JP2011061246A - 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に、第一導伝型半導体層、発光層および第二導伝型半導体層が、この順番で形成され、さらに、前記第一導伝型半導体層上に第一電極が形成され、前記第二導伝型半導体層上に第二電極が形成されている窒化物半導体発光素子であって、前記第一電極および第二電極は、主とする発光波長に対して高反射率を有し、主とする光取り出し面は前記窒化物半導体発光素子の側面であることを特徴とする、窒化物半導体発光素子である。
【選択図】図1
Description
(実施例1)
図2は、本発明により、サファイア基板上に形成されたGaN系化合物半導体で形成された発光素子の断面構造図である。また、図3は、当該発光素子を上面から見た平面図である。
図5は、本発明の窒化物半導体発光素子の構造を示す概略断面図であり、図6は、当該構造を上面からみた平面図である。図5において、本発明の窒化物半導体発光素子の構造は、サファイア基板上に形成されたGaN系化合物半導体で形成された発光素子である。
図8は、本発明の窒化物半導体発光素子の構造を示す概略断面図であり、図9は、当該構造を下面からみた平面図である。図8において、本発明の窒化物半導体発光素子の構造は、GaN基板上に形成されたGaN系化合物半導体で形成された発光素子である。
Claims (20)
- 基板上に、第一導伝型半導体層、発光層および第二導伝型半導体層が、この順番で形成され、さらに、少なくとも前記第二導伝型半導体層上に第二電極が形成されている窒化物半導体発光素子であって、
第二電極は、主とする発光波長に対して高反射率を有し、
主とする光取り出し面は前記窒化物半導体発光素子の側面であることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。 - 第二電極の反射率は、主とする発光波長に対して70%以上の反射率を有することを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 第二電極は、第二導伝型半導体層表面の60%以上を覆っていることを特徴とする、請求項1または2に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記基板は、主たる発光波長に対して透過性であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記基板において、前記第一導伝型半導体層を形成した面と対向する面は、前記基板の第一導伝型半導体形成面に対して平行でない面を含むか、または凹凸形状を有することを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 主たる発光波長に対して高反射率の物質が、前記基板の第一導伝型半導体形成面と対向する面を覆うように形成されていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記基板は、サファイア基板、GaN基板またはSiC基板のいずれかであることを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第二電極は、p型電極であり、該p型電極はAgを含むことを特徴とする、請求項1〜7のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第一導伝型半導体層上または基板裏面には前記第一電極が形成されており、該第一電極はn型電極であり、該n型電極は、Alを含むことを特徴とする、請求項1〜7のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第一導伝型半導体は、n型半導体であり、前記第二導伝型半導体は、p型半導体であることを特徴とする、請求項1〜9のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第一電極は、窒化物半導体発光素子において上面方向からみて実質的に中心に形成されていることを特徴とする、請求項1〜10のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記基板の第一導伝型半導体形成面と対向する面において、円錐形状の穴が形成されていることを特徴とする、請求項1〜11のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記円錐形状の穴は、前記基板面の中心に形成されていることを特徴とする、請求項12に記載の窒化物半導体発光素子。
- 窒化物半導体発光素子の上面において、前記第一電極および/または前記第二電極が形成されずに前記第一導伝型半導体層および/または前記第二導伝型半導体層が露出している部分、および電極上の一部に、主たる発光波長に対して高反射率である膜が形成されていることを特徴とする、請求項1〜13のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記高反射率の物質は、AgまたはAlを含むことを特徴とする請求項6に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記高反射率の物質は、誘電体を含む多層膜であることを特徴とする、請求項14に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記高反射率の物質は、主とする発光波長に対して70%以上の反射率を有することを特徴とする、請求項14または16に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第二電極はAgを含み、該電極の厚さは10nm以上であることを特徴とする、請求項1〜17のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 基板上に、第一導電型半導体層を形成する工程と、
該第一導伝型半導体層上に発光層を形成する工程と、
該発光層上に第二導伝型半導体層を形成する工程と、
該第二導伝型半導体層上に第二電極を形成する工程と、
前記第二電極、前記第二導伝型半導体層、前記発光層および前記第一導伝型半導体層の一部にエッチング処理を施し、当該処理を施した部分に第一電極を形成する工程と、を含む窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記第二伝導体半導体層上に第二電極を形成する工程は、Pd、PtおよびNiのうちいずれか1つまたは2つ以上の金属を積層形成して、さらに該積層形成した金属の上にAgを10nm以上の膜厚で形成し、その後、400℃以上の温度で熱処理する工程を包含する、請求項19に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
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