KR20110082863A - 반도체 발광소자용 지지 웨이퍼, 그 제조 방법 및 이를 이용한 수직 구조 반도체 발광소자의 제조 방법 - Google Patents

반도체 발광소자용 지지 웨이퍼, 그 제조 방법 및 이를 이용한 수직 구조 반도체 발광소자의 제조 방법 Download PDF

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KR20110082863A KR1020100002774A KR20100002774A KR20110082863A KR 20110082863 A KR20110082863 A KR 20110082863A KR 1020100002774 A KR1020100002774 A KR 1020100002774A KR 20100002774 A KR20100002774 A KR 20100002774A KR 20110082863 A KR20110082863 A KR 20110082863A
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Abstract

본 발명은 반도체 물질과 금속의 합금으로 이루어지며, 그 측면에 금속 산화막이 형성되어, 내화학성을 갖는 반도체 발광소자용 지지 웨이퍼를 제공한다. 이때 상기 지지 웨이퍼는 Si, SiC 또는 이들의 혼합물과 Al의 합금으로 이루어질 수 있다.

Description

반도체 발광소자용 지지 웨이퍼, 그 제조 방법 및 이를 이용한 수직 구조 반도체 발광소자의 제조 방법{SUPPORTING WAFER FOR SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR MAFACTURING THE SAME AND VERTICAL STRUCTURED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 수직 구조 반도체 발광 소자 및 이들의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 지지 웨이퍼의 표면에 금속 산화막이 형성되어, 내화학성을 가지며, 열처리 중 인장력 등의 발생이 적은 수직 구조 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 발광 소자는 소자 내에 포함되어 있는 물질이 빛을 발광하는 소자로서, 예를 들면, 발광 다이오드(Light Emitting diode, LED)와 같이 다이오드를 이용하여 반도체를 접합한 형태로 전자/정공 재결합에 따른 에너지를 광으로 변환하여 방출하는 소자가 있다. 이러한 발광 소자는 현재 조명, 표시장치 및 광원으로 널리 이용되고 있다.
이러한 반도체 발광소자는 일반적으로, 제1 및 제2도전형 반도체층, 상기 제1 및 제2도전형 반도체층 사이에 형성되는 활성층 및 상기 제1도전형 반도체층과 제2도전형 반도체층에 전기를 인가하기 위한 제1 및 제2전극으로 이루어지며, 전극 형성 위치에 따라, 수평 구조 발광소자와 수직 구조 발광 소자 등으로 분류될 수 있다.
수평 구조 발광소자는 제1전극과 제2전극이 수평하게 배치되어 있는 것으로, 예를 들면, 사파이어 기판과 같은 부도전성 성장용 기판 상에, 제1도전형 반도체층, 활성층, 제2도전형 반도체층을 순차적으로 성장시켜 발광 구조물을 형성하고 상기 제2도전형 반도체층 상부에 제2전극을 형성한 다음, 상기 발광 구조물의 일부를 식각하여 제1도전형 반도체층이 외부로 노출되도록 한 다음, 그 노출된 영역에 제1전극을 형성하는 방법으로 제조된다.
이러한 수평 구조의 발광 소자의 경우, 제1전극을 형성하기 위해 제2반도체층과 활성층을 일부 식각하여야 하기 때문에, 발광 효율이 저하되고, 제1전극과 제2전극이 물리적으로 가깝게 위치하기 때문에 정전기에 의한 결함이 발생한 가능성이 높다는 문제점이 있다.
이와 같은, 수평 구조 발광 소자의 문제점을 해결하기 위해, 부도전성 기판이 아닌 도전성 기판을 사용하는 수직형 발광 소자가 개발되었다. 수직 구조의 발광 소자는, 예를 들면, 성장용 기판 상에서 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 성장시킨 다음, 웨이퍼 본딩이나 도금 공정을 통해 제2도전형 반도체층 상에 지지기판을 접착시키고, 성장용 기판을 제거한 다음, 상기 제1도전형 반도체층 상면과 지지기판의 하면에 각각 제1전극 및 제2전극을 형성하는 방법으로 제조될 수 있다. 상기 수직 구조의 발광 소자에는, 필요에 따라, 지지 기판과 제2도전형 반도체층 사이에 반사 금속층 및/또는 도전성 접합층이 더 포함될 수도 있다.
이와 같은 수직 구조 발광 소자는 수평 구조의 발광 소자에 비해 활성층 면적이 넓어 발광 효율이 우수하고, 지지 기판 및 금속층 형성시에 열 전도성이 우수한 기판 및 금속층을 채용함으로써, 전류 주입에 따른 활성층의 열 저항을 감소시켜 제품 신뢰성이 우수하다는 장점이 있다.
한편, 종래에는 상기 수직 구조의 발광 소자의 지지 기판으로 열 전도도가 우수한 Si 기판이 주로 사용되었으나, Si 기판의 경우, 열팽창계수(약 2.6ppm/K)가 성장용 기판인 사파이어 기판의 열팽창계수(6~7ppm/K)에 비해 훨씬 작기 때문에, 성장용 기판 분리 공정 시에 반도체 층에 크랙 등의 결함이 발생한다는 문제점이 있었다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 열 팽창계수가 사파이어 기판과 유사한 Si-Al 합금 웨이퍼를 지지 기판으로 사용하는 방안이 제시되었다. 그러나, Si-Al 합금 웨이퍼를 사용할 경우, 열팽창계수 차이에 의한 크랙 발생은 방지할 수 있지만, 접합 후 클리닝 공정이나, 폴리싱 등의 후속 공정에서 실시되는 화학 물질 처리 시에 웨이퍼 표면의 Al 금속이 Si보다 빠르게 에칭되면서, 표면 요철이 심하게 발생해 표면 조도가 떨어지고, 지지 기판 상의 반도체층이 벗겨지는 필링 오프(peeling off) 현상이 발생하여 제품 신뢰도가 떨어지고 불량이 쉽게 발생한다는 문제점이 있었다.
이를 해결하기 위해, 종래에는 Si-Al 웨이퍼의 표면을 Ni 무전해 도금층이나 유전막으로 코팅하는 방식으로 내화학성을 부여해왔다. 그러나 이 경우, 열 처리시에 도금층이나 유전막에 의해 열팽창계수의 차이가 유발되어 압축력(compressive stress)이 발생할 수 있고, 여러 단계의 공정으로 이루어지며, 웨이퍼 전면에 도금층 및 유전막을 형성하기 때문에, 공정이 복잡하고, 제조 비용이 높다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 내화학성 및 내열성이 우수하고, 제조 공정이 단순하며, 저렴한 비용으로 제조할 수 있는 반도체 발광소자용 지지 웨이퍼와 그 제조 방법, 그리고 이를 이용한 수직 구조 반도체 발광 소자의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
이를 위해, 본 발명은 반도체 물질과 금속의 합금으로 이루어지며, 그 측면에 금속 산화막이 형성되어, 내화학성을 갖는 반도체 발광소자용 지지 웨이퍼를 제공한다. 이때 상기 지지 웨이퍼는 Si, SiC 또는 이들의 혼합물과 Al의 합금으로 이루어진다.
다른 측면에서 본 발명은, 반도체 물질 및 금속의 합금 잉코트(ingot)를 양극처리하여 상기 잉고트 표면에 금속 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 표면에 금속 산화막이 형성된 잉고트를 지지 웨이퍼 형태로 슬라이싱하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자용 지지 웨이퍼의 제조 방법을 제공한다.
또 다른 측면에서, 본 발명은 반도체 물질 및 금속의 합금 잉코트(ingot)를 습식 산화시켜 상기 잉고트 표면에 금속 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 표면에 금속 산화막이 형성된 잉고트를 지지 웨이퍼 형태로 슬라이싱하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자용 지지 웨이퍼의 제조 방법을 제공한다.
한편, 이때 상기 반도체 물질은 Si, SiC 또는 이들의 혼합물이고, 상기 금속은 알루미늄인 것이 바람직하다.
또 다른 측면에서 본 발명은, 반도체 물질과 금속의 합금으로 이루어지며, 그 측면에 금속 산화막이 형성된 지지 웨이퍼를 준비하는 단계; 성장용 기판 상에 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 제2도전형 반도체층 상에 지지 웨이퍼를 접합하는 단계; 및 상기 성장용 기판을 상기 제1도전형 반도체층으로부터 분리하는 단계를 포함하는 수직 구조 반도체 발광소자의 제조 방법을 제공한다.
