JPS62219968A - 光結合半導体装置 - Google Patents
光結合半導体装置Info
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- JPS62219968A JPS62219968A JP61063426A JP6342686A JPS62219968A JP S62219968 A JPS62219968 A JP S62219968A JP 61063426 A JP61063426 A JP 61063426A JP 6342686 A JP6342686 A JP 6342686A JP S62219968 A JPS62219968 A JP S62219968A
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
-
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光結合半導体装置に関するものである。
こ０種の光結合半導体装置１例えばフォトサイリス門め
構造を第２図に示す、第２図に示す二重成型構造のもめ
では、入出力間の内部界面に沿う絶縁距離を十分長くと
るために、入力側である１次側のカソードリード１′の
先端部の表面に発晃ダイ茅ニド等め発光素子２を取着し
、さらに、この発光素子２６皺面に設けられている電極
と図示しない！次側句アノードリードの先端部とをボン
ディングワイヤ３によって接続するとともに、出力側で
ある２茨側のカソードリード４′の先端部の表面に７オ
トサイリスタ等の受光素子５を取着しそ発光素子２と対
向させ、さらに、この受光素子５の表面に設□げ４゛糺
ている電極と図示しない゛２次側の７ノードリードの先
端部とをボンディングワイヤ６１よって接続し１発光素
子２と受光素子５上にコ」ナインｉ材である、例えばゲ
ル状のＪ′ＣＲ６１０９（７ｊ＊すｈンヮニス９等でコ
ーティングし、さらに、カソードリード１’、４’をシ
リコン等の光透過性樹脂７でモールディングする□こと
によ４て光伝逢経路を形成し、またさらに、この光透過
性樹脂７を覆うように光不透過性樹脂８でモールドし、
内部および外部モールドと同時にモールドキュアするよ
うにしたものである。
構造を第２図に示す、第２図に示す二重成型構造のもめ
では、入出力間の内部界面に沿う絶縁距離を十分長くと
るために、入力側である１次側のカソードリード１′の
先端部の表面に発晃ダイ茅ニド等め発光素子２を取着し
、さらに、この発光素子２６皺面に設けられている電極
と図示しない！次側句アノードリードの先端部とをボン
ディングワイヤ３によって接続するとともに、出力側で
ある２茨側のカソードリード４′の先端部の表面に７オ
トサイリスタ等の受光素子５を取着しそ発光素子２と対
向させ、さらに、この受光素子５の表面に設□げ４゛糺
ている電極と図示しない゛２次側の７ノードリードの先
端部とをボンディングワイヤ６１よって接続し１発光素
子２と受光素子５上にコ」ナインｉ材である、例えばゲ
ル状のＪ′ＣＲ６１０９（７ｊ＊すｈンヮニス９等でコ
ーティングし、さらに、カソードリード１’、４’をシ
リコン等の光透過性樹脂７でモールディングする□こと
によ４て光伝逢経路を形成し、またさらに、この光透過
性樹脂７を覆うように光不透過性樹脂８でモールドし、
内部および外部モールドと同時にモールドキュアするよ
うにしたものである。
しかしながら、上記従来の二重成型構造のフォトサイリ
スタでは入出力間の内部界面に沿う絶縁距離を十分長く
とろうとすると外形が大きくなってコンパクト化するこ
とが困難であるという欠点を有していた。
スタでは入出力間の内部界面に沿う絶縁距離を十分長く
とろうとすると外形が大きくなってコンパクト化するこ
とが困難であるという欠点を有していた。
この発明は、上記従来の欠点を除去するためになされた
もので、光結合半導体装置の入出力間の内部界面に沿う
絶縁距離を従来の大きさの外形を保ちながら十分長くと
るようにした光結合半導体装置を提供するものである。
もので、光結合半導体装置の入出力間の内部界面に沿う
絶縁距離を従来の大きさの外形を保ちながら十分長くと
るようにした光結合半導体装置を提供するものである。
この発明に係る光結合半導体装置は、発光素子および受
光素子が対向配置されて取着されるカソードリードの先
端部に凹部を形成したものである。
光素子が対向配置されて取着されるカソードリードの先
端部に凹部を形成したものである。
この発明においては、発光素子および受光素子がそれぞ
れ凹部に取着されることから、入出力間の内部界面に沿
う絶縁距離が従来と同じ外形で長くとれる。
れ凹部に取着されることから、入出力間の内部界面に沿
う絶縁距離が従来と同じ外形で長くとれる。
第１図はこの発明の光結合半導体装置の一実施例を示す
断面図で、第２図と同一符号は同一構成部分を示す、こ
の図において、入力側のカソードリード１の先端部の表
面に凹部１ａを形成し、この凹部１ａに発光素子２を取
着し、さらに、この発光素子２の表面に設けられている
電極と図示しない入力側の７ノードリードの先端部とを
ボンディングワイヤ３にて接続し、次に発光素子２をコ
ーテイング材であるゲル状のＪＣＲ６１０９のシリコン
ワニス９等によって半球状に覆う、そして次に、出力側
のカソードリード４の先端部の表面に凹部４ａを形成し
、この凹部４ａに受光素子５を取着し、この受光素子５
の表面に設けられている電極と図示しない出力側の７ノ
ードリードの先端部とをボンディングワイヤ６によって
接続したものを、発光素子２と受光素子５とが対向する
ように配置する。さらに、受光素子５にシリコ”シワニ
ス９等をコーティングした後、溶融シリカ等の充てん剤
が添加されている光透化性樹脂７によって内側のモール
ディングを行う、この内部モールディング後に光不透過
性樹脂８によって外側のモールディングを行う、その後
、外部、内部モールドのモールドキュアを施し、この発
明の光結合半導体装置が形成される。
断面図で、第２図と同一符号は同一構成部分を示す、こ
の図において、入力側のカソードリード１の先端部の表
面に凹部１ａを形成し、この凹部１ａに発光素子２を取
着し、さらに、この発光素子２の表面に設けられている
電極と図示しない入力側の７ノードリードの先端部とを
ボンディングワイヤ３にて接続し、次に発光素子２をコ
ーテイング材であるゲル状のＪＣＲ６１０９のシリコン
ワニス９等によって半球状に覆う、そして次に、出力側
のカソードリード４の先端部の表面に凹部４ａを形成し
、この凹部４ａに受光素子５を取着し、この受光素子５
の表面に設けられている電極と図示しない出力側の７ノ
ードリードの先端部とをボンディングワイヤ６によって
接続したものを、発光素子２と受光素子５とが対向する
ように配置する。さらに、受光素子５にシリコ”シワニ
ス９等をコーティングした後、溶融シリカ等の充てん剤
が添加されている光透化性樹脂７によって内側のモール
ディングを行う、この内部モールディング後に光不透過
性樹脂８によって外側のモールディングを行う、その後
、外部、内部モールドのモールドキュアを施し、この発
明の光結合半導体装置が形成される。
したがって、この実施例によれば、光伝達効率および信
頼性上も従来の品質を維持し、カソードリード１，４の
先端部に形成した凹部１ａおよび４ａの分だけ入出力間
の内部界面に沿う絶縁距離を長くすることができる。
頼性上も従来の品質を維持し、カソードリード１，４の
先端部に形成した凹部１ａおよび４ａの分だけ入出力間
の内部界面に沿う絶縁距離を長くすることができる。
なお、上記実施例においてはフォトサイリスタについて
述べたが、フォトトランジスタ、フォトトチイアツクに
ついても同様に適用できることはもちろんである。
述べたが、フォトトランジスタ、フォトトチイアツクに
ついても同様に適用できることはもちろんである。
この発明は以上説明したとおり、入力側および出力側の
カソードリードの先端部の表面に凹部を形成したので、
・光伝達効率および信頼性を損なうことなく、入出力間
の内部界面に沿う絶縁距離を長くすることができる光結
合半導体装置が得られる等の利点を有するものである。
カソードリードの先端部の表面に凹部を形成したので、
・光伝達効率および信頼性を損なうことなく、入出力間
の内部界面に沿う絶縁距離を長くすることができる光結
合半導体装置が得られる等の利点を有するものである。
第１図はこの発明の光結合半導体装置の一実施例の構成
を示す断面図、第２図はフォトサイリスタの構成を示す
断面図である。 図において、１，４はカソードリード、１ａ 。 ４ａは凹部、２は発光素子、３，６はボンディングワイ
ヤ、５は受光素子、７は光透過性樹脂、８は光不透過性
樹脂、９はシリコンワニスである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
を示す断面図、第２図はフォトサイリスタの構成を示す
断面図である。 図において、１，４はカソードリード、１ａ 。 ４ａは凹部、２は発光素子、３，６はボンディングワイ
ヤ、５は受光素子、７は光透過性樹脂、８は光不透過性
樹脂、９はシリコンワニスである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 入力側のカソードリードの先端部に設けられた発光素子
と、この発光素子に対向して出力側のカソードリードの
先端部に受光素子が設けられ、前記両素子を、これら両
素子間の光伝達経路を形成する充てん剤を添加した光透
過性樹脂でモールディングし、前記充てん剤を添加した
光透過性樹脂を覆うように光不透過性樹脂でモールディ
ングした光結合半導体装置において、前記発光素子およ
び受光素子が取着される各リードの取着部分を凹形状に
形成したことを特徴とする光結合半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61063426A JPS62219968A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 光結合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61063426A JPS62219968A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 光結合半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62219968A true JPS62219968A (ja) | 1987-09-28 |
Family
ID=13228947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61063426A Pending JPS62219968A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 光結合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62219968A (ja) |
-
1986
- 1986-03-20 JP JP61063426A patent/JPS62219968A/ja active Pending
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