JPH04321280A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
- Publication number
- JPH04321280A JPH04321280A JP3116912A JP11691291A JPH04321280A JP H04321280 A JPH04321280 A JP H04321280A JP 3116912 A JP3116912 A JP 3116912A JP 11691291 A JP11691291 A JP 11691291A JP H04321280 A JPH04321280 A JP H04321280A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting diode
- layer
- light emitting
- type
- doped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 19
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 9
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般式がＧａＸＡｌ１
−ＸＮ（０≦Ｘ≦１）で表される窒化ガリウム系化合物
半導体よりなる青色発光ダイオードに係り、特に発光効
率が高く、高輝度、かつ色純度の良い、青色発光ダイオ
ードに関するものである。
−ＸＮ（０≦Ｘ≦１）で表される窒化ガリウム系化合物
半導体よりなる青色発光ダイオードに係り、特に発光効
率が高く、高輝度、かつ色純度の良い、青色発光ダイオ
ードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、窒化ガリウム系化合物半導体を使
用した青色発光ダイオードは、図２に示すＭＩＳ構造の
ものがよく知られている。
用した青色発光ダイオードは、図２に示すＭＩＳ構造の
ものがよく知られている。
【０００３】一般にＭＩＳ構造の青色発光ダイオードは
、基本的に、サファイア基板１上に、ＡｌＮよりなるバ
ッファ層２、Ｓｉドープｎ型ＧａＸＡｌ１−ＸＮ層３、
Ｚｎドープｉ型ＧａＸＡｌ１−ＸＮ層４が順に積層され
、３および４から電極が取り出された構造となっている
。このようなＭＩＳ構造の窒化ガリウム系化合物半導体
を有する青色発光ダイオードは、他のｐ−ｎ接合を有す
る半導体材料、例えばＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ等よりなる
赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオードに比較して発
光効率が低く、また輝度が低いために、実用化するには
未だ不十分であった。
、基本的に、サファイア基板１上に、ＡｌＮよりなるバ
ッファ層２、Ｓｉドープｎ型ＧａＸＡｌ１−ＸＮ層３、
Ｚｎドープｉ型ＧａＸＡｌ１−ＸＮ層４が順に積層され
、３および４から電極が取り出された構造となっている
。このようなＭＩＳ構造の窒化ガリウム系化合物半導体
を有する青色発光ダイオードは、他のｐ−ｎ接合を有す
る半導体材料、例えばＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ等よりなる
赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオードに比較して発
光効率が低く、また輝度が低いために、実用化するには
未だ不十分であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】なぜ、上記ＭＩＳ構造
の青色発光ダイオードしか実用化できないかというと、
発光する活性層を得るため、ｐ型ドーパントとしてのＺ
ｎを窒化ガリウム系化合物半導体にドープしても、ｐ型
にはならず、高抵抗のｉ型にしかならないからである。 なおここでいう高抵抗のｉ型とは抵抗率１０８Ω・ｃｍ
以上をいう。
の青色発光ダイオードしか実用化できないかというと、
発光する活性層を得るため、ｐ型ドーパントとしてのＺ
ｎを窒化ガリウム系化合物半導体にドープしても、ｐ型
にはならず、高抵抗のｉ型にしかならないからである。 なおここでいう高抵抗のｉ型とは抵抗率１０８Ω・ｃｍ
以上をいう。
【０００５】またｐ型ドーパントとしてＺｎの代わりに
、Ｍｇをドープしてｐ型層を得ようとする試みもあり、
一応、Ｍｇをドープすると低抵抗のｐ型層は得られる。 しかしながら、そのｐ型層の発光波長は、青色より短波
長の紫色であるため、Ｍｇが発光中心となる構造のｐ−
ｎ接合では色純度の良い青色発光ダイオードを得ること
は不可能であった。
、Ｍｇをドープしてｐ型層を得ようとする試みもあり、
一応、Ｍｇをドープすると低抵抗のｐ型層は得られる。 しかしながら、そのｐ型層の発光波長は、青色より短波
長の紫色であるため、Ｍｇが発光中心となる構造のｐ−
ｎ接合では色純度の良い青色発光ダイオードを得ること
は不可能であった。
【０００６】以上述べたように、窒化ガリウム系化合物
半導体を使用してｐ−ｎ接合の青色発光ダイオードを得
ることは非常に困難であるため、現在ではＭＩＳ構造の
青色発光ダイオードしかできていないのが実状である。
半導体を使用してｐ−ｎ接合の青色発光ダイオードを得
ることは非常に困難であるため、現在ではＭＩＳ構造の
青色発光ダイオードしかできていないのが実状である。
【０００７】周知のように、発光出力に代表される発光
特性、信頼性等を考慮するとＭＩＳ構造よりも、ｐ−ｎ
接合が有利であるのは常識であり、一刻も早く、ｐ−ｎ
接合青色発光ダイオードの実現が強く望まれている。
特性、信頼性等を考慮するとＭＩＳ構造よりも、ｐ−ｎ
接合が有利であるのは常識であり、一刻も早く、ｐ−ｎ
接合青色発光ダイオードの実現が強く望まれている。
【０００８】従って、本発明は上記事情を鑑みて成され
たものであり、上記ｉ型層をｐ型層とｎ型層ではさむ構
造の青色発光ダイオードを実現することにより、高効率
で、高輝度かつ色純度等の発光特性に優れた青色発光ダ
イオードを提供することを目的とする。
たものであり、上記ｉ型層をｐ型層とｎ型層ではさむ構
造の青色発光ダイオードを実現することにより、高効率
で、高輝度かつ色純度等の発光特性に優れた青色発光ダ
イオードを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、サファイア基
板上に、一般式がＧａＸＡｌ１−ＸＮ（０≦Ｘ≦１）で
表される窒化ガリウム系化合物半導体が積層された構造
を有する青色発光ダイオードにおいて、ＧａＸＡｌ１−
ＸＮ（但しＸは０＜Ｘ≦１の範囲にある。）よりなるバ
ッファ層と、Ｚｎがドープされた発光する活性層と、Ｓ
ｉがドープされたｎ型のクラッド層と、さらに、Ｍｇが
ドープされたｐ型のクラッド層とを具備していることを
特徴とするものである。
板上に、一般式がＧａＸＡｌ１−ＸＮ（０≦Ｘ≦１）で
表される窒化ガリウム系化合物半導体が積層された構造
を有する青色発光ダイオードにおいて、ＧａＸＡｌ１−
ＸＮ（但しＸは０＜Ｘ≦１の範囲にある。）よりなるバ
ッファ層と、Ｚｎがドープされた発光する活性層と、Ｓ
ｉがドープされたｎ型のクラッド層と、さらに、Ｍｇが
ドープされたｐ型のクラッド層とを具備していることを
特徴とするものである。
【００１０】その構造の一例を図１にしめす。本発明の
青色発光ダイオードは、サファイア基板１上に、ＧａＸ
Ａｌ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）よりなるバッファ層１２、
Ｓｉがドープされたｎ型のクラッド層であるＳｉドープ
ｎ型ＧａＸＡｌ１−ＸＮ層３（以下ｎ型クラッド層とい
う。）、Ｚｎがドープされた発光する活性層であるＺｎ
ドープＧａＸＡｌ１−ＸＮ層１４（以下活性層という。 ）、Ｍｇがドープされたｐ型のクラッド層であるＭｇド
ープｐ型ＧａＸＡｌ１−ＸＮ層５（以下ｐ型クラッド層
という。）が順に積層され、さらに、３および５から電
極が取り出された構造となっている。
青色発光ダイオードは、サファイア基板１上に、ＧａＸ
Ａｌ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）よりなるバッファ層１２、
Ｓｉがドープされたｎ型のクラッド層であるＳｉドープ
ｎ型ＧａＸＡｌ１−ＸＮ層３（以下ｎ型クラッド層とい
う。）、Ｚｎがドープされた発光する活性層であるＺｎ
ドープＧａＸＡｌ１−ＸＮ層１４（以下活性層という。 ）、Ｍｇがドープされたｐ型のクラッド層であるＭｇド
ープｐ型ＧａＸＡｌ１−ＸＮ層５（以下ｐ型クラッド層
という。）が順に積層され、さらに、３および５から電
極が取り出された構造となっている。
【００１１】バッファ層１２は、その上に積層する窒化
ガリウム系化合物半導体層の結晶性を向上させるために
必要なものであり、通常数ｎｍ〜数百ｎｍ以下の厚さで
形成する。またバッファ層１２はサファイア基板の他に
、ｎ型クラッド層３、活性層１４の上に形成しても良い
。
ガリウム系化合物半導体層の結晶性を向上させるために
必要なものであり、通常数ｎｍ〜数百ｎｍ以下の厚さで
形成する。またバッファ層１２はサファイア基板の他に
、ｎ型クラッド層３、活性層１４の上に形成しても良い
。
【００１２】活性層１４は、Ｚｎを発光中心とし、発光
波長のピークはおよそ４７０〜４８０ｎｍにある。
波長のピークはおよそ４７０〜４８０ｎｍにある。
【００１３】
【作用】本発明の青色発光ダイオードにおいて、バッフ
ァ層１２の作用は、本発明者が先に出願した特願平３−
３２２５９号において詳しく述べている。簡単にいうと
バッファ層の材料を、従来のＡｌＮとするよりも、Ｇａ
ＸＡｌ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）とする方が、その上に成
長させる窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性が格段に
向上し、その上に成長させるＭｇドープのＧａＸＡｌ１
−ＸＮ層が容易にｐ型化するということである。
ァ層１２の作用は、本発明者が先に出願した特願平３−
３２２５９号において詳しく述べている。簡単にいうと
バッファ層の材料を、従来のＡｌＮとするよりも、Ｇａ
ＸＡｌ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）とする方が、その上に成
長させる窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性が格段に
向上し、その上に成長させるＭｇドープのＧａＸＡｌ１
−ＸＮ層が容易にｐ型化するということである。
【００１４】またバッファ層１２の材料をＧａＸＡｌ１
−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）とすることにより、活性層１４に
おいても、ＡｌＮをバッファ層とした従来のｉ型ＧａＸ
Ａｌ１−ＸＮ層４に比べ、格段に結晶性が向上するため
、抵抗率も１０５Ω・ｃｍ以下となる。
−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）とすることにより、活性層１４に
おいても、ＡｌＮをバッファ層とした従来のｉ型ＧａＸ
Ａｌ１−ＸＮ層４に比べ、格段に結晶性が向上するため
、抵抗率も１０５Ω・ｃｍ以下となる。
【００１５】従って、発光ダイオードを上記のような構
造とすると、いちばん上にあるｐ型クラッド層５が容易
にｐ型となるため、例えば、ｐ型クラッド層５を＋（プ
ラス）側にして、ｎ型クラッド層３を−（マイナス）側
にして電流を流すと、ｐ型クラッド層５からは活性層４
にホールが注入され、同時にｎ型クラッド層３からは電
子が注入され、発光層である活性層４でホールと電子が
再結合し、Ｚｎを発光中心として色純度の良い青色の発
光を示す。
造とすると、いちばん上にあるｐ型クラッド層５が容易
にｐ型となるため、例えば、ｐ型クラッド層５を＋（プ
ラス）側にして、ｎ型クラッド層３を−（マイナス）側
にして電流を流すと、ｐ型クラッド層５からは活性層４
にホールが注入され、同時にｎ型クラッド層３からは電
子が注入され、発光層である活性層４でホールと電子が
再結合し、Ｚｎを発光中心として色純度の良い青色の発
光を示す。
【００１６】上記のように、このバッファ層１２なしで
は、ｐ型層が得られず、本発明の構造の青色発光ダイオ
ードを得ることは不可能である。
は、ｐ型層が得られず、本発明の構造の青色発光ダイオ
ードを得ることは不可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の青色発光ダ
イオードは、ｐ型およびｎ型の窒化ガリウム系化合物半
導体層で発光する活性層をはさみ、電子とホールとを活
性層に注入して発光させる、例えばダブルヘテロ構造の
発光ダイオードの発光メカニズムと同一であり、それは
ＭＩＳ構造の青色発光ダイオードに比べ、高効率、かつ
高輝度で、色純度の良い青色発光ダイオードを実現する
ことができる。
イオードは、ｐ型およびｎ型の窒化ガリウム系化合物半
導体層で発光する活性層をはさみ、電子とホールとを活
性層に注入して発光させる、例えばダブルヘテロ構造の
発光ダイオードの発光メカニズムと同一であり、それは
ＭＩＳ構造の青色発光ダイオードに比べ、高効率、かつ
高輝度で、色純度の良い青色発光ダイオードを実現する
ことができる。
【００１８】さらに本発明の青色発光ダイオードはバッ
ファ層にＧａＸＡｌ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）を有してい
るため、サファイア基板上に積層した化合物半導体の結
晶性が非常に良くなる。そのため、ＡｌＮバッファ層の
上に積層したｐ型クラッド層５と、本発明の構成要件で
あるＧａＸＡｌ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）バッファ層の上
に形成したｐ型クラッド層５とでは、その結晶性が格段
に異なるのである。従って優れた結晶性を有する本発明
の青色発光ダイオードが当然輝度が高くなる。
ファ層にＧａＸＡｌ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）を有してい
るため、サファイア基板上に積層した化合物半導体の結
晶性が非常に良くなる。そのため、ＡｌＮバッファ層の
上に積層したｐ型クラッド層５と、本発明の構成要件で
あるＧａＸＡｌ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）バッファ層の上
に形成したｐ型クラッド層５とでは、その結晶性が格段
に異なるのである。従って優れた結晶性を有する本発明
の青色発光ダイオードが当然輝度が高くなる。
【図１】 本発明の青色発光ダイオードの構造を示す
断面図。
断面図。
【図２】 従来の青色発光ダイオードの構造を示す断
面図。
面図。
１・・・サファイア基板
２・・・ＡｌＮバッファ層
３・・・ｎ型クラッド層
４・・・ｉ型ＧａＸＡｌ１−ＸＮ層
５・・・ｐ型クラッド層
１２・・・ＧａＸＡｌ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）バッファ
層１４・・・活性層
層１４・・・活性層
Claims (1)
- 【請求項１】 ＧａＸＡｌ１−ＸＮ（但しＸは０＜Ｘ
≦１の範囲にある。）よりなるバッファ層と、Ｚｎがド
ープされた発光する活性層と、Ｓｉがドープされたｎ型
のクラッド層と、さらに、Ｍｇがドープされたｐ型のク
ラッド層とを具備していることを特徴とする青色発光ダ
イオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11691291A JP2791448B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11691291A JP2791448B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04321280A true JPH04321280A (ja) | 1992-11-11 |
| JP2791448B2 JP2791448B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=14698732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11691291A Expired - Fee Related JP2791448B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2791448B2 (ja) |
Cited By (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06209120A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-07-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 青色発光素子 |
| JPH06237012A (ja) * | 1993-02-10 | 1994-08-23 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JPH06260681A (ja) * | 1993-03-05 | 1994-09-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JPH06268259A (ja) † | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JPH0794783A (ja) * | 1993-09-21 | 1995-04-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JPH0851235A (ja) * | 1994-08-09 | 1996-02-20 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子の製法 |
| JPH08102550A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JPH08167735A (ja) * | 1994-12-12 | 1996-06-25 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子 |
| JPH08250540A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-09-27 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH09129931A (ja) * | 1996-09-17 | 1997-05-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| US5693963A (en) * | 1994-09-19 | 1997-12-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Compound semiconductor device with nitride |
| US5734182A (en) * | 1992-11-20 | 1998-03-31 | Nichia Chemical Industries Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconducor device |
| US5900650A (en) * | 1995-08-31 | 1999-05-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US5905276A (en) * | 1992-10-29 | 1999-05-18 | Isamu Akasaki | Light emitting semiconductor device using nitrogen-Group III compound |
| JPH11220173A (ja) * | 1994-09-22 | 1999-08-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| US6005258A (en) * | 1994-03-22 | 1999-12-21 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III Nitrogen compound having emission layer doped with donor and acceptor impurities |
| JP2001284645A (ja) * | 1994-09-22 | 2001-10-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| EP1176231A2 (en) | 2000-07-28 | 2002-01-30 | National Institute for Materials Science | A boride-based substrate for growing semiconducting layers thereon and a semiconductor device using the same |
| US6377596B1 (en) | 1995-09-18 | 2002-04-23 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor materials, methods for fabricating semiconductor materials, and semiconductor devices |
| JP2003051610A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-02-21 | Nichia Chem Ind Ltd | Ｌｅｄ素子 |
| WO2003073514A1 (fr) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Structure multicouche a semi-conducteur a base de nitrure d'elements du groupe iii-v et son procede de production |
| US7183578B2 (en) | 2003-03-26 | 2007-02-27 | Kyocera Corporation | Semiconductor apparatus, method for growing nitride semiconductor and method for producing semiconductor apparatus |
| DE19680872B4 (de) * | 1995-08-31 | 2009-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki | Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Elements |
| USRE42074E1 (en) | 1996-04-26 | 2011-01-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of light emitting device |
| US8860058B2 (en) | 1996-03-26 | 2014-10-14 | Cree, Inc. | Solid state white light emitter and display using same |
| US8888318B2 (en) | 2010-06-11 | 2014-11-18 | Intematix Corporation | LED spotlight |
| US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| US8947619B2 (en) | 2006-07-06 | 2015-02-03 | Intematix Corporation | Photoluminescence color display comprising quantum dots material and a wavelength selective filter that allows passage of excitation radiation and prevents passage of light generated by photoluminescence materials |
| US8946998B2 (en) | 2010-08-09 | 2015-02-03 | Intematix Corporation | LED-based light emitting systems and devices with color compensation |
| US8957585B2 (en) | 2010-10-05 | 2015-02-17 | Intermatix Corporation | Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion |
| US8994056B2 (en) | 2012-07-13 | 2015-03-31 | Intematix Corporation | LED-based large area display |
| US8992051B2 (en) | 2011-10-06 | 2015-03-31 | Intematix Corporation | Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance |
| US9004705B2 (en) | 2011-04-13 | 2015-04-14 | Intematix Corporation | LED-based light sources for light emitting devices and lighting arrangements with photoluminescence wavelength conversion |
| US9045688B2 (en) | 2006-08-03 | 2015-06-02 | Intematix Corporation | LED lighting arrangement including light emitting phosphor |
| US9115868B2 (en) | 2011-10-13 | 2015-08-25 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with improved protective characteristics for remote wavelength conversion |
| US9217543B2 (en) | 2013-01-28 | 2015-12-22 | Intematix Corporation | Solid-state lamps with omnidirectional emission patterns |
| US9252338B2 (en) | 2012-04-26 | 2016-02-02 | Intematix Corporation | Methods and apparatus for implementing color consistency in remote wavelength conversion |
| US9318670B2 (en) | 2014-05-21 | 2016-04-19 | Intematix Corporation | Materials for photoluminescence wavelength converted solid-state light emitting devices and arrangements |
| US9324923B2 (en) | 2008-03-07 | 2016-04-26 | Intermatix Corporation | Multiple-chip excitation systems for white light emitting diodes (LEDs) |
| US9365766B2 (en) | 2011-10-13 | 2016-06-14 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component having photo-luminescence material embedded into a hermetic material for remote wavelength conversion |
| US9458988B2 (en) | 2007-10-01 | 2016-10-04 | Intematix Corporation | Color tunable light emitting device |
| US9476568B2 (en) | 2008-03-07 | 2016-10-25 | Intematix Corporation | White light illumination system with narrow band green phosphor and multiple-wavelength excitation |
| US9512970B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-12-06 | Intematix Corporation | Photoluminescence wavelength conversion components |
| US9546765B2 (en) | 2010-10-05 | 2017-01-17 | Intematix Corporation | Diffuser component having scattering particles |
| US9739444B2 (en) | 2007-03-05 | 2017-08-22 | Intematix Corporation | Light emitting diode (LED) based lighting systems |
| US10234725B2 (en) | 2015-03-23 | 2019-03-19 | Intematix Corporation | Photoluminescence color display |
| US10557594B2 (en) | 2012-12-28 | 2020-02-11 | Intematix Corporation | Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components |
| JP2020202361A (ja) * | 2019-06-13 | 2020-12-17 | 森 正 | 青色発光ダイオード |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59228776A (ja) * | 1983-06-10 | 1984-12-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体ヘテロ接合素子 |
| JPS60173829A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化合物半導体薄膜の成長方法 |
