JP2015530755A - オプトエレクトロニクスコンポーネントの製造方法、およびオプトエレクトロニクスコンポーネント - Google Patents
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Abstract
Description
2 マイナスにドープされた半導体層
3 プラスにドープされた半導体層
4 ミラー層
5 開口部
6 導電層
7 溝
8 接続層
9 上面
10 キャリア
11 充填材料
13 下面
14 第1の切欠き部
15 第2の切欠き部
16 活性領域
17 絶縁層
18 第1のコンタクトパッド
19 第2のコンタクトパッド
20 上面
21 第1のコンポーネント
22 第2の溝
23 追加絶縁層
24 縁部
25 分離構造
26 変換層
27 レンズ
28 ESDダイオード
29 キャリア構造体
30 ビア
31 さらなるコンタクト部
32 第1の電気コンタクト部
33 第2の電気コンタクト部
34 第2のコンポーネント
35 第3のコンポーネント
36 中心領域
Claims (18)
- 第1の半導体層(2)、第2の半導体層(3)、および光を発生させる活性領域(16)を有する層構造体を成長基板(1)上に成長させ、
前記第1の半導体層の前記成長基板とは反対側にミラー層(4)を形成し、
キャリア(10)の第1の面に接続層(8)によって前記層構造体を固定し、
前記キャリアの第2の面を介して前記層構造体用の電気コンタクト部を導入し、
成長基板を除去する、
オプトエレクトロニクスコンポーネントの製造方法。 - 前記第1の切欠き部が前記第1の半導体層(2)に隣接するように、前記キャリア(10)、前記接続層(8)、および第2の半導体層(3)内に第1の切欠き部(14)を導入し、
前記第1の半導体層(2)を電気的に接続するための第1のコンタクト部(32)を前記切欠き部内に導入する、
請求項1に記載の製造方法。 - 前記第1のコンタクト部(32)を設けるステップは、前記第1のコンタクト部が前記キャリア(10)、前記接続層(8)、および前記第2の半導体層(3)を通って前記第1の半導体層(2)内まで延在するように1回の方法ステップで行われる、
請求項2に記載の製造方法。 - 切欠き部が、前記接続層(8)、前記キャリア(10)、および前記第2の半導体層(3)内に導入され、
前記切欠き部は、第1の半導体層(2)に隣接し、
前記切欠き部の側面を絶縁層で被覆し、
前記第1の半導体層を接続するための第1の電気コンタクト部(32)を前記切欠き部内に導入し、
第2の切欠き部が、前記キャリア内に導入され、
前記第2の切欠き部は、前記ミラー層または前記ミラー層を被覆する導電層に隣接し、
前記第2の切欠き部の側面をさらなる絶縁層で被覆し、
第2の半導体層(3)を接続するための第2の電気コンタクト部(33)を前記第2の切欠き部内に導入する、
請求項1に記載の製造方法。 - a.前記第1および/または前記第2のコンタクト部を導入する前記工程前に、さらなるミラー層を前記第1および/または前記第2の切欠き部の前記側面に形成するか、または、
b.前記活性領域(16)によって発せられる前記光に対して略透過性の接続材料を用い、かつ用いられる前記キャリアが前記接続層に対向する面で鏡面反射性を有するように具現化されるキャリア(10)であるか、または、
c.前記第1のコンタクト部(32)が、前記第1の半導体層に対向する面で鏡面反射性を有するように具現化される、
請求項4に記載の方法。 - 第3の絶縁層が、前記キャリアに形成され、
導電性第1のコンタクトパッド(コンタクトエリア)(18)が、前記第3の絶縁層に形成されかつ前記第1のコンタクト部(32)に接続され、
導電性第2のコンタクトパッド(19)が、前記第3の絶縁層に形成されかつ前記第2のコンタクト部(33)に接続され、
前記第1および第2のコンタクトパッドは、互いに電気的に絶縁し、
第4絶縁層が、前記第1のコンタクトパッドに形成され、
前記第2のコンタクトパッドは、少なくとも部分的に前記第4絶縁層に設けられる、
請求項4または5に記載の方法。 - 前記接続層(8)は、電気絶縁材料から、特に接着材料から形成される、
請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。 - 用いられる前記キャリア(10)は、半導電性または導電性材料であり、特に膜の形態である、
請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。 - 前記成長基板は、前記第1の半導体層の表面から除去され、
前記第1の半導体層の前記成長基板を除去した露出後の前記表面は粗面化される、
請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。 - 用いられる前記キャリアは、ウェハ、特に厚みのある縁部領域を有する薄層化ウェハである、
請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。 - 光を発生させる活性領域を有する第2の半導体層(3)および第1の半導体層(2)を含む層構造体と、ミラー層(4)とを備えるキャリア(10)を含むオプトエレクトロニクスコンポーネントであって、
前記層構造体(2,3)は、接続層(8)を介して前記キャリア(10)の第1の面に接続され、
前記層構造体(2,3)を接続するための第1の電気コンタクト部(32)および第2の電気コンタクト部(33)は、前記キャリア(10)に設けられ、
前記コンタクト部(32,33)は、前記キャリア(10)の前記第1の面から反対側の第2の面に通じ、
前記接続層(8)は、電気絶縁材料から形成される、特に請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法で製造するオプトエレクトロニクスコンポーネント(21,34,35)。 - キャリア(10)と、第1の半導体層(2)、第2の半導体層(3)、および光を発生させる活性領域(16)を有する層構造体とを含む、オプトエレクトロニクスコンポーネントであって、
前記層構造体は、接続層(8)を介して前記キャリアの第1の面に接続され、
前記接続層(8)は、電気絶縁材料から形成され、
前記コンポーネントは、前記層構造体を電気的に接続するための第1のコンタクト部(32)および第2のコンタクト部(33)を有し、
前記第1の半導体層(2)を電気的に接続するための前記第1のコンタクト部(32)は、局所的に前記キャリア(10)の裏面から切欠き部(14)を通り前記第1の半導体層(2)まで延在し、
前記切欠き部は、前記キャリア(10)、前記接続層(8)、および前記第2の半導体層(3)内に形成され、
前記第1のコンタクト部(32)は、前記切欠き部内に連続的に具現化される、
オプトエレクトロニクスコンポーネント(21,34,35)。 - 前記オプトエレクトロニクスコンポーネントのミラー層(4)、前記接続層(8)、前記第2の半導体層(3)、および前記キャリア(10)には、前記切欠き部(14)を存在し、
前記切欠き部(14)は、前記第1の半導体層(2)に隣接し、
前記第2の半導体層(3)は、前記第1の半導体層(2)と前記キャリア(10)との間に配置され、
前記切欠き部(14)の側面は、絶縁層(17)で被覆され、
前記第1のコンタクト部(32)は、前記切欠き部(14)内に配置され、
さらなる切欠き部(15)が、前記キャリア(10)に導入され、
前記さらなる切欠き部(15)は、前記ミラー層(4)または前記ミラー層を被覆する導電層(6)に隣接し、
前記さらなる切欠き部(15)の側面は、絶縁層(17)で被覆され、
前記第2の電気コンタクト部(33)は、前記さらなる切欠き部(15)内に配置される、
請求項12に記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。 - 絶縁層(17)が、前記キャリア(10)に形成され、
導電性第1のコンタクトパッド(コンタクトエリア)(18)が、前記絶縁層(17)に形成されかつ前記第1のコンタクト部(32)に接続され、
導電性第2のコンタクトパッド(19)が、前記絶縁層(17)に形成されかつ前記第2のコンタクト部(33)に接続され、
前記第1および第2のコンタクトパッド(18,19)は、互いに電気的に絶縁し、
さらなる絶縁層(23)は、前記第1のコンタクトパッドに形成され、
前記第2のコンタクトパッド(19)は、部分的に前記さらなる絶縁層(23)にも形成される、
請求項11または12に記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。 - 前記キャリア(10)は、半導電性または導電性材料、特に金属から形成される、
請求項11〜14のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。 - 前記キャリア(10)は、金属または半導体材料から構成される膜の形態で具現化される、
請求項11〜15のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。 - 前記接続層(8)の層厚さは、10μm未満、特に1μm未満であり、
前記キャリア(10)の層厚さは、100μm未満、特に10μm未満である、
請求項11〜16のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。 - 前記活性領域から発せられる前記光に対して略透過性の前記接続材料が提供され、
用いられる前記キャリアは、前記接続層に対向する面で鏡面反射性を有するように具現化されるキャリアである、
請求項11〜16のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
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