TW484191B - Solid-state imaging device and manufacturing method thereof - Google Patents

Solid-state imaging device and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
TW484191B
TW484191B TW089128321A TW89128321A TW484191B TW 484191 B TW484191 B TW 484191B TW 089128321 A TW089128321 A TW 089128321A TW 89128321 A TW89128321 A TW 89128321A TW 484191 B TW484191 B TW 484191B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
solid
state imaging
imaging element
mentioned
transparent substrate
Prior art date
Application number
TW089128321A
Other languages
English (en)
Inventor
Masao Nakamura
Original Assignee
Sharp Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Kk filed Critical Sharp Kk
Application granted granted Critical
Publication of TW484191B publication Critical patent/TW484191B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687—Wafer level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14632—Wafer-level processed structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05573—Single external layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

4^4191
五、發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明之區域 本發明係、關種固態攝影裝置及其製造方法，其固能 攝影元件之安裝係使用覆面接合（Face Down Bonding)工法7 發明之背景 以往之固態攝影裝置，舉例來説、已公告於日本特開平 6-204442公報（1994年7月22日公告）之固態攝影裝置有之。 上述固態攝影裝置之概略結構顯示於圖n，其製造方法顯 示於圖12至圖15。 如圖11所示，上述固態攝影裝置之結構爲：對於玻璃基 板101，有形成突起電極1〇5之固態攝影元件1〇2以導電性接 著劑106接著之，於上述玻璃基板1〇1與固態攝影元件1〇2間 4 2隙中，將固態攝影元件1〇2之受光區域i〇2a以外之範圍 以密封樹脂107密封之。於玻璃基板1〇1上，形成輸出電子 k唬足電極端子群103，及該電極端子群1〇3上之周圍以絕 緣性樹脂形成之突起框1 〇4。 上述固態攝影裝置之製造方法爲：首先第一步驟如圖12 所示，對於設於上述固態攝影元件1〇2上之突起電極1〇5， 以轉印法塗佈導電性接著劑1〇6。 其次，於第二步驟中，如圖13(a)及圖13(b)所示，於上述 玻堝基板101上，在以蒸鍍法形成銅（Cu)等之金屬膜後，於 涊金屬膜施行配線加工形成電極端子群丨〇3，再次，使用以 %氧樹脂（Epoxy)系材料爲主成份之糊料（paste)以印刷法形 成突起框104。 接績之第二步驟中，如圖丨4所示，將已轉印導電性接著 •-----------裝--------訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} -4-
484191 五、發明說明（2 ) 劑⑽之固態攝影元件丨〇2，與上述第二步驟印刷環氧 (EP〇Xy)系材料形成之突起框刚之玻璃基板⑻接合後，於 加熱裝置加熱使壤兩W丨、^ …導％性接气^^〇6與突起框1〇4硬化。 最後之第四步驟中，攝 ㈣^⑻之空隙間，在Γϊ^4之外周範圍以密封樹 月曰1〇7汉\後，於加熱裝置加熱使密封樹脂107硬化。 上述固態攝影裝置，係將由玻璃基板101方面射入之光線 經固態攝影元件1()2變換爲電子信號，該電子信號介由突起 電極105及電極端子群1G3以影像信號向外部輸出之裝置。 上述固態攝影裝置，若光線射入之區域，亦即上述受光 區域购附著異物，由於該異物遮住入射光，使異物於輸 出影像j以黑點映出。因此之故，上述固態攝影裝置之製 造過程嚴格要求不得在受光區域1()2靖著任何異物。 具體的異物對策，舉例來説，有以下所示三種方法。第 一種方法爲嚴格管理異物的高清淨度環境下製造固態攝影 裝置=方法，第二種方法爲追加除去附著之異物步驟之方 法’第三種方法爲在製造步驟上避免於受光面上之處理與 及操作之方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 但疋，以上述習知之技術，對設於固態攝影元件⑻的突 起電極105轉印導電性接著劑106之步驟，及對於玻璃基板 101印刷^起框104之步馬聚’在受光面上進行操作I其:要 ’在該等作業中有附著異物之虞。 此外，形成導電性接著劑106及突起框104之樹脂的硬化 ，係固態攝影元件102與及玻璃基板101安裝後，經加熱裝 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱 A7 A7
五、發明說明（3 ) 置加熱而做成的。因此，在上述固態攝影元件⑽轉印導電 性接#劑106之後，或者在上述坡璃基板⑻印刷突起框叫 之後的狀態下，即使認定在固態攝影元件1〇2或是坡璃基板 101上有異物附著，因爲導電性接著劑1〇6與突起框104在尚 未灰固的狀態之故，不能進行去除異物之步驟，而有不能 一次去除附著於受光面之異物的問題。 匕 再者，在清淨度高的環境下製造上述固態攝影裝置之方 法，雖可以適用於上述習知的固態攝影裝置，但其製造步 驟必需在嚴格管理異物之無塵室（clean Room)内之故，而有 設備成本高昂之問題。 此外，上述固態攝影裝置，係在玻璃基板丨〇 1界面上直接 形成金屬膜之故，由該金屬膜形成電極端子群丨03之配線加 工’有被要求非常高的技術（使用乾蝕刻，Dry Etching工法 對金屬膜進行蝕刻直到玻璃基板1 〇丨與金屬膜之正前方，然 後以濕姓刻，Wet Etching工法在不使玻璃基板1〇1之受光區 域之界面變粗糙下除去金屬膜）之問題。 發明之概述 本發明之主要目的是：防止於受光面異物之附著，提供 價廉且高品質之固態攝影裝置及其製造方法。 爲達成上述目的，本發明提供一種固態攝影裝置及其製 造方法，包含：於透明基板上形成絕緣層之絕緣層形成步 驟；於上述絕緣層上依設定配線圖（Pattern)形成配線層之配 線層形成步驟；於上述配線層形成後，在依上述絕緣層形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484191 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4 ) 成步驟所形成之上述絕緣層中，去除對應於固態攝影元件 〈受光區域部份，露出該透明基板受光區域之絕緣層去除 步膝；及接合固態攝影元件於上述配線層以安裝該固態攝 影元件於上述透明基板之接合步驟。 依上述之構成，在最初之絕緣層形成步驟，上述透明基 板之党光面表面爲絕緣層所覆蓋，該絕緣層在其後之配線 層开y成步驟進行處理（Handling)與操作（Operation)間，成爲 上述透明基板之受光面表面之保護者。其次，於上述透明 基板與固態攝影元件將要接合之接合步驟之前的絕緣層去 除步驟，在上述絕緣層中，去除對應於上述固態攝影元件 足受光區域的部份，露出該透明基板之受光區域表面。 經此，在上述配線層形成步驟中，即使上述絕緣層之對 應於上述固態攝影元件之受光區域的部份附著異物，在其 後之絕緣層去除步驟，可將該異物與上述絕源層一齊去除 。因此’在上述製造方法中，可儘可能的排除製造步驟中 有異物附著之虞的作業，可實現高生產性之製造製程 (Process)，對於今後漸趨裝入小型與薄型化之固態攝影裝 置的製品，可提供更高品質與價廉之固態攝影裝置。 再者，經由上述配線層形成步驟所形成之配線層，非亩 接形成於透明基板上，而係介由經絕緣層形成步驟所形成 之絕緣層而形成於透明基板上。因此，於上述配線層之配 線的配線形成（Patterning)時可在不使上述透明基板表面七 菩下容易的進行配線形成。還可使上述透明基板與配線層 得到良好的密著性。 曰 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝--------訂-------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484191 A7 B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 五、發明說明（ 本發明更多的其它目的、特徵及優點，可經由下述記載 所不#到充份的瞭解。#者，纟發明之利點，$考附件圖 示由下述説明可以明白。 較佳貫施例之説明 本發明的貫施形態之一，基於圖示説明如下。 關方；本只施形怨之固態攝影裝置的概略結構如圖1及圖2 所π。圖1爲上述固態攝影裝置之剖面圖，圖2爲分解立體 圖。 一 上述固悲攝影裝置，學膠片（Film)製成之 透明基板1上接合固態攝影元件2而〜成。上述透明基板1，具 備·汉有對應於上述固態攝影元件2的受光區域之開口的絕 緣腠3，與及在絕緣膜3上形成圖案之配線（配線層）4所形成 。此外，上述固態攝影元件2，具備：爲接續該固態攝影元 件2於上述配線4而形成之突起電極5。上述透明基板丨與上 述固®攝影元件2，於上述配線4之内側端子與突起電極5接 觸而接合，透明基板1與固態攝影元件2之周圍的空隙間以 密封樹脂6密封。再者，於上述配線4外側端子，爲使其易 於和外部回路連接形成突起電極7。 於圖1及圖2之固態攝影裝置，在上述固態攝影元件2，有 形成未圖π之遮光用金屬膜。但是，若上述固態攝影元件2 未備有遮光用金屬膜時，如圖3及圖4所示，遮光用金屬膜 備於透明基板1亦可。亦即，不是在透明基板1之絕緣膜3上 形成配線4，而是在絕緣膜3上面形成遮光用金屬膜8，於其 上再形成纟巴緣膜9。其次，上述配線4形成於絕緣膜9上。此 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
▼裝--------訂---------線I -8- 484191 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 A7 B7 發明說明（6 ) 外，上述遮光用金屬膜8及絕緣膜9，與絕緣膜3同樣，在對 應於固態攝影元件2之受光區域處設有開口。 上述遮光用金屬膜8設於透明基板1上時，有以下所示利 點。 首先，在透明基板1方面設遮光用金屬膜8，於固態攝影 元件2之製造製程中，可省去在該固態攝影元件2形成遮光 用金屬膜之製程。因此，固態攝影元件2之製造成本降低， 並且使在固態攝影元件2上形成遮光用金屬膜之製程中該固 態攝影元件2之受光區域附著塵埃之虞減輕。 此外，將TiW等之遮光用金屬膜8配置於配線4之下層， 可得到與上述配線4同時形成的對準標記之對比（Contrast 〇f Alignment Mark)(上述對準標誌與配線4同樣形成於A卜而 兩者之金屬膜的反射率不同之故），於透明基板1與固態攝 影7G件2接合之接合步驟中，上述對準標記使其在影像認識 時沒有邊緣（Edge)之誤認，可達到高精度之接合（B〇nding)。 再者，若省去上述遮光用金屬膜8之一部份，固態攝影元 件2接合於透明基板丨時可作爲對照位置之基準點（pin)位置 之標德。藉此’可省去在製造的製程中施行基準點標誌之 步驟。 上述固怨攝影裝置之製造方法，參考圖50)至5(丨）說明如 下。再者，以下之説明係以透明基板丨上有形成遮光用金屬 膜8時之步驟爲例説明。 第步’喊如圖5(a)所示’於厚度〇·5 mm〜0.7 mm之玻離等 之透明板或者光學膠片（Film)製成之透明基板上，以 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21Q χ 297公爱） -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7
or cvD(Chemieal v㈣ Des_)法或咖㈣⑽ Vap Depos心啦，將训2等_膜或S1N等之氮化膜做絕緣 膜3’形成 nm〜1_ nmg。上述絕緣膜3,在後面以 蚀刻做受Μ域之開口而成爲絕緣膜3,但在此時點不進行 姓d &使边月基板1之文光區域在配線加工完成前得到保 護。透明基板1因絕緣膜3,之形成，使該透明基板丨，與在 其上形成之配線等之金屬膜可得到可得到良好之密著性。 其次，第二步驟如圖5(b)所示，將做遮光用金屬膜8 用之TiW或WSi之金屬薄膜8，以CVD法或PVD法層疊至 100 nm〜200 nm之厚度，於遮光區域形成光致抗蝕（ph〇t〇 Resist) 10之圖案。之後’如圖5(c)所示，將上述金屬薄膜不 要部份以乾或濕蝕刻去除，形成遮光用金屬膜8。此外，此 際，在將遮光區域中光致抗蝕丨〇之圖案的一部份去除之同 時，也可將其做爲上述金屬膜中，與其後將接合之固態攝 影元件2對向部份外側部份之一部份之外的基準點標誌。 上述遮光用金屬膜8形成後，第三步驟如圖5(d)所示，於 上述遮光用金屬膜8上，將做絕緣膜9用之Si〇2等之酸化膜或 SiN等之氮化膜以CVD法或PVD法層疊至500 nm〜1〇〇〇 nm之 厚度的絕緣膜9’，於該絕緣膜9,上於後步驟將層疊爲配線區 域處形成光致抗蝕11之圖案。之後，如圖5(e)所示，將上述 絕緣膜9’不要部份以乾蝕刻去除，形成絕緣膜9。於上述絕 緣膜9’蝕刻之際，因對應於固態攝影元件2之受光區域部份 ，到配線加工終了前有保護之目的，故在第一步驟成膜之 絕緣膜3 ’之蝕刻前不予進行。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210 X 297公釐） -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 484191 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 一 —___ B7__ 五、發明說明（8 ) 此外，上述第二及第三步驟，係形成遮光用金屬膜8時必 要之步驟，如圖1及圖2所示之不設遮光用金屬膜8之固態攝 影裝置的製造步驟中則可省略之。 接續之第四步驟如圖5(f)所示，將合金金屬材料以Pvd法 之一的喷射（Sputtering)法層疊至1〇〇〇聰〜1〇000 nm之厚度 的配線用金屬膜4 ’後，於該配線用金屬膜4 ’上面依希望之配 線形狀形成光致抗蝕12之圖案（Pattern)，其後，如圖5(g)所 示，將上述配線用金屬膜4,不要部份以乾蝕刻法去除，形 成配線4。此外，上述合金金屬材料，可用半導體元件之配 線材料之一般使用的銘爲主材料的Al-Si或Al-Si-Cu等。再 者，上述配線用金屬膜4,之所以使用噴射法成膜，係因噴 射法與瘵鍍法等不同，不須將用料加熱到溶融溫度在低溫 下即可成膜，可彳于到殘留應力少之金屬膜而更適用之故。 最後之第五步驟如圖5(h)所示，爲在上述絕緣膜3,形成圖 案，在對應於固態攝影元件2之受光區域部份以外處形成 光致抗蝕13之圖案。之後，爲在不傷害受光區域之透明基 板1界面下去除絕緣膜3,之不須要部份，以濕蝕刻於受光區 域做開口 ’形成絕緣膜3。 藉此，即使在配線4等之製造步驟中於絕緣膜3，有異物附 著，於该透明基板1上安裝固態攝影元件2之前需去除成爲 固態攝影元件2之受光區域的絕緣膜3，的不須要部份，故附 著於絕緣膜3,上之異物也在此際同時除去。於上述絕緣膜3, I蝕刻步驟後，透明基板丨之受光面上的處理與操作已經不 疋必要的步驟，故該透明基板丨之受光區域的異物附著之虞 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484191 A7 五、發明說明（9 可降到最小限度，得以有受光面有異物附 造步.¾ " 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述或明之各步驟中， 一 g ^ , ^ U)U)所不罘—步驟相 ^ ^ ^ π (g)斤不罘四步驟相當於 配泉層En，圖5(h)、圖5(。所示第五步驟相當 層去除步驟。 對於透明基板_⑷至圖5⑴所示步驟，係對應於複數 個I透明基板以四角形(圖6)或圓形(圖7)等之透明基板母 材施行。較圖6與圖7明確的説，個別的透明基板W對應於 透明基板母材形成矩陣狀。 、 接著，於上述透明基板1上之固態攝影元件2之安裝步驟 ，參考圖8(a)至圖8(c)、圖9(a)及圖9(b)説明之。 /水 首先，對於上述固態攝影元件2，如圖8(a)所示，於受光 面側之電極端子以焊錫球接合（BaU Binding)法形成突起電 極5。此外，上述突起電極5，也可在製造固態攝影元件2之 晶圓製程上以電鍍法形成。 其次’如圖6或圖7所示透明基板母材上，於各透明基板1 上進行安裝各自之固態攝影元件2。各固態攝影元件2係 於形成於透明基板1之配線4以突起電極5連接而各自安裝一 去。此處，上述配線4之圖案例，如圖1 〇所示。上述配線4 ’備有與固態攝影元件2連接用之内部電極端子4a群與外部 電極端子4b群，此外，於外部電極端子4b群列中形成認 標諸（基準點位置）4c。另外，各内部電極端子4a與外部電 端子4b，係各自1對1對應連接著，上述固態攝影元件2之輸 此夕 對 上 識 極 ------------•裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁，> 訂---------線 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 484191 Λ7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（1〇 ) 出/入電子信號係介由内部電極端子4a及外部電極端子仆進 行。 上述固態攝影元件2安裝於透明基板㈣，如圖8(b)所示 ，將固態攝影元件2對著透明基板!合向的放置(面朝下， Face Down)以超首波連接工法將固態攝影元件2與透明基板 乂口至接口。此處，於圖8(b)所示上述步驟，才目當於接合 步驟。 此外，上述接合時之固態攝影元件]與透明基板丨之位置 的對合’係以上述認識標誌4c爲基準進行。亦即，上述認 叫払漶4c，係對於配線4之固態攝影元件2做校準時之校準 標誌i再者，於上述固態攝影元件2也形成校準標誌。於上 述固怨攝影兀件2與配線4間插入鏡頭在配線4之認識標誌4c 與固態攝影元件2之校準標語之校準進行後，抽出鏡頭接合 =態攝影元件2與配線m，上述固態攝影元件2之突起 電極5得以與上述配線4之内部電極端子乜確實連接。 再者，上逑認識標誌4c，在與本實施形態有關之組裝固 態攝影裝置於周邊裝置時可利用到。亦即，上述認識標誌 4c，即使於後步驟之塗佈密封樹脂後，因配置於不被該密 封樹脂掩蓋之位置，使本固態攝影裝置組裝於其它周邊裝 置之際，亦可做爲認識標誌使用。 此外’上述固態攝影元件2與上述透明基板1之連接，雖 可用導私性接著劑及加壓加熱等方法，但若以超音連接工 法可得到低溫連接及鬲產出（Thr〇ugh put)之效果。以低溫 連接時，透明基板1方面之配線4因係以高擴散係數之鋁系 297公釐） -------------------訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -13- 484191 A7
合金:斤形成，即使最大在丨00。“呈度之低溫也可連接。另 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 卜尤產a來5兄’因爲只要再外加超音波即形成合金接A 冗成，故可得到高產出。 ° 再者，上述固態攝影元件2及上述透明基板丨之連接， 爲不是採導電性接著劑而使用超音波連接工法，在 前的固態攝影元件2’其表面不存在未硬化之接著劑。因： ，上述固態攝影元件2可以在其安裝之前設洗淨等之豈物去 除步驟。是以，上述固態攝影元件2之受光面附著之異物可 儘力的減少之，由於受光區域之異物附著所產生之不良可 減少。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，如圖8(c)所示，對固態攝影元件2安裝於各透明基 …上之後的透明基板母材，於僅稍大於各固態攝影元件2 之區域以護罩14對合’於其上用熱硬化性之密封樹脂6以印 刷法塗佈於固態攝影元件2之外周。上述密封樹脂6於固態 π件2外周全部塗佈之目&，係爲確保透明基板1與固 態：影元件2之間所形成的空間(受光區)之高氣密性，爲使 口心知F〜元件2之文光感度提高，確保設於該固態攝影元件 L表面之透明樹脂性的微鏡片（MierQ Lens)之機能與耐濕可 靠性之故。此處’如圖8⑷所示上述步驟相#於密封步骤。
上述做爲密封樹脂使用之熱硬化性之樹脂，以150 S 以上250 Pa · s以下之高黏度具有觸變（Thix〇)性之性質者爲 理想。通用該熱硬化性之樹脂，於固態攝影^件2與透明基 板1之空隙間壓人之樹脂量可用印刷時所用於滾輪15之按壓 荷重來做控制。 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 484191 A7 B7 12 五、發明說明（ 此外，上述形成密封樹脂6之方法，不以印刷法，而以從 上面爿f知f知洗灌（P〇tting)方法也可考慮。但是，洗灌樹脂之 万法，因洗灌之樹脂會擴散到固態攝影元件2之周圍，對欲 圖固態攝影裝置之小型化上是不利的。對此，上述印刷法 ’可用護罩14來抑制樹脂之擴散，使固態攝影裝置能小型 化。但是，若上述密封樹脂6之黏度不滿1 50 pa · s時，則密 封樹脂6之黏度過低，會向透明基板1與固態攝影元件2的接 合邵的間隙擴散到固態攝影元件2之受光表面，若上述密封 树月曰6之黏度超過25〇 pa · s時，則密封樹脂6之黏度過高， 使用印刷法會有困難。 其次’如圖9(a)所示，對設於透明基板1之外部電極端子 4b以焊錫球接合法形成突起電極7。該突起電極7，於組裝 固態攝影裝置於其它周邊裝置時，有助於與周邊機器之配 線可以容易的連接。最後，如圖9(b)所示上述步驟相當於切 割（Dicing)步驟。 以上爲有關本實施形態之固態攝影裝置之基本的製造方 法’圖9(a)所示步驟中對於透明基板1於形成突起電極7後， 圖9(b)所示步驟中進行固態攝影裝置之切割前，對於固態攝 影裝置形成矩陣狀之透明基板母材，若進行電子試驗或攝 影試驗，可再得到更高之生產性。 於以上説明之固態攝影裝置之製造方法，透明基板丨與固 ® k影元件2之接合步驟（圖8(b)之步驟）以前的步驟中，透 明基板1及固態攝影元件2之受光面上的處理與操作除了 = 態攝影元件2之突起電極5的形成步驟以外皆無。固態攝_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) |裝--------訂---------線j 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 484191 五、發明說明（η ) =2與透明基板丨之接合終了後之步驟，因係以互相之受 面相向的配置之故，該受光面不會產生異物之附著。因 :二上述之製造方法，對在受光面有異物附著之虞的製 、的減”得以將受光面之異物附著抑制在最低限度 之下 〇 訂 :以上所述，本發明之固態攝影裝置之製造方法係在安 ^透明基板上安裝固態攝影裝置者，其包含：絕緣層形成 ’其係上述透明基板上形成絕緣層者；配線層形成步 曝其係在上迷絕緣層上依設定之圖案形成配線層者；絕 緣層去除步驟，其係上述配線層形成後，依上述絕緣層形 成步驟形成之上述絕緣層中，將對應於上述固態攝影元件 (文光區域部份去除，使該透明基板之受光區域表面露出 者；及接合步驟，其係將上述固態攝影元件接合於上述配 線層者。 在上述構成下，在最初之絕緣層形成步骤中上述透明基 # 板之受光表面被絕緣層所覆蓋，該絕緣層於其後之配線^ 形成步驟之處理與操作進行間，保護上述透明基板之受^ 表面。在上述透明基板之接合固態攝影元件之接合步驟之 前的絕緣層去除步驟中，上述絕緣層中，將對應於上述固 態攝影元件之受光區域部份去除，使該透明基板之受光區 域露出。 藉此，於上述配線層形成步驟中，即使上述絕緣層之上 述對應於上述固態攝影元件之受光區域部份附著異物，於 其後之絕緣層去除步驟中，該異物將與上述絕緣層被共同 本紙張尺度適用t國國家標準（CNSM4規格（210 X 297公爱 -16 A7 B7__ 五、發明說明（14 ) 去除因此，上述製造方法，於製造步驟中已將有異物附 著之虞的作業儘可能的排除，可實現高生產性之製程’對 於今後日漸小型、薄型化之裝有固態攝影裝置之製品，可 以提供更高品質而價廉之固態攝影裝置。 此外，上述配線層形成步驟形成之配線層，不直接形成 万；边明基板上，而係介由依上述絕緣層形成步驟形成之絕 緣層而形成於透明基板上。因此，於上述配線層之圖案形 成，可以在不損害上述透明基板之受光表面下容易的進行 之圖案形成。另外，還可得上述透明基板與配線層良好之 密著性。 、再者，上述固態攝影裝置之製造方法，在上述配線層形 成步I，配線層I圖案形成時，與配線圖案形成之同時形 ”別標誌，於上述接合步驟，上述識別標誌與形成於固 〜知F〜元件之枝準；^德做爲基準進行校準，而使固態攝影 元件之電極與上述配線圖案之固態攝影元件用連接端子連 接爲理想。 ，依上这構成，因上述識別標德之形成係與配線圖案之形 成同時進行之故是有效率的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、此外，上述固態攝影裝置之製造方法，於上述配線層形 成步驟形成之配線圖案係鋁（A1)系合金材料所形成之同時， 上述固態攝影元件爲與上述配線連接之電極設有突起電極 ，万；上述接合步驟，固態攝影元件之突起電極與上述配線 圖案之固態攝影元件用連接端子以超音波連接工法連接爲 理想。 -17- 484191 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（15) 依上述構成，於上述連接步驟，固態攝影元件之突起電 板人上述配線圖案之固態攝影元件用連接端子以超音波連 接工法連接，因透明基板側之配線以擴散係數高之鋁系合 至材料所形成，即使最大也能在100 °c程度之低溫下容易 的接合’而得以低溫連接。此外，只施加超音波即形成合 金冗成接合，故得以有高產出。 再者’上述固態攝影元件與上述透明基板之連接，因不 以導電性接著劑而採用超音波連接工法，在安裝之前之固 悲知f影凡件，其表面不會存在未硬化狀態之接著劑。因此 ’在上述固態攝影元件安裝之前可設洗淨等之異物去除步 驟。所以，上述固態攝影元件之受光面之異物附著可極力 的減少，由於受光區域之異物附著產生之不良得以減少。 此外，上述固態攝影裝置之製造方法中，上述固態攝影 裝L«幸乂佳係於1片之透明基板母材上形成複數個之固態攝影 取置形成矩陣狀後，以切割步驟分割個別之固態攝影裝置 而形成者，且另包含密封步驟，在上述連接步驟之後上述 切割步驟之前，從上述透明基板母材之安裝有固態攝影元 件U 復盍一具有較上述固態攝影元件大之開口部之護罩 ，以印刷法將上述固態攝影元件與上述護罩之開口部之間 隙以樹脂壓入，藉此於固態攝影元件之周圍形成密封樹 脂。 在上述構成下，於上述固態攝影元件周圍之密封樹脂之 擴散得以抑制，可使固態攝影裝置小型化。亦即，形成密 封樹脂之方法，以往經常使用之澆灌法，因澆灌下之密封 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） {請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 訂i B7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（16 ) 于月曰曰擴政到固態攝影元件之周圍，故對固態攝影 小型彳匕右' A/f ^ <- 不利。不用印刷法，從上澆灌樹脂之方法也被 考慮。 久 對此，方人I·、+、匕 & i旦 、上述印刷法，上述密封樹脂中，被壓入上迷固 “A〜凡件與僅稍大於固態攝影元件之上it護罩之開口部 之門隙，故忒密封樹脂可經上述護罩抑制其擴散。 此發明又詳細說明中所述之具體的實施形態與實施例， 畢兄/、疋爲說明本發明之技術内容者，不可狹義的解釋爲 限定於琢等具體例而已，本發明之精神如以下記载之專 利申清範圍，能做種種變更而實施。 、 圖式之簡單説明 圖1係本發明實施形態之一的固態攝影裝置之結構之剖面 圖。 圖2係圖1所示之固態攝影裝置之分解立體圖。 圖3係本發明之其它實施形態的固態攝影裝置之結構之剖 面圖。 圖4係圖3所示之固態攝影裝置之分解立體圖。 圖5(a)至圖5(i)係圖3所示之固態攝影裝置於透明基板上 所施行之步驟之説明圖。 圖ό係上述固態攝影裝置形成矩陣狀之四角形狀的透明基 板母材之立體圖。 圖7係上述固態攝影裝置形成矩陣狀之圓形狀的透明基板 母材之立體圖。。 圖8(a)至圖8(c)係固態攝影元件於透明基板上所施行安裝 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I i« n —>i n n an Hi n n« n 0 n n i>— n I 1 an 一 t n ϋ an n ϋ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) #·
484191 五、發明說明（) 步驟之部份步驟説明圖。 圖9⑷及圖9⑻係固態攝影元件於透明基板上所施行安裝 步骤之部份步驟說明圖。 圖ίο係形成於透明基板上之配線圖案（Pattern)之一例的 平面圖。 圖11係習知之固態攝影裝置之結構之剖面圖。 圖12係上述習知之固態攝影裝置之製造步驟中，於固態 攝影元件上塗佈導電性接著劑之塗佈步驟之説明圖。 圖13(a)及圖13(b)係上述習知之固態攝影裝置之製造步驟 中’於透明基板上形成突起框之步驟之説明圖。 圖14係上述習知之固態攝影裝置之製造步驟中，接合透 明基板與固態攝影元件步驟之説明圖。 圖15係上述習知之固態攝影裝置之製造步驟中，於固態 攝影元件周圍形成密封樹脂步骑之説明圖。 符號之説明 ------------裝---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 1 透明基板 2 固態攝影元件 3 絕緣膜（絕緣層） 4 配線（配線層） 4a 識別標TJT 5 突起電極 6 备封樹脂 8 遮光用金屬膜 14 封罩 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱）

Claims (1)

  1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 g --———---__ 六、申請專利範圍 1. 一種固態攝影裝置之製i告古、、土 ^ , 、 灰以万去，其係在安裝透明基板上 安裝固態攝影裝置者，其包含： 絕緣層形成步驟，JL伤、夫 /、係上述透明基板上形成絕緣層 者； 配線層形成步·驟，並作太μ、_p κ /、你在上述絕緣層上依設定之圖案 形成配線層者； 絕緣層去除步驟，其係上述配線層形成後，依上述絕 緣：：成步驟形成之上述絕緣層中，將對應於上述 固悲攝影7G件之受光區域部份去除，使該透明基板 之受光區域表面露出者；及 接合步驟，其係將上述固態攝影元件接合於上述配線 層者。 2，如申請專利範圍第1項之固態攝影裝置之製造方法，其中 在上述配線層形成步驟中，形成配線層之圖案時，與配 線圖案同時形成識別標誌，於上述接合步驟中，以上述 識別標誌與形成於固態攝影元件之校準標誌做爲基準進 行板準’而使固態攝影元件之電極與上述配線圖案之固 態攝影元件用連接端子連接。 3.如申請專利範圍第1或2項之固態攝影裝置之製造方法， 其中於上述配線層形成步驟形成之配線圖案係鋁（Α1)系 合金材料所形成者，且上述固態攝影元件中設置有與上 述配線連接之電極做爲突起電極，於上述接合步驟，固 態攝影元件之突起電極與上述配線圖案之固態攝影元件 用連接端子以超音波連接工法連接。 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 484191 申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 t申叫專利範圍第1或2項之固態攝影裝置之製造方法， /、中上述固怨攝影裝置係於1片之透明基板母材上形成複 數個足固怨攝影裝置形成矩陣狀後，以切割步驟分割個 别心固態攝影裝置而形成者，且 二G。在封步驟，在上述連接步驟之後上述切割步驟之 ::仗上述透明基板母材之安裝有固態攝影元件側，覆 蓋一具有較上述固態攝影元件大之開口部之護罩，以印 刷法將上述固態攝影元件與上述護罩之開口部之間隙以 树壓入，藉此於固態攝影元件之周圍形成密封樹脂。 5·如申請專利範圍第3項之固態攝影裝置之製造方法，其中 上述=態攝影裝置係於}片之透明基板母材上形成複數個 义固態攝影裝置形成矩陣狀後，以切割步驟分割個別之 固態攝影裝置而形成者，且 2包含密封步驟，在上述連接步驟之後上述切割步驟之 則，從上述透明基板母材之安裝有固態攝影元件側，覆 盍具有幸父上述固態攝影元件大之開口部之護罩，以印 刷法將上述固態攝影元件與上述護罩之開口部之間隙Z 樹脂壓入，藉此於固態攝影元件之周圍形成密封樹脂。 6·如申請專利範圍第1項之固態攝影裝置之製造方法，其1 有： …、 遮光用金屬膜形成步驟，在上述絕緣層形成形成步贤 與上述配線層形成步驟之間，上述絕緣層上形 3 光用金屬膜；及 " 7 遮 遮光用金屬膜去除步驟，於該遮光用金屬膜形成乎把 -22 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} -裝 ----訂---- # A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 办成（上述遮光用金屬膜中，將對應於上述固態攝 影元件之受光區域部份去除。如申請專利範圍第㈣之固態攝影裝置之製造方法，其中 在上ϋ遮光用至屬膜去除步驟中，於上述遮光用金屬膜 中去除對應於固態攝影元件之受光區域部份之同時，將 與上述固態攝影裝置對向部份之外側—部份 基準點位置。 ^ 一種固態攝影裝置，其在安裝有固態攝影元件安裝之透 明基板上’依序包含： 絕緣層；及 配線層，連接於固態攝影元件，且對該固態 ’ 輸出電氣信號；且 几件 上述透明基板之受光區域表面有霖出。 9. 如申請專利範圍第8項之固態攝影裝置，其中 係鋁（Α1)系合金材料製成者。 —、'泉層 10. 如申請專利範圍第8或9項之固態攝影裝置，其中上 態攝影元件之外周圍以密封樹脂覆蓋。 ^固11·如中請專利範S1第Η)項之固態攝影裝置，其中上述 樹脂之黏度爲150?&1以上，且25();^1以下。山封 12·如中請專利範ujp項之固態攝影裝置，其中上述絕緣居 與上述配線層間有遮光用金屬膜。 曰 7. 8· (請先閱讀背面之注意事項再本頁} 二叮_ 丨線· 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
TW089128321A 2000-03-22 2000-12-29 Solid-state imaging device and manufacturing method thereof TW484191B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000080370A JP3494948B2 (ja) 2000-03-22 2000-03-22 固体撮像装置およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW484191B true TW484191B (en) 2002-04-21

Family

ID=18597481

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW089128321A TW484191B (en) 2000-03-22 2000-12-29 Solid-state imaging device and manufacturing method thereof

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6406941B2 (zh)
JP (1) JP3494948B2 (zh)
KR (1) KR100427993B1 (zh)
TW (1) TW484191B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI810241B (zh) * 2018-02-05 2023-08-01 日商迪思科股份有限公司 分割預定線的檢測方法

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4212255B2 (ja) * 2001-03-30 2009-01-21 株式会社東芝 半導体パッケージ
JP4840953B2 (ja) * 2001-05-08 2011-12-21 アオイ電子株式会社 光半導体装置の作製方法
EP1626588A3 (en) * 2002-03-18 2008-03-26 Sarcos Investment LC Miniaturized imaging device
US8614768B2 (en) 2002-03-18 2013-12-24 Raytheon Company Miniaturized imaging device including GRIN lens optically coupled to SSID
US7787939B2 (en) 2002-03-18 2010-08-31 Sterling Lc Miniaturized imaging device including utility aperture and SSID
JP4012751B2 (ja) * 2002-03-22 2007-11-21 株式会社リコー 半導体装置、画像読取ユニット及び画像形成装置
US7496230B2 (en) * 2003-06-05 2009-02-24 International Business Machines Corporation System and method for automatic natural language translation of embedded text regions in images during information transfer
US7475390B2 (en) * 2004-01-12 2009-01-06 International Business Machines Corporation System and method for automatic natural language translation during information transfer
US8689125B2 (en) * 2003-10-23 2014-04-01 Google Inc. System and method for automatic information compatibility detection and pasting intervention
US6864116B1 (en) * 2003-10-01 2005-03-08 Optopac, Inc. Electronic package of photo-sensing semiconductor devices, and the fabrication and assembly thereof
JP3838573B2 (ja) 2003-10-23 2006-10-25 松下電器産業株式会社 固体撮像装置
US7478336B2 (en) * 2003-11-06 2009-01-13 International Business Machines Corporation Intermediate viewer for transferring information elements via a transfer buffer to a plurality of sets of destinations
JP2005202382A (ja) * 2003-12-18 2005-07-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 光プリント回路基板、面実装型半導体パッケージ、及びマザーボード
US7346853B2 (en) * 2004-01-12 2008-03-18 International Business Machines Corporation Online learning monitor
US7340685B2 (en) * 2004-01-12 2008-03-04 International Business Machines Corporation Automatic reference note generator
JP4310266B2 (ja) * 2004-12-06 2009-08-05 パナソニック株式会社 感光性硬化樹脂の塗布方法および接着方法
JP4694276B2 (ja) * 2005-06-13 2011-06-08 アオイ電子株式会社 光検出半導体装置の製造方法
JP4778370B2 (ja) * 2005-11-09 2011-09-21 アオイ電子株式会社 電子部品の製造方法
CN100468665C (zh) * 2005-12-02 2009-03-11 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像感测晶片封装制程
JP4451864B2 (ja) * 2006-07-11 2010-04-14 浜松ホトニクス株式会社 配線基板及び固体撮像装置
JP2008109378A (ja) * 2006-10-25 2008-05-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイスモジュールとその製造方法および光学デバイスユニットとその製造方法
US7835074B2 (en) 2007-06-05 2010-11-16 Sterling Lc Mini-scope for multi-directional imaging
WO2009008259A1 (ja) * 2007-07-09 2009-01-15 Konica Minolta Opto, Inc. 撮像装置の製造方法、撮像装置及び携帯端末
US7969659B2 (en) 2008-01-11 2011-06-28 Sterling Lc Grin lens microscope system
US8690762B2 (en) 2008-06-18 2014-04-08 Raytheon Company Transparent endoscope head defining a focal length
US8486735B2 (en) 2008-07-30 2013-07-16 Raytheon Company Method and device for incremental wavelength variation to analyze tissue
US9060704B2 (en) 2008-11-04 2015-06-23 Sarcos Lc Method and device for wavelength shifted imaging
JP2011022860A (ja) * 2009-07-16 2011-02-03 Sony Corp 生体認証装置
WO2011041730A2 (en) 2009-10-01 2011-04-07 Jacobsen Stephen C Light diffusion apparatus
US9144664B2 (en) 2009-10-01 2015-09-29 Sarcos Lc Method and apparatus for manipulating movement of a micro-catheter
US9661996B2 (en) 2009-10-01 2017-05-30 Sarcos Lc Needle delivered imaging device
US8828028B2 (en) 2009-11-03 2014-09-09 Raytheon Company Suture device and method for closing a planar opening
WO2013132815A1 (ja) * 2012-03-09 2013-09-12 日本電気株式会社 電子部品内蔵モジュールおよび電子機器並びに電子部品内蔵モジュールの製造方法
JP6270339B2 (ja) * 2013-05-22 2018-01-31 オリンパス株式会社 撮像装置、撮像装置の製造方法、及び内視鏡システム
JP6396650B2 (ja) * 2013-09-30 2018-09-26 オリンパス株式会社 撮像ユニットおよび内視鏡装置
KR102033313B1 (ko) * 2016-03-02 2019-10-18 주식회사 탑 엔지니어링 카메라 모듈 제조 설비

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5012386A (en) * 1989-10-27 1991-04-30 Motorola, Inc. High performance overmolded electronic package
JP2888040B2 (ja) * 1992-07-10 1999-05-10 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
JPH06204442A (ja) 1993-01-07 1994-07-22 Matsushita Electron Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JPH11164209A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Toshiba Corp 固体撮像素子の取付装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI810241B (zh) * 2018-02-05 2023-08-01 日商迪思科股份有限公司 分割預定線的檢測方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3494948B2 (ja) 2004-02-09
US6406941B2 (en) 2002-06-18
US20010024848A1 (en) 2001-09-27
KR20010092663A (ko) 2001-10-26
KR100427993B1 (ko) 2004-04-27
JP2001267545A (ja) 2001-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW484191B (en) Solid-state imaging device and manufacturing method thereof
US7547955B2 (en) Semiconductor imaging device and method for manufacturing the same
US7923798B2 (en) Optical device and method for fabricating the same, camera module using optical device, and electronic equipment mounting camera module
TW563359B (en) Image pickup device and process for producing the same
TW200933845A (en) Semiconductor package and camera module
JP5047243B2 (ja) 光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
KR100791730B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
TWI253149B (en) Semiconductor device, module for optical devices, and manufacturing method of semiconductor device
JP3880278B2 (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP4832500B2 (ja) 電子素子ウエハモジュールの製造方法および光学素子ウエハモジュールの製造方法
TW492193B (en) Solid-state image pickup apparatus and manufacturing method thereof
CN102376731B (zh) 图像拾取模块和照相机
KR100730726B1 (ko) 카메라 모듈
JP2009099591A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
JP4819152B2 (ja) 光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
TW200411853A (en) Semiconductor device manufacturing method
WO2008044675A1 (fr) Dispositif d'imagerie à semi-conducteurs
WO2013075650A1 (zh) 图像传感器芯片的封装方法以及摄像模组
CN102386192A (zh) 制造光学传感器的方法、光学传感器和包括其的照相机
JP2010165939A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP2010080591A (ja) カメラモジュール及びその製造方法
WO2020003796A1 (ja) 固体撮像装置、電子機器、および固体撮像装置の製造方法
JP2009081201A (ja) 裏面照射型撮像装置の製造方法
US8158452B2 (en) Backside-illuminated imaging device and manufacturing method of the same
JP2004187243A (ja) 撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees