JP7064591B2 - 薄膜太陽電池の製造方法及び薄膜太陽電池 - Google Patents

薄膜太陽電池の製造方法及び薄膜太陽電池 Download PDF

Info

Publication number
JP7064591B2
JP7064591B2 JP2020531619A JP2020531619A JP7064591B2 JP 7064591 B2 JP7064591 B2 JP 7064591B2 JP 2020531619 A JP2020531619 A JP 2020531619A JP 2020531619 A JP2020531619 A JP 2020531619A JP 7064591 B2 JP7064591 B2 JP 7064591B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
insulating layer
thin
film solar
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020531619A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021529428A (ja
Inventor
源 李
云 趙
為蒼 張
斌 ▲すい▼
文進 張
亮 楊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Truly Semiconductors Ltd
Original Assignee
Truly Semiconductors Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from CN201910452515.8A external-priority patent/CN110165019B/zh
Application filed by Truly Semiconductors Ltd filed Critical Truly Semiconductors Ltd
Publication of JP2021529428A publication Critical patent/JP2021529428A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7064591B2 publication Critical patent/JP7064591B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • H01L31/02161Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • H01L31/02161Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022466Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0465PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

本発明は、太陽電池製造の技術分野に関し、より具体的には、薄膜太陽電池の製造方法及び薄膜太陽電池に関する。
技術の進歩及びエネルギー問題の解決の緊急の必要性に伴い、太陽電池は、エネルギー変換デバイスとして広く研究・使用されている。たとえば、太陽電池は表示可能な電子製品(ウェアラブルデバイスなど)に適用され、一般に、電子製品には額縁領域と中央表示領域があり、製品の表示外形の特性に応じて、単電池または複数の電池を直列接続する設計が採用され、また、電池の太陽光変換効率を向上させるために、通常、表示領域にも太陽光変換ユニットが設置される。ただし、表示領域の光透過率及び視覚的効果の両方を考慮すると、表示領域の光電変換ユニットの幅は非常に狭く設計されており、金属電極の幅は一般に約10μmである。
幅が非常に狭く設計されているため、製造プロセスは、光電変換ユニットの有効面積と製品の信頼性に大きな影響を与える。
前記従来技術の欠点を解決するために、本発明は、前記絶縁層の外周と前面電極との間に角度範囲35°~75°のTaper角を形成することによって、最大の太陽光吸収面積と最低の金属補助電極の反射視認性を両立させ、且つ製品の信頼性を確保することができる、薄膜太陽電池の製造方法及び薄膜太陽電池を提供する。
本発明が実現しようとする技術的効果は、以下の技術案によって実現される。薄膜太陽電池の製造方法であって、
透明基板を提供し、表示モジュールに向かう透明基板の一方側に、前面電極、光吸収層及び裏面電極を順次堆積して成膜するステップS100と、
裏面電極、光吸収層及び前面電極を順次エッチングするステップS200と、
前記裏面電極と光吸収層を覆い、前面電極に接触して接続するまで延びている絶縁層を成膜により製造するステップS300と、
絶縁層上に、前面電極に接触するまで延びている金属補助電極を成膜してエッチングする、ステップS400と、を含み、
前記絶縁層の製造過程において、前記絶縁層の外周と前面電極との間に、角度範囲35°~75°のTaper角を形成することを特徴とする。
好ましくは、ステップS200では、前記裏面電極と光吸収層には、ビア領域がさらに開口しており、ステップS300では、前記絶縁層は、ビア領域において前面電極に接触するまで延びている。
好ましくは、前記絶縁層は、ビア領域を不完全に充填することで、前記金属補助電極をビア領域で前面電極に接触させる。
好ましくは、前面電極を製造する前に、透明基板に対してセル分割ラインの遮蔽層を製造する。
好ましくは、前記金属補助電極を製造した後、前記金属補助電極を覆う反射防止層を製造する。
薄膜太陽電池であって、透明基板と、前記透明基板上に設けられ、表示モジュールに向かって配置される太陽光ユニットと、を備え、前記太陽光ユニットは、前記透明基板上に設けられる前面電極、前記前面電極上に設けられる光吸収層、及び前記光吸収層上に設けられる裏面電極を備え、金属補助電極と絶縁層をさらに備え、前記絶縁層は、前記裏面電極及び光吸収層を覆い、前面電極に接触して接続するまで延びており、前記金属補助電極は、前面電極に接触して接続され、絶縁層まで延びており、前記絶縁層の外周と前面電極との間に、角度範囲35°~75°のTaper角が形成される。
好ましくは、前記裏面電極と光吸収層には、ビア領域がさらに開口しており、前記絶縁層は、ビア領域において前面電極に接触して接続される。
好ましくは、前記絶縁層は、ビア領域を不完全に充填し、そして、前記金属補助電極は、ビア領域で前面電極に接触する。
好ましくは、前記金属補助電極には、前記金属補助電極を覆う反射防止層がさらに設けられる。
本発明は、以下の利点を有する。
1、前記絶縁層の外周と前面電極との間に角度範囲35°~75°のTaper角を形成することで、最大の太陽光吸収面積と最低の金属補助電極の反射視認性を両立させ、且つ製品の信頼性を確保することができる。
2、裏面電極と光吸収層にビア領域が開口し、前記絶縁層がビア領域を不完全に充填することで、前記金属補助電極をビア領域で前面電極と接触させ、それによって、前面電極の抵抗をさらに低減させる。
本発明における薄膜太陽電池の平面構造模式図である。 図1のA-A部の一実施形態の断面構造模式図1(大Taper角)である。 図1のA-A部の一実施形態の断面構造模式図2(小Taper角)である。 図1のA-A部の別の実施形態の断面構造模式図1(大Taper角)である。 図1のA-A部の別の実施形態の断面構造模式図2(小Taper角)である。
以下、図面及び実施例を参照しながら本発明を詳しく説明し、前記実施例の例示は図面に示され、図面を通じて同じ又は類似した符号は、同じ又は類似した素子又は同じ又は類似した機能を有する素子を表す。以下、図面を参照しながら説明する実施例は、例示的なものである。実施例は、本発明を解釈するものではあるが、本発明を制限するものとして理解されるべきではない。
