CN105393369B - 光电子半导体芯片 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 190
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 85
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 23
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 22
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 12
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 443
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 description 34
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 10
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
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- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
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Abstract
提出一种光电子半导体芯片，其中是ALD层的封装层(13)完全地遮盖第一镜层(21)的背离p型传导的区域(3)的侧并且所述封装层局部地与第一镜层(21)直接接触。
Description
技术领域
提出一种光电子半导体芯片。
背景技术
文献WO 2012/171817描述了一种光电子半导体芯片。
发明内容
待实现的目的在于：提出一种光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片具有改进的效率以及改进的小电流特性。
根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，光电子半导体芯片包括半导体本体。半导体本体例如通过III-IV半导体材料、例如通过氮化物-化合物半导体材料形成。半导体本体包括n型传导的区域、p型传导的区域和位于其间的有源区域，所述有源区域设置用于产生电磁辐射。n型传导的区域和p型传导的区域例如通过相应地掺杂半导体本体的半导体材料产生。
在半导体本体的有源区域中产生的电磁辐射例如是UV辐射、红外辐射和/或可见光。电磁辐射例如通过给有源区域通电产生。电磁辐射至少部分地穿过半导体本体的外面离开半导体本体。
根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，光电子半导体芯片包括第一镜层，所述第一镜层设置用于反射在有源区域中产生的电磁辐射。第一镜层例如设置在半导体本体的第一主面上。在运行时在有源区域中产生的电磁辐射的大部分随后穿过与第一主面相对置的第二主面离开光电子半导体芯片。在此，在半导体本体的有源区域中产生的电磁辐射部分地射到第一镜层上并且从该镜层处沿着朝向半导体本体的外面的方向、尤其沿着朝向第二主面的方向反射，在该处所述电磁辐射随后部分地射出。
镜层尤其以金属构成。镜层例如包含下述金属中的一种或由其构成：银、铝。这些金属对于可见光具有良好至非常好的反射率，然而具有下述缺点：尤其当存在电磁场时，如在光电子半导体芯片运行时是这种情况，所述金属倾向于扩散或者电子迁移。此外，这些金属尤其会在潮湿的环境中氧化，这随着运行时间增长越来越减小反射率从而越来越减小半导体本体的效率。
根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，光电子半导体芯片包括至少三个封装层。光电子半导体芯片能够包括第一封装层、第二封装层以及第三封装层。所述至少三个封装层分别电绝缘地构成并且为此通过电绝缘的材料形成。封装层能够分别包括一个或多个层。不同的封装层彼此间的区别在于其不同的制造方法和/或不同的材料组成和/或在光电子半导体芯片中的不同的设置。
封装层尤其设置用于：禁止材料从第一镜层扩散到光电子半导体芯片的其它区域中，和/或阻碍或防止大气气体和/或湿气渗透至第一镜层，和/或使光电子半导体芯片的一些区域与光电子半导体芯片的其它区域电绝缘。
根据光电子半导体芯片的至少一个设施方式，第一镜层设置在p型传导的区域的下侧上。p型传导的区域的下侧例如是半导体本体的背离n型传导的区域的侧。镜层能够与p型传导的区域直接接触。第一镜层因此尤其也用于将电流在光电子半导体芯片运行时馈入到p型传导的区域中。
根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，有源区域设置在p型传导的区域的背离第一镜层的侧上，并且n型传导的区域设置在有源区域的背离p型传导的区域的侧上。这是指：有源区设置在p型传导的区域和n型传导的区域之间，其中在p型传导的区域的背离n型传导的区域的下侧上设置第一镜层。
根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，第一、第二和第三封装层局部地覆盖半导体本体的外面。封装层局部地沿着半导体本体的外面延伸并且封装层中的至少一个能够与半导体本体直接接触。例如，第一封装层与半导体本体局部地直接接触。
根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，第三封装层完全地遮盖第一镜层的背离n型传导的区域的侧并且局部地与第一镜层直接接触。在此可行的是，局部地在第三封装层和第一镜层之间设置至少一个其它的层、例如金属层。然而存在至少一个如下区域，在所述区域中，第三封装层与第一镜层直接接触。在该处，第三封装层例如能够直接施加到镜层上。第三封装层无间隙地遮盖镜层的背离p型传导的区域的侧，其中镜层例如在其朝向p型传导的区域的下侧上直接邻接于p型传导的区域并且第一镜层的其余露出的外面由第三封装层包围。
根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，第二封装层和第三封装层在第一镜层的侧向的区域中局部地彼此直接接触。在第一镜层的侧向的区域例如是如下区域，所述区域沿着横向方向与第一镜层间隔开地设置。横向方向是如下方向，所述方向平行于第一镜层的主延伸平面伸展。以在镜层的侧向、尤其以与第三封装层和第一镜层彼此直接接触的区域间隔开的方式，第二封装层和第三封装层彼此直接接触。
根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，第三封装层和第二封装层是ALD层。这是指：至少这两个封装层，必要时还有其它的封装层、例如第一封装层是如下层，所述层通过ALD(原子层沉积，Atomic Layer Deposition)法制造。借助于ALD法能够产生非常薄的层，所述层具有多晶或者非晶结构。因为借助于ALD制造的层与反应周期的数量成比例地增长，所以对这种ALD层的层厚度的精确控制是可行的，其中借助于所述反应周期制造层。借助于ALD法能够制造尤其均匀的层，这是指：制造厚度尤其均匀的和/或材料组成尤其均匀的层。此外，ALD法允许通过单层生长制造非常厚的并且晶形缺陷少的层。
也就是说，至少第二和第三封装层借助于ALD法例如Flash-ALD、光诱导的ALD或者另一种ALD法来制造。在此，尤其也能够使用高温ALD法，其中封装层在100℃的或者更高的温度下沉积。
借助于ALD法制造的封装层经由电子显微镜的研究和其它半导体技术的分析方法明确地区分于如下层，所述层经由替选的方法例如传统的CVD(化学气相沉积，ChemicalVapor Deposition)制造。封装层是ALD层的特征因此是表征特征，所述表征特征在已制成的光电子半导体芯片上是可证明的。
封装层通过电绝缘的材料形成，所述封装层是ALD层，并且所述封装层例如具有在0.05nm和至多500nm之间的厚度、尤其在至少30nm和至多50nm之间、例如40nm的厚度。封装层能够包括多个子层，所述子层相叠地设置。封装层例如包含下述材料中的一种或者由其构成：Ta2O5、Al2O3、AlN、SiO2。尤其也可行的是，封装层包含这些材料的组合，所述封装层是ALD层。ALD层在此优选不具有二氧化硅和/或氮化硅。
根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，光电子半导体芯片包括半导体本体，所述半导体本体具有n型传导的区域、设置用于产生电磁辐射的有源区域和p型传导的区域。此外，光电子半导体芯片包括第一镜层，所述第一镜层设置用于反射电磁辐射。光电子半导体芯片此外包括第一、第二和第三封装层，其中封装层分别通过电绝缘材料形成。第一镜层设置在p型传导的区域的下侧上，有源区域设置在p型传导的区域的背离第一镜层的侧上并且n型传导的区域设置在有源区域的背离p型传导的区域的侧上。根据光电子半导体芯片的该实施方式，第一、第二和第三封装层覆盖半导体本体的外面，并且第三封装层完全地遮盖第一镜层的背离p型传导的区域的侧，其中所述第三封装层局部地与第一镜层直接接触。第二封装层和第三封装层在第一镜层的侧向的至少一个区域中局部地彼此直接接触并且第二和第三封装层是ALD层。
