CN112449711A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

在显示区域以及弯折部(B)之间在与弯折部(B)的延伸方向交叉的方向上相互平行地延伸设置的多个第一上层布线(14d),经由形成在第二树脂层(8)以及无机绝缘膜(11、13)上的多个第一接触孔(Ha),分别与在树脂基板(10a)的第一树脂层(6)以及第二树脂层(8)之间在与弯折部(B)的延伸方向交叉的方向上相互平行地延伸且以横穿狭缝(S)的方式设置的多个下层布线(7b)电连接。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用了有机EL(electroluminescence，电致发光)元件的自发光型的有机EL显示装置备受关注。在该有机EL显示装置中，提出了在具有可弯曲性的树脂基板上形成有机EL元件等的柔性的有机EL显示装置。此处，在有机EL显示装置中，设置有进行图像显示的显示区域和在该显示区域周围的边框区域，期望减小边框区域。并且，在柔性的有机EL显示装置中，若为了使俯视下的边框区域所占据的面积变小，将边框区域弯折，则有可能导致配置在该边框区域的布线断裂。
例如，专利文献1公开了一种柔性显示装置，其通过形成弯折孔以去除与弯折区域对应的缓冲膜、栅极绝缘膜和层间绝缘膜中的每一个的一部分来防止布线的断线。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2014-232300号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
但是，在柔性的有机EL显示装置中，由于在树脂基板上设置有底涂膜、栅极绝缘膜以及层间绝缘膜等无机绝缘膜，因此，为了抑制配置在边框区域的布线的断裂，去除边框区域的弯折部中的无机绝缘膜，并在该去除的部分处形成平坦化膜，在该平坦化膜上形成布线。然而，在这样构成的有机EL显示装置中，需要在去除了边框区域的弯折部的无机绝缘膜的部分处另外形成平坦化膜，因此有改善的余地。
本发明是鉴于上述点而完成的，其目的在于，在边框区域的弯折部中，在不另外设置平坦化膜的情况下抑制布线的断线。
用于解决问题的方案
为了达成上述目的，本发明涉及的显示装置包括：树脂基板，其规定进行图像显示的显示区域以及在该显示区域周围的边框区域；TFT层，其设置于所述树脂基板上；端子部，其设置于所述边框区域的端部；弯折部，其在所述显示区域与所述端子部之间以沿一方向延伸的方式设置；多个无机绝缘膜，构成所述TFT层并层叠设置于所述树脂基板上，在所述弯折部中形成有使所述树脂基板的上表面露出的狭缝；以及多个第一上层布线，构成所述TFT层，在所述显示区域与所述弯折部之间,以在与所述弯折部的延伸方向交叉的方向上相互平行地延伸的方式设置于所述多个无机绝缘膜的任一个上，所述显示装置的特征在于，所述树脂基板包括:第一树脂层,其在与所述TFT层相反的一侧设置于所述显示区域和所述边框区域；多个下层布线,其在所述第一树脂层的所述TFT层侧的所述边框区域中，在与所述弯折部的延伸方向交叉的方向上相互平行地延伸，并以横穿所述狭缝的方式设置；以及第二树脂层，其以覆盖所述多个下层布线的方式设置于所述第一树脂层的所述TFT层侧的所述显示区域和所述边框区域，所述多个第一上层布线经由形成于在与所述多个下层布线之间设置的所述第二树脂层以及所述无机绝缘膜的多个第一接触孔,分别电连接到所述多个下层布线。
发明效果
根据本发明，在显示区域和弯折部之间设置的多个第一上层布线分别与设置在树脂基板的第一树脂层和第二树脂层之间的多个下层布线电连接，因此在边框区域的弯折部中，在不另外设置平坦化膜的情况下就能够抑制布线的断线。
附图说明
图1是示出本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。
图2是本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的显示区域的俯视图。
图3是本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的显示区域的剖面图。
图4是示出构成本发明第一实施方式涉及的有机EL显示装置的TFT层的等效电路图。
图5是示出构成本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的有机EL层的剖面图。
图6是本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的边框区域的弯折部的俯视图。
图7是沿着图6中的VII-VII线的有机EL显示装置的边框区域的弯折部的剖面图。
图8是本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的边框区域的端子部的剖面图。
图9是本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的变形例的边框区域的弯折部的剖面图。
图10是本发明的第二实施方式涉及的有机EL显示装置的边框区域的弯折部的剖面图。
图11是本发明的第二实施方式涉及的有机EL显示装置的边框区域的端子部的剖面图。
具体实施方式
以下，基于附图详细说明本发明的实施方式。此外，本发明并不限定于下面的各实施方式。
《第一实施方式》
图1至图9示出本发明涉及的显示装置的第一实施方式。此外，在以下各实施方式中，作为包括发光元件的显示装置，示例了包括有机EL元件的有机EL显示装置。在此，图1是示出本实施方式的有机EL显示装置50a的概略构成的俯视图。此外，图2是有机EL显示装置50a的显示区域D的俯视图。此外，图3是有机EL显示装置50a的显示区域D的剖面图。此外，图4是示出构成有机EL显示装置50a的TFT层20的等效电路图。此外，图5是构成有机EL显示装置50a的有机EL层33的剖面图。此外，图6是有机EL显示装置50a的边框区域F的弯折部B的俯视图。此外，图7是沿着图6中的VII-VII线的有机EL显示装置50a的边框区域F的弯折部B的剖面图。此外，图8是有机EL显示装置50a的边框区域F的端子部T的剖面图。
如图1所示，有机EL显示装置50a包括例如设置为矩形状的进行图像显示的显示区域D和设置在显示区域D周围的边框区域F。
如图2所示，在显示区域D中，多个子像素P呈矩阵状排列。此外，在显示区域D中，如图2所示，例如设置为具有用于进行红色的显示的红色发光区域Lr的子像素P、具有用于进行绿色的显示的绿色发光区域Lg的子像素P以及具有用于进行蓝色的显示的蓝色发光区域Lb的子像素P彼此相邻。此外，在显示区域D中，例如由具有红色发光区域Lr、绿色发光区域Lg及蓝色发光区域Lb的相邻的三个子像素P构成一个像素。
在图1中的边框区域F的右端部设置有端子部T。此外，如图1所示，在边框区域F中，在显示区域D和端子部T之间，以沿一个方向(图中纵向)延伸的方式设置有能够以图中纵向为弯折的轴弯折180°(U字状)的弯折部B。
如图3所示，有机EL显示装置50a包括有源矩阵基板30a和作为发光元件而设置在有源矩阵基板30a上的有机EL元件40。
如图3所示，有源矩阵基板30a包括作为树脂基板设置的树脂基板层10a和设置在树脂基板层10a上的TFT(thin film transistor，薄膜晶体管)层20a。
如图3和图7所示，树脂基板层10a包括设置在与TFT层20a相反侧的显示区域D和边框区域F中的第一树脂层6、设置在第一树脂层6的TFT层20a侧的显示区域D和边框区域F中的第二树脂层8、设置在第一树脂层6与第二树脂层8之间的下层导电层7a和多个下层布线7b。
第一树脂层6和第二树脂层8例如由聚酰亚胺树脂等构成。此处，为了提高下层导电层7a与各下层布线7b之间的紧贴性,第一树脂层6的第二树脂层8侧的表面例如通过使用了等离子体的灰化处理而被粗面化,具有1nm～30nm左右的算术平均粗糙度Ra的凹凸形状。另外，如图3和图7所示，第二树脂层8被设置为在第一树脂层6上覆盖下层导电层7a和各下层布线7b。
如图1所示,下层导电层7a以重叠于整个显示区域D的方式设置,并构成为隔断水分从第一树脂层6向第二树脂层8的移动,抑制有机EL元件40的后述的有机EL层33的劣化。另外，下层导电层7a被构成为在边框区域F中与低电源电压线Wa或高电源电压线Wb(参照图1)的电源电压线电连接，以降低电源电压线的电阻。此处，低电源电压线Wa电连接到有机EL元件40的后述的第二电极34。另外，如图1所示，低电源电压线Wa被构成为围绕显示区域D而大致呈C字状，其两端部到达端子部T，被输入低电源电压。此外，高电源电压线Wb经由后述的第二TFT9b电连接到有机EL元件40的后述的第一电极31。另外,如图1所示,高电源电压线Wb被构成为以包围显示区域D的方式设置为框状,并且沿着端子部T的一边的两端部到达端子部T,被输入高电源电压。此外，低电源电压线Wa以及高电源电压线Wb与源极线18f在同一层上由同一材料形成。
如图1、图6和图7所示，多个下层布线7b被设置为在第一树脂层6的TFT层20a侧的边框区域F中，在与弯折部B的延伸方向正交的方向(图1和图6的横向)上相互平行延伸，并横穿后述的狭缝S。此处，下层导电层7a和各下层布线7b由与后述的栅极线14相同的材料(例如，钼膜等金属膜)形成。另外，下层导电层7a及各下层布线7b也可以由例如钛、钨、钼、铜、铝等单层膜、合金膜或层叠膜形成。
如图3所示，TFT层20a包括：设置在树脂基板层10a的第二树脂层8上的底涂膜11；设置在底涂膜11上的多个第一TFT9a、多个第二TFT9b和多个电容器9c；以及设置在各第一TFT9a、各第二TFT9b和各电容器9c上的平坦化膜19。在此，如图2以及图4所示，在TFT层20a中，在后述的栅极绝缘膜13与第一层间绝缘膜15之间,以在图中横向上相互平行地延伸的方式设置有多个栅极线14。此外，如图2以及图4所示，在TFT层20a中，在后述的第二层间绝缘膜17与平坦化膜19之间，以与多个栅极线14正交并在图中的纵向上相互平行地延伸的方式设置有多个源极线18f。另外，如图2以及图4所示，在TFT层20a中，以在图中的纵向上相互平行地延伸的方式设置有多个电源线18g。此外，如图2所示，各电源线18g被设置为与各源极线18f相邻。此外，如图4所示，在TFT层20a中，在各子像素P中分别设置有第一TFT9a、第二TFT9b和电容器9c。
底涂膜11例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
如图4所示，在每个子像素P中，第一TFT9a与对应的栅极线14及源极线18f连接。如图3所示，第一TFT9a包括依次设置在底涂膜11上的半导体层12a、栅极绝缘膜13、栅极电极14a、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17以及源极电极18a和漏极电极18b。在此，如图3所示，半导体层12a以岛状设置在底涂膜11上，并具有沟道区域、源极区域和漏极区域。此外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12a的方式设置。此外，如图3所示，栅极电极14a以与半导体层12a的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。此外，如图3所示，第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17以覆盖栅极电极14a的方式依次设置。此外，如图3所示，源极电极18a和漏极电极18b以彼此分离的方式设置在第二层间绝缘膜17上。此外，如图3所示，源极电极18a和漏极电极18b经由形成在栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜中的各接触孔分别连接到半导体层12a的源极区域和漏极区域。此外，栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17，例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
如图4所示，在每个子像素P中，第二TFT9b与对应的第一TFT9a及电源线18g连接。另外，如图3所示，第二TFT9b包括依次设置在底涂膜11上的半导体层12b、栅极绝缘膜13、栅极电极14b、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17以及源极电极18c和漏极电极18d。在此，如图3所示，半导体层12b以岛状设置在底涂膜11上，并具有沟道区域、源极区域和漏极区域。此外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12b的方式设置。此外，如图3所示，栅极14b以与半导体层12a的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。此外，如图3所示，第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17以覆盖栅极电极14b的方式依次设置。此外，如图3所示，源极电极18c和漏极电极18d以彼此分离的方式设置在第二层间绝缘膜17上。此外，如图3所示，源极电极18c和漏极电极18d经由形成在栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜上的各接触孔，分别连接到半导体层12b的源极区域以及漏极区域。
此外，在本实施方式中，示例了顶栅型的第一TFT9a及第二TFT9b，但第一TFT9a及第二TFT9b也可以为底栅型的TFT。
如图4所示，电容器9c在每个子像素P中与对应的第一TFT9a及电源线18g连接。此处，如图3所示，电容器9c包括：由与栅极线14相同的材料形成在同一层中的下部导电层14c；以覆盖下部导电层14c的方式设置的第一层间绝缘膜15；以及以与下部导电层14c重叠的方式设置在第一层间绝缘膜15上的上部导电层16。此外，如图3所示，上部导电层16经由形成于第二层间绝缘膜17上的接触孔与电源线18g电连接。
如图6和图7所示,在构成TFT层20a的底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的层叠膜中,在边框区域F的弯折部B中,使树脂基板层10a的第二树脂层8的上表面露出的狭缝S沿着弯折部B延伸的方向形成为槽状。此外，在图6的俯视图中，省略了在图中的整个面上设置的平坦化膜19。另外，在本实施方式中,例示了以贯通底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的层叠膜的方式形成的狭缝S,但狭缝S也可以不贯通底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的层叠膜。即，在狭缝S的底部，可以残留有无机绝缘膜。
在构成TFT层20a的栅极绝缘膜13以及第一层间绝缘膜15之间,如图1、图6以及图7所示,在显示区域D以及弯折部B之间,以在与弯折部B的延伸方向正交的方向上相互平行地延伸的方式设置有多个第一上层布线14d。此处，如图6和图7所示，多个第一上层布线14d经由形成在第二树脂层8、底涂膜11和栅极绝缘膜13的层叠膜上的多个第一接触孔Ha，分别电连接到多个下层布线7b。此外，多个第一上层布线14d和后述的多个第二上层布线14e与栅极线14在同一层由同一材料形成。
在构成TFT层20a的栅极绝缘膜13与第一层间绝缘膜15之间,如图1、图6以及图7所示,在弯折部B和端子部T之间,以在与弯折部B的延伸方向正交的方向上相互平行地延伸的方式设置有多个第二上层布线14e。此处，如图6和图7所示，多个第二上层布线14e经由形成在第二树脂层8、底涂膜11和栅极绝缘膜13的层叠膜上的多个第二接触孔Hb，分别电连接到多个下层布线7b。另外，如图1和图8所示，多个第二上层布线14e以沿端子部T延伸的方式设置，并且在端子部T中经由形成于第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的层叠膜上的多个第三接触孔Hc,分别电连接到多个端子电极18t。此外，多个端子电极18t在与源极线18f同一层由同一材料形成，如图8所示，各中间部分从平坦化膜19露出。
如图7所示，平坦化膜19至少在显示区域D具有平坦的表面，以覆盖在底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的层叠膜上形成的狭缝S的方式设置,例如由聚酰亚胺树脂等有机树脂材料构成。
有机EL元件40设置在显示区域D上，如图3所示，包括依次层叠在平坦化膜19上的多个第一电极31、边缘罩32、多个有机EL层33、第二电极34以及密封膜38。
如图3所示，多个第一电极31以与多个子像素P对应的方式作为像素电极呈矩阵状地设置在平坦化膜19上。此外，如图3所示，各第一电极31经由形成在平坦化膜19上的接触孔与各第二TFT9b的漏极电极18d连接。另外，第一电极31具有向有机EL层33注入空穴(hole)的功能。另外，为了提高对有机EL层33的空穴注入效率，第一电极31更优选由功函数大的材料形成。此处，作为构成第一电极31的材料，例如，例举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钛(Ti)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、(Yb)、氟化锂(LiF)、铂(Pt)、钯(Pd)、钼(Mo)、铱(Ir)、锡(Sn)等金属材料。此外，构成第一电极31的材料也可以是例如砹(At)/氧化砹(AtO2)等的合金。进一步地，构成第一电极31的材料例如也可以为氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)那样的导电性氧化物等。另外，第一电极31例如也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成。此外，作为功函数大的化合物材料可以例举例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。
如图3所示，边缘罩32以覆盖各第一电极31的周缘部的方式设置成格子状。在此，作为构成边缘罩32的材料，例如可举出聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂、酚醛清漆树脂等的有机膜。
如图3所示，多个有机EL层33配置在各第一电极31上，并且以与多个子像素对应的方式设置成矩阵状。在此，如图5所示，各有机EL层33包括依次设置在第一电极31上的空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4及电子注入层5。
空穴注入层1还被称为阳极缓冲层，其使第一电极31和有机EL层33的能级接近，具有改善从第一电极31对有机EL层33的空穴注入效率的功能。此处，构成空穴注入层1的材料例如可列举三唑衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、恶唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪类衍生物等。
空穴输送层2具有提高空穴从第一电极31向有机EL层33的输送效率的功能。此处，构成空穴输送层2的材料例如可列举卟啉衍生物、芳香族三级胺化合物、苯乙烯胺衍生物、聚乙烯咔唑、聚对苯撑乙烯、聚硅烷、三唑衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代查尔酮衍生物、恶唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪类衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶碳化硅、硫化锌、硒化锌等。
发光层3是在对第一电极31及第二电极34施加电压时，从第一电极31及第二电极34分别注入空穴及电子，并且空穴和电子再结合的区域。在此，发光层3由发光效率高的材料形成。而且，作为构成发光层3的材料，例如，可列举出金属轻基哇琳酬化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并噁唑衍生物、噁二唑衍生物、噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙胺衍生物、双苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、茈衍生物、紫环酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、吩噁嗪、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对苯乙炔、聚硅烷等。
电子输送层4具有使电子高效率地迁移至发光层3的功能。此处，构成电子输送层4的材料例如可列举作为有机化合物的恶二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属羟基喹啉化合物等。
电子注入层5接近第二电极34和有机EL层33的能级，具有提高从第二电极34向有机EL层33注入电子的效率的功能，通过该功能，能够降低有机EL元件40的驱动电压。此外，电子注入层5还被称为阴极缓冲层。此处，作为构成电子注入层5的材料，例如可举出氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锶(SrF2)、氟化钡(BaF2)那样的无机碱化合物、氧化铝(Al2O3)、氧化锶(SrO)等。
如图3所示，第二电极34作为共用电极并以覆盖各有机EL层33和边缘罩32的方式设置。另外，第二电极34具有向有机EL层33注入电子的功能。另外，为了提高对有机EL层33的电子注入效率，第二电极34更优选由功函数小的材料构成。在此，作为构成第二电极34的材料，例如可举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。另外，第二电极34例如也可以由镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等合金形成。另外，第二电极34例如也可以由氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等导电性氧化物形成。另外，第二电极34也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成。此外，作为功函数小的材料，例如可举出镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。
如图3所示，密封膜38包括：以覆盖第二电极34的方式设置的第一无机膜35；设置在第一无机膜35上的有机膜36；以及以覆盖有机膜36的方式设置的第二无机膜37，且该密封膜38具有保护有机EL层33免受水分、氧等影响的功能。在此，作为构成第一无机膜35以及第二无机膜37的材料，例如由氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、如四氮化三硅(Si3N4)那样的氮化硅(SiNx(x为正数))、碳氮化硅(SiCN)等的无机材料构成。另外，有机膜36例如由丙烯酸树脂、聚脲树脂、聚对二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等有机材料构成。
上述有机EL显示装置50a以如下方式构成：在各子像素P中，将栅极信号经由栅极线14输入至第一TFT9a，由此，将第一TFT9a设为接通状态，并将与源极信号对应的规定的电压经由源极线18f写入至第二TFT9b的栅极电极14b及电容器9c，来自基于第二TFT9b的栅极电压而规定的电源线18g的电流被供给至有机EL层33，由此，有机EL层33的发光层3发光，从而进行图像显示。此外，在有机EL显示装置50a中，即使第一TFT9a成为截止状态，由于第二TFT9b的栅极电压通过电容器9c被保持，因此，发光层3的发光也被维持，直到输入下一帧的栅极信号。
接着，对本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法进行说明。此外，本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法包括树脂基板层形成工序、TFT层形成工序以及有机EL元件形成工序。
<树脂基板层形成工序>
首先，例如，在玻璃基板上使用狭缝涂布机涂布聚酰亚胺树脂等树脂材料,使该涂布的树脂材料固化后,利用等离子体对该固化的树脂材料的一个表面进行灰化,形成厚度为5μm～10μm左右的第一树脂层6。
接着，在第一树脂层6的灰化的表面上例如通过溅射法形成钼膜等金属膜之后,对该金属膜进行图案化,形成厚度为250nm～300nm左右的下层导电层7a和下层布线7b。
进而，通过在形成有下层导电层7a和下层布线7b的第一树脂层6的表面上，例如使用狭缝涂布机涂布聚酰亚胺树脂等树脂材料，使该涂布的树脂材料固化，从而形成厚度为5μm～10μm左右的第二树脂层8，形成树脂基板层10a。
<TFT层形成工序>
例如，通过使用公知的方法，在上述树脂基板层形成工序中形成的树脂基板层10a的第二树脂层8的表面上形成底涂膜11、第一TFT9a、第二TFT9b、电容器9c和平坦化膜19来形成TFT层20a。
此处，在形成第一TFT9a和第二TFT9b时，在形成栅极线14等之前，在第二树脂层8、底涂膜11和栅极绝缘膜13的层叠膜上形成第一接触孔Ha和第二接触孔Hb。然后，在形成栅极线14等时，形成第一上层布线14d和第二上层布线14e。另外，在形成源极线18f等之前，在边框区域F的弯折部B中，在底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜上形成狭缝S，在端子部T中，在第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜上形成第三接触孔Hc。然后，在形成源极线18f等时形成端子电极18t。
＜有机EL元件形成工序＞
首先，通过使用公知的方法，在上述TFT层形成工序中形成的TFT层20a的平坦化膜19上形成第一电极31、边缘罩32、有机EL层33(空穴注入层1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层4、电子注入层5)和第二电极34。
然后，在形成有第二电极34的基板表面上,使用掩模,通过等离子体CVD(chemicalvapor deposition)法使例如氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜成膜,从而形成第一无机膜35。
接着，在形成有第一无机膜35的基板表面上，例如通过喷墨法使丙烯酸树脂等有机树脂材料成膜，从而形成有机膜36。
进一步地，对于形成有有机膜36的基板,使用掩模,通过等离子体CVD法成膜例如氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜,从而形成第二无机膜37。这样，形成由第一无机膜35、有机膜36和第二无机膜37构成的密封膜38，从而形成有机EL元件40。
最后，在将保护片(未图示)粘贴于形成有有机EL元件40的基板表面之后,通过从树脂基板层10a的玻璃基板侧照射激光,从而使玻璃基板从树脂基板层10a的第一树脂层6的下表面剥离,进而,将保护片(未图示)粘贴于剥离了玻璃基板的第一树脂层6的下表面。
如上所述，能够制造本实施方式的有机EL显示装置50a。
此外，在本实施方式中，虽然例示了第一上层布线14d及第二上层布线14e由栅极金属膜形成的有机EL显示装置50a,但如图9所示,也可以是第一上层布线18h及第二上层布线18i由源极金属膜形成的有机EL显示装置50b。此处，图9是作为有机EL显示装置50a的变形例的有机EL显示装置50b的边框区域F的弯折部B的剖面图。
具体而言，有机EL显示装置50b包括有源矩阵基板30b(参照图9)和设置在有源矩阵基板30b上的有机EL元件40。
如图9所示，有源矩阵基板30b包括作为树脂基板而设置的树脂基板层10b和设置在树脂基板层10b上的TFT层20b。
如图9所示，树脂基板层10b包括：:第一树脂层6,其设置于与TFT层20b相反的一侧的显示区域D及边框区域F；第二树脂层8,其设置于第一树脂层6的TFT层20b侧的显示区域D及边框区域F；以及下层导电层7a(参照图3)及多个下层布线7c,其设置于第一树脂层6与第二树脂层8之间。
多个下层布线7c被设置为在第一树脂层6的TFT层20b侧的边框区域F中，在与弯折部B的延伸方向正交的方向上相互平行地延伸。此处，下层导电层7a和各下层布线7c由与源极线18f相同的材料(例如，钛膜/铝膜/钛膜等金属层叠膜)形成。
TFT层20b除了与第一上层布线14d和第二上层布线14e对应的第一上层布线18h和第二上层布线18i是由源极金属膜而不是由栅极金属膜形成之外，实质上与上述的TFT层20a相同。
如图9所示，在有机EL显示装置50b中，设置在第二层间绝缘膜17与平坦化膜19之间的多个第一上层布线18h经由形成在第二树脂层8、底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的层叠膜上的所述多个第一接触孔Ha，分别电连接到多个下层布线7c。另外，如图9所示，在有机EL显示装置50b中,设置在第二层间绝缘膜17与平坦化膜19之间的多个第二上层布线18i经由形成在第二树脂层8、底涂层11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的层叠膜上的多个第二接触孔Hb,分别电连接到多个下层布线7c。此外，在本变形例中，虽然例示了第一上层布线18h及第二上层布线18i由源极金属膜形成的构成，但第一上层布线以及第二上层布线也可以在与设置在第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17之间的上部导电层16相同的层由同一材料形成。
如上所述，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，在显示区域D和弯折部B之间以在与弯折部B的延伸方向正交的方向上相互平行地延伸的方式设置有多个第一上层布线14d。另外，在弯折部B和端子部T之间，以在与弯折部B的延伸方向正交的方向上相互平行地延伸的方式设置有多个第二上层布线14e。另外，在边框区域F中，在与弯折部B的延伸方向正交的方向上相互平行地延伸,并且以横穿形成于底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17上的狭缝S的方式设置有多个下层布线7b。此处，多个第一上层布线14d和多个第二上层布线14e经由形成在第二树脂层8、底涂膜11和栅极绝缘膜13的层叠膜上的多个第一接触孔Ha和多个第二接触孔Hb，分别电连接到多个下层布线7b。并且，在弯折部B中，横穿狭缝S的多个下层布线7b设置在第一树脂层6与第二树脂层8之间而不夹设在弯折时容易产生裂纹的无机绝缘膜，因此能够抑制将有机EL显示装置50a在弯折部B弯折时的多个下层布线7b的断线。而且,由于在狭缝S的内部,至少在显示区域D中未设置具有平坦表面的平坦化膜19以外的平坦化膜,因此在边框区域F的弯折部B中，可以在不另外设置平坦化膜的情况下抑制多个下层布线7b的断线。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，多个第一上层布线14d及多个第二上层布线14e与栅极线14在同一层由同一材料形成,多个下层布线7b与栅极线14由同一材料形成,因此,能够容易地使第一上层布线14d、第二上层布线14e及下层布线7b的电阻匹配。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，第一树脂层6的第二树脂层8侧的表面具有凹凸形状，下层导电层7a和多个下层布线7b设置在该凹凸形状的表面上，因此能够使第一树脂层6与下层导电层7a以及多个下层布线7b之间的紧贴性提高。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，由于在第一树脂层6和第二树脂层8之间，以使与整个显示区域D重叠的方式设置有下层导电层7a，因此隔断水分等从第一树脂层6到第二树脂层8的移动，从而能够抑制有机EL元件40的有机EL层33的劣化。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，由于设置在第一树脂层6与第二树脂层8之间的下层导电层7a和低电源电压线Wa或高电源电压线Wb的电源电压线电连接，因此能够降低电源电压线的电阻。
《第二实施方式》
图10和图11示出本发明涉及的显示装置的第二实施方式。此处，图10是本实施方式的有机EL显示装置50c的边框区域F的弯折部B的剖面图。另外，图11是有机EL显示装置50c的边框区域F的端子部T的剖面图。此外，在以下的各实施方式中，对与图1至图9相同的部分添加相同的附图标记，并省略其详细的说明。
在上述第一实施方式中，例示了包括第一上层布线14d和第二上层布线14e的有机EL显示装置50a，但在本实施方式中，例示了省略了第二上层布线14e的有机EL显示装置50c。
有机EL显示装置50c包括有源矩阵基板30c(参照图10和图11)和设置在有源矩阵基板30c上的有机EL元件40。
如图10和图11所示，有源矩阵基板30c包括作为树脂基板而设置的树脂基板层10c和设置在树脂基板层10c上的TFT层20c。
如图10和11所示，树脂基板层10c包括:第一树脂层6,其设置于与TFT层20c相反一侧的显示区域D及边框区域F；第二树脂层8,其设置于第一树脂层6的TFT层20c侧的显示区域D及边框区域F；下层导电层7a(参照图3)及多个下层布线7d,其设置于第一树脂层6与第二树脂层8之间。
多个下层布线7d被设置为在第一树脂层6的TFT层20b侧的边框区域F中，在与弯折部B的延伸方向正交的方向上相互平行地延伸。此处，下层导电层7a和各下层布线7d由与源极线18f相同的材料(例如，钛膜/铝膜/钛膜等金属层叠膜)形成。此外，如图11所示，多个下层布线7d被设置为沿端子部T延伸，在端子部T中，经由形成于第二树脂层8、底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜上的多个第三接触孔Hc，分别电连接到多个端子电极18t。
如图10所示，TFT层20c省略了设置在弯折部B与端子部T之间的多个第二上层布线14e(参照图7)，如上所述，除了多个下层布线7d分别电连接到多个端子电极18t之外，其他与上述第一实施方式的TFT层20a实质上相同。
上述的有机EL显示装置50c构成为具有与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a相同的可弯曲性，并且在每个子像素P中，通过第一TFT9a和第二TFT9b使有机EL层33的发光层3适当地发光，从而进行图像显示。
本实施方式的有机EL显示装置50c可以在上述第一实施方式中说明的有机EL显示装置50a的制造方法中，通过变更下层布线7b的图案形状，省略第二上层布线14e和第二接触孔Hb，变更第三接触孔Hc的深度来制造。
如上所述，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，在显示区域D和弯折部B之间以在与弯折部B的延伸方向正交的方向上相互平行地延伸的方式设置有多个第一上层布线14d。另外，在边框区域F中，在与弯折部B的延伸方向正交的方向上相互平行地延伸,并且以横穿形成于底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17上的狭缝S的方式设置有多个下层布线7d。此处，多个第一上层布线14d经由形成在第二树脂层8、底涂膜11以及栅极绝缘膜13的层叠膜上的多个第一接触孔Ha，分别电连接到多个下层布线7d。并且，在弯折部B中，横穿狭缝S的多个下层布线7d设置在第一树脂层6与第二树脂层8之间而不夹设在弯折时容易产生裂纹的无机绝缘膜，因此能够抑制将有机EL显示装置50a在弯折部B弯折时的多个下层布线7d的断线。而且，由于在狭缝S的内部至少在显示区域D中未设置具有平坦表面的平坦化膜19以外的平坦化膜，因此在边框区域F的弯折部B中，可以在不另外设置平坦化膜的情况下抑制多个下层布线7d的断线。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，多个端子电极18t与源极线18f在同一层由同一材料形成，多个下层布线7d与源极线18f在同一层由同一材料形成，因此能够降低下层布线7d的电阻。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，第一树脂层6的第二树脂层8侧的表面具有凹凸形状，下层导电层7a和多个下层布线7d设置在该凹凸形状的表面上，因此能够使第一树脂层6与下层导电层7a以及多个下层布线7d之间的紧贴性提高。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，由于在第一树脂层6和第二树脂层8之间，以使与整个显示区域D重叠的方式设置有下层导电层7a，因此隔断水分等从第一树脂层6到第二树脂层8的移动，从而能够抑制有机EL元件40的有机EL层33的劣化。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，由于设置在第一树脂层6与第二树脂层8之间的下层导电层7a和低电源电压线Wa或高电源电压线Wb的电源电压线电连接，因此能够降低电源电压线的电阻。
《其他实施方式》
在上述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层及电子注入层的五层层叠构造的有机EL层，但有机EL层例如也可以为空穴注入层兼空穴输送层、发光层及电子输送层兼电子注入层的三层层叠构造。
另外，在上述各实施方式中，例示了将第一电极设为阳极，将第二电极设为阴极的有机EL显示装置，但本发明还能够应用于使有机EL层的层叠构造反转，且将第一电极设为阴极，将第二电极设为阳极的有机EL显示装置。
另外，在上述各实施方式中，例示了将与第一电极连接的TFT的电极设为漏极电极的有机EL显示装置，但本发明还能够应用于将与第一电极连接的TFT的电极设为源极电极的有机EL显示装置。
另外，在上述各实施方式中，作为显示装置以有机EL显示装置为例进行了说明，但本发明可以适用于包括多个由电流驱动的发光元件的显示装置。例如，可以适用于包括使用了含量子点层的发光元件的QLED(Quantum-dot light emitting diode，量子点发光二极管)的显示装置。
产业上的实用性
如以上说明，本发明可用于柔性的有机EL显示装置。
附图标记说明
B 弯折部
D 显示区域
F 边框区域
Ha 第一接触孔
Hb 第二接触孔
Hc 第三接触孔
S 狭缝
T 端子部
Wa 低电源电压线
Wb 高电源电压线
6 第一树脂层
7a 下层导电层
7b、7c 下层布线
8第二树脂层
10a～10c 树脂基板层(树脂基板)
11 底涂膜(无机绝缘膜)
13 栅极绝缘膜(无机绝缘膜)
14 栅极线
14d、18h 第一上层布线
14e、18i 第二上层布线
15 第一层间绝缘膜(无机绝缘膜)
17 第二层间绝缘膜(无机绝缘膜)
18f 源极线
18t 端子电极
19 平坦化膜
20a～20c TFT层
40 有机EL元件(发光元件)
50a～50c 有机EL显示装置

Claims (14)

1.一种显示装置，其包括：
树脂基板，其规定进行图像显示的显示区域以及在该显示区域周围的边框区域；
TFT层，其设置于所述树脂基板上；
端子部，其设置于所述边框区域的端部；
弯折部，其在所述显示区域与所述端子部之间以沿一方向延伸的方式设置；
多个无机绝缘膜，构成所述TFT层并层叠设置于所述树脂基板上，在所述弯折部中形成有使所述树脂基板的上表面露出的狭缝；以及
多个第一上层布线，构成所述TFT层，在所述显示区域与所述弯折部之间,以在与所述弯折部的延伸方向交叉的方向上相互平行地延伸的方式设置于所述多个无机绝缘膜的任一个上，
所述显示装置的特征在于，
所述树脂基板包括:第一树脂层,其在与所述TFT层相反的一侧设置于所述显示区域和所述边框区域；多个下层布线,其在所述第一树脂层的所述TFT层侧的所述边框区域中，在与所述弯折部的延伸方向交叉的方向上相互平行地延伸，并以横穿所述狭缝的方式设置；以及第二树脂层，其以覆盖所述多个下层布线的方式设置于所述第一树脂层的所述TFT层侧的所述显示区域和所述边框区域，
所述多个第一上层布线经由形成于在与所述多个下层布线之间设置的所述第二树脂层以及所述无机绝缘膜的多个第一接触孔,分别电连接到所述多个下层布线。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
包括：多个第二上层布线，构成所述TFT层,在所述弯折部与所述端子部之间,以在与所述弯折部的延伸方向交叉的方向上相互平行地延伸的方式设置于所述多个无机绝缘膜的任一个上,
所述多个第二上层布线经由形成于在与所述多个下层布线之间设置的所述第二树脂层以及所述无机绝缘膜的多个第二接触孔，分别电连接到所述多个下层布线。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述多个第一上层布线和所述多个第二上层布线彼此在同一层由同一材料形成。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述端子部中与所述多个下层布线对应地设置有多个端子电极，
所述多个端子电极经由形成于在与所述多个下层布线之间设置的所述第二树脂层以及所述无机绝缘膜的多个第三接触孔，分别电连接到所述多个下层布线。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述TFT层包括作为所述多个无机绝缘膜依次设置的栅极绝缘膜、第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜、以及设置在所述第二层间绝缘膜上的平坦化膜，
在所述显示区域中，在所述第二层间绝缘膜与平坦化膜之间，以相互平行地延伸的方式设置有多个源极线，
所述多个端子电极与所述多个源极线在同一层由同一材料形成，
所述多个下层布线由与所述多个源极线相同的材料形成。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述TFT层包括作为所述多个无机绝缘膜依次设置的栅极绝缘膜、第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜、以及设置在所述第二层间绝缘膜上的平坦化膜，
在所述显示区域中，在所述栅极绝缘膜与所述第一层间绝缘膜之间,以相互平行地延伸的方式设置有多个栅极线，
在所述显示区域中，在所述第二层间绝缘膜与平坦化膜之间，以与所述多个栅极线交叉并相互平行地延伸的方式设置有多个源极线。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
所述多个第一上层布线与所述多个栅极线在同一层由同一材料形成。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
所述多个下层布线与所述多个栅极线由同一材料形成。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
所述多个第一上层布线与所述多个源极线在同一层由同一材料形成。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述多个下层布线由与所述多个源极线相同的材料形成。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一树脂层的所述第二树脂层侧的表面具有凹凸形状，
所述多个下层布线设置于所述凹凸形状的表面上。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述第一树脂层及所述第二树脂层之间，以与整个所述显示区域重叠的方式设置有与所述多个下层布线在同一层由同一材料形成的下层导电层。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，
所述边框区域中以包围所述显示区域的方式设置有电源电压线，
所述下层导电层在所述边框区域中电连接到所述电源电压线。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，
所述TFT层上设置有构成所述显示区域的发光元件，
所述发光元件为有机EL元件。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230337486A1 (en) * 2020-09-28 2023-10-19 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
KR20220096869A (ko) * 2020-12-31 2022-07-07 엘지디스플레이 주식회사 폴더블 표시 장치
KR20240025338A (ko) * 2022-08-18 2024-02-27 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105074802A (zh) * 2013-02-15 2015-11-18 乐金显示有限公司 具有柔性显示器的电子装置
CN105474290A (zh) * 2013-03-07 2016-04-06 株式会社半导体能源研究所 显示装置
CN105826350A (zh) * 2015-01-28 2016-08-03 三星显示有限公司 显示装置
CN106887447A (zh) * 2015-12-15 2017-06-23 乐金显示有限公司 柔性显示装置
CN107006088A (zh) * 2014-12-10 2017-08-01 乐金显示有限公司 具有多种微涂层的柔性显示装置
CN107768405A (zh) * 2016-08-19 2018-03-06 三星显示有限公司 显示设备
US20180182291A1 (en) * 2016-12-28 2018-06-28 Japan Display Inc. Display device
US20180192512A1 (en) * 2016-12-30 2018-07-05 Samsung Display Co., Ltd. Conductive pattern and display device having the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2011080861A1 (ja) * 2009-12-28 2013-05-09 シャープ株式会社 表示装置
KR102066087B1 (ko) 2013-05-28 2020-01-15 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치 및 그의 제조방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105074802A (zh) * 2013-02-15 2015-11-18 乐金显示有限公司 具有柔性显示器的电子装置
CN105474290A (zh) * 2013-03-07 2016-04-06 株式会社半导体能源研究所 显示装置
CN107006088A (zh) * 2014-12-10 2017-08-01 乐金显示有限公司 具有多种微涂层的柔性显示装置
CN105826350A (zh) * 2015-01-28 2016-08-03 三星显示有限公司 显示装置
CN106887447A (zh) * 2015-12-15 2017-06-23 乐金显示有限公司 柔性显示装置
CN107768405A (zh) * 2016-08-19 2018-03-06 三星显示有限公司 显示设备
US20180182291A1 (en) * 2016-12-28 2018-06-28 Japan Display Inc. Display device
US20180192512A1 (en) * 2016-12-30 2018-07-05 Samsung Display Co., Ltd. Conductive pattern and display device having the same

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