なお、本発明の説明では、用語「長さ」、「幅」、「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「垂直」、「水平」、「頂」、「底」、「内」、「外」などにより示される方位又は位置関係は、図面に示される方位又は位置関係に基づくものであり、説明の便宜及び説明の簡素化のために過ぎず、示される装置又は素子が、必ず特定の方位を有したり、特定の方位で構成・操作されたりすることを指示又は示唆するものではなく、このため、本発明を制限するものとして理解されるべきではない。
本発明では、特に明確な規定や限定がない限り、用語「取り付け」、「連結」、「接続」、「固定」、「設置」などの用語は、広義で理解すべきであり、たとえば、固定して接続されてもよく、取り外し可能に接続されてもよく、一体にしてもよい。機械的に接続してもよく、電気的に接続してもよい。直接連結してもよく、中間物を介して間接的に連結してもよく、また、2つの素子の内部が連通してもよく、2つの素子が互いに作用してもよい。当業者であれば、具体的な状況に応じて本発明での上記用語の意味を把握できる。
実施例1
図1-図3に示されるように、本発明の実施例は、薄膜太陽電池の製造方法を提供し、薄膜太陽電池は、透明基板10と、前記透明基板10上に設けられ、表示モジュールに向かって配置される太陽光ユニットと、を備え、前記太陽光ユニットは、前記透明基板上に設けられる前面電極20、前記前面電極20上に設けられる光吸収層30、及び前記光吸収層30上に設けられる裏面電極40を備え、絶縁層50と金属補助電極60をさらに備え、前記絶縁層50は、前記裏面電極40及び光吸収層30を覆い、前面電極20に接触して接続するまで延びており、前記金属補助電極60は、前面電極20に接触して接続され、絶縁層50まで延びている。
前記薄膜太陽電池の製造方法は、ステップS100~ステップS400を含む。
ステップS100:透明基板10を提供し、表示モジュールに向かう透明基板10の一方側に、前面電極20、光吸収層30及び裏面電極40を順次堆積して成膜する。
あるいは、太陽エネルギーの吸収を向上させるために、前面電極20をテクスチャリングして凹凸のある面を形成するステップをさらに含んでもよい。前記前面電極20、光吸収層30及び裏面電極40の堆積成膜プロセスは従来の一般的な技術であり、特に限定しない。
ステップS200:裏面電極40、光吸収層30及び前面電極20を順次エッチングしてパターニングする。
前記ステップS200のエッチング・パターニングには、上から下へ、裏面電極40、光吸収層30及び前面電極20を順次エッチングしてパターニングし、それによって、裏面電極40、光吸収層30及び前面電極20の性能を確保するとともに、エッチング中に別の層へダメージを与えることを回避する。
ステップS300:前記裏面電極40上に、前記裏面電極40及び光吸収層30を覆い、前面電極20に接触して接続するまで延びている絶縁層50を成膜により製造する。前記絶縁層50は、前記裏面電極40及び光吸収層30を保護し、且つ、裏面電極40と前面電極20の接触による短絡を防止できる。
ステップS400:絶縁層50上に、前面電極20に接触するまで延びている金属補助電極60を成膜してエッチングする。
前記絶縁層50の製造には、前記絶縁層50の外周と前面電極20との間に、角度範囲35°~75°Taper角を形成する。
前記絶縁層のTaper角をこのような角度範囲に設定することで、最大の太陽光吸収面積と最低の金属補助電極60の反射視認性を両立できる。
図4-図5に示されるように、本発明のさらなる改良として、ステップS200では、前記裏面電極40及び光吸収層30には、ビア領域がさらに開口しており、ステップS300では、前記絶縁層50は、ビア領域において前面電極20に接触するまで延びている。前記開口ステップは、裏面電極40、光吸収層30をエッチングするときに、マスクを用いてこの領域をエッチングにより除去することでビアを形成することができるが、それに制限されない。
本発明のさらなる改良として、前記絶縁層50は、ビア領域を不完全に充填することで前記金属補助電極60をビア領域で前面電極20に接触させ、それによって、金属補助電極60と前面電極20との接触面積を増大し、前面電極20の抵抗をさらに低減させる。
