JP2000349197A - 半導体ウェハ封止基板 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェハを異物等による汚染から保護
し、半導体ウェハの取り扱いが容易な半導体ウェハ封止
基板を提供することを目的とする。 【解決手段】 複数の半導体素子１’が形成された半導
体ウェハ１を２枚のシート状の樹脂膜３の間に挟み込ん
で半導体ウェハ１に熱圧着することにより、半導体ウェ
ハ封止基板１００を形成する。半導体ウェハ１は樹脂層
３によって異物による汚染から保護されるとともに、樹
脂によって補強されている。これにより、この後の半導
体装置の製造工程から、クリーンルーム等の高価な設備
や半導体ウェハを搬送するための特殊なキャリアを削減
することができる。
し、半導体ウェハの取り扱いが容易な半導体ウェハ封止
基板を提供することを目的とする。 【解決手段】 複数の半導体素子１’が形成された半導
体ウェハ１を２枚のシート状の樹脂膜３の間に挟み込ん
で半導体ウェハ１に熱圧着することにより、半導体ウェ
ハ封止基板１００を形成する。半導体ウェハ１は樹脂層
３によって異物による汚染から保護されるとともに、樹
脂によって補強されている。これにより、この後の半導
体装置の製造工程から、クリーンルーム等の高価な設備
や半導体ウェハを搬送するための特殊なキャリアを削減
することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面に回路パター
ンが形成された複数の半導体素子が作り込まれた板状の
半導体ウェハを樹脂封止した半導体ウェハ封止基板に関
するものである。
ンが形成された複数の半導体素子が作り込まれた板状の
半導体ウェハを樹脂封止した半導体ウェハ封止基板に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の基板などに実装される半導体
装置は、従来はウェハ状態で回路パターン形成が行われ
個片に分割された後の半導体素子の外部接続用電極に、
リードフレームのピンや金属バンプなどを接続し、この
接続部分を含む半導体素子全体を樹脂モールドで封止し
て半導体装置とするパッケージング工程を経て製造され
ていた。
装置は、従来はウェハ状態で回路パターン形成が行われ
個片に分割された後の半導体素子の外部接続用電極に、
リードフレームのピンや金属バンプなどを接続し、この
接続部分を含む半導体素子全体を樹脂モールドで封止し
て半導体装置とするパッケージング工程を経て製造され
ていた。
【０００３】半導体は信頼性を確保するためにゴミや異
物による汚染を極力排除する必要があり、その製造工程
においては取り扱いに細心の注意が求められる。このた
め、表面が保護されていない半導体素子を用いるパッケ
ージング工程は雰囲気中の微細異物を排除したクリーン
ルーム内で作業が行われ、また、搬送時のダメージを防
ぐため特殊なキャリアに保持された状態で取り扱われ
る。
物による汚染を極力排除する必要があり、その製造工程
においては取り扱いに細心の注意が求められる。このた
め、表面が保護されていない半導体素子を用いるパッケ
ージング工程は雰囲気中の微細異物を排除したクリーン
ルーム内で作業が行われ、また、搬送時のダメージを防
ぐため特殊なキャリアに保持された状態で取り扱われ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、クリーンル
ーム設備や、専用の特殊キャリアなどを準備するために
は多額の設備費用が必要とされ、このことが半導体装置
の製造コストの低減を妨げる大きな要因となって半導体
ウェハの保護を低コストで行うことが課題となってい
た。また近年は薄型化が進行しており、上述の問題に加
えて自動化装置における半導体ウェハのハンドリングも
ますます困難になっていることから、半導体ウェハのハ
ンドリング性を改善することが望まれていた。
ーム設備や、専用の特殊キャリアなどを準備するために
は多額の設備費用が必要とされ、このことが半導体装置
の製造コストの低減を妨げる大きな要因となって半導体
ウェハの保護を低コストで行うことが課題となってい
た。また近年は薄型化が進行しており、上述の問題に加
えて自動化装置における半導体ウェハのハンドリングも
ますます困難になっていることから、半導体ウェハのハ
ンドリング性を改善することが望まれていた。
【０００５】そこで本発明は、半導体装置の製造工程で
の異物付着による汚染から保護され、ハンドリングが容
易な半導体ウェハ封止基板を提供することを目的とす
る。
の異物付着による汚染から保護され、ハンドリングが容
易な半導体ウェハ封止基板を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体ウ
ェハ封止基板は、表面に回路パターンが形成された複数
の半導体素子が作り込まれた板状の半導体ウェハと前記
表面を封止する封止樹脂層を有する。
ェハ封止基板は、表面に回路パターンが形成された複数
の半導体素子が作り込まれた板状の半導体ウェハと前記
表面を封止する封止樹脂層を有する。
【０００７】請求項２記載の半導体ウェハ封止基板は、
請求項１記載の半導体ウェハ封止基板であって、前記封
止樹脂層は、前記半導体ウェハ封止基板が切断されて個
片の半導体素子となった後にも封止樹脂層として機能す
る。
請求項１記載の半導体ウェハ封止基板であって、前記封
止樹脂層は、前記半導体ウェハ封止基板が切断されて個
片の半導体素子となった後にも封止樹脂層として機能す
る。
【０００８】請求項３記載の半導体ウェハ封止基板は、
請求項１記載の半導体ウェハ封止基板であって、前記封
止樹脂層は前記回路パターンを透視可能な透明な樹脂で
ある。
請求項１記載の半導体ウェハ封止基板であって、前記封
止樹脂層は前記回路パターンを透視可能な透明な樹脂で
ある。
【０００９】請求項４記載の半導体ウェハ封止基板は、
請求項１記載の半導体ウェハ封止基板であって、前記封
止樹脂層の前記回路パターンの一部又は半導体ウェハの
表面に形成された認識マークに対応する位置に部分的な
開口部が設けられている。
請求項１記載の半導体ウェハ封止基板であって、前記封
止樹脂層の前記回路パターンの一部又は半導体ウェハの
表面に形成された認識マークに対応する位置に部分的な
開口部が設けられている。
【００１０】請求項５記載の半導体ウェハ封止基板は、
請求項１記載の半導体ウェハ封止基板であって、前記半
導体ウェハの縁部に前記封止樹脂層が無い未封止部が設
けられている。
請求項１記載の半導体ウェハ封止基板であって、前記半
導体ウェハの縁部に前記封止樹脂層が無い未封止部が設
けられている。
【００１１】請求項６記載の半導体ウェハ封止基板は、
請求項１記載の半導体ウェハ封止基板であって、前記封
止樹脂層は半導体ウェハの両面に設けられている。
請求項１記載の半導体ウェハ封止基板であって、前記封
止樹脂層は半導体ウェハの両面に設けられている。
【００１２】請求項７記載の半導体ウェハ封止基板は、
請求項１記載の半導体ウェハ封止基板であって、前記両
面に設けられた封止樹脂層は同じ厚さである。
請求項１記載の半導体ウェハ封止基板であって、前記両
面に設けられた封止樹脂層は同じ厚さである。
【００１３】本発明によれば、半導体装置の製造工程の
初期段階で半導体ウェハの電極形成面上に封止用の樹脂
層を形成することにより、半導体ウェハを製造工程での
異物による汚染から保護し、ハンドリングを容易にする
ことができる。
初期段階で半導体ウェハの電極形成面上に封止用の樹脂
層を形成することにより、半導体ウェハを製造工程での
異物による汚染から保護し、ハンドリングを容易にする
ことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態の半導
体ウェハ封止基板を用いた半導体装置の製造方法の工程
説明図、図２は半導体ウェハの平面図、図３、図４は本
発明の一実施の形態の半導体ウェハ封止基板の製造方法
の工程説明図、図５（ａ）は同半導体ウェハ封止基板の
斜視図、図５（ｂ）は同半導体ウェハ封止基板の断面
図、図６は同半導体ウェハ封止基板の平面図、図７、図
８は同半導体ウェハ封止基板の斜視図、図９は同レーザ
加工装置の正面図、図１０、図１１、図１２、図１３、
図１４は同半導体ウェハ封止基板を用いた半導体装置の
製造方法の工程説明図、図１５は同半導体ウェハ切断装
置の正面図、図１６、図１７は同半導体装置の実装状態
を示す断面図である。
参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態の半導
体ウェハ封止基板を用いた半導体装置の製造方法の工程
説明図、図２は半導体ウェハの平面図、図３、図４は本
発明の一実施の形態の半導体ウェハ封止基板の製造方法
の工程説明図、図５（ａ）は同半導体ウェハ封止基板の
斜視図、図５（ｂ）は同半導体ウェハ封止基板の断面
図、図６は同半導体ウェハ封止基板の平面図、図７、図
８は同半導体ウェハ封止基板の斜視図、図９は同レーザ
加工装置の正面図、図１０、図１１、図１２、図１３、
図１４は同半導体ウェハ封止基板を用いた半導体装置の
製造方法の工程説明図、図１５は同半導体ウェハ切断装
置の正面図、図１６、図１７は同半導体装置の実装状態
を示す断面図である。
【００１５】まずはじめに本発明の半導体ウェハ封止基
板の製造方法について説明する。図１（ａ）において、
１は複数の半導体素子が作り込まれた板状の半導体ウェ
ハである。図２に示すように、半導体ウェハ１には表面
に回路パターンが形成された複数の半導体素子１’が格
子状に形成されており、半導体素子１’の上面には、外
部接続用の電極２が形成されている。また、半導体ウェ
ハ１の表面には位置認識用の認識マークＭ、半導体素子
の境界を示す境界線ＢＬが形成されている。この認識マ
ークＭの機能については後述する。
板の製造方法について説明する。図１（ａ）において、
１は複数の半導体素子が作り込まれた板状の半導体ウェ
ハである。図２に示すように、半導体ウェハ１には表面
に回路パターンが形成された複数の半導体素子１’が格
子状に形成されており、半導体素子１’の上面には、外
部接続用の電極２が形成されている。また、半導体ウェ
ハ１の表面には位置認識用の認識マークＭ、半導体素子
の境界を示す境界線ＢＬが形成されている。この認識マ
ークＭの機能については後述する。
【００１６】次に、図１（ｂ）に示すように、半導体ウ
ェハ１の上面の電極形成面および下面に樹脂層３を形成
する。これにより、図５および図６に示す半導体ウェハ
封止基板１００が完成する。この樹脂層形成には、エポ
キシ樹脂やポリイミド樹脂などの樹脂材料を２００μｍ
程度の厚さのシート状に加工した樹脂膜３の片面に接着
剤４をコートしたものが用いられる。この樹脂層３は、
半導体ウェハ１の上下両面を保護するのみならず、半導
体ウェハ封止基板１００から半導体装置１’が切り出さ
れた後においてもそのまま封止用の樹脂として機能す
る。
ェハ１の上面の電極形成面および下面に樹脂層３を形成
する。これにより、図５および図６に示す半導体ウェハ
封止基板１００が完成する。この樹脂層形成には、エポ
キシ樹脂やポリイミド樹脂などの樹脂材料を２００μｍ
程度の厚さのシート状に加工した樹脂膜３の片面に接着
剤４をコートしたものが用いられる。この樹脂層３は、
半導体ウェハ１の上下両面を保護するのみならず、半導
体ウェハ封止基板１００から半導体装置１’が切り出さ
れた後においてもそのまま封止用の樹脂として機能す
る。
【００１７】したがって、樹脂層３に用いる樹脂材料に
は半導体素子を保護するための封止機能を有するものが
選ばれる。すなわち、耐湿性、耐マイグレーション性、
外力に対する十分な強度、電気絶縁性等、封止材として
満足できる性能を有するものでなければならない。この
ような樹脂は、既に半導体装置の製造に用いられている
ものでよい。また、半導体装置を基板に実装した後の信
頼性を高めるために、上述した樹脂にＳｉＯ2等のフィ
ラーを混合したものを使用してもよい。この実装後の信
頼性については後述する。
は半導体素子を保護するための封止機能を有するものが
選ばれる。すなわち、耐湿性、耐マイグレーション性、
外力に対する十分な強度、電気絶縁性等、封止材として
満足できる性能を有するものでなければならない。この
ような樹脂は、既に半導体装置の製造に用いられている
ものでよい。また、半導体装置を基板に実装した後の信
頼性を高めるために、上述した樹脂にＳｉＯ2等のフィ
ラーを混合したものを使用してもよい。この実装後の信
頼性については後述する。
【００１８】次に樹脂層形成の第１の例を図３、図５を
参照して説明する。第１の例は半導体ウェハ１をシート
状の樹脂膜で挟み込むものであり、図３に示すように、
供給ローラ８から供給される上下２枚の同じ厚さのシー
ト状の樹脂膜３の間に半導体ウェハ１を送り込んで挟み
込む。樹脂膜３には予め片面に接着剤４（図５（ｂ）参
照）がコートされており、樹脂膜３は接着剤４側を向か
い合わせた状態でガイドローラ９Ａにガイドされて供給
される。
参照して説明する。第１の例は半導体ウェハ１をシート
状の樹脂膜で挟み込むものであり、図３に示すように、
供給ローラ８から供給される上下２枚の同じ厚さのシー
ト状の樹脂膜３の間に半導体ウェハ１を送り込んで挟み
込む。樹脂膜３には予め片面に接着剤４（図５（ｂ）参
照）がコートされており、樹脂膜３は接着剤４側を向か
い合わせた状態でガイドローラ９Ａにガイドされて供給
される。
【００１９】そしてこの２枚の樹脂膜３の間に半導体ウ
ェハ１が送り込まれ、次いで樹脂膜３によって挟み込ま
れた半導体ウェハ１を熱圧着ローラ９Ｂの間を通過させ
ることにより、樹脂膜３を半導体ウェハ１に熱圧着す
る。これにより図５（ａ）に示すように、円形の半導体
ウェハ１は表裏両面を矩形の樹脂膜３により封止された
半導体ウェハ封止基板１００となる。この半導体ウェハ
封止基板１００は、図１（ｃ）および図５（ｂ）に示す
ように、樹脂膜３が半導体ウェハ１に接着されることに
より、同じ厚さの樹脂層３が半導体ウェハ１の両面に形
成される。なお本実施の形態では熱硬化性の接着剤を用
いて半導体ウェハ１に樹脂膜を貼りつける場合を例に説
明したが、光硬化性の接着剤を用いて貼りつけてもよ
い。ただしこの場合には、樹脂膜としては光透過性のも
のに限られる。
ェハ１が送り込まれ、次いで樹脂膜３によって挟み込ま
れた半導体ウェハ１を熱圧着ローラ９Ｂの間を通過させ
ることにより、樹脂膜３を半導体ウェハ１に熱圧着す
る。これにより図５（ａ）に示すように、円形の半導体
ウェハ１は表裏両面を矩形の樹脂膜３により封止された
半導体ウェハ封止基板１００となる。この半導体ウェハ
封止基板１００は、図１（ｃ）および図５（ｂ）に示す
ように、樹脂膜３が半導体ウェハ１に接着されることに
より、同じ厚さの樹脂層３が半導体ウェハ１の両面に形
成される。なお本実施の形態では熱硬化性の接着剤を用
いて半導体ウェハ１に樹脂膜を貼りつける場合を例に説
明したが、光硬化性の接着剤を用いて貼りつけてもよ
い。ただしこの場合には、樹脂膜としては光透過性のも
のに限られる。
【００２０】次に樹脂層形成の第２の例を図４を参照し
て説明する。第２の例は、図４に示すように、２枚の樹
脂膜３を加工した袋状の樹脂膜３Ｃ内に半導体ウェハ１
を挿入し、この状態で樹脂膜３を上下両方向から半導体
ウェハ１に熱圧着する。この方法によっても、第１の例
と同様に半導体ウェハ１の両面に同じ厚さの樹脂層３を
備えた半導体ウェハ封止基板１００を得ることができ
る。なお、樹脂層３を形成する方法として、上述のよう
な樹脂膜を用いる替わりに、液状の樹脂を前記半導体ウ
ェハに均一に塗布する方法や、電着により樹脂を半導体
ウェハ１の表面に付着させる方法を用いてもよい。いず
れの方法においても、充分な厚さを有する樹脂層を簡便
な方法により低コストで形成することが出来る。ただ
し、樹脂層を均一な厚さで形成するという点では、シー
ト状の樹脂膜を接着剤を用いて貼りつける方法が好まし
い。
て説明する。第２の例は、図４に示すように、２枚の樹
脂膜３を加工した袋状の樹脂膜３Ｃ内に半導体ウェハ１
を挿入し、この状態で樹脂膜３を上下両方向から半導体
ウェハ１に熱圧着する。この方法によっても、第１の例
と同様に半導体ウェハ１の両面に同じ厚さの樹脂層３を
備えた半導体ウェハ封止基板１００を得ることができ
る。なお、樹脂層３を形成する方法として、上述のよう
な樹脂膜を用いる替わりに、液状の樹脂を前記半導体ウ
ェハに均一に塗布する方法や、電着により樹脂を半導体
ウェハ１の表面に付着させる方法を用いてもよい。いず
れの方法においても、充分な厚さを有する樹脂層を簡便
な方法により低コストで形成することが出来る。ただ
し、樹脂層を均一な厚さで形成するという点では、シー
ト状の樹脂膜を接着剤を用いて貼りつける方法が好まし
い。
【００２１】このように、半導体製造工程における早期
段階の半導体ウェハ状態において、半導体ウェハの少な
くとも電極形成面側に封止用の樹脂層を形成して半導体
ウェハ封止基板１００とすることにより、半導体ウェハ
１を半導体装置の製造工程での異物付着による汚染から
有効に保護することができるとともに、薄くて撓みやす
い半導体ウェハ１を樹脂層３により補強して運搬時など
の半導体ウェハ１のハンドリングを容易にすることがで
きる。なお、このときに半導体ウェハ１の表裏両面に樹
脂層３を形成することにより、封止による保護と補強の
効果をさらに確実なものとすることができるとともに、
樹脂層３が半導体ウェハ１に対して上下対称に配置され
るため温度変化に伴うそりや変形を極めて小さく抑える
ことができる。さらに表裏両面の樹脂層３を同じ厚さで
形成することにより、この変形防止効果を高めることが
できる。
段階の半導体ウェハ状態において、半導体ウェハの少な
くとも電極形成面側に封止用の樹脂層を形成して半導体
ウェハ封止基板１００とすることにより、半導体ウェハ
１を半導体装置の製造工程での異物付着による汚染から
有効に保護することができるとともに、薄くて撓みやす
い半導体ウェハ１を樹脂層３により補強して運搬時など
の半導体ウェハ１のハンドリングを容易にすることがで
きる。なお、このときに半導体ウェハ１の表裏両面に樹
脂層３を形成することにより、封止による保護と補強の
効果をさらに確実なものとすることができるとともに、
樹脂層３が半導体ウェハ１に対して上下対称に配置され
るため温度変化に伴うそりや変形を極めて小さく抑える
ことができる。さらに表裏両面の樹脂層３を同じ厚さで
形成することにより、この変形防止効果を高めることが
できる。
【００２２】次に、半導体ウェハ封止基板１００の樹脂
層３に設けられる開口部について説明する。図４に示す
ように、袋状の樹脂層３には開口部Ａが予め形成されて
いる。この開口部Ａは図５（ａ）および図６に示すよう
に、樹脂膜３を熱圧着した状態で半導体ウェハ１に形成
された認識マークＭの位置と合致するように配置されて
いる。したがって、半導体ウェハ１が樹脂層３によって
封止された状態においても、認識マークＭを光学的手段
によって認識することができ、後述するように後工程に
おける半導体ウェハ封止基板１００の位置決めを高精度
で行うことが出来る。なお、半導体ウェハ１に認識マー
クＭを形成する替わりに、特定位置の半導体素子１’の
電極２の位置に同様の開口部を設け、この電極２を認識
マークとして認識するようにしてもよい。さらには、半
導体素子の境界を示す境界線ＢＬや半導体素子表面の回
路パターン等の特徴部を認識マークの代用としてもよ
い。
層３に設けられる開口部について説明する。図４に示す
ように、袋状の樹脂層３には開口部Ａが予め形成されて
いる。この開口部Ａは図５（ａ）および図６に示すよう
に、樹脂膜３を熱圧着した状態で半導体ウェハ１に形成
された認識マークＭの位置と合致するように配置されて
いる。したがって、半導体ウェハ１が樹脂層３によって
封止された状態においても、認識マークＭを光学的手段
によって認識することができ、後述するように後工程に
おける半導体ウェハ封止基板１００の位置決めを高精度
で行うことが出来る。なお、半導体ウェハ１に認識マー
クＭを形成する替わりに、特定位置の半導体素子１’の
電極２の位置に同様の開口部を設け、この電極２を認識
マークとして認識するようにしてもよい。さらには、半
導体素子の境界を示す境界線ＢＬや半導体素子表面の回
路パターン等の特徴部を認識マークの代用としてもよ
い。
【００２３】また、図７に示すように、半導体ウェハ１
を封止する樹脂層３の樹脂材質として半導体ウェハ１の
上面を透視可能な透明樹脂膜３Ｄを用いた半導体ウェハ
封止基板２００であってもよい。さらには図８に示すよ
うに、半導体ウェハ１の縁部に樹脂層３が無い未封止部
Ｅを設けた半導体ウェハ封止基板３００であってもよ
い。この場合、未封止部Ｅは半導体ウェハ１の縁部の全
周に設けても、または部分的にのみ設けるようにしても
よい。いずれの場合においても、半導体ウェハ１の上面
の認識マークＭや回路パターン、電極２などの特徴部を
光学的に認識することが可能となっている。
を封止する樹脂層３の樹脂材質として半導体ウェハ１の
上面を透視可能な透明樹脂膜３Ｄを用いた半導体ウェハ
封止基板２００であってもよい。さらには図８に示すよ
うに、半導体ウェハ１の縁部に樹脂層３が無い未封止部
Ｅを設けた半導体ウェハ封止基板３００であってもよ
い。この場合、未封止部Ｅは半導体ウェハ１の縁部の全
周に設けても、または部分的にのみ設けるようにしても
よい。いずれの場合においても、半導体ウェハ１の上面
の認識マークＭや回路パターン、電極２などの特徴部を
光学的に認識することが可能となっている。
【００２４】なお本実施の形態では、半導体ウェハの両
面に樹脂層３を形成した半導体ウェハ封止基板の例を示
したが、半導体素子の電極形成面のみに樹脂層３を備え
た半導体ウェハ封止基板でもよい。この場合において
も、半導体素子の電極形成面を汚染やダメージから有効
に保護することが出来る。
面に樹脂層３を形成した半導体ウェハ封止基板の例を示
したが、半導体素子の電極形成面のみに樹脂層３を備え
た半導体ウェハ封止基板でもよい。この場合において
も、半導体素子の電極形成面を汚染やダメージから有効
に保護することが出来る。
【００２５】次に、本発明の半導体ウェハ封止基板から
半導体装置を製造する半導体装置の製造方法について説
明する。
半導体装置を製造する半導体装置の製造方法について説
明する。
【００２６】（１）貫通孔形成工程 まずはじめに、半導体ウェハ封止基板１００の樹脂層３
に対して貫通孔形成が行われる。この貫通孔形成にはレ
ーザ加工が用いられ、電極２の位置に対応して樹脂層３
を貫通する貫通孔を形成する。図９はこの貫通孔形成工
程において用いられるレーザ加工装置を示している。
に対して貫通孔形成が行われる。この貫通孔形成にはレ
ーザ加工が用いられ、電極２の位置に対応して樹脂層３
を貫通する貫通孔を形成する。図９はこの貫通孔形成工
程において用いられるレーザ加工装置を示している。
【００２７】図９において、位置決めテーブル１１に設
けられたワーク保持部１２には樹脂層形成工程を経て樹
脂層が形成された半導体ウェハ封止基板１００が保持さ
れている。ワーク保持部１２の上方にはレーザ光源部１
３およびレーザ走査部１４から構成されたレーザ照射装
置が配設されており、レーザ照射装置にはカメラ１５が
装着されている。レーザ走査部１４は、ポリゴンミラー
やガルバノミラー等の周知の光学要素を備えており、レ
ーザ光源部１３から発射されたレーザ光を半導体ウェハ
封止基板１００の表面に向かって垂直に照射するととも
に、図９の矢印ａ、ａで示す所定の範囲内でレーザ光の
照射位置を変更する。カメラ１５は半導体ウェハ１の認
識マークＭを撮像する。記憶部１７は半導体ウェハ１の
設計データ、すなわち認識マークＭと電極２の相対的な
位置関係を示すデータを格納している。
けられたワーク保持部１２には樹脂層形成工程を経て樹
脂層が形成された半導体ウェハ封止基板１００が保持さ
れている。ワーク保持部１２の上方にはレーザ光源部１
３およびレーザ走査部１４から構成されたレーザ照射装
置が配設されており、レーザ照射装置にはカメラ１５が
装着されている。レーザ走査部１４は、ポリゴンミラー
やガルバノミラー等の周知の光学要素を備えており、レ
ーザ光源部１３から発射されたレーザ光を半導体ウェハ
封止基板１００の表面に向かって垂直に照射するととも
に、図９の矢印ａ、ａで示す所定の範囲内でレーザ光の
照射位置を変更する。カメラ１５は半導体ウェハ１の認
識マークＭを撮像する。記憶部１７は半導体ウェハ１の
設計データ、すなわち認識マークＭと電極２の相対的な
位置関係を示すデータを格納している。
【００２８】位置決めテーブル１１、レーザ光源部１
３、レーザ走査部１４、カメラ１５、認識部１７は制御
部１６に接続されている。制御部１６はレーザ光源部１
３のＯＮ／ＯＦＦを制御し、位置決めテーブル１１およ
びレーザ走査部１４制御することにより、半導体ウェハ
封止基板１００に対するレーザ光の照射部位を制御す
る。本実施の形態では、位置決めテーブル１１およびレ
ーザ走査部１４が半導体ウェハ封止基板１００に対して
レーザ光を位置決めする位置決め手段となっている。
３、レーザ走査部１４、カメラ１５、認識部１７は制御
部１６に接続されている。制御部１６はレーザ光源部１
３のＯＮ／ＯＦＦを制御し、位置決めテーブル１１およ
びレーザ走査部１４制御することにより、半導体ウェハ
封止基板１００に対するレーザ光の照射部位を制御す
る。本実施の形態では、位置決めテーブル１１およびレ
ーザ走査部１４が半導体ウェハ封止基板１００に対して
レーザ光を位置決めする位置決め手段となっている。
【００２９】カメラ１５に撮像された認識マークＭの撮
像データを制御部１６によって処理することにより、半
導体ウェハ１の表面に形成された認識マークＭの位置を
検出するとともに、この認識マークＭの位置に関するデ
ータと記憶部１７に格納されている認識マークＭと電極
２との相対的な位置関係を示すデータに基づいて位置決
めテーブル１１上における電極２の位置が求められる。
像データを制御部１６によって処理することにより、半
導体ウェハ１の表面に形成された認識マークＭの位置を
検出するとともに、この認識マークＭの位置に関するデ
ータと記憶部１７に格納されている認識マークＭと電極
２との相対的な位置関係を示すデータに基づいて位置決
めテーブル１１上における電極２の位置が求められる。
【００３０】したがって、この位置検出結果に基づいて
位置決めテーブル１１、レーザ走査部１４を制御するこ
とにより、半導体ウェハ１の電極２の位置にレーザ光を
正確に照射することが出来る。この貫通孔形成において
は、半導体ウェハ封止基板１００の上面すなわち電極形
成面側の樹脂層３の電極２に対応した位置にレーザ光を
照射することにより、照射位置にある樹脂が昇華し、図
１（ｃ）に示すように、樹脂層３には開口部が底部より
も広いテーパ形状で電極２の表面に到達する貫通孔３ａ
が形成される。
位置決めテーブル１１、レーザ走査部１４を制御するこ
とにより、半導体ウェハ１の電極２の位置にレーザ光を
正確に照射することが出来る。この貫通孔形成において
は、半導体ウェハ封止基板１００の上面すなわち電極形
成面側の樹脂層３の電極２に対応した位置にレーザ光を
照射することにより、照射位置にある樹脂が昇華し、図
１（ｃ）に示すように、樹脂層３には開口部が底部より
も広いテーパ形状で電極２の表面に到達する貫通孔３ａ
が形成される。
【００３１】なお貫通孔形成工程において、電極２に到
達する貫通孔をレーザ加工のみで形成する替わりに、以
下に説明するようなレーザ加工とプラズマ処理を組み合
わせた貫通孔形成方法を用いてもよい。この方法は、所
定位置に凹部を形成する粗加工にレーザ加工を用い、仕
上げ加工にプラズマ処理を用いるものである。以下図１
０を参照して説明する。図１０（ａ）において、樹脂層
３にはレーザ加工により電極２の位置に対応して凹部３
ａ’が形成される。このとき、厚さｔが１０μｍ程度の
未除去樹脂膜３ｂを凹部３ａ’底面の電極２表面に残留
させた状態でレーザ光の照射を停止する。そしてこの
後、残留した未除去樹脂膜３ｂを除去するためのプラズ
マ処理が行われる。
達する貫通孔をレーザ加工のみで形成する替わりに、以
下に説明するようなレーザ加工とプラズマ処理を組み合
わせた貫通孔形成方法を用いてもよい。この方法は、所
定位置に凹部を形成する粗加工にレーザ加工を用い、仕
上げ加工にプラズマ処理を用いるものである。以下図１
０を参照して説明する。図１０（ａ）において、樹脂層
３にはレーザ加工により電極２の位置に対応して凹部３
ａ’が形成される。このとき、厚さｔが１０μｍ程度の
未除去樹脂膜３ｂを凹部３ａ’底面の電極２表面に残留
させた状態でレーザ光の照射を停止する。そしてこの
後、残留した未除去樹脂膜３ｂを除去するためのプラズ
マ処理が行われる。
【００３２】図１０（ｂ）に示すように、半導体ウェハ
封止基板１００はプラズマ処理装置１８の処理室１９内
に収容され、電極２０上に載置される。処理室１９内を
真空排気部２１によって排気し、次いでガス供給部２２
によって酸素ガスを含むプラズマ発生用ガスを処理室１
９内に供給する。この状態で高周波電源２３を駆動して
電極２０に高周波電圧を印加することにより処理室１９
内にはプラズマが発生し、半導体ウェハ封止基板１００
の上面のプラズマ処理が行われ、樹脂層３の表面３ｃお
よび凹部３ａ’内部のプラズマのエッチング作用が及ん
だ部分は樹脂が除去される。このとき、電極２表面に残
留していた未除去樹脂膜３ｂが完全に除去されるよう
に、プラズマ処理条件、処理時間が設定される。これに
より、樹脂層３の各電極２に対応した位置には、樹脂残
さのない良好な貫通孔３ａ（図１（ｃ）参照）が形成さ
れる。
封止基板１００はプラズマ処理装置１８の処理室１９内
に収容され、電極２０上に載置される。処理室１９内を
真空排気部２１によって排気し、次いでガス供給部２２
によって酸素ガスを含むプラズマ発生用ガスを処理室１
９内に供給する。この状態で高周波電源２３を駆動して
電極２０に高周波電圧を印加することにより処理室１９
内にはプラズマが発生し、半導体ウェハ封止基板１００
の上面のプラズマ処理が行われ、樹脂層３の表面３ｃお
よび凹部３ａ’内部のプラズマのエッチング作用が及ん
だ部分は樹脂が除去される。このとき、電極２表面に残
留していた未除去樹脂膜３ｂが完全に除去されるよう
に、プラズマ処理条件、処理時間が設定される。これに
より、樹脂層３の各電極２に対応した位置には、樹脂残
さのない良好な貫通孔３ａ（図１（ｃ）参照）が形成さ
れる。
【００３３】このように、樹脂層３への貫通孔形成に際
し、レーザ加工とプラズマ処理とを組み合わせることに
より、レーザ加工とプラズマ処理の長所を生かして効率
的で品質の優れた加工を行うことが出来る。すなわち、
粗加工にレーザ加工を採用することにより高い位置精度
で樹脂除去効率のよい加工が行えるとともに、電極２表
面に未除去樹脂膜３ｂを残留させることにより、レーザ
加工時の熱が電極２を介して半導体素子に伝達されるこ
とによる半導体素子の熱ダメージを防止することができ
る。そして未除去樹脂膜３ｂの除去を目的とした仕上げ
加工にプラズマ処理を用いることにより、半導体素子へ
の熱ダメージを生じることなくレーザ加工後の電極２表
面の未除去樹脂膜３ｂとともに、凹部３ａ’内にレーザ
加工によって生じた樹脂残さを良好に除去することが出
来る。
し、レーザ加工とプラズマ処理とを組み合わせることに
より、レーザ加工とプラズマ処理の長所を生かして効率
的で品質の優れた加工を行うことが出来る。すなわち、
粗加工にレーザ加工を採用することにより高い位置精度
で樹脂除去効率のよい加工が行えるとともに、電極２表
面に未除去樹脂膜３ｂを残留させることにより、レーザ
加工時の熱が電極２を介して半導体素子に伝達されるこ
とによる半導体素子の熱ダメージを防止することができ
る。そして未除去樹脂膜３ｂの除去を目的とした仕上げ
加工にプラズマ処理を用いることにより、半導体素子へ
の熱ダメージを生じることなくレーザ加工後の電極２表
面の未除去樹脂膜３ｂとともに、凹部３ａ’内にレーザ
加工によって生じた樹脂残さを良好に除去することが出
来る。
【００３４】（２）導電部形成工程 次に、貫通孔３ａ内に導電部を形成する工程について説
明する。導電部を形成する工法としては、電極２の表面
に金属をメッキして成長させる方法や、ペースト状の導
電材を用いる方法、あるいは両者を組み合わせた方法が
適用できる。以下本明細書では、ペースト状の導電材を
貫通孔３ａの内部に充填し、この導電材を加熱すること
により、導電部を形成する方法を例に説明を行う。ペー
スト状の導電材としては、クリーム半田等の金属ペース
トや導電性樹脂が用いられる。金属ペーストの場合に
は、加熱によって金属成分を溶融させて半導体素子の電
極と接合して導電部となり、導電性樹脂の場合は貫通孔
内で熱硬化することによって電極と電気的に導通した導
電部となる。次に図面を用いて導電部形成工程を具体的
に説明する。
明する。導電部を形成する工法としては、電極２の表面
に金属をメッキして成長させる方法や、ペースト状の導
電材を用いる方法、あるいは両者を組み合わせた方法が
適用できる。以下本明細書では、ペースト状の導電材を
貫通孔３ａの内部に充填し、この導電材を加熱すること
により、導電部を形成する方法を例に説明を行う。ペー
スト状の導電材としては、クリーム半田等の金属ペース
トや導電性樹脂が用いられる。金属ペーストの場合に
は、加熱によって金属成分を溶融させて半導体素子の電
極と接合して導電部となり、導電性樹脂の場合は貫通孔
内で熱硬化することによって電極と電気的に導通した導
電部となる。次に図面を用いて導電部形成工程を具体的
に説明する。
【００３５】図１１は、金属ペーストを用いて導電部を
形成する工程を示している。金属ペーストは導電性の金
属粒子と液状の有機溶剤とを混合してペースト状とした
ものであり、その代表的なものとしてクリーム半田が知
られている。まずはじめに、図１１（ａ）に示すように
金属ペーストであるクリーム半田５が充填される。クリ
ーム半田５はスキージ等のへら状のものを用いて充填さ
れる。次いで、貫通孔３ａに充填されたクリーム半田５
上には、図１１（ｂ）に示すように導電性ボールとして
の半田ボール６が搭載される。この半田ボール６はクリ
ーム半田５と同じ半田で形成されている。
形成する工程を示している。金属ペーストは導電性の金
属粒子と液状の有機溶剤とを混合してペースト状とした
ものであり、その代表的なものとしてクリーム半田が知
られている。まずはじめに、図１１（ａ）に示すように
金属ペーストであるクリーム半田５が充填される。クリ
ーム半田５はスキージ等のへら状のものを用いて充填さ
れる。次いで、貫通孔３ａに充填されたクリーム半田５
上には、図１１（ｂ）に示すように導電性ボールとして
の半田ボール６が搭載される。この半田ボール６はクリ
ーム半田５と同じ半田で形成されている。
【００３６】この後半導体ウェハ封止基板１００はリフ
ロー工程に送られここで加熱される。これにより、半田
ボール６およびクリーム半田５中の半田粒子がが溶融
し、電極２上面と半田接合される。これにより、図１１
（ｃ）に示すように、貫通孔３ａには電極２と導通する
導電部７が形成される（図１（ｄ）も参照）。この導電
部７は、樹脂層３の上面よりも上方に突出する突出部７
ａを一体的に備えたものとなっている。
ロー工程に送られここで加熱される。これにより、半田
ボール６およびクリーム半田５中の半田粒子がが溶融
し、電極２上面と半田接合される。これにより、図１１
（ｃ）に示すように、貫通孔３ａには電極２と導通する
導電部７が形成される（図１（ｄ）も参照）。この導電
部７は、樹脂層３の上面よりも上方に突出する突出部７
ａを一体的に備えたものとなっている。
【００３７】次に、導電部形成工程の他の方法について
図１２を参照しながら説明する。図１２（ａ）に示すよ
うに、貫通孔３ａが設けられた樹脂層３の上面にスクリ
ーンマスク２５を装着し、貫通孔３ａの位置に対応して
設けられたパターン孔２５ａを介して、貫通孔３ａ内と
パターン孔２５ａ内にクリーム半田５を充填する。これ
により、図１２（ｂ）に示すように貫通孔３ａ内部のみ
ならず樹脂層３の上面にもクリーム半田５が供給され
る。そしてこの後加熱によりクリーム半田５中の半田粒
子を溶融させるが、各貫通孔３ａの位置には充分な量の
クリーム半田５が供給されているので、溶融した半田は
貫通孔３ａの上側に突出した状態で固化し、図１２
（ｃ）に示すように各貫通孔３ａの位置には、電極２と
導通した導電部７が形成される。
図１２を参照しながら説明する。図１２（ａ）に示すよ
うに、貫通孔３ａが設けられた樹脂層３の上面にスクリ
ーンマスク２５を装着し、貫通孔３ａの位置に対応して
設けられたパターン孔２５ａを介して、貫通孔３ａ内と
パターン孔２５ａ内にクリーム半田５を充填する。これ
により、図１２（ｂ）に示すように貫通孔３ａ内部のみ
ならず樹脂層３の上面にもクリーム半田５が供給され
る。そしてこの後加熱によりクリーム半田５中の半田粒
子を溶融させるが、各貫通孔３ａの位置には充分な量の
クリーム半田５が供給されているので、溶融した半田は
貫通孔３ａの上側に突出した状態で固化し、図１２
（ｃ）に示すように各貫通孔３ａの位置には、電極２と
導通した導電部７が形成される。
【００３８】図１３は導電部形成工程のさらに他の方法
を示している。この方法は、図１１の半田ボール搭載を
省略したものである。すなわち、貫通孔３ａ内にクリー
ム半田５を充填し（図１１（ａ））、加熱して半田粒子
を溶融させて導電部５０を形成する（図１１（ｂ））。
この導電部５０は突出部を持たないので半導体素子をフ
ェイスアップ状態（電極形成面を上に向けた状態）で基
板に実装する場合や、基板側の電極に凸部が形成されて
いるような場合に有効である。なお本実施の形態では、
金属ペーストに替えて導電性樹脂を使用してもよい。導
電性樹脂は熱硬化性の樹脂に銀等の金属粉を混ぜ合わせ
たものであり、貫通孔３ａ内で硬化して導電部となる。
を示している。この方法は、図１１の半田ボール搭載を
省略したものである。すなわち、貫通孔３ａ内にクリー
ム半田５を充填し（図１１（ａ））、加熱して半田粒子
を溶融させて導電部５０を形成する（図１１（ｂ））。
この導電部５０は突出部を持たないので半導体素子をフ
ェイスアップ状態（電極形成面を上に向けた状態）で基
板に実装する場合や、基板側の電極に凸部が形成されて
いるような場合に有効である。なお本実施の形態では、
金属ペーストに替えて導電性樹脂を使用してもよい。導
電性樹脂は熱硬化性の樹脂に銀等の金属粉を混ぜ合わせ
たものであり、貫通孔３ａ内で硬化して導電部となる。
【００３９】図１４はさらに別の方法を示すものであ
り、図１３に示す方法で形成された導電部５０の上面に
突出部となるバンプ５１を形成するものである。バンプ
５１はワイヤボンディングもしくは金属ボールを接合す
る方法で作られる。このように導電部と突出部とを別々
に作成する工法は、前述の図１２および図１３に示す方
法に比べて工程が多くなるものの、導電部は作業性に優
れたペースト状導電材を使用し、突出部は基板との接合
性に優れた金等の金属で形成するような場合に有利な方
法である。
り、図１３に示す方法で形成された導電部５０の上面に
突出部となるバンプ５１を形成するものである。バンプ
５１はワイヤボンディングもしくは金属ボールを接合す
る方法で作られる。このように導電部と突出部とを別々
に作成する工法は、前述の図１２および図１３に示す方
法に比べて工程が多くなるものの、導電部は作業性に優
れたペースト状導電材を使用し、突出部は基板との接合
性に優れた金等の金属で形成するような場合に有利な方
法である。
【００４０】（３）分割工程 以上のように導電部が形成された半導体ウェハ封止基板
１００は、分割工程に送られる。ここでは、図１５に示
すような半導体ウェハ切断装置にセットされて各半導体
素子ごとに切断される。図１５において、位置決めテー
ブル３１に設けられたワーク保持部３２には、導電部形
成工程を経て導電部が形成された半導体ウェハ１が保持
されている。ワーク保持部３２の上方には昇降テーブル
３３および半導体ウェハ１の認識マークＭを撮像するカ
メラ３６が配設されており、昇降テーブル３３にはウェ
ハ切断部３４が装着されている。ウェハ切断部３４は円
板状の切断刃３５を備えており、切断刃３５によって半
導体ウェハ封止基板１００は切断される。
１００は、分割工程に送られる。ここでは、図１５に示
すような半導体ウェハ切断装置にセットされて各半導体
素子ごとに切断される。図１５において、位置決めテー
ブル３１に設けられたワーク保持部３２には、導電部形
成工程を経て導電部が形成された半導体ウェハ１が保持
されている。ワーク保持部３２の上方には昇降テーブル
３３および半導体ウェハ１の認識マークＭを撮像するカ
メラ３６が配設されており、昇降テーブル３３にはウェ
ハ切断部３４が装着されている。ウェハ切断部３４は円
板状の切断刃３５を備えており、切断刃３５によって半
導体ウェハ封止基板１００は切断される。
【００４１】位置決めテーブル３１、昇降テーブル３
３、ウェハ切断部３４、カメラ３６、記憶部３８は制御
部３７に接続されている。記憶部３８は半導体ウェハ１
の設計データすなわち認識マークＭと半導体素子の境界
線ＢＬとの相対的な位置関係を示すデータを格納してい
る。制御部３７は位置決めテーブル３１を制御すること
により半導体ウェハ封止基板１００に対する切断刃３５
の位置を制御する。本実施の形態では、位置決めテーブ
ル３１が半導体ウェハ封止基板１００に対して切断刃３
５を位置決めする位置決め手段となっている。カメラ３
６に撮像された認識マークＭの撮像データを制御部３７
によって処理することにより、半導体ウェハ１の表面に
形成された素識マークＭの位置を検出するとともに、こ
の認識マークＭの位置に関するデータと記憶部３８に格
納されている認識マークＭと境界線ＢＬとの相対的な位
置関係を示すデータに基づいて位置決めテーブル３１上
における境界線ＢＬの位置が求められる。
３、ウェハ切断部３４、カメラ３６、記憶部３８は制御
部３７に接続されている。記憶部３８は半導体ウェハ１
の設計データすなわち認識マークＭと半導体素子の境界
線ＢＬとの相対的な位置関係を示すデータを格納してい
る。制御部３７は位置決めテーブル３１を制御すること
により半導体ウェハ封止基板１００に対する切断刃３５
の位置を制御する。本実施の形態では、位置決めテーブ
ル３１が半導体ウェハ封止基板１００に対して切断刃３
５を位置決めする位置決め手段となっている。カメラ３
６に撮像された認識マークＭの撮像データを制御部３７
によって処理することにより、半導体ウェハ１の表面に
形成された素識マークＭの位置を検出するとともに、こ
の認識マークＭの位置に関するデータと記憶部３８に格
納されている認識マークＭと境界線ＢＬとの相対的な位
置関係を示すデータに基づいて位置決めテーブル３１上
における境界線ＢＬの位置が求められる。
【００４２】したがって、この位置検出結果に基づいて
位置決めテーブル３１およびウェハ切断部３４を制御す
ることにより、半導体ウェハ１の所定位置を切断するこ
とができる。この分割工程においては、半導体ウェハ１
に格子状に形成された半導体素子１’（図２参照）の分
割線に沿って樹脂封止後の半導体ウェハ１を切断するこ
とにより、図１（ｅ）に示すように、電極形成面が樹脂
封止された半導体装置２６が完成する。
位置決めテーブル３１およびウェハ切断部３４を制御す
ることにより、半導体ウェハ１の所定位置を切断するこ
とができる。この分割工程においては、半導体ウェハ１
に格子状に形成された半導体素子１’（図２参照）の分
割線に沿って樹脂封止後の半導体ウェハ１を切断するこ
とにより、図１（ｅ）に示すように、電極形成面が樹脂
封止された半導体装置２６が完成する。
【００４３】次に、図１６、図１７を参照して本実施の
形態の半導体装置の製造方法によって製造された半導体
装置を、基板へ実装した実装構造について説明する。図
１６は半田の導電部７が形成された半導体装置２６を基
板２７に半田接合によって実装した例を示している。図
１６（ａ）に示すように、半導体素子１’下面に樹脂層
３が形成され樹脂層３の貫通孔３ａに導電部７が形成さ
れた半導体装置２６を、電極２８が形成された基板２７
に搭載する。半導体装置２６を搭載した基板２７を加熱
することにより、導電部７は溶融して電極２８に半田接
合される。
形態の半導体装置の製造方法によって製造された半導体
装置を、基板へ実装した実装構造について説明する。図
１６は半田の導電部７が形成された半導体装置２６を基
板２７に半田接合によって実装した例を示している。図
１６（ａ）に示すように、半導体素子１’下面に樹脂層
３が形成され樹脂層３の貫通孔３ａに導電部７が形成さ
れた半導体装置２６を、電極２８が形成された基板２７
に搭載する。半導体装置２６を搭載した基板２７を加熱
することにより、導電部７は溶融して電極２８に半田接
合される。
【００４４】このようにして得られる実装構造は、前述
のように半導体素子１’の下面からのバンプ高さが十分
に確保されているため、実装状態において実装高さｈを
確保することが出来る。また実装状態では、半導体素子
１’の外部接続用の電極２と導電部７との接合部は周囲
を充分な厚さの樹脂層３に強固に囲まれた状態にある。
したがって、ヒートサイクル時の基板２１と半導体素子
１’との熱膨張係数の差に起因する熱応力は接合部に集
中的に作用せず、樹脂層３が全く存在しない状態や、樹
脂層３があってもその厚さが薄い場合と比較して低い応
力レベルに抑えられ、結果として実装後の信頼性が高ま
る。また樹脂層３に含まれるフィラの含有率を変えて樹
脂層３の熱膨張係数を半導体素子１’と基板の熱膨張係
数の中間の値に調整することにより、実装後の信頼性を
さらに高めることができる。
のように半導体素子１’の下面からのバンプ高さが十分
に確保されているため、実装状態において実装高さｈを
確保することが出来る。また実装状態では、半導体素子
１’の外部接続用の電極２と導電部７との接合部は周囲
を充分な厚さの樹脂層３に強固に囲まれた状態にある。
したがって、ヒートサイクル時の基板２１と半導体素子
１’との熱膨張係数の差に起因する熱応力は接合部に集
中的に作用せず、樹脂層３が全く存在しない状態や、樹
脂層３があってもその厚さが薄い場合と比較して低い応
力レベルに抑えられ、結果として実装後の信頼性が高ま
る。また樹脂層３に含まれるフィラの含有率を変えて樹
脂層３の熱膨張係数を半導体素子１’と基板の熱膨張係
数の中間の値に調整することにより、実装後の信頼性を
さらに高めることができる。
【００４５】図１７は、金属バンプが形成された半導体
装置２６をボンドによって基板２７に接着して実装する
例を示している。図１７（ａ）に示すように、ボンド２
９が塗布された基板２７上に、導電部７が形成された半
導体装置２６を搭載する。導電部７を電極２８に押圧し
た状態でボンド２９を硬化させることにより、図１７
（ｂ）に示すように半導体装置２６は基板２７に実装さ
れる。この場合においても、実装後には充分な実装高さ
ｈが確保され、樹脂層３はボンド層２９とともにヒート
サイクル時の熱応力を緩和する応力緩和層として機能す
る。これにより、図１６に示す例と同様に電極２と導電
部７との接合部の応力は低いレベルに抑えられる。
装置２６をボンドによって基板２７に接着して実装する
例を示している。図１７（ａ）に示すように、ボンド２
９が塗布された基板２７上に、導電部７が形成された半
導体装置２６を搭載する。導電部７を電極２８に押圧し
た状態でボンド２９を硬化させることにより、図１７
（ｂ）に示すように半導体装置２６は基板２７に実装さ
れる。この場合においても、実装後には充分な実装高さ
ｈが確保され、樹脂層３はボンド層２９とともにヒート
サイクル時の熱応力を緩和する応力緩和層として機能す
る。これにより、図１６に示す例と同様に電極２と導電
部７との接合部の応力は低いレベルに抑えられる。
【００４６】このように、上記いずれの場合において
も、充分な実装高さが確保されていることと相まって、
樹脂層３は充分な厚さで接合部を強固に補強しているた
め、半導体装置２６の実装後の信頼性を大幅に向上させ
ることができる。また半導体装置の製造工程の早期段階
で半導体ウェハ１を封止用の樹脂で保護してしまうこと
から貫通孔形成工程以降の工程においてクリーンルーム
や特殊なキャリアを必ずしも必要としないので、設備に
要する費用を削減でき、信頼性と低コストの両立を可能
としている。
も、充分な実装高さが確保されていることと相まって、
樹脂層３は充分な厚さで接合部を強固に補強しているた
め、半導体装置２６の実装後の信頼性を大幅に向上させ
ることができる。また半導体装置の製造工程の早期段階
で半導体ウェハ１を封止用の樹脂で保護してしまうこと
から貫通孔形成工程以降の工程においてクリーンルーム
や特殊なキャリアを必ずしも必要としないので、設備に
要する費用を削減でき、信頼性と低コストの両立を可能
としている。
【００４７】さらに、樹脂層を貫通する導電部形成にペ
ースト状の導電材を用いることにより、メッキによる方
法と比べて低コストで充分な厚さの樹脂層を形成するこ
とが可能となっている。したがって、ペースト状の導電
材を用いることにより高い信頼性を備えた半導体装置を
さらに低コストで製造することができ、高い信頼性と低
コストの両立をより高い次元で実現することができる。
ースト状の導電材を用いることにより、メッキによる方
法と比べて低コストで充分な厚さの樹脂層を形成するこ
とが可能となっている。したがって、ペースト状の導電
材を用いることにより高い信頼性を備えた半導体装置を
さらに低コストで製造することができ、高い信頼性と低
コストの両立をより高い次元で実現することができる。
【００４８】
【発明の効果】本発明によれば、半導体装置の製造工程
の早期段階で半導体ウェハの電極形成面上に封止樹脂層
を形成したので、半導体ウェハを製造工程での異物付着
による汚染から有効に保護できるとともに、運搬時や取
り扱い時のハンドリングを容易にすることができる。
の早期段階で半導体ウェハの電極形成面上に封止樹脂層
を形成したので、半導体ウェハを製造工程での異物付着
による汚染から有効に保護できるとともに、運搬時や取
り扱い時のハンドリングを容易にすることができる。
【図１】本発明の一実施の形態の半導体ウェハ封止基板
を用いた半導体装置の製造方法の工程説明図
を用いた半導体装置の製造方法の工程説明図
【図２】半導体ウェハの平面図
【図３】本発明の一実施の形態の半導体ウェハ封止基板
の製造方法の工程説明図
の製造方法の工程説明図
【図４】本発明の一実施の形態の半導体ウェハ封止基板
の製造方法の工程説明図
の製造方法の工程説明図
【図５】（ａ）本発明の一実施の形態の半導体ウェハ封
止基板の斜視図 （ｂ）本発明の一実施の形態の半導体ウェハ封止基板の
断面図
止基板の斜視図 （ｂ）本発明の一実施の形態の半導体ウェハ封止基板の
断面図
【図６】本発明の一実施の形態の半導体ウェハ封止基板
の平面図
の平面図
【図７】本発明の一実施の形態の半導体ウェハ封止基板
の斜視図
の斜視図
【図８】本発明の一実施の形態の半導体ウェハ封止基板
の斜視図
の斜視図
【図９】本発明の一実施の形態のレーザ加工装置の正面
図
図
【図１０】本発明の一実施の形態の半導体ウェハ封止基
板を用いた半導体装置の製造方法の工程説明図
板を用いた半導体装置の製造方法の工程説明図
【図１１】本発明の一実施の形態の半導体ウェハ封止基
板を用いた半導体装置の製造方法の工程説明図
板を用いた半導体装置の製造方法の工程説明図
【図１２】本発明の一実施の形態の半導体ウェハ封止基
板を用いた半導体装置の製造方法の工程説明図
板を用いた半導体装置の製造方法の工程説明図
【図１３】本発明の一実施の形態の半導体ウェハ封止基
板を用いた半導体装置の製造方法の工程説明図
板を用いた半導体装置の製造方法の工程説明図
【図１４】本発明の一実施の形態の半導体ウェハ封止基
板を用いた半導体装置の製造方法の工程説明図
板を用いた半導体装置の製造方法の工程説明図
【図１５】本発明の一実施の形態の半導体ウェハ切断装
置の正面図
置の正面図
【図１６】本発明の一実施の形態の半導体装置の実装状
態を示す断面図
態を示す断面図
【図１７】本発明の一実施の形態の半導体装置の実装状
態を示す断面図
態を示す断面図
１ 半導体ウェハ １’ 半導体素子 ２ 電極 ３ 樹脂層 ３ａ 貫通孔 ５ クリーム半田 ６ 半田ボール ７、５０ 導電部 ２６ 半導体装置 ２７ 基板 １００ 半導体ウェハ封止基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 有田 潔 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4M109 AA02 BA03 CA05 CA22 DB16 DB17 ED02 ED03 EE01
Claims (7)
- 【請求項１】表面に回路パターンが形成された複数の半
導体素子が作り込まれた板状の半導体ウェハと前記表面
を封止する封止樹脂層を有することを特徴とする半導体
ウェハ封止基板。 - 【請求項２】前記封止樹脂層は、前記半導体ウェハ封止
基板が切断されて個片の半導体素子となった後にも封止
樹脂層として機能することを特徴とする請求項１記載の
半導体ウェハ封止基板。 - 【請求項３】前記封止樹脂層は前記回路パターンを透視
可能な透明な樹脂であることを特徴とする請求項１記載
の半導体ウェハ封止基板。 - 【請求項４】前記封止樹脂層の前記回路パターンの一部
又は半導体ウェハの表面に形成された認識マークに対応
する位置に部分的な開口部が設けられていることを特徴
とする請求項１記載の半導体ウェハ封止基板。 - 【請求項５】前記半導体ウェハの縁部に前記封止樹脂層
が無い未封止部が設けられていることを特徴とする請求
項１記載の半導体ウェハ封止基板。 - 【請求項６】前記封止樹脂層は半導体ウェハの両面に設
けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体ウ
ェハ封止基板。 - 【請求項７】前記両面に設けられた封止樹脂層は同じ厚
さであることを特徴とする請求項６記載の半導体ウェハ
封止基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11161919A JP2000349197A (ja) | 1999-06-09 | 1999-06-09 | 半導体ウェハ封止基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11161919A JP2000349197A (ja) | 1999-06-09 | 1999-06-09 | 半導体ウェハ封止基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000349197A true JP2000349197A (ja) | 2000-12-15 |
Family
ID=15744533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11161919A Pending JP2000349197A (ja) | 1999-06-09 | 1999-06-09 | 半導体ウェハ封止基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000349197A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6696317B1 (en) | 1999-11-04 | 2004-02-24 | Nec Electronics Corporation | Method of manufacturing a flip-chip semiconductor device with a stress-absorbing layer made of thermosetting resin |
| WO2014192430A1 (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-04 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置 |
-
1999
- 1999-06-09 JP JP11161919A patent/JP2000349197A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6696317B1 (en) | 1999-11-04 | 2004-02-24 | Nec Electronics Corporation | Method of manufacturing a flip-chip semiconductor device with a stress-absorbing layer made of thermosetting resin |
| US6767761B2 (en) | 1999-11-04 | 2004-07-27 | Nec Electronics Corporation | Method of manufacturing a flip-chip semiconductor device with a stress-absorbing layer made of thermosetting resin |
| WO2014192430A1 (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-04 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040204 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040330 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040817 |