CN102447029B - 发光器件和包括该发光器件的照明器具 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种发光器件和包括该发光器件的照明器具。该发光器件，包括第二电极层；发光结构，其包括第二导电半导体层、有源层和第一导电半导体层，并且设置在第二电极层上；第一电极层，其包括焊盘部和连接到焊盘部的电极部，并且设置在发光结构上；以及电流阻挡层，其布置在第二电极层和发光结构之间，使得电流阻挡层的一部分重叠成与第一电极层相对应，其中与电极部相对应的电流阻挡层的宽度根据与焊盘部的间隙而是不同的。

Description

发光器件和包括该发光器件的照明器具

相关申请的交叉引用

该申请要求在2010年10月11日在韩国提交的韩国申请No.10-2010-0098651以及在2010年10月25日在韩国提交的No.10-2010-0103914的优先权，所述申请的全部内容通过引用结合于此，正如在这里得到充分阐述那样。

技术领域

实施例涉及一种发光器件和一种发光器件封装。

背景技术

用于照明器具的发光器件应该通过LED提供白光。白光半导体发光设备可以通常由以下三种方法实现。

第一，分别地发射光的三基色、即红色、绿色和蓝色的三个LED被组合以实现白光。在这里使用的发光材料通常包括InGaN或者AlInGaP荧光体。第二种方法是使用UVLED作为光源以激发三基色荧光体，三基色荧光体又发射白光。在此情形中，InGaN/R、G、B荧光体被用作发光材料。第三，作为光源的蓝色LED可以激发黄荧光体，因此呈现白光。关于这种方法，通常使用InGaN/YAG:Ce荧光体。

发明内容

实施例涉及提供一种带有增强的发光效率和可靠性的发光器件。

因此，根据一个实施例，提供一种发光器件，该发光器件包括：第二电极层；发光结构，其包括第二导电半导体层、有源层和第一导电半导体层，并且所述发光结构设置在第二电极层上；第一电极层，其包括焊盘部和连接到焊盘部的电极部，并且所述第一电极层设置在发光结构上；以及电流阻挡层，其布置在第二电极层和发光结构之间，其中电流阻挡层的一部分重叠成与第一电极层相对应，其中与电极部相对应的电流阻挡层的宽度根据与焊盘部的间隙而是不同的。

电流阻挡层的宽度可以随着到焊盘部的距离减少而增加。

电极部可以包括外部电极和至少一个内部电极，所述外部电极设置在发光结构的周边侧处，所述至少一个内部电极布置在外部电极的内侧处并且连接到外部电极，其中焊盘部可以连接到外部电极和内部电极中的至少一个。

与电极部的第一区域相对应的电流阻挡层的一部分可以具有比与电极部的第二区域相对应的电流阻挡层的另一部分更大的宽度，其中第一区域可以比第二区域靠近焊盘部。

与电极部的至少一部分相对应的电流阻挡层部可以具有随着到焊盘部的距离减少而增加的宽度。

电流阻挡层可以包括与电极部分别对应的重叠部和非重叠部，并且电流阻挡层的非重叠部的宽度可以根据与焊盘部的间隙而改变。

与电极部的至少一部分相对应的电流阻挡层的非重叠部的宽度可以随着到焊盘部的距离减少而增加。

与电极部的第一区域相对应的电流阻挡层的非重叠部的宽度可以大于与电极部的第二区域相对应的电流阻挡层的另一非重叠部的宽度，其中第一区域可以比第二区域靠近焊盘部。电流阻挡层的宽度可以线性地增加。

与电极部的第一和第二区域分别对应的电流阻挡层部的宽度可以线性地增加。

与电极部的第一和第二区域分别对应的电流阻挡层的非重叠部的宽度可以线性地增加。

发光器件可以覆盖发光结构的顶面的一部分和侧面，并且进一步包括接触外部电极的一侧的钝化层。电流阻挡层可以进一步包括在不与外部电极重叠时延伸到外部电极的另一侧的另一部分。

不与外部电极重叠的电流阻挡层部的宽度可以是外部电极的宽度的5至350％。在另一方面，不与内部电极重叠的电流阻挡层部的宽度可以是内部电极的宽度的5至350％。

电流阻挡层包括：在内部电极的一个方向上不与内部电极重叠的第三区域；和在内部电极的另一方向上不与内部电极重叠的第四区域。第三区域可以具有的宽度不同于第四区域的宽度。电极部的宽度可以是恒定的。电流阻挡层的宽度可以逐步地增加。

根据另一实施例的发光器件可以包括；衬底；发光结构，其设置在衬底上、包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；导电层，其设置在发光结构上；电极层，其设置在导电层上、包括焊盘部和从焊盘部延伸的至少一个扩展电极部；以及电流阻挡层，其布置在导电层和发光结构之间，使得电流阻挡层的至少一部分重叠成与电极层相对应，其中与扩展电极部相对应的电流阻挡层的宽度根据到焊盘部的间隙而是不同的。与扩展电极部相对应的电流阻挡层部的宽度可以随着到焊盘部的距离减少而增加。

根据一个实施例的照明器具可以包括用于供应电力的电源连接器、耦合到电源连接器的热沉以及安装在印刷电路板上的发光器件，以及另外地被固定到热沉的发光模块和耦合到热沉的底部以反射由发光模块发射的光的反射器，其中发光器件可以是与在前述实施例中描述的相同的。

附图说明

被包括以提供对本公开的进一步理解并且被并入在本申请中并且构成它的一部分的附图示意出(一个或多个)实施例，并且与说明书一起用于解释本公开的原理。在图中：

图1是示意根据第一实施例的发光器件的平面视图；

图2是图1所示的发光器件沿着线(或者方向)Q-Q’截取的截面视图；

图3是示意根据第二实施例的发光器件的平面视图；

图4示意根据第三实施例的发光器件；

图5示意根据第四实施例的发光器件；

图6示意根据第五实施例的发光器件；

图7示意根据第六实施例的发光器件；

图8示意根据第七实施例的发光器件；

图9是示意根据第八实施例的发光器件的平面视图；

图10是图9所示的发光器件在方向M-N上截取的截面视图；

图11是示意根据第九实施例的发光器件的平面视图；

图12是图11所示的发光器件在方向A-B上截取的截面视图；

图13是示意根据第十实施例的发光器件的截面视图；

图14是示意根据第十一实施例的发光器件的截面视图；

图15至23示意根据一个实施例的制备发光器件的工艺；

图24示意根据一个实施例的包括发光器件的发光器件封装；

图25示意根据一个实施例的包括发光器件的照明器具；以及

图26示意根据一个实施例的包括发光器件封装的显示设备。

具体实施方式

在下文中，参考附图，根据以下说明，示例性实施例将是更加清楚的。

在实施例的说明中，将会理解，当诸如层(膜)、区域、图案或者结构的元件被称作在诸如衬底、层(膜)、区域、焊盘或者图案的另一元件“上”或者“下”形成时，它能够是“直接地”在另一元件“上”或者“下”的或者在其间“间接地”形成有插入元件。此外，将基于在图中的示意来描述“上”或者“下”。

在图中，为了解释方便或者清楚起见，各个层的厚度和/或尺寸可以被放大、省略或者示意性地示意。另外，各个元件的尺寸可以不完全地反映其真实尺寸。在下文中，参考附图，将详细描述根据实施例的发光器件、其制备方法和发光器件封装。

图1是示意根据一个实施例的发光器件的平面视图，并且图2是图1所示的发光器件沿着线Q-Q’截取的截面视图。

参考图1和2，发光器件100包括第二电极层105、保护层125、电流阻挡层130、发光结构140、钝化层145和第一电极层150。

第二电极层105可以支撑发光结构140并且供应第一电力(即，正(+)电源)。第二电极层105可以包括(支撑)衬底110、附着层113、反射层115和欧姆接触层120。

衬底110可以支撑发光结构140。衬底110可以包括铜(Cu)、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)、铜-钨(Cu-W)和载体晶片(例如，Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC)中的至少一种。

反射层115可以布置在衬底110上。反射层115可以反射由发光结构140发射的入射光，这又改进了光提取效率。可以使用例如选自诸如Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au或者Hf的金属或者其合金的至少一种来形成反射层115。

可以使用诸如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO和ATO的光透射导电材料、以多层结构形成反射层115。例如，它可以被以诸如IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni或者AZO/Ag/Ni的结构来层压。反射层115用于改进发光效率，但是未必设置反射层115。

附着层113可以插入在衬底110和反射层115之间。附着层113可以防止金属离子从衬底110散射出去并且用作结合层。

附着层113可以接触反射层115、欧姆接触层120和保护层125，以便将反射层115、欧姆接触层120和保护层附着到衬底110。附着层113可以包括势垒金属或者结合金属。附着层113可以包括例如选自Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag或者Ta中的至少一种。附着层113用于经由结合而附着衬底110，然而，如果通过镀覆或者沉积来形成衬底110，则未必要设置附着层113。即，附着层113是可选的。

欧姆层120可以设置在反射层115上。欧姆层120可以与发光结构140欧姆接触以向发光结构140供应第一电力，并且可以包括例如选自ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO或者ATO中的至少一种。

另外，欧姆接触层120可以可选地包括光透射导电层和/或金属。例如，可以使用从铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IZO氮化物(IZON)、Al-GaZnO(AGZO)、In-GaZnO(IGZO)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO中选择的至少一种、以单层或者多层结构来实现欧姆层120。

欧姆层120可以使得能够顺利地将载流子注入到发光结构140和/或在下面描述的第二导电半导体层141中，但是未必设置欧姆层120。例如，可以省略欧姆接触层120，并且，替代地，可以使用使得能够与第二导电半导体层141欧姆接触的特定材料来形成反射层115。在这方面，反射层115可以用作欧姆接触层。

电流阻挡层130可以布置在欧姆接触层120和发光结构140之间。即，电流阻挡层130的顶面可以接触第二导电半导体层141，而电流阻挡层130的底面和侧面接触欧姆接触层120。

电流阻挡层130可以与第一电极层150至少部分地重叠，从而电流阻挡层130可以降低在第一电极层150和衬底110之间的最短距离处的电流浓度，因此改进发光效率。

可以使用具有比欧姆接触层120低的电传导性的材料、使得能够与第二导电半导体层141肖特基接触的材料或者电绝缘材料来形成电流阻挡层130。例如，电流阻挡层130可以包括选自ZnO、SiO₂、SiON、Si₃N₄、Al₂O₃、TiO₂、Ti、Al或者Cr中的至少一种。

电流阻挡层130可以设置在欧姆接触层120和第二导电半导体层141之间，或者，另外，在反射层115和欧姆接触层120之间，但是并不具体限于此。

保护层125可以设置在第二电极层105的周边区域处。例如，保护层125可以布置在附着层113的周边处。如果没有设置附着层113，则保护层125可以在衬底110的周围形成。

保护层125可以减轻由于在发光结构140和附着层113之间的界面的分层而引起发光器件110的可靠性降低。保护层125可以是由导电材料制成的导电保护层或者由非导电材料制成的非导电保护层。

例如，导电保护层可以由透明导电氧化物膜形成或者包括选自Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir或者W中的至少一种。在另一方面，非导电保护层可以由具有比反射层115或者欧姆接触层120低的传导性的材料、使得能够与第二导电半导体层141肖特基接触的材料或者电绝缘材料来形成。例如，非导电保护层可以包括ZnO或者SiO₂。

保护层125的区域131可以与发光结构140重叠，而另一区域可以不与发光结构140重叠。此外，保护层125可以在竖直方向上与第一电极层150、即外部电极92a至92d重叠。这里，与外部电极92a至92d重叠的保护层125的部分(区域)131可以用作电流阻挡层131或者134。在下文中，电流阻挡层130的说明还可以应用于在竖直方向上与外部电极92a至92d重叠的保护层125的区域。

外部电极92a至92d中的每一个的一侧均可以接触在下面描述的钝化层80。

电流阻挡层131或者134可以在到外部电极92a至92d中的每一个的另一侧的方向上延伸，并且可以具有不与外部电极92a至92d重叠的区域。在这方面，外部电极92a至92d中的每一个的所述一侧可以是图2所示的发光器件100的外部面，而外部电极92a至92d中的每一个的所述另一侧可以是发光器件100的内部面。

在到外部电极92a至92d的另一侧的方向(“另一侧方向”)上延伸的电流阻挡层131或者134的部分的宽度D11的范围可以是外部电极92a至92d的宽度W13的5至350％，其中D11＝k×W13，k＝0.05至3.5。

电流阻挡层132或者133可以具有在内部电极94a至94c的两侧方向上不与内部电极94a至94c重叠的部分。内部电极94a至94c的中心可以与电流阻挡层132或者133的中心相对准，所述电流阻挡层132或者133与内部电极94a至94c重叠。

在到内部电极94a至94c的一侧的方向(“一侧方向”)上电流阻挡层132或者133的不重叠的部分的宽度D71的范围可以是内部电极94a至94c的宽度W11的5至350％，其中D71＝k×W11，k＝0.05至3.5。类似地，在到内部电极94a至94c的另一侧的方向(“另一侧方向”)上电流阻挡层132或者133的不重叠的另一部分的宽度D72的范围可以是内部电极94a至94c的宽度W11的5至350％，其中D72＝k×W11，k＝0.05至3.5。这里，D71可以大于D72(D71＞D72)。此外，D11可以不同于D71和D72。

发光结构140可以设置在第二电极层105上。发光结构140还可以设置在欧姆接触层120和电流阻挡层130上。发光结构140的侧面可以在隔离蚀刻期间变成倾斜面以将该结构分成单个芯片。

发光结构140可以具有包括III-V族化合物半导体材料的多个半导体层。发光结构140可以包括第一导电半导体层143、位于第一导电半导体层143下方的有源层142和位于有源层142下方的第二导电半导体层141。

简要地，发光结构140可以具有在欧姆接触层120和电流阻挡层130上依序地层压的第二导电半导体层141、有源层142和第一导电半导体层143的结构。

第一导电半导体层143可以包括掺杂有第一导电掺杂物的III-V族半导体材料。例如，第一导电层143可以是选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP等中的任何一种。

有源层142可以设置在第一导电半导体层143下方，并且以单量子阱结构、多量子阱结构(MQW)、量子点结构或者量子线结构中的至少一种形成。使用III-V族化合物半导体材料，有源层142可以在阱层和势垒层，例如InGaN阱层/GaN势垒层或者InGaN阱层/AlGaN势垒层中形成。

可以进一步在有源层142和第一导电半导体层143之间，或者在有源层142和第二导电半导体层141之间设置包覆层。导电包覆层可以由AlGaN基半导体制成。

第二导电半导体层141可以位于有源层142下方，并且包括掺杂有第二导电掺杂物的III-V族化合物半导体。例如，第二导电半导体层141可以是选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP等中的任何一种。

如果第一导电半导体层是N型层，则第一导电掺杂物可以是诸如Si、Ge、Sn、Se、Te等的N型掺杂物。如果第二导电半导体层是P型层，则第二导电掺杂物可以是诸如Mg、Zn等的P型掺杂物。在第一导电半导体层是P型层并且第二导电半导体层是N型层的情形中，前述说明也将适用。

发光结构140可以包括设置在第二导电半导体层141下方的、具有与第二导电半导体层141相反的极性的第三导电半导体层。例如，发光结构140可以包括选自N-P、P-N、N-P-N和P-N-P结结构中的至少一种。

第一电极层150可以布置在发光结构140的顶部上，使得第一电极层在竖直方向上重叠以对应于电流阻挡层130。在这方面，竖直方向可以是从第二导电半导体层141朝向第一导电半导体层143的方向。第一电极层150可以以所期望的图案来分支，但是并不具体限于此。