이때 상기 지지 웨이퍼를 준비하는 단계는 반도체 물질 및 금속의 합금 잉코트(ingot)를 양극처리하여 상기 잉고트 표면에 금속 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 표면에 금속 산화막이 형성된 잉고트를 지지 웨이퍼 형태로 슬라이싱하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.
또는, 상기 지지 웨이퍼를 준비하는 단계는 반도체 물질 및 금속의 합금 잉코트(ingot)를 습식 산화 처리하여 상기 잉고트 표면에 금속 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 표면에 금속 산화막이 형성된 잉고트를 지지 웨이퍼 형태로 슬라이싱하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.
한편, 상기 지지 웨이퍼를 접합하는 단계는, 도전성 접합층을 이용하여 상기 제2도전형 반도체층 상에 상기 지지 웨이퍼를 접합함으로써 실시될 수 있다. 또한, 상기 지지 웨이퍼를 접합하는 단계 이전에 상기 제2도전형 반도체층 상에 반사금속층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
한편, 이때 상기 반도체 물질은 Si, SiC 또는 이들의 혼합물이고, 상기 금속은 알루미늄인 것이 바람직하다.
본 발명의 지지 웨이퍼는 측면에 금속 산화막이 형성되어 있어, 화학 물질 처리 시에 Al이 에칭되는 것을 방지하고, Al과 Si의 에칭 속도 차이로 인한 표면 요철이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 도금층이나 유전막을 부가적으로 형성하지 않고, 웨이퍼 표면의 금속 성분을 산화시켜 산화막을 형성하는 방식이기 때문에, 열처리 공정 중에 인장력 발생이 거의 없다는 장점이 있다.
또한, 본 발명은 양극 처리 또는 습식 처리를 통해 표면에 노출된 금속을 산화시켜 금속 산화막을 형성하는 방식을 사용하기 때문에, 종래에 비해 제조 공정이 단순하고, 비용이 저렴하다는 장점이 있다.
또한, 본 발명의 제조 방법에 의하면, 잉고트 상태에서 양극 처리 또는 습식 처리를 수행한 다음 이를 슬라이싱하여 지지 웨이퍼를 제조하여, 화학 물질 처리 시에 노출되는 지지 웨이퍼의 측면에만 금속 산화막을 형성함으로써, 제조 공정을 단순화하고, 제조 비용을 절감하면서도 효과적으로 내화학성을 부여할 수 있다는 장점이 있다.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 수직 구조 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
먼저, 본 발명의 반도체 발광소자용 지지 웨이퍼에 대해 설명한다.
본 발명의 지지 웨이퍼는 반도체 물질과 금속의 합금으로 이루어지며, 그 측면에 금속 산화막이 형성된 것을 그 특징으로 한다.
이때 상기 반도체 물질은 SiC, Si 또는 이들의 혼합물이고, 상기 금속은 Al인 것이 바람직하다. 즉, 본 발명에 있어서, 상기 지지 웨이퍼는 Si-Al 합금 또는 SiC-Al 합금으로 이루어지는 것이 바람직하다. 이와 같이, Si-Al 합금 또는 SiC-Al 합금으로 이루어진 웨이퍼를 지지 기판으로 사용할 경우, Si와 Al의 함량에 따라 열 팽창계수를 조절할 수 있어, 본딩이나 열 처리시에 열팽창계수 차이로 인한 결함이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 지지 웨이퍼는 그 측면에 금속 산화막이 형성되는 것을 그 특징으로 하는데, 이는 반도체 발광 소자의 제조 공정 중에 수행되는 다양한 화학 물질 처리에 의해 지지 웨이퍼 표면이 손상되는 것을 방지하기 위한 것이다. 수직 구조의 반도체 발광 소자 제조 공정의 경우, 사파이어 기판을 제거한 후 산을 이용한 세척 공정을 수행하는 것이 일반적이며, 그 외에도 광 추출 효율 개선을 위한 표면 텍스쳐링 등의 공정에서도 산이나 염기에 의한 에칭을 수행하게 된다. 한편, 상기 Si-Al 합금 또는 SiC-Al 합금 웨이퍼는 Si 벌크와 Al 금속이 압착되어 형성된 것으로, 그 표면에 Si와 Al이 노출되어 있다. 그런데, Al의 경우 산, 염기에 대한 저항성이 Si에 비해 상대적으로 약하기 때문에, 웨이퍼 표면이 화학 물질에 노출될 경우 Al이 노출된 부분이 화학 물질들에 의해 빠르게 용해되면서 웨이퍼 표면에 요철 등이 발생하게 된다. 이와 같이 웨이퍼 표면에 요철이 발생할 경우, 반도체층과의 접합 등에 불량이 발생하기 쉽고, 표면 조도도 나빠지는 등의 문제점이 발생하므로, 상기한 화학 처리 공정으로부터 웨이퍼 표면을 보호할 필요가 있다.
따라서, 본 발명에서는 지지 웨이퍼 측면에 금속 산화막을 형성함으로써 화학 물질들로부터 지지 웨이퍼 표면을 보호할 수 있도록 하였다. 금속 산화막은 안정성이 우수하기 때문에, 산, 염기와 같은 화학 물질에 노출되어도 쉽게 용해되지 않는다.
이때 상기 금속 산화막은 지지 웨이퍼의 측면에만 형성되는 것이 보다 바람직하다. 지지 웨이퍼의 상면 및 하면은 반도체층 적층물과 제2전극 등에 의해 외부와 차단되어 있기 때문에, 화학 처리 시에도 화학 물질에 노출되지 않는다. 또한, 지지 웨이퍼의 상, 하면에 금속 산화막이 형성되면, 반도체층과 전도성 기판 사이의 전류가 흐를 수 없기 때문에, 발광 소자의 작동이 불가능해진다. 따라서, 본 발명에서는 내화학성 부여를 위해서는 화학 처리 시에 노출되는 지지웨이퍼의 측면에만 금속 산화막을 형성한다.
한편, 상기와 같이, 측면에만 금속 산화막이 형성된 지지 웨이퍼는, 웨이퍼 상태가 아닌 잉고트(ingot) 상태에서 양극 처리 또는 습식 산화 공정을 수행하여 잉고트 표면에 금속 산화막을 형성한 다음, 이를 지지 웨이퍼 형태로 슬라이싱하는 방법에 의해 제조될 수 있다. 한편, 상기 양극 처리(anodizing) 또는 습식 산화(wet oxidation)는 금속 산화막을 형성하는 방법으로 당해 기술 분야에 잘 알려져 있는 기술이며, 본 발명의 양극 처리 또는 습식 산화 역시 이러한 종래 기술을 이용하여 수행될 수 있다. 예를 들면, 상기 양극 처리는 잉고트를 양극에 연결하고, 전압을 인가하여 양극에서 발생하는 산소로 잉고트 표면의 금속을 산화시키는 방법으로 수행될 수 있으며, 상기 습식 산화는 전기로에 잉고트를 넣고, 열을 가하면서 수증기를 공급하여 잉고트 표면의 금속을 산화시키는 방법으로 수행될 수 있다.
다음으로, 본 발명의 수직구조 반도체 발광 소자의 제조 방법을 설명한다. 도 1a 내지 도 1e에는 본 발명의 수직 구조 반도체 발광소자의 제조 방법이 도시되어 있다.
먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, 반도체 물질 및 금속 합금으로 이루어지고, 측면에 금속 산화막(112)이 형성된 지지 웨이퍼(110)를 준비한다. 이때 상기 반도체 물질은 SiC, Si 또는 이들의 혼합물이고, 상기 금속은 Al인 것이 바람직하다. 이와 같은 반도체 물질 및 금속 합금으로 이루어진 지지 웨이퍼를 사용할 경우, 열 팽창계수를 사파이어 기판과 유사하에 조절할 수 있어, 웨이퍼 휨 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기와 같이, 측면에 금속 산화막(112)이 형성된 지지 웨이퍼(110)는 상기한 본 발명의 지지 웨이퍼의 제조 방법에 의해 제조될 수 있다. 즉, 상기 지지 웨이퍼(110)는 잉고트 상태에서 양극 처리 또는 습식 산화 처리를 한 후에, 이를 지지 웨이퍼 형태로 슬라이싱하여 제조될 수 있다.
다음으로, 상기 지지 웨이퍼(110) 준비 단계와 별도로 도 1b에 도시된 바와 같이, 성장용 기판(190)(예를 들면, 사파이어 기판) 상에 1도전형 반도체층(160), 활성층(150) 및 제2도전형 반도체층(140)을 순차적으로 성장시켜 발광구조물을 형성한다. 상기 반도체층들의 성장 방법을 당해 기술 분야에 잘 알려져 있는 종래의 방법으로 수행될 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다.
이때, 상기 제1도전형 반도체층(160) 및 제2도전형 반도체층(140)은 각각 전자를 방출하는 n형 반도체와 정공을 방출하는 p형 반도체일 수 있으며, 전압 인가에 의해 전자와 정공을 방출시킨다. 방출된 전자와 정공은 상기 제1도전형 반도체층(160)과 제2도전형 반도체층(140) 사이에 형성되는 활성층(150)에서 재결합되면서, 소정의 에너지를 갖는 광을 방출하게 된다.
이러한 제1도전형 반도체층(160) 및 제2도전형 반도체층(140)은 질화물 반도체, 조성식 AlxInyGa(1-x-y)N(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)으로 표시되고, n형 불순물 및 p형 불순물이 도핑된 반도체 물질로 이루어질 수 있으며, 대표적으로, GaN, AlGaN, InGaN이 있다. 한편, 상기 n형 불순물로 Si, Ge, Se, Te 등이 사용될 수 있으며, 상기 p형 불순물로는 Mg, Zn, Be 등이 사용될 수 있다. 이러한 n형 및 p형 반도체층은 당 기술 분야에서 공지된 MOCVD, MBE, HVPE 공정 등으로 성장될 수 있다.
한편, 상기 활성층(150)은 제1도전형 반도체층(160)과 제2도전형 반도체층(140) 사이에 형성되고, 전자와 정공의 재결합에 의해 소정의 에너지를 갖는 광을 방출하며, 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조로 이루어질 수 있다. 다중 양자우물 구조의 경우, 예를 들면, InGaN/GaN 구조가 사용될 수 있다.
본 실시 형태에서는 AlxInyGa(1-x-y)N(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임) 반도체 재료를 사용한 GaN계 반도체 발광 소자에 대하여 설명하였지만, 다른 반도체 재료를 사용한 수직 구조 발광 소자에 대해서도 본 발명이 적용될 수 있다.
다음으로, 필요하다면, 도 1c에 도시된 바와 같이, 상기 제2도전형 반도체층(140) 상에 금속 반사층(130)을 형성한다. 상기 금속 반사층(130)은 Al, Au, Ag 등과 같은 고 반사성 금속을 도금 또는 증착하는 방법으로 형성될 수 있다. 이와 같이 금속 반사층(130)을 형성할 경우, 활성층에서 발광소자의 하면쪽으로 방출되는 빛을 반사시켜, 상 방향으로 출사시킬 수 있어, 광 추출 효율이 향상되는 효과가 있다. 다만, 금속 반사층(130) 형성 단계는 필수적인 것은 아니며, 생략되어도 무방하다.
다음으로, 도 1d에 도시된 바와 같이, 상기 금속 반사층(130) 또는 제2도전형 반도체층(140) 상에 준비된 지지 웨이퍼(110)를 접착시키고, 성장용 기판(190)을 상기 제1도전형 반도체층 상부에서 제거한다.
상기 지지 웨이퍼(110)의 접착은 도전성 접합층(120)을 이용하여 수행될 수 있으며, 이때 상기 도전성 접합층(120)은 Au, Au/Ge, Au/In, Au/Sn, Pb/Sn 등과 같은 공융 금속(eutectic metal)이나 도전성 유기물질로 이루어질 수 있다. 접합 온도는 도전성 접찹층의 종류에 따라 다르며, 예를 들어, Au로 된 도전성 접합층을 사용할 경우, 300~400℃의 접합 온도에서 접합이 이루어질 수 있다. 한편, 본 실시 형태에서는 도전성 접합층(120)을 이용하여 지지 웨이퍼(110)를 접합하는 경우를 설명하였으나, 도전성 접합층(120) 없이 제2도전형 반도체층(140)과 지지 웨이퍼(110)를 직접 접합할 수도 있다.
한편, 상기 성장용 기판(190)의 분리는 성장용 기판(190)과 제1도전형 반도체층(160)의 계면에 레이저를 조사하는, 레이저 리프트 오프 방식으로 수행될 수 있다.
상기한 본 발명의 지지 웨이퍼는 화학 처리 수행시 노출되는 지지 웨이퍼 측면에 화학적으로 안정한 금속 산화막이 형성되어 있기 때문에, 우수한 내화학성을 가진다. 또한, 본 발명은 도금층이나 유전막을 부가적으로 형성하지 않고, 지지 웨이퍼 표면의 금속 성분을 산화시켜 산화막을 형성하는 방식이기 때문에, 열처리 공정 중에 인장력 발생이 거의 없다는 장점이 있다. 또한, 본 발명은 양극 처리 또는 습식 처리와 같은 단일 공정을 통해 금속 산화막을 형성하기 때문에, 다단계 공정으로 이루어진 종래 방식에 비해 제조 공정이 단순하고, 생산 비용도 저렴하다.
110: 지지 웨이퍼
112: 금속 산화막
120: 도전성 접합층
130: 금속 반사층
140: 제2도전형 반도체층
150: 활성층
160: 제1도전형 반도체층
190: 성장용 기판

Claims (11)

  1. 반도체 물질과 금속의 합금으로 이루어지며, 그 측면에 금속 산화막이 형성된 반도체 발광소자용 지지 웨이퍼.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지 웨이퍼는 Si, SiC 또는 이들의 혼합물과 Al의 합금으로 이루어진 반도체 발광소자용 지지 웨이퍼.
  3. 반도체 물질 및 금속의 합금 잉코트(ingot)를 양극처리하여 상기 잉고트 표면에 금속 산화막을 형성하는 단계; 및
    상기 표면에 금속 산화막이 형성된 잉고트를 지지 웨이퍼 형태로 슬라이싱하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자용 지지 웨이퍼의 제조 방법.
  4. 반도체 물질 및 금속의 합금 잉코트(ingot)를 습식 산화시켜 상기 잉고트 표면에 금속 산화막을 형성하는 단계; 및
    상기 표면에 금속 산화막이 형성된 잉고트를 지지 웨이퍼 형태로 슬라이싱하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자용 지지 웨이퍼의 제조 방법.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 반도체 물질은 Si, SiC 또는 이들의 혼합물이고, 상기 금속은 알루미늄인 반도체 발광소자용 지지 웨이퍼의 제조 방법.
  6. 반도체 물질과 금속의 합금으로 이루어지며, 그 측면에 금속 산화막이 형성된 지지 웨이퍼를 준비하는 단계;
    성장용 기판 상에 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 제2도전형 반도체층 상에 지지 웨이퍼를 접합하는 단계; 및
    상기 성장용 기판을 상기 제1도전형 반도체층으로부터 분리하는 단계를 포함하는 수직 구조 반도체 발광소자의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 지지 웨이퍼를 준비하는 단계는 반도체 물질 및 금속의 합금 잉코트(ingot)를 양극처리하여 상기 잉고트 표면에 금속 산화막을 형성하는 단계; 및
    상기 표면에 금속 산화막이 형성된 잉고트를 지지 웨이퍼 형태로 슬라이싱하는 단계를 포함하는 수직 구조 반도체 발광소자의 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 지지 웨이퍼를 준비하는 단계는 반도체 물질 및 금속의 합금 잉코트(ingot)를 습식 산화 처리하여 상기 잉고트 표면에 금속 산화막을 형성하는 단계; 및
    상기 표면에 금속 산화막이 형성된 잉고트를 지지 웨이퍼 형태로 슬라이싱하는 단계를 포함하는 수직 구조 반도체 발광소자의 제조 방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 지지 웨이퍼를 접합하는 단계는, 도전성 접합층을 이용하여 상기 제2도전형 반도체층 상에 상기 지지 웨이퍼를 접합함으로써 실시되는 수직 구조 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 지지 웨이퍼를 접합하는 단계 이전에 상기 제2도전형 반도체층 상에 반사금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 수직 구조 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 반도체 물질은 Si, SiC 또는 이들의 혼합물이고, 상기 금속은 알루미늄인 수직 구조 반도체 발광 소자의 제조 방법.
KR1020100002774A 2010-01-12 2010-01-12 반도체 발광소자용 지지 웨이퍼, 그 제조 방법 및 이를 이용한 수직 구조 반도체 발광소자의 제조 방법 KR20110082863A (ko)

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