JPH0794783A - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子Info
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- JPH0794783A JPH0794783A JP23468593A JP23468593A JPH0794783A JP H0794783 A JPH0794783 A JP H0794783A JP 23468593 A JP23468593 A JP 23468593A JP 23468593 A JP23468593 A JP 23468593A JP H0794783 A JPH0794783 A JP H0794783A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光素子の外部量子効率を高めることを第一
の目的とし、次にｎ層およびｐ層の電極間のショートを
なくし信頼性の高い発光素子を実現することを第二の目
的とし、さらに外部量子効率を高めるために形成した透
光性電極の信頼性を高めることを第三の目的とする。 【構成】 同一面側にｎ層２の電極４とｐ層３の電極１
１とが形成されており、それらの電極側を発光観測面側
とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
前記ｐ層３の電極１１がｐ層３表面のほぼ全面に形成さ
れた透光性の第一の電極１１よりなり、さらにその透光
性の第一の電極１１の表面に、絶縁性および透光性の保
護膜１３が形成されている。
の目的とし、次にｎ層およびｐ層の電極間のショートを
なくし信頼性の高い発光素子を実現することを第二の目
的とし、さらに外部量子効率を高めるために形成した透
光性電極の信頼性を高めることを第三の目的とする。 【構成】 同一面側にｎ層２の電極４とｐ層３の電極１
１とが形成されており、それらの電極側を発光観測面側
とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
前記ｐ層３の電極１１がｐ層３表面のほぼ全面に形成さ
れた透光性の第一の電極１１よりなり、さらにその透光
性の第一の電極１１の表面に、絶縁性および透光性の保
護膜１３が形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオード、レー
ザーダイオード等に使用される窒化ガリウム系化合物半
導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X≦１、０≦Y≦
１）が積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子に係り、特に、ｐ−ｎ接合を有する窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子の電極の構造に関する。
ザーダイオード等に使用される窒化ガリウム系化合物半
導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X≦１、０≦Y≦
１）が積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子に係り、特に、ｐ−ｎ接合を有する窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子の電極の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子は、基板上に、ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体
層と、ｐ型ドーパントがドープされた高抵抗なｉ型の窒
化ガリウム系化合物半導体層とが積層されたいわゆるＭ
ＩＳ構造のものが知られているが、最近になって高抵抗
なｉ型をｐ型とする技術（特開平２−２５７６７９号公
報、特開平３−２１８３２５号公報、特開平５−１８３
１８９号公報等）が発表され、ｐ−ｎ接合型の発光素子
が実現可能となってきた。
素子は、基板上に、ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体
層と、ｐ型ドーパントがドープされた高抵抗なｉ型の窒
化ガリウム系化合物半導体層とが積層されたいわゆるＭ
ＩＳ構造のものが知られているが、最近になって高抵抗
なｉ型をｐ型とする技術（特開平２−２５７６７９号公
報、特開平３−２１８３２５号公報、特開平５−１８３
１８９号公報等）が発表され、ｐ−ｎ接合型の発光素子
が実現可能となってきた。
【０００３】現在のところ、ｐ−ｎ接合型の窒化ガリウ
ム系化合物半導体発光素子は、そのｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体（以下、ｐ層という。）の製造方法が限ら
れているため、通常ｐ層が最上層（即ち、積層終了時の
層）とされる。また、発光素子の基板には透光性、絶縁
性を有するサファイアが使用されるため、発光素子の発
光観測面側は基板側とされることが多い。しかし、基板
側を発光観測面側とするｐ−ｎ接合型の発光素子は、同
一面側に形成されたｐ層およびｎ層の電極をリードフレ
ームに接続する際、１チップを２つのリードフレームに
跨って載置しなければならないので、１チップサイズが
大きくなるという欠点がある。つまり、ｎ層の電極がｐ
層と接触すると電気的にショートしてしまうため、チッ
プ上の正、負それぞれの電極と２つのリードフレーム幅
と間隔を大きくする必要性から、自然とチップサイズが
大きくなる。従って１枚あたりのウエハーから取れるチ
ップ数が少なくなり、高コストになるという欠点があ
る。
ム系化合物半導体発光素子は、そのｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体（以下、ｐ層という。）の製造方法が限ら
れているため、通常ｐ層が最上層（即ち、積層終了時の
層）とされる。また、発光素子の基板には透光性、絶縁
性を有するサファイアが使用されるため、発光素子の発
光観測面側は基板側とされることが多い。しかし、基板
側を発光観測面側とするｐ−ｎ接合型の発光素子は、同
一面側に形成されたｐ層およびｎ層の電極をリードフレ
ームに接続する際、１チップを２つのリードフレームに
跨って載置しなければならないので、１チップサイズが
大きくなるという欠点がある。つまり、ｎ層の電極がｐ
層と接触すると電気的にショートしてしまうため、チッ
プ上の正、負それぞれの電極と２つのリードフレーム幅
と間隔を大きくする必要性から、自然とチップサイズが
大きくなる。従って１枚あたりのウエハーから取れるチ
ップ数が少なくなり、高コストになるという欠点があ
る。
【０００４】一方、電極側を発光観測面とする発光素子
は、１チップを１つのリードフレーム上に載置できるた
めチップサイズを小さくできる。しかも、発光観測面側
から正、負両方の電極を取り出すことができるので、生
産技術上有利であるという利点がある反面、発光観測面
側の電極により発光が阻害されることにより、基板側を
発光観測面とする発光素子に比して外部量子効率が悪い
という欠点がある。また、ｎ層の電極にワイヤーボンデ
ィングする際、ボールが電極からずれてｐ層と接触して
ショートする危険性がある。
は、１チップを１つのリードフレーム上に載置できるた
めチップサイズを小さくできる。しかも、発光観測面側
から正、負両方の電極を取り出すことができるので、生
産技術上有利であるという利点がある反面、発光観測面
側の電極により発光が阻害されることにより、基板側を
発光観測面とする発光素子に比して外部量子効率が悪い
という欠点がある。また、ｎ層の電極にワイヤーボンデ
ィングする際、ボールが電極からずれてｐ層と接触して
ショートする危険性がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】我々は、外部量子効率
の問題に対しては、先に、ｐ層側を発光観測面とする発
光素子のｐ層に形成する電極を透光性の全面電極とする
技術を提案した。この技術により、従来の窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子の問題は改善されてきた。しか
し、ｐ層に形成した透光性の全面電極は非常に膜厚が薄
いことにより、製造ラインの途中で傷がつきやすくな
り、電極に傷がつくと傷の具合によっては、電流が部分
的に流れ、均一な発光が不可能となり、外部量子効率が
低下するという問題が生じてきた。
の問題に対しては、先に、ｐ層側を発光観測面とする発
光素子のｐ層に形成する電極を透光性の全面電極とする
技術を提案した。この技術により、従来の窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子の問題は改善されてきた。しか
し、ｐ層に形成した透光性の全面電極は非常に膜厚が薄
いことにより、製造ラインの途中で傷がつきやすくな
り、電極に傷がつくと傷の具合によっては、電流が部分
的に流れ、均一な発光が不可能となり、外部量子効率が
低下するという問題が生じてきた。
【０００６】また、全面電極の上に、さらにボンディン
グ用の電極（ボンディングパッド）を形成した場合、ワ
イヤーボンディング時に、ワイヤーに引っ張られ、その
ボンディング用の電極と透明な全面電極とが剥がれやす
くなるか、または全面電極がｐ層から剥がれやすくなる
という問題が生じてきた。
グ用の電極（ボンディングパッド）を形成した場合、ワ
イヤーボンディング時に、ワイヤーに引っ張られ、その
ボンディング用の電極と透明な全面電極とが剥がれやす
くなるか、または全面電極がｐ層から剥がれやすくなる
という問題が生じてきた。
【０００７】従って、本発明はこのような事情を鑑み成
されたものであり、電極側を発光観測面とし、ｐ−ｎ接
合を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子におい
て、まずその発光素子の外部量子効率を高めることを第
一の目的とし、次にｎ層およびｐ層の電極間のショート
をなくし、信頼性の高い発光素子を実現することを第二
の目的とし、さらに外部量子効率を高めるために形成し
た透光性電極の信頼性を高めることを第三の目的とす
る。
されたものであり、電極側を発光観測面とし、ｐ−ｎ接
合を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子におい
て、まずその発光素子の外部量子効率を高めることを第
一の目的とし、次にｎ層およびｐ層の電極間のショート
をなくし、信頼性の高い発光素子を実現することを第二
の目的とし、さらに外部量子効率を高めるために形成し
た透光性電極の信頼性を高めることを第三の目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子は、同一面側にｎ層の電極とｐ層
の電極とが形成されており、それらの電極側を発光観測
面側とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子におい
て、前記ｐ層の電極がｐ層のほぼ全面に形成された透光
性の第一の電極よりなり、さらに前記第一の電極の表面
には、絶縁性および透光性の保護膜が形成されているこ
とを特徴とする。なお本願において、透光性とは窒化ガ
リウム系化合物半導体の発光を透過するという意味であ
り、必ずしも無色透明を意味するものではない。
化合物半導体発光素子は、同一面側にｎ層の電極とｐ層
の電極とが形成されており、それらの電極側を発光観測
面側とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子におい
て、前記ｐ層の電極がｐ層のほぼ全面に形成された透光
性の第一の電極よりなり、さらに前記第一の電極の表面
には、絶縁性および透光性の保護膜が形成されているこ
とを特徴とする。なお本願において、透光性とは窒化ガ
リウム系化合物半導体の発光を透過するという意味であ
り、必ずしも無色透明を意味するものではない。
【０００９】
【作用】本発明の発光素子はｐ層の電極を透光性の第一
の電極としている。第一の電極は透光性であることによ
り、ｐ−ｎ接合界面の発光を電極側から観測することが
できる。さらに第一の電極はｐ層のほぼ全面に形成して
いるので電流がｐ層全体に均一に広がり、均一な発光を
得ることができる。また第一の電極の表面に絶縁性の保
護膜を形成していることにより、ボンディング時にｎ層
の電極のボールが第一の電極に接触してもショートする
ことがない。しかも保護膜も透光性であることにより、
第一の電極を透過する光が保護膜も透過するので、外部
量子効率が低下することが少ない。また、保護膜を第一
の電極の表面に形成しているため、保護膜は第一の電極
を保護し、傷が入りにくくしている。さらにまた保護膜
を第一の電極のほぼ全面に形成する（但し、ワイヤーボ
ンディング位置を除くのは当然である。）ことにより、
ボンディングの際、第一の電極がｐ層から剥がれるのを
防止する作用がある。
の電極としている。第一の電極は透光性であることによ
り、ｐ−ｎ接合界面の発光を電極側から観測することが
できる。さらに第一の電極はｐ層のほぼ全面に形成して
いるので電流がｐ層全体に均一に広がり、均一な発光を
得ることができる。また第一の電極の表面に絶縁性の保
護膜を形成していることにより、ボンディング時にｎ層
の電極のボールが第一の電極に接触してもショートする
ことがない。しかも保護膜も透光性であることにより、
第一の電極を透過する光が保護膜も透過するので、外部
量子効率が低下することが少ない。また、保護膜を第一
の電極の表面に形成しているため、保護膜は第一の電極
を保護し、傷が入りにくくしている。さらにまた保護膜
を第一の電極のほぼ全面に形成する（但し、ワイヤーボ
ンディング位置を除くのは当然である。）ことにより、
ボンディングの際、第一の電極がｐ層から剥がれるのを
防止する作用がある。
【００１０】第一の電極の表面にボンディング用の第二
の電極を形成した場合、保護膜を第一の電極と連続して
第二の電極の表面まで形成することにより、第一の電
極、および第二の電極が保護膜により押さえつけられて
カバーされるような状態となり、ボンディング時に第二
の電極が第一の電極から剥がれること、または第一の電
極がｐ層から剥がれることを防止する作用がある。
の電極を形成した場合、保護膜を第一の電極と連続して
第二の電極の表面まで形成することにより、第一の電
極、および第二の電極が保護膜により押さえつけられて
カバーされるような状態となり、ボンディング時に第二
の電極が第一の電極から剥がれること、または第一の電
極がｐ層から剥がれることを防止する作用がある。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係る発光素子の構
造を示す模式断面図であり、この素子はサファイア基板
１の上にｎ型層２とｐ型層３とを順に積層したホモ構造
の発光素子を示している。
造を示す模式断面図であり、この素子はサファイア基板
１の上にｎ型層２とｐ型層３とを順に積層したホモ構造
の発光素子を示している。
【００１２】ｐ層３の上に形成した第一の電極１１は透
光性としているため、前記のようにｐ−ｎ接合界面の発
光を発光面側に有効に取り出すことができる。しかもｐ
層３のほぼ全面に形成してあるために、電界が均一に広
がりｐ−ｎ接合面のほぼ全面に亙って均一な発光が得ら
れる。電極１１を透光性にするにはＡｕ、Ｐｔ、Ａｌ、
Ｓｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ等の電極材料を非常に薄く形成
することにより実現可能である。具体的には、蒸着、ス
パッタ等の技術により電極が透光性になるような膜厚で
直接薄膜を形成するか、または薄膜を形成した後、アニ
ーリングを行い電極を透光性にすることができる。電極
１１の膜厚は０．００１μｍ〜１μｍの厚さで形成する
ことが好ましい。０．００１μｍよりも薄いと電極抵抗
が大きくなり好ましくない。逆に１μｍよりも厚いと電
極が透光性になりにくく実用的ではない。電極材料によ
っても異なるが、第一の電極１１がほぼ透明でほとんど
発光を妨げることがなく、また接触抵抗も低い特に実用
的な範囲としては、０．００５μｍ〜０．２μｍの範囲
が好ましい。
光性としているため、前記のようにｐ−ｎ接合界面の発
光を発光面側に有効に取り出すことができる。しかもｐ
層３のほぼ全面に形成してあるために、電界が均一に広
がりｐ−ｎ接合面のほぼ全面に亙って均一な発光が得ら
れる。電極１１を透光性にするにはＡｕ、Ｐｔ、Ａｌ、
Ｓｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ等の電極材料を非常に薄く形成
することにより実現可能である。具体的には、蒸着、ス
パッタ等の技術により電極が透光性になるような膜厚で
直接薄膜を形成するか、または薄膜を形成した後、アニ
ーリングを行い電極を透光性にすることができる。電極
１１の膜厚は０．００１μｍ〜１μｍの厚さで形成する
ことが好ましい。０．００１μｍよりも薄いと電極抵抗
が大きくなり好ましくない。逆に１μｍよりも厚いと電
極が透光性になりにくく実用的ではない。電極材料によ
っても異なるが、第一の電極１１がほぼ透明でほとんど
発光を妨げることがなく、また接触抵抗も低い特に実用
的な範囲としては、０．００５μｍ〜０．２μｍの範囲
が好ましい。
【００１３】本発明の発光素子は、以上のような第一の
電極１１の表面に透光性および絶縁性の保護膜１３を形
成している。このように保護膜１３は第一の電極１１の
表面を保護しているため、保護膜が形成された部分は外
部から傷が入りにくい。特に、ｎ層の電極４と、ボンデ
ィング用の第二の電極１２との間は、ボンディング時
に、ボールが電極４と電極１１との間に跨りショートし
やすいのであるが、保護膜１３がそれを防止している。
電極１１の表面に透光性および絶縁性の保護膜１３を形
成している。このように保護膜１３は第一の電極１１の
表面を保護しているため、保護膜が形成された部分は外
部から傷が入りにくい。特に、ｎ層の電極４と、ボンデ
ィング用の第二の電極１２との間は、ボンディング時
に、ボールが電極４と電極１１との間に跨りショートし
やすいのであるが、保護膜１３がそれを防止している。
【００１４】保護膜１３の材料は透光性で絶縁性を有し
ていればどのような材料を使用しても良いが、特に好ま
しい材料としてＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4
等を使用することができる。これらの材料は膜厚にかか
わらず無色透明で、絶縁性であるため、第一の電極１１
を透過した発光をほとんど減衰させることなく、透過さ
せることができる。また保護膜１３を形成するには、例
えばこれらの材料を、所定のマスクを形成したｎ層２、
あるいは第一の電極１１に蒸着、スパッタ等の方法を用
いて形成することができる。
ていればどのような材料を使用しても良いが、特に好ま
しい材料としてＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4
等を使用することができる。これらの材料は膜厚にかか
わらず無色透明で、絶縁性であるため、第一の電極１１
を透過した発光をほとんど減衰させることなく、透過さ
せることができる。また保護膜１３を形成するには、例
えばこれらの材料を、所定のマスクを形成したｎ層２、
あるいは第一の電極１１に蒸着、スパッタ等の方法を用
いて形成することができる。
【００１５】図２は本発明の他の実施例に係る発光素子
の構造を示す模式断面図であり、図１と異なるところ
は、保護膜１３を第一の電極１１とｎ層２とに連続して
形成したことである。このように保護膜１３をｎ層の電
極４、ボンディング用の第二の電極１２を残して全面に
形成することにより、発光素子の信頼性が図１の素子に
比べてさらに向上する。
の構造を示す模式断面図であり、図１と異なるところ
は、保護膜１３を第一の電極１１とｎ層２とに連続して
形成したことである。このように保護膜１３をｎ層の電
極４、ボンディング用の第二の電極１２を残して全面に
形成することにより、発光素子の信頼性が図１の素子に
比べてさらに向上する。
【００１６】図３も本発明の他の実施例に係る発光素子
の構造を示す模式断面図である。この発光素子は、保護
膜１３を第一の電極１１と第二の電極とに連続して形成
しており、さらにｎ層の電極４にも連続して形成してい
る。このように保護膜１３を第二の電極の表面にも連続
して形成することにより、第二の電極は保護膜により押
さえつけられるような構造となるため、第二の電極１２
が第一の電極１１より剥がれるのを防止することができ
る。また、ｎ層の電極４の上にも形成しているので、ｎ
層の電極４がｎ層２から剥がれるのも防止でき、特に信
頼性に優れた発光素子を提供することができる。なお、
保護膜１３を形成する際、ｎ層の電極４、第二の電極１
２の表面にボンディング可能なように、金属面を露出さ
せた箇所を残しておくことは言うまでもない。
の構造を示す模式断面図である。この発光素子は、保護
膜１３を第一の電極１１と第二の電極とに連続して形成
しており、さらにｎ層の電極４にも連続して形成してい
る。このように保護膜１３を第二の電極の表面にも連続
して形成することにより、第二の電極は保護膜により押
さえつけられるような構造となるため、第二の電極１２
が第一の電極１１より剥がれるのを防止することができ
る。また、ｎ層の電極４の上にも形成しているので、ｎ
層の電極４がｎ層２から剥がれるのも防止でき、特に信
頼性に優れた発光素子を提供することができる。なお、
保護膜１３を形成する際、ｎ層の電極４、第二の電極１
２の表面にボンディング可能なように、金属面を露出さ
せた箇所を残しておくことは言うまでもない。
【００１７】図４は本願の他の実施例による発光素子を
電極側からみた平面図である。この発光素子はｎ層の電
極４と第二の電極１２とを対角線上の隅部に配置してい
る。つまり、図３に示す第二の電極１２をｎ層の電極４
と対角線上になるように、第一の電極１１の隅部に配置
したものである。このようにｎ層の電極４と第二の電極
１２とを配置することにより、電流がｐ層３全体に最も
よく広がり、ｐ層３全体を均一に発光させることがで
き、最も発光効率が向上する。さらに保護膜１３は図３
と同じく、第一の電極１１上と、第二の電極１２上と、
ｎ層の電極４上とに連続して形成しており、発光素子の
発光観測面側は保護膜１３でほとんど覆われている。
電極側からみた平面図である。この発光素子はｎ層の電
極４と第二の電極１２とを対角線上の隅部に配置してい
る。つまり、図３に示す第二の電極１２をｎ層の電極４
と対角線上になるように、第一の電極１１の隅部に配置
したものである。このようにｎ層の電極４と第二の電極
１２とを配置することにより、電流がｐ層３全体に最も
よく広がり、ｐ層３全体を均一に発光させることがで
き、最も発光効率が向上する。さらに保護膜１３は図３
と同じく、第一の電極１１上と、第二の電極１２上と、
ｎ層の電極４上とに連続して形成しており、発光素子の
発光観測面側は保護膜１３でほとんど覆われている。
【００１８】以上、ｎ層とｐ層とを順に積層したホモ構
造の発光素子について説明したが、本願は同一面側の電
極を発光観測面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子であれば、ダブルへテロ構造、シングルへテロ構造
等の発光素子の構造は問わず、あらゆる構造に適用でき
る。
造の発光素子について説明したが、本願は同一面側の電
極を発光観測面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子であれば、ダブルへテロ構造、シングルへテロ構造
等の発光素子の構造は問わず、あらゆる構造に適用でき
る。
【００１９】
【発明の効果】従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子はＭＩＳ構造であったため、電極間の絶縁は全く考
えられていなかった。しかしｐ−ｎ接合を有し、同一面
側から電極を取りだした構造の窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子では、電極間の絶縁が非常に重要である。
本発明では、保護膜の作用により電極間の絶縁性が格段
に向上して、信頼性に優れた発光素子を提供することが
できる。しかも第一の電極および保護膜とも透光性であ
るため窒化ガリウム系化合物半導体層の発光を電極側か
ら観測でき外部量子効率が向上する。また保護膜により
電極に傷が入ることがなく、さらに電極の剥がれがない
ため、製造歩留が向上する。
素子はＭＩＳ構造であったため、電極間の絶縁は全く考
えられていなかった。しかしｐ−ｎ接合を有し、同一面
側から電極を取りだした構造の窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子では、電極間の絶縁が非常に重要である。
本発明では、保護膜の作用により電極間の絶縁性が格段
に向上して、信頼性に優れた発光素子を提供することが
できる。しかも第一の電極および保護膜とも透光性であ
るため窒化ガリウム系化合物半導体層の発光を電極側か
ら観測でき外部量子効率が向上する。また保護膜により
電極に傷が入ることがなく、さらに電極の剥がれがない
ため、製造歩留が向上する。
【図１】 本発明の一実施例による発光素子の構造を示
す模式断面図。
す模式断面図。
【図２】 本発明の他の実施例による発光素子の構造を
示す模式断面図。
示す模式断面図。
【図３】 本発明の他の実施例による発光素子の構造を
示す模式断面図。
示す模式断面図。
【図４】 本発明の他の実施例による発光素子を電極側
からみた平面図。
からみた平面図。
１・・・サファイア基板 ２・・・ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層 ３・・・ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層 ４・・・ｎ層の電極 １１・・・第一の電極 １２・・・第二の電極 １３・・・保護膜
Claims (3)
- 【請求項１】 同一面側にｎ層の電極とｐ層の電極とが
形成されており、それらの電極側を発光観測面側とする
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、 前記ｐ層の電極がｐ層のほぼ全面に形成された透光性の
第一の電極よりなり、さらに前記第一の電極の表面に
は、絶縁性および透光性の保護膜が形成されていること
を特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記第一の電極の上にボンディング用の
第二の電極が形成されており、前記保護膜は前記第一の
電極と連続して、前記第二の電極の表面にも形成されて
いることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記保護膜は前記第一の電極と連続し
て、前記ｎ層の電極の表面にも形成されていることを特
徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体
発光素子。
Priority Applications (29)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| EP99114356A EP0952617B1 (en) | 1993-04-28 | 1994-04-27 | Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor device |
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| US08/670,242 US5767581A (en) | 1993-04-28 | 1996-06-17 | Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor |
| US08/665,759 US5652434A (en) | 1993-04-28 | 1996-06-17 | Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor |
| US08/995,167 US5877558A (en) | 1993-04-28 | 1997-12-19 | Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor |
| KR1019980022092A KR100225612B1 (en) | 1993-04-28 | 1998-06-12 | Gallium nitride-based iii-v group compound semiconductor |
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| US09/209,826 US6093965A (en) | 1993-04-28 | 1998-12-11 | Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor |
| KR1019990032148A KR100551364B1 (ko) | 1993-04-28 | 1999-08-05 | 질화갈륨계 화합물 반도체 발광소자 및 그 전극형성방법 |
| US09/448,479 US6204512B1 (en) | 1993-04-28 | 1999-11-24 | Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor device and method of producing the same |
| US09/750,912 US6507041B2 (en) | 1993-04-28 | 2001-01-02 | Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor |
| US10/292,583 US6610995B2 (en) | 1993-04-28 | 2002-11-13 | Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor |
| KR1020030035961A KR100551365B1 (ko) | 1993-04-28 | 2003-06-04 | 질화갈륨계 화합물 반도체 발광소자 |
| US10/609,410 US6998690B2 (en) | 1993-04-28 | 2003-07-01 | Gallium nitride based III-V group compound semiconductor device and method of producing the same |
| US11/198,465 US7205220B2 (en) | 1993-04-28 | 2005-08-08 | Gallium nitride based III-V group compound semiconductor device and method of producing the same |
| US11/714,890 US7375383B2 (en) | 1993-04-28 | 2007-03-07 | Gallium nitride based III-V group compound semiconductor device and method of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23468593A JP2770717B2 (ja) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794783A true JPH0794783A (ja) | 1995-04-07 |
| JP2770717B2 JP2770717B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=16974837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23468593A Expired - Lifetime JP2770717B2 (ja) | 1993-01-28 | 1993-09-21 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2770717B2 (ja) |
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|---|---|
| JP2770717B2 (ja) | 1998-07-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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|
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110417 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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