JPS61255076A - 光結合半導体装置 - Google Patents
光結合半導体装置Info
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- JPS61255076A JPS61255076A JP60097104A JP9710485A JPS61255076A JP S61255076 A JPS61255076 A JP S61255076A JP 60097104 A JP60097104 A JP 60097104A JP 9710485 A JP9710485 A JP 9710485A JP S61255076 A JPS61255076 A JP S61255076A
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- JP
- Japan
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- light
- leads
- semiconductor device
- resin
- photocoupling
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- Pending
Links
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光結合半導体装置に係り、特に工作機械や端末
等の制御機器のインターフェイスとして用いられる光結
合素子の絶縁耐圧改善に関する。
等の制御機器のインターフェイスとして用いられる光結
合素子の絶縁耐圧改善に関する。
一般に光結合素子（以下ホトカプラと称す）は第５図に
示すように、発光素子ｌと受光素子２が各々マウントさ
れ比金属リード３．３′を対向して配し、前記素子１．
２は光透過性樹脂４で結合され、全体は光不透過の樹脂
５でモールドされ次構造となっている。このようなホト
カプラの絶縁耐圧は、入出力間距離すなわち発光側、受
光側リード間の距離で支配されているが、リード先端は
露出状態にあり、更には針状加工となっていると規定耐
圧以下で絶縁破壊する不具合が生じる。
示すように、発光素子ｌと受光素子２が各々マウントさ
れ比金属リード３．３′を対向して配し、前記素子１．
２は光透過性樹脂４で結合され、全体は光不透過の樹脂
５でモールドされ次構造となっている。このようなホト
カプラの絶縁耐圧は、入出力間距離すなわち発光側、受
光側リード間の距離で支配されているが、リード先端は
露出状態にあり、更には針状加工となっていると規定耐
圧以下で絶縁破壊する不具合が生じる。
本発明の目的は、このような不具合が生ぜず、絶縁耐圧
の高い光結合半導体装置を提供することにある。
の高い光結合半導体装置を提供することにある。
本発明の光結合半導体装置の構成は、外部樹脂内に位置
し、少なくとも光透過性樹脂と接する発光側、受光側リ
ードの端部が前記樹脂と異なる絶縁体物質で被覆されて
なることを特徴とする。
し、少なくとも光透過性樹脂と接する発光側、受光側リ
ードの端部が前記樹脂と異なる絶縁体物質で被覆されて
なることを特徴とする。
次に図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の実施例の光結合半導体装置を示す斜視
図、第２図は第１図のｂ−ｂ’線の断面図、第３図はｍ
１図のａ −ａ ’線の断面図である。
図、第２図は第１図のｂ−ｂ’線の断面図、第３図はｍ
１図のａ −ａ ’線の断面図である。
これら図において、本光結合半導体装置は、外部樹脂２
５内のリード３３．３３’ は互いに対向して配置さ
れ、各々発光素子３１．受光素子３２が設けられ、この
周囲は光透過性樹脂２４が設けられている。ところで、
リード３３．３３’ の端部はセラミック等の高絶縁性
物質３６．３６’ ｔ−１覆する。第４図は、このリ
ード端部の高絶縁性物質３６．３６’ の被覆状態を示
す斜視図である。
５内のリード３３．３３’ は互いに対向して配置さ
れ、各々発光素子３１．受光素子３２が設けられ、この
周囲は光透過性樹脂２４が設けられている。ところで、
リード３３．３３’ の端部はセラミック等の高絶縁性
物質３６．３６’ ｔ−１覆する。第４図は、このリ
ード端部の高絶縁性物質３６．３６’ の被覆状態を示
す斜視図である。
同図において、リード３６の端側部と両側部を被うよう
に、高絶縁性物質３６が示されている。
に、高絶縁性物質３６が示されている。
以上説明し友ように、本発明によれは、リードの先端露
出防止針状保護がなされ、絶縁耐圧のばらつきを抑えた
ホトカプラが出来る。
出防止針状保護がなされ、絶縁耐圧のばらつきを抑えた
ホトカプラが出来る。
第１図は本発明の一実施例の光結合半導体装置の斜視図
、第２図は第１図のｂ−ｂ’線に沿って切断して見比断
面図、第３図はｍ１図のａ −ａ ’線に沿って切断し
て見比断面図、ｍ４図は第３図のリードを詳細に示し几
斜視図、第５図は従来の光結合半導体装置の断面図であ
る。描図において、１．３１−°゛・・・発光素子、２
．３２・・・・・・受光素子、３．３３．３３’ ・・
・・・・金属リード、４．２４・旧・・光透過性樹脂、
５．２５・・団・外部樹脂（光不透過性）、３６．３６
’・・・・・・絶縁体。 代理人 弁理士 内 原 晋 ・′。
、第２図は第１図のｂ−ｂ’線に沿って切断して見比断
面図、第３図はｍ１図のａ −ａ ’線に沿って切断し
て見比断面図、ｍ４図は第３図のリードを詳細に示し几
斜視図、第５図は従来の光結合半導体装置の断面図であ
る。描図において、１．３１−°゛・・・発光素子、２
．３２・・・・・・受光素子、３．３３．３３’ ・・
・・・・金属リード、４．２４・旧・・光透過性樹脂、
５．２５・・団・外部樹脂（光不透過性）、３６．３６
’・・・・・・絶縁体。 代理人 弁理士 内 原 晋 ・′。
Claims (1)
- 外部樹脂内に位置し、少なくとも光透過性樹脂と接する
発光側、受光側リードの端部が前記樹脂と異なる絶縁体
物質で被覆されてなることを特徴とする光結合半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60097104A JPS61255076A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 光結合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60097104A JPS61255076A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 光結合半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61255076A true JPS61255076A (ja) | 1986-11-12 |
Family
ID=14183298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60097104A Pending JPS61255076A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 光結合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61255076A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07226533A (ja) * | 1994-02-10 | 1995-08-22 | Nec Corp | 光結合素子およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-05-08 JP JP60097104A patent/JPS61255076A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07226533A (ja) * | 1994-02-10 | 1995-08-22 | Nec Corp | 光結合素子およびその製造方法 |
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