光素子の断面図である。
光素子の断面図である。
【図３】実施の形態３に係るＺｎＳｅ系化合物半導体発
光素子の断面図である。
光素子の断面図である。
【図４】従来の発光素子の断面図である。
１ 導電性ＺｎＳｅ単結晶基板 ２ ｎ型ＺｎＳｅバッファ層 ３ ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層 ４ ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多重量子井戸活性層 ５ ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層 ６ ｐ型ＺｎＳｅ層 ７ ｐ型コンタクト層 ８ ｐ型ＺｎＴｅ層 １０ 透光性Ａｕ電極 １１ Ｔｉ／Ａｕ台座電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松原 秀樹 大阪市此花区島屋一丁目１番３号 住友電 気工業株式会社大阪製作所内 (72)発明者 武部 敏彦 大阪市此花区島屋一丁目１番３号 住友電 気工業株式会社大阪製作所内 Ｆターム(参考） 5F041 AA03 CA05 CA41 CA43 CA74 CA83 CA84 CA88 CA92 CA98 5F073 AA51 AA55 AA61 AA71 AA74 CA22 CB05 CB07 CB22 DA25 DA30 EA29
Claims (7)
- 【請求項１】 ＺｎＳｅ単結晶基板と、 前記ＺｎＳｅ単結晶基板の上に設けられたｎ型半導体層
と、 前記ｎ型半導体層の上に設けられた発光層と、 前記発光層の上に設けられたｐ型半導体層と、 前記ｐ型半導体層の上に設けられ、ワイヤボンディング
をするための台座電極と、を備え、 前記台座電極の直下の半導体層に電流が流れないように
されているＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記台座電極は、前記ｐ型半導体層とオ
ーミック接触を果たし得ない材料で形成されている、請
求項１に記載のＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記ｐ型半導体層の不純物濃度は、前記
台座電極と前記ｐ型半導体層とがオーミック接触を果た
し得ないように選ばれている、請求項１に記載のＺｎＳ
ｅ系化合物半導体発光素子。 - 【請求項４】 前記台座電極は、Ｔｉ、Ａｌ、ＺｎＳ、
Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ 2 およびＳｉＮからなる群より選ば
れた材料、またはＴｉ、Ａｌ、ＺｎＳ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓ
ｉＯ2 およびＳｉＮからなる群より選ばれたものを含む
合金、あるいは、 Ｔｉ、Ａｌ、ＺｎＳ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 およびＳｉ
Ｎからなる群より選ばれたものを含む化合物から形成さ
れている、請求項１に記載のＺｎＳｅ系化合物半導体発
光素子。 - 【請求項５】 前記台座電極の直下に位置する前記ｐ型
半導体層の一部がエッチングにより除去され、それによ
って、金属電極とオーミック接触を果たし得ない半導体
層が露出しており、 前記半導体層の前記露出部に前記台座電極が接触してい
る、請求項１に記載のＺｎＳｅ系化合物半導体発光素
子。 - 【請求項６】 前記エッチングは、前記半導体層の露出
面に凹凸が形成されるような条件、たとえばイオンミリ
ングや反応性イオンエッチングで行なわれている、請求
項５に記載のＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子。 - 【請求項７】 前記ｐ型半導体層中であって、前記台座
電極の直下に位置し、かつ前記発光層より上に位置する
部分に設けられたｎ型半導体層を、さらに備える、請求
項１に記載のＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11083599A JP2000307150A (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | ＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11083599A JP2000307150A (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | ＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000307150A true JP2000307150A (ja) | 2000-11-02 |
Family
ID=14545883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11083599A Pending JP2000307150A (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | ＺｎＳｅ系化合物半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000307150A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008282966A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Sony Corp | 半導体素子およびその製造方法 |
-
1999
- 1999-04-19 JP JP11083599A patent/JP2000307150A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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