JPWO2011080861A1 - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
表示装置は、複数の画素にそれぞれ配置されて押圧位置を検出するための検出部と、第1基板に形成されたスキャンライン及び検出ラインと、検出ラインに接続された検出ドライバとを備えている。検出ドライバは、第1基板又は第2基板が押圧され、且つ、当該押圧領域の検出部がスキャンラインにより走査された際に、当該検出部に印加されている電圧が検出ラインを介して検出する。さらに、第1基板には、スキャンライン及び検出ラインの少なくとも一方が並列に接続された検査用ラインが形成されている。
Description
本発明は、表示画面上の位置情報を検出する表示装置に関するものである。
近年、例えば液晶表示装置等の薄型の表示装置は、パーソナルコンピュータ、携帯電話、PDA及びゲーム機器等の種々の機器に広く用いられている。また、タッチパネルが表示パネルに重ねて設けられることにより、表示画面上の位置情報を検出する表示装置も知られている。
タッチパネルの方式としては、例えば、抵抗膜方式や光学方式等が、一般に知られている。抵抗膜方式では、表示パネルに貼り付けられた基板の表面と、当該基板の表面に僅かな隙間で貼り付けたフィルムの基板側表面との双方に、透明導電膜が貼り付けられている。そして、指やペン先等で押した位置で上記各透明導電膜が接触して電流が流れることから、その位置を検出するようになっている。
しかし、表示パネルにタッチパネルを重ねて配置する構成では、表示品位が低下しやすいと共に表示装置全体を薄型化することが難しいという問題がある。そこで、表示パネルとタッチパネルとを一体化することが提案されている(例えば、特許文献1及び2等参照)。
特許文献1には、液晶表示パネルを構成するTFT基板のゲート配線及びソース配線に第1タッチ電極を重ねて配置する一方、対向基板のブラックマトリクスに第2タッチ電極を重ねて配置することにより、上記第1及び第2タッチ電極を格子状に形成することが開示されている。
特許文献2には、一組の接触電極をTFT基板に複数マトリクス状に配置して形成し、一方の接触電極をX方向に延びる検出ラインに接続する一方、他方の接触電極をY方向に延びる検出ラインに接続することが開示されている。そうして、対向基板に形成されている共通電極が、押圧位置(タッチ位置とも称する)で上記一組の接触電極に接触したときに、その共通電極の電圧を、接触電極及び検出ラインを介して検出することにより、押圧位置を検出しようとしている。
また、特許文献3には、対向基板に突起状の検査用スペーサを複数形成する一方、TFT基板に上記検査用スペーサに対向するように配置された感知部検査線を複数形成し、各感知部検査線の表面高さが互いに異なるようにした表示装置が開示されている。検査用スペーサの表面には、共通電極が形成されている。そして、複数の検査用スペーサの一部は、予め感知部検査線に接触させておくことにより、押圧位置を感知する感知素子の動作を容易に検査しようとしている。
ところが、上記特許文献1の構成では、表示画面上の2点以上の多点の位置を同時に検出できないという問題がある。また、上記特許文献2の構成では、タッチ位置(押圧位置)の説明図である図20に示すように、X−Y座標で、点A(a,c)及び点B(b,d)の2点を同時にタッチして押圧した場合、点C(a,d)及び点D(b,c)をタッチしたと誤って検出される虞がある。さらに、点A及び点Bをタッチした状態で、点C及び点Dをタッチしたとしても、これらを検出することができない。このように、特許文献2の構成によっても、2点以上の複数の位置を、精度良く同時に検出することが難しい問題がある。
また、特許文献3の構成では、押圧位置を検出するための検出回路について、断線等の欠陥の有無を検査するために、上記検出回路及び感知部検査線が形成された第1基板と、検査用スペーサが形成された第2基板とを互いに貼り合わせた後でなければならない。したがって、検査の結果、検出回路に欠陥が有った場合、互いに貼り合わされた第1基板及び第2基板の全体を廃棄しなければならず、部品の無駄が大きくなってしまう問題がある。
本発明は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、表示装置について、複数の押圧位置を精度良く検出し得るようにすると共に、検査における部品の無駄を低減して製造コストを低下させることにある。
上記の目的を達成するために、本発明は、第1基板と、上記第1基板に対向して配置されると共に対向電極が形成された第2基板と、上記第1基板に形成されると共に、上記対向電極に対向する画素電極と該画素電極に接続されたスイッチング素子とがそれぞれ形成された複数の画素とを備えた表示装置を対象としている。
そして、上記複数の画素にそれぞれ配置され、上記第1基板又は第2基板が押圧された位置を検出するための検出部と、上記第1基板に形成され、上記検出部に接続された複数のスキャンライン及び複数の検出ラインと、上記第1基板に形成されると共に上記複数のスキャンラインに接続され、該複数のスキャンラインに走査電圧を順次供給するスキャンドライバと、上記第1基板に形成されると共に上記複数の検出ラインに接続された検出ドライバとを備え、上記検出ドライバは、上記第1基板又は第2基板が押圧され、且つ、当該押圧された領域の上記検出部が上記スキャンラインにより走査された際に、当該検出部に印加されている電圧が該検出部に接続されている上記検出ラインを介して検出されるように構成され、上記第1基板には、上記複数のスキャンライン及び上記複数の検出ラインの少なくとも一方が並列に接続され、検査用信号が入力又は出力される検査用ラインが形成されている。
−作用−
次に、本発明の作用について説明する。
次に、本発明の作用について説明する。
本発明では、上記表示装置は、各画素毎に画素電極がスイッチング素子によって駆動されることにより、対向電極との間に所定の電位差を生じさせて表示を行う。
各画素に配置されている検出部は、走査電圧がスキャンドライバから順次供給されることにより走査される。表示装置の第1基板又は第2基板が押圧され、且つ、当該押圧された領域の検出部が走査された際に、当該検出部に印加されている電圧は、該検出部に接続されている検出ラインを介して、検出ドライバにより検出される。このことによって、表示装置における押圧位置が検出されることとなる。
さらに、各画素毎に検出部を設けると共に、各検出部にスキャンライン及び検出ラインを接続するようにしたので、複数の押圧位置を精度良く且つ同時に検出することが可能になる。
ここで、例えば複数のスキャンラインが検出用ラインに並列に接続されている場合には、表示装置の製造段階において、スキャンラインに入力された検査用信号が、当該スキャンラインに接続されている検査用ラインに出力されるため、この出力された信号を各スキャンライン毎に順次検出することによって、各スキャンラインにおける断線や配線抵抗不良の有無を検出することが可能になる。
一方、複数の検出ラインが検出用ラインに並列に接続されている場合には、表示装置の製造段階において、検査用ラインに入力された検査用信号が、当該検査用ラインに接続されている検出ラインに入力されるため、この入力された信号を各検出ラインにおいて検出することにより、各検出ラインにおける断線や配線抵抗不良の有無を検出することが可能になる。
よって、本発明によれば、各スキャンラインを順次走査していくことにより、各検出部毎に複数の押圧位置(タッチ位置)を精度良く検出することができる。そのことに加え、表示装置の製造段階において、第1基板に第2基板が貼り合わされていない状態で、当該第1基板の配線検査を行うことができるため、不良がない第2基板を破棄しないで済むことから、検査における部品の無駄を低減して製造コストを低下させることが可能となる。
本発明によれば、各画素毎に設けた検出部によって複数の押圧位置を精度良く検出できるだけでなく、複数のスキャンライン及び複数の検出ラインの少なくとも一方が並列に接続されると共に検査用信号が入力又は出力される検査用ラインを第1基板に形成したことにより、そのスキャンラインや検出ラインの検査によって第2基板を無駄に破棄する必要がなくなるため、製造コストを大幅に低下させることができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
《発明の実施形態1》
図1〜図11は、本発明の実施形態1を示している。
図1〜図11は、本発明の実施形態1を示している。
図1は、本実施形態1の液晶表示装置1を構成するTFT基板11の回路構成を概略的に示す平面図である。図2は、本実施形態1の液晶表示装置1を構成する対向基板12を概略的に示す平面図である。図3は、本実施形態1の液晶表示装置1の画素5を拡大して示す回路図である。
また、図4は、本実施形態1の液晶表示装置1の概略構造を示す断面図である。図5は、本実施形態1における対向基板12の一部を拡大して示す断面図である。図6は、各スキャンライン17に供給する電圧を示す波形図である。
−液晶表示装置の構成−
本実施形態1では、液晶表示装置を例に挙げて説明する。本実施形態1の液晶表示装置1は、例えば透過表示を行う透過型の液晶表示装置に構成されている。
本実施形態1では、液晶表示装置を例に挙げて説明する。本実施形態1の液晶表示装置1は、例えば透過表示を行う透過型の液晶表示装置に構成されている。
液晶表示装置1は、図4に示すように、第1基板であるTFT基板11と、TFT基板11に対向して配置された第2基板である対向基板12と、これら対向基板12及びTFT基板11の間に設けられた液晶層10とを備えている。そして、液晶表示装置1は、図1に示すように、例えば矩形状の表示領域20と、この表示領域20の周囲に枠状に形成された非表示領域である額縁領域21とを有している。
(対向基板の構成)
対向基板12は、図5に示すように、例えば0.7mm以下の厚みのガラス基板25と、ガラス基板25の液晶層10側に形成されたカラーフィルタ層26、遮光膜であるブラックマトリクス29、及び対向電極(共通電極)27とを有している。ブラックマトリクス29の表面の一部には、カラーフィルタ層26の着色層と同じ材料によって同じ厚みで形成されたスペーサ台座部24が形成されている。
対向基板12は、図5に示すように、例えば0.7mm以下の厚みのガラス基板25と、ガラス基板25の液晶層10側に形成されたカラーフィルタ層26、遮光膜であるブラックマトリクス29、及び対向電極(共通電極)27とを有している。ブラックマトリクス29の表面の一部には、カラーフィルタ層26の着色層と同じ材料によって同じ厚みで形成されたスペーサ台座部24が形成されている。
対向電極27は、例えばITO(Indium Tin Oxide)等の透明導電膜により構成され、表示領域20の略全体に亘って一様に形成されている。上記スペーサ台座部24、カラーフィルタ層26、及びブラックマトリクス29は、上記ITOが蒸着されることにより形成された対向電極27によって覆われている。
対向電極27の表面には、スペーサ台座部24が設けられている領域に、液晶層10の厚み(所謂セルギャップ)を規定するための柱状スペーサ31がフォトリソグラフィにより形成されている。また、対向電極27の表面には、ブラックマトリクス29が形成されている領域に、タッチセンサ用突起32が形成されている。
タッチセンサ用突起32は、上記柱状スペーサ31と同じ感光性材料で且つ同じ長さに形成されている。タッチセンサ用突起32は、柱状スペーサ31と同時にフォトリソグラフィによって形成される。
柱状スペーサ31とブラックマトリクス29との間には、上記スペーサ台座部24が介在されているので、柱状スペーサ31の先端は、タッチセンサ用突起32よりもTFT基板11側に配置されることとなる。
上記対向電極27の液晶層10側表面には、柱状スペーサ31及びタッチセンサ用突起32を覆うように、配向膜30が形成されている。配向膜30は例えばポリイミド等により構成されている。尚、図4では、配向膜30の図示を省略している。また、ガラス基板25における液晶層10とは反対側の表面には、図示省略の偏光板が貼り付けられている。
(TFT基板の構成)
一方、TFT基板11は、図1に示すように、いわゆるアクティブマトリクス基板に構成されている。TFT基板11は、図4に示すように、例えば0.7mm以下の厚みのガラス基板34を有し、図1に示すように、複数の走査配線であるゲートライン13が互いに平行に延びて形成されている。
一方、TFT基板11は、図1に示すように、いわゆるアクティブマトリクス基板に構成されている。TFT基板11は、図4に示すように、例えば0.7mm以下の厚みのガラス基板34を有し、図1に示すように、複数の走査配線であるゲートライン13が互いに平行に延びて形成されている。
また、TFT基板11には、複数の信号配線であるソースライン14が上記ゲートライン13と交差して延びるように形成されている。そのことにより、TFT基板11には、ゲートライン13及びソースライン14からなる配線が格子状にパターン形成されている。
各画素5は、図1に示すように、例えば、上記ゲートライン13とソースライン14とによって区画される矩形状の領域により形成されている。すなわち、TFT基板11の表示領域20には、マトリクス状に配置された複数の画素5が形成されている。
各画素5には、対向電極27に対向する画素電極15と、画素電極15に接続されて液晶層10をスイッチング駆動するためのスイッチング素子であるTFT(Thin-Film Transistor:薄膜トランジスタ)16とがそれぞれ形成されている。
TFT16は、例えば画素5における図1及び図3で左上隅部分に配置され、ゲートライン13に接続されたゲート電極(不図示)と、ソースライン14に接続されたソース電極(不図示)と、画素電極15に接続されたドレイン電極(不図示)とを備えている。つまり、TFT16には、ゲートライン13及びソースライン14が接続されている。
一方、TFT基板11の額縁領域21には、上記ゲートライン13に接続されたゲートドライバ(不図示)と、上記ソースライン14に接続されたソースドライバ(不図示)と、後述のスキャンライン17に接続されたスキャンドライバ53と、後述の検出ライン18に接続された検出ドライバ54とが、それぞれTFT基板11の各辺に沿って設けられている。
そうして、走査電圧がゲートドライバ(不図示)からゲートライン13を介してTFT16のゲート電極(不図示)に印加された状態で、信号電圧がソースドライバ(不図示)からソースライン14からTFT16のソース電極(不図示)及びドレイン電極(不図示)を介して画素電極15へ供給されることにより、当該画素電極15と対向電極27との間に生じる電位差によって液晶層10を駆動して、所望の画像表示を行うようになっている。
(検出部)
そして、TFT基板11には、図1及び図3に示すように、複数の画素5にそれぞれ配置され、TFT基板11又は対向基板12が押圧された位置を検出するための検出部40が形成されている。検出部40は、画素電極15と電気的に絶縁して設けられた検出用電極41,42と、該検出用電極41,42に接続された検出用素子22とを有している。
そして、TFT基板11には、図1及び図3に示すように、複数の画素5にそれぞれ配置され、TFT基板11又は対向基板12が押圧された位置を検出するための検出部40が形成されている。検出部40は、画素電極15と電気的に絶縁して設けられた検出用電極41,42と、該検出用電極41,42に接続された検出用素子22とを有している。
検出用電極41,42は、互いに電気的に絶縁された状態で並んで配置された第1電極41及び第2電極42とを有している。一方、本実施形態1の検出用素子22は、第2電極42に接続されている。
(検出用電極)
すなわち、TFT基板11には、図1、図3及び図4に示すように、ガラス基板34上に、複数の第1電極41と、各第1電極41と電気的に絶縁されると共に、各第1電極41にそれぞれ並んで配置された複数の第2電極42とが形成されている。本実施形態1では、各画素5に一組の第1電極41及び第2電極42がそれぞれ配置されている。
すなわち、TFT基板11には、図1、図3及び図4に示すように、ガラス基板34上に、複数の第1電極41と、各第1電極41と電気的に絶縁されると共に、各第1電極41にそれぞれ並んで配置された複数の第2電極42とが形成されている。本実施形態1では、各画素5に一組の第1電極41及び第2電極42がそれぞれ配置されている。
第1電極41及び第2電極42は、それぞれ画素電極15と同じ材料であるITO等により形成されると共に、画素電極15に比べて小さく形成されている。画素電極15は、配向膜(不図示)によって覆われる一方、第1電極41及び第2電極42は、配向膜(不図示)によって覆われずに露出している。
(スキャンライン及び検出ライン)
また、TFT基板11には、図1及び図3に示すように、それぞれ検出部40に接続された複数のスキャンライン17と複数の検出ライン18とが形成されