JPH08306717A - 樹脂封止方法 - Google Patents
樹脂封止方法Info
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- JPH08306717A JPH08306717A JP7110720A JP11072095A JPH08306717A JP H08306717 A JPH08306717 A JP H08306717A JP 7110720 A JP7110720 A JP 7110720A JP 11072095 A JP11072095 A JP 11072095A JP H08306717 A JPH08306717 A JP H08306717A
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップと、それをフリップチップ接合
した基板との間隙部に樹脂を充填する樹脂封止方法にお
いて、樹脂の充填時に気泡の巻込をなくすと共に、樹脂
中に含まれる気泡，ガスも同時に除去するようにする。 【構成】 熱源を内蔵し回動自在の台座３を略水平に
し、半導体チップ１を基板２にフリップチップ接合した
部品を載置する。半導体チップ１の１ないし３辺に封止
樹脂８を滴下し、部品を覆うように台座上に囲い９を設
置し、内部を真空にすると共に熱源により部品を加熱し
て封止樹脂を溶融する。台座３を傾斜させて半導体チッ
プ１と基板２との間隙部に封止樹脂８を充填する。
した基板との間隙部に樹脂を充填する樹脂封止方法にお
いて、樹脂の充填時に気泡の巻込をなくすと共に、樹脂
中に含まれる気泡，ガスも同時に除去するようにする。 【構成】 熱源を内蔵し回動自在の台座３を略水平に
し、半導体チップ１を基板２にフリップチップ接合した
部品を載置する。半導体チップ１の１ないし３辺に封止
樹脂８を滴下し、部品を覆うように台座上に囲い９を設
置し、内部を真空にすると共に熱源により部品を加熱し
て封止樹脂を溶融する。台座３を傾斜させて半導体チッ
プ１と基板２との間隙部に封止樹脂８を充填する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを直接基
板に接合するフリップチップ実装において、半導体チッ
プと基板との間にできる間隙部に樹脂を充填し、接続電
極部での接続の劣化、損傷、端子間の短絡等を防止する
ための樹脂封止方法に関するものである。
板に接合するフリップチップ実装において、半導体チッ
プと基板との間にできる間隙部に樹脂を充填し、接続電
極部での接続の劣化、損傷、端子間の短絡等を防止する
ための樹脂封止方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体実装は、実装密度の向上が
求められ、基板に半導体チップを直接実装する方法が開
発され、実装後、接続部に樹脂を充填し、保護する方法
が実用化されつつある。
求められ、基板に半導体チップを直接実装する方法が開
発され、実装後、接続部に樹脂を充填し、保護する方法
が実用化されつつある。
【０００３】上記半導体実装の従来技術としては、樹脂
を充填する方法として、例えば、特開平１−226161号公
報に記載されているように、通常傾斜した台の上に、半
導体チップを基板に実装したものを置き、加熱して樹脂
を一方より流し込む方法が採られていた。
を充填する方法として、例えば、特開平１−226161号公
報に記載されているように、通常傾斜した台の上に、半
導体チップを基板に実装したものを置き、加熱して樹脂
を一方より流し込む方法が採られていた。
【０００４】以下、図５を参照して、上記従来の樹脂封
止方法の一例について説明する。図５(a)において、１
は半導体チップであり、基板２に、接合電極６で接合さ
れている。この状態のものを、ここでは部品と呼ぶこと
にする。部品は、一定の傾斜角αを有する固定台座11上
に載置する。固定台座11は、図示しない熱源を内蔵し、
上に置かれた部品を加熱する。
止方法の一例について説明する。図５(a)において、１
は半導体チップであり、基板２に、接合電極６で接合さ
れている。この状態のものを、ここでは部品と呼ぶこと
にする。部品は、一定の傾斜角αを有する固定台座11上
に載置する。固定台座11は、図示しない熱源を内蔵し、
上に置かれた部品を加熱する。
【０００５】次いで、一定温度までは加熱することによ
り流動性を増す特性を有する封止樹脂８を、半導体チッ
プ１の一辺で、傾斜の上部に当たる位置に、注入器によ
り滴下する。
り流動性を増す特性を有する封止樹脂８を、半導体チッ
プ１の一辺で、傾斜の上部に当たる位置に、注入器によ
り滴下する。
【０００６】封止樹脂８は、加熱されるに従って流動性
を増すと共に、毛細管現象に加え、自重も作用して、半
導体チップ１と基板２との間隙部に流入して充填され、
図５(b)に示したように、半導体チップ１の周辺部にフ
ィレット10を形成する。これを、別の水平の台上に移
し、所定の温度と時間をかけて硬化させる。
を増すと共に、毛細管現象に加え、自重も作用して、半
導体チップ１と基板２との間隙部に流入して充填され、
図５(b)に示したように、半導体チップ１の周辺部にフ
ィレット10を形成する。これを、別の水平の台上に移
し、所定の温度と時間をかけて硬化させる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の方法では、封止樹脂８が充填される途中に
おいて、半導体チップ１，基板２，接合電極６等の表面
状態により微小な気泡12を巻き込んだり、あるいはガス
が発生し、加熱硬化を行う過程においてそれらが膨張し
て、接合電極６を引き剥がす力を発生させ、半導体チッ
プ１と基板２間の接合を破損させるという問題を有して
いた。
ような従来の方法では、封止樹脂８が充填される途中に
おいて、半導体チップ１，基板２，接合電極６等の表面
状態により微小な気泡12を巻き込んだり、あるいはガス
が発生し、加熱硬化を行う過程においてそれらが膨張し
て、接合電極６を引き剥がす力を発生させ、半導体チッ
プ１と基板２間の接合を破損させるという問題を有して
いた。
【０００８】本発明は、上記従来技術の問題点を解決す
るもので、樹脂の充填時の気泡の巻込をなくすと共に、
樹脂中に含まれる気泡，ガスも同時に除去するようにし
た樹脂封止方法を提供することを目的とする。
るもので、樹脂の充填時の気泡の巻込をなくすと共に、
樹脂中に含まれる気泡，ガスも同時に除去するようにし
た樹脂封止方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の樹脂封止方法は、熱源を内蔵し回動軸を支
点として回動することにより傾斜自在に設けられた台座
を略水平に保持し、その上に、半導体チップを基板にフ
リップチップ接合した部品を載置する第１の工程と、前
記基板上の前記半導体チップの１ないし３辺に封止樹脂
を置く第２の工程と、前記部品を覆うように前記台座の
上に囲いを設置し、前記囲い内の空気を吸引して真空に
すると共に前記熱源により前記部品を加熱して前記封止
樹脂を溶融する第３の工程と、前記封止樹脂を置いた側
を持ち上げるように前記台座を傾斜させ、前記半導体チ
ップと基板との間隙部に封止樹脂を充填する第４の工程
と、前記台座を略水平に戻し、前記囲い内の真空を解除
する第５の工程とを有する構成とする。傾斜自在に設け
られた台座は、０〜90度の任意の角度で固定可能となっ
ている。
に、本発明の樹脂封止方法は、熱源を内蔵し回動軸を支
点として回動することにより傾斜自在に設けられた台座
を略水平に保持し、その上に、半導体チップを基板にフ
リップチップ接合した部品を載置する第１の工程と、前
記基板上の前記半導体チップの１ないし３辺に封止樹脂
を置く第２の工程と、前記部品を覆うように前記台座の
上に囲いを設置し、前記囲い内の空気を吸引して真空に
すると共に前記熱源により前記部品を加熱して前記封止
樹脂を溶融する第３の工程と、前記封止樹脂を置いた側
を持ち上げるように前記台座を傾斜させ、前記半導体チ
ップと基板との間隙部に封止樹脂を充填する第４の工程
と、前記台座を略水平に戻し、前記囲い内の真空を解除
する第５の工程とを有する構成とする。傾斜自在に設け
られた台座は、０〜90度の任意の角度で固定可能となっ
ている。
【００１０】また、熱源を内蔵した台座を略水平に保持
し、その上に、半導体チップを基板にフリップチップ接
合した部品を載置する第１の工程と、前記部品を覆うよ
うに前記台座の上に囲いを設置し、前記囲い内の空気を
吸引して真空にする第２の工程と、前記基板上の前記半
導体チップの辺部に封止樹脂を滴下し、前記熱源により
前記部品を加熱して前記封止樹脂を溶融する第３の工程
と、前記囲い内の真空を解除し、溶融した封止樹脂を前
記半導体チップと基板との間隙部に充填する第４の工程
とを有する構成とする。半導体チップの辺部への封止樹
脂の滴下は、半導体チップの全周囲に滴下するのが好ま
しい。
し、その上に、半導体チップを基板にフリップチップ接
合した部品を載置する第１の工程と、前記部品を覆うよ
うに前記台座の上に囲いを設置し、前記囲い内の空気を
吸引して真空にする第２の工程と、前記基板上の前記半
導体チップの辺部に封止樹脂を滴下し、前記熱源により
前記部品を加熱して前記封止樹脂を溶融する第３の工程
と、前記囲い内の真空を解除し、溶融した封止樹脂を前
記半導体チップと基板との間隙部に充填する第４の工程
とを有する構成とする。半導体チップの辺部への封止樹
脂の滴下は、半導体チップの全周囲に滴下するのが好ま
しい。
【００１１】囲いは、台座ごとに着脱自在に設置し、真
空度と温度を制御する。また、囲いは、全体若しくは一
部が透明になっている。
空度と温度を制御する。また、囲いは、全体若しくは一
部が透明になっている。
【００１２】封止樹脂は、30〜80℃で溶融し、流動性を
持つ。基板上に滴下後、真空と加熱により含有するガス
成分および気泡を除去した後充填する。
持つ。基板上に滴下後、真空と加熱により含有するガス
成分および気泡を除去した後充填する。
【００１３】
【作用】上記構成によれば、真空状態にした囲い内で封
止樹脂を加熱、溶融させるので、流動性を増した封止樹
脂は、半導体チップと基板との間隙部に流入する。ま
た、封止樹脂中に混入した気泡や発生ガスも除去され、
均一で確実な樹脂の充填が可能になる。
止樹脂を加熱、溶融させるので、流動性を増した封止樹
脂は、半導体チップと基板との間隙部に流入する。ま
た、封止樹脂中に混入した気泡や発生ガスも除去され、
均一で確実な樹脂の充填が可能になる。
【００１４】台座が回動自在のものは、部品の載置時や
取出時は略水平にし、樹脂の充填時は樹脂が流れ易いよ
うに傾斜させるので作業がし易く、しかも、真空にする
囲いは部品の周囲を覆うだけの小型のものであるから装
置が大がかりにならない。
取出時は略水平にし、樹脂の充填時は樹脂が流れ易いよ
うに傾斜させるので作業がし易く、しかも、真空にする
囲いは部品の周囲を覆うだけの小型のものであるから装
置が大がかりにならない。
【００１５】半導体チップの周囲に滴下した封止樹脂を
加熱、溶融し、真空を切ったとき、半導体チップと基板
との間隙部の圧力と周囲の圧力との差を利用することに
よって、台座を水平に維持した状態でも、均一で確実な
樹脂の充填が可能になる。
加熱、溶融し、真空を切ったとき、半導体チップと基板
との間隙部の圧力と周囲の圧力との差を利用することに
よって、台座を水平に維持した状態でも、均一で確実な
樹脂の充填が可能になる。
【００１６】
【実施例】以下、図面を参照して実施例を詳細に説明す
る。図１は本発明の第１の実施例を示したもので、１は
半導体チップ、２は基板，３は台座，４は排気口，５は
回動軸，６は接合電極，７は注入器，８は封止樹脂，９
は囲い，10はフィレットである。
る。図１は本発明の第１の実施例を示したもので、１は
半導体チップ、２は基板，３は台座，４は排気口，５は
回動軸，６は接合電極，７は注入器，８は封止樹脂，９
は囲い，10はフィレットである。
【００１７】次に、樹脂封入方法を順を追って説明す
る。まず、図１(a)において、台座３は、回動軸５を有
し、任意の角度で固定することができる。内部には図示
しない熱源を有し、また、排気口４が設けられている。
最初、台座３を水平状態にし、この上に、基板２上に半
導体チップ１を接合電極６でフリップチップ接合した部
品を載置する。次いで、図１(b)に示したように、後工
程で台座３を傾斜させたとき部品の上方に位置する一辺
に、注入器７により封止樹脂８を滴下する。
る。まず、図１(a)において、台座３は、回動軸５を有
し、任意の角度で固定することができる。内部には図示
しない熱源を有し、また、排気口４が設けられている。
最初、台座３を水平状態にし、この上に、基板２上に半
導体チップ１を接合電極６でフリップチップ接合した部
品を載置する。次いで、図１(b)に示したように、後工
程で台座３を傾斜させたとき部品の上方に位置する一辺
に、注入器７により封止樹脂８を滴下する。
【００１８】封止樹脂８の滴下は、半導体チップ１の大
きさ、半導体チップ１と基板２との間隙の大きさ等によ
り、封止樹脂量が変化するため、図２(a)，(b)，(c)に
示したように、半導体チップ１の１〜３辺に滴下し、図
の上の部分を持ち上げるようにする。
きさ、半導体チップ１と基板２との間隙の大きさ等によ
り、封止樹脂量が変化するため、図２(a)，(b)，(c)に
示したように、半導体チップ１の１〜３辺に滴下し、図
の上の部分を持ち上げるようにする。
【００１９】次に、図１(c)に示したように、部品全体
と排気口４を覆うように、囲い９を台座３の上に被せ、
囲い９の内部の空気を、排気口４を通して、図示しない
排気手段で吸引し、減圧する。この動作により、半導体
チップ１と基板２間の空気はもとより、接合電極６の周
囲に存在する空気も排気され、真空が保持される。
と排気口４を覆うように、囲い９を台座３の上に被せ、
囲い９の内部の空気を、排気口４を通して、図示しない
排気手段で吸引し、減圧する。この動作により、半導体
チップ１と基板２間の空気はもとより、接合電極６の周
囲に存在する空気も排気され、真空が保持される。
【００２０】次に、図１(d)に示したように、囲い９内
を真空に保持した状態で、台座３に内蔵する熱源により
部品を加熱すると共に、回動軸５を中心に台座３を回動
して封止樹脂８の滴下位置を上方へ持ち上げる。加熱す
ることにより流動性が増した封止樹脂８は、毛細管現象
および樹脂の自重の作用により、半導体チップ１と基板
２との間隙部に流入して充填され、半導体チップ１の周
辺部にフィレット10が形成される。
を真空に保持した状態で、台座３に内蔵する熱源により
部品を加熱すると共に、回動軸５を中心に台座３を回動
して封止樹脂８の滴下位置を上方へ持ち上げる。加熱す
ることにより流動性が増した封止樹脂８は、毛細管現象
および樹脂の自重の作用により、半導体チップ１と基板
２との間隙部に流入して充填され、半導体チップ１の周
辺部にフィレット10が形成される。
【００２１】溶融した封止樹脂８が半導体チップ１と基
板２との間隙部に充填され、半導体チップ１の周辺部に
フィレット10が形成されたことを確認した後、図１(e)
に示したように、台座３を元の水平位置に戻し、真空を
解除する。なお、真空を解除するのは、台座３を元の水
平位置に戻す前に行なってもよい。
板２との間隙部に充填され、半導体チップ１の周辺部に
フィレット10が形成されたことを確認した後、図１(e)
に示したように、台座３を元の水平位置に戻し、真空を
解除する。なお、真空を解除するのは、台座３を元の水
平位置に戻す前に行なってもよい。
【００２２】量産時においては、これらの一連の工程
は、一定条件下において自動的に管理、遂行されること
は言うまでもない。
は、一定条件下において自動的に管理、遂行されること
は言うまでもない。
【００２３】本実施例では、真空にするための排気口４
は台座３に設けたが、囲い９に設けてもよい。封止樹脂
８の硬化のために所定時間、加温が必要であるが、図１
(e)の状態で行ってもよいが、部品を台座３から他の硬
化用設備に移して行ってもよい。
は台座３に設けたが、囲い９に設けてもよい。封止樹脂
８の硬化のために所定時間、加温が必要であるが、図１
(e)の状態で行ってもよいが、部品を台座３から他の硬
化用設備に移して行ってもよい。
【００２４】以上のように構成された本実施例によれ
ば、真空状態にした囲い９の中で封止樹脂８を加熱、流
動させ、毛細管現象と樹脂の自重の作用により、半導体
チップ１と基板２との間隙部に流入させ、充填するの
で、半導体チップ１と基板２との間隙部に気泡を残すこ
とはなく、また、封止樹脂中に混入した気泡や発生ガス
も除去され、均一で確実な樹脂の充填が可能になる。さ
らに、台座３が回動自在であり、その台座３を、部品の
載置時や取出時は水平にセットし、樹脂の充填時は樹脂
が流れ易いように傾斜させ、しかも、真空にする囲い９
は部品の周囲を覆うだけの小型のものであるから装置が
大がかりにならず、安価に実施することができる。
ば、真空状態にした囲い９の中で封止樹脂８を加熱、流
動させ、毛細管現象と樹脂の自重の作用により、半導体
チップ１と基板２との間隙部に流入させ、充填するの
で、半導体チップ１と基板２との間隙部に気泡を残すこ
とはなく、また、封止樹脂中に混入した気泡や発生ガス
も除去され、均一で確実な樹脂の充填が可能になる。さ
らに、台座３が回動自在であり、その台座３を、部品の
載置時や取出時は水平にセットし、樹脂の充填時は樹脂
が流れ易いように傾斜させ、しかも、真空にする囲い９
は部品の周囲を覆うだけの小型のものであるから装置が
大がかりにならず、安価に実施することができる。
【００２５】図３は本発明の第２の実施例を示したもの
で、図１と同一名称のものには同一の符号を付してあ
る。本実施例では、台座３を傾けることなく、半導体チ
ップ１と基板２との間隙部に封止樹脂８を充填するよう
にしたものである。
で、図１と同一名称のものには同一の符号を付してあ
る。本実施例では、台座３を傾けることなく、半導体チ
ップ１と基板２との間隙部に封止樹脂８を充填するよう
にしたものである。
【００２６】本実施例の樹脂封入方法を順を追って説明
する。まず、図３(a)に示したように、基板２に半導体
チップ１を接合電極６でフリップチップ接合した部品を
台座３上に載置し、部品および排気口４を覆うように囲
い９を被せる。囲い９には、気密性を損なうことなく台
座３に対して平行移動可能な注入器７が設けられてい
る。例えば、注入器７をＸ−Ｙロボットで保持して、台
座３に対して平行移動させる。
する。まず、図３(a)に示したように、基板２に半導体
チップ１を接合電極６でフリップチップ接合した部品を
台座３上に載置し、部品および排気口４を覆うように囲
い９を被せる。囲い９には、気密性を損なうことなく台
座３に対して平行移動可能な注入器７が設けられてい
る。例えば、注入器７をＸ−Ｙロボットで保持して、台
座３に対して平行移動させる。
【００２７】次に、図３(b)に示したように、台座３に
設けた排気口４を通して排気，減圧すると共に、減圧さ
れた状態で、半導体チップ１の周囲に、注入器７から封
止樹脂８を滴下する。封止樹脂８の滴下は、図４(a)に
示したように、半導体チップ１の全周、または図４(b)
に示したように、一部の隙間14を残して半導体チップ１
の周囲に滴下する。
設けた排気口４を通して排気，減圧すると共に、減圧さ
れた状態で、半導体チップ１の周囲に、注入器７から封
止樹脂８を滴下する。封止樹脂８の滴下は、図４(a)に
示したように、半導体チップ１の全周、または図４(b)
に示したように、一部の隙間14を残して半導体チップ１
の周囲に滴下する。
【００２８】この状態で、台座３に内蔵する熱源により
部品を加熱すると、封止樹脂８は流動性が増し、封止樹
脂８に含有されているガスや気泡が抜ける時間をおい
て、囲い９内の真空を解除する。真空の解除に伴い、囲
い９内は常圧に戻るが、部品周辺部と、半導体チップ１
と基板２との間隙部とは圧力の差が生じ、特に、半導体
チップ１の全周に封止樹脂８を滴下した場合は間隙部は
真空状態であるから、図４に矢印で示したように、周辺
部の封止樹脂８は半導体チップ１と基板２との間隙部に
速やかに流入充填され、図３(c)に示したように、半導
体チップ１の周辺部にフィレット10が形成される。
部品を加熱すると、封止樹脂８は流動性が増し、封止樹
脂８に含有されているガスや気泡が抜ける時間をおい
て、囲い９内の真空を解除する。真空の解除に伴い、囲
い９内は常圧に戻るが、部品周辺部と、半導体チップ１
と基板２との間隙部とは圧力の差が生じ、特に、半導体
チップ１の全周に封止樹脂８を滴下した場合は間隙部は
真空状態であるから、図４に矢印で示したように、周辺
部の封止樹脂８は半導体チップ１と基板２との間隙部に
速やかに流入充填され、図３(c)に示したように、半導
体チップ１の周辺部にフィレット10が形成される。
【００２９】以上の実施例のように、部品を載置する台
座３が水平状態にあっても、半導体チップ１と基板２と
の間隙部に気泡を残すことはなく、また、封止樹脂中に
混入した気泡や発生ガスも除去され、均一で確実な樹脂
の充填が可能になり、第１の実施例と同様の効果が得ら
れる。
座３が水平状態にあっても、半導体チップ１と基板２と
の間隙部に気泡を残すことはなく、また、封止樹脂中に
混入した気泡や発生ガスも除去され、均一で確実な樹脂
の充填が可能になり、第１の実施例と同様の効果が得ら
れる。
【００３０】なお、台座を複数個設け、台座ごとに囲い
を着脱自在に設置してそれぞれ真空度と温度を制御する
方式にすれば、設備が小型で精度のよい加熱が可能とな
る。また、囲いの全体若しくは一部を透明にすることに
よって、加工中の部品の状態、樹脂の充填状態が視認で
き、信頼性の高い加工ができる。
を着脱自在に設置してそれぞれ真空度と温度を制御する
方式にすれば、設備が小型で精度のよい加熱が可能とな
る。また、囲いの全体若しくは一部を透明にすることに
よって、加工中の部品の状態、樹脂の充填状態が視認で
き、信頼性の高い加工ができる。
【００３１】封止樹脂は、30〜80℃で溶融し、流動性を
持つ樹脂を使用するのがよい。
持つ樹脂を使用するのがよい。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
真空状態にした囲い内で封止樹脂を加熱、溶融させるの
で、流動性を増した封止樹脂は、半導体チップと基板と
の間隙部に容易に流入し、また、封止樹脂中に混入した
気泡や発生ガスも除去され、均一で確実な樹脂の充填が
可能になる。
真空状態にした囲い内で封止樹脂を加熱、溶融させるの
で、流動性を増した封止樹脂は、半導体チップと基板と
の間隙部に容易に流入し、また、封止樹脂中に混入した
気泡や発生ガスも除去され、均一で確実な樹脂の充填が
可能になる。
【００３３】台座が回動自在のものは、部品の載置時や
取出時は台座を略水平にして作業するので作業がし易
く、また樹脂の充填時は傾斜させるので樹脂が流れ易
く、しかも、真空にする囲いは部品の周囲を覆うだけの
小型のものであるから装置が大がかりにならない。
取出時は台座を略水平にして作業するので作業がし易
く、また樹脂の充填時は傾斜させるので樹脂が流れ易
く、しかも、真空にする囲いは部品の周囲を覆うだけの
小型のものであるから装置が大がかりにならない。
【００３４】半導体チップの周囲に滴下した封止樹脂を
加熱、溶融し、真空を切ったとき、半導体チップと基板
との間隙部の圧力と周囲の圧力との差を利用することに
よって、台座を水平に維持した状態でも、均一で確実な
樹脂の充填が可能になる。
加熱、溶融し、真空を切ったとき、半導体チップと基板
との間隙部の圧力と周囲の圧力との差を利用することに
よって、台座を水平に維持した状態でも、均一で確実な
樹脂の充填が可能になる。
【図１】本発明の第１の実施例の樹脂封止工程の概略を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例の半導体チップ辺部への
封止樹脂滴下状態を示す図である。
封止樹脂滴下状態を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施例の樹脂封止方法を示す断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の第２の実施例の半導体チップ辺部への
封止樹脂滴下状態を示す図である。
封止樹脂滴下状態を示す図である。
【図５】従来例の樹脂封止方法を示す断面図である。
１ … 半導体チップ、 ２ … 基板、 ３ … 台座、
４ … 排気口、 ５ …回動軸、 ６ … 接合電極、
７ … 注入器、 ８ … 封止樹脂、 ９ … 囲い、 10
… フィレット。
４ … 排気口、 ５ …回動軸、 ６ … 接合電極、
７ … 注入器、 ８ … 封止樹脂、 ９ … 囲い、 10
… フィレット。
Claims (9)
- 【請求項１】 熱源を内蔵し回動軸を支点として回動す
ることにより傾斜自在に設けられた台座を略水平に保持
し、その上に、半導体チップを基板にフリップチップ接
合した部品を載置する第１の工程と、前記基板上の前記
半導体チップの１ないし３辺に封止樹脂を置く第２の工
程と、前記部品を覆うように前記台座の上に囲いを設置
し、前記囲い内の空気を吸引して真空にすると共に前記
熱源により前記部品を加熱して前記封止樹脂を溶融する
第３の工程と、前記封止樹脂を置いた側を持ち上げるよ
うに前記台座を傾斜させ、前記半導体チップと基板との
間隙部に封止樹脂を充填する第４の工程と、前記台座を
略水平に戻し、前記囲い内の真空を解除する第５の工程
とを有することを特徴とする樹脂封止方法。 - 【請求項２】 熱源を内蔵した台座を略水平に保持し、
その上に、半導体チップを基板にフリップチップ接合し
た部品を載置する第１の工程と、前記部品を覆うように
前記台座の上に囲いを設置し、前記囲い内の空気を吸引
して真空にする第２の工程と、前記基板上の前記半導体
チップの辺部に封止樹脂を滴下し、前記熱源により前記
部品を加熱して前記封止樹脂を溶融する第３の工程と、
前記囲い内の真空を解除し、溶融した封止樹脂を前記半
導体チップと基板との間隙部に充填する第４の工程とを
有することを特徴とする樹脂封止方法。 - 【請求項３】 傾斜自在に設けられた台座は、０〜90度
の任意の角度で固定可能となっていることを特徴とする
請求項１記載の樹脂封止方法。 - 【請求項４】 半導体チップの辺部への封止樹脂の滴下
は、半導体チップの全周囲に滴下することを特徴とする
請求項２記載の樹脂封止方法。 - 【請求項５】 囲いは、台座ごとに設置し、真空度と温
度を制御することを特徴とする請求項１又は２記載の樹
脂封止方法。 - 【請求項６】 囲いは、台座ごとに着脱自在であること
を特徴とする請求項１又は２記載の樹脂封止方法。 - 【請求項７】 囲いは、全体若しくは一部が透明になっ
ていることを特徴とする請求項１又は２記載の樹脂封止
方法。 - 【請求項８】 封止樹脂は、30〜80℃で溶融することを
特徴とする請求項１又は２記載の樹脂封止方法。 - 【請求項９】 封止樹脂は、基板上に滴下後、真空と加
熱により含有するガス成分および気泡を除去した後充填
させることを特徴とする請求項１又は２記載の樹脂封止
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7110720A JPH08306717A (ja) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | 樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7110720A JPH08306717A (ja) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | 樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08306717A true JPH08306717A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14542781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7110720A Pending JPH08306717A (ja) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | 樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08306717A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0910125A1 (en) * | 1997-02-04 | 1999-04-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Method and device for sealing ic chip |
| US6376918B1 (en) * | 1996-03-07 | 2002-04-23 | Micron Technology, Inc. | Underfill of a bumped or raised die utilizing a barrier adjacent to the side wall of slip chip |
| JP2004200274A (ja) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体パッケージの製造方法 |
| US7022554B2 (en) | 2002-11-14 | 2006-04-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for fabricating circuit module |
| US7955065B2 (en) * | 2007-03-05 | 2011-06-07 | Fujitsu Limited | Resin filling apparatus, filling method, and method of manufacturing an electronic device |
| US20130193612A1 (en) * | 2012-01-31 | 2013-08-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device manufacturing method and manufacturing equipment |
-
1995
- 1995-05-09 JP JP7110720A patent/JPH08306717A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6376918B1 (en) * | 1996-03-07 | 2002-04-23 | Micron Technology, Inc. | Underfill of a bumped or raised die utilizing a barrier adjacent to the side wall of slip chip |
| US6455933B1 (en) | 1996-03-07 | 2002-09-24 | Micron Technology, Inc. | Underfill of a bumped or raised die utilizing a barrier adjacent to the side wall of flip chip |
| EP0910125A1 (en) * | 1997-02-04 | 1999-04-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Method and device for sealing ic chip |
| EP0910125A4 (en) * | 1997-02-04 | 2005-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | METHOD AND ARRANGEMENT FOR CAPTURING AN IC CHIP |
| US7022554B2 (en) | 2002-11-14 | 2006-04-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for fabricating circuit module |
| JP2004200274A (ja) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体パッケージの製造方法 |
| US7955065B2 (en) * | 2007-03-05 | 2011-06-07 | Fujitsu Limited | Resin filling apparatus, filling method, and method of manufacturing an electronic device |
| US20130193612A1 (en) * | 2012-01-31 | 2013-08-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device manufacturing method and manufacturing equipment |
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