TWI652813B - 顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的係抑制無機絕緣層78之龜裂及配線68之斷線之產生。 於周邊區域PA積層於樹脂基板10之複數層具備：導電層66，其包含於朝向複數個端子70之配線方向WD分別延伸之複數條配線68；及無機絕緣層78，其至少1層。無機絕緣層78係設置於分別與複數條配線68重疊之複數個第1區域R1、與分別位於彼此相鄰之第1區域R1之間之複數個第2區域R2。無機絕緣層78於複數個第1區域R1各者具有第1部分80。無機絕緣層78於複數個第2區域R2各者具有第2部分82。第1部分80與配線方向WD連續。第2部分82至少擇一方式設置:避開對應之1個第2區域R2之一部分設置，或設置為較第1部分80更薄；且與鄰接之第1部分80連結。

Description

顯示裝置
本發明係關於一種顯示裝置。
近年來，為了顯示裝置之小型化或顯示區域之放大，而謀求使位於顯示圖像之顯示區域周緣之所謂邊框區域變窄(窄邊框化)。於邊框區域設有配線或電路。尤其智慧型手機等移動機器中窄邊框化之要求日益嚴格。然而，窄邊框化之想法已竭盡所能，必須以其他方法對應。 因此，有探討使用可撓性顯示器，藉由將其邊框區域彎折至背側，而實質上成窄邊框化。於專利文獻1中揭示有於具有可撓性之樹脂基板上形成電路層及有機電致發光層之可撓性顯示器。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2010-098645號公報
[發明所欲解決之問題] 於樹脂基板形成電路層時，為防止來自樹脂基板之污染，一般係預先形成包含SiN或SiO等無機絕緣層之底層膜。底層膜之形成對於減少對樹脂基板表面之損傷、或減少因由樹脂基板產生之物質而對設備造成之影響、提高配線與樹脂基板之密著性係有效。然而，由於無機絕緣層比較硬，故而易產生樹脂基板之扭曲或彎曲與產生龜裂，形成於其上之配線斷線成為問題。 因此，考慮於配線之正下方殘留底層膜，並於彼此相鄰之配線之間去除底層膜之方法。然而，形成多條配線之區域較廣之情形時，若產生樹脂基板之扭曲或彎曲，則應力集中於一部分配線，底層膜之龜裂或配線之斷裂仍然成為問題。 本發明之目的係抑制無機絕緣層龜裂或配線斷線之發生。 [解決問題之技術手段] 本發明之顯示裝置之特徵在於具備：樹脂基板，其包含顯示區域及包圍上述顯示區域之周邊區域；複數個發光元件，其設置於上述顯示區域；密封層，其密封上述複數個發光元件；及複數層，其於上述周邊區域積層於上述樹脂基板，上述複數層具備：導電層，其包含於朝向複數個端子之配線方向分別延伸之複數條配線；及無機絕緣層，其包含至少1層，上述無機絕緣層設置於分別與上述複數條配線重疊之複數個第1區域，與分別位於彼此相鄰之上述第1區域之間之複數個第2區域，上述無機絕緣層於上述複數個區域各者具有第1部分，上述無機絕緣層於上述複數個第2區域各者具有第2部分，上述第1部分與上述配線方向連續，上述第2部分係避開對應之1個上述第2區域之一部分設置，或設置為較上述第1部分更薄之至少一者，且與鄰接之上述第1部分連結。 根據本發明，由於無機絕緣層不僅設置於第1區域亦設置於第2區域，故可分散應力，藉此可抑制無機絕緣層龜裂或配線斷線之發生。又，無機絕緣層之第2部分(不與配線重疊之部分)係避開第2區域之一部分設置，或設置為較第1部分(與配線重疊之部分)更薄之至少一者。因此，可於第2部分吸收應力，抑制第1部分之龜裂，且抑制與第1部分重疊之配線之斷線。
以下，參照圖式，對本發明之實施形態進行說明。但本發明於不脫離其主旨之範圍內，可以各種態樣實施，並不限定解釋於以下所例示之實施形態之記載內容。 圖式係為了使說明更明確，而與實際態樣相比，存在示意性顯示各部之寬度、厚度、形狀等之情形，但僅為一例，並非限定本發明之解釋。於本說明書與各圖中，對與針對已出現之圖說明者相同之要件，標註相同符號，且有時省略重複說明。 再者，本發明之詳細說明中，規定某構成物與其他構成物之位置關係時，所謂「在上」、「在下」，不僅包含位於某構成物之正上或正下之情況，只要無特別限制，則亦包含其間進而介置其他構成物之情形。 [第1實施形態] 圖1係本發明之第1實施形態之顯示裝置之俯視圖。圖2係本發明之第1實施形態之顯示裝置之側視圖。作為顯示裝置，舉有機電致發光顯示裝置為例。顯示裝置組合例如包含紅、綠、藍之複數色單位像素(子像素)，形成全彩像素，並顯示全彩圖像。顯示裝置具有樹脂基板10。樹脂基板10具備顯示區域DA及包圍顯示區域DA之周邊區域PA。於周邊區域PA，於樹脂基板10連接有第1可撓性印刷基板12。於第1可撓性印刷基板12搭載有用以驅動用於顯示圖像之元件之積體電路晶片14。於第1可撓性印刷基板12進而連接有第2可撓性印刷基板16。於第2可撓性印刷基板16設有用於與外部電性連接之連接器18，並搭載有電子零件20。 圖3係顯示圖2所示之顯示裝置之使用狀態之圖。顯示裝置將樹脂基板10彎曲並收納於例如未圖示之框體內。顯示裝置係於周邊區域PA彎曲，於顯示區域DA維持平坦狀態。 圖4係將圖1所示之顯示裝置之IV－IV線剖面省略一部分而顯示之放大圖。樹脂基板10具備聚醯亞胺樹脂或聚對苯二甲酸乙二酯等，例如為10～20 μm膜厚並具有可撓性。於樹脂基板10形成有對於其自身含有之雜質成為障壁之底層絕緣膜22。底層絕緣膜22為矽氧化膜或矽氮化膜等，亦可為該等之積層構造。例如，若為氮化膜、氧化膜及氮化膜之3層構造，則分別具有20～50 nm、20～50 nm及100～500 nm之膜厚。如圖1所示，底層絕緣膜22成為四角形之四角被切掉之平面形狀。即，底層絕緣膜22之角部22a成為使角消失並以曲線連接邊，或即使有角亦成為鈍角。藉此，防止應力之集中並提高可靠性。 於底層絕緣膜22之上形成有半導體層24。半導體層24例如係將非晶矽層以準分子雷射進行退火處理而形成50 nm膜厚之多晶矽層。於半導體層24電性連接源極電極26及汲極電極27，覆蓋半導體層24而形成閘極絕緣膜28。閘極絕緣膜28係以化學式為Si(OC2 H5 )4 之化合物即TEOS(TetraEthOxySilane，四乙氧基矽烷)等，以80～100 nm之膜厚形成。源極電極26及汲極電極27具有Mo、AlNd、Mo或Ti、Al、Ti等積層構造，若為3層，則分別具有100～200 nm、300～600 nm及30～100 nm之膜厚。 於閘極絕緣膜28之上形成有閘極電極30，覆蓋閘極電極30形成層間絕緣層32。源極電極26及汲極電極27貫通閘極絕緣膜28。源極電極26及汲極電極27於顯示區域DA，位於層間絕緣層32之正上方並貫通層間絕緣層32。構成包含半導體層24、源極電極26、汲極電極27及閘極電極30以及閘極絕緣膜28之薄膜電晶體34。薄膜電晶體34設置於顯示區域DA。於顯示區域DA，於閘極絕緣膜28之正上方有閘極電極30。以覆蓋薄膜電晶體34之方式設有平坦化層38。平坦化層38藉由聚醯亞胺樹脂或感光性丙烯酸樹脂等有機材料而以2～3 μm膜厚形成。 於平坦化層38之上，設有以對應於複數個單位像素(子像素)各者之方式構成之複數個像素電極40(例如陽極)。像素電極40係以MgAg等形成。像素電極40亦可以成為電極膜與光反射膜之積層構造之方式，分別以30～60 nm、30～60 nm、100～150 nm及10～20 nmt之膜厚，積層ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)、ITO、Ag及ITO膜。或者，亦可以該等膜厚積層IZO(Indium Zinc Oxide：氧化銦鋅)、IZO、Ag、及IZO膜，而形成像素電極40。像素電極40藉由貫通平坦化層38之接觸孔36，電性連接於層間絕緣膜32上之源極電極26及汲極電極27之一者。 像素電極40構成後述之發光元件42之一部分，但亦成為電容器44之一電極。電容器44包含像素電極40、位於其下方之電容電極46、及介置於像素電極40與電容電極46之間之介電絕緣膜48。介電絕緣膜48係氮化膜及氧化膜之積層或係氮化膜且具有200 nm以下膜厚。電容電極46包含Mo、AlNd及Mo或Ti、Al及Ti等3層構造，具有200 nm以下之膜厚。電容器44保持用以控制供給至像素電極40之電流之信號。 於像素電極40上，以聚醯亞胺樹脂或丙烯酸系樹脂等，形成具有例如1～2 μm膜厚之絕緣層50。絕緣層50載於像素電極40之周緣部，形成為使像素電極40之一部分(例如中央部)開口。藉由絕緣層50，形成包圍像素電極40之一部分之堤部。 於像素電極40上設有發光層52。發光層52係對每個像素40個別(分離)設置，亦載於絕緣層50。該情形時，發光層與各像素對應，以藍、紅或綠色發光。對應於各像素之顏色不限於此，亦可為例如黃色或白色等。發光層52例如係藉由蒸鍍而形成。或者，發光層52亦可以遍及複數個像素之方式，形成為覆蓋顯示區域DA(參照圖1)之整面。即，亦可以於絕緣層50上連續之方式形成發光層52。該情形時，發光層52係藉由利用溶媒分散之塗佈而形成。以遍及複數個像素之方式形成發光層52之情形時，構成為所有子像素中以白色發光，通過未圖示之彩色濾光片擷取期望之色波長部分。 於發光層52之上，設有對向電極54(共用電極或陰極)。對向電極54載於成為堤部之絕緣層50之上。構成包含發光層52以及隔著發光層52之像素電極40及對向電極54的發光元件42。發光層52被像素電極40及對向電極54夾著，藉由流動於兩者間之電流而控制亮度並發光。亦可於發光層52與像素電極40之間，設置未圖示之電洞輸送層及電洞注入層之至少一層。亦可於發光層52與對向電極54之間，設置未圖示之電子輸送層及電子注入層之至少一層。複數個發光元件42設置於顯示區域DA，並藉由複數個薄膜電晶體34予以驅動。與複數個發光元件42各者對應，設有電容器44。 複數個發光元件42藉由密封層56予以密封。將發光元件42藉由積層於對向電極54之密封層56覆蓋而密封，將其與水分遮斷。密封層56具備至少一層無機絕緣膜58，亦可為積層構造。密封層56亦可為於一對無機絕緣膜58之間隔著包含樹脂等之至少一層之有機絕緣膜60之構造。一對無機絕緣膜58分別為SiN等氮化膜，具有例如1～10 μm之膜厚。有機絕緣膜60具有例如5～50 μm之膜厚。密封層56覆蓋顯示區域DA(參照圖1)。 圖5係將圖1所示之顯示裝置之Ｖ－Ｖ線剖面省略一部分顯示之放大圖。對向電極54於周邊區域PA經由陰極接觸件62連接於周邊電路64。於周邊區域PA，密封層56之一對無機絕緣膜58自位於其間之有機絕緣膜60突出，於有機絕緣膜60之周圍一對無機絕緣膜58上下接觸。 圖6係截取圖1中VI所示部分並放大之立體圖。於樹脂基板10，於周邊區域PA積層有複數層。複數層包含導電層66。導電層66包含複數條配線68。配線68係以MoW等形成。若配線68為Ti、Al及Ti之積層構造，則分別具有100～200 nm、100～300 nm及100～200 nm之膜厚。複數條配線68分別為信號線、掃描線、電源線及接地線等。 圖7係沿著圖6所示之VII－VII線切斷而顯示之周邊區域之剖面圖。圖8係沿著圖6所示之VIII－VIII線切斷而顯示之周邊區域之剖面圖。複數條配線68分別沿朝向複數個端子70之方向(配線方向WD)延伸。複數個端子70與圖1所示之第1可撓性印刷基板12電性連接。 端子70包含半導體膜72。半導體膜72藉由以與圖4所示之薄膜電晶體34之半導體層24相同之材料同時形成而位於相同層。端子70包含電極膜74。電極膜74藉由以與源極電極26及汲極電極27相同之材料同時形成而位於相同層。使半導體膜72與電極膜74積層。 於圖4所示之顯示區域DA，位於半導體層24之下之底層絕緣膜22係沿圖7所示之周邊區域PA到達至半導體膜72之下。顯示區域DA之層間絕緣層32於周邊區域PA延伸，於半導體膜72之上至少於其中央部具有開口76。電極膜74係如於層間絕緣層32之開口76與半導體膜72接觸而載置般，於開口76之周邊與層間絕緣層32接觸而載置。 如圖6所示，複數層含有包含至少1層之無機絕緣層78。無機絕緣層78設置於分別與複數條配線68重疊之複數個第1區域R1。無機絕緣層78於複數個第1區域R1各者具有第1部分80。第1部分80於配線方向WD連續。 無機絕緣層78設置於分別位於彼此鄰接之第1區域R1之間之複數個第2區域R2。無機絕緣層78於複數個第2區域R2各者具有第2部分82。第2部分82與鄰接之第1部分80連結。第2部分82係避開對應之1個第2區域R2之一部分設置，或設置為較第1部分80更薄之至少一者(本實施形態中為前者)。 無機絕緣層78於複數個第2區域R2各者具有排列於配線方向WD之複數條縫隙84。第2部分82藉由複數條縫隙84分離為於配線方向WD排列之複數個第2部分82。位於複數個第2區域R2各者之複數條縫隙84與位於隔壁相鄰之第2區域R2之複數條縫隙84係以相鄰之方式排列。同樣地，位於複數個第2區域R2各者之複數個第2部分82與位於隔壁相鄰之第2區域R2之複數個第2部分82係以相鄰之方式排列。 圖4所示之閘極絕緣膜28如圖7所示，係以到達至周邊區域PA之方式延伸，構成無機絕緣層78之至少1層。於周邊區域PA，於閘極絕緣膜28之正上方，有複數條配線68。配線68係以與閘極電極30相同之材料同時形成，並位於同層。圖4所示之層間絕緣層32亦以到達至周邊區域PA之方式延伸，構成無機絕緣層78之至少1層。即，無機絕緣層78即使於顯示區域DA亦積層於樹脂基板10。 另，亦可僅閘極絕緣膜28及層間絕緣層32之一者構成無機絕緣層78之至少1層。又，亦可自顯示區域DA遍及周邊區域PA，於密封層56之上貼附包含有機材料之薄膜(未圖示)。該薄膜亦可積層於無機絕緣層78。 根據本實施形態，由於無機絕緣層78不僅設置於第1區域R1亦設置於第2區域R2，故可分散應力，藉此可抑制無機絕緣層78之龜裂或配線68之斷線發生。又，無機絕緣層78之第2部分82(不與配線68重疊之部分)係避開第2區域R2之一部分設置，或設置為較第1部分80(與配線68重疊之部分)更薄之至少一者。因此，可於第2部分82吸收應力，抑制第1部分80之龜裂，並抑制與第1部分80重疊之配線68之斷線。 [第2實施形態] 圖9係顯示於本發明之第2實施形態之顯示裝置之周邊區域積層於樹脂基板之複數層之一部分之立體圖。 無機絕緣層278具有複數條縫隙284。於各個第2區域R2，一群縫隙284係排列於配線方向WD。藉由一群縫隙284，一群第2部分282於配線方向WD互相分離而排列。該等之詳情相當於第1實施形態說明之內容。 於本實施形態中，複數條縫隙284整體排列成錯開狀。即，在彼此鄰接之第2區域R2之縫隙284不排列為彼此相鄰。因此，複數個第2部分282整體亦排列成錯開狀。即，在彼此鄰接之第2區域R2之縫隙282不排列為彼此相鄰。其他內容相當於第1實施形態說明之內容。 [第3實施形態] 圖10係顯示於本發明之第3實施形態之顯示裝置之周邊區域積層於樹脂基板之複數層之一部分之立體圖。另，會有省略中間部分而顯示。 於各個第2區域R2，沿配線方向WD，於靠近顯示區域DA(參照圖1)之側之第1位置P1及遠離顯示區域DA之側之第2位置P2，配置有第2部分382。此處，互相最遠離之一對第2區域R22之各者中，第1位置P11及第2位置P22離開最遠。位於互相最遠離之一對第2區域R22之各者之第1位置P11較在其他任一第2區域R2之第1位置P1更靠近顯示區域DA(參照圖1)。位於互相最遠離之一對第2區域R22之各者之第2位置P22較在其他任一第2區域R2之第2位置P2最遠離顯示區域DA(參照圖1)。 至少1個之各第2區域R2中，第1位置P1及第2位置P2之各者係以接近對向方向之方式錯開。藉此，由於複數個第2部分382係沿X字狀交差之第1方向D1及第2方向D2排列，故藉由少數第2部分382可防止周邊區域PA之無機絕緣層378之破損。 [第4實施形態] 圖11係顯示於本發明之第4實施形態之顯示裝置之周邊區域積層於樹脂基板之複數層之一部分之立體圖。 無機絕緣層478包含複數層。複數層無機絕緣層478之至少1層(例如層間絕緣膜432)設置於複數個第1區域R1及複數個第2區域R2兩者。複數層無機絕緣層478之至少1層(例如底層絕緣膜422、閘極絕緣膜428)避開複數個第2區域R2，設置於複數個第1區域R1。因此，第2部分482較第1部分480更薄。即，於本實施形態中，藉由於第2區域R2減薄無機絕緣層478(第2部分482)，而獲得與第1實施形態說明之於無機絕緣層78形成縫隙84之構造相同之效果。 [第5實施形態] 圖12係顯示於本發明之第5實施形態之顯示裝置之周邊區域積層於樹脂基板之複數層之一部分之立體圖。 本實施形態具有組合有第1實施形態與第4實施形態之特徵。即，第2部分582較第1部分580更薄，且無機絕緣層578於第2區域R2具有縫隙584。 [第6實施形態] 圖13係將於本發明之第6實施形態之顯示裝置之周邊區域積層於樹脂基板之複數層於第1區域切斷而顯示之剖面圖。於本實施形態中，圖4所示之介電絕緣膜48以延伸至周邊區域PA，構成無機絕緣層678之1層。介電絕緣膜48成為無機絕緣層678之最上層。於介電絕緣膜48之下，有自顯示區域DA延伸而來之層間絕緣層32，兩者覆蓋配線668。於配線668之下，有自顯示區域DA延伸而來之閘極絕緣膜28及底層絕緣膜22。 圖14係將於本發明之第6實施形態之顯示裝置之周邊區域積層於樹脂基板之複數層於第2區域切斷而顯示之剖面圖。於第2區域R2，介電絕緣膜48亦成為無機絕緣層678之最上層，於介電絕緣膜48之下，有層間絕緣層32、閘極絕緣膜28及底層絕緣膜22。 [第7實施形態] 圖15係將於本發明之第7實施形態之顯示裝置之周邊區域積層於樹脂基板之複數層於第1區域切斷而顯示之剖面圖。 無機絕緣層778包含自顯示區域DA延伸而來之層間絕緣層32。層間絕緣層32與半導體膜772之端部重疊。閘極絕緣膜28亦與半導體膜772之端部重疊。於半導體膜772之端部與配線768之間，介置閘極絕緣膜28及層間絕緣膜32。又，較半導體膜772更靠近樹脂基板10之前端之位置亦存在層間絕緣層32。 於周邊區域PA，於層間絕緣層32之正上，有複數條配線768。複數條配線768係以與圖4所示之源極電極26及汲極電極27相同之材料同時形成。介電絕緣膜48延伸至周邊區域PA，覆蓋除複數個端子770以外之複數條配線768。介電絕緣膜48係無機絕緣層778之1層(最上層)。 [第8實施形態] 圖16係將於本發明之第8實施形態之顯示裝置之周邊區域積層於樹脂基板之複數層於第1區域切斷顯示之剖面圖。 本實施形態中，層間絕緣層32之形狀與第7實施形態不同。層間絕緣層32未與半導體膜872之端部重疊。因此，配線868於鄰接於半導體膜872之端部之位置，與閘極絕緣膜28接觸而重疊。又，較半導體膜872更靠近樹脂基板10之前端之位置上不存在層間絕緣層32。 另，顯示裝置不限於有機電致發光顯示裝置，可為各像素具備如量子點發光元件(QLED：Quantum -Dot Light Emitting Diode：量子點發光二極體)般之發光元件之顯示裝置，亦可為液晶顯示裝置。 本發明不限於上述實施形態，可進行各種變化。例如，實施形態所說明之構成可以實質上為相同構成、可發揮相同作用效果之構成或達成相同目的之構成置換。
10‧‧‧樹脂基板
12‧‧‧第1可撓性印刷基板
14‧‧‧積體電路晶片
16‧‧‧第2可撓性印刷基板
18‧‧‧連接器
20‧‧‧電子零件
22‧‧‧底層絕緣膜
22a‧‧‧角部
24‧‧‧半導體層
26‧‧‧源極電極
27‧‧‧汲極電極
28‧‧‧閘極絕緣膜
30‧‧‧閘極電極
32‧‧‧層間絕緣層
34‧‧‧薄膜電晶體
36‧‧‧接觸孔
38‧‧‧平坦化層
40‧‧‧像素電極
42‧‧‧發光元件
44‧‧‧電容器
46‧‧‧電容電極
48‧‧‧介電絕緣膜
50‧‧‧絕緣層
52‧‧‧發光層
54‧‧‧對向電極
56‧‧‧密封層
58‧‧‧無機絕緣膜
60‧‧‧有機絕緣膜
62‧‧‧陰極接觸件
64‧‧‧周邊電路
66‧‧‧導電層
68‧‧‧配線
70‧‧‧端子
72‧‧‧半導體膜
74‧‧‧電極膜
76‧‧‧開口
78‧‧‧無機絕緣膜
80‧‧‧第1部分
82‧‧‧第2部分
84‧‧‧縫隙
150‧‧‧無機絕緣層
278‧‧‧無機絕緣層
282‧‧‧第2部分
284‧‧‧縫隙
378‧‧‧無機絕緣層
382‧‧‧第2部分
422‧‧‧底層絕緣膜
428‧‧‧閘極絕緣膜
432‧‧‧層間絕緣層
478‧‧‧無機絕緣層
480‧‧‧第1部分
482‧‧‧第2部分
578‧‧‧無機絕緣層
580‧‧‧第1部分
582‧‧‧第2部分
584‧‧‧縫隙
668‧‧‧配線
678‧‧‧無機絕緣層
768‧‧‧配線
770‧‧‧端子
772‧‧‧半導體膜
778‧‧‧無機絕緣層
868‧‧‧配線
872‧‧‧半導體膜
DA‧‧‧顯示區域
D1‧‧‧第1方向
D2‧‧‧第2方向
PA‧‧‧周邊區域
WD‧‧‧配線方向
R1‧‧‧第1區域
R2‧‧‧第2區域
R22‧‧‧第2區域
P1‧‧‧第1位置
P11‧‧‧第1位置
P2‧‧‧第2位置
P22‧‧‧第2位置
圖1係本發明之第1實施形態之顯示裝置之俯視圖。 圖2係本發明之第1實施形態之顯示裝置之側視圖。 圖3係顯示圖2所示之顯示裝置之使用狀態之圖。 圖4係將圖1所示之顯示裝置之IV－IV線剖面省略一部分顯示之放大圖。 圖5係將圖1所示之顯示裝置之Ｖ－Ｖ線剖面省略一部分顯示之放大圖。 圖6係截取圖1中VI所示部分並放大之立體圖。 圖7係沿著圖6所示之VII－VII線切斷而顯示之周邊區域之剖面圖。 圖8係沿著圖6所示之VIII－VIII線切斷而顯示之周邊區域之剖面圖。 圖9係顯示於本發明之第2實施形態之顯示裝置之周邊區域積層於樹脂基板之複數層之一部分之立體圖。 圖10係顯示於本發明之第3實施形態之顯示裝置之周邊區域積層於樹脂基板之複數層之一部分之立體圖。 圖11係顯示於本發明之第4實施形態之顯示裝置之周邊區域積層於樹脂基板之複數層之一部分之立體圖。 圖12係於本發明之第5實施形態之顯示裝置之周邊區域積層於樹脂基板之複數層之一部分之立體圖。 圖13係將於本發明之第6實施形態之顯示裝置之周邊區域積層於樹脂基板之複數層於第1區域切斷顯示之剖面圖。 圖14係將於本發明之第6實施形態之顯示裝置之周邊區域積層於樹脂基板之複數層於第2區域切斷而顯示之剖面圖。 圖15係將於本發明之第7實施形態之顯示裝置之周邊區域積層於樹脂基板之複數層於第1區域切斷而顯示之剖面圖。 圖16係將於本發明之第8實施形態之顯示裝置之周邊區域積層於樹脂基板之複數層於第1區域切斷而顯示之剖面圖。

Claims (11)

  1. 一種顯示裝置，其特徵在於包含：樹脂基板，其包含顯示區域及包圍上述顯示區域之周邊區域；複數個發光元件，其設置於上述顯示區域；密封層，其密封上述複數個發光元件；及複數層，其於上述周邊區域積層於上述樹脂基板；且上述複數層包含：導電層，其包含於朝向複數個端子之配線方向分別延伸之複數條配線；及無機絕緣層，其至少1層，上述無機絕緣層設置於分別與上述複數條配線重疊之複數個第1區域，與分別位於彼此相鄰之上述第1區域之間之複數個第2區域，上述無機絕緣層於上述複數個第1區域各者包含第1部分，上述無機絕緣層於上述複數個第2區域各者包含第2部分，上述第1部分與上述配線方向連續，上述第2部分係與鄰接之上述第1部分連結，且以如下至少一者之方式設置，即避開對應之1個上述第2區域之一部分設置，或設置為較上述第1部分更薄者。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中上述無機絕緣層於上述複數個第2區域各者，具有排列於上述配線方向之複數條縫隙，上述第2部分係藉由上述複數條縫隙而分離成排列於上述配線方向之複數個第2部分， 位於上述複數個第2區域各者之上述複數條縫隙、與位於相鄰之上述第2區域之上述複數條縫隙係以相鄰之方式排列。
  3. 如請求項1之顯示裝置，其中上述無機絕緣層以於上述複數個第2區域各者中，一群縫隙排列於上述配線方向之方式，具有複數條縫隙，上述第2部分係藉由上述一群縫隙而分離成排列於上述配線方向之複數個第2部分，上述複數條縫隙係錯開狀排列。
  4. 如請求項1之顯示裝置，其中於上述複數個第2區域各者，於靠近上述顯示區域之側及遠離上述顯示區域之側，具有分別配置上述第2部分之一對位置，互相最遠離之一對上述第2區域各者中，上述一對位置係相距最遠，位於最靠近上述顯示區域之位置及最遠離上述顯示區域之位置，至少1個之各上述第2區域中，上述一對位置之各者以接近上述一對位置之對向方向之方式錯開。
  5. 如請求項1至4中任一項之顯示裝置，其中上述第2部分較上述第1部分更薄，上述無機絕緣層包含複數層無機絕緣層，上述複數層無機絕緣層之至少1層，設置於上述複數個第1區域及上述複數個第2區域， 上述複數層無機絕緣層之另外至少1層，係避開上述複數個第2區域，設置於上述複數個第1區域。
  6. 如請求項1至4中任一項之顯示裝置，其中上述無機絕緣層即使於上述顯示區域亦積層於上述樹脂基板。
  7. 如請求項6之顯示裝置，其中於上述顯示區域，進而包含薄膜電晶體，其用於驅動上述複數個發光元件各者，上述薄膜電晶體之閘極絕緣膜及覆蓋上述薄膜電晶體之層間絕緣膜之至少一絕緣膜係以到達上述周邊區域之方式延伸，構成上述無機絕緣層之至少1層。
  8. 如請求項7之顯示裝置，其中上述無機絕緣層包含上述閘極絕緣膜，於上述顯示區域，於上述閘極絕緣膜之正上方，有上述薄膜電晶體之閘極電極，於上述周邊區域，於上述閘極絕緣膜之正上方，有上述複數條配線。
  9. 如請求項7之顯示裝置，其中上述無機絕緣層包含上述層間絕緣膜，於上述顯示區域，上述薄膜電晶體之源極電極及汲極電極位於上述 層間絕緣層之正上方，貫通上述層間絕緣層，於上述周邊區域，於上述層間絕緣層之正上方，有上述複數條配線。
  10. 如請求項1至4中任一項之顯示裝置，其中進而包含電容器，其與上述複數個發光元件各者對應，上述電容器包含像素電極、電容電極、及介置於上述像素電極與上述電容電極之間之介電絕緣膜，上述介電絕緣膜以到達上述周邊區域之方式延伸，構成上述無機絕緣層之1層。
  11. 如請求項10之顯示裝置，其中上述介電絕緣膜為上述無機絕緣層之最上層。
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