CN1399353A - 照明装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

一种照明装置的制造方法，该照明装置使用了散热性好的光照射装置。照明装置40A是由散热性好的光照射装置68安装在周边部具有折弯部71B的金属基板71A上而形成的，所述光照射装置68包括：电隔离的多个导电路51；光半导体元件65，固定安装在所需的导电路51上；可透光的绝缘树脂67，覆盖该光半导体元件65且将所述导电路51支承为一体。

Description

照明装置的制造方法

技术领域

本发明涉及照明装置的制造方法，特别是涉及使用散热性好的光照射装置的照明装置的制造方法。

背景技术

首先，在需要大量地照射光的情况下，通常使用电灯等。但是，如图10所示，为了追求轻薄短小及节省电力，有时是在印刷电路板1上安装发光元件2。

该发光元件以半导体形成的发光二极管(Light Emitting Diode)为主，另外也考虑半导体激光器等。

该发光元件2准备了两根引线3、4，在一根引线3上用焊料等固定安装发光二极管5的背面(阳极或阴极)，另一引线4通过金属细线6与所述发光二极管5的表面电极(阴极或阳极)电连接。封装所述引线3、4、发光二极管5及金属细线6的透明的树脂封装体7兼作透镜形成。

另外，在印刷电路板1上为了向所述发光元件2供给电源设有电极8、9，所述引线3、4插入此处设置的通孔，通过焊料等固定安装所述发光元件2。

例如，特开平9-252651号公报公开了使用该发光元件的光照射装置。

但是，所述发光元件2由于是由组装了树脂封装体7、引线3、4等的组件构成，故存在其安装的基板1的尺寸变大的缺点。

为此，各公司竞相开发各种结构，以图实现小型化、薄型化及轻量化，最近，开发出了被称作CSP(芯片尺寸组件)的与芯片尺寸相等的晶片尺度CSP或稍大于芯片尺寸的尺寸的CSP。

图11是采用玻璃环氧树脂基板11作为支承基板的稍大于芯片尺寸的CSP12。这里，就玻璃环氧树脂基板11上安装了发光二极管13的情况进行说明。

该玻璃环氧树脂基板11的表面上形成有第一电极(小片接点)14及第二电极15，背面形成有第一背面电极16及第二背面电极17。通过通孔TH电连接所述第一电极14及第一背面电极16，同样电连接所述第二电极15及第二背面电极17。

小片接点14的上面固定安装所述裸的发光二极管13，该发光二极管13的表面电极和第一电极14通过金属细线18连接。在玻璃环氧树脂基板11上设置树脂层19，覆盖包括所述发光二极管13的整个面。

所述CSP12采用了玻璃环氧树脂基板11，但与晶片尺度CSP不同，自所述发光二极管13至外部连接用背面电极16的延伸结构简单，具有可廉价制造的优点。

下面说明所述CSP12的制造方法，首先，如图11(A)所示，作为基件(支承基板)准备玻璃环氧树脂基板11，在其两面上通过绝缘性粘接剂压装铜箔(以下称Cu箔)20、21。

然后，如图11(B)所示，在形成第一电极(小片接点)14、第二电极15、第一背面电极16和第二背面电极17的区域上的Cu箔20、21上形成耐蚀刻性的抗蚀剂膜22，使用该抗蚀剂膜22对Cu箔20、21制作布线图案。另外，本制作布线图案工序也可以表里分别进行。

接着，如图11(C)所示，利用钻头或激光器在所述玻璃环氧树脂基板上形成用作通孔TH的孔，对该孔实施镀敷，形成通孔TH。利用该通孔TH将小片接点14和第一背面电极16及第二电极15和第二背面电极17电连接。

另外，如图11(D)所示，在形成接合端子的小片接点14上实施镀镍、镀Au后，在发光二极管13的背面(阳极或阴极)进行装片。

最后，用金属细线18将发光二极管13表面的电极(阳极或阴极)和第二电极15电连接，用树脂层19进行覆盖。

然后，根据需要通过切片分离为一个个电回路元件。虽然在图11中，玻璃环氧树脂基板11上只设有一个发光二极管13，但实际上发光二极管13呈矩阵状设有多个。因此，最后利用切片装置一个个分离。

利用以上的制造方法完成采用了支承基板(玻璃环氧树脂)11的CSP型电回路元件。另外，该制造方法采用挠性板作为支承基板也同样。

发明内容

这里，在图11中，发光二极管13、第一电极14、第二电极15、第一背面电极16、第二背面电极17及金属细线18为了与外部的电连接及芯片的保护是必要的构成要素，但是，这样多的构成元件是难于提供实现小型化、薄型化及轻量化的电回路元件的。

构成支承基板的玻璃环氧树脂基板11本来是不需要的，但是，在制造方法上，为了粘合电极要作为支承基板使用，故不能没有该玻璃环氧树脂基板11。

因此，由于采用玻璃环氧树脂基板11使成本上升，并且，由于玻璃环氧树脂基板11较厚，故电路元件变厚，限制了小型化、薄型化和轻量化。

另外，玻璃环氧树脂基板11或陶瓷基板等连接两面的电极的通孔的形成工序是必不可缺的，故存在制造工序长的问题。

另外，由于基板自身的散热性差，存在使整体温度升高的问题。因此，存在芯片自身温度升高驱动能力降低的问题。

发光二极管的侧面也发光，也存在朝向基板侧的光。但是，由于基板是印刷电路板或玻璃环氧树脂基板，故存在不能使所有的光高效地向上方发光的问题。

鉴于上述问题，本发明提供一种照明装置的制造方法，其包括：至少在除构成导电路的区域外的导电箔上形成比该导电箔厚度浅的分离槽，从而形成多个导电路的工序；将各光半导体元件固定安装在所述多个导电路上的工序；用可透光的树脂覆盖所述各光半导体元件并充填所述分离槽的工序；除去未设所述分离槽的一侧的所述导电箔并使所述树脂露出的工序；分离由所述可透光的树脂覆盖的各光照射装置的工序；将所述各光照射装置安装在金属基板上的工序。

由此，形成导电路的导电箔是起始材料，在覆盖所述可透光的树脂之前，导电箔具有支承功能，覆盖后可透光的树脂具有支承功能，从而可不要支承基板，解决上述问题。

在用可透光的树脂覆盖所述各光照射装置并充填所述分离槽之后，具有除去未设所述分离槽的一侧的所述导电箔，并使所述树脂露出，然后将用所述可透光的树脂覆盖的各光照射装置相互分离的工序，由此可使各光照射装置相互间在最终阶段前不会分离，作为一张导电箔供给各工序，操作性好。

另外，在将光照射装置安装在金属基板上时，使用具有可水平移动及上下移动的臂的机器人直接将光照射装置安装在金属基板上，故操作性好。

附图说明

图1是说明本发明实施例1的照明装置制造方法的剖面图；

图2是说明本发明实施例1的照明装置制造方法的剖面图；

图3是说明本发明实施例1的照明装置制造方法的剖面图；

图4是说明本发明实施例1的照明装置制造方法的剖面图；

图5是说明本发明实施例1的照明装置制造方法的剖面图；

图6是说明本发明实施例1的照明装置制造方法的剖面图；

图7是说明本发明实施例1的照明装置的图；

图8是说明本发明实施例1的照明装置的图；

图9是说明本发明实施例2的照明装置的图；

图10是说明现有照明装置的图；

图11是说明现有照明装置的图；

图12是说明现有照明装置的图。

具体实施方式

下面，参照附图说明本发明的照明装置及其制造方法的实施例1。

图1中，标号61是片状导电箔，其材料根据钎料的附着性、连接性、镀敷性选择，材料采用以铜(Cu)为主材料的导电箔、以铝(Al)为主材料的导电箔或铁(Fe)镍(Ni)、Cu-Al、Ai-Cu-Al等合金构成的导电箔等。

导电箔的厚度考虑到之后的蚀刻最好为10μm～300μm左右，这里，采用了150μm的铜箔。但是，即使是300μm以上或10μm以下基本上也可以。如后所述，只要能形成比导电箔61的厚度浅的分离槽64即可。

另外，片状的导电箔61可以规定的宽度卷绕成卷状准备，将其搬运到后述各工序中，也可以按规定的大小切成的导电箔准备，并搬运到后述各工序中。

以在所述导电箔61的表面侧具有开口的光致抗蚀剂膜60(导电箔61的背面侧省略图示)为掩模进行半蚀刻处理，从而使该导电箔61的规定区域被半蚀刻形成分离槽64。另外，由该蚀刻形成的分离槽64的深度例如是80μm，其侧面形成粗糙面，可提高与后述的可透过光的绝缘树脂67的粘接性。

另外，也可以在所述导电箔61上形成后述的Ag覆膜62后，形成完全覆盖该Ag覆膜62的光致抗蚀剂膜，以此光致抗蚀剂膜为掩模，进行半蚀刻。

该分离槽64的侧壁的断面形状利用除去方法形成不同的结构。该除去工序可采用湿式蚀刻、干式蚀刻、激光蒸发及切割等。

例如，在湿式蚀刻的情况下，蚀刻剂主要采用氯化铁或氯化铜，所述导电箔61被浸渍在该蚀刻剂中或用该蚀刻剂喷射。这里，湿式蚀刻由于通常是非各向异性蚀刻，故侧面形成弯曲结构。

另外，在干式蚀刻的情况下，可以各向异性、非各向异性蚀刻。目前用反应性离子蚀刻是不能除去Cu的，但是用喷射法可除去。在喷射法的条件下，可进行各向异性、非各向异性蚀刻。

使用激光时，可直接照射激光而形成分离槽，这种情况下，分离槽64的侧面形成直面。

另外，在使用切割的情况下，折曲曲折复杂的图形是不可能的，但可形成格子状的分离槽。

接着，在图2中，在所述导电箔61的表面及背面的规定区域分别进行镀敷处理。另外，在本实施例中，导电覆膜62为镀银(Ag)形成的覆膜(以下称Ag覆膜62)，但不限于此，作为其他的材料是例如金(Au)、Ni、Al或钯(Pd)等。而且，这些耐腐蚀性的导电覆膜可直接转用作小片接点、连接接点。换句话说，所述Ag覆膜62可以仅形成于导电箔61的表面。

例如，使所述Ag覆膜62和Au粘接，也和钎料粘接。由此，只要芯片背面覆盖Au覆膜，则可将芯片直接热压装在导电路51上的Ag覆膜62上，且可通过焊料等钎料固定安装芯片。另外，由于Au细线可粘接在Ag的导电覆膜上，故可实现线接合。

通过在导电箔61上形成Ag覆膜62，使自后述的光半导体元件65发出的光由该Ag覆膜62向上方反射，朝向上方的发光效率变好。

但是，当Ag覆膜62的形成区域范围扩大时，在用绝缘树脂67树脂封装搭载了后述的光半导体元件65的导电箔61时，导电箔61和绝缘树脂67接触的区域变少，形成剥离产生的原因。这是由于Ag覆膜62和绝缘树脂67的紧密接合率低于由Cu构成的导电箔61和绝缘树脂67的紧密接合率的缘故。因此，Ag覆膜62的形成区域是兼顾该导电箔61和绝缘树脂67的紧密接合性与Ag覆膜62对来自光照射装置的光的反射效率而设定的。

在形成了所述Ag覆膜62的状态下，利用压力机等对该导电箔61(及Ag覆膜62)加压，使该Ag覆膜62出现光泽，提高照射(反射)效率。

然后，在图3中，将光半导体元件65电连接并安装在形成有分离槽64的导电箔61上。这里，作为光半导体元件65使用了发光二极管，该光半导体元件65其背面装在后述的第一导电电极(小片接点)51A上，该光半导体元件65的表面和第二导电电极51B用金属细线66线接合(参照图5)。在本实施例中，光半导体元件65背面的阴极固定安装在第一导电电极51A上，光半导体元件65表面的阳极用金属细线66线接合在第二导电电极51B上。另外，也可以将光半导体元件65的阳极固定安装在第一导电电极51A上，将光半导体元件65的阴极用金属细线66线接合在第二导电电极51B上。

接着，在图4中，密封所述导电箔61上的所述半导体元件65，且用可透过光的绝缘树脂67覆盖，该绝缘树脂67透过自该光半导体元件65发出的光。在本工序中，利用使用模型(省略图示)的传递模模装，用热硬性硅树脂或环氧树脂在包括所述光半导体元件65及分离槽64的导电箔61上进行封装。如上所述，该树脂必需是可透光的，要用被称作所谓透明树脂的、或至少可透过规定波长的光的树脂。

另外，在本实施例中，只显示了一个光半导体元件65，但实际上光半导体元件65呈矩阵状设有多个，用所述可透光的树脂67覆盖所述各光半导体元件65时，按每个光半导体元件65个别模装。即，在模装所述可透光的树脂67时，当根据该可透光的树脂67的性质，向树脂内混入通常防翘曲用的填充物时，光会出现漫反射，故不能使用该填充物，因此，必需按各光半导体元件65(后述的各光照射装置68)单独模装。

本工序的特征在于，在覆盖可透光的绝缘树脂67之前，导电箔61为支承基板。与目前的在印刷电路板1上搭载发光元件2的结构相比，散热性好，可提高驱动能力。

并且，本发明中，由于作为支承基板的导电箔61是作为电极材料需要的材料，具有可最大限度节省构成材料而进行作业的优点，也可实现成本降低。

所述分离槽64由于比导电箔61的厚度浅，故导电箔61没有作为导电路51一个个分离。因此，作为片状导电箔61一体处理，在模装可透光的绝缘树脂67时，向模型的搬运、向模型的安装作业非常简便。

并且，在图5中，具有将导电箔61的背面进行化学及/或物理除去、作为导电路51分离的工序。这里，该除去工序通过研磨、研削、蚀刻及激光蒸发等实施。

在本实施例中，以表面侧的整个面、背面侧的形成导电路51的区域的导电箔61及Ag覆膜62上形成的光致抗蚀剂膜(未图示)为掩模，对该导电箔61进行湿式蚀刻，削去所述分离槽64下的导电箔61，露出可透光的绝缘树脂67，分离各导电路51。由此，形成自可透光的绝缘树脂67露出导电路51A、51B(第一导电电极及第二导电电极)的表面的结构。

另外，也可以利用研磨装置或研削装置等对导电箔61的背面进行50～60μm程度的磨削，自分离槽64使可透光的绝缘树脂67露出，这种情况下，形成约40μm厚度的导电路51而分离。也可以在可透光的绝缘树脂67将要露出之前，整面湿式蚀刻导电箔61的背面，然后，利用研磨或研削装置磨削背面整体，使可透光的绝缘树脂67露出。这种情况下，将导电路51埋入可透光的绝缘树脂67，可实现可透光的绝缘树脂67的背面和导电路51的背面几乎一致的平坦的光照射装置。

并且，在利用所述研磨装置或研削装置等磨削导电箔61的背面，并使各导电路51分离的情况下，可根据需要在露出的导电路51上被覆焊料等导电材料，进行该导电路51的防氧化处理。也可以覆盖防氧化剂。

如图6所示的工序为，用切割装置将相邻的光照射装置68相互单独分离，完成光照射装置68。

这里，本分离工序除切割外，可用截割、分片法等实现。在采用分片法的情况下，利用如图6的点划线所示的压力机自覆盖光照射装置68的可透光的绝缘树脂67的两端部削铜片69，将各光照射装置68分离。另外，这种情况下，与切割、截割等相比，不再需要背面的去毛刺处理，故操作性好。

本制造方法的特征在于，可将可透光的绝缘树脂67活用作支承基板并进行导电路51的分离作业。可透光的绝缘树脂67是作为埋入导电路51的材料需要的材料，在制造工序中，不需要支承专用的基板。因此，可用最小限度的材料制造，可降低成本。

图7表示照明装置40，该照明装置40在金属基板(电路基板)71上形成的各电极30之间串联连接上述光照射装置68(发光二极管)，使通过光照射装置68的电流值一定。

首先，将形成光照射装置68的阴极(或阳极)的芯片背面(第一电极51A)通过焊料72(参照图8(a))固定安装在第一电极30A上，利用金属细线66与阳极(或阴极)线接合的第二电极51B和第二电极30B通过焊料固定安装。将形成下一光照射装置68的阴极(或阳极)的芯片背面(第一电极51A)通过焊料72固定安装在第二电极30B上，利用金属细线66与阳极(或阴极)线接合的第二电极51B和第三电极30C通过焊料72固定安装。重复该连接形式，实现串联连接。

如图8(a)所示，在本实施例中，在将所述光照射装置68固定安装在金属基板71的工序中，使用其熔融温度(约140℃)比模装形成所述可透光的树脂67时的模型温度(约160℃)低的焊料72。因此，在用焊料将光照射装置68粘接到金属基板71上时，所述树脂67会热膨胀，产生缝隙或裂纹，从而可抑制该光照射装置68的金属电极即导电电极51A、51B自模装的树脂67剥离的缺陷。另外，作为这种熔融温度低的焊料72的一例有不使用铅(Pb)的锡(Sn)基(其他含有铋(Bi)和锑(Sb))的焊料。另外，树脂模装温度和焊料的熔融温度大致相同也可以，焊料的熔融温度高也可以。

为了以铜箔构成的电极为反射板，表面上覆盖了Ni。另外，光照射装置68由机器人等配置在电极的规定位置，该机器人可沿水平方向及上下动方向移动、具有可沿X-Y-Z(X方向-Y方向-Z方向)方向移动的臂。

根据该结构，自光照射装置68产生的热通过金属基板71散热，可取得更大的光照射装置68的驱动电流。

虽然省略了图示，但是并联连接光照射装置68或并联与串联组合连接的也同样可实现散热性好的照明装置40。

在将上述照明装置40构成的发光板作为植物栽培用光源使用时，可将各光照射装置68直接安装在金属基板71上，操作性好。

也就是说，在构成这种作为植物栽培用光源的发光板时，目前(参照图12)是先将光半导体元件25安装在小尺寸的第一金属基板23上，再将多个该第一金属基板23安装在更大尺寸的第二金属基板24上，从而形成具有所需尺寸的发光板，工序复杂。

如图12所示，在所述第一基板23上形成有12个电极30，在第一电极30A上固定安装形成半导体元件25(发光二极管)的阴极(或阳极)的芯片背面，阳极(或阴极)和第二电极30B由金属细线26连接。在第二电极30B上固定安装下一半导体元件25的芯片背面，芯片表面的电极和第三电极30C由金属细线26连接。重复该连接形式实现串联连接。通过分别用焊料连接多个金属基板23，构成所需尺寸的发光板。标号27是罐封的绝缘树脂，其覆盖光半导体元件25和金属细线26。

如上所述，在现有照明装置中，是先将光半导体元件25安装在第一金属基板23上，再将多个该金属基板23安装在的第二金属基板24上，从而制造所需尺寸的发光板。之所以这样先将光半导体元件25安装在第一金属基板23上，是起因于用金属细线26连接上述光半导体元件25的阳极(或阴极)和各电极时所用的线接合装置。

也就是说，可载置于通常使用的线接合装置的作业台上的基板尺寸最大为150mm×150mm左右。因此，在形成用于具有该尺寸以上(例如500mm×500mm左右)的基板尺寸的植物栽培用大型照明装置的情况下，在将光半导体装置25安装在小尺寸基板23上，对光半导体装置25进行线接合处理后，要通过粘接剂将各基板23粘接在具有所需尺寸的基板24上，并用焊料将各基板23之间相互固定。

与此相对，在本发明中，如上所述，由于只需将构成光照射装置68(树脂封装光半导体装置65(发光二极管)而构成)的光半导体元件65的阴极(或阳极)的芯片背面和通过金属细线66与阳极(或阴极)线接合连接的芯片背面固定安装在各电极30上，并同样将构成下一光半导体元件65(发光二极管)的阴极(或阳极)的芯片背面和通过金属细线66与阳极(或阴极)线接合连接的芯片背面固定安装在各电极30上即可，没有在金属基板71上的线接合作业，故不受现有的起因于线接合装置的限制。并且，线接合装置允许的精度使用Au线时为约120mm×120mm，使用Al线时为约125mm×125mm，最大限度为150mm×150mm，与此相对，芯片部件安装装置(具有X-Y-Z方向可移动的臂的安装机器人)的精度为约250mm×250mm，最大允许500mm×500mm。

这样，在将完成品的光照射装置68成套组装在金属基板71上时，由于作业精度变松，故可将各光照射装置68直接安装在大尺寸的金属基板71上，提高了作业性。

本发明中，由于直接将所述光照射装置68安装在金属基板71上，散热性好，不需要支承基板，可降低成本，并实现小型化、薄型化及轻量化。

并且，在将多个发光二极管25安装在上述第一金属基板23上，再将各基板23用粘接剂等粘接在第二金属基板24上时，只要一个基板23上的发光二极管25有缺陷(不发光)，金属基板24上的发光体就会全部不能使用。

但是，在本发明中，由于用机器人将完成的各光照射装置68直接安装在金属基板71上，故能只安装合格品，提高生产效率。

在本实施例中，作为所述光半导体元件25，对背面构成阴极或阳极、上面构成阳极或阴极的元件进行了说明，但是如图8(b)所示，也可以在光半导体元件25A的上面分别具有阳极73A及阴极73B，并用金属细线66A将各电极73A、73B电连接在第一导电电极51C或第二导电电极51D上。另外，作为这种结构的光半导体元件25A的一例有蓝色二极管等。

下面，参照图9说明上述金属基板的实施例2。

实施例2的特征在于，装有所述光照射装置68的金属基板71A其周边部具有为反射来自光照射装置68(光半导体元件25)的光而向上方折弯的折弯部71B。通过该折弯部71B使来自所述光半导体元件25的光进一步向上方照射。另外，该折弯部71B由压力机等进行挤压加工而构成。

在该折弯部71B的端部形成平的部分，在该平的部分载置玻璃基板等透明板73，并在该状态下用橡胶密封件等安装构件74固定金属基板71A和透明板73，从而，完成作为具有所需尺寸的发光板的照明装置40A。另外，在照明装置40A内，密封有干燥空气。另外，作为固定所述金属基板71A和透明板73的固定构件可以是螺丝紧固件。并且，通过在固定所述基板71A和透明板73时，加入橡胶或海绵等缓冲件(密封件)，可充填两者间的间隙。另外，也可以是用粘接剂固定两者的构件。

这样，在本实施例中，是挤压加工金属基板71A自身，可使来自光半导体元件25的光进一步向上方反射。故与如实施例1那样使用平的金属基板71的情况相比，可进一步提高照射效果。即使在使用上述平的金属基板71的情况下，通过在例如光照射装置68的附近或至少在金属基板71的周边部形成可使来自所述光半导体元件25的光向上方反射的反射体，可提高照射效率，但这种情况下，构成照明装置40的结构要素增加了所述反射体，使成本提高。

另外，通过在金属基板71A上构成折弯部71B，在本实施例的照明装置中，在覆盖光照射装置68的上方时，只需在该折弯部71B的平的部分载置透明板73，用安装构件74固定金属基板71A和透明板73即可，可用最小限度的部件数量构成照明装置。

如上所述可知，在本发明中，形成由最小限度的光半导体元件、导电路(导电电极)及可透光的树脂构成的、无资源浪费的光照射装置。因此，直至完成都不需多余的结构要素，可实现能大幅度降低成本的光照射装置。通过使可透光的树脂的覆膜膜厚、导电箔的厚度为最佳值，可实现非常小型、薄型化和轻量化的光照射装置。

另外，由于仅使导电路的背面自可透光的树脂露出，故导电路的背面可直接用于与外部的连接，具有可不需要现有结构的背面电极及通孔的优点，而且，与现有的在印刷电路板上载置光半导体元件的结构相比，可提高散热性，提高光半导体元件的驱动能力。

通过构成将多个这种光照射装置直接安装在金属基板上形成的照明装置，可提高散热性，不再需要安装光照射装置的支承基板，降低成本，实现照明装置的小型化、薄型化及轻量化。

由于在金属基板的周边部构成为反射光半导体元件的光而向上方折弯的折弯部，故通过该折弯部来自所述光半导体元件的光会进一步向上方照射。

并且，利用该折弯部，可由透明板覆盖光半导体元件的上方，可用最小限度的部件数量构成照明装置。

在将光照射装置安装在金属基板上时，通过使其熔融温度低于树脂模装时的模型温度，可抑制导电电极自模装树脂剥离。

另外，由于是用水平方向及上下动方向可移动的机器人直接将各光照射装置安装在金属基板上，故操作性好。并且，由于可仅将合格品安装在金属基板上，故可提高生产效率。

在将可透光的树脂覆盖所述各光照射装置，充填在所述分离槽后，除去未设所述分离槽侧的所述导电箔直至规定位置，然后，使由所述可透光的树脂覆盖的各光照射装置相互分离，由于具有该工序，各光照射装置相互间直至最终阶段前都不分离，始终以一片导电箔供给到各工序，故操作性好。

Claims (12)

1、一种照明装置的制造方法，其特征在于，包括：至少在除构成导电路的区域外的导电箔上形成比该导电箔厚度浅的分离槽，从而形成多个导电路的工序；将光半导体元件固定安装在所述多个导电路上的工序；用可透光的树脂覆盖所述光半导体元件并充填所述分离槽、形成光照射装置的工序；除去未设所述分离槽的一侧的所述导电箔并使所述树脂露出的工序；分离由所述可透光的树脂覆盖的光照射装置的工序；将所述光照射装置安装在金属基板上的工序。

2、如权利要求1所述的照明装置的制造方法，其特征在于，包括将所述光照射装置安装在其周边部折弯、具有用于将所述光半导体元件的光向上方反射的倾斜的金属基板上的工序。

3、如权利要求2所述的照明装置的制造方法，其特征在于，包括：利用所述金属基板的折弯部，用透明板覆盖所述光照射装置的上方的工序。

4、如权利要求1所述的照明装置的制造方法，其特征在于，将所述光照射装置安装在所述金属基板上的工序，在固定安装所述光照射装置的电极和所述金属基板上的电极时，使用其熔融温度低于所述可透光的树脂的模制温度的焊料进行。

5、如权利要求1所述的照明装置的制造方法，其特征在于，在固定安装所述光半导体元件的工序之前，还包括在所述导电路上的规定区域形成导电覆膜的工序。

6、如权利要求1所述的照明装置的制造方法，其特征在于，在用树脂覆盖所述光半导体元件的工序之前，还包括利用引线接合电连接所述所需的光半导体元件的电极与所述导电路的工序。

7、如权利要求1所述的照明装置的制造方法，其特征在于，在用树脂覆盖所述光半导体元件的工序之前，将所述光半导体元件的背面的阴极或阳极与所述导电路构成的第一导电电极电连接，同样将所述光半导体元件的上面的阳极或阴极与所述导电路构成的第二导电电极电连接。

8、如权利要求1所述的照明装置的制造方法，其特征在于，在覆盖所述树脂的工序之前，将所述光半导体元件的上面的阴极或阳极与所述导电路构成的第一导电电极电连接，同样将所述光半导体元件的上面的阳极或阴极与所述导电路构成的第二导电电极电连接。

9、如权利要求1所述的照明装置的制造方法，其特征在于，所述导电路由铜、铝、铁-镍、铜-铝、铝-铜-铝中的导电箔构成。

10、如权利要求5所述的照明装置的制造方法，其特征在于，所述导电覆膜由镍、金、钯、铝或银中的一种形成的镀膜构成。

11、如权利要求1所述的照明装置的制造方法，其特征在于，选择性地形成于所述导电箔上的所述分离槽通过化学或物理蚀刻而形成。

12、如权利要求1所述的照明装置的制造方法，其特征在于，将所述光照射装置安装在金属基板上的工序用具有可沿水平方向及上下方向移动的臂的机器人直接将该光照射装置安装在金属基板上。

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