前記絶縁層50と透明基板10との間のTaper角の形成の原理は、以下のとおりである。図2-図5に示されるように、太陽光ユニットの総幅をW/W’、太陽光ユニットの外エッジ(又はビア領域)内の前面電極20と光吸収層30が設置されていない部位の幅をγ/γ’とすれば、金属補助電極60と前面電極の接触面積の設計値(接触幅又はビアのサイズφ)が一定である場合、絶縁層50のTaper角(θ/θ’)の大きさは、金属補助電極60と太陽光ユニットの外エッジ(又はビア領域内)にある前面電極との接触信頼性に影響する要因である。また、Taper角は、太陽光ユニットの外エッジ(又はビア領域)の周辺にある光吸収層30の面積に影響する主因でもあり、θが大きいほど、その周辺に残った太陽光吸収有効面積が大きく、ただし、θ値が75°を超えると、前面電極20の太陽光ユニットの外エッジ(又はビア領域の底面の円周)での金属補助電極60の金属堆積層が薄くなり、接合効果が悪くなり(異なる平面の境界では、結晶粒堆積にはずれが存在する)、逆には、Taper角が小さいほど、前面電極20の太陽光ユニットの外エッジ(又はビア領域の底面の円周)での金属補助電極60の金属堆積層が厚くなり、接合効果が良好であり(結晶粒の堆積接合状態が平面領域での効果にほぼ相当)、前面電極20との接合効果もより良好であり、ただし、裏面電極40を完全に覆うために(光吸収層30と裏面電極40の総堆積厚さが一定である場合、絶縁層50の塗布厚さが十分でなければならない)、また、その周辺にある太陽光吸収有効幅[(W-γ)=(W’-γ’)]を一定に保持するために、この位置での太陽光吸収層の寸法を広くする必要がある。さらに、θ値が減少するのに伴い、太陽光ユニットの外エッジ(又はビア領域内)領域の金属反射面積が倍増し、透明基板10側から金属が視認されることが明らかになり、製品の信頼性を確保するとともに、太陽光ユニットの外エッジ(又はビア領域内)の金属の反射視認性を制御するために、絶縁層50のTaper角を35°~75°にする必要がある。
本発明の実施例では、前記絶縁層50は、好ましくは有機類の感光材料を用いるが、無機類のSiO、SiNx、α-Siなどを用いてもよい。有機感光材料を用いる場合、前記絶縁層50の製造プロセスは、S1塗布、S2予備硬化、S3露光、S4現像、S5本硬化である。前記有機感光材料を製造するときに、現像と本硬化との間には、退色ステップをさらに含む。
無機類のSiO、SiNx、α-Siなどの材料を用いる場合、前記絶縁層50の製造プロセスは、S1 CVD化学気相成膜/マグネトロンスパッタリング成膜、S2 PR塗布、S3予備硬化、S4露光、S5現像、S6ケミカルドライエッチング、S7剥離である。
本発明の実施例1の薄膜太陽電池の製造には、材料の種類及び特性によって、この角度要件を満たすために異なるプロセス条件が設定されなければならない。ネガティブ有機感光材料を用いる場合、製造プロセスの露光及び本硬化条件はTaper角に影響する要因である。一般には、正常な露光プロセスのパラメータに対して、低露光量を用いる場合、小さなTaper角が得られ、逆に、高露光量を用いる場合、大きな(シャープ)Taper角が得られる。ポジティブフォトレジストを用いる場合、露光パラメータの設定とTaper角の大きさの関係は逆になる。デバイスの構造及び材料の許容温度範囲で、本硬化温度の上昇及び時間の経過に伴い、Taper角も適切に減少する(勾配が小さくなる)。
無機材料及びケミカルドライエッチング方式を用いて絶縁層50を製造する場合、所望の角度を得るために、CVDの成膜速度及びケミカルドライエッチング速度を調整する必要がある。小さなTaper角が必要である場合、膜層が厚くなるのに伴い、CVDチャンバーの堆積間隔と堆積圧力値を徐々に増大し(増大すると、成膜速率が高くなる)、それによって、膜層の緻密性を徐々に減少させ、ケミカルドライエッチングの場合、最初にエッチングされる絶縁層50の膜層がよりエッチングされやすくなり、前面電極20に近い一方側の絶縁層50がより緻密になり、エッチングによる除去量が少なくなり、エッチングの異方性の結果、小さなTaper角が形成される。
大きなTaper角が必要である場合、CVDチャンバーの堆積間隔と堆積圧力値を増大する程度をその分低減させ、最初にエッチングされる層の緻密性を高めると、好ましい結果が得られる。
本発明のさらなる改良として、前面電極20を製造する前に、透明基板10に対してセル分割ラインの遮蔽層を製造し、この分割ラインは、直列接続された複数の薄膜太陽電池の分割に用いられる。
本発明のさらなる改良として、前記金属補助電極60を製造した後(ステップS6後)、反射防止層をさらに製造し、前記反射防止層は、前記金属補助電極60を覆い、金属補助電極60による光の反射を防止する。
なお、前記薄膜太陽電池の製造には、最外層となる保護層の製造がさらに含まれ、前記保護層は、裏面電極40、光吸収層30、前面電極20及び金属補助電極60を保護する。前記保護層の製造には、従来技術の任意の常法が利用できるが、本実施例では、特に説明したり限定したりしない。
本発明の実施例1の前記前面電極20、光吸収層30、裏面電極40、金属補助電極60、絶縁層50、セル分割ラインの遮蔽層及び反射防止層の製造方法は、従来技術のいずれも利用でき、したがって、詳しく説明しない。前記光吸収層30、裏面電極40及び絶縁層50上の孔の構造は、それぞれのプロセスによって製造され、本発明では特に制限がない。
実施例2
図1-図3に示されるように、本発明の実施例2は、薄膜太陽電池を提供し、前記薄膜太陽電池は、表示モジュールの表示面側に設けられ、透明基板10と、前記透明基板10上に設けられ、表示モジュールに向かって配置される太陽光ユニットと、を備え、前記太陽光ユニットは、前記透明基板10上に設けられる前面電極20、前記前面電極20上に設けられる光吸収層30、及び前記光吸収層30上に設けられる裏面電極40を備える。
前記薄膜太陽電池は、絶縁層50と金属補助電極60をさらに備え、前記絶縁層50は、前記裏面電極40と光吸収層30を覆い、前面電極20に接触して接続するまで延びており、前記金属補助電極60は、前面電極20に接触して接続され、絶縁層50まで延びており、前記絶縁層50の外周と前面電極20との間に、角度範囲35°~75°のTaper角が形成される。
本発明の実施例の前記薄膜太陽電池では、前記絶縁層のTaper角の角度範囲を設定することで、最大の太陽光吸収面積と最低の金属補助電極60の反射視認性を両立できる。
図4-図5に示されるように、本発明の実施例2のさらなる改良として、前記裏面電極40と光吸収層30には、ビア領域がさらに開口しており、前記絶縁層50は、ビア領域において前面電極20に接触するまで延びている。
本発明の実施例2のさらなる改良として、前記絶縁層50は、ビア領域を不完全に充填し、前記金属補助電極60はビア領域で前面電極20に接触し、それによって、絶縁層50と前面電極20の接触面積を増大し、前面電極20の抵抗をさらに低減させる。
本発明の実施例2のさらなる改良として、前記金属補助電極60には、前記金属補助電極60を覆う反射防止層(未図示)が設けられる。
本発明の実施例の前記薄膜太陽電池は、単体として利用してもよく、複数を直列接続したものとして利用してもよく、本発明では限定しない。複数の薄膜太陽電池を直列接続して使用する場合、前記薄膜太陽電池の間には、セル分割ラインが設けられる。
本発明の実施例では、前記前面電極20は、SnO、ITO、AZO、BZO、GZO又はZnO等の金属酸化物材質を利用できるが、これらに制限されない。
前記裏面電極40は、好ましくは、単層電極膜又は多層電極膜を用いるが、単体金属材質、合金材質又は金属酸化物/窒化物/ハライド材質などを用いるが、それに制限されず、これら単体金属材質、合金材質又は金属酸化物/窒化物/ハライド材質に含有される金属元素は、低抵抗率の金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル又はモリブデンなどのうちの1種である。
なお、以上の実施例は、本発明の実施例の技術案を説明するものに過ぎず、制限するものではなく、好適実施例を参照しながら本発明の実施例を詳細に説明したが、当業者であれば、本発明の実施例の技術案を修正したり同等置換を行ったりすることができ、これら修正又は同等置換により、修正された技術案が本発明の実施例の技術案の範囲を逸脱することはない。

Claims (9)

  1. 薄膜太陽電池の製造方法であって、
    透明基板を提供し、表示モジュールに向かう透明基板の一方側に、前面電極、光吸収層及び裏面電極を順次堆積して成膜するステップS100と、
    裏面電極、光吸収層及び前面電極を順次エッチングするステップS200と、
    前記裏面電極と光吸収層を覆い、前面電極に接触して接続するまで延びている絶縁層を成膜により製造するステップS300と、
    絶縁層上に、前面電極に接触するまで延びている金属補助電極を成膜してエッチングする、ステップS400と、を含み、
    前記絶縁層の製造過程において、前記絶縁層の外周と前面電極との間に、角度範囲35°~75°のTaper角を形成し、
    前記金属補助電極の製造過程において、前記絶縁層において前記Taper角が形成された面上から前記前面電極まで延在するように形成する
    ことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
  2. ステップS200では、前記裏面電極と光吸収層には、ビア領域がさらに開口しており、ステップS300では、前記絶縁層は、ビア領域において前面電極に接触するまで延びている、
    ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
  3. 前記絶縁層は、ビア領域を不完全に充填することで、前記金属補助電極をビア領域で前面電極に接触させる、
    ことを特徴とする請求項2に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
  4. 前面電極を製造する前に、透明基板に対してセル分割ラインの遮蔽層を製造する、
    ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
  5. 前記金属補助電極を製造した後、前記金属補助電極を覆う反射防止層を製造する、
    ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
  6. 薄膜太陽電池であって、透明基板と、前記透明基板上に設けられ、表示モジュールに向かって配置される太陽光ユニットと、を備え、前記太陽光ユニットは、前記透明基板上に設けられる前面電極、前記前面電極上に設けられる光吸収層、及び前記光吸収層上に設けられる裏面電極を備え、金属補助電極と絶縁層をさらに備え、前記絶縁層は、前記裏面電極及び光吸収層を覆い、前面電極に接触して接続するまで延びており、前記金属補助電極は、前面電極に接触して接続され、絶縁層まで延びており、前記絶縁層の外周と前面電極との間に、角度範囲35°~75°のTaper角が形成され、前記金属補助電極は、前記絶縁層において前記Taper角が形成された面上から前記前面電極まで延在するように形成され
    ことを特徴とする薄膜太陽電池。
  7. 前記裏面電極と光吸収層には、ビア領域がさらに開口しており、前記絶縁層は、ビア領域において前面電極に接触して接続される、
    ことを特徴とする請求項5に記載の薄膜太陽電池。
  8. 前記絶縁層は、ビア領域を不完全に充填し、そして、前記金属補助電極は、ビア領域で前面電極に接触する、
    ことを特徴とする請求項6に記載の薄膜太陽電池。
  9. 前記金属補助電極には、前記金属補助電極を覆う反射防止層がさらに設けられる、
    ことを特徴とする請求項5-7のいずれか一項記載の薄膜太陽電池。
JP2020531619A 2019-05-28 2019-06-03 薄膜太陽電池の製造方法及び薄膜太陽電池 Active JP7064591B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910452515.8 2019-05-28
CN201910452515.8A CN110165019B (zh) 2019-05-28 2019-05-28 一种薄膜太阳能电池的制作方法及薄膜太阳能电池
PCT/CN2019/089806 WO2020237694A1 (zh) 2019-05-28 2019-06-03 一种薄膜太阳能电池的制作方法及薄膜太阳能电池

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021529428A JP2021529428A (ja) 2021-10-28
JP7064591B2 true JP7064591B2 (ja) 2022-05-10

Family

ID=73550378

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020531619A Active JP7064591B2 (ja) 2019-05-28 2019-06-03 薄膜太陽電池の製造方法及び薄膜太陽電池

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20200381578A1 (ja)
JP (1) JP7064591B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113782682A (zh) * 2021-08-24 2021-12-10 信利半导体有限公司 一种有机光伏电池及其制备方法
CN113917723B (zh) * 2021-09-30 2024-04-09 信利半导体有限公司 一种集成光感应器和太阳能电池的显示屏及其制备方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008131743A1 (de) 2007-04-26 2008-11-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement
US20090185120A1 (en) 2008-01-18 2009-07-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor substrate and method for manufacturing the same
JP2011018683A (ja) 2009-07-07 2011-01-27 Mitsubishi Electric Corp 薄膜太陽電池およびその製造方法
CN102478678A (zh) 2010-11-24 2012-05-30 吉富新能源科技(上海)有限公司 具有透明薄膜太阳能电池的彩色滤光片及其显示装置
US20150263197A1 (en) 2014-03-14 2015-09-17 First Solar, Inc. Photovoltaic device interconnection and method of manufacturing
JP2016224427A (ja) 2015-05-28 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法、および電子機器の作製方法
CN206757239U (zh) 2017-06-09 2017-12-15 信利半导体有限公司 一种显示装置
CN206757240U (zh) 2017-06-09 2017-12-15 信利半导体有限公司 一种显示装置
CN107845688A (zh) 2016-09-19 2018-03-27 联相光电股份有限公司 太阳能电池镂空电路及太阳能电池显示装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008131743A1 (de) 2007-04-26 2008-11-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement
US20090185120A1 (en) 2008-01-18 2009-07-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor substrate and method for manufacturing the same
JP2011018683A (ja) 2009-07-07 2011-01-27 Mitsubishi Electric Corp 薄膜太陽電池およびその製造方法
CN102478678A (zh) 2010-11-24 2012-05-30 吉富新能源科技(上海)有限公司 具有透明薄膜太阳能电池的彩色滤光片及其显示装置
US20150263197A1 (en) 2014-03-14 2015-09-17 First Solar, Inc. Photovoltaic device interconnection and method of manufacturing
JP2016224427A (ja) 2015-05-28 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法、および電子機器の作製方法
CN107845688A (zh) 2016-09-19 2018-03-27 联相光电股份有限公司 太阳能电池镂空电路及太阳能电池显示装置
CN206757239U (zh) 2017-06-09 2017-12-15 信利半导体有限公司 一种显示装置
CN206757240U (zh) 2017-06-09 2017-12-15 信利半导体有限公司 一种显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021529428A (ja) 2021-10-28
US20200381578A1 (en) 2020-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7064591B2 (ja) 薄膜太陽電池の製造方法及び薄膜太陽電池
EP0959506B1 (en) Process for producing solar cells
KR101533098B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
CN100546021C (zh) 半导体装置及其制造方法
JP7064590B2 (ja) 薄膜太陽電池の直列接続構造及び薄膜太陽電池の直列接続構造の製造プロセス
CN110164991B (zh) 一种薄膜光伏电池及其制作方法
JP7066302B2 (ja) 高光電変換率を有する薄膜太陽電池及びその製造プロセス
JPWO2007060742A1 (ja) 印刷マスクおよび太陽電池セル
US20090056801A1 (en) Thin film solar cell and manufacturing method thereof
WO2018210167A1 (zh) 阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置
CN108886069B (zh) 晶体硅系太阳能电池及其制造方法、以及太阳能电池模块
TWI730701B (zh) 一種薄膜太陽能電池的製作方法及薄膜太陽能電池
WO2024045807A1 (zh) 太阳电池及其制备工艺
EP3780133A1 (en) Thin film encapsulation method, thin film encapsulation structure, and display device
JP3916349B2 (ja) 液晶表示装置
KR101534941B1 (ko) 도전성 전극패턴의 형성방법 및 이를 포함하는 태양전지의 제조방법
CN108346622B (zh) 阵列基板及其制备方法、显示面板
CN208384312U (zh) 显示面板以及显示装置
US6355875B1 (en) Covered solar cell and manufacturing method thereof
WO2021189841A1 (zh) 一种具有触控功能的太阳能电池制造方法
CN210836906U (zh) 一种集成薄膜太阳能电池的显示模组
CN111081152A (zh) 一种集成薄膜太阳能电池的显示模组及其制备方法
CN209708997U (zh) 一种薄膜太阳能电池
CN110277473B (zh) 一种薄膜光伏电池的制造方法及薄膜光伏电池
TWM591259U (zh) 薄膜太陽能電池

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200623

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211005

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211221

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220405

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220422

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7064591

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150