| JPS6417484A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-20 | Nippon Telegraph & Telephone | Semiconductor light emitting element |
| JPH02257677A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Toshiba Corp | 半導体発光ダイオード |
-
1991
- 1991-04-19 JP JP11691291A patent/JP2791448B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59228776A (ja) * | 1983-06-10 | 1984-12-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体ヘテロ接合素子 |
| JPS60173829A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化合物半導体薄膜の成長方法 |
| JPS6417484A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-20 | Nippon Telegraph & Telephone | Semiconductor light emitting element |
| JPH02257677A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Toshiba Corp | 半導体発光ダイオード |
Cited By (60)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5905276A (en) * | 1992-10-29 | 1999-05-18 | Isamu Akasaki | Light emitting semiconductor device using nitrogen-Group III compound |
| JPH06209120A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-07-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 青色発光素子 |
| US5734182A (en) * | 1992-11-20 | 1998-03-31 | Nichia Chemical Industries Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconducor device |
| JPH06237012A (ja) * | 1993-02-10 | 1994-08-23 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JPH0783136B2 (ja) * | 1993-02-10 | 1995-09-06 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JPH06260681A (ja) * | 1993-03-05 | 1994-09-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JPH06268259A (ja) † | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JPH0794783A (ja) * | 1993-09-21 | 1995-04-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| US7138286B2 (en) | 1994-03-22 | 2006-11-21 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III nitrogen compound |
| US7332366B2 (en) | 1994-03-22 | 2008-02-19 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III nitrogen compound |
| US7001790B2 (en) | 1994-03-22 | 2006-02-21 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting aluminum gallium indium nitride compound semiconductor device having an improved luminous intensity |
| US6265726B1 (en) | 1994-03-22 | 2001-07-24 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting aluminum gallium indium nitride compound semiconductor device having an improved luminous intensity |
| US6005258A (en) * | 1994-03-22 | 1999-12-21 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III Nitrogen compound having emission layer doped with donor and acceptor impurities |
| JPH0851235A (ja) * | 1994-08-09 | 1996-02-20 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子の製法 |
| US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| US5693963A (en) * | 1994-09-19 | 1997-12-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Compound semiconductor device with nitride |
| JPH11220173A (ja) * | 1994-09-22 | 1999-08-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JP2001284645A (ja) * | 1994-09-22 | 2001-10-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JPH08102550A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JPH08167735A (ja) * | 1994-12-12 | 1996-06-25 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子 |
| JPH08250540A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-09-27 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体装置 |
| US5900650A (en) * | 1995-08-31 | 1999-05-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| DE19680872B4 (de) * | 1995-08-31 | 2009-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki | Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Elements |
| US6377596B1 (en) | 1995-09-18 | 2002-04-23 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor materials, methods for fabricating semiconductor materials, and semiconductor devices |
| US6459712B2 (en) | 1995-09-18 | 2002-10-01 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor devices |
| US8860058B2 (en) | 1996-03-26 | 2014-10-14 | Cree, Inc. | Solid state white light emitter and display using same |
| US8963182B2 (en) | 1996-03-26 | 2015-02-24 | Cree, Inc. | Solid state white light emitter and display using same |
| US9698313B2 (en) | 1996-03-26 | 2017-07-04 | Cree, Inc. | Solid state white light emitter and display using same |
| USRE42074E1 (en) | 1996-04-26 | 2011-01-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of light emitting device |
| JPH09129931A (ja) * | 1996-09-17 | 1997-05-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| US6566218B2 (en) | 2000-07-28 | 2003-05-20 | National Institute For Materials Science | Boride-based substrate for growing semiconducting layers thereon and a semiconductor device using the same |
| EP1176231A2 (en) | 2000-07-28 | 2002-01-30 | National Institute for Materials Science | A boride-based substrate for growing semiconducting layers thereon and a semiconductor device using the same |
| JP2003051610A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-02-21 | Nichia Chem Ind Ltd | Ｌｅｄ素子 |
| WO2003073514A1 (fr) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Structure multicouche a semi-conducteur a base de nitrure d'elements du groupe iii-v et son procede de production |
| US7183578B2 (en) | 2003-03-26 | 2007-02-27 | Kyocera Corporation | Semiconductor apparatus, method for growing nitride semiconductor and method for producing semiconductor apparatus |
| US8947619B2 (en) | 2006-07-06 | 2015-02-03 | Intematix Corporation | Photoluminescence color display comprising quantum dots material and a wavelength selective filter that allows passage of excitation radiation and prevents passage of light generated by photoluminescence materials |
| US9595644B2 (en) | 2006-08-03 | 2017-03-14 | Intematix Corporation | LED lighting arrangement including light emitting phosphor |
| US9045688B2 (en) | 2006-08-03 | 2015-06-02 | Intematix Corporation | LED lighting arrangement including light emitting phosphor |
| US9739444B2 (en) | 2007-03-05 | 2017-08-22 | Intematix Corporation | Light emitting diode (LED) based lighting systems |
| US9458988B2 (en) | 2007-10-01 | 2016-10-04 | Intematix Corporation | Color tunable light emitting device |
| US9324923B2 (en) | 2008-03-07 | 2016-04-26 | Intermatix Corporation | Multiple-chip excitation systems for white light emitting diodes (LEDs) |
| US9476568B2 (en) | 2008-03-07 | 2016-10-25 | Intematix Corporation | White light illumination system with narrow band green phosphor and multiple-wavelength excitation |
| US8888318B2 (en) | 2010-06-11 | 2014-11-18 | Intematix Corporation | LED spotlight |
| US8946998B2 (en) | 2010-08-09 | 2015-02-03 | Intematix Corporation | LED-based light emitting systems and devices with color compensation |
| US8957585B2 (en) | 2010-10-05 | 2015-02-17 | Intermatix Corporation | Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion |
| US9546765B2 (en) | 2010-10-05 | 2017-01-17 | Intematix Corporation | Diffuser component having scattering particles |
| US9004705B2 (en) | 2011-04-13 | 2015-04-14 | Intematix Corporation | LED-based light sources for light emitting devices and lighting arrangements with photoluminescence wavelength conversion |
