JP4442833B2 - 光電変換装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は光電変換装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、医学関係で利用されているレントゲン検査機は、患者の異常部を正確に検知する必要性から、X線を蛍光板によって可視光に変換し、蛍光板に密着させたフィルムに感光させて確認する方式が主流である。しかし、この確認方法だと、実用レベルで像の解像度に問題はないものの、測定から診断までに時間がかかる。また、測定場所(たとえば患部)を特定するにも、検査技師の腕と感に頼る部分が大きいなど問題点が指摘されていたのも事実である。
【0003】
近年、アモルファスシリコンダイオードを用いた大面積エリアセンサーの開発が進み、信頼性を高めるに至って、アモルファスシリコンを用いるメリットとしての大面積化が容易であることを生かし、従来のレントゲン検査をリアルタイムに、かつ画像処理による強調画像を用いることによって患者の異常診断の効率を高めるための開発が急がれている。
【0004】
その際、大面積化を達成するにあたり、一度にパネル作成プロセスサイズを大きく変更することは成膜・フォトプロセスの新規設備投資が必要となり、現実的とは言い難い。従って、実際は、既存プロセスサイズで作成した複数のパネルを2次元方向に画素ピッチに合わせて貼り合わせていく方法がとられることになる。
【0005】
図7は、貼り合わせにより作製される波長変換体を有する光電変換装置であるX線センサーの一例の模式的断面図を示したものである。図7において、301は無アルカリガラスなどの基体を有するセンサーパネル、302はセンサーパネル301の4枚を定位置に固定すると共に、下面に配設した電気実装部を保護するためのX線吸収用の鉛などを有する基台、303はセンサーパネル301と基台302とを貼り合わせるための第1の接着層、305はX線を可視光に変換するための波長変換体としての蛍光板、304は蛍光板305をセンサーパネル301に貼り合わせるためのゲル状の第2の接着層、307はセンサーパネル301駆動用のプリント基板、306はプリント基板307とセンサーパネル301とを接続するためのフレキシブル基板である。以上の301〜307の各部材によってX線センサー部330が形成されている。
【0006】
また、320は匡体、321は蓋、323は電気実装部を保護するための鉛などからなるカバー、324はプリント基板307を固定するための足、325は基台302を匡体320に固定するためのアングルである。320〜325の各部材によってシャーシ部340が形成される。シャーシ部340の中でX線センサー部330を固定することによってX線センサーユニットが形成されている。
【0007】
図7において、上方より画像情報として入射してきたX線は、蛍光板305によって可視光に波長変換され、透明な第2の接着層304を透過してセンサーパネル上面に2次元に配列した光センサー素子(光電変換素子)に入射する。入射した光は光センサー素子によって電気信号に変換され、フレキシブル基板306を介しプリント基板307で画像情報に変換されることによって2次元X線センサーとして機能するものである。
【0008】
このような2次元X線センサーの構造を選択するにあたり、大きな技術ポイントとなるのは、画素ピッチが狭いため、4枚のセンサーパネルの平面方向相対位置を正確に合わせ、蛍光板貼りあわせ時の機械衝撃にも耐えるようにすることである。通常、第1の接着層303には硬化時の膨張収縮が少なく、硬化後の接着力が高く弾力性のある、シリコーン系の常温硬化型の接着剤が用いられる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、通常求められるX線センサーの温度保証範囲は、−30〜+50℃であり、上記従来技術はこの温度範囲内においても守られなければならない。しかし、図7に示すような構造のX線センサーユニットにおいて、たとえばセンサーパネル301と基台302との熱膨張係数がそれぞれ4.7×10-6/℃、2.9×10-5/℃と大きな差があると(上述の材質ではこの位の差は普通に現れる)、上記した80℃の温度差による膨張収縮の差は617%となる。
【0010】
たとえば、センサーパネル301の外形サイズを250mmとすると、接着剤303が弾力を持つので、膨張収縮差486μmがそのまま画素ピッチズレになる。X線センサーの画素ピッチを160μmとすると、このずれ量は無視できない。
【0011】
さらに、センサーパネル301と基台302との厚みが機械強度的に同等であれば、大きく反ることになるし、センサーパネル301に対し基台302の機械強度が十分な厚みであれば、センサーパネル301に大きな内部ストレスが発生して素子特性を劣化させるか、接着剤303が剥がれることにもなる。この傾向は、大画面になるほど顕著である。
【0012】
そこで、本発明は、特に大画面の画像処理装置である光電変換装置又は液晶表示装置において、温度変化があっても貼り合わせたセンサーパネル間のピッチズレや対向するパネル間でのピッチズレを抑制する構造を提供することを課題とする。
【0013】
さらに、本発明は、貼り合わせたパネルの反り、内部ストレス、接着剥がれを抑制する構造を提供することを課題とする。
【0014】
また、本発明は、より安価でコストパフォーマンスに優れ、使用材質の選択性を容易にし、設計をより容易かつ確実にし開発期間の減縮を図ることを課題とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明の光電変換装置は、それぞれ、複数の画素が2次元状に配列された画素エリアを有する複数の第1の基板と、前記複数の第1の基板に対する光入射側とは反対側の面に複数の接着部を介して貼り合わされた第2の基板と、前記複数の第1の基板に対する光入射側の面に接着層を介して貼り合わされた波長変換体と、支持材を介して前記第2の基板を支持する匡体と、緩衝材を介して前記波長変換体を前記複数の第1の基板方向に押さえ込むように前記匡体に固定された部材と、を有し、前記複数の接着部のそれぞれ、前記接着層、前記支持材及び前記緩衝材は、変形可能な材質で形成されていることを特徴とする。
【0016】
すなわち、本発明は、温度変化があっても対向して貼り合わせた第1の基板と第2の基板の画素ピッチズレや複数の第1の基板の相対画素ピッチズレを防止又は軽減する。
【0017】
さらに、本発明は、反りや内部ストレスを抑制して、接着剥がれを防止する。
【0018】
また、本発明は、使用状況の変化などによる温度変化によって生じる問題を防止又は回避可能な設計思想を提供する。
【0019】
加えて、本発明は、より短い開発期間で設計可能になり、使用する材質も要求性能とコストに合わせて適切に選択可能とすることにより、よりコストパフォーマンスに優れた光電変換装置又は液晶表示装置を提供する。
【0020】
【実施例】
本発明は、半導体素子や配線が形成される基体の熱膨張係数、それら素子や配線のピッチ、それら素子や配線が配された長さ、基体が配される基台の熱膨張係数、想定される温度範囲を考慮することにより、上記目的を達成することができるということを数々の実験から見出したものである。
【0021】
以下、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
【0022】
(実施例1)
一般的に、半導体素子を用いた大画面のセンサー(光電変換装置)、TFT(薄膜トランジスタ)などは、半導体特性の劣化を防止するために、無アルカリガラス(4.7×10-6/℃)や石英ガラス(5.5×10-7/℃)などが用いられる。また、半導体素子を持たない単純マトリクス型ディスプレイなどには、コスト面から安価なソーダガラス(1×10-5/℃)などが用いられる。一般的に、大画面センサーの画素ピッチは150〜200μm、ディスプレイなどでは50〜200μm程度である。
【0023】
例えば、小さなエリアセンサーパネルを2枚貼り合わせていくことを考えた場合の光電変換装置の一例を図1に模式的斜視図として示す。401及び402は等ピッチPで二次元に並ぶエリアセンサーパネル、403は基台、404はエリアセンサーパネル401,402と基台403とを貼り合わせるための接着剤である。
【0024】
エリアセンサーパネル401,402の画素エリアをL×L、線膨張係数をa、また基台403は、線膨張係数をbとしている。図1に示すように、エリアセンサーパネル401,402間における画素ピッチP1は、センサーピッチPに等しい。図1の模式的断面が図2(a)である。このような構造の光電変換装置に対して、温度変化が生ずると、上部の2枚のエリアセンサーパネル401,402は、それぞれの中心に対して等量づつ広がろうとするので下部の基台403に対してA、Bでの相対位置は変わらない。
【0025】
このため、光電変換装置に温度差Tが生じたときの膨張収縮による両エリアセンサーパネル401,402間のピッチP1の変化を考える場合はA−B間のみを考えればよい。
【0026】
接着剤404が柔らかい材質、いいかえると変形可能な材質であるならば、エリアセンサーパネル401,402及び基台403は、互いに干渉することなく膨張収縮をすることになる。温度がT上昇したときの模式的断面図が図2(b)である。温度変化がないときのA−B間の距離はL+P1、温度がT上昇したときのA−B間の距離は、(L+P1)(1+bT)である。パネル間ピッチをXとすると、
X=(L+P1)(1+bT)−2×1/2・L(1+aT)
である。上式を変形すると、
X=LT(b−a)+P1+P1bT ・・・・・(1)
が得られる。
【0027】
もしも、a>bの場合には、Xは元のピッチよりも狭くなろうとするので、その限界を画素の半分とすると、X>1/2Pとならなければならない。これを式(1)に代入するとP1=Pなので、
−P(1/2+bT)<LT(b−a) ・・・・・(2)
となる。ここで、
bT≪1/2 ・・・・・(3)
なので、式(2)は、
−1/2P<LT(b−a) ・・・・・(4)
と近似できる。
【0028】
一方、a<bの場合、Xは広がろうとするので、その限界を同じく半画素分とすると、X<3/2Pとならなければならない。これを式(1)に代入すると、
P(1/2−bT)>LT(b−a) ・・・・・(5)
となる。式(3)が成り立っているので、式(5)は、
1/2P>LT(b−a) ・・・・・(6)
と近似できる。式(4)、(6)をまとめると、
−1/2P<LT(b−a)<1/2P
となるが、−1をかけると、
−1/2P<LT(a−b)<1/2P ・・・・・(8)
が成立することになる。
【0029】
図3は、本発明の好適な実施例として、X線センサーユニットの断面を示した図である。図3において、101は熱膨張率4.7×10-6/℃の無アルカリガラスよりなるセンサーパネル(第1の基板)、102は4枚のセンサーパネル101を定位置に固定し、かつ透過したX線を吸収する熱膨張率8.0×10-6/℃の鉛ガラスよりなる基台(第2の基板)、103はセンサーパネル101と基台102とを貼り合わせるための第1の接着層である。
【0030】
第1の接着層103には硬化後に弾力性のあるシリコーン系のものを用い、ポイント接着している。センサーパネル101には160μmのピッチで画素が並んでいる。
【0031】
また、105はX線を可視光に波長変換するための波長変換体としての蛍光板、104は蛍光板105をセンサーパネル101に貼り合わせるための柔らかいゲル状の第2の接着層、107はセンサーパネル101駆動用のプリント基板、106はプリント基板107とセンサーパネル101とを接続するためのフレキシブル基板である。
【0032】
1枚あたりのセンサーパネル101の外形寸法は、ほぼ230mm×230mm、基台102の外形寸法はほぼ460mm×460mmであり、1枚の基台102に対し、4枚のセンサーパネル101を貼り合わしている構造である。以上の101〜107の各部材によってX線センサー部130が形成されている。
【0033】
また、120は匡体、121は蓋、123はX線から電気実装部を保護するために設けた鉛などからなるカバー、124はプリント基板を固定するための足、125は基台102を匡体120に固定するためのアングルである。
【0034】
また、110はX線センサー部を上部から押え込むための柔らかいシリコーン樹脂などからなる緩衝材、111はX線センサー部130の基台102を支えるための柔らかいシリコーン樹脂よりなる支持材である。以上の120〜125の各部材によってシャーシ部140が形成され、シャーシ部140の中でX線センサー部130を緩衝材110と支持材111とで押え込むことによって、X線センサーユニットが形成されている。
【0035】
図3の上方より画像情報として入射してきたX線は、蛍光板105によって可視光に変換され、透明な第2の接着層104を透過してセンサーパネル101上面に2次元に配列した光センサー素子に入射する。入射した光は光センサー素子によって電気信号に変換され、その電気信号がフレキシブル基板106を介しプリント基板107で増幅された後、画像情報に変換されることによって2次元のX線センサーとして機能するものである。X線センサー部130上方と横とに設けたカバー123と基台102とで、余分に透過してきたX線から電気実装部を保護している。
【0036】
従来技術の2次元X線センサーユニットでは、温度変化があった場合は、基台302の熱膨張係数とセンサーパネル301との熱膨張係数に大きな差があるため、センサーパネル301は大きな内部応力を受けることがあった。さらに、4枚のセンサーパネル301間のつなぎ目の相対距離が、材質の異なる基台302の膨張収縮によって決まることになり、つなぎ目でのピッチズレが1ピッチ以上になる可能性があった。
【0037】
ここで、センサーパネル101の熱膨張係数は4.7×10-6/℃、基台102の熱膨張係数は8×10-6/℃であるので、Lを230mm、Tを80℃として、上述の式(8)に代入すると、LT(a−b)の値は−61μmとなる。本実施例では、センサーパネル101と基台102とは弾力性のあるシリコーン系の接着剤で貼り合わせているため、ズレの量がほとんどピッチズレに反映すると考えられるので、両者が極端な応力を発生することなく、センサーの画素ピッチ160μmに対し、約38%のピッチズレに収めることができる。
【0038】
また、センサーパネル101は、ゲル状の第2の接着層104によって、蛍光板105と貼り合わせられているため、温度変化があっても蛍光板105から開放された状態で膨張収縮することができる。さらに、シャーシ部140に対しても共に柔らかいシリコーン樹脂などからなる支持材111、緩衝材110によって挟まれた構造としているので、X線センサー部130全体がシャーシ部140から開放された状態で膨張収縮することができる。
【0039】
このように、貼り合わされた4枚のセンサーパネル101及び1枚の基台102は、蛍光板105とシャーシ部140に対しては膨張収縮運動に対して開放された構造としているため、つなぎ目でのピッチずれを抑え、内部応力を抑えることができ、剥がれを防止することができる。
【0040】
本実施例では、センサーパネル101との熱膨張係数差を設計値以内にしつつ、基台102として用いた鉛ガラスで透過X線をガードし、下部の電気実装部を保護する機能を持たせることができるため、ユニット中の構造物を増やすことなくピッチズレや剥がれを抑制する構造を提供することができる。
【0041】
また、本実施例のような設計寸法及び条件であれば、基台102としては、式(8)から熱膨張係数が3.6×10-7〜9×10-6であればよく、例えば、パイレックスガラス(3.6×10-6)、低アルカリガラス(5.1×10-6)、石英ガラス(5.5×10-7)等も選択することができる。理想的にはセンサーパネル101と基台102とを同じ材質のガラスが良いと考えられるが、本発明によれば、コスト、コンパクト性等、設計指針によって材料の組み合わせを決める事ができる。
【0042】
(実施例2)
図4は、本発明の好適な実施例として、ポリシリコンTFT(多結晶シリコン薄膜トランジスタ)を有する液晶ディスプレイユニット(液晶表示装置)の模式的断面を示した図である。図4において、201は熱膨張率4.7×10-6/℃の無アルカリガラスよりなる第1の液晶駆動用配線基板(第1の基板)、202は熱膨張率5.1×10-6/℃の低アルカリガラスよりなる第2の液晶駆動用配線基板(第2の基板)、203は液晶の封止と、2枚の液晶駆動用配線基板201,202を貼り合わせるための封止剤、204は液晶である。
【0043】
封止剤203は、液晶204を封止することは勿論、2枚の対向する液晶駆動用配線基板201,202の画素ピッチズレを抑えるため、接着力と機械強度の高い材料が使用される。
【0044】
また、206は偏光板、205は偏光板206をそれぞれの液晶駆動用配線基板201,202に貼り合わせるための接着層、207はバックライト、209は液晶を駆動するためのプリント基板、208は液晶駆動用配線基板201,202とプリント基板209の電気的接続をするためのフレキシブル基板、以上の201〜209の各部材によって液晶ディスプレイパネル230が形成されている。
【0045】
また220はバックボディー、221はフロントボディー、222はプリント基板209をバックボディー220に固定するための足、210,211は液晶ディスプレイパネル230をボディー240に固定するための柔らかいシリコーン樹脂などからなる緩衝材である。以上の220〜222の各部材によってボディー240が形成され、ボディー240の中で液晶ディスプレイパネル230を緩衝材210,211によって固定することによって、液晶ディスプレイユニットを形成している。
【0046】
ここで、第1の液晶駆動用配線基板201の熱膨張係数は4.7×10-6/℃、第2の液晶駆動用配線基板202の熱膨張係数は5.1×10-6/℃であるので、Lを400mm、Tを80℃として、
−P/2<LT(a−b)<P/2 ・・・・・(8)
に代入すると、LT(a−b)の値は−13μmとなる。
【0047】
TFT液晶の画素ピッチを80μmとした場合でも、約17%のずれ量にしかならない。さらに、ボディー240への固定に関しても、柔らかい緩衝材210,211によって、開放された状態で膨張収縮することが可能となっている。その結果、温度変化によって、第1の液晶駆動用配線基板201と第2の液晶駆動用配線基板202との間でのピッチズレ、そり、内部応力を最小限に抑えることができた。
【0048】
ポリシリコンTFT部が形成される第1の液晶駆動用配線基板201は、無アルカリガラスで作成するのが一般的であるが、本実施例によれば、対向する第2の液晶駆動用配線基板202に関して、コストダウン、信頼性など、設計指針に応じた様々な選択の可能性を提供できるものである。
【0049】
(実施例3)
図5は本発明の好適な実施例として、波長変換体を有する光電変換装置である車載用X線センサーユニットの一例の模式的断面を示した図である。図5において、601は熱膨張率1.0×10-5の青板ガラスよりなるセンサーパネル(第1の基板)、602は4枚のセンサーパネル601を定位置に固定するための熱膨張率1.03×10-5のSUS430よりなる基台(第2の基板)、603はセンサーパネル601と基台602とを貼り合わせるための第1の接着層である。
【0050】
基台602は、薄いものを折り曲げ加工することによって、剛性を維持しつつ軽量化を図っている。第1の接着層603には硬化後に弾力性のあるシリコーン系のものを用い、ポイント接着している。センサーパネル601には160μmのピッチで画素が並んでいる。605はX線を可視光に変換するための蛍光板、604は蛍光板605をセンサーパネル601に貼り合わせるための柔らかいゲル状の第2の接着層、607はセンサーパネル601を駆動するためのプリント基板、606はプリント基板607とセンサーパネル601とを接続するためのフレキシブル基板である。
【0051】
1枚あたりのセンサーパネル601の外形寸法は、ほぼ230mm×230mm、基台602の外形寸法はほぼ460mm×460mmであり、1枚の基台602に対し、4枚のセンサーパネル601を貼り合わせている。以上の601〜607の各部材によってX線センサー部630が形成されている。
【0052】
また、620は匡体、621は蓋、622は透過してきたX線から下部の電気実装部を保護するための鉛等よりなるプレート、623はX線から電気実装部を保護するために設けた鉛等からなるカバー、624はプリント基板を固定するための足、610はX線センサー部630を上部から押え込むための柔らかいシリコーン樹脂等からなる緩衝材、611は基台602を支えるための柔らかいシリコーン樹脂よりなる支持材である。以上の620〜624の各部材によってシャーシ部640が形成され、シャーシ部640の中でX線センサー部を緩衝材610と支持剤611で押え込むことにより、X線センサーユニットが形成されている。
【0053】
ここで、センサーパネル601の熱膨張係数は1.0×10-5/℃、基台602の熱膨張係数は1.03×10-5/℃であるので、Lを230mm、Tを80℃として、
−P/2<LT(a−b)<P/2 ・・・・・(8)
に代入すると、LT(a−b)の値は−5.5μmとなる。
【0054】
本実施例においても、センサーパネル601と基台602は、弾力性のあるシリコーン系の接着剤で貼り合わせているため、ずれの量がほとんどピッチズレに反映すると考えられるので、両者が極端な応力を発生することなく、センサーの画素ピッチ160μmに対し、約4%のピッチズレに収めることができる。
【0055】
また、X線センサー部630はシャーシ部640に対しても共に柔らかいシリコーン樹脂などからなる支持材610,611によって挟まれた構造となっているので、X線センサー部630全体がシャーシ部640とほぼ独立した状態で膨張収縮することができる。
【0056】
このように、貼り合わされた4枚のセンサーパネル601及び1枚の基台602は、蛍光板605とシャーシ部640に対しては膨張収縮運動に対して開放された構造としているため、つなぎ目でのピッチズレを抑え、内部応力を抑えることができ、剥がれを防止することができると同時に、振動に対しても強い構造としている。
【0057】
本実施例においては、基台602として、ガラスではなくSUS材を用いているため、X線センサーユニットとしての剛性を高めることで作業性と耐震性を向上させることが可能であると同時に、センサーパネル601として安価な青板ガラスを用いることによって、コストダウンも図っている。従って、X線センサーユニットとしての低価格化と剛性の向上を実現しながら、センサーパネル601と基台602との熱膨張係数差を設計値以内にすることでピッチズレと剥がれの抑制が可能となっている。
【0058】
本実施例では、画素ピッチが160μmの場合を例に説明したが、上記の温度保証範囲でたとえば画素ピッチを500μm程度と設定すれば、SUS材の選択の幅が広がることになり、更に安価な材料を使用することが可能となる。逆に本例では160μmピッチ以下のものでも十分対応できることも明らかである。
【0059】
(実施例4)
図6は、本発明の好適な実施例として、波長変換体を有する光電変換装置であるX線センサーユニットの断面を示した図である。図6において、701は熱膨張率4.7×10-6/℃の無アルカリガラスよりなるセンサーパネル(第1の基板)、702は4枚のセンサーパネル701を定位置に固定するための同じく無アルカリガラスからなる基台(第2の基板)、703はセンサーパネル701と基台702とを貼り合わせるための第1の接着層である。
【0060】
第1の接着層703には硬化後に弾力性のあるシリコーン系のものを用い、ポイント接着している。センサーパネル701には160μmのピッチで画素が並んでいる。705はX線を可視光に変換するための蛍光板、704は蛍光板705をセンサーパネル701に貼り合わせるための柔らかいゲル状の第2の接着層、707はセンサーパネル701を駆動するためのプリント基板、706はプリント基板707とセンサーパネル701とを接続するためのフレキシブル基板である。
【0061】
1枚あたりのセンサーパネル701の外形寸法は、ほぼ230mm×230mm、基台702の外形寸法はほぼ460mm×460mmであり、1枚の基台702に対し、4枚のセンサーパネル701を貼り合わしている。以上の701〜707の各部材によってX線センサー部730が形成されている。
【0062】
また、720は匡体、721は蓋、722は基台702を固定し、X線から下部の電気実装部を保護するために設けた鉛などからなるプレート、723はX線から電気実装部を保護するために設けた鉛などからなるカバー、724はプリント基板を固定するための足、725は基台702を匡体720に固定するためのアングルである。
【0063】
また、710はX線センサー部730を上部から押え込むための柔らかいシリコーン樹脂などからなる緩衝材、711はX線センサー部730の基台702を支えるための柔らかいシリコーン樹脂よりなる支持材である。以上の720〜725の各部材によってシャーシ部740が形成され、シャーシ部740の中でX線センサー部730を緩衝材710と支持材711で押え込むことにより、X線センサーユニットが形成されている。
【0064】
図6の上方より画像情報として入射してきたX線は、蛍光板705によって可視光に変換され、透明な第2の接着層704を透過してセンサーパネル701上面に2次元に配列した光センサー素子に入射する。入射した光は光センサー素子によって電気信号に変換され、その電気信号がフレキシブル基板706を介しプリント基板707で増幅された後、画像情報に変換されることによって2次元のX線センサーとして機能するものである。プレート722により、余分に透過してきたX線から電気実装部を保護している。
【0065】
2次元X線センサーユニットでは、前述した如く温度変化があった場合は、基台302の熱膨張係数とセンサーパネル301との熱膨張係数に差があるため、センサーパネル301は大きな内部応力を受けることがあった。さらに、4枚のセンサーパネル701間のつなぎ目の相対距離が、材質の異なる基台302の膨張収縮によって決まることになり、つなぎ目でのピッチズレを起こす可能性があった。
【0066】
ここでは、基台702とセンサーパネル701との熱膨張係数がまったく同じ無アルカリガラスを用い、それらを弾力性のあるシリコーン系の接着剤によってポイント接着しているため、温度変化があっても両者はいつも同じ量の膨張収縮をすることになる。従って、つなぎ目を含めた画素ピッチも同じように膨張収縮するため、つなぎ目でのピッチズレを起こすことがない。
【0067】
また、センサーパネル701は、ゲル状の第2の接着層704によって、蛍光板705と貼り合わせられているため、温度変化があっても蛍光板705から開放された状態で膨張収縮することができる。さらに、シャーシ部740に対しても共に柔らかいシリコーン樹脂などからなる支持材711、緩衝材710によって挟まれた構造としているので、X線センサー部730全体がシャーシ部740から開放された状態で膨張収縮することができる。
【0068】
このように、貼り合わされた4枚のセンサーパネル701及び1枚の基台702は、蛍光板705とシャーシ部740に対しては膨張収縮運動に対して開放された構造としているため、つなぎ目でのピッチずれを起こすこともなく、大きな内部応力を持つこともなく、剥がれることもない。
【0069】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、対向して貼りあわせた第1および第2の基板の温度が変化しても、画素間のピッチズレを抑制することができる。さらに、同じ状況下、パネルに発生する内部応力や反りを抑え、接着剥がれも抑制することができる。
【0070】
また、本発明によれば、要求性能に合った材質を選択することが容易になるため、不要な高コスト化を防止することができ、より安価でコストパフォーマンスに優れた光電変換装置又は液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例1の光電変換装置の配置例を説明するための模式的斜視図である。
【図2】 図1の模式的断面図である。
【図3】 実施例1のX線センサーユニットの断面図である。
【図4】 実施例2の液晶表示装置の一例を説明するための模式的断面図である。
【図5】 実施例3の光電変換装置の一例を説明するための模式的断面図である。
【図6】 実施例4の光電変換装置の一例を説明するための模式的断面図である。
【図7】 従来の光電変換装置の一例を説明するための模式的断面図である。
【符号の説明】
101、601、701 センサーパネル(第1の基板)
102、602、702 基台(第2の基板)
103、603、703 第1の接着層
104、604、704 第2の接着層
105、605、705 蛍光板
106、606、706 フレキシブル基板
107、607、707 プリント基板
110、210、211、610、710 緩衝材
111、611、711 支持材
120、620、720 匡体
121、621、721 蓋
123、623、723 カバー
124、222、624、724 足
125、725 アングル
130、630、730 X線センサー部
140、640、740 シャーシ部
201 第1の液晶駆動用配線基板
202 第2の液晶駆動用配線基板
203 封止剤
204 液晶
205 接着層
206 偏光板
207 バックライト
208 フレキシブル基板
209 プリント基板
220 バックボディー
221 フロントボディー
230 液晶ディスプレイパネル
622 プレート

Claims (6)

  1. 光電変換装置であって、
    それぞれ、複数の画素が2次元状に配列された画素エリアを有する複数の第1の基板と、
    前記複数の第1の基板に対する光入射側と反対側の面に複数の接着部を介して貼り合わされた第2の基板と、
    前記複数の第1の基板に対する光入射側の面に接着層を介して貼り合わされた波長変換体と、
    支持材を介して前記第2の基板を支持する匡体と、
    緩衝材を介して前記波長変換体を前記複数の第1の基板方向に押さえ込むように前記匡体に固定された部材と、
    を有し、
    前記複数の接着部のそれぞれ、前記接着層、前記支持材及び前記緩衝材は、変形可能な材質で形成されている
    ことを特徴とする光電変換装置。
  2. 前記第1の基板の熱膨張係数をaとし、前記第2の基板の熱膨張係数をbとし、前記複数の画素の配列ピッチをPとし、隣接する前記第1の基板の配列された方向における前記画素エリアの幅をLとした場合に、前記光電変換装置の温度が80℃上昇したとき、
    −P/2<80L(a−b)<P/2
    の関係を満たすことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
  3. 前記第1の基板の熱膨張係数は4.7×10 -6 /℃であり、前記第2の基板の熱膨張係数は3.6×10 -7 〜9×10 -6 /℃であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光電変換装置。
  4. 隣接する前記第1の基板間における画素ピッチP1は、前記配列ピッチPに等しい
    ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光電変換装置。
  5. 記複数の画素のそれぞれは、前記波長変換体により変換された光を光電変換する光センサー素子を含む
    ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置。
  6. 前記波長変換体は、蛍光体を有する
    ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光電変換装置。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10031251A1 (de) * 2000-06-27 2002-01-10 Siemens Ag Fronteinheit eines elektrischen Gerätes
JP2002333848A (ja) * 2001-05-10 2002-11-22 Sharp Corp 複合アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び電磁波撮像装置
JP2003209232A (ja) * 2002-01-15 2003-07-25 Fuji Photo Film Co Ltd 固体検出器
JP4595287B2 (ja) * 2003-03-25 2010-12-08 セイコーエプソン株式会社 立体映像表示装置
WO2004086127A1 (ja) * 2003-03-25 2004-10-07 Sanyo Electric Co. Ltd. 立体映像表示装置及びその製造方法
KR100587370B1 (ko) * 2003-10-29 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치
KR20050122517A (ko) * 2004-06-24 2005-12-29 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 표시장치 조립체
JP2006324543A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Nec Electronics Corp 固体撮像装置
DE102005045901A1 (de) * 2005-09-26 2007-04-05 Siemens Ag Flachbilddetektor zur Aufnahme von digitalen Röntgenbildern
JP4733092B2 (ja) 2007-09-28 2011-07-27 富士フイルム株式会社 放射線画像撮影装置
JP2009214396A (ja) * 2008-03-10 2009-09-24 Ricoh Co Ltd 光書込みヘッドおよび画像形成装置
JP2011137665A (ja) * 2009-12-26 2011-07-14 Canon Inc シンチレータパネル及び放射線撮像装置とその製造方法、ならびに放射線撮像システム
JP2012154696A (ja) 2011-01-24 2012-08-16 Canon Inc シンチレータパネル、放射線検出装置およびそれらの製造方法
JP5709572B2 (ja) * 2011-02-18 2015-04-30 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像システム
CN104676384B (zh) * 2015-03-16 2017-07-18 京东方科技集团股份有限公司 一种背光模组、显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59181627A (ja) * 1983-03-31 1984-10-16 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US5707749A (en) * 1990-11-30 1998-01-13 Hitachi, Ltd. Method for producing thin film multilayer wiring board
JP2801487B2 (ja) * 1992-04-30 1998-09-21 シャープ株式会社 パネルの実装構造および実装方法並びに樹脂供給硬化方法
JPH11345956A (ja) * 1998-03-16 1999-12-14 Canon Inc 撮像装置

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