在此所描述的光电子半导体芯片此外基于下述考虑：光电子半导体芯片、尤其发光二极管芯片为了确保其耐久性必须被可靠地防护抵御出自周围环境的湿气的影响。特别地，光电子半导体芯片中的镜层例如能够通过金属的封装部来防护免于湿气侵入或者其它大气气体侵入，其中所述镜层通过倾向于在电场中迁移并且倾向于氧化的材料如银形成。然而，这种金属封装部通常是吸收辐射的从而能够减少光电子半导体芯片的效率。
当前，第一镜层尤其由是ALD层的第三封装层完全地遮盖。这是对第一镜层的尤其有效的保护以防止湿气和大气气体侵入。第一镜层能够由于通过ALD层所确保的尤其良好的保护而尤其靠近半导体本体的外侧面引导，而可能不会在制造光电子半导体芯片期间损伤第一镜层。由于由此而可行的第一镜层的反射面的增大，能够提高光电子半导体芯片的效率。效率的进一步提高通过如下方式提供：封装层能够尤其薄的并且由可透过辐射的材料构成，所述封装层是ALD层。因此减小了电磁辐射在光电子半导体芯片中的所不期望的吸收。
根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，半导体芯片包括第二镜层，所述第二镜层设置在第三封装层的背离半导体本体的下侧上，其中第二镜层沿着横向方向伸出半导体本体的外面。
第二镜层能够通过与第一镜层相同的材料形成。第二镜层用于除了光电子半导体芯片的吸收光的区域外反射性地设计从而进一步提高光电子半导体芯片的效率。第二镜层能够导电地构成。第二镜层例如能够以这种方式与半导体本体的n型传导的区域导电连接并且除了其光学特性外也用于将电流馈入到半导体本体的n型传导的区域中。
封装层中的至少一些封装层能够至少间接地位于第一镜层和第二镜层之间。以这种方式，第三和必要时其它的封装层例如能够在第一镜层和第二镜层之间形成电绝缘部。
根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，第二镜层沿着横向方向伸出半导体本体的外面。封装层中的至少一些封装层能够在第二镜层的朝向半导体本体的侧上伸展。第二镜层设置用于反射在运行时在半导体本体中产生的电磁辐射。
第二镜层沿着横向方向伸出半导体本体，所述横向方向平行于半导体本体的主延伸平面伸展。也就是说，第二镜层侧向地突出于半导体本体。以这种方式，第二镜层也能够反射从半导体本体的侧面射出的并且随后沿着朝向第二镜层的方向传播的电磁辐射。
根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，第一封装层在半导体本体的外面上从有源区域沿着p型传导的区域延伸直至第一镜层的侧面。在此，第一封装层局部地与第一镜层直接接触。特别地，第一封装层能够与第一镜层的侧面直接接触。第一封装层例如不是ALD层。第一封装层例如能够借助于CVD法制造并且例如包括通过SiO2和/或SiN形成的子层。在此，SiN子层优选与SiO2子层相比更薄地构成。子层例如能够沿着竖直方向、即平行于层的生长方向相叠地设置。第一封装层例如能够具有通过SiO2形成的第一子层，所述第一子层具有在130nm和170nm之间的、尤其150nm的厚度。另一子层能够直接施加到该子层上，所述另一个子层通过SiN形成并且具有在10nm和14nm之间的、尤其12nm的厚度。第一封装层能够包括通过SiO2和SiN形成的子层的一个或多个这种序列。
通过第一封装层能够保护由第一封装层覆盖的区域抵御如在形成ALD层时、例如在形成第二封装层时所使用的材料。由第一封装层所覆盖的半导体本体通过第一封装层保护抵御前体如氧或臭氧，所述氧或臭氧在产生后续的封装层时使用，所述封装层是ALD层。
根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，光电子半导体芯片包括第四封装层，所述第四封装层在其背离半导体本体的侧上完全地遮盖第三封装层并且至少局部地与第三封装层直接接触。第四封装层例如同样能够是非ALD层的层。该层因此不通过ALD法来沉积，而是例如通过CVD法来沉积。第四封装层例如能够与第一封装层相同地构成并且同样形成被覆盖的区域的保护功能以抵御在制造ALD层时所使用的材料。
根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，光电子半导体芯片包括第五封装层，所述第五封装层是ALD层，其中第五封装层至少在n型传导的区域上完全地覆盖半导体本体的外面并且在半导体本体的侧向局部地与第二封装层直接接触。半导体本体能够在没有第五封装层的情况下可能不被覆盖的露出的区域上由第五封装层覆盖并且在该处也与第五封装层直接接触。第五封装层例如能够与第二封装层相同地构造。也就是说，所述第五封装层与第二封装层具有相同的厚度和相同的材料组成。
第五封装层以在半导体本体的侧向、即例如沿着横向方向与半导体本体间隔开的方式与第二封装层直接接触。也就是说，第五封装层和第二封装层具有至少一个共同的接触点(在下文中也称为：三重点(Triplepunkt))，在所述接触点处，ALD层直接彼此邻接。由此，半导体本体几乎完全地由封装层围绕，所述封装层通过ALD法制造。这允许对半导体本体的尤其好的防护抵御湿气和大气气体。
根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，第二封装层在与第五封装层接触的区域中具有刻蚀工艺的痕迹。特别地，第二封装层的朝向第五封装层的、能够与第五封装层直接接触的表面具有刻蚀工艺的痕迹。
换句话说，第二封装层在制造光电子半导体芯片期间暴露于刻蚀法。刻蚀法在第二封装层上产生表征的痕迹，所述第二封装层是ALD层，所述痕迹可通过半导体电子装置的常见的试验方法证明。该痕迹例如能够是第二封装层在其朝向第五封装层的侧上的粗糙化部。由此第五封装层尤其好地在如下区域中附着在第二封装层上，在所述区域中，第二封装层具有刻蚀工艺的痕迹。
根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，第二封装层在与第五封装层接触的区域中相比于在第二封装层和第五封装层之间不接触的区域中更薄地构成。第二封装层的厚度例如能够通过刻蚀工艺减小。例如，第二封装层在与第五封装层接触的区域中相比于在第二封装层和第五封装层之间不接触的区域中构成为薄4nm至8nm之间、尤其薄5nm至7nm之间。然而第二封装层不具有裂口，而是仅其厚度在与第五封装层接触的区域中减小。第二封装层例如在如下方法步骤中被刻蚀，其中在刻蚀步骤之前与第二封装层直接接触的第一封装层应被去除。第一封装层例如是包含二氧化硅的层。在二氧化硅和第二封装层之间的在刻蚀时的选择性位于1：80之间的范围中，所述第二封装层是ALD层。以这种方式不存在第二封装层被穿透刻蚀的危险。
刻蚀例如以干化学的方式进行。由于在刻蚀过程中该刻蚀过程不像通常那样在例如能够通过铂形成的金属层上终止，通过再沉积不将金属施加到半导体本体上并且尤其不将金属施加到pn结的区域中、即有源区域上。由此能够不发生在其它情况下可能必要的清洁步骤。因为潜在的因小电流特性的恶化而引起的老化问题通过刻蚀时的再沉积而完全不再可能发生，所以所述光电子半导体芯片的特征在于简化的制造和改进的效率。在此证实：光电子半导体芯片的小电流特性由于在第二封装层上的刻蚀而强烈改进，使得即使在1μA的非常小的电流强度的情况下也能够产生具有高效率的电磁辐射。
根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，光电子半导体芯片包括穿通接触部，所述穿通接触部延伸穿过半导体本体的p型传导的区域和有源区域直至n型传导的区域中。半导体本体从至少一个穿通接触部起完全地由第三封装层和第五封装层包围。这是指：半导体本体除了穿通接触部的区域以外完全地由为ALD层的层包围。
至少一个穿通接触部能够穿过封装层中的至少一些封装层、第一镜层、半导体本体的p型传导的区域和有源区域。在此尤其可能的是，光电子半导体芯片包括多个相同类型的穿通接触部。
穿通接触部例如包括半导体本体中的凹槽，所述凹槽通过n型接触材料填充。n型接触材料例如是金属。n型接触材料与n型传导的区域直接接触并且促成例如与光电子半导体芯片的连接部位的导电连接，所述连接部位是可从半导体芯片外部接触的。
第一、第二、第三和第四封装层例如能够直接邻接于n型接触材料。例如，封装层中的至少一些封装层在穿通接触部内部覆盖半导体本体并且以这种方式用于使n型接触材料与第一镜层、半导体本体的p型传导的区域和有源区域电绝缘。
根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，半导体芯片包括第二镜层，所述第二镜层设置在n型接触材料的背离n型传导的区域的下侧上，其中第三封装层和第四封装层局部地设置在第一镜层和第二镜层之间。第二镜层能够通过与第一镜层相同的材料形成。第二镜层用于除了光电子半导体芯片的吸收光的区域外反射性地设计从而进一步提高光电子半导体芯片的效率。第二镜层例如设置在n型接触材料的下方并且沿着横向方向突出于穿通接触部。在穿通接触部的区域中射出的电磁辐射能够由第二镜层反射。第二镜层能够导电地连接到n型接触材料上并且尤其与n型接触材料直接接触。以这种方式，第二镜层与半导体本体的n型传导的区域导电连接并且除了其光学特性外还用于将电流馈入到半导体本体的n型传导的区域中。
封装层中的至少一些封装层能够至少间接地位于第一镜层和第二镜层之间。以这种方式，第三和第四封装层例如能够形成第一镜层和第二镜层之间的电绝缘部。当第二镜层例如与半导体本体的n型传导的区域导电连接时，那么第一镜层因此与半导体本体的p型传导的区域电连接。在这种情况下，第一镜层除了其光学特性外还用于电连接半导体本体的p型传导的区域。
根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，第二镜层沿着横向方向伸出半导体本体的外面。封装层中的至少一些封装层能够在第二镜层的朝向半导体本体的侧上伸展。第二镜层设置用于反射在运行时在半导体本体中产生的电磁辐射。
第二镜层沿着横向方向伸出半导体本体，所述横向方向平行于半导体本体的主延伸平面伸展。也就是说，第二镜层侧向地突出于半导体本体。以这种方式，第二镜层也能够反射从半导体本体的侧面射出的并且随后沿着朝向第二镜层的方向传播的电磁辐射。第二镜层的沿着横向方向伸出半导体本体的外面的区域不必与第二镜层的设置在n型接触材料的背离n型传导的区域的下侧上的区域连接。但是第二镜层的这两个区域例如能够在相同的制造步骤中、例如在使用掩膜技术下施加。
根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，在第一镜层的侧面和n型传导的区域的侧面之间的间距在横向方向上至多为2.5μm、尤其至多1.5μm。侧面在此分别横向于或者垂直于横向方向伸展并且是第一镜层或n型传导的区域的外面。
在第一镜层和半导体本体的外面之间的这种小的间距通过如下方式实现：第一镜层借助于第三封装层完全遮盖，所述第三封装层是ALD层。
在与其它封装层、例如局部地直接邻接于第三封装层的并且同样是ALD层的第二封装层的组合中，第二镜层由此尤其好地被封装以抵御外部影响并且能够尤其近地引向半导体本体的外面、即n型传导的区域的侧面。由此实现了效率提高、例如大约1.5％的光增益。能够以这种方式防止例如因进行封装的p型传导的附加材料引起的边缘吸收。同时减小了尤其关于芯片的小电流特性的潜在的老化问题。
根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，p型传导的区域和第一镜层在其侧面上局部地由金属封装层遮盖，其中封装层中的至少一些封装层至少部分地在金属的封装层和侧面之间延伸。这是指：半导体本体的p型传导的区域局部地伸入到金属封装层中，所述金属封装层例如朝向光电子半导体芯片的背离半导体本体的载体作用为平坦化层。也就是说，金属封装层例如能够包覆形成半导体本体的朝向载体的侧上的表面形状并且将该表面形状平坦化。金属化的封装层例如是如下封装层，所述封装层禁止出自镜层的材料扩散。金属化的封装层为此能够由或者通过金属如铂、金、钨和钛形成。这是指：金属的封装层因此包括这些金属中的至少一种或者通过这些金属的组合形成。
附图说明
在下文中，根据实施例和相应的附图来详细阐述在此所描述的光电子半导体芯片及其制造方法。
图1A至1Q示出用于制造在此所描述的光电子半导体芯片的方法的方法步骤。
图1Q示出在此所描述的光电子半导体芯片的示意性的剖视图。
相同的、同类的或者起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。附图和在附图中所示出的元件彼此间的大小关系不视为是按比例的。更确切地说，个别元件为了更好的可视性和/或为了更好的理解能够夸张大地示出。
具体实施方式
图1A示出，如首先是例如由蓝宝石制备的生长衬底1，半导体本体10尤其外延地沉积到所述生长衬底上。半导体本体10包括n型传导的区域2、p型传导的区域3和位于其间的有源区域4。生长衬底1例如制备为晶片，其中虚线A、A’预设待制造的光电子半导体芯片的芯片栅格。沿着虚线B，在制造方法期间产生穿通接触部。虚线C、C’描绘接触区域的位置，在所述接触区域中，在制造方法期间例如构成用于接触光电子半导体芯片的焊盘。
半导体本体10当前例如基于氮化物-化合物半导体材料。
在后续的方法步骤中，图1B，例如通过刻蚀半导体本体10的外延沉积的层来实现p型传导的区域3、有源区域4和n型传导的区域2的结构化以形成穿通接触部和半导体本体10的外面。在此，半导体本体的n型传导的区域局部地露出。
在后续的方法步骤1C中，用第一封装层对半导体本体10的背离生长衬底1的外面进行整面的覆层，所述第一封装层是电绝缘的层，例如是借助于CVD法制造的层。第一封装层11能够构成为封装层序列并且例如包括通过SiO2和SiN形成的子层。子层沿着竖直方向、即垂直于横向方向相叠地设置。横向方向平行于例如生长衬底1的主延伸方向的平面。
通过SiO2形成的子层例如具有在130nm和170nm之间的、尤其150nm的厚度。通过SiN形成的子层能够具有在10nm和14nm之间的、尤其12nm的厚度。特别地，以这种方式形成封装层，所述封装层相对于在制造ALD层时所使用的材料尤其也构成为是不可透过的。
第一封装层11完全地覆盖p型传导的区域3以及有源区域4的露出的侧面，使得尤其半导体本体的p/n结从而有源区域4通过第一封装层11保护。
在下一个方法步骤中，图1D，将第二封装层12施加到第一封装层11的背离生长衬底1的上侧上。第二封装层12是ALD层。
第二封装层12借助于ALD法产生，第二封装层是ALD层，其中第二封装层12至少局部地例如能够在使用臭氧作为前体的条件下沉积。在此可能的是，整个第二封装层12在使用臭氧作为前体的条件下沉积。此外可能的是，第二封装层12具有至少两个子层，所述子层例如对此堆叠地设置，其中所述子层中的至少一个借助于ALD法产生，其中臭氧用作为前体。
已证实：臭氧用作为前体的ALD层相对于湿气具有尤其高的密度。以臭氧作为前体来沉积的层或子层例如是Al2O3层、SiO2层或者Ta2O5层。
此外可能的是，第二封装层12包括如下子层或由如下子层构成，所述子层在使用前体的条件下沉积，所述前体不具有臭氧。在这种情况下，水或氧能够用作为前体材料。
第二封装层12此外具有另一个子层，所述另一个子层例如在使用前体的条件下沉积，所述前体包括臭氧，其中第二子层直接沉积到子层上。第一子层例如能够具有在5nm和10nm之间的厚度。第二子层因此例如能够具有在25nm和45nm之间的厚度。
第二封装层12也至少间接地覆盖半导体本体的p型传导的区域3以及有源区域4的外面。第一封装层和第二封装层共同形成封装层序列，所述封装层序列在半导体本体10的外面上从有源区域4沿着p型传导的区域3延伸。
在下一个方法步骤中，图1E，在使用照相技术以及剥离技术的条件下将封装层序列打开并且沉积第一镜层21，所述第一镜层例如通过银形成。
在后续的方法步骤中，图1F，在使用另一种摄影技术的条件下将p型连接层31沉积到第一镜层21上，所述第一镜层延伸直至光电子半导体芯片的区域C、C’中，在所述区域中，稍后构成接触区域43以接触光电子半导体芯片的p型传导的区域3。P型连接层31在此不完全地覆盖第一镜层21，而是第一镜层21的边缘处的区域保持没有p型连接层31。p型连接层31例如能够通过Pt/Au/Ti层堆形成，其中铂层在层堆的朝向第一镜层21的侧上构成。
结合图1G描述另一个方法步骤，其中将第三封装层13施加到第二封装层12的、第一镜层21的和p型连接层31的露出的外面上。第二封装层12和第三封装层13部分地在第一镜层21的侧向的区域中局部地彼此直接接触。在这种情况下，第三封装层也是ALD层，所述ALD层例如能够与第二封装层12相同地构造。第三封装层13在半导体本体10的背离生长衬底1的整个上侧上延伸。
结合图1H描述如下方法步骤，其中进行第四封装层14的施加。第四封装层14例如不是ALD层并且所述第四封装层能够与第一封装层11相同地构成。第四封装层完全地覆盖第三封装层13的背离生长衬底1的上侧并且例如共形地包覆该上侧。
在后续的方法步骤中，图1I，通过打开封装层11、12、13、14在区域B中产生穿通接触部。在穿通接触部40中，n型传导的区域2露出。为了去除封装层能够使用照相技术，所述照相技术在下文中也在将n型接触材料41引入到穿通接触部40时使用。
在穿通接触部40的区域中、即在区域B中，分别是ALD层的第二封装层12和第三封装层13直接彼此邻接。特别地，它们不通过例如包含二氧化硅或者由二氧化硅构成的层彼此分开，此外，它们不通过非ALD层的层彼此分开。如果第二封装层12和第三封装层13可能通过这种层彼此分开，那么对于去除封装层必要的刻蚀过程可能是明显更耗费的。这是指：由于这两个ALD层，第二封装层12和第三封装层13直接彼此邻接，能够以尤其简单的方式产生穿通接触部40。
在下一个方法步骤中，图1J，n型接触材料41在区域B中引入到穿通接触部40中。n型接触材料41例如通过金属形成并且能够包括如钛和/或金的材料。
在下一个方法步骤中，图1K，施加第二镜层22，所述第二镜层例如能够与第一镜层21相同地构成。第二镜层22设置在n型接触材料41的背离n型传导的区域2的下侧上，其中封装层局部地设置在第一镜层21和第二镜层22之间。例如，第三封装层13和第四封装层14直接地设置在第一镜层21和第二镜层22之间。第二镜层22能够局部地直接邻接于第四封装层14。第二封装层22的侧面的区域沿着横向方向伸出,穿通接触部40以及半导体本体10的、尤其p型传导的区域3的外面。
在下一个方法步骤中，图1L，首先施加金属的封装层42，所述金属的封装层包覆形成背离生长衬底1的表面形状并且作用为平坦化层。金属的封装层42例如包含Pt/Au/Ti层序列并且用作为用于出自第二镜层22的材料的扩散阻挡。金属的封装层42对于后续以电镀的方式施加载体50而言能够用作为种子层。载体50在这种情况下例如能够由铜形成。此外可能的是，载体50由硅或者锗或者另一种半导体材料形成。在载体50的背离生长衬底1的侧上能够设置背侧金属化部51，所述背侧金属化部实现稍后的光电子半导体芯片的可焊接性。
在下一个方法步骤中，图1M，剥离生长衬底1并且将n型传导的区域2的原本朝向生长衬底的上侧粗糙化。剥离生长衬底1例如能够经由激光剥离法进行，粗糙化例如通过借助于KOH的光刻刻蚀进行。
在后续的方法步骤中进行台面刻蚀。该刻蚀在第一封装层11上停止。随后将硬质掩膜60、例如由二氧化硅构成的硬质掩膜施加到n型传导的区域2上。
在图1O中示出，硬质掩膜60通过对掩膜层60和第一封装层11进行干化学刻蚀来剥除。掩膜层60的厚度耦合到第一封装层11的厚度上，使得在第二封装层12上停止刻蚀。刻蚀停止例如能够通过在第二封装层12的例如Al2O3层或Ta2O5层上的终点检测来实现。
第一封装层11在刻蚀过程中被剥除。在此重要的是，刻蚀过程不在p型连接层31上停止、即例如不在铂层上停止，而是在第二封装层12上停止，所述第二封装层通过电绝缘材料形成。通过所使用的干式刻蚀步骤，第二封装层2由于其相比在二氧化硅上的刻蚀更小的选择性几乎不被侵蚀并且在其厚度方面例如减小5nm至7nm之间。
由于在刻蚀时不侵蚀金属，省去被剥离的金属例如在有源区域4的区域中在半导体本体上的再沉积。由此改进小电流特性，并且关于小电流特性减小潜在的老化问题。
在下一个方法步骤中，图1P，进行第五封装层15的施加，所述第五封装层是ALD层，所述第五封装层例如能够与第二封装层12相同地构成。在此构成第二和第五封装层之间的接触点TP，其中这两个封装层彼此直接接触。第二封装层12在与第五封装层15的直接接触的区域中具有被刻蚀的表面并且其厚度在该处减小。
接下来将第六封装层16作为半导体本体的封闭钝化部施加到第五封装层15的背离载体50的侧上，所述第六封装层例如通过二氧化硅形成或者由二氧化硅构成。
如结合图1Q所描述的那样，将p型连接层31露出并且将接触区域43沉积到p型连接层31上，所述接触区域例如能够是可金属丝接触的。
整体上，结合图1Q描述一种光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片具有：
-半导体本体10，所述半导体本体包括n型传导的区域2、设置用于产生电磁辐射的有源区域4和p型传导的区域3；
-第一镜层21，所述第一镜层设置用于反射电磁辐射；
-第一封装层11，所述第一封装层通过电绝缘的材料形成；
-第二封装层12，所述第二封装层通过电绝缘的材料形成；和
-第三封装层13，所述第三封装层通过电绝缘的材料形成，
其中
-第一镜层21设置在p型传导的区域3的下侧上，
-有源区域4设置在p型传导的区域3的背离第一镜层21的侧上，
-n型传导的区域2设置在有源区域4的背离p型传导的区域3的侧上，
-第一、第二和第三封装层11、12、13局部地覆盖半导体本体10的外面，
-第三封装层13在其背离p型传导的区域3的侧上完全地遮盖第一镜层21并且局部地与第一镜层21直接接触，
-第二封装层12和第三封装层13在第一镜层21的侧向的区域中局部地彼此直接接触，并且
-第二封装层12和第三封装层13是ALD层。
本发明不通过根据实施例的描述而受限于此。更确切地说，本发明包括每个新的特征以及特征的每个组合，这尤其包含在本文中的特征的每个组合，即使该特征或者该组合本身未详细地在本文或实施例中给出时也是如此。
本专利申请要求德国专利申请102013107531.2的优先权，所述德国专利申请的公开内容就此通过参引并入本文。
Claims (14)
1.一种光电子半导体芯片，具有：
-半导体本体(10)，所述半导体本体包括n型传导的区域(2)、设置用于产生电磁辐射的有源区域(4)和p型传导的区域(3)；
-第一镜层(21)，所述第一镜层设置用于反射电磁辐射；
-第一封装层(11)，所述第一封装层通过电绝缘的材料形成；
-第二封装层(12)，所述第二封装层通过电绝缘的材料形成；和
-第三封装层(13)，所述第三封装层通过电绝缘的材料形成，
其中
-所述第一镜层(21)设置在所述p型传导的区域(3)的下侧上，-所述有源区域(4)设置在所述p型传导的区域(3)的背离所述第一镜层(21)的侧上，
-所述n型传导的区域(2)设置在所述有源区域(4)的背离所述p型传导的区域(3)的侧上，
-所述第一封装层、第二封装层和第三封装层(11、12、13)局部地覆盖所述半导体本体(10)的外面，
-所述第三封装层(13)完全地遮盖所述第一镜层(21)的背离所述p型传导的区域(3)的侧并且局部地与所述第一镜层(21)直接接触，
-所述第二封装层(12)和所述第三封装层(13)在所述第一镜层(21)的侧向的区域中局部地彼此直接接触，
-所述第二封装层(12)和所述第三封装层(13)是ALD层,亦即：原子层沉积层，并且
-所述第一镜层(21)的侧面和所述n型传导的区域(2)的侧面之间的间距在横向方向上至多为2.5μm。
2.一种光电子半导体芯片，具有：
-半导体本体(10)，所述半导体本体包括n型传导的区域(2)、设置用于产生电磁辐射的有源区域(4)和p型传导的区域(3)；
-第一镜层(21)，所述第一镜层设置用于反射电磁辐射；
-第二镜层(22)，
-第一封装层(11)、第二封装层(12)和第三封装层(13)，所述第一封装层、第二封装层和第三封装层分别通过电绝缘的材料形成，
其中
-所述第一镜层(21)设置在所述p型传导的区域(3)的下侧上，-所述有源区域(4)设置在所述p型传导的区域(3)的背离所述第一镜层(21)的侧上，
-所述n型传导的区域(2)设置在所述有源区域(4)的背离所述p型传导的区域(3)的侧上，
-所述第一封装层、第二封装层和第三封装层(11、12、13)局部地覆盖所述半导体本体(10)的外面，
-所述第三封装层(13)完全地遮盖所述第一镜层(21)的背离所述p型传导的区域(3)的侧并且局部地与所述第一镜层(21)直接接触，
-所述第二封装层(12)和所述第三封装层(13)在所述第一镜层(21)的侧向的区域中局部地彼此直接接触，并且
-所述第二封装层(12)和所述第三封装层(13)是ALD层,亦即：原子层沉积层，
-所述第二镜层(22)设置在所述第三封装层(13)的背离所述半导体本体(10)的下侧上，
-所述第二镜层(22)沿着横向方向伸出所述半导体本体(10)的所述外面，并且
-所述第一镜层(21)的侧面和所述n型传导的区域(2)的侧面之间的间距在横向方向上至多为2.5μm。
3.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，
其中所述第一封装层(11)在所述半导体本体(10)的所述外面上从所述有源区域(4)沿着所述p型传导的区域(3)延伸直至所述第一镜层(21)的侧面，其中所述第一封装层(11)与所述第一镜层(21)直接接触。
4.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，
具有第四封装层(14)，所述第四封装层完全地遮盖所述第三封装层(13)的背离所述半导体本体(10)的侧并且至少局部地与所述第三封装层(13)直接接触。
5.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，
具有第五封装层(15)，所述第五封装层是ALD层,亦即：原子层沉积层，其中所述第五封装层(15)至少在所述n型传导的区域(2)上完全地覆盖所述半导体本体(10)的所述外面并且在所述半导体本体(10)的侧向局部地与所述第二封装层(12)直接接触。
6.根据权利要求5所述的光电子半导体芯片，
其中所述第二封装层(12)在与所述第五封装层(15)接触的区域中具有刻蚀工艺的痕迹。
7.根据权利要求5所述的光电子半导体芯片，
其中所述第二封装层(12)在与所述第五封装层(15)接触的区域中与在所述第二封装层(12)和所述第五封装层(15)之间不接触的区域中相比是更薄的。
8.根据权利要求5所述的光电子半导体芯片，
具有至少一个穿通接触部(40)，所述穿通接触部延伸穿过所述p型传导的区域(3)和所述有源区域(4)直至进入到所述n型传导的区域(2)中，其中
-所述穿通接触部(40)包括n型接触材料(41)，所述n型传导的区域(2)经由所述n型接触材料是能够电接触的，并且
-所述半导体本体(10)除至少一个所述穿通接触部(40)以外完全地由所述第三封装层(13)和所述第五封装层(15)围绕。
9.根据权利要求8所述的光电子半导体芯片，
其中所述第一封装层、第二封装层和第三封装层(11，12，13)局部地直接邻接于所述n型接触材料(41)。
10.根据权利要求8所述的光电子半导体芯片，
具有第二镜层(22)，所述第二镜层设置在所述n型接触材料(41)的背离所述n型传导的区域(2)的下侧上，其中所述第三封装层(13)局部地设置在所述第一镜层(21)和所述第二镜层(22)之间。
11.根据权利要求10所述的光电子半导体芯片，
其中所述第二镜层(22)沿着横向方向伸出所述半导体本体(10)的所述外面。
12.根据权利要求10所述的光电子半导体芯片，
其中所述第二镜层(22)至少局部地在接触区域(43)下方延伸，
其中所述第二镜层(22)至少通过所述第三封装层(13)与所述接触区域(43)电绝缘，并且所述接触区域(43)设置用于从所述半导体芯片的外部在p型传导区域侧连接所述半导体芯片。
13.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，
其中所述p型传导的区域(3)和所述第一镜层(21)在其侧面上局部地由金属的封装层(42)遮盖，
其中封装层序列(20)在所述金属的封装层(42)和所述侧面之间延伸。
14.根据权利要求13所述的光电子半导体芯片，
其中所述第一封装层(11)和所述第二封装层(12)共同地形成所述封装层序列。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711284743.6A CN107946428B (zh) | 2013-07-16 | 2014-06-25 | 光电子半导体芯片 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102013107531.2A DE102013107531A1 (de) | 2013-07-16 | 2013-07-16 | Optoelektronischer Halbleiterchip |
| DE102013107531.2 | 2013-07-16 | ||
| PCT/EP2014/063423 WO2015007486A1 (de) | 2013-07-16 | 2014-06-25 | Optoelektronischer halbleiterchip |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711284743.6A Division CN107946428B (zh) | 2013-07-16 | 2014-06-25 | 光电子半导体芯片 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105393369A CN105393369A (zh) | 2016-03-09 |
| CN105393369B true CN105393369B (zh) | 2018-01-12 |
Family
ID=50981550
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201480040795.7A Active CN105393369B (zh) | 2013-07-16 | 2014-06-25 | 光电子半导体芯片 |
| CN201711284743.6A Active CN107946428B (zh) | 2013-07-16 | 2014-06-25 | 光电子半导体芯片 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711284743.6A Active CN107946428B (zh) | 2013-07-16 | 2014-06-25 | 光电子半导体芯片 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10014444B2 (zh) |
| JP (1) | JP6284634B2 (zh) |
| KR (1) | KR102268352B1 (zh) |
| CN (2) | CN105393369B (zh) |
| DE (2) | DE102013107531A1 (zh) |
| TW (1) | TWI557944B (zh) |
| WO (1) | WO2015007486A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102017107198A1 (de) * | 2017-04-04 | 2018-10-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchip und optoelektronischer Halbleiterchip |
| US11469138B2 (en) * | 2018-05-04 | 2022-10-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Via for coupling attached component upper electrode to substrate |
| JP7009627B2 (ja) * | 2018-11-13 | 2022-01-25 | 廈門市三安光電科技有限公司 | 発光ダイオード |
| US11075128B2 (en) * | 2019-10-03 | 2021-07-27 | Utica Leaseco, Llc | Modules incorporating encapsulation layers |
| JP7440782B2 (ja) | 2022-01-25 | 2024-02-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101796656A (zh) * | 2007-04-26 | 2010-08-04 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 光电子器件 |
| DE102011016302A1 (de) * | 2011-04-07 | 2012-10-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
| TW201246626A (en) * | 2011-02-14 | 2012-11-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip and method for producing optoelectronic semiconductor chips |
Family Cites Families (100)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996021251A1 (en) * | 1995-01-06 | 1996-07-11 | President And Fellows Of Harvard College | Minority carrier device |
| JP3531475B2 (ja) * | 1998-05-22 | 2004-05-31 | 日亜化学工業株式会社 | フリップチップ型光半導体素子 |
| JP3723434B2 (ja) * | 1999-09-24 | 2005-12-07 | 三洋電機株式会社 | 半導体発光素子 |
| TW465123B (en) * | 2000-02-02 | 2001-11-21 | Ind Tech Res Inst | High power white light LED |
| TWI289944B (en) | 2000-05-26 | 2007-11-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting-diode-element with a light-emitting-diode-chip |
| US6630689B2 (en) * | 2001-05-09 | 2003-10-07 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Semiconductor LED flip-chip with high reflectivity dielectric coating on the mesa |
| US6642652B2 (en) * | 2001-06-11 | 2003-11-04 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Phosphor-converted light emitting device |
| US6828596B2 (en) * | 2002-06-13 | 2004-12-07 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Contacting scheme for large and small area semiconductor light emitting flip chip devices |
| US6841802B2 (en) * | 2002-06-26 | 2005-01-11 | Oriol, Inc. | Thin film light emitting diode |
| US6744196B1 (en) * | 2002-12-11 | 2004-06-01 | Oriol, Inc. | Thin film LED |
| US20040188696A1 (en) * | 2003-03-28 | 2004-09-30 | Gelcore, Llc | LED power package |
| JP4590905B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2010-12-01 | 豊田合成株式会社 | 発光素子および発光装置 |
| KR100576856B1 (ko) * | 2003-12-23 | 2006-05-10 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 |
| DE102004029412A1 (de) * | 2004-02-27 | 2005-10-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips |
| JP4805831B2 (ja) * | 2004-03-18 | 2011-11-02 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、表面実装部品、および表示装置 |
| JP4330476B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2009-09-16 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子 |
| US9368428B2 (en) * | 2004-06-30 | 2016-06-14 | Cree, Inc. | Dielectric wafer level bonding with conductive feed-throughs for electrical connection and thermal management |
| US20060081858A1 (en) * | 2004-10-14 | 2006-04-20 | Chung-Hsiang Lin | Light emitting device with omnidirectional reflectors |
| US7679097B2 (en) * | 2004-10-21 | 2010-03-16 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
| TWI422044B (zh) * | 2005-06-30 | 2014-01-01 | Cree Inc | 封裝發光裝置之晶片尺度方法及經晶片尺度封裝之發光裝置 |
| JP5016808B2 (ja) * | 2005-11-08 | 2012-09-05 | ローム株式会社 | 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子製造方法 |
| JP4777757B2 (ja) * | 2005-12-01 | 2011-09-21 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| US7994514B2 (en) * | 2006-04-21 | 2011-08-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor light emitting device with integrated electronic components |
| US8062925B2 (en) * | 2006-05-16 | 2011-11-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Process for preparing a semiconductor light-emitting device for mounting |
| KR101329908B1 (ko) * | 2006-10-13 | 2013-11-14 | 퓨처 라이트 리미티드 라이어빌러티 컴퍼니 | 반도체 발광 소자, 조명 장치 및 반도체 발광 소자의 제조방법 |
| JP2008192782A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Toyota Central R&D Labs Inc | 電極及びそれを有するｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 |
| DE102007019776A1 (de) * | 2007-04-26 | 2008-10-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente |
| DE102007022947B4 (de) * | 2007-04-26 | 2022-05-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
| TWI344709B (en) * | 2007-06-14 | 2011-07-01 | Epistar Corp | Light emitting device |
| DE102007043877A1 (de) * | 2007-06-29 | 2009-01-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen und optoelektronisches Bauelement |
| US9634191B2 (en) * | 2007-11-14 | 2017-04-25 | Cree, Inc. | Wire bond free wafer level LED |
| US8368100B2 (en) * | 2007-11-14 | 2013-02-05 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same |
| JP5220916B2 (ja) * | 2008-04-02 | 2013-06-26 | ソン，ジュンオ | 発光素子及びその製造方法 |
| KR100946523B1 (ko) * | 2008-04-24 | 2010-03-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| DE102009018603B9 (de) * | 2008-04-25 | 2021-01-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben |
| JP5305790B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2013-10-02 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
| JP5123269B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-01-23 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | 発光素子及びその製造方法 |
| KR101497953B1 (ko) * | 2008-10-01 | 2015-03-05 | 삼성전자 주식회사 | 광추출 효율이 향상된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법 |
| DE102008050573A1 (de) * | 2008-10-06 | 2010-04-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements und optoelektronisches Halbleiterbauelement |
| US8963175B2 (en) * | 2008-11-06 | 2015-02-24 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US8809893B2 (en) * | 2008-11-14 | 2014-08-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| KR100974776B1 (ko) * | 2009-02-10 | 2010-08-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| TWI480962B (zh) * | 2009-04-09 | 2015-04-11 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體封裝以及發光二極體晶圓級封裝製程 |
| US7732231B1 (en) * | 2009-06-03 | 2010-06-08 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Method of forming a dielectric layer on a semiconductor light emitting device |
| DE102009033686A1 (de) * | 2009-07-17 | 2011-01-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines anorganischen optoelektronischen Halbleiterbauteils |
| KR100986570B1 (ko) * | 2009-08-31 | 2010-10-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| GB0916700D0 (en) * | 2009-09-23 | 2009-11-04 | Nanoco Technologies Ltd | Semiconductor nanoparticle-based materials |
| JP2011071272A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| KR101039896B1 (ko) * | 2009-12-03 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR101106151B1 (ko) * | 2009-12-31 | 2012-01-20 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 |
| KR100974787B1 (ko) * | 2010-02-04 | 2010-08-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
| KR101039999B1 (ko) * | 2010-02-08 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100986560B1 (ko) * | 2010-02-11 | 2010-10-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
| DE102010009717A1 (de) * | 2010-03-01 | 2011-09-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip |
| JP2011199221A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-06 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード |
| US8772805B2 (en) * | 2010-03-31 | 2014-07-08 | Seoul Viosys Co., Ltd. | High efficiency light emitting diode and method for fabricating the same |
| DE102010013494A1 (de) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
| KR101020963B1 (ko) * | 2010-04-23 | 2011-03-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
| DE102010025320B4 (de) * | 2010-06-28 | 2021-11-11 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| KR101692410B1 (ko) * | 2010-07-26 | 2017-01-03 | 삼성전자 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
| US8198109B2 (en) * | 2010-08-27 | 2012-06-12 | Quarkstar Llc | Manufacturing methods for solid state light sheet or strip with LEDs connected in series for general illumination |
| JP5633477B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2014-12-03 | 豊田合成株式会社 | 発光素子 |
| TWI557934B (zh) * | 2010-09-06 | 2016-11-11 | 晶元光電股份有限公司 | 半導體光電元件 |
| DE102010044986A1 (de) * | 2010-09-10 | 2012-03-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips |
| KR101114191B1 (ko) * | 2010-09-17 | 2012-03-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| US9070851B2 (en) * | 2010-09-24 | 2015-06-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same |
| KR101690508B1 (ko) * | 2010-10-11 | 2016-12-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| DE102010054898A1 (de) * | 2010-12-17 | 2012-06-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Träger für einen optoelektronischen Halbleiterchip und Halbleiterchip |
| KR101154320B1 (ko) * | 2010-12-20 | 2012-06-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치 |
| JP5777879B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2015-09-09 | ローム株式会社 | 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ |
| US8653542B2 (en) * | 2011-01-13 | 2014-02-18 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Micro-interconnects for light-emitting diodes |
| JP5582054B2 (ja) * | 2011-02-09 | 2014-09-03 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP5050109B2 (ja) * | 2011-03-14 | 2012-10-17 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
| DE102011013821B4 (de) * | 2011-03-14 | 2024-05-23 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips |
| US9246061B2 (en) * | 2011-03-14 | 2016-01-26 | Koninklijke Philips N.V. | LED having vertical contacts redistruted for flip chip mounting |
| TW201240146A (en) * | 2011-03-16 | 2012-10-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Light-emitting semiconductor chip |
| US8241932B1 (en) * | 2011-03-17 | 2012-08-14 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Methods of fabricating light emitting diode packages |
| TW201240147A (en) * | 2011-03-22 | 2012-10-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Light-emitting semiconductor chip |
| JP4989773B1 (ja) * | 2011-05-16 | 2012-08-01 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
| DE102011104515A1 (de) | 2011-06-17 | 2012-12-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips |
| US8686429B2 (en) * | 2011-06-24 | 2014-04-01 | Cree, Inc. | LED structure with enhanced mirror reflectivity |
| US9728676B2 (en) * | 2011-06-24 | 2017-08-08 | Cree, Inc. | High voltage monolithic LED chip |
| US8497146B2 (en) * | 2011-08-25 | 2013-07-30 | Micron Technology, Inc. | Vertical solid-state transducers having backside terminals and associated systems and methods |
| US8723206B2 (en) * | 2011-09-09 | 2014-05-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device with contact hole passing through active layer |
| US8664679B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-03-04 | Toshiba Techno Center Inc. | Light emitting devices having light coupling layers with recessed electrodes |
| KR101827975B1 (ko) * | 2011-10-10 | 2018-03-29 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| KR101868537B1 (ko) * | 2011-11-07 | 2018-06-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지 |
| DE102011056888A1 (de) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung |
| WO2013112435A1 (en) * | 2012-01-24 | 2013-08-01 | Cooledge Lighting Inc. | Light - emitting devices having discrete phosphor chips and fabrication methods |
| US9269873B2 (en) * | 2012-03-13 | 2016-02-23 | Citizen Holdings Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
| JP5985322B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2016-09-06 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| KR20130120615A (ko) * | 2012-04-26 | 2013-11-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 |
| KR101946914B1 (ko) * | 2012-06-08 | 2019-02-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 |
| US20140048824A1 (en) * | 2012-08-15 | 2014-02-20 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
| JP6239311B2 (ja) * | 2012-08-20 | 2017-11-29 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子 |
| KR101886156B1 (ko) * | 2012-08-21 | 2018-09-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| KR101956101B1 (ko) * | 2012-09-06 | 2019-03-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| US9196807B2 (en) * | 2012-10-24 | 2015-11-24 | Nichia Corporation | Light emitting element |
| US9257481B2 (en) * | 2012-11-26 | 2016-02-09 | Epistar Corporation | LED arrray including light-guiding structure |
| DE102013103079A1 (de) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
-
2013
- 2013-07-16 DE DE102013107531.2A patent/DE102013107531A1/de not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-06-25 JP JP2016526490A patent/JP6284634B2/ja active Active
- 2014-06-25 KR KR1020167003831A patent/KR102268352B1/ko active IP Right Grant
- 2014-06-25 DE DE112014003318.9T patent/DE112014003318A5/de active Pending
- 2014-06-25 CN CN201480040795.7A patent/CN105393369B/zh active Active
- 2014-06-25 CN CN201711284743.6A patent/CN107946428B/zh active Active
- 2014-06-25 US US14/905,763 patent/US10014444B2/en active Active
- 2014-06-25 WO PCT/EP2014/063423 patent/WO2015007486A1/de active Application Filing
- 2014-07-08 TW TW103123445A patent/TWI557944B/zh active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101796656A (zh) * | 2007-04-26 | 2010-08-04 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 光电子器件 |
| TW201246626A (en) * | 2011-02-14 | 2012-11-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip and method for producing optoelectronic semiconductor chips |
| DE102011016302A1 (de) * | 2011-04-07 | 2012-10-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160031011A (ko) | 2016-03-21 |
| DE112014003318A5 (de) | 2016-05-04 |
| US10014444B2 (en) | 2018-07-03 |
| JP2016531422A (ja) | 2016-10-06 |
| TWI557944B (zh) | 2016-11-11 |
| WO2015007486A1 (de) | 2015-01-22 |
| DE102013107531A1 (de) | 2015-01-22 |
| JP6284634B2 (ja) | 2018-02-28 |
| TW201511336A (zh) | 2015-03-16 |
| CN107946428A (zh) | 2018-04-20 |
| CN105393369A (zh) | 2016-03-09 |
| KR102268352B1 (ko) | 2021-06-24 |
| CN107946428B (zh) | 2020-10-23 |
| US20160172545A1 (en) | 2016-06-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |