CN1428868A - 光器件及其制造方法、光模件、电路基板以及电子机器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种高质量的光器件及其制造方法、光模件、电路基板以及电子机器。使透光性的第1基板(10)与形成多个具有光学部分(22)的光元件(100)的第2基板(20)、通过具有围住各个光学部分(22)的形状的隔板(18)而相对向。通过隔板(18)将第1基板(10)以及第2基板(20)连接并密封各个光学部分(22)。将第2基板(20)切断成每个都含有一个密封的光学部分22的光元件(100)。

Description

光器件及其制造方法、光模件、电路基板以及电子机器
技术领域
本发明涉及光器件及其制造方法、光模件、电路基板以及电子机器。
背景技术
我们知道，具有受光部等光学部的光元件，在具有光学部分的表面和用于密封的盖子之间设置空间比较好。因此，将光元件切断、构成单片后，在光学部分与盖子之间设置空间并用盖子将光学部分密封的光器件的制造方法广为人知。在利用刻模机等切断晶片等基板时会产生切屑等。如果该切屑等异物以附着在光学部分上的状态被密封，则随后无法将异物从该空间内除去，光器件的质量会降低。特别是在具有带微型透镜的光学部分的固体摄象装置的情况下，由于微型透镜具有凹凸的形状，所以异物容易附着，很难完全除去。因此，在具有带微型透镜的光学部分的情况下，有固体摄象装置的质量更容易降低这样的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供高质量的光器件及其制造方法、光模件、电路基板以及电子机器。
(1)本发明的光器件的制造方法，包括
(a)使透光性的第1基板与形成多个具有光学部分的光元件的第2基板、通过具有围住各个所述光学部分的形状的隔板相对向；
(b)通过由所述隔板将所述第1基板和所述第2基板连接、并利用所述第1基板以及所述隔板、密封各个所述光学部分；
(c)将所述第2基板切断成每个都含有一个被密封的所述光学部分的所述光元件。
根据本发明，由于在密封第2基板的光学部分之后切断第2基板，所以在光学部分上不容易附着异物或细毛。这样，能够减少在密封部内部进入异物的情况，能够得到高质量的光器件。
(2)在该光器件的制造方法中，也可以在所述(c)工序中进而将所述第1基板切断，所述第1基板用第1切刀切断，所述第2基板用第2切刀切断。
(3)在该光器件的制造方法中，所述第1切刀的宽度也可以比所述第2切刀的宽度大。
这样，第1基板的切断区域的宽度比第2基板的切断区域的宽度大。
(4)在该光器件的制造方法中，所述光元件也可以在所述光学部分的外侧具有电极，并当在所述(c)工序中切断所述第1基板时，将所述第1基板上的所述电极的上方的部除去。
这样，由于第1基板上的电极的上方开放，所以容易对电极进行电气连接。
(5)在该光器件的制造方法中，所述第1基板也可以具有沿着切断线的槽，并在所述(c)工序中，在形成所述槽的区域切断所述第1基板。
这样，在切断第1基板上的形成槽的部分的情况下，因为该部的厚度比其它部薄，所以能够不容易对第2基板造成损伤。而且也能够指明第1基板的切断位置。另外，与切断没有形成槽的部分相比，能够使第1切刀的前端不接近第2基板而切断第1基板。
(6)在该光器件的制造方法中，也可以在所述(a)工序中，在所述第1或者第2基板中的一个上形成所述隔板，在所述(b)工序中，将所述第1或者第2基板中的另一个安装在所述隔板上。
(7)在该光器件的制造方法中，所述隔板也可以具有热固性树脂，并通过在所述(b)工序中加热所述隔板，将所述第1基板和所述第2基板连接。
(8)在该光器件的制造方法中，所述隔板也可以具有光固性树脂，并通过在所述(b)工序中通过光照射所述隔板，将所述第1基板和所述第2基板连接。
(9)在该光器件的制造方法中，也可以在所述(b)工序之前使所述热固性树脂临时硬化。
(10)在该光器件的制造方法中，也可以在所述(b)工序之前使所述光固性树脂临时硬化。
(11)在该光器件的制造方法中，所述隔板也可以用金属形成，并在所述(b)工序中进行钎焊。
(12)在该光器件的制造方法中，也可以在所述第1以及第2基板中被安装在所述隔板上的基板上，在进行所述钎焊之前设置焊料。
(13)在该光器件的制造方法中，也可以在所述(b)工序中，以在所述第1基板以及所述光学部分之间形成空间的形式密封所述光学部分。
(14)在该光器件的制造方法中，也可以在所述(b)工序中，使所述空间构成真空地密封所述光学部分。
(15)在该光器件的制造方法中，也可以在所述(b)工序中，用氮气充满所述空间地密封所述光学部分。
(16)在该光器件的制造方法中，也可以在所述(b)工序中，用干燥空气充满所述空间地密封所述光学部分。
(17)在该光器件的制造方法中，所述第1基板也可以至少透过可见光而不使红外线透过。
(18)在该光器件的制造方法中，所述第2基板也可以为半导体晶片。
(19)在该光器件的制造方法中，各个所述光学部分也可以具有排列为图像感测用的多个受光部。
(20)在该光器件的制造方法中，各个所述光学部分也可以具有设置在所述受光部分的上方的滤色器。
(21)在该光器件的制造方法中，各个所述光学部分也可以具有设置在所述第2基板的表面上的微型透镜阵列。
(22)本发明的光器件利用上述方法制造。
(23)本发明的光模件具有上述光器件，和安装所述光器件的支撑构件。
(24)本发明的电路基板安装着上述光模件。
(25)本发明的电子机器具有上述光模件。
附图说明
图1A～图1C为说明本发明的实施例1的光器件的制造方法的图。
图2为说明本发明的实施例1的光器件的制造方法的图。
图3为说明本发明的实施例1的光器件的制造方法的图。
图4A～图4C为说明本发明的实施例1的光器件的制造方法的图。
图5A～图5B为说明本发明的实施例1的光器件的图。
图6A～图6B为说明本发明的实施例2的光器件的制造方法的图。
图7A～图7E为说明本发明的实施例3的光器件的制造方法的图。
图8为说明本发明的实施例4的光模件以及电路基板的图。
图9为表示本发明的实施例的光模件的图。
图10为表示本发明的实施例的光模件的图。
图11为表示本发明的实施例的电子机器的图。
图12为表示本发明的实施例的电子机器的图。
图13A～图13B为表示本发明的实施例的电子机器的图。
具体实施方式
下参照附图说明本发明的实施例。
(实施例1)
图1A～图5B为说明本发明的实施例1的光器件及其制造方法的图。在本实施例中，使用第1以及第2基板10、20。
如图1A所示，准备第1基板10。第1基板10的大小及形状虽然不特别限定，但是最好与第2基板20为相同大小，与第2基板20为相同的形状则更好。并且，也可以例如图3所示的那样为四边形。第1基板10具有透光性。第1基板10可使用光学玻璃。第1基板10如果为透光性的材料则不管其损失的大小，也可以为仅透过特定波长的光的材料。例如第1基板10可以是使可见光透过但不使红外线区域的光透过的材料。第1基板10也可以对于可见光损失很小而对于红外线区域的光损失大。并且也可以在第1基板10的表面上形成防反射膜或红外线屏蔽膜等光学功能膜。由于这样就可以不用在基板之外设置具有这样的光学功能的机构，所以能够使光器件等更为小型化。
如图1A所示，也可以在第1基板10上设置槽12。在将第1基板10切削形成槽12的情况下，如果在第1基板10上预先贴上薄膜14等保持材料则能够提高操作性，防止第1基板10的裂开。槽12也可以将第1基板10半切断形成。上述的半切断不是将第1基板10完全切断，而是通过如图1A所示的那样切削来设置槽。在这种情况下，槽12的形成也可以通过使用刻模刀片16刻模来形成。槽12在第1基板10的切断线上形成。例如，也可以如图3所示的那样，以构成格子形状的形态形成多个槽12。作为变形例，在第1基板10上也可以没有槽12。作为其它的变形例，第1基板10也可以为将透明基板形成单片、利用薄膜14等保持材料将多个透明基板保持的结构。
然后通过至少一个隔板18将第1以及第2基板10、20互相安装在一起。隔板18也可以设置多个。例如在第1以及第2基板10、20中的一个上形成隔板18，在第1以及第2基板10、20的另一个上安装隔板18。作为一例，如图1B所示，在第1基板10上设置框架状的隔板18。各隔板18设置在第1基板10上被切断而构成透明基板110的各部分上。在图1B所示的例中，在被槽12包围的部分(参照图3)设置各隔板18。各隔板18也可以与相邻的隔板连续地形成(以没有裂缝状态)。在这种情况下，容易安装隔板18。各隔板18构成包围后面说明的光学部分22的形状。
在本实施例中，隔板18由树脂形成。考虑到与第1以及第2基板10、20的粘接，可以使用热塑性树脂、光固性树脂、热固性树脂或者将其组合的树脂等具有粘接性的树脂。例如将受光性树脂(受光性聚酰亚胺等感光性树脂等)层设置在第1基板10上，通过应用光刻法，将其制成图案来形成隔板18。或者也可以通过网板印刷形成隔板18。并且由光固性树脂或者热固性树脂形成的隔板18，可以通过临时硬化来控制其变形。另外，如果构成上述隔板18的树脂为紫外线硬化型，那么就可以在临时硬化中应用较弱的紫外线的照射。这里，所谓的临时硬化是指树脂未完全硬化的状态，临时硬化的树脂的流动性比在室温下的树脂的流动性低的状态。这样，通过隔板18在将第1以及第2基板10、20互相安装时，由于树脂不容易变形，所以树脂能够容易地附着在下述的光学部分22上。因此，能够防止由树脂的附着导致阻碍光向光学部的入射、出射。另外，隔板18最好至少表面由绝缘性的材料构成。
如图1C所示的那样，准备好第2基板20。为了提高后面说明的切断工序的操作性，可以在第2基板20上粘贴薄膜21。图2为将第2基板20的一部分扩大的图。第2基板20具有包括光学部分22的多个光元件100。光元件100包括光学部分22和电极34。光学部分22具有光入射或出射的部分(受光部或者发光部)，具有用于将光能转换成其它能量(例如电能)、或者将其它能量(例如电能)转换成光能的部分。1个光学部分22可以具有多个能量转换部(受光部或者发光部)24。
在本实施例中，以固体摄像装置(例如CCD，特别是配置有光电二极管的CCD、CMOS传感器等影像传感器等)为例说明。在这种情况下，各个光学部分22具有多个能量转换部(受光部或者影像传感器部等)24。如图2所示，多个能量转换部24以二维排列，进行图像感测。能量转换部24也可以用具有透光性的钝化膜26覆盖。如果第2基板20为包括半导体基板(例如半导体晶片等)的材料，也可以用SiO2、SiN形成钝化膜26。
光学部分22也可以具有滤色器28。滤色器28可以在钝化膜26上形成。另外，也可以在滤色器28上设置平坦化层30。也可以在光学部分22的表面上设置微型透镜阵列32。在这种情况下，第1基板10以及隔板18至少将第2基板20的设置着微型透镜阵列32的区域密封。
在第2基板20上形成有多个电极34。虽然图2所示的电极34具有在垫上形成的凸起，但是也可以只有垫。如图2所示的那样，电极34最好在每个光元件100上、在光学部分22的外侧形成。例如可以在相邻的光学部分22之间形成电极34。1个光学部分22对应着1组电极34(多个)。例如如图5B所示的那样，可以沿着光学部分22的多个边(例如相向的二个边)配置电极34。而且，电极34也可以沿着光学部分22的一个边配置。
如图1C所示，使第1以及第2基板10、20相对向。详细地说，就是使第2基板20上的形成光学部分22的面和第1基板10相对向。图3为表示相对向的第1以及第2基板的俯视图。在第1基板10具有槽12的情况下，具有槽的面可以朝向第2基板20配置。另外，在被切断的第1基板10上设置有薄膜14等保持材料的情况下，设置着保持材料的面的反面可以朝向第2基板配置。此时，在第1以及第2基板10、20之间夹有隔板18。隔板18以包围第2基板20的光学部分22的形式配置(参照图5B)。
如图4A所示，通过隔板18将第1以及第2基板10、20互相安装在一起。例如在用热固性树脂形成隔板18的情况下，使设置在第1基板10上的隔板18与第2基板20接触，加热隔板18使之产生粘接力。或者也可以在第2基板20和隔板18之间设置粘接剂。这样就能够通过第1基板10以及隔板18密封光学部分22。在本实施例1中，以在第1以及第2基板10、20之间形成空间的形式密封光学部分22。这里可以对空间减压而比大气压低，也可以使之为真空，也可以用氮气或干燥空气等充满。例如通过在比大气压低的气压下、真空下、或者氮气或者干燥空气等气氛下进行密封的工序，能够得到上述结构。通过这样，能够减少空间内的水蒸气等，能够防止半导体装置或者电子零件等产品的结露或在过热工序中由空间的内压上升导致的破裂。并且如果需要的话，将贴在第1基板10上的薄膜14揭掉。并且，在进行该密封工序之前，最好进行第1以及第2基板10、20的清洗以及干燥等。这是因为通过在进行密封之前的对光学部分22的清洗，能够控制空间内的异物、细毛等，并且能够提高最终产品的成品率。
如图4B所示，将第1基板10切断成透明基板110。该切断避开第1基板10上构成透明基板110的部分进行。也就是说，在被隔板18包围的区域(光学部分22所在位置)以及隔板18的外侧、或者残留隔板18的至少一部分切断第1基板10。在本实施例中沿着槽12切断第1基板10。
第1基板10的切断线位于第2基板20上的电极34的上方。为了在随后的工序中容易向电极34进行电气连接，将第1基板10上的电极34的上方的部分除去。例如作为用于切断第1基板10的第1切刀36，使用切削并进行切断的刀具。这样使电极34的上方开放。并且第1切刀36(例如刻模刀片)最好使用比后面说明的第2切刀38切断宽度大的刀具。
在图4B所示的例中，利用第1切刀36形成槽12。这是为了在切断工序中不容易对第2基板20产生损伤，也能够指明第1基板10的切断位置。虽然在本实施例中表示了设置槽12的形式，但是也可以不设置槽12而用第1切刀36直接切断第1基板10。第1切刀36的宽度实质上与槽12的宽度相等。这里所谓的实质上相等包括完全相等的情况和考虑到误差且相等的情况。或者第1切刀36的宽度也可以比槽12的宽度小。在这种情况下，由于在槽12的内侧切断第1基板10，所以透明基板110在端部形成台阶。或者第1切刀36的宽度也可以比槽12的宽度大。并且第1切刀36的宽度也可以比相邻的隔板18的间隔大。在这种情况下，在切断第1基板10时，将隔板18的一部切除。
第1基板10的切断以不损坏电极34或第2基板20、特别是第2基板20的表面的方式进行。在本实施例中，第1基板10上形成槽12的面朝向电极34。因此，第1基板10的表面从电极34离开了槽12的深度部分，所以第1切刀36的前端不容易与电极34接触。
如图4C所示，将第2基板20切断形成单个的光元件100。在该切断中使用的第2切刀38(例如刻模刀片)可以比第1切刀36宽度小。第2基板20在光学部分22的外侧、且在电极34的外侧切断。在图4C所示的例中，在相邻的光学部分22之间形成与各个光学部分22对应的电极34，在这些电极34(多个)之间将第2基板20切断。如果在第2基板20上贴上薄膜21，那么即使将第2基板20按照每个光元件100分离，各光元件100也不会散开。这样，能够得到被透明基板110以及隔板18密封的光器件。根据本实施例，由于将光学部分22密封之后切断第2基板20，所以在密封部内不会进入异物，能够得到质量高的光器件。
图5A以及图5B为说明本发明的实施例1的光器件的图。光器件具有透明基板110，光元件100，和隔板18。光从透明基板110向光学部分22入射。设置在光元件100上的光学部分22通过透明基板110和隔板18密封。在光学部分22和透明基板110之间形成空间。该空间可以是真空，也可以用氮气或干燥空气充满。通过这样，在光学部分22上不会结露。在光学部分22的外侧、且在密封光学部分22的构件(透明基板110以及隔板18)的外侧，在光元件100上设置着电极34。其它详细内容与上述的光器件的制造方法中说明的内容相当。
本发明不局限于上述的实施例，可以进行各种变形。例如本发明包括与实施例中说明的结构实质上相同的结构(例如功能、方法以及结果相同的结构、或者目的以及结果相同的结构)。另外本发明包括将实施例中说明的结构的非本质的部分替换的结构。另外本发明包括能够与实施例中说明的结构起到相同的作用效果的结构或者能够达到相同目的的结构。另外本发明包括在实施例中说明的结构上附加公知技术的结构。
(实施例2)
图6A以及图6B为说明本发明的实施例2的光器件的制造方法的图。在本实施例中，如图6A所示，在第2基板20上形成隔板18。在第2基板20上形成有钝化膜的情况下，可以在其上面形成隔板18，也可以在隔板18的形成区域中不形成钝化膜。隔板18的形成方法如实施例1中说明的那样。然后，如图6B所示，将第1基板10安装在隔板18上。在第1基板10和隔板18的粘接中，能够应用实施例1中说明的第2基板20和隔板18的粘接的内容。其它内容与实施例1中说明的内容相当。
(实施例3)
图7A～图7E为说明本发明的实施例3的光器件的制造方法的图。在本实施例中使用实施例1中说明的第1以及第2基板10、20，但是用金属形成隔板。也就是说，在第1以及第2基板10、20中的一个上用金属形成隔板，将第1以及第2基板10、20中的另一个安装在隔板上。
如图7A所示，在第1基板10上设置焊料(或者密封金属)40。焊料40可以为软焊料以及硬焊料中的任意一种。焊料40的设置方法可以为蒸镀、溅射、CVD、电镀(例如无电解电镀)中的任意一种。如果焊料40如钎焊膏那样为膏状，那么也可以应用网板印刷。焊料40设置在隔板的安装位置。详细内容已在实施例1中说明。
如图7B所示，在第1基板10上形成槽12。其详细内容也已在实施例1中说明。虽然在本实施例中设置焊料40之后形成槽12，但是顺序也可以相反。
如图7C所示，在第2基板20上形成隔板42。隔板42由镍或金等金属形成。在其形成方法中可以应用电镀(例如无电解电镀)。
如图7D所示，通过隔板42将第1以及第2基板10、20相互安装在一起。具体为将第1基板10接合在隔板42上。在该接合中应用钎焊。详细地讲，通过加热使第1基板10上形成的焊料40熔融，将第1基板10以及隔板42接合。
如图7E所示，第1以及第2基板10、20相互安装后，随后进行图4B以及图4C所示的工序。在这样得到的光器件中，光学部分22通过透明基板110、隔板42以及焊料40密封。
关于其它详细内容，与实施例1中说明的内容相当。作为本实施例的变形例，可以在第1基板10上设置金属隔板，可将该隔板与第2基板20接合。另外虽然在本实施例中使用了钎焊，但是也可以不设置焊料而使用粘接剂。
(实施例4)
图8为说明本发明的实施例4的光模件以及电路基板的图。图8所示的光模件具有图5A所示的光器件50。光器件50被安装在支撑构件(例如壳体)52上。在支撑构件52上形成有配线54。支撑构件52也可以由不具有配线54等的构件构成。支撑构件52也可以是MID(MoldedInterconnect Device)。光器件50的电极34和配线54电气连接在一起。在电气连接中例如可以使用导线。另外在电气连接部(例如导线56及其被结合的部分)设置有密封材料58。也就是说，电气连接部用密封材料58密封。密封材料58例如可以通过灌封设置。由于光器件50通过透明基板110以及隔板18将光学部分22密封，所以密封材料58不覆盖光学部分22。这是因为透明基板110以及隔板18针对密封材料58作为屏障发挥作用。
配线54的一部分构成外部端子(例如引线)60。外部端子60与电路基板62上形成的配线图案64电气连接。在图8所示的例中，在电路基板62上形成有孔，在该孔中插入外部端子60。在该孔的周围形成配线图案64的焊盘，该焊盘和外部端子60用焊料(例如焊锡)接合。这样，电路基板62就安装了该光模件。
(其它实施例)
图9为说明本发明的实施例的光模件的图。图9所示的光模件具有图5A所示的光器件50，和安装该光器件的支撑构件70。在支撑构件70上形成有孔72，透明基板110的至少一部分位于孔72的内侧。另外，在孔72上安装着透镜架74。在透镜架74上也形成有孔76，其内侧安装着透镜78。孔76、72连通在一起，在透镜78上聚集的光向第1基板10入射。并且，透明基板110也可以是将红外线区域的光阻隔的材料。在光器件50的电极34和支撑构件70的配线79的接合中，可以应用粘接剂、各向异性导电材料、各向异性导电膜、金属接合中的任意一种。另外也可以在光器件50和支撑构件70之间设置未图示的未充满材料。
图10为说明本发明的实施例的光模件的图。图10所示的光模件具有图5A所示的光器件50，和安装该光器件的支撑构件80。在支撑构件80上形成有孔82，透明基板110的至少一部分位于孔82的内侧。另外，在孔82上安装着透镜架74(详细内容已在上面说明)。
在图10中，光器件50安装在基板84上，其电极34和在基板84上形成的配线图案86接合。在该接合中，可以应用粘接剂、各向异性导电材料、各向异性导电膜、金属接合中的任意一种。另外，也可以在光器件50和基板84之间设置未图示的未充满材料。在基板84上也形成有孔88。孔76、82、88连通在一起，由透镜78聚集的光入射到第1基板10上。
在基板84上安装(例如倒装焊接)着电子零件(例如半导体芯片)90。电子零件90和配线图案86电气连接在一起。此外也可以安装未图示的多个电子零件。支承基板84弯曲，电子零件90和光器件50通过粘接剂92粘接在一起。并且，也可以预先将光器件50和电子零件90分别安装在基板84上后，使基板84弯曲、粘接光器件50和电子零件90。
作为本发明的实施例的电子机器，图11所示的笔记本型个人计算机1000具有装有光模件的照像机1100。另外图12所示的数码照像机2000具有光模件。并且图13A以及图13B所示的移动电话3000具有装有光模件的照像机3100。

Claims (25)

1.一种光器件的制造方法，其特征在于，包括：
(a)使透光性的第1基板与形成多个具有光学部分的光元件的第2基板、通过具有围住各个所述光学部分的形状的隔板而相对向；
(b)通过由所述隔板将所述第1基板和所述第2基板连接、并利用所述第1基板以及所述隔板密封各个所述光学部分；
(c)将所述第2基板切断成每个都含有一个被密封的所述光学部分的所述光元件。
2.根据权利要求1所述的光器件的制造方法，其特征在于：
在所述(c)工序中进而将所述第1基板切断，
所述第1基板用第1切刀切断，所述第2基板用第2切刀切断。
3.根据权利要求2所述光器件的制造方法，其特征在于：所述第1切刀的宽度比所述第2切刀的宽度大。
4.根据权利要求1所述的光器件的制造方法，其特征在于：
所述光元件在所述光学部分的外侧具有电极，
当在所述(c)工序中切断所述第1基板时，将所述第1基板上的所述电极的上方的部分除去。
5.根据权利要求3或4所述的光器件的制造方法，其特征在于：
所述第1基板具有沿着切断线的槽，
在所述(c)工序中，在形成所述槽的区域切断所述第1基板。
6.根据权利要求1至4中任意一项所述的光器件的制造方法，其特征在于：
在所述(a)工序中，在所述第1或者第2基板中的一个上形成所述隔板，
在所述(b)工序中，将所述第1或者第2基板中的另一个安装在所述隔板上。
7.根据权利要求1至4中任意一项所述的光器件的制造方法，其特征在于：
所述隔板具有热固性树脂，
通过在所述(b)工序中加热所述隔板，将所述第1基板和所述第2基板连接。
8.根据权利要求1至4中任意一项所述的光器件的制造方法，其特征在于：
所述隔板具有光固性树脂，
通过在所述(b)工序中用光照射所述隔板，将所述第1基板和所述第2基板连接。
9.根据权利要求7所述的光器件的制造方法，其特征在于：在所述(b)工序之前使所述热固性树脂暂时硬化。
10.根据权利要求8所述的光器件的制造方法，其特征在于：在所述(b)工序之前使所述光固性树脂暂时硬化。
11.根据权利要求6所述的光器件的制造方法，其特征在于：
所述隔板用金属形成，
在所述(b)工序中进行钎焊。
12.根据权利要求11所述的光器件的制造方法，其特征在于：在所述第1以及第2基板中被安装在所述隔板上的基板上，在进行所述钎焊之前设置焊料。
13.根据权利要求1至4中任意一项所述的光器件的制造方法，其特征在于：在所述(b)工序中，以在所述第1基板和所述光学部分之间形成空间的形式密封所述光学部分。
14.根据权利要求13所述的光器件的制造方法，其特征在于：在所述(b)工序中，使所述空间构成真空地密封所述光学部分。
15.根据权利要求13所述的光器件的制造方法，其特征在于：在所述(b)工序中，用氮气充满所述空间地密封所述光学部分。
16.根据权利要求13所述的光器件的制造方法，其特征在于：在所述(b)工序中，用干燥空气充满所述空间地密封所述光学部分。
17.根据权利要求1至4中任意一项所述的光器件的制造方法，其特征在于：所述第1基板至少透过可见光而不使红外线透过。
18.根据权利要求1至4中任意一项所述的光器件的制造方法，其特征在于：所述第2基板为半导体晶片。
19.根据权利要求1至4中任意一项所述的光器件的制造方法，其特征在于：各个所述光学部分具有排列为图像感测用的多个受光部。
20.根据权利要求1至4中任意一项所述的光器件的制造方法，其特征在于：各个所述光学部分具有设置在所述受光部的上方的滤色器。
21.根据权利要求1至4中任意一项所述的光器件的制造方法，其特征在于：各个所述光学部分具有设置在所述第2基板的表面上的微型透镜阵列。
22.一种光器件，其特征在于：是利用权利要求1至4中任意一项所述的方法制造的光器件。
23.一种光模件，其特征在于：具有权利要求22所述的光器件和安装所述光器件的支撑构件。
24.一种电路基板，其特征在于：安装有权利要求23所述的光模件。
25.一种电子机器，其特征在于：具有权利要求23所述的光模件。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104637967A (zh) * 2015-02-13 2015-05-20 苏州晶方半导体科技股份有限公司 封装方法及封装结构

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003198897A (ja) 2001-12-27 2003-07-11 Seiko Epson Corp 光モジュール、回路基板及び電子機器
FR2839812B1 (fr) * 2002-05-17 2005-07-01 Atmel Grenoble Sa Procede de fabrication collective de composants de filtrage optique et plaquette de composants
US20040161871A1 (en) * 2002-11-27 2004-08-19 Seiko Epson Corporation Semiconductor device, method of manufacturing the same, circuit substrate and electronic equipment
US6982470B2 (en) 2002-11-27 2006-01-03 Seiko Epson Corporation Semiconductor device, method of manufacturing the same, cover for semiconductor device, and electronic equipment
JP2004296453A (ja) * 2003-02-06 2004-10-21 Sharp Corp 固体撮像装置、半導体ウエハ、光学装置用モジュール、固体撮像装置の製造方法及び光学装置用モジュールの製造方法
JP2004241695A (ja) 2003-02-07 2004-08-26 Seiko Epson Corp 光デバイスの製造方法
JP2004312666A (ja) * 2003-03-25 2004-11-04 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法
US7365442B2 (en) * 2003-03-31 2008-04-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of thin-film electronic devices
JP2005051150A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP4720120B2 (ja) * 2004-07-14 2011-07-13 ソニー株式会社 半導体イメージセンサ・モジュール
US7402453B2 (en) * 2004-07-28 2008-07-22 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
CN100405563C (zh) * 2004-08-19 2008-07-23 财团法人工业技术研究院 一种图像传感元件的晶片级封装结构及其封装方法
US7335452B2 (en) * 2004-11-18 2008-02-26 Xerox Corporation Substrate with plywood suppression
US7417221B2 (en) * 2005-09-08 2008-08-26 Gentex Corporation Automotive vehicle image sensor
TW200839982A (en) * 2007-03-19 2008-10-01 Xintec Inc Integrated circuit package and method for fabricating thereof
JP2009021307A (ja) * 2007-07-10 2009-01-29 Sharp Corp 半導体装置、撮像装置、およびそれらの製造方法
US8351219B2 (en) * 2009-09-03 2013-01-08 Visera Technologies Company Limited Electronic assembly for an image sensing device
TWI420657B (zh) * 2009-09-15 2013-12-21 Creative Sensor Inc 影像感測模組及其封裝方法
TWI485818B (zh) * 2011-06-16 2015-05-21 Xintec Inc 晶片封裝體及其形成方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5798557A (en) * 1996-08-29 1998-08-25 Harris Corporation Lid wafer bond packaging and micromachining
US6448544B1 (en) * 1998-06-08 2002-09-10 Brandeis University Low noise, high resolution image detection system and method
US6303986B1 (en) * 1998-07-29 2001-10-16 Silicon Light Machines Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die
US6307243B1 (en) * 1999-07-19 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Microlens array with improved fill factor
US6483030B1 (en) * 1999-12-08 2002-11-19 Amkor Technology, Inc. Snap lid image sensor package
JP2002134762A (ja) * 2000-10-19 2002-05-10 Shinko Electric Ind Co Ltd 光学装置及びその製造方法
AUPR245601A0 (en) * 2001-01-10 2001-02-01 Silverbrook Research Pty Ltd An apparatus (WSM09)
TW498443B (en) * 2001-06-21 2002-08-11 Advanced Semiconductor Eng Singulation method for manufacturing multiple lead-free semiconductor packages
US6838299B2 (en) * 2001-11-28 2005-01-04 Intel Corporation Forming defect prevention trenches in dicing streets

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104637967A (zh) * 2015-02-13 2015-05-20 苏州晶方半导体科技股份有限公司 封装方法及封装结构
WO2016127645A1 (zh) * 2015-02-13 2016-08-18 苏州晶方半导体科技股份有限公司 封装方法及封装结构
US10529758B2 (en) 2015-02-13 2020-01-07 China Wafer Level Csp Co., Ltd. Packaging method and packaging structure

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Publication number Publication date
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JP2003197927A (ja) 2003-07-11
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