JPS6232663A - 光結合半導体装置の製造方法 - Google Patents
光結合半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6232663A JPS6232663A JP60172607A JP17260785A JPS6232663A JP S6232663 A JPS6232663 A JP S6232663A JP 60172607 A JP60172607 A JP 60172607A JP 17260785 A JP17260785 A JP 17260785A JP S6232663 A JPS6232663 A JP S6232663A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light transmitting
- resin
- light
- molding
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光結合半導体装置の製造方法に関するもの
である。
である。
第２図は従来の光結合半導体装置の一例であるフォトサ
イリスタカプラの構造図で、１は入力側（−次側）のカ
ソードリード、２は発光ダイオード等からなる発光素子
、３は入力側のポンディングワイヤ、４は出力側（二次
＠）のカソードリード、５は受光素子、６は出力側のポ
ンディングワイヤ、Ｔは充填剤の添加された透光性樹脂
、８は不透光性樹脂、９は透光性のシリコンフェスであ
るＯ 第２図に示した二重成製構造のフォトサイリスクカプラ
は、入出力間の内部界面に沿う絶縁距離が十分長くとれ
るため、入力側では１次側のカソードリード１の先端部
に発光素子２を取着し、さらに、この発光素子２０表面
に設げられている電極と図示しない１次側の７ノードリ
ードの先端部とをポンディングワイヤ３によって接続し
、出力側では２次側のカソードリード４の先端部にフォ
トサイリスク等の受光素子５を取着して前記発光素子２
と対向させ、さらＫ、この受光素子５０表面に設げられ
ている電極と図示しない２次側のアノードリードの先端
部とをポンディングワイヤ６によって接続し、発光素子
チップ上にシリコンフェス９等でコーティングし、さら
Ｋ、入力側およ、び出力側のカソードリード１．４をエ
ポキシ等の透光性樹脂Ｔでモールディングして光伝達経
絡を形成し、またさらに、この透光性樹脂Ｔを覆うよ５
に不透光性樹脂８でモールディングした後、透光性樹脂
７および不透光性樹脂８のモールドキュアを行った構成
となっている。
イリスタカプラの構造図で、１は入力側（−次側）のカ
ソードリード、２は発光ダイオード等からなる発光素子
、３は入力側のポンディングワイヤ、４は出力側（二次
＠）のカソードリード、５は受光素子、６は出力側のポ
ンディングワイヤ、Ｔは充填剤の添加された透光性樹脂
、８は不透光性樹脂、９は透光性のシリコンフェスであ
るＯ 第２図に示した二重成製構造のフォトサイリスクカプラ
は、入出力間の内部界面に沿う絶縁距離が十分長くとれ
るため、入力側では１次側のカソードリード１の先端部
に発光素子２を取着し、さらに、この発光素子２０表面
に設げられている電極と図示しない１次側の７ノードリ
ードの先端部とをポンディングワイヤ３によって接続し
、出力側では２次側のカソードリード４の先端部にフォ
トサイリスク等の受光素子５を取着して前記発光素子２
と対向させ、さらＫ、この受光素子５０表面に設げられ
ている電極と図示しない２次側のアノードリードの先端
部とをポンディングワイヤ６によって接続し、発光素子
チップ上にシリコンフェス９等でコーティングし、さら
Ｋ、入力側およ、び出力側のカソードリード１．４をエ
ポキシ等の透光性樹脂Ｔでモールディングして光伝達経
絡を形成し、またさらに、この透光性樹脂Ｔを覆うよ５
に不透光性樹脂８でモールディングした後、透光性樹脂
７および不透光性樹脂８のモールドキュアを行った構成
となっている。
上記のような従来の二重成型構造のフォトサイリスタカ
ブラでは、内側の成型に用いられる透光性樹脂７とシリ
コンワニス９との熱膨張係数が異なるので、通電状態を
続けると内部モールドとシリコンワニス９との密着性が
悪くなるとともに。
ブラでは、内側の成型に用いられる透光性樹脂７とシリ
コンワニス９との熱膨張係数が異なるので、通電状態を
続けると内部モールドとシリコンワニス９との密着性が
悪くなるとともに。
クリアランスが生じるため第３図にモールドキュアなし
とし−て示すよ５に、発光素子２から受光素子５への光
伝達効率は著しく低下するという問題点があった。
とし−て示すよ５に、発光素子２から受光素子５への光
伝達効率は著しく低下するという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、光伝達効率の向上およびその信頼性の向上を図っ
た光結合半導体装置の製造方法を得ることを目的とする
。
ので、光伝達効率の向上およびその信頼性の向上を図っ
た光結合半導体装置の製造方法を得ることを目的とする
。
この発明に係る光結合半導体装置の製造方法は、透光性
樹脂によるモールディング後、モールドキュアを行い、
その後、不透光性樹脂でモールディングするようにした
ものである・ 〔作用〕 この発明においては、透光性樹脂とＸＡ光素子または受
光素子をコーティングする透光性ワニスとの密着がよく
なる。
樹脂によるモールディング後、モールドキュアを行い、
その後、不透光性樹脂でモールディングするようにした
ものである・ 〔作用〕 この発明においては、透光性樹脂とＸＡ光素子または受
光素子をコーティングする透光性ワニスとの密着がよく
なる。
第１図（ａ）、 （ｂ）はこの発明の光結合半導体装
置の製造方法の一実施例の工程を示す因で、第２図と同
一符号は同一部分を示す。以下、工程について説明する
。
置の製造方法の一実施例の工程を示す因で、第２図と同
一符号は同一部分を示す。以下、工程について説明する
。
第１図（ａ）に示すように入力側のカソードリード１の
先鴻部に発光素子２を堆層し、さらに、この発光素子２
の我面に設けられている電極と図示しない入力側の７フ
ードリードの先端部とをボンディングワイヤ３によって
接続し１次ＶＣ発光素子２′ｌｔ透光性ワニス、例えば
シリコンワニス９によってコーティングする。そして、
次に出力側のカ元素子５０表面に設けられている電極と
図示しない出力側の７フードリードの先端部とをボンデ
ィングワイヤ６によって接続した後、発光素子２と受光
素子５とが対向するように配置する。そして。
先鴻部に発光素子２を堆層し、さらに、この発光素子２
の我面に設けられている電極と図示しない入力側の７フ
ードリードの先端部とをボンディングワイヤ３によって
接続し１次ＶＣ発光素子２′ｌｔ透光性ワニス、例えば
シリコンワニス９によってコーティングする。そして、
次に出力側のカ元素子５０表面に設けられている電極と
図示しない出力側の７フードリードの先端部とをボンデ
ィングワイヤ６によって接続した後、発光素子２と受光
素子５とが対向するように配置する。そして。
シリカ等の充填剤が添加されている透光性樹脂Ｔによっ
てモールディングを行った後、モールドキュアを実施す
る。その後、第１図（ｂ）に示すように不透光性樹脂８
によってそ一ルディングを行った後、透光性樹脂Ｔおよ
び不透光性樹脂８のモールドキュアを行う。したがって
、透光性樹脂Ｔとシリコンワニス９との界面にクリアラ
ンスを生ずることがなく信頼性が向上する。例えば、第
３図にモールドキュアありとして示すように通電連続試
験での光トリガ電流の変化が全くなくなる。
てモールディングを行った後、モールドキュアを実施す
る。その後、第１図（ｂ）に示すように不透光性樹脂８
によってそ一ルディングを行った後、透光性樹脂Ｔおよ
び不透光性樹脂８のモールドキュアを行う。したがって
、透光性樹脂Ｔとシリコンワニス９との界面にクリアラ
ンスを生ずることがなく信頼性が向上する。例えば、第
３図にモールドキュアありとして示すように通電連続試
験での光トリガ電流の変化が全くなくなる。
なお、上記実施例においては、フォトサイリスタカブラ
について述べたが、同様にフォトトランジスタカプラ、
フォトトライアックカプラについても適用できることは
いうまでもない。
について述べたが、同様にフォトトランジスタカプラ、
フォトトライアックカプラについても適用できることは
いうまでもない。
この発明は以上説明したとおり、透光性樹脂でモールデ
ィング後直ちにモールドキュアを行うよ５にしたので、
透光性樹脂と透光性フェスとの密着性が向上し、前記透
光性樹脂と透光性フェスとのクリアランスが全くなくな
り、光伝達効率、信頼性および製造歩留りが向上すると
いう効果がある。
ィング後直ちにモールドキュアを行うよ５にしたので、
透光性樹脂と透光性フェスとの密着性が向上し、前記透
光性樹脂と透光性フェスとのクリアランスが全くなくな
り、光伝達効率、信頼性および製造歩留りが向上すると
いう効果がある。
第１図（ａ）、 （ｂ）はこの発明の光結合半導体装
置の製造方法の一実施例の工程を示す図、第２図は光結
合半導体装置の一例であるフォトサイリスタカブラの構
造図、第３図は通電連続試験の結果を示す図である。 図において、１は入力側のカソードリード、２は発光素
子、３は入力側のボンディングワイヤ、４は出力側のカ
ソードリード、５は受光素子、６は出力側のボンディン
グワイヤ、Ｔは透光性樹脂。 ８は不透光性樹脂、Ｓはシリコンワニスである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 ９シリコンワニス （ｂ） 普 第２図 へ 第３図 晦閏□ 手続補正書（自発） 昭和 年 月 日 特許庁長官殿 域へ１
・事件の表示 特願日召Ｇｏ−０１７２８０７号２
・発明の名称 光結合半導体装置の製造方法３、補
正をする者 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第５頁１８行の「フォトトライアックカプラに」
を、「フォトトライアックカプラ等のカプラ製品に」と
補正する。 以上
置の製造方法の一実施例の工程を示す図、第２図は光結
合半導体装置の一例であるフォトサイリスタカブラの構
造図、第３図は通電連続試験の結果を示す図である。 図において、１は入力側のカソードリード、２は発光素
子、３は入力側のボンディングワイヤ、４は出力側のカ
ソードリード、５は受光素子、６は出力側のボンディン
グワイヤ、Ｔは透光性樹脂。 ８は不透光性樹脂、Ｓはシリコンワニスである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 ９シリコンワニス （ｂ） 普 第２図 へ 第３図 晦閏□ 手続補正書（自発） 昭和 年 月 日 特許庁長官殿 域へ１
・事件の表示 特願日召Ｇｏ−０１７２８０７号２
・発明の名称 光結合半導体装置の製造方法３、補
正をする者 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第５頁１８行の「フォトトライアックカプラに」
を、「フォトトライアックカプラ等のカプラ製品に」と
補正する。 以上
Claims (1)
- 発光素子およびこの発光素子と対向する受光素子の少な
くとも一方を透光性ワニスで覆い、前記発光素子と受光
素子を透光性樹脂でモールディングして封止したのち、
モールドキユアを行い、その後、不透光性樹脂によつて
モールディングして封止することを特徴とする光結合半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172607A JPS6232663A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 光結合半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172607A JPS6232663A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 光結合半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6232663A true JPS6232663A (ja) | 1987-02-12 |
Family
ID=15945002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60172607A Pending JPS6232663A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 光結合半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6232663A (ja) |
-
1985
- 1985-08-05 JP JP60172607A patent/JPS6232663A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4946242A (en) | Optical part including integral combination of optical fiber and light emitting or receiving element and method of manufacturing the same | |
| JPS6232663A (ja) | 光結合半導体装置の製造方法 | |
| JPS6254974A (ja) | 光結合半導体装置 | |
| JP3816114B2 (ja) | 光結合装置 | |
| TWI700838B (zh) | 以二次封膠成型之層疊光耦合器及其封裝方法 | |
| KR100298880B1 (ko) | 광결합소자및그제조방법 | |
| JPS6018850Y2 (ja) | ホト・カプラ | |
| JPH05218491A (ja) | 光結合装置 | |
| JPS62219968A (ja) | 光結合半導体装置 | |
| JPS62143485A (ja) | 光結合素子 | |
| KR100271423B1 (ko) | 광결합소자 및 그 제조방법 | |
| JPH0211794Y2 (ja) | ||
| JPS6020587A (ja) | 光結合器の製造方法 | |
| JPS5911457Y2 (ja) | 光結合半導体装置 | |
| JP2985533B2 (ja) | 高伝達効率フォトカプラ | |
| JPH0614562B2 (ja) | 光結合装置 | |
| JPH0349403Y2 (ja) | ||
| JPS6133654Y2 (ja) | ||
| JPH07226533A (ja) | 光結合素子およびその製造方法 | |
| JPS61140183A (ja) | フオトカプラ | |
| JPH05327004A (ja) | 光結合半導体装置 | |
| JPS63175483A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JPH07131059A (ja) | 光半導体結合装置 | |
| JPS63245968A (ja) | 光結合装置 | |
| JPH0634269U (ja) | 光結合装置 |