JPH06209120A - 青色発光素子 - Google Patents
青色発光素子Info
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- JPH06209120A JPH06209120A JP11454293A JP11454293A JPH06209120A JP H06209120 A JPH06209120 A JP H06209120A JP 11454293 A JP11454293 A JP 11454293A JP 11454293 A JP11454293 A JP 11454293A JP H06209120 A JPH06209120 A JP H06209120A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体を利用した青色
発光素子を高発光出力とし、さらにその発光波長を４５
０ｎｍ〜４９０ｎｍの青色領域とできる新規な構造を提
供する。 【構成】 ｎ型Ｇａ1-aＡｌaＮ（０≦a＜１）層３と、
ｐ型不純物がドープされたＩｎXＧａ1-XＮ（０＜X＜
０．５）層４と、ｐ型Ｇａ1-bＡｌbＮ（bは０≦b＜１）
層５とが順に積層された窒化ガリウム系化合物半導体を
具備する青色発光素子。
発光素子を高発光出力とし、さらにその発光波長を４５
０ｎｍ〜４９０ｎｍの青色領域とできる新規な構造を提
供する。 【構成】 ｎ型Ｇａ1-aＡｌaＮ（０≦a＜１）層３と、
ｐ型不純物がドープされたＩｎXＧａ1-XＮ（０＜X＜
０．５）層４と、ｐ型Ｇａ1-bＡｌbＮ（bは０≦b＜１）
層５とが順に積層された窒化ガリウム系化合物半導体を
具備する青色発光素子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は青色発光ダイオード、青
色レーザーダイオード等に使用される青色発光素子に係
り、特に窒化ガリウム系化合物半導体を使用した青色発
光素子の構造に関する。
色レーザーダイオード等に使用される青色発光素子に係
り、特に窒化ガリウム系化合物半導体を使用した青色発
光素子の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】青色ダイオード、青色レーザーダイオー
ド等の発光デバイスに使用される実用的な半導体材料と
して窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウムガリウム
（ＩｎＧａＮ）、窒化ガリウムアルミニウム（ＧａＡｌ
Ｎ）等の窒化ガリウム系化合物半導体が注目されてい
る。
ド等の発光デバイスに使用される実用的な半導体材料と
して窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウムガリウム
（ＩｎＧａＮ）、窒化ガリウムアルミニウム（ＧａＡｌ
Ｎ）等の窒化ガリウム系化合物半導体が注目されてい
る。
【０００３】従来提案されている窒化ガリウム系化合物
半導体を用いた青色発光素子として、図２に示す構造の
ものがよく知られている。これは、まず基板１上に、Ａ
ｌＮよりなるバッファ層２’と、その上にｎ型ＧａＮ層
３と、その上にｐ型ＧａＮ層５とが順に積層された構造
を有している。通常、基板１にはサファイアが用いられ
ている。バッファ層２’は、特開昭６３−１８８９８３
号公報に記載されているように、ＡｌＮを介することに
より、その上に積層する窒化ガリウム系化合物半導体の
結晶性を良くする作用がある。ｎ型ＧａＮ層３はｎ型不
純物としてＳｉまたはＧｅがドープされてｎ型となって
いる。ｐ型ＧａＮ層はｐ型不純物としてＭｇまたはＺｎ
がドープされることが多いが、結晶性が悪いためｐ型と
はならず高抵抗なｉ型となっている。また、ｉ型を低抵
抗なｐ型に変換する手段として、特開平２−４２７７０
号公報において、表面に電子線照射を行う技術が開示さ
れている。
半導体を用いた青色発光素子として、図２に示す構造の
ものがよく知られている。これは、まず基板１上に、Ａ
ｌＮよりなるバッファ層２’と、その上にｎ型ＧａＮ層
３と、その上にｐ型ＧａＮ層５とが順に積層された構造
を有している。通常、基板１にはサファイアが用いられ
ている。バッファ層２’は、特開昭６３−１８８９８３
号公報に記載されているように、ＡｌＮを介することに
より、その上に積層する窒化ガリウム系化合物半導体の
結晶性を良くする作用がある。ｎ型ＧａＮ層３はｎ型不
純物としてＳｉまたはＧｅがドープされてｎ型となって
いる。ｐ型ＧａＮ層はｐ型不純物としてＭｇまたはＺｎ
がドープされることが多いが、結晶性が悪いためｐ型と
はならず高抵抗なｉ型となっている。また、ｉ型を低抵
抗なｐ型に変換する手段として、特開平２−４２７７０
号公報において、表面に電子線照射を行う技術が開示さ
れている。
【０００４】一般に、このようなホモ接合の発光素子は
発光出力が低いため、実用的ではない。発光出力を増大
させ、実用的な発光素子とするためには、窒化ガリウム
系化合物半導体を利用した発光素子を、好ましくはシン
グルヘテロ、さらに好ましくはダブルヘテロ構造とする
必要がある。しかしながら、窒化ガリウム系化合物半導
体においては、未だｐ型層を用いたダブルヘテロ構造の
実用的な発光素子は報告されていない。
発光出力が低いため、実用的ではない。発光出力を増大
させ、実用的な発光素子とするためには、窒化ガリウム
系化合物半導体を利用した発光素子を、好ましくはシン
グルヘテロ、さらに好ましくはダブルヘテロ構造とする
必要がある。しかしながら、窒化ガリウム系化合物半導
体においては、未だｐ型層を用いたダブルヘテロ構造の
実用的な発光素子は報告されていない。
【０００５】さらに、窒化ガリウム系化合物半導体を用
いた従来の青色発光素子の発光波長は４３０ｎｍ以下の
紫色領域にあり、４５０ｎｍ〜４９０ｎｍの視感度の良
い青色発光を示す素子は未だ開発されていない。将来、
青色発光ダイオードによる平面型ディスプレイ、青色レ
ーザーダイオード等を実現するためには前記したように
視感度の良い青色発光デバイスが求められている。
いた従来の青色発光素子の発光波長は４３０ｎｍ以下の
紫色領域にあり、４５０ｎｍ〜４９０ｎｍの視感度の良
い青色発光を示す素子は未だ開発されていない。将来、
青色発光ダイオードによる平面型ディスプレイ、青色レ
ーザーダイオード等を実現するためには前記したように
視感度の良い青色発光デバイスが求められている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明はこの
ような事情を鑑みてなされたものであり、その目的とす
るところは、窒化ガリウム系化合物半導体を利用した青
色発光素子を高発光出力とし、さらにその発光波長を視
感度の良い４５０ｎｍ〜４９０ｎｍの青色領域とできる
新規な構造を提供するものである。
ような事情を鑑みてなされたものであり、その目的とす
るところは、窒化ガリウム系化合物半導体を利用した青
色発光素子を高発光出力とし、さらにその発光波長を視
感度の良い４５０ｎｍ〜４９０ｎｍの青色領域とできる
新規な構造を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】我々は、ｐ型不純物をド
ープしたＩｎＧａＮ層を成長させ、さらにそのＩｎＧａ
Ｎを発光層とすることによりダブルヘテロ構造の青色発
光素子を実現した。即ち、本発明の青色発光素子は、ｎ
型Ｇａ1-aＡｌaＮ（０≦a＜１）層と、ｐ型不純物がド
ープされたＩｎXＧａ1-XＮ（０＜X＜０．５）層と、ｐ
型Ｇａ1-bＡｌbＮ（bは０≦b＜１）層とが順に積層され
た窒化ガリウム系化合物半導体を具備することを特徴と
するものである。
ープしたＩｎＧａＮ層を成長させ、さらにそのＩｎＧａ
Ｎを発光層とすることによりダブルヘテロ構造の青色発
光素子を実現した。即ち、本発明の青色発光素子は、ｎ
型Ｇａ1-aＡｌaＮ（０≦a＜１）層と、ｐ型不純物がド
ープされたＩｎXＧａ1-XＮ（０＜X＜０．５）層と、ｐ
型Ｇａ1-bＡｌbＮ（bは０≦b＜１）層とが順に積層され
た窒化ガリウム系化合物半導体を具備することを特徴と
するものである。
【０００８】図１に本発明の青色発光素子の一構造を示
す。１は基板、２はＧａＮバッファ層、３はｎ型ＧａＮ
層、４はｐ型不純物がドープされたＩｎXＧａ1-XＮ層、
５はｐ型ＧａＮ層であり、これらが順に積層されたダブ
ルヘテロ構造となっている。この構造の青色発光素子に
おいて、発光層はＩｎXＧａ1-XＮ層４であり、ｐ型Ｇａ
Ｎ層５はクラッド層となっている。
す。１は基板、２はＧａＮバッファ層、３はｎ型ＧａＮ
層、４はｐ型不純物がドープされたＩｎXＧａ1-XＮ層、
５はｐ型ＧａＮ層であり、これらが順に積層されたダブ
ルヘテロ構造となっている。この構造の青色発光素子に
おいて、発光層はＩｎXＧａ1-XＮ層４であり、ｐ型Ｇａ
Ｎ層５はクラッド層となっている。
【０００９】基板１はサファイア、ＳｉＣ、ＺｎＯ等の
材料が使用できるが、通常はサファイアが用いられる。
バッファ層２はＧａYＡｌ1-YＮ（０≦Y≦１）で形成す
ることができ、通常０．００２μｍ〜０．５μｍの厚さ
で形成する。好ましくはＧａＮで形成する方が、ＡｌＮ
よりも結晶性のよい窒化ガリウム系化合物半導体を積層
することができる。このＧａＮバッファ層の効果につい
ては我々が先に出願した特願平３−８９８４０号におい
て述べており、サファイア基板の場合、従来のＡｌＮバ
ッファ層よりもＧａＮよりなるバッファ層の方が結晶性
に優れた窒化ガリウム系化合物半導体が得られ、さらに
好ましくは成長させようとする窒化ガリウム系化合物半
導体と同一組成を有するバッファ層を、まずサファイア
基板上に低温で成長させることにより、バッファ層の上
の窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性を向上させるこ
とができる。
材料が使用できるが、通常はサファイアが用いられる。
バッファ層２はＧａYＡｌ1-YＮ（０≦Y≦１）で形成す
ることができ、通常０．００２μｍ〜０．５μｍの厚さ
で形成する。好ましくはＧａＮで形成する方が、ＡｌＮ
よりも結晶性のよい窒化ガリウム系化合物半導体を積層
することができる。このＧａＮバッファ層の効果につい
ては我々が先に出願した特願平３−８９８４０号におい
て述べており、サファイア基板の場合、従来のＡｌＮバ
ッファ層よりもＧａＮよりなるバッファ層の方が結晶性
に優れた窒化ガリウム系化合物半導体が得られ、さらに
好ましくは成長させようとする窒化ガリウム系化合物半
導体と同一組成を有するバッファ層を、まずサファイア
基板上に低温で成長させることにより、バッファ層の上
の窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性を向上させるこ
とができる。
【００１０】ｎ型ＧａＮ層３はそのＧａの一部をＡｌで
置換したＧａＡｌＮを使用することもでき、本発明の範
囲内である（即ちＧａ1-aＡｌaＮ、０≦a＜１）。また
これらの窒化ガリウム系化合物半導体はノンドープでも
ｎ型となる性質があるが、例えばＳｉ、Ｇｅ等のｎ型不
純物をドープして好ましいｎ型としてもよい。
置換したＧａＡｌＮを使用することもでき、本発明の範
囲内である（即ちＧａ1-aＡｌaＮ、０≦a＜１）。また
これらの窒化ガリウム系化合物半導体はノンドープでも
ｎ型となる性質があるが、例えばＳｉ、Ｇｅ等のｎ型不
純物をドープして好ましいｎ型としてもよい。
【００１１】ｐ型ＧａＮ層５もそのＧａの一部をＡｌで
置換したＧａＡｌＮを使用することができ、本発明の範
囲内である（即ちＧａ1-bＡｌbＮ、０≦b＜１）。この
ｐ型ＧａＮ層５は本発明の素子の構造においてはクラッ
ド層として作用するものであり、Ｍｇ、Ｚｎ等のｐ型不
純物をドープしながらＧａ1-bＡｌbＮ層を成長させた
後、例えば我々が先に出願した特願平３−３５７０４６
号に記載したように、４００℃以上、好ましくは６００
℃以上の温度でアニーリングを行うことにより低抵抗な
ｐ型とすることができる。また、このｐ型ＧａＮ層５の
膜厚は、０．０５μｍ〜１．５μｍの厚さで形成するこ
とが好ましい。０．０５μｍよりも薄いとクラッド層と
して作用しにくく、また１．５μｍよりも厚いと前記方
法でｐ型化しにくい傾向にある。
置換したＧａＡｌＮを使用することができ、本発明の範
囲内である（即ちＧａ1-bＡｌbＮ、０≦b＜１）。この
ｐ型ＧａＮ層５は本発明の素子の構造においてはクラッ
ド層として作用するものであり、Ｍｇ、Ｚｎ等のｐ型不
純物をドープしながらＧａ1-bＡｌbＮ層を成長させた
後、例えば我々が先に出願した特願平３−３５７０４６
号に記載したように、４００℃以上、好ましくは６００
℃以上の温度でアニーリングを行うことにより低抵抗な
ｐ型とすることができる。また、このｐ型ＧａＮ層５の
膜厚は、０．０５μｍ〜１．５μｍの厚さで形成するこ
とが好ましい。０．０５μｍよりも薄いとクラッド層と
して作用しにくく、また１．５μｍよりも厚いと前記方
法でｐ型化しにくい傾向にある。
【００１２】ｐ型不純物をドープしたＩｎXＧａ1-XＮ層
４は、例えば、有機金属気相成長法により、６００℃よ
り高い成長温度で、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎ源のガス、およびｐ
型不純物源のガスのキャリアガスを窒素として、ＧａＮ
層またはＧａＡｌＮ層の上に成長させることができる。
４は、例えば、有機金属気相成長法により、６００℃よ
り高い成長温度で、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎ源のガス、およびｐ
型不純物源のガスのキャリアガスを窒素として、ＧａＮ
層またはＧａＡｌＮ層の上に成長させることができる。
【００１３】ｐ型不純物としては、例えばＣｄ、Ｚｎ、
Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａよりなる群のうちの少な
くとも一種を挙げることができ、有機金属気相成長法で
成長させる場合には、原料ガスとして、例えばジエチル
カドミウム（Ｃ2Ｈ5）2Ｃｄ、ジメチルカドミウム（Ｃ
Ｈ3）2Ｃｄ、シクロペンタジエニルマグネシウムＣｐ 2
Ｍｇ、ジエチルジンク等のｐ型不純物を含む有機金属化
合物ガスを使用することができる。その中でも特に原料
の有機金属化合物ガスソースを入手しやすく、また窒化
ガリウム系化合物半導体中にドープしやすい元素とし
て、好ましくＣｄ、Ｚｎ、Ｍｇが使用できる。
Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａよりなる群のうちの少な
くとも一種を挙げることができ、有機金属気相成長法で
成長させる場合には、原料ガスとして、例えばジエチル
カドミウム（Ｃ2Ｈ5）2Ｃｄ、ジメチルカドミウム（Ｃ
Ｈ3）2Ｃｄ、シクロペンタジエニルマグネシウムＣｐ 2
Ｍｇ、ジエチルジンク等のｐ型不純物を含む有機金属化
合物ガスを使用することができる。その中でも特に原料
の有機金属化合物ガスソースを入手しやすく、また窒化
ガリウム系化合物半導体中にドープしやすい元素とし
て、好ましくＣｄ、Ｚｎ、Ｍｇが使用できる。
【００１４】ｐ型不純物濃度は１×１０16／ｃｍ3以
上、１×１０22／ｃｍ3以下の範囲でドープすることが
好ましい。１×１０16／ｃｍ3より少ないと、あまり青
色発光強度の増加が見られず、１×１０22／ｃｍ3より
多いとＩｎＧａＮの結晶性が悪くなる傾向にある。
上、１×１０22／ｃｍ3以下の範囲でドープすることが
好ましい。１×１０16／ｃｍ3より少ないと、あまり青
色発光強度の増加が見られず、１×１０22／ｃｍ3より
多いとＩｎＧａＮの結晶性が悪くなる傾向にある。
【００１５】さらに、ＩｎXＧａ1-XＮ層４のＩｎ混晶
比、即ちX値は０＜X＜０．５の範囲、好ましくは０．０
１＜X＜０．５の範囲に調整する必要がある。０より多
くすることにより、ＩｎXＧａ1-XＮ層４が発光層として
作用し、０．５以上になるとその発光色が黄色となるた
め、青色発光素子として使用し得るものではない。
比、即ちX値は０＜X＜０．５の範囲、好ましくは０．０
１＜X＜０．５の範囲に調整する必要がある。０より多
くすることにより、ＩｎXＧａ1-XＮ層４が発光層として
作用し、０．５以上になるとその発光色が黄色となるた
め、青色発光素子として使用し得るものではない。
【００１６】ＩｎXＧａ1-XＮ層４は１０オングストロー
ム〜０．５μｍ、さらに好ましくは０．０１μｍ〜０．
１μｍの厚さで形成することが望ましい。１０オングス
トロームより薄いか、または０．５μｍよりも厚いと十
分な発光出力が得られない傾向にある。図４は、図１に
示す構造の発光素子の発光層であるＩｎＧａＮ層４の混
晶比をＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎとした場合、そのＩｎ0.1Ｇａ
0.9Ｎ層の膜厚と、発光素子の相対発光強度との関係を
示す図である。このように、本発明の青色発光素子にお
いて発光層の膜厚を変化させることにより、発光強度が
変化する。特にその膜厚が０．５μｍを超えると急激に
低下する傾向にある。従って、発光層の膜厚は９０％以
上の相対発光強度を有する１０オングストローム〜０．
５μｍの範囲が好ましい。
ム〜０．５μｍ、さらに好ましくは０．０１μｍ〜０．
１μｍの厚さで形成することが望ましい。１０オングス
トロームより薄いか、または０．５μｍよりも厚いと十
分な発光出力が得られない傾向にある。図４は、図１に
示す構造の発光素子の発光層であるＩｎＧａＮ層４の混
晶比をＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎとした場合、そのＩｎ0.1Ｇａ
0.9Ｎ層の膜厚と、発光素子の相対発光強度との関係を
示す図である。このように、本発明の青色発光素子にお
いて発光層の膜厚を変化させることにより、発光強度が
変化する。特にその膜厚が０．５μｍを超えると急激に
低下する傾向にある。従って、発光層の膜厚は９０％以
上の相対発光強度を有する１０オングストローム〜０．
５μｍの範囲が好ましい。
【００１７】
【作用】図３および図４は、それぞれ基板上に形成され
たＧａＮ層の上にＣｄをドープしたＩｎ0.14Ｇａ0.86Ｎ
層を形成したウエハーと、同じくＧａＮ層の上にノンド
ープのＩｎ0.14Ｇａ0.86Ｎ層を形成したウエハーとに、
それぞれ１０ｍＷのＨｅ−Ｃｄレーザーを照射して、そ
のフォトルミネッセンスのスペクトルを測定した図であ
る。
たＧａＮ層の上にＣｄをドープしたＩｎ0.14Ｇａ0.86Ｎ
層を形成したウエハーと、同じくＧａＮ層の上にノンド
ープのＩｎ0.14Ｇａ0.86Ｎ層を形成したウエハーとに、
それぞれ１０ｍＷのＨｅ−Ｃｄレーザーを照射して、そ
のフォトルミネッセンスのスペクトルを測定した図であ
る。
【００１８】図３に示すように、ｐ型不純物であるＣｄ
をドープすることにより、Ｉｎ0.14Ｇａ0.86Ｎ層は４８
０ｎｍ付近に強い青色発光を示している。これに対し図
４のｐ型不純物をドープしないＩｎ0.14Ｇａ0.86Ｎ層は
４００ｎｍ付近の紫色発光を示す。また、これらの図は
Ｃｄについて測定したものであるが、同様に他のｐ型不
純物、例えばＺｎ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等に
金属についても同様の傾向があることを確認した。この
ようにＩｎＧａＮにｐ型不純物をドープすることによ
り、その発光波長を長くして、視感度を向上させる作用
がある。
をドープすることにより、Ｉｎ0.14Ｇａ0.86Ｎ層は４８
０ｎｍ付近に強い青色発光を示している。これに対し図
４のｐ型不純物をドープしないＩｎ0.14Ｇａ0.86Ｎ層は
４００ｎｍ付近の紫色発光を示す。また、これらの図は
Ｃｄについて測定したものであるが、同様に他のｐ型不
純物、例えばＺｎ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等に
金属についても同様の傾向があることを確認した。この
ようにＩｎＧａＮにｐ型不純物をドープすることによ
り、その発光波長を長くして、視感度を向上させる作用
がある。
【００１９】さらに、ｐ型不純物をドープすることによ
り、ドープしないものに比較して、フォトルミネッセン
ス強度を飛躍的に増大させることができる。これは、ｐ
型不純物によりＩｎＧａＮ中に青色発光中心ができ、青
色発光強度が増加していることを顕著に示すものであ
る。図３はまさにそれを示す図であり、図３の４００ｎ
ｍ付近に現れている微弱なピークはノンドープのＩｎ0.
14Ｇａ0.86Ｎのバンド間発光のピークであり、即ち図４
のピークと同一である。これより、図２は図３と比較し
て５０倍以上発光強度が増大していることがわかる。
り、ドープしないものに比較して、フォトルミネッセン
ス強度を飛躍的に増大させることができる。これは、ｐ
型不純物によりＩｎＧａＮ中に青色発光中心ができ、青
色発光強度が増加していることを顕著に示すものであ
る。図３はまさにそれを示す図であり、図３の４００ｎ
ｍ付近に現れている微弱なピークはノンドープのＩｎ0.
14Ｇａ0.86Ｎのバンド間発光のピークであり、即ち図４
のピークと同一である。これより、図２は図３と比較し
て５０倍以上発光強度が増大していることがわかる。
【００２０】本発明の青色発光素子では、ｐ型不純物を
ドープしたＩｎXＧａ1-XＮ層を発光層としたダブルヘテ
ロ構造としているため、従来のホモ接合ＧａＮに比し
て、発光出力が格段に向上する。しかも、従来のホモ接
合ＧａＮではｐ型ＧａＮ層が発光層であったが、本発明
ではｐ型ＧａＮ層はクラッド層、ＩｎXＧａ1-XＮ層が発
光層として作用する。しかも、そのX値を０＜X＜０．５
の範囲とすることにより、結晶性に優れたＩｎＧａＮが
得られ、さらにｐ型不純物をドープすることにより視感
度が良く、発光出力の高い青色発光素子とすることがで
きる。
ドープしたＩｎXＧａ1-XＮ層を発光層としたダブルヘテ
ロ構造としているため、従来のホモ接合ＧａＮに比し
て、発光出力が格段に向上する。しかも、従来のホモ接
合ＧａＮではｐ型ＧａＮ層が発光層であったが、本発明
ではｐ型ＧａＮ層はクラッド層、ＩｎXＧａ1-XＮ層が発
光層として作用する。しかも、そのX値を０＜X＜０．５
の範囲とすることにより、結晶性に優れたＩｎＧａＮが
得られ、さらにｐ型不純物をドープすることにより視感
度が良く、発光出力の高い青色発光素子とすることがで
きる。
【００２１】
【実施例】以下、有機金属気相成長法により、本発明の
青色発光素子を製造する方法を述べる。使用した反応装
置は、反応容器内のサセプター上に載置された基板を加
熱しながら、その基板に向かってキャリアガスと共に原
料ガスを供給して窒化ガリウム系化合物半導体を成長さ
せる機構を有するものを用いた。
青色発光素子を製造する方法を述べる。使用した反応装
置は、反応容器内のサセプター上に載置された基板を加
熱しながら、その基板に向かってキャリアガスと共に原
料ガスを供給して窒化ガリウム系化合物半導体を成長さ
せる機構を有するものを用いた。
【００２２】［実施例１］まず、よく洗浄したサファイ
ア基板を反応容器内のサセプターにセットし、反応容器
内を水素で十分置換した後、水素を流しながら、基板の
温度を１０５０℃まで上昇させ、２０分間保持しサファ
イア基板のクリーニングを行う。
ア基板を反応容器内のサセプターにセットし、反応容器
内を水素で十分置換した後、水素を流しながら、基板の
温度を１０５０℃まで上昇させ、２０分間保持しサファ
イア基板のクリーニングを行う。
【００２３】続いて、温度を５１０℃まで下げ、原料ガ
スとしてアンモニア（ＮＨ3）４リットル／分と、ＴＭ
Ｇ（トリメチルガリウム）を２７×１０ー6モル／分、キ
ャリアガスとして水素を２リットル／分で、基板表面に
流しながら、１分間保持して、サファイア基板上にＧａ
Ｎバッファー層を約２００オングストロームの膜厚で成
長させる。
スとしてアンモニア（ＮＨ3）４リットル／分と、ＴＭ
Ｇ（トリメチルガリウム）を２７×１０ー6モル／分、キ
ャリアガスとして水素を２リットル／分で、基板表面に
流しながら、１分間保持して、サファイア基板上にＧａ
Ｎバッファー層を約２００オングストロームの膜厚で成
長させる。
【００２４】バッファ層成長後、ＴＭＧのみ止めて、温
度を１０３０℃まで上昇させる。１０３０℃になった
ら、同じく水素をキャリアガスとして、ＴＭＧを５４×
１０ー6モル／分と、シランガスを２×１０-9モル／分で
流して６０分間成長させ、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層を４
μｍ成長させる。
度を１０３０℃まで上昇させる。１０３０℃になった
ら、同じく水素をキャリアガスとして、ＴＭＧを５４×
１０ー6モル／分と、シランガスを２×１０-9モル／分で
流して６０分間成長させ、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層を４
μｍ成長させる。
【００２５】ｎ型ＧａＮ層成長後、原料ガスを止め、温
度を８００℃にして、キャリアガスを窒素に切り替え、
窒素を２リットル／分、原料ガスとしてＴＭＧを２×１
０-6モル／分と、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）を１
×１０-5モル／分、ジエチルカドミウム｛Ｃｄ（ＣＨ）
3｝を２×１０-6モル／分、アンモニアを４リットル／
分で１０分間流しながら、ＣｄドープＩｎ0.14Ｇａ0.86
Ｎ層を２００オングストローム成長させる。
度を８００℃にして、キャリアガスを窒素に切り替え、
窒素を２リットル／分、原料ガスとしてＴＭＧを２×１
０-6モル／分と、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）を１
×１０-5モル／分、ジエチルカドミウム｛Ｃｄ（ＣＨ）
3｝を２×１０-6モル／分、アンモニアを４リットル／
分で１０分間流しながら、ＣｄドープＩｎ0.14Ｇａ0.86
Ｎ層を２００オングストローム成長させる。
【００２６】ＣｄドープＩｎ0.14Ｇａ0.86Ｎ層成長後、
原料ガスを止め、再び温度を１０２０℃まで上昇させ、
ＴＭＧを５４×１０-6モル／分、Ｃｐ2Ｍｇ（シクロペ
ンタジエニルマグネシウム）を３．６×１０-6モル／
分、アンモニアを４リットル／分で流しながら、ｐ型Ｇ
ａＮ層を０．８μｍ成長させる。
原料ガスを止め、再び温度を１０２０℃まで上昇させ、
ＴＭＧを５４×１０-6モル／分、Ｃｐ2Ｍｇ（シクロペ
ンタジエニルマグネシウム）を３．６×１０-6モル／
分、アンモニアを４リットル／分で流しながら、ｐ型Ｇ
ａＮ層を０．８μｍ成長させる。
【００２７】ｐ型ＧａＮ層成長後、基板を反応容器から
取り出し、電子線照射装置にて、１５ｋＶの加速電圧
で、７００℃以上で電子線照射を行い、最上層のｐ型Ｇ
ａＮ層をさらに低抵抗化する。
取り出し、電子線照射装置にて、１５ｋＶの加速電圧
で、７００℃以上で電子線照射を行い、最上層のｐ型Ｇ
ａＮ層をさらに低抵抗化する。
【００２８】以上のようにして得られた青色発光素子の
ｐ型ＧａＮ層、およびｎ型Ｉｎ0.14Ｇａ0.86Ｎの一部を
エッチングにより取り除き、ｎ型ＧａＮ層を露出させ、
ｐ型ＧａＮ層、およびｎ型ＧａＮ層にオーミック電極を
設け、５００μｍ角のチップにカットした後、常法に従
い、青色発光ダイオードとしたところ、発光出力は２０
ｍＡにおいて１２０μＷであり、ピーク波長は４８０ｎ
ｍであった。さらに輝度計を用いて、この発光ダイオー
ドの輝度を測定したところ、比較例１の青色発光ダイオ
ードの５０倍以上であった。
ｐ型ＧａＮ層、およびｎ型Ｉｎ0.14Ｇａ0.86Ｎの一部を
エッチングにより取り除き、ｎ型ＧａＮ層を露出させ、
ｐ型ＧａＮ層、およびｎ型ＧａＮ層にオーミック電極を
設け、５００μｍ角のチップにカットした後、常法に従
い、青色発光ダイオードとしたところ、発光出力は２０
ｍＡにおいて１２０μＷであり、ピーク波長は４８０ｎ
ｍであった。さらに輝度計を用いて、この発光ダイオー
ドの輝度を測定したところ、比較例１の青色発光ダイオ
ードの５０倍以上であった。
【００２９】［実施例２］実施例１のバッファ層を成長
させる工程において、ＴＭＧの代わりにＴＭＡガスを流
し、６００℃の温度で、サファイア基板上に、ＡｌＮよ
りなるバッファ層を５００オングストロームの膜厚で成
長させる他は、実施例１と同様にして発光ダイオードを
得た。この発光ダイオードの出力は２０ｍＡで８０μＷ
あり、従来のホモ接合発光ダイオード（比較例１）の出
力に比して約１．６倍、発光波長は４８０ｎｍであり、
輝度は約２０倍であった。
させる工程において、ＴＭＧの代わりにＴＭＡガスを流
し、６００℃の温度で、サファイア基板上に、ＡｌＮよ
りなるバッファ層を５００オングストロームの膜厚で成
長させる他は、実施例１と同様にして発光ダイオードを
得た。この発光ダイオードの出力は２０ｍＡで８０μＷ
あり、従来のホモ接合発光ダイオード（比較例１）の出
力に比して約１．６倍、発光波長は４８０ｎｍであり、
輝度は約２０倍であった。
【００３０】［実施例３］実施例１において、バッファ
層成長後、ＴＭＧのみ止めて、温度を１０３０℃まで上
昇させる。１０３０℃になったら、同じく水素をキャリ
アガスとして、ＴＭＧを５４×１０ー6モル／分と、ＴＭ
Ａを６×１０-6モル／分と、シランガスを２×１０-9モ
ル／分、アンモニアを４リットル／分で流して３０分間
成長させ、Ｓｉドープｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層を２μｍ
成長させる。
層成長後、ＴＭＧのみ止めて、温度を１０３０℃まで上
昇させる。１０３０℃になったら、同じく水素をキャリ
アガスとして、ＴＭＧを５４×１０ー6モル／分と、ＴＭ
Ａを６×１０-6モル／分と、シランガスを２×１０-9モ
ル／分、アンモニアを４リットル／分で流して３０分間
成長させ、Ｓｉドープｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層を２μｍ
成長させる。
【００３１】次にこのＳｉドープｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎ
層の上に、実施例１と同様にしてＣｄドープＩｎ0.14Ｇ
ａ0.86Ｎ層を２００オングストローム成長させた後、原
料ガスを止め、再び温度を１０２０℃まで上昇させ、Ｔ
ＭＧを５４×１０-6モル／分と、ＴＭＡを６×１０-6モ
ル／分と、Ｃｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシ
ウム）を３．６×１０-6モル／分、アンモニアを４リッ
トル／分で流しながら、Ｍｇドープｐ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1
Ｎ層を０．８μｍ成長させる。
層の上に、実施例１と同様にしてＣｄドープＩｎ0.14Ｇ
ａ0.86Ｎ層を２００オングストローム成長させた後、原
料ガスを止め、再び温度を１０２０℃まで上昇させ、Ｔ
ＭＧを５４×１０-6モル／分と、ＴＭＡを６×１０-6モ
ル／分と、Ｃｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシ
ウム）を３．６×１０-6モル／分、アンモニアを４リッ
トル／分で流しながら、Ｍｇドープｐ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1
Ｎ層を０．８μｍ成長させる。
【００３２】以上のようにして、基板の上に、ＧａＮバ
ッファ層と、Ｓｉドープｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層と、Ｃ
ｄドープＩｎ0.14Ｇａ0.86Ｎ層と、Ｍｇドープｐ型Ｇａ
0.9Ａｌ0.1Ｎ層とを順に積層したウエハーを、実施例１
と同様にしてアニーリングして最上層を低抵抗化した
後、発光ダイオードとしたところ、発光出力、波長、輝
度とも実施例１と同一であった。
ッファ層と、Ｓｉドープｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層と、Ｃ
ｄドープＩｎ0.14Ｇａ0.86Ｎ層と、Ｍｇドープｐ型Ｇａ
0.9Ａｌ0.1Ｎ層とを順に積層したウエハーを、実施例１
と同様にしてアニーリングして最上層を低抵抗化した
後、発光ダイオードとしたところ、発光出力、波長、輝
度とも実施例１と同一であった。
【００３３】［実施例４］実施例１のＣｄドープＩｎ0.
14Ｇａ0.86Ｎ層を成長させる工程において、ジエチルカ
ドミウムの代わりに、Ｃｐ2Ｍｇを用い同流量で成長さ
せ、ＭｇドープＩｎ0.14Ｇａ0.86Ｎ層を成長させる他は
実施例１と同様にして発光ダイオードとしたところ、発
光出力、波長、輝度とも実施例１と同一であった。
14Ｇａ0.86Ｎ層を成長させる工程において、ジエチルカ
ドミウムの代わりに、Ｃｐ2Ｍｇを用い同流量で成長さ
せ、ＭｇドープＩｎ0.14Ｇａ0.86Ｎ層を成長させる他は
実施例１と同様にして発光ダイオードとしたところ、発
光出力、波長、輝度とも実施例１と同一であった。
【００３４】［比較例１］ＣｄをドープしたＩｎ0.14Ｇ
ａ0.86Ｎ層を成長させない他は実施例１と同様にして、
ホモ接合ＧａＮ発光ダイオードを得た。この発光ダイオ
ードの発光出力は、２０ｍＡで５０μＷで、ピーク波長
は４３０ｎｍであった。
ａ0.86Ｎ層を成長させない他は実施例１と同様にして、
ホモ接合ＧａＮ発光ダイオードを得た。この発光ダイオ
ードの発光出力は、２０ｍＡで５０μＷで、ピーク波長
は４３０ｎｍであった。
【００３５】［比較例２］ｎ型ＧａＮ層成長後、ジメチ
ルカドミウムの代わりに、シランガスを２×１０ -9モル
／分で流しながら、ＳｉドープＩｎＧａＮ層を１０分間
成長させる他は実施例１と同様にして、基板上にＧａＮ
バッファ層、ｎ型ＧａＮ層、ＳｉドープＩｎ0.14Ｇａ0.
86Ｎ層、ｐ型ＧａＮ層を順に積層したダブルへテロ構造
の青色発光ダイオードを得た。この発光ダイオードの発
光出力は２０ｍＡにおいて１２０μＷと実施例１のもの
とほぼ同等であったが、発光のピーク波長は４００ｎｍ
であり、また輝度は実施例１と比較して約１／５０でし
かなかった。
ルカドミウムの代わりに、シランガスを２×１０ -9モル
／分で流しながら、ＳｉドープＩｎＧａＮ層を１０分間
成長させる他は実施例１と同様にして、基板上にＧａＮ
バッファ層、ｎ型ＧａＮ層、ＳｉドープＩｎ0.14Ｇａ0.
86Ｎ層、ｐ型ＧａＮ層を順に積層したダブルへテロ構造
の青色発光ダイオードを得た。この発光ダイオードの発
光出力は２０ｍＡにおいて１２０μＷと実施例１のもの
とほぼ同等であったが、発光のピーク波長は４００ｎｍ
であり、また輝度は実施例１と比較して約１／５０でし
かなかった。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の青色発光
素子は、その構造をｐ型窒化ガリウム系化合物半導体を
利用したダブルへテロ構造としているため、発光効率が
高い青色発光デバイスを得ることができる。しかも、ｐ
型不純物をドープしたＩｎＧａＮを発光層としているた
め視感度が非常に良く、輝度が高い青色発光素子を実現
できる。特に最上層のｐ型不純物をドープしたＧａ1-b
ＡｌbＮ層をアニーリングにより低抵抗なｐ型としてダ
ブルへテロ構造を実現したのは本発明の発光素子が最初
である。
素子は、その構造をｐ型窒化ガリウム系化合物半導体を
利用したダブルへテロ構造としているため、発光効率が
高い青色発光デバイスを得ることができる。しかも、ｐ
型不純物をドープしたＩｎＧａＮを発光層としているた
め視感度が非常に良く、輝度が高い青色発光素子を実現
できる。特に最上層のｐ型不純物をドープしたＧａ1-b
ＡｌbＮ層をアニーリングにより低抵抗なｐ型としてダ
ブルへテロ構造を実現したのは本発明の発光素子が最初
である。
【００３７】さらに、本発明の青色発光素子は発光層で
あるＩｎXＧａ1-XＮのＩｎのモル比を０＜X＜０．５の
範囲で変えることにより、視感度の高い青色の領域で発
光色を自由に変えることもできる。
あるＩｎXＧａ1-XＮのＩｎのモル比を０＜X＜０．５の
範囲で変えることにより、視感度の高い青色の領域で発
光色を自由に変えることもできる。
【００３８】また、本明細書では青色発光ダイオードに
ついて説明したが、本発明の青色発光素子は青色レーザ
ーダイオードにも適用でき、その産業上の利用価値は非
常に大きい。
ついて説明したが、本発明の青色発光素子は青色レーザ
ーダイオードにも適用でき、その産業上の利用価値は非
常に大きい。
【図１】 本発明の青色発光素子の一構造を示す模式断
面図。
面図。
【図２】 従来の青色発光素子の一構造を示す模式断面
図。
図。
【図３】 ＣｄをドープしたＩｎＧａＮのフォトルミネ
ッセンス測定によるスペクトルを示す図。
ッセンス測定によるスペクトルを示す図。
【図４】 ノンドープのＩｎＧａＮのフォトルミネッセ
ンス測定によるスペクトルを示す図。
ンス測定によるスペクトルを示す図。
【図５】 本発明の青色発光素子に係るＩｎXＧａ1-XＮ
層の膜厚と、発光素子の相対発光強度との関係を示す
図。
層の膜厚と、発光素子の相対発光強度との関係を示す
図。
１・・・・・基板 ２・・・・・ＧａＮバ
ッファ層 ３・・・・・ｎ型ＧａＮ層 ４・・・・・ＩｎXＧ
ａ1-XＮ層 ５・・・・・ｐ型ＧａＮ層
ッファ層 ３・・・・・ｎ型ＧａＮ層 ４・・・・・ＩｎXＧ
ａ1-XＮ層 ５・・・・・ｐ型ＧａＮ層
Claims (4)
- 【請求項１】 ｎ型Ｇａ1-aＡｌaＮ（０≦a＜１）層
と、ｐ型不純物がドープされたＩｎXＧａ1-XＮ（０＜X
＜０．５）層と、ｐ型Ｇａ1-bＡｌbＮ（bは０≦b＜１）
層とが順に積層された窒化ガリウム系化合物半導体を具
備することを特徴とする青色発光素子。 - 【請求項２】 前記ｐ型不純物はＣｄ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｍ
ｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａよりなる群のうちの少なくとも一
種であることを特徴とする請求項１に記載の青色発光素
子。 - 【請求項３】 前記ｎ型Ｇａ1-aＡｌaＮ層は、基板上に
成長されたＧａYＡｌ1-YＮ（０≦Y≦１）バッファ層の
上に成長されていることを特徴とする請求項１に記載の
青色発光素子。 - 【請求項４】 前記ＩｎXＧａ1-XＮ層の膜厚は１０オン
グストローム〜０．５μｍの範囲であることを特徴とす
る請求項１に記載の青色発光素子。
Priority Applications (19)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11454293A JP2809045B2 (ja) | 1992-11-20 | 1993-05-17 | 窒化物半導体発光素子 |
| US08/153,153 US5578839A (en) | 1992-11-20 | 1993-11-17 | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| EP93118670A EP0599224B2 (en) | 1992-11-20 | 1993-11-19 | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| DE69319854T DE69319854T2 (de) | 1992-11-20 | 1993-11-19 | Lichtemittierende Vorrichtung auf Basis einer Galliumnitrid-Halbleiterverbindung |
| DE69333829T DE69333829T2 (de) | 1992-11-20 | 1993-11-19 | Lichtemittierende Vorrichtung auf Basis einer Galliumnitrid-Halbleiterverbindung |
| KR1019930024797A KR970007135B1 (ko) | 1992-11-19 | 1993-11-19 | 이중 헤테로 구조체를 구비한 발광 질화갈륨계 화합물 반도체장치 |
| EP98100538A EP0844675B1 (en) | 1992-11-20 | 1993-11-19 | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| US08/661,157 US5734182A (en) | 1992-11-20 | 1996-06-10 | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconducor device |
| US08/661,138 US5747832A (en) | 1992-11-20 | 1996-06-10 | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| US08/705,972 US5880486A (en) | 1992-11-20 | 1996-08-30 | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| KR1019980015416A KR100406201B1 (ko) | 1992-11-20 | 1998-04-29 | 이중 헤테로 구조체를 구비한 발광 질화갈륨계 화합물 반도체 장치 |
| KR1019980015415A KR100406200B1 (ko) | 1992-11-20 | 1998-04-29 | 이중 헤테로구조체를 구비한 발광 질화갈륨계 화합물 반도체 장치 |
| US09/145,972 US6078063A (en) | 1992-11-20 | 1998-09-03 | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| US09/300,788 US6215133B1 (en) | 1992-11-20 | 1999-04-28 | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| KR1019990033017A KR100289626B1 (ko) | 1992-11-20 | 1999-08-12 | 이중 헤테로 구조체를 구비한 발광 질화갈륨계 화합물 반도체장치 |
| KR1019990033018A KR100445524B1 (ko) | 1992-11-20 | 1999-08-12 | 이중 헤테로 구조체를 구비한 발광 질화갈륨계 화합물 반도체장치 |
| US09/516,193 US6469323B1 (en) | 1992-11-20 | 2000-03-01 | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| US10/227,834 US6791103B2 (en) | 1992-11-20 | 2002-08-27 | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| US10/456,475 US20030216011A1 (en) | 1992-11-20 | 2003-06-09 | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33555692 | 1992-11-20 | ||
| JP4-335556 | 1992-11-20 | ||
| JP11454293A JP2809045B2 (ja) | 1992-11-20 | 1993-05-17 | 窒化物半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06209120A true JPH06209120A (ja) | 1994-07-26 |
| JP2809045B2 JP2809045B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=26453288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11454293A Expired - Fee Related JP2809045B2 (ja) | 1992-11-19 | 1993-05-17 | 窒化物半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2809045B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08115880A (ja) * | 1994-10-17 | 1996-05-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
| JPH08264836A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JPH09232631A (ja) * | 1996-02-27 | 1997-09-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | ３−５族化合物半導体発光素子 |
| JP2002185043A (ja) * | 2001-10-19 | 2002-06-28 | Sumitomo Chem Co Ltd | ３−５族化合物半導体発光素子の製造方法 |
| US7001790B2 (en) * | 1994-03-22 | 2006-02-21 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting aluminum gallium indium nitride compound semiconductor device having an improved luminous intensity |
| KR100468320B1 (ko) * | 1995-07-24 | 2006-05-11 | 도요다 고세이 가부시키가이샤 | 3족질화물반도체발광소자 |
| US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
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|---|---|---|---|---|
| JPS59228776A (ja) * | 1983-06-10 | 1984-12-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体ヘテロ接合素子 |
| JPH02229475A (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体発光素子 |
| JPH04321280A (ja) * | 1991-04-19 | 1992-11-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
-
1993
- 1993-05-17 JP JP11454293A patent/JP2809045B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59228776A (ja) * | 1983-06-10 | 1984-12-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体ヘテロ接合素子 |
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|---|---|---|---|---|
| US7001790B2 (en) * | 1994-03-22 | 2006-02-21 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting aluminum gallium indium nitride compound semiconductor device having an improved luminous intensity |
| US7138286B2 (en) | 1994-03-22 | 2006-11-21 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III nitrogen compound |
| US7332366B2 (en) | 1994-03-22 | 2008-02-19 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III nitrogen compound |
| US7867800B2 (en) | 1994-03-22 | 2011-01-11 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III nitrogen compound |
| US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| JPH08115880A (ja) * | 1994-10-17 | 1996-05-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
| JPH08264836A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| KR100468320B1 (ko) * | 1995-07-24 | 2006-05-11 | 도요다 고세이 가부시키가이샤 | 3족질화물반도체발광소자 |
| JPH09232631A (ja) * | 1996-02-27 | 1997-09-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | ３−５族化合物半導体発光素子 |
| JP2002185043A (ja) * | 2001-10-19 | 2002-06-28 | Sumitomo Chem Co Ltd | ３−５族化合物半導体発光素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2809045B2 (ja) | 1998-10-08 |
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