| US10204888B2 (en) | 2011-04-13 | 2019-02-12 | Intematix Corporation | LED-based light sources for light emitting devices and lighting arrangements with photoluminescence wavelength conversion |
| US9524954B2 (en) | 2011-04-13 | 2016-12-20 | Intematrix Corporation | LED-based light sources for light emitting devices and lighting arrangements with photoluminescence wavelength conversion |
| US8992051B2 (en) | 2011-10-06 | 2015-03-31 | Intematix Corporation | Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance |
| US9115868B2 (en) | 2011-10-13 | 2015-08-25 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with improved protective characteristics for remote wavelength conversion |
| US9365766B2 (en) | 2011-10-13 | 2016-06-14 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component having photo-luminescence material embedded into a hermetic material for remote wavelength conversion |
| US9252338B2 (en) | 2012-04-26 | 2016-02-02 | Intematix Corporation | Methods and apparatus for implementing color consistency in remote wavelength conversion |
| US8994056B2 (en) | 2012-07-13 | 2015-03-31 | Intematix Corporation | LED-based large area display |
| US10557594B2 (en) | 2012-12-28 | 2020-02-11 | Intematix Corporation | Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components |
| US9217543B2 (en) | 2013-01-28 | 2015-12-22 | Intematix Corporation | Solid-state lamps with omnidirectional emission patterns |
| US9512970B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-12-06 | Intematix Corporation | Photoluminescence wavelength conversion components |
| US9318670B2 (en) | 2014-05-21 | 2016-04-19 | Intematix Corporation | Materials for photoluminescence wavelength converted solid-state light emitting devices and arrangements |
| US10234725B2 (en) | 2015-03-23 | 2019-03-19 | Intematix Corporation | Photoluminescence color display |
| JP2020202361A (ja) * | 2019-06-13 | 2020-12-17 | 森 正 | 青色発光ダイオード |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2791448B2 (ja) | 1998-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04321280A (ja) | 発光ダイオード | |
| JP3543498B2 (ja) | ３族窒化物半導体発光素子 | |
| US7084420B2 (en) | Nitride based semiconductor device | |
| JP3250438B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| US7732826B2 (en) | Semiconductor and method of semiconductor fabrication | |
| JP2785254B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| US20110037049A1 (en) | Nitride semiconductor light-emitting device | |
| KR20070086911A (ko) | 질화물 반도체소자 | |
| US7915607B2 (en) | Nitride semiconductor device | |
| JP2002134786A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JPH05251739A (ja) | 半導体発光デバイス | |
| JP2002033512A (ja) | 窒化物半導体発光ダイオード | |
| KR20050021237A (ko) | 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| JPH11330552A (ja) | 窒化物半導体発光素子及び発光装置 | |
| JPH08228022A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH07162038A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| JP4770058B2 (ja) | 発光素子及び装置 | |
| KR100422944B1 (ko) | 반도체 엘이디(ｌｅｄ) 소자 | |
| JPH08222760A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3691202B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP5060823B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2890392B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体発光素子 | |
| KR20030022940A (ko) | 반도체 엘이디 소자 및 그 제조방법 | |
| KR101034211B1 (ko) | 수직형 발광소자 | |
| JP2000174341A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |