JP2016174179A - 半導体発光デバイスのパッシベーション - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 パッシベーション層が、n型領域とp型領域との間に配置された発光層を含む、半導体構造体の側面上に配置される。アンダーフィルに対する接着として構成される材料が、半導体構造体のエッチングされた表面の上に配置される。
【選択図】 図1
Description
上記の実施形態につき以下の付記を残しておく。
(付記1)
方法であって:
構造体を提供するステップであり、該構造体は:
複数の半導体発光デバイスを含むウェハーであり、それぞれの発光デバイスはn型領域とp型領域との間に配置された発光層を含むウェハーと;
前記半導体発光デバイスの少なくとも一つの側面上に配置されたパッシベーション層と;
二つの半導体発光デバイスの間の前記ウェハー上に配置された第1の材料と;
を含む、ステップと;
前記構造体とマウントとの間に第2の材料を配置するステップであり、前記第1の材料は前記第2の材料に対して接着するように構成されているステップと;
前記構造体を前記マウントに対して取り付けるステップと;
を含むことを特徴とする方法。
(付記2)
前記方法は、さらに
前記第1の材料が配置された領域において、前記ウェハーを単一化することにより、前記二つの半導体発光デバイスを分離するステップ、を含む
付記1に記載の方法。
(付記3)
前記第1の材料は、
絶縁層、誘電体層、AlN、TiN,SiO2、SiNxOy、SiNx、そしてSi3N4のうちの一つである、
付記1に記載の方法。
(付記4)
前記第1の材料は、前記パッシベーション層である、
付記1に記載の方法。
(付記5)
前記パッシベーション層は、前記発光層によって発せられた光を反射するように構成されている、
付記1に記載の方法。
(付記6)
前記パッシベーション層は、多重層誘電体スタックである、
付記1に記載の方法。
(付記7)
前記パッシベーション層は、コンタミネーションが前記半導体発光デバイスと接触することを防ぐように構成されている、
付記1に記載の方法。
(付記8)
前記パッシベーション層は、前記第2の材料である、
付記1に記載の方法。
(付記9)
前記単一化は、鋸切断、レーザースクライビング、破断、のうちの一つを含む、
付記1に記載の方法。
(付記10)
デバイスであって:
n型領域とp型領域との間に配置された発光層を含む半導体構造体と;
前記半導体構造体の側壁の少なくとも部分の上に配置されたパッシベーション層と;
前記半導体構造体のエッチングされた表面上に配置された材料であり、該材料はアンダーフィルに対して接着するように構成されている材料と;
を含むことを特徴とするデバイス。
(付記11)
前記デバイスは、さらに
前記半導体構造体に取り付けられたマウントを含み、前記アンダーフィルは前記半導体構造体と前記マウントとの間に配置される、
付記10に記載のデバイス。
(付記12)
前記材料は、
絶縁層、誘電体層、AlN、TiN,SiO2、SiNxOy、SiNx、そしてSi3N4のうちの一つである、
付記10に記載のデバイス。
(付記13)
前記材料は、前記パッシベーション層である、
付記10に記載のデバイス。
(付記14)
前記パッシベーション層は、前記発光層によって発せられた光を反射するように構成されている、
付記10に記載のデバイス。
(付記15)
前記パッシベーション層は、多重層誘電体スッタクである、
付記10に記載のデバイス。
(付記16)
前記パッシベーション層は、コンタミネーションが前記半導体発光デバイスと接触することを防ぐように構成されている、
付記10に記載のデバイス。
(付記17)
前記デバイスは、さらに成長基板を含み、前記半導体構造体は前記成長基板の上で成長する、
付記10に記載のデバイス。
(付記18)
構造体であって:
複数の半導体発光デバイスを含むウェハーであり、それぞれの発光デバイスはn型領域とp型領域との間に配置された発光層を含むウェハーと;
前記半導体発光デバイスの少なくとも一つの側面上に配置されたパッシベーション層と;
二つの半導体発光デバイスの間の前記ウェハー上に配置された材料であり、該材料はアンダーフィルに対して接着するように構成されている材料と;
を含むことを特徴とする構造体。
(付記19)
前記材料は、前記パッシベーション層の一部分である、
付記18に記載の構造体。
(付記20)
前記パッシベーション層は、前記発光層によって発せられた光を反射するように構成されている、
付記18に記載の構造体。
20 半導体構造体
28 p型接点
30 ガード層
36 ストリート
40 n型接点
Claims (15)
- 発光デバイスを製造する方法であって:
構造体を提供するステップであり、該構造体は:
複数の半導体発光デバイスを含むウェハーであり、それぞれの発光デバイスはn型領域とp型領域との間に配置された発光層を含むウェハーと;
前記半導体発光デバイスの少なくとも一つの側面上、および二つの半導体発光デバイスの間の前記ウェハー上に配置されたパッシベーション層と;
を含む、ステップ;を含み、
前記パッシベーション層はアンダーフィルに対して接着するように構成されており、かつ、前記半導体発光デバイスと前記アンダーフィルとの間に挟まれており、
前記アンダーフィルおよび前記パッシベーション層は、前記側面上にコンタミネーションが前記半導体発光デバイスに達することを防ぐシールを形成しており、
前記パッシベーション層は、異なる屈折率を有する2つの材料の交互の層を含む多重層誘電体スタックであり、かつ、前記n型領域と前記多重層誘電体との間の境界面において発光を反射する、
ことを特徴とする方法。 - 前記方法は、さらに
前記構造体をマウントに対して取り付けるステップであり、前記構造体とマウントとの間に前記アンダーフィルを配置するステップ、を含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記パッシベーション層は、
絶縁層、誘電体層、AlN、TiN,SiO2、SiNxOy、SiNx、そしてSi3N4のうちの一つである、
請求項1に記載の方法。 - 前記パッシベーション層は、前記発光層によって発せられた光を反射するように構成されている、
請求項1に記載の方法。 - 前記パッシベーション層は、多重層誘電体スタックである、
請求項1に記載の方法。 - 前記パッシベーション層は、コンタミネーションが前記半導体発光デバイスと接触することを防ぐように構成されている、
請求項1に記載の方法。 - デバイスであって:
n型領域とp型領域との間に配置された発光層を含む半導体構造体と;
前記半導体構造体の側面の少なくとも部分の上に配置され、アンダーフィルに対して接着するように構成されており、かつ、前記半導体構造体と前記アンダーフィルとの間に挟まれているパッシベーション層と;を含み、
前記半導体構造体にコンタミネーションが達することを防ぐために、前記側面上に前記アンダーフィルと前記パッシベーション層がシールを形成し、
前記パッシベーション層は、異なる屈折率を有する2つの材料の交互の層を含む多重層誘電体スタックであり、かつ、前記n型領域と前記多重層誘電体との間の境界面において発光を反射する、
ことを特徴とするデバイス。 - 前記デバイスは、さらに
前記半導体構造体に取り付けられたマウントを含み、前記アンダーフィルは前記半導体構造体と前記マウントとの間に配置される、
請求項7に記載のデバイス。 - 前記パッシベーション層は、
絶縁層、誘電体層、AlN、TiN,SiO2、SiNxOy、SiNx、そしてSi3N4のうちの一つである、
請求項7に記載のデバイス。 - 前記パッシベーション層は、前記発光層によって発せられた光を反射するように構成されている、
請求項7に記載のデバイス。 - 前記パッシベーション層は、多重層誘電体スッタクである、
請求項7に記載のデバイス。 - 前記パッシベーション層は、コンタミネーションが前記半導体構造体と接触することを防ぐように構成されている、
請求項7に記載のデバイス。 - 前記デバイスは、さらに成長基板を含み、前記半導体構造体は前記成長基板の上で成長する、
請求項7に記載のデバイス。 - 構造体であって:
複数の半導体発光デバイスを含むウェハーであり、それぞれの発光デバイスはn型領域とp型領域との間に配置された発光層を含むウェハーと;
前記半導体発光デバイスの少なくとも一つの側面上および二つの半導体発光デバイスの間の前記ウェハー上に配置されたパッシベーション層と;を含み、
前記パッシベーション層は、アンダーフィルに対して接着するように構成されており、前記半導体発光デバイスと前記アンダーフィルとの間に挟まれており、
前記側面上に前記アンダーフィルおよび前記パッシベーション層は、コンタミネーションが前記半導体発光デバイスに達することを防ぐシールを形成しており、かつ、
前記パッシベーション層は、異なる屈折率を有する2つの材料の交互の層を含む多重層誘電体スタックであり、かつ、前記n型領域と前記多重層誘電体との間の境界面において発光を反射する、
ことを特徴とする構造体。 - 前記パッシベーション層は、前記発光層によって発せられた光を反射するように構成されている、
請求項14に記載の構造体。
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