第一导电半导体层143的顶面可以具有在其上形成的粗糙图案(未示出)，以便增加光提取效率。这里，第一电极层150也可以具有在顶面上形成的粗糙图案。

图1和2中所示的第一电极层150可以设置有焊盘部102a和102b，以及连接到焊盘部102a和102b的电极部92a至92d和94a至94c。即，除了焊盘部102a和102b之外，其他区域可以是电极部92a至92d和94a至94c。

更加具体地，电极部92a至92d和94a至94c包括沿着第一导电半导体层143的顶面的周边延伸的外部电极92a至92d，以及在外部电极92a至92d中形成的内部电极94a至94c。

外部电极92a至92d可以以具有四个边和四个顶点的矩形形状布置(在发光结构140上)。外部电极92a至92d基本上包括第一外部电极92a、第二外部电极92b、第三外部电极92c和第四外部电极92d，并且这四个外部电极、即第一外部电极92a、第二外部电极92b、第三外部电极92c和第四外部电极92d可以是彼此相邻并且沿着第一导电半导体层143的顶面的周边布置。

第一和第二外部电极92a和92b这两者可以在第一方向上延伸，而第三和第四电极92c和92d这两者在第二方向上延伸。可以在从第一导电半导体层143的最外周边侧的50μm内至少部分地形成外部电极92a至92d，并且外部电极92a至92d的一侧可以接触钝化层145。这里，第一方向可以是从外部电极的任何一个顶点到与前一顶点相邻的一边处的另一顶点定向的一个方向，而第二方向是从外部电极的任何一个顶点到与前一顶点相邻的另一边处的另一顶点定向的另一方向。第一方向可以垂直于第二方向。

内部电极94a至94c基本上包括第一内部电极94a、第二内部电极94b和第三内部电极94c。第一内部电极94a、第二内部电极94b和第三内部电极94c可以布置在外部电极92a至92d中并且连接于此。

焊盘部102a和102b指的是从外部接收电力以便向第一导电半导体层143供应第一电力的区域。例如，焊盘部102a和102b可以是连接到在下面描述的发光器件封装的金属层的布线的结合区域(即，引线框架)。

焊盘部102a和102b可以连接到外部和内部电极中的至少一个。更加具体地，焊盘部可以包括第一焊盘102a和第二焊盘102b。第一焊盘102a可以设置在第一外部电极92a与第三外部电极92c接触的部分上。类似地，第二焊盘102b可以设置在第二外部电极92b与第三外部电极92c接触的另一部分上。例如，第一焊盘102a可以布置在外部电极92a至92d的四个顶点之中的任何一个顶点处，而第二焊盘102b可以布置在外部电极92a至92d的四个顶点之中的另一顶点处。

更加具体地，第一方向可以是第一和第二外部电极92a和92b朝向焊盘部102a和102b的长度方向，并且类似地，第二方向可以是第三和第四外部电极92c和92d的长度方向。在此情形中，外部电极的宽度方向可以垂直于长度方向。

第一和第二内部电极94a和94b中的每一个可以在第一方向上延伸，而第三内部电极94c可以在第二方向上延伸。第三内部电极94c可以在第二方向上延伸以将第一外部电极92a与第二外部电极92b连接。另外，第一和第二内部电极94a和94b中的每一个可以在第一方向上延伸以将第三和第四外部电极92c和92d与第三内部电极94c连接。在此情形中，第一和第二内部电极94a和94b的长度方向可以是第一方向，而第三内部电极92c的长度方向可以是第二方向。

在第三外部电极92c和第三内部电极94c之间的距离可以大于在第四外部电极92d和第三内部电极94c之间的距离。另一方面，分别地，在第一外部电极92a和第一内部电极94a之间的距离、在第一内部电极94a和第二内部电极94b之间的距离以及在第二内部电极94b和第二外部电极92b之间的距离可以是彼此相同的。

第一电极层150的、在其上形成第一焊盘102a和第二焊盘102b的区域可以具有比第一电极层150的其他区域更大的宽度。除了第一焊盘102a和第二焊盘102b之外，第一电极层150的其他区域、即电极部可以具有预定宽度。例如，外部电极92a至92d的宽度或者内部电极94a至94c的宽度可以是恒定的并且是彼此相同的。

然而，并不具体限于前述实施例，根据其他实施例，外部电极92a至92d的一部分的宽度可以大于内部电极94a至94c的宽度。

内部电极94a至94c具有由外部电极92a至92d包围的内部区域并且这个内部区域可以被划分成多个区域161至163和171至173。在多个区域161至163和171至173中，与接触第四外部电极92d的具有较小宽度的区域171至173相比，接触第三外部电极92c的具有较大宽度的区域161至163可以具有较宽的区域。

内部电极94a至94c具有由外部电极92a至92d包围的内部区域，并且这个内部区域可以被划分成多个区域161至163和171至173。在多个区域161至163和171至173中，与接触第四外部电极92d的具有较小宽度的区域171至173相比，接触第三外部电极92c的具有较大宽度的区域161至163可以具有宽的区域。

根据图1所示的一个实施例的发光器件100的第一电极层150可以应用于具有800至1200μm的一侧的发光结构140。如果发光结构的至少一侧的长度小于800μm，则可能减小由第一电极层150从其发射光的发光结构的区域。相反，如果发光结构的一侧的长度超过1200μm，则第一电极层150不能有效率地供应电流。例如，图1所示的第一电极层150可以应用于具有均为1000μm的水平(宽度)和竖直(长度)侧的发光结构140。

电流阻挡层130和第一电极层150可以在竖直方向上彼此对应。即，电流阻挡层130可以在竖直方向上对应于电极部92a至92d和94a至94c，电极部又包括被重叠的部分(在下文中，被称作“重叠部”)和不重叠的另一部分(在下文中，被称作“非重叠部”)。在这方面，竖直方向可以是从第一电极层150到发光结构140的方向。

根据与焊盘部102a和102b的间隙，在竖直方向上对应于电极部92a至92d和94a至94c的电流阻挡层130的宽度可以是不同的。

例如，当与焊盘部102a和102b的间隙降低时，电流阻挡层130的宽度可以增加。

电流阻挡层130的、与电极部92a至92d和94a至94c的第一区域相对应的一部分可以具有比电流阻挡层130的、在竖直方向上与电极部92a至92d和94至94c的第二区域相对应的另一部分大的宽度。这里，电极部92a至92d和94a至94c的第一区域可以比其第二区域更加紧邻第一焊盘102a。

更加具体地，电流阻挡层130的、以第一距离从第一焊盘102a分离的第一部分的宽度可以大于电流阻挡层130的、以第二距离从第一焊盘102a分离的第二部分的宽度，其中第一距离小于第二距离。在此情形中，电流阻挡层130的长度和宽度方向可以基本与电极部92a至92d和94a至94c的长度和宽度方向相同。

与放置在第一焊盘102a和第三内部电极94c之间的第一外部电极92a相对应的电流阻挡层部130的宽度W1(在下文中，被称作“第一宽度”)可以大于与放置在第三内部电极94c和第四外部电极92d之间的第一外部电极92a相对应的电流阻挡层部130的宽度W2(在下文中，被称作“第二宽度”)(W1＞W2)。

另外，与放置在第一焊盘102a和第一内部电极94a之间的第三外部电极92c相对应的电流阻挡层部130的宽度W3(在下文中，被称作“第三宽度”)可以大于与放置在第一外部电极92a和第一内部电极94a之间的第三外部电极92c相对应的电流阻挡层部130的宽度W4(在下文中，被称作“第四宽度”)(W3＞W4)。此外，第一宽度W1可以等于第三宽度W3(W1＝W3)。

第一宽度W1可以等于或者大于与放置在第三外部电极92c和第三内部电极94c之间的第一内部电极94a相对应的电流阻挡层部130的宽度W5(在下文中，被称作“第五宽度”)(W1≥W5)。

第二宽度W2可以等于或者大于与放置在第四外部电极92d和第三内部电极94c之间的第一电极94a相对应的电流阻挡层部130的宽度W6(在下文中，被称作“第六宽度”)(W2≥W6)。此外，第三宽度W3可以大于第四宽度W4(W3＞W4)。

电流阻挡层130可以包括重叠部和非重叠部，这两者均在竖直方向上对应于第一电极层150。根据与焊盘部102a和102b的间隙，电流阻挡层130的非重叠部的宽度可以改变。例如，电流阻挡层130的非重叠部的宽度可以随着到焊盘部102a和102b的距离减少而增加。

与电极部92a至92d和94a至94c的第一区域相对应的电流阻挡层130的第一非重叠部的宽度可以大于与电极部92a至92d和94a至94c的第二区域相对应的电流阻挡层130的第二非重叠部的宽度。这里，第一区域可以比第二区域靠近第一焊盘102a。

例如，与第一外部电极92a的第一区域相对应的电流阻挡层130的非重叠部的宽度D11(在下文中，被称作“第一非重叠宽度”)可以大于与第一外部电极92a的第二区域相对应的电流阻挡层130的另一非重叠部的宽度D21(在下文中，被称作“第二非重叠宽度”)(D11＞D21)。

此外，与放置在第一焊盘102a和第一内部电极94a之间的第三外部电极92c相对应的电流阻挡层130的第一非重叠部的宽度D31(在下文中，被称作“第三非重叠宽度”)可以大于与放置在第一外部电极92a和第一内部电极94a之间的第三内部电极94c相对应的电流阻挡层130的第三非重叠部的宽度D41(在下文中，被称作“第四非重叠宽度”)(D31＞D41)。

第四非重叠宽度D41可以等于或者大于与放置在第一外部电极92a和第一内部电极94a之间的第三内部电极94c相对应的电流阻挡层130的第四非重叠部的宽度D51(在下文中，被称作“第五非重叠宽度”)(D41≥D51)。

第五非重叠宽度D51可以等于或者大于与放置在第一外部电极92a和第一内部电极94a之间的第四外部电极92d相对应的电流阻挡层130的第一重叠部的宽度D61(在下文中，被称作“第六非重叠宽度”)(D51≥D61)。

另外，第一非重叠宽度D11可以等于第三非重叠宽度D31(D11＝D31)。

与第一焊盘102相对应的电流阻挡层130的第一非重叠部的宽度D13可以等于或者大于第一非重叠宽度D11(D13≥D11)。

第一非重叠宽度D11可以等于或者大于与放置在第三外部电极92c和第三内部电极94c之间的第一内部电极94a相对应的电流阻挡层130的第三非重叠部的宽度D71(在下文中，被称作“第七非重叠宽度”)(D11≥D71)。

第二非重叠宽度D21可以等于或者大于与放置在第四外部电极92d和第三内部电极94c之间的第一内部电极94a相对应的电流阻挡层130的第三非重叠部的宽度D81(在下文中，被称作“第八非重叠宽度”)(D21≥D81)。

图3是示意根据第二实施例的发光器件200的平面视图。与在图1和2中所示相同的附图标记指示基本相同的配置，并且因此将省略或者简要地提及重复的说明。

参考图3，与电极部92a至92d和94a至94c相对应的电流阻挡层130的宽度可以随着到焊盘部102a和102b的距离减少而线性地或者非线性地增加。

与电极部92a至92d和94a至94c的至少一部分相对应的电流阻挡层部130-1的宽度可以随着到第一焊盘102a或者第二焊盘102b的距离减少而线性地或者非线性地增加。

与电极部92a至92d和94a至94c的第一区域相对应的电流阻挡层部130-1的宽度可以随着到第一焊盘102a或者第二焊盘102b的距离减少而线性地或者非线性地增加。

例如，与第一外部电极92a相对应的电流阻挡层部130-1的宽度可以随着到第一焊盘102a的距离减少而线性地增加。此外，与第二外部电极92b相对应的电流阻挡层部130的另一部分的宽度可以随着到第二焊盘102b的距离减少而线性地增加。

与电极部92a至92d和94至94c的至少一部分相对应的电流阻挡层130-1的非重叠部的宽度可以随着到第一焊盘102a或者第二焊盘102b的距离减少而线性地或者非线性地增加。

与电极部92a至92d和94a至94c的第一区域相对应的电流阻挡层130-1的非重叠部的宽度可以随着到第一焊盘102a或者第二焊盘102b的距离减少而线性地或者非线性地增加。

这里，例如，电极部92a至92d和94a至94c的第一区域可以是放置在第一焊盘102和第三内部电极94c之间的第一外部电极部92a，其中电流阻挡层部130-1的宽度是W1’，而电流阻挡层130的非重叠部的宽度是D11’。

此外，例如，电极部92a至92d和94a至94c的第一区域可以是放置在第三内部电极94c和第四外部电极92d之间的第一外部电极部92a，其中电流阻挡层部130-1的宽度是W2’，而电流阻挡层的非重叠部的宽度是D21’。

此外，例如，电极部92a至92d和94a至94c的第一区域可以是放置在第一焊盘102a和第一内部电极94a之间的第三外部电极部92c，其中电流阻挡层部130-1的宽度是W3’，而电流阻挡层130的非重叠部的宽度是D31’。

电极部92a至92d和94a至94d的第一区域是放置在第一内部电极94a和第二内部电极94b之间的第三外部电极部92c，其中电流阻挡层部130-1的宽度是W8，而电流阻挡层130的非重叠部的宽度是D91，假如前述宽度会分别限于离第一焊盘102a和第二焊盘102b具有相同间隙的分界线310。电流阻挡层130-1可以围绕上述分界线是对称的。

图4示意根据第三实施例的发光器件300。与在图1和2中所示的相同附图标记指示基本相同的配置，并且因此将省略或者简要地提及重复说明。第三实施例描述了第一电极层410和相应于此的电流阻挡层130-2，其中这些层具有不同于在第一实施例中描述的那些的图案。

参考图1、2和4，在根据第三实施例的发光器件300中的第一电极层410可以包括外部电极92a至92d以及内部电极96a和96b，而电流阻挡层130-2可以对应于第一电极层410并且布置在第二导电半导体层141和第二电极层105之间(例如，在欧姆层120和附着层113之间)。

电极层410可以包括：电极部92a至92d以及96a和96b；和连接到电极部92a至92d以及96a和96b的焊盘430。电极部92a至92d以及96a和96b可以包括外部电极92a至92d以及内部电极96a和96b。

外部电极92a至92d可以在发光结构140上以具有四个边和四个顶点的矩形形状布置。内部电极96a和96b可以布置在外部电极92a至92d内侧。

内部电极96a和96b基本上包括在第一方向上延伸的第一内部电极96a和在第二方向上延伸的第二内部电极96b，并且由外部电极92a至92d包围的内部区域可以被划分成多个区域412至418。

与第一实施例相反，第三实施例的焊盘430可以设置在任何一个内部电极接触外部电极92a至92d的四个边中的任何一个的部分上。例如，焊盘430可以布置在第三电极92c和第一内部电极96a之间并且电极部92a至92d以及96a和96b中的每一个和电流阻挡层130-2可以围绕第一内部电极96a、在右侧和左侧处是对称的。

如上所述，与电极部92a至92d以及96a和96b的第一区域相对应的电流阻挡层130-2的宽度可以依赖于到焊盘430的间隙而改变。与电极部92a至92d以及96a和96b的第一区域相对应的电流阻挡层部130-2的宽度可以大于与电极部92a至92d以及96a和96b的第二区域相对应的电流阻挡层部130-2的宽度。这里，第一区域可以比第二区域靠近第一焊盘102a。

图5示意根据第四实施例的发光器件400。

参考图5，根据第四实施例，电流阻挡层130-3具有不同于在第三实施例中描述的电流阻挡层130-2的图案。电流阻挡层130-3的宽度可以随着到焊盘430的距离减少而线性地或者非线性地增加。

与电极部92a至92d以及96a和96b的至少一部分相对应的电流阻挡层部130-3的宽度可以随着到焊盘430的距离减少而线性地或者非线性地增加。

图6示意根据第五实施例的发光器件250。除了电流阻挡层130-4具有不同的图案之外，第五实施例描述了与第二实施例相同的配置。

参考图6，限定多个区域161至163和171至173的电极部92a至92d和94a至94c的第一和第二区域可以具有不同的宽度。

例如，与放置在第一区域161上的电极(例如，92a)的第一区域相对应的电流阻挡层130-4的宽度可以大于与放置在第四区域171上的电极(例如，92a)的第二区域相对应的电流阻挡层130-4的宽度。与第一区域相对应的电流阻挡层130-4的宽度可以随着到焊盘部(例如，102a)的距离减少而线性地或者非线性地增加，而与第二区域相对应的电流阻挡层130-4的宽度可以是恒定的。

图7示意根据第六实施例的发光器件350。除了电流阻挡层130-5具有不同于第一实施例的图案之外，第六实施例描述了与第二实施例相同的配置。

参考图7，与放置在第一区域161上的电极(例如，92a)的第一区域相对应的电流阻挡层130-5的宽度可以大于与放置在第四区域171上的电极(例如，92a)的第二区域相对应的电流阻挡层130-5的宽度。虽然与第一区域相对应的电流阻挡层130-5的宽度是恒定的，但是与第二区域相对应的电流阻挡层130-5的宽度可以随着到焊盘(例如，102a)的距离减少而线性地增加。

图8示意根据第七实施例的发光器件450。除了电流阻挡层130-6具有与在第一实施例中的图案不同的图案之外，第七实施例描述了与第一实施例相同的配置。

参考图8，当到焊盘部102a和102b的间隙减小时，在竖直方向上与电极部92a至92d和94a至94c相对应的电流阻挡层130-6的宽度可以非线性地增加，例如，可以逐步地增加。

另外，在竖直方向上与电极部92a至92d和94a至94c的第一区域相对应的电流阻挡层130-6的一部分的宽度可以大于在竖直方向上与电极部92a至92d和94a至94c的第二区域相对应的电流阻挡层130-6的另一部分的宽度，其中与第一和第二区域中的至少一个相对应的电流阻挡层130-6的宽度可以随着到焊盘部102a和102b的距离减少而逐步地增加。

同时，与电极部92a至92d和94a至94c的第一区域相对应的电流阻挡层130-6的第一非重叠部的宽度可以大于与电极部92a至92d和94a至94c的第二区域相对应的电流阻挡层130-6的第二非重叠部的宽度，其中第一和第二非重叠部中的至少一个可以随着到焊盘部102a和102b的距离减少而逐步地增加。

这里，电极部92a至92d和94a至94c的第一区域可以比其第二区域靠近焊盘部102a和102b。

根据在这里描述的实施例，通过在具有较高电流拥挤的区域和具有相对低的电流拥挤的另一区域之间改变电流阻挡层130或者130-1至130-6中的每一个的宽度，可以防止在邻近于焊盘部102a、102b或者430的电极部中的这种电流拥挤，因此使得能够实现均匀的电流密度并且最终增强发光器件的发光效率和可靠性。

例如，通过增加与邻近焊盘部102a、102b或者430的电极部相对应的电流阻挡层130或者130-1至130-6中的每一个的宽度，同时降低与远离焊盘部102a、102b或者430的电极部相对应的电流阻挡层130或者130-1至130-6中的每一个的宽度，可以改进集中于邻近焊盘部102a、102b或者430的电极部的电流的分散(或者分布)。

图9是示意根据第八实施例的发光器件500的平面视图，并且图10是在图9所示的发光器件500的方向M-N上截取的截面视图。参考图9和10，发光器件500包括衬底910、发光结构920、电流阻挡层930、导电层940、第一电极952和第二电极954。

衬底910可以是选自蓝宝石、硅(Si)、锌氧化物(ZnO)或者氮化物半导体衬底或者以其他方式通过层压选自GaN、InGaN、AlGaN、AlInGaN或者InAlGaN中的至少一种而形成的模板衬底的任何一种。

发光结构920可以包括第一导电半导体层922、有源层924和第二导电半导体层926。例如，发光结构可以具有通过在衬底910上层压第一导电半导体层922、有源层924和第二导电半导体层926而形成的多层结构。

在这方面，非掺杂半导体层(未示出，即，非掺杂GaN)可以插入在衬底910和第一导电半导体层922之间。这里，第一导电半导体层可以是N型层，而第二导电半导体层是P型层。第一导电半导体层922、有源层924和第二导电半导体层926可以与在图2中解释的相同。

发光结构920可以以如此结构形成，其中第二导电半导体层926、有源层924和第一导电半导体层922的一部分被蚀刻以暴露第一导电半导体层922的一部分。在此情形中，部分地暴露第一导电半导体层922的这种蚀刻指的是“台面蚀刻”，并且第一导电半导体层922的、通过台面蚀刻暴露的部分指的是位于比有源层924低的位置处的蚀刻区域980。

电流阻挡层930可以设置在第二导电半导体层926上。电流阻挡层930可以防止在有源层924的一部分上的电流拥挤，而允许电流遍布发光结构920地广泛流动。因此，发光器件500能够利用稳定操作电压来驱动，并且可以增强发光器件500的发光强度。

可以使用诸如氧化物层的任何绝缘材料来形成电流阻挡层930，以便阻挡电流流动。例如，电流阻挡层930可以由选自SiO₂、SiN_x、TiO₂、Ta₂O₃、SiON或者SiCN中的至少一种来形成。

导电层940可以布置在第二导电半导体层926和电流阻挡层930上。具体地，导电层940可以布置于未由台面蚀刻进行蚀刻的第二导电半导体层926上。导电层940可以减小全反射，同时具有优良的光透射性，由此改进从有源层924发射到第二导电半导体层926的光的光提取效率。导电层940可以包括透明导电氧化物层。例如，导电层940可以由选自铟锡氧化物(ITO)、锡氧化物(TO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)和锌氧化物(ZnO)中的至少一种材料来构成。

第一电极952可以布置于第一导电半导体层922的第一蚀刻区域980上。第二电极954可以布置于导电层940上。即，第二电极954和电流阻挡层940可以在竖直方向上相互重叠。更加具体地，电流阻挡层940的至少一部分可以在竖直方向上与第二电极954重叠。这里，竖直方向可以是从第二导电半导体层926到第一导电半导体层922的方向。

可以使用选自钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铝(A1)、铂(Pt)和金(Au)中的至少一种来形成第一和第二电极952和954。

第一电极952可以包括第一焊盘610和从第一焊盘610分支的至少一个扩展电极部612和614。扩展电极部612和614可以具有在不同方向上分支的第一扩展电极612和第二扩展电极614。

第一焊盘610设置在第一导电半导体层922的一个区域上，并且第一扩展电极612在第三方向上从第一焊盘610的一侧扩展，而第二扩展电极614可以在第四方向上从第一焊盘610的另一侧扩展、然后朝向第三方向来改变方向。

第二电极954可以包括第二焊盘620和从第二焊盘620分支的至少一个扩展电极部622和624。扩展电极部622和624可以具有在不同方向上分支的第三扩展电极622和第四扩展电极624。

第二焊盘620设置在导电层940的一个区域上，并且第三扩展电极622在第五方向上从第二焊盘620的一侧扩展，而第四扩展电极624可以在第六方向上从第二焊盘620的另一侧扩展、然后朝向第五方向来改变方向。

在这方面，第三方向可以是从发光器件500的任何一个边缘651到其另一边缘652的方向，并且第四方向可以是从发光器件500的边缘651到另一边缘654的方向，其中第三和第四方向可以相互垂直。另一方面，第五方向可以是第三方向的相反方向，而第六方向是第四方向的相反方向。

电流阻挡层930可以设置在第二导电半导体层926上，并且具有在竖直方向上对应于第二电极954的重叠部和非重叠部。即，电流阻挡层940可以具有与第二焊盘620、第三扩展电极622和第四扩展电极624分别相对应的重叠部分(在下文中，被称作“重叠部”)和非重叠部分(在下文中，被称作“非重叠部”)。

在竖直方向上对应于至少一个扩展电极部622和624的电流阻挡层930的宽度可以根据与第二焊盘620的间隙而改变。即，当与第二焊盘620的间隙降低时，与至少一个扩展电极部622和624相对应的电流阻挡层930的宽度可以线性地或者非线性地增加。

与第三扩展电极622和第四扩展电极624中的每一个相对应的电流阻挡层部930的宽度可以随着到第二焊盘620的距离减少而线性地或者非线性地增加。

例如，与第三扩展电极622相对应的电流阻挡层部930的宽度可以随着到扩展方向(即，第五方向)的相反方向的距离减少而增加(T2＜T1)。类似地，与第四扩展电极624相对应的电流阻挡层930的宽度可以随着到扩展方向的相反方向的距离减少而增加(T5＜T4＜T3)。

与第三扩展电极622和第四扩展电极624中的每一个相对应的电流阻挡层930的非重叠部的宽度可以随着到第二焊盘620的距离减少而线性地或者非线性地增加。

例如，与第三扩展电极622相对应的电流阻挡层930的非重叠部的宽度K1可以随着到扩展方向(即，第五方向)的相反方向的距离减少而增加(K2＜K1)。类似地，与第四扩展电极624相对应的电流阻挡层930的非重叠部的宽度可以随着到扩展方向的相反方向的距离减少而增加(K5＜K4＜K3)。

此外，与第二焊盘620相对应的电流阻挡层930的非重叠部的宽度S可以比与第三扩展电极622和第四扩展电极624分别相对应的电流阻挡层930的非重叠部的宽度更大(K1＜S，K3＜S)。

如上所述，第八实施例描述了可以通过随着到第二焊盘的距离减少而增加与电极部相对应的电流阻挡层的宽度，而使得发光器件的电流密度均匀化，由此改进发光器件的发光效率和可靠性。

图11是示意根据第九实施例的发光器件的平面视图，并且图12是图11所示的发光器件在方向A-B上截取的截面视图。

参考图11和12，发光器件100-1可以包括(支撑)衬底10、附着层20、反射层30、欧姆接触层40、保护层50、电流阻挡层62或者64、发光结构70、钝化层80和电极90。

衬底10可以支撑发光结构70，并且与电极90一起操作以向发光结构70供应电力。附着层20可以设置在衬底10上，而反射层30可以设置在附着层20上方。另外，欧姆接触层40可以布置于反射层30上。

衬底10、附着层20、反射层30和欧姆接触层40可以被组合以形成第二电极层。图12所示的衬底10、附着层20、反射层30和欧姆接触层40可以与在图2中解释的衬底110、附着层113、反射层115和欧姆层120基本相同。

电流阻挡层62和64可以布置在欧姆接触层40和发光结构70之间。电流阻挡层62和64的顶面可以接触在下面描述的第二导电半导体层72，而电流阻挡层62和64的底面和侧面可以接触欧姆接触层40。

电流阻挡层62和64中的每一个均可以布置在欧姆接触层40和第二导电半导体层72之间，使得电流阻挡层的一部分与在下面描述的电极90重叠。用于电流阻挡层62和64的材料可以基本与用于图2所示的电流阻挡层130的材料相同。

保护层50可以设置在附着层20的周边处。如果没有设置附着层20，则保护层50可以位于衬底10的周边处。

发光结构70可以包括第二导电半导体层72、有源层74和第一导电半导体层76，并且布置于欧姆接触层40和保护层50上。发光结构70可以在竖直方向上与保护层50至少部分地重叠。此外，保护层50的部分区域可以与发光结构70重叠，而保护层50的其他区域可以不与发光结构70重叠。竖直方向可以指的是从第二导电半导体层72到第一导电半导体层76的方向。发光结构70可以基本上与在图2中解释的发光结构140相同。

电极90可以设置在发光结构70的顶面上。电极90可以包括沿着第一导电半导体层76的周边延伸的外部电极92a’至92d’、放置在外部电极92a’至92d’中的内部电极94a’至94c’以及焊盘部102a’和102b’。外部电极92a’至92d’、内部电极94a’至94c’以及焊盘部102a’和102’b可以基本上与在图2中解释的第一导电层150相同。

电极90的至少一部分可以与保护层50和电流阻挡层60重叠。例如，外部电极92a’至92d’可以在竖直方向上与保护层50重叠，而内部电极94a’至94c’可以在竖直方向上与电流阻挡层60重叠。

外部电极92a’至92d’中的每一个的宽度W13可以等于或者大于内部电极94a’至94c’中的每一个的宽度w11(W13≥W11)。

此外，保护层50的宽度可以大于重叠成与保护层相对应的外部电极92a’至92d’中的每一个的宽度W13，而电流阻挡层62和64中的每一个的宽度W12可以大于重叠成与电流阻挡层相对应的内部电极94a’至94c’中的每一个的宽度W11。

外部电极92a’至92d’的一侧可以接触在下面描述的钝化层80。

保护层50可以朝向外部电极92a’至92d’的另一侧延伸，保护层50又具有不与外部电极92a’至92d’重叠的部分。在此情形中，所述一侧是在图1中解释的发光器件100-1的外侧，而另一侧指示发光器件100-1的内侧。

保护层50的、朝向外部电极92a’至92d’的另一侧延伸并且不与外部电极92a’至92d’重叠的部分的宽度D1的范围可以是外部电极92a’至92d’中的每一个的宽度W13的5至350％(D1＝k×W13，k＝0.05至3.5)。

电流阻挡层62和64在内部电极94a’至94c’的两侧方向上具有非重叠部。电流阻挡层62和64的中心可以与电流阻挡层62和64的中心相对准，所述电流阻挡层62和64与内部电极94a’至94c’重叠。在下文中，电流阻挡层62和64的中心被称作“第一中心”，而内部电极94a’至94c’的中心被称作“第二中心”。即，通过第一中心和第二中心的直线可以垂直于衬底10。

因为电流阻挡层62和64中的每一个的宽度W12大于内部电极94a’至94c’中的每一个的宽度W11，所以具有与内部电极94a’至94c’的中心相对准的中心的电流阻挡层62和64可以在内部电极94a’至94c’的两侧方向上具有非重叠部。

在这方面，在内部电极94a’至94c’的两侧方向上的电流阻挡层62和64的非重叠部中的每一个的宽度D2的范围可以是内部电极94a’至94c’中的每一个的宽度W11的5至350％(D2＝k×W11，k＝0.05至3.5)。

保护层50的非重叠部到外部电极92a’至92d’中的每一个的宽度D1可以等于或者不等于在内部电极94a’至94c’的两侧方向上的在非重叠状态下的电流阻挡层62和64中的每一个的宽度D2(D1≠D2)。

在这方面，在内部电极94a’至94c’的一侧方向上的电流阻挡层62或者64的非重叠部被称作“第一区域”，而电流阻挡层62或者64在内部电极94a’至94c’的另一侧方向上的非重叠部被称作“第二区域”。

这里，第一区域和第二区域可以具有相同的宽度。例如，第一和第二区域中的每一个的宽度的范围可以是内部电极94a’至94c’中的每一个的宽度W11的5至350％。

因为如上所述地限定了在外部电极92a’至92d’的另一侧方向上保护层50与外部电极92a’至92d’的非重叠部、以及在内部电极94a’至94c’的两侧方向上电流阻挡层62和64与内部电极94a’至94c’的非重叠部，所以可以增强发光结构70的发光效率。

钝化层80可以设置在发光结构70的侧面处。钝化层80可以基本与图2所示的钝化层145相同。

图13是示意根据第十实施例的发光器件300-1的截面视图。参考图13，发光器件300-1具有与图12所示的发光器件100-1类似的配置。差别如下：发光器件100-1的欧姆接触层340覆盖保护层50的底面的一部分，而发光器件300-1的欧姆接触层340延伸以彻底地覆盖保护层50的底面。即，欧姆接触层340可以布置成接触保护层50的底面和侧面，并且保护层50和附着层20可以通过欧姆接触层340相互分离。

图14是示意根据第十一实施例的发光器件400-1的截面视图。参考图14，发光器件400-1具有与图12所示的发光器件100-1类似的配置。差别如下：发光器件100-1的反射层30不接触保护层50的底面，而发光器件400-1的反射层430布置成接触保护层50的底面和欧姆接触层40，并且保护层50和附着层20可以通过反射层430相互分离。

具有遍布附着层20的顶面地布置的反射层430的发光器件400-1可以有效地反射从有源层74发射的光，以由此与图2所示的发光器件100-1相比改进发光效率。根据其他实施例，欧姆接触层和反射层可以在发光器件的侧面下方延伸。

图15至23示意根据一个实施例的制备发光器件的工艺。与在图11和12中描述的相同的部分由相同的附图标记示意，并且将省略其详细说明。

参考图15，(生长)衬底510可以具有发光结构515，该发光结构515包括第一导电半导体层76、有源层72和第二导电半导体层72。生长衬底510可以基本上与图10所示的衬底910相同。

可以利用例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、分子束外延(MBE)、氢化物气相外延(HVPE)等的传统方法来制造发光结构515，然而，该方法并不具体限于此。

为了减小晶格失配，可以在发光结构515和生长衬底510之间形成缓冲层(未示出)和/或非掺杂氮化物层(未示出)。

参考图16，经构图的保护层50可以设置在发光结构515上，以区别单个芯片区域。这里，单个芯片区域意味着被划分成各个单个芯片并且用作这样的各个单个芯片的区域。

保护层50可以使用掩模图案而在单个芯片区域的周边处形成。保护层50可以通过各种沉积工艺来形成。

下面，参考图17，电流阻挡层60设置在由保护层50暴露的第二导电半导体层72的表面上。例如，在第二导电半导体层72上形成SiO₂层之后，可以使用掩模图案来形成电流阻挡层60。

在保护层50被形成为非导电保护层的情形中，保护层50和电流阻挡层60可以由相同的材料构成。在此情形中，在第二导电半导体层72上形成SiO₂层之后，仅使用掩模图案可以同时形成电流阻挡层60以及保护层50。

随后，如在图18中所示，欧姆接触层40设置在第二导电半导体层72和电流阻挡层60上。随后，如在图19中所示，反射层30可以设置在欧姆接触层40上。

当保护层50被形成为导电保护层时，欧姆接触层40和保护层50可以由相同的材料构成。在此情形中，在第二导电半导体层72上形成电流阻挡层60之后，可以同时地在其上形成保护层40和欧姆接触层50。

欧姆接触层40和反射层30可以利用选自电子束沉积、溅射或者等离子体增强化学气相沉积(PECVD)中的任何一种方法来形成。可以不同地选择在其上设置欧姆接触层40和反射层30的区域。根据在其上设置欧姆接触层40和/或反射层30的区域，可以适当地使在图12至14中示意的前述实施例具体化。

然后，如在图20中所示，通过在其间插入附着层20，可以在反射层30和保护层50上设置(支撑)衬底10。

衬底10被附着到附着层20。虽然实施例描述了衬底10使用附着层20而被结合到前述的层，但是还可以通过镀覆或者沉积来形成衬底10。

另外，如在图21中所示，可以通过激光剥离或者化学剥离工艺、从发光结构70分离生长衬底510。图21是示意图20所示结构的颠倒视图。

连续地，如在图22中所示，发光结构70沿着单个芯片区域经受隔离蚀刻，以便将该结构划分成多个发光子结构70。

例如，可以通过诸如电感耦合等离子体(ICP)的干法蚀刻工艺来实现隔离蚀刻。

最后，如在图23中所示，钝化层80设置在保护层50和发光结构70上，然后被从那里选择性地去除，以暴露第一导电半导体层76的顶面。此外，电极90设置在第一导电半导体层76的暴露顶面上。

此后，执行芯片分离工艺以形成各个单个芯片区域，由此制备多个发光器件。这种单个芯片分离可以包括例如：使用刀片施加物理作用力以将该结构分离成单个芯片的断裂工艺；在芯片的界面处照射激光束以形成独立的芯片的激光划片工艺；包括湿法蚀刻或者干法蚀刻的蚀刻工艺等。

图24示意根据一个实施例的包括发光器件的发光器件封装。参考图24，该发光器件封装包括封装主体710、第一和第二金属层712和714、发光器件720、反射板724、布线730和密封层740。

封装主体710可以具有在其一侧区域上形成的腔体的结构。腔体的侧壁可以被形成为倾斜面。封装主体710可以由硅基晶片级封装、硅衬底或者由具有良好绝缘性和热传导性的碳化硅(SiC)或者氮化铝AlN制成的衬底来形成，并且还可以具有多个衬底的层压结构。在封装主体的材料、结构和/或形状方面，实施例不具体限于前述实施例。

考虑到发光器件的散热或者安装，第一金属和第二金属层712和714可以布置于封装主体710的表面上，以彼此电隔离。可以根据前述第一到第十一实施例中的任何一个来形成发光器件720。

例如，在前述实施例中描述的衬底110或者10可以电连接到第二金属层714，而第一电极层150或者电极90可以通过布线730而电连接到第一金属层712。

另外，第一和第二金属层712和714中的任何一个可以电连接到发光器件500的第一电极952，而另一个可以电连接到第二电极954。

反射板725设置在封装主体710中的腔体的侧壁上，以便在确定的方向上使由发光器件发射的光定向。反射板725可以由光反射材料构成，例如可以是金属涂层或者金属箔。

密封层740可以包围在封装主体710的腔体中放置的发光器件720，并且保护在封装主体710的腔体中放置的发光器件720免受外部环境影响。密封层740可以由诸如硅氧烷的无色并且透明的聚合物树脂材料来构成。密封层740可以包括荧光体以改变由发光器件720发射的光的波长。发光器件封装可以设置有选自在前述实施例中公开的发光器件中的至少一个，但是不具体限于此。

可以在基板上排列多个、根据一个实施例的发光器件封装，并且诸如导光板、棱镜片或者扩散片的光学构件可以布置于发光器件封装的光路上。这种发光器件封装、基板和/或光学构件可以用作背光单元。

在另一实施例中，可以实现具有在前述实施例中公开的发光器件或者发光器件封装的显示器件、指示器件和/或照明器件。例如，照明系统可以包括灯、路灯等。

图25示意根据一个实施例的包括发光器件的照明器具。参考图25，照明器具包括电源连接器810、热沉820、发光模块830、反射器840、盖帽850和透镜部860。

电源连接器810的顶端可以以在外部电源插座(未示出)中装配的螺钉形状来形成，该电源插座又向发光模块830供应电力。

热沉820可以耦合到电源连接器810，并且根据连接程度热沉820的位置可以受到控制。例如，热沉820的顶端可以与电源连接器810的底端螺纹耦合。热沉820可以通过在侧面形成的散热插脚释放从发光模块830产生的热。

包括多个发光器件封装的发光模块830可以被固定到热沉820的底面，其中所述封装安装在电路板上。这里，发光器件封装可以是在图24所示的实施例中描述的发光器件封装。

该照明器具可以进一步包括绝缘片832和反射片834，以电保护发光模块830，它们全部设置在发光模块下方。另外，可以设置在由发光模块830发射的光的光通道上具有各种光学功能的光学构件。

反射器840可以具有圆形截锥体形状，并且被结合到热沉820的底端，又反射由发光模块830发射的光。盖帽850可以具有圆环形式，并且被结合到反射器840的底端。透镜部860被装配到盖帽850中。在图25中示意的照明器具可以在天花板或者墙体中嵌入并且用作向下照射式器具。

图26是根据一个实施例的包括发光器件封装的显示器。

参考图26，显示器1000包括：底盖1810；布置于底盖1810上的反射器1820；用于发射光的光源模块1830和1835；布置在反射板1820前面并且在显示器的前向方向上引导由光源模块1830和1835发射的光的导光板1840；布置在导光板1840前面的、包括棱镜片1850和1860的光学片；布置在光学片前面的显示面板1870；连接到显示面板1870以向显示面板1870提供图像信号的图像信号输出电路1872；以及布置在显示面板1870前面的滤色器1880。这里，底盖1810、反射板1820、光源模块1830和1835、导光板1840和光学片可以被组合以形成背光单元。

光源模块可以包括放置在基板1830上的发光器件封装1835，因此得以实现。在此情形中，基板1830可以是PCB，而发光器件封装1835可以是在图24所示实施例中描述的发光器件封装。

底盖1810可以容纳显示器1000的构成元件。进而，反射板1820可以设置成如图中所示的附加的元件，或者以其他方式，在导光板1840的正面或者背面上利用具有高反射性的材料来涂覆。

在这方面，反射板1820可以由具有高反射性的超薄材料构成，并且使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)来形成。

导光板1840可以使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)等形成。

可以在支撑膜的一个面上使用具有透射性和弹性的聚合物材料来形成第一棱镜片1850。这种聚合物材料可以具有其中多个立体结构被反复地布置的棱镜层。这里，多个图案可以具有以条带形式反复地布置的峰部和谷部。

在第二棱镜片1860中在支撑膜的一个面上形成的峰部和谷部的方向可以垂直于在第一棱镜片1850中在支撑膜的一个面上形成的峰部和谷部的方向。其意图使显示面板从光源模块和反射片传输的光遍布显示面板1870地均匀分布。

虽然未被示意，但是可以在导光板1840和第一棱镜片1850之间布置扩散片。扩散片可以由聚酯和聚碳酸酯构成，并且通过折射和散射来最大化地增加从背光单元投射的光的入射角。此外，扩散片可以进一步包括包含光扩散剂的支撑层，以及在光发射面(第一棱镜片的方向)和光入射面(反射片的方向)处形成并且不包含任何光扩散剂的第一和第二层。

根据前述的实施例，扩散片以及第一和第二棱镜片1850和1860可以被组合以形成光学片。以其他方式，光学片可以通过任何其他组合形成，例如，单独的微型透镜阵列、扩散片和微型透镜阵列组合、一个棱镜片和微型透镜阵列组合等。

显示面板1870可以设置有液晶显示器面板或者任何所期望的显示器件，而不是液晶面板1870。

根据实施例，可以增强发光效率和可靠性。

Claims (20)

1.一种发光器件，包括：

第二电极层；

发光结构，所述发光结构设置在所述第二电极层上，所述发光结构包括第二导电半导体层、有源层和第一导电半导体层；

第一电极层，所述第一电极层设置在所述发光结构上，所述第一电极层包括焊盘部和连接到所述焊盘部的电极部；以及

电流阻挡层，所述电流阻挡层布置在所述第二电极层和所述发光结构之间，其中所述电流阻挡层的一部分在竖直方向上重叠成与所述第一电极层相对应，

其中，在竖直方向上与所述电极部相对应的所述电流阻挡层的宽度根据在竖直方向上与所述焊盘部的间隙而是不同的。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电流阻挡层的宽度随着在竖直方向上到所述焊盘部的距离减少而增加。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电极部包括：

外部电极，所述外部电极设置在所述发光结构的周边处；以及

至少一个内部电极，所述至少一个内部电极布置在所述外部电极的内侧处并且连接到所述外部电极，

其中，所述焊盘部连接到所述外部电极和所述内部电极中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在竖直方向上与所述电极部的第一区域相对应的所述电流阻挡层的一部分的宽度大于在竖直方向上与所述电极部的第二区域相对应的所述电流阻挡层的另一部分的宽度，其中所述第一区域比所述第二区域靠近所述焊盘部。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在竖直方向上与所述电极部的至少一个区域相对应的所述电流阻挡层的一部分的宽度随着在竖直方向上到所述焊盘部的距离减少而增加。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电流阻挡层包括在竖直方向上与所述电极部相对应的重叠部和非重叠部，其中所述电流阻挡层的所述非重叠部的宽度根据在竖直方向上与所述焊盘部的间隙而是不同的。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，在竖直方向上与所述电极部的至少一个区域相对应的所述电流阻挡层的非重叠部的宽度随着在竖直方向上到所述焊盘部的距离减少而增加。

8.根据权利要求6所述的发光器件，其中，在竖直方向上与所述电极部的第一区域的所述电流阻挡层的非重叠部的宽度大于在竖直方向上与所述电极部的第二区域相对应的所述电流阻挡层的另一非重叠部的宽度，

其中，所述第一区域比所述第二区域靠近所述焊盘部。

9.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述电流阻挡层的宽度在竖直方向上线性地增加。

10.根据权利要求4所述的发光器件，其中，在竖直方向上与所述电极部的第一和第二区域中的每一个相对应的所述电流阻挡层的宽度随着在竖直方向上到所述焊盘部的距离减小而在竖直方向上线性地增加。

11.根据权利要求8所述的发光器件，其中，在竖直方向上与所述电极部的第一和第二区域中的每一个相对应的所述电流阻挡层的非重叠部的宽度随着在竖直方向上到所述焊盘部的距离减少而在竖直方向上线性地增加。

12.根据权利要求3所述的发光器件，进一步包括：

钝化层，所述钝化层覆盖所述发光结构的顶面的一部分和侧面，并且接触所述外部电极的一侧，

其中，所述电流阻挡层包括在所述外部电极的另一侧方向上延伸并且在竖直方向上不与所述外部电极重叠的部分。

13.根据权利要求12所述的发光器件，其中，在竖直方向上所述电流阻挡层的与所述外部电极的非重叠部的宽度的范围是所述外部电极的宽度的5至350％。

14.根据权利要求12所述的发光器件，其中，在竖直方向上所述电流阻挡层的与所述内部电极的非重叠部的宽度的范围是所述内部电极的宽度的5至350％。

15.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述电流阻挡层包括在所述内部电极的一侧方向上不与所述内部电极竖直地重叠的第三部分和在所述内部电极的另一侧方向上不与所述内部电极竖直地重叠的第四部分，

其中，所述第三部分的宽度和所述第四部分的宽度是不同的。

16.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电极层的宽度是恒定的。

17.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电流阻挡层的宽度在竖直方向上逐步地增加。

18.一种发光器件，包括：

衬底；

发光结构，所述发光结构设置在所述衬底上，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；

导电层，所述导电层设置在所述发光结构上；

电极层，所述电极层设置在所述导电层上，所述电极层包括焊盘部和从所述焊盘部延伸的至少一个扩展电极部；以及

电流阻挡层，所述电流阻挡层布置在所述导电层和所述发光结构之间，其中所述电流阻挡层的至少一部分在竖直方向上重叠成与所述电极层相对应，

其中，在竖直方向上与所述扩展电极部相对应的所述电流阻挡层的宽度根据在竖直方向上与所述焊盘部的间隙而是不同的。

19.根据权利要求18所述的发光器件，其中，在竖直方向上与所述扩展电极部相对应的所述电流阻挡层的一部分的宽度随着在竖直方向上到所述焊盘部的距离减少而增加。

20.一种照明器具，包括：

电源连接器，所述电源连接器用于供应电力；

热沉，所述热沉耦合到所述电源连接器；

发光模块，所述发光模块包括安装在电路板上的发光器件并且被固定到所述热沉；以及

反射器，所述反射器耦合到所述热沉并且反射由所述发光模块发射的光，其中所述发光器件包括：

第二电极层；

发光结构，所述发光结构设置在所述第二电极层上，所述发光结构包括第二导电半导体层、有源层和第一导电半导体层；

第一电极层，所述第一电极层设置在所述发光结构上，所述第一电极层包括焊盘部以及连接到所述焊盘部的电极部；以及

电流阻挡层，所述电流阻挡层布置在所述第二电极层和所述发光结构之间，其中所述电流阻挡层的一部分在竖直方向上重叠成与所述第一电极层相对应，

其中，在竖直方向上与所述电极部相对应的所述电流阻挡层的宽度根据在竖直方向上与所述焊盘部的间隙而是不同的。