CN208384312U - 显示面板以及显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种显示面板以及显示装置，包括阵列基板，所述阵列基板包括：底板；栅极，所述栅极位于所述底板上；源极，所述源极位于所述栅极上；色阻层，所述色阻层位于所述源极上；间隔单元，所述间隔单元位于所述色阻层上；像素电极；其中部分所述像素电极直接形成于所述间隔单元上。本实用新型技术方案中，阵列基板包括底板以及依次设置在所述底板上的栅极、源极、色阻层、间隔单元以及像素电极，其中，所述像素电极设置在所述间隔单元上，以增大像素电极与栅极之间的距离变长，使得连接所述像素电极与栅极之间的讯号线变长，减小了像素电极与栅极之间的电容，进而降低了像素电极与栅极之间的讯号线的负载。

Description

显示面板以及显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板以及显示装置。

背景技术

液晶显示器具有体积小、功耗低、无辐射等特点，先已占据了显示领域的主导地位，尤其是显示面板呈曲面的液晶显示器越受人们的喜爱。现有的曲面液晶面板生产工艺中，为了改善因上下基本错位所导致的不良现象，或解决下基板结构复杂的问题，常采用COA(Color Filter on Array-彩色滤光片阵列)及POA(PS on Array-PS阵列)之制程工艺来生产曲面液晶面板，现有COA(Color Filter on Array)及POA(PS on Array)工艺流程依循GE(Gate Electrode-栅电极)、SE(Source Electrode-源电极)、Color(色阻层)、TH(Through Hole-通孔)、PE(Pixel Electrode-像素电极)、PS(Photo Spacer-间隙子)之制程顺序来生产曲面液晶面板，然而，采用现有COA(Color Filter on Array)及POA(PS onArray)工艺生产出来的曲面液晶面板存在栅极与像素电极之间的讯号线负载过高的缺陷。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提供一种显示面板以及显示装置，旨在降低液晶显示装置的阵列基板讯号线的负载。

为实现上述目的，本实用新型提出的一种显示面板，其特征在于，包括阵列基板，所述阵列基板包括：

底板；

栅极，所述栅极位于所述底板上；

源极，所述源极位于所述栅极上；

色阻层，所述色阻层位于所述源极上；

间隔单元，所述间隔单元位于所述色阻层上；

像素电极；

其中，部分所述像素电极直接形成于所述间隔单元上。

进一步地，所述阵列基板还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述栅极和所述源极之间。

进一步地，所述源极上设有通孔，所述源极通过所述通孔电连接至所述栅极。

进一步地，所述色阻层的上表面设有第一绝缘保护层，所述第一绝缘保护层位于所述色阻层与所述间隔单元之间，所述色阻层的下表面设有第二绝缘保护层，所述第二绝缘保护层位于所述源极与所述色阻层之间。

为了实现上述目的，本实用新型还提供一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：

提供一底板；

在底板上形成栅极；

在所述栅极上形成源极；

在所述源极上形成色阻层；

在所述色阻层上形成间隔单元；

在所述间隔单元上直接形成像素电极。

进一步地，所述在所述色阻层上形成间隔单元的步骤包括：

在所述色阻层的上表面涂覆光刻胶；

通过掩模板对所述光刻胶进行曝光处理；

对经过曝光处理的所述光刻胶进行显影处理，以在所述色阻层上形成间隔单元。

进一步地，所述在所述间隔单元上直接形成像素电极的步骤包括：

在所述间隔单元的表面涂覆金属膜；

在所述金属膜的表面涂覆光刻胶；

通过掩模板对所述光刻胶进行曝光处理；

对经过曝光处理的所述光刻胶进行显影和刻蚀处理，以在所述间隔单元上直接形成像素电极；

去除所述像素电极上的光刻胶。

进一步地，所述在所述底板上形成栅极的步骤，包括：

所述底板的上表面涂覆光刻胶；

通过掩模板对所述光刻胶进行曝光处理；

对经过曝光处理的所述光刻胶进行显影和刻蚀处理，以在所述底板上形成栅极。

进一步地，所述在所述栅极上形成源极的步骤之前，还包括：

在所述栅极上形成栅极绝缘层。

为了实现上述目的，本实用新型还提供一种显示面板，其特征在于，包括第一基板以及第二基板，所述第一基板包括：

底板；

栅极，所述栅极位于所述底板上；

源极，所述源极位于所述栅极上；

色阻层，所述色阻层位于所述源极上；

其中，所述色阻层的上表面设有第一绝缘保护层，所述第一绝缘保护层位于所述色阻层与所述间隔单元之间，所述色阻层的下表面设有第二绝缘保护层，所述第二绝缘保护层位于所述源极与所述色阻层之间；

间隔单元，所述间隔单元位于所述色阻层上；

像素电极，部分所述像素电极直接形成于所述间隔单元上；

其中，所述像素电极与所述第二基板抵接。

另外，为了实现上述目的，本实用新型还提供一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括驱动电路以及显示面板，其中，所述显示面板包括：阵列基板，所述阵列基板包括：

底板；

栅极，所述栅极位于所述底板上；

源极，所述源极位于所述栅极上；

色阻层，所述色阻层位于所述源极上；

间隔单元，所述间隔单元位于所述色阻层上；

像素电极；

其中，部分所述像素电极直接形成于所述间隔单元上。

本实用新型的技术方案中，阵列基板包括底板以及依次设置在所述底板上的栅极、源极、色阻层、间隔单元以及像素电极，其中，所述像素电极设置在所述间隔单元上，以增大像素电极与栅极之间的距离变长，使得连接所述像素电极与栅极之间的讯号线变长，减小了像素电极与栅极之间的电容，进而降低了像素电极与栅极之间的讯号线的负载。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型中显示面板的结构示意图；

图2为本实用新型中显示面板制作的流程图；

图3为本实用新型中在色阻层上形成间隔单元的流程图；

图4为本实用新型中在间隔单元上以及色阻层上未形成间隔单元的位置形成像素电极的流程图。

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

参照图1，本实用新型提出一种显示面板，包括阵列基板，所述阵列基板包括底板10、栅极20、源极40、色阻层50、间隔单元60以及像素电极70，所述栅极20位于所述底板10上，所述源极40位于所述栅极20上，所述色阻层50位于所述源极40上，所述间隔单元60位于所述色阻层50上，而部分所述像素电极70直接形成于所述间隔单元60上。

本实用新型中，显示面板的结构包括阵列基板，其中，阵列基板包括底板10以及依次设置在所述底板10上的栅极20、源极40、色阻层50、间隔单元60以及像素电极70，其中，所述像素电极70设置在所述间隔单元60上，以增大像素电极70与栅极20之间的距离变长，使得连接所述像素电极70与栅极20之间的讯号线变长，减小了像素电极70与栅极20之间的电容，进而降低了像素电极70与栅极20之间的讯号线的负载。

进一步地，所述显示面板还包括彩膜基板(图中未标识)，所述彩膜基板与所述阵列基板对盒安装，所述彩膜基板位于像素电极70上。本实用新型中，由于所述像素电极70位于所述间隔单元60上，所述彩膜基板与所述阵列基板对盒安装时，所述像素电极70与所述彩膜基板连接，因此阵列基板上的讯号可通过像素电极70直接传递至彩膜基板上，与现有技术相比，本实用新型中的显示面板减少了导电金属球的设置，减少了面板的制造成本。

进一步地，所述阵列基板还包括栅极绝缘层30，所述栅极绝缘层30设置于所述栅极20和所述源极40之间。在所述栅极20和源极40之间设置栅极绝缘层30以隔离栅极20和源极40，防止所述栅极20和所述源极40接入电路时，两个电极相连接发生短路。

进一步地，所述源极40上设有通孔，所述源极40通过所述通孔电连接至所述栅极20。在所述源极40上设置通孔连通至所述栅极20，还可以消除栅极20与源极40之间的电荷积累，避免两者之间发生静电释放。

为了保护色阻层50，在所述色阻层50的上表面设置第一绝缘保护层(图中未标识)，所述第一绝缘保护层位于所述色阻层50和所述间隔单元60之间，在所述色阻层50的下表面设有第二绝缘保护层(图中未标识)，所述第二绝缘保护层位于所述色阻层50与所述源极40之间。其中，所述第一绝缘保护层和所述第二绝缘保护层采用的是PV材料(PV-聚氯乙烯树脂)。

进一步地，继续参照图2，本实用新型还提出一种显示面板的制造方法，该方法主要包括：提供一底板10；S101，在底板10上形成栅极20；S201，在所述栅极20上形成源极40；S301，在所述源极40上形成色阻层50；S401，在所述色阻层50上形成间隔单元60；S501，在所述间隔单元60上直接形成像素电极70。其中，若所述色阻层50上有部分位置未形成间隔单元60时，则在所述间隔单元60以及所述色阻层50上未形成间隔单元60的位置直接形成像素电极70。

具体地，所述显示面板的制造方法具体包括以下步骤：通过溅射在清洗后底板10上形成一层金属薄膜，然后用栅掩模板将该金属薄膜刻蚀成最下层的金属栅，最后剥离刻胶并清洗；用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition-等离子体增强化学气相沉淀法)连续进行氧化硅非晶硅以及掺杂非晶硅层的淀积，然后用有源区掩模板进行刻蚀；连续淀积形成氮化硅、非晶硅和高掺杂非晶硅三层薄膜，然后用Gray tone(灰色调)掩模板对光刻胶进行曝光，显影后的光刻胶在底板10上方呈凹字形，形成色阻层50；在色阻层50上涂覆光刻胶，然后用Gray tone掩模板对光刻胶进行曝光，显影后的光刻胶在光色组成的上方形成间隔单元60；溅射形成一层氧化铟锡(ITO)，然后用ITO掩膜板进行刻蚀形成像素区域；用PECVD淀积一层氮化硅保护层，并用PVX(Passivation-钝化)掩模板刻蚀出通孔，便于将位于最底层的栅金属与外部电路连接，同时也刻蚀掉像素区域，ITO上面一层氮化硅，增加透光率，ITO可以暴露在空气中，因为其表面可以形成一层薄氧化膜保护层。

本实用新型中，在所述色阻层50形成之后，在所述色阻层50上先形成间隔单元60，进而在所述间隔单元60上直接形成像素电极70，使得处于同一处的像素电极70位于间隔单元60上，所述像素电极70与所述栅极20之间的距离变长，所述像素电极70与所述栅极20之间的电容减小，进而降低了底板10的负载。

进一步地，参照图3，所述色阻层50上形成间隔单元60的步骤包括：S402，在所述色阻层50的上表面涂覆光刻胶；S403，通过掩模板对所述光刻胶进行曝光处理；S404，对经过曝光处理的所述光刻胶进行显影处理，以在所述色阻层50上形成间隔单元60。

进一步地，参照图4，所述间隔单元60上直接形成像素电极70的步骤包括，S502，在所述间隔单元60涂覆金属膜；S503，在所述金属膜上表面涂覆光刻胶；S504，通过掩模板对所述光刻胶进行曝光处理；S505，对经过曝光处理的所述光刻胶进行显影和刻蚀处理，以在所述间隔单元60上直接形成像素电极70或以在所述间隔单元60上以及所述色阻层50上未形成间隔单元60的位置直接形成像素电极70；S506，最后去除所述像素电极70上的光刻胶。

进一步地，所述底板10上形成栅极20的步骤包括，所述底板10的上表面涂覆光刻胶；通过掩模板对所述光刻胶进行曝光处理；对经过曝光处理的所述光刻胶进行显影和刻蚀处理，以所述底板10上形成栅极20。

进一步地，在所述栅极20上形成源极40的步骤之前，还包括在所述栅极20上形成栅极绝缘层30，以隔开所述栅极20和源极40，具体地，在所述栅极20上溅射绝缘材料，使得所述栅极20上形成一层绝缘层，以隔离所述栅极20和源极40。

进一步地，所述栅极绝缘层30上形成源极40的步骤包括，在所述栅极绝缘层30上表面涂覆光刻胶；进而通过掩模板对所述光刻胶进行曝光处理；对经过曝光处理的所述光刻胶进行显影和刻蚀处理，以所述栅极绝缘层30上形成源极40；最后去除所述源极40上的光刻胶。

进一步地，所述栅极20上形成源极40的步骤还包括在所述源极40上开设通孔，所述通孔由源极40连通至所述栅极20，具体地，用PVX掩模板刻蚀出通孔，便于将位于最底层的栅金属与所述源极40电连接。

进一步地，所述源极40上形成色阻层50的步骤包括，首先在所述源极40上溅射PV1(PV-聚氯乙烯树脂)，以在所述源极40表面形成第一绝缘保护层；在所述第一绝缘保护层上表面涂覆C1光刻胶，进而通过掩模板对所述C1光刻胶进行曝光和显影处理；然后在经过曝光和显影处理的所述C1光刻胶上涂覆C2光刻胶，再通过掩模板对所述C2光刻胶进行曝光和显影处理；在经过曝光和显影处理的所述C2光刻胶上涂覆C3光刻胶，并通过掩模板对所述C3光刻胶进行曝光和显影处理，以在所述源极40上形成色阻层50；最后再所述色阻层50上表面溅射PV2(PV-聚氯乙烯树脂)，以在所述色阻层50形成第二绝缘保护层。

继续参照图1，本实用新型还提出一种显示面板，该显示面板包括第一基板以及第二基板(图中未标注)，所述第一基板与所述第二基板对盒安装，其中，所述第一基板包括底板10、栅极20、源极40、色阻层50、间隔单元60以及像素电极70，所述栅极20位于所述底板10上，所述源极40位于所述栅极20上，所述色阻层50位于所述源极40上，所述间隔单元60位于所述色阻层50上，而部分所述像素电极70直接形成于所述间隔单元60上，所述像素电极与所述第二基板抵接，其中，所述色阻层50为位于第一基板上的色阻层50，所述色阻层50的上表面设有第一绝缘保护层，所述第一绝缘保护层位于所述色阻层50与所述间隔单元60之间，所述色阻层50的下表面设有第二绝缘保护层，所述第二绝缘保护层位于所述源极20与所述色阻层50之间。

本实用新型实施例中，所述第一基板为上述阵列基板，所述第二基板为彩膜基板，如此，所述第一基板的具体结构参照上述实施例，由于本实用新型显示面板采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

此外，由于所述像素电极70位于所述间隔单元60上，所述第一基板与所述第二基板对盒安装时，所述像素电极70与所述第二基板连接，因此第一基板上的讯号可通过像素电极70直接传递至第二基板上，如此，本实用新型中的显示面板减少了导电金属球的设置，减少了面板的制造成本。

继续参照图1，本实用新型还提出一种显示装置，所述显示装置包括驱动电路以及显示面板，其中，所述显示面板可以包括阵列基板，所述阵列基板包括底板10、栅极20、源极40、色阻层50、间隔单元60以及像素电极70，所述栅极20位于所述底板10上，所述源极40位于所述栅极20上，所述色阻层50位于所述源极40上，所述间隔单元60位于所述色阻层50上，而部分所述像素电极70直接形成于所述间隔单元60上。

本实用新型实施例中，所述显示面板的具体结构参照上述实施例，由于本实用新型显示装置采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

可以理解的是，所述显示面板还可以包括第一基板以及第二基板(图中未标注)，其中，所述第一基板包括底板10、栅极20、源极40、色阻层50、间隔单元60以及像素电极70，所述栅极20位于所述底板10上，所述源极40位于所述栅极20上，所述色阻层50位于所述源极40上，所述间隔单元60位于所述色阻层50上，而部分所述像素电极70直接形成于所述间隔单元60上，所述像素电极与所述第二基板抵接，其中，所述色阻层50为位于第一基板上的色阻层50，所述色阻层50的上表面设有第一绝缘保护层，所述第一绝缘保护层位于所述色阻层50与所述间隔单元60之间，所述色阻层50的下表面设有第二绝缘保护层，所述第二绝缘保护层位于所述源极20与所述色阻层50之间。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的发明构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (6)

1.一种显示面板，其特征在于，包括阵列基板，所述阵列基板包括：

底板；

栅极，所述栅极位于所述底板上；

源极，所述源极位于所述栅极上；

色阻层，所述色阻层位于所述源极上；

间隔单元，所述间隔单元位于所述色阻层上；

像素电极；

其中，部分所述像素电极直接形成于所述间隔单元上。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述栅极和所述源极之间。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述源极上设有通孔，所述源极通过所述通孔电连接至所述栅极。

4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述色阻层的上表面设有第一绝缘保护层，所述第一绝缘保护层位于所述色阻层与所述间隔单元之间，所述色阻层的下表面设有第二绝缘保护层，所述第二绝缘保护层位于所述源极与所述色阻层之间。

5.一种显示面板，其特征在于，包括第一基板以及第二基板，所述第一基板包括：

底板；

栅极，所述栅极位于所述底板上；

源极，所述源极位于所述栅极上；

色阻层，所述色阻层位于所述源极上；

间隔单元，所述间隔单元位于所述色阻层上；

其中，所述色阻层的上表面设有第一绝缘保护层，所述第一绝缘保护层位于所述色阻层与所述间隔单元之间，所述色阻层的下表面设有第二绝缘保护层，所述第二绝缘保护层位于所述源极与所述色阻层之间；

像素电极，部分所述像素电极直接形成于所述间隔单元上；

其中，所述像素电极与所述第二基板抵接。

6.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括:

驱动电路；以及

如权利要求1-4任意一项所述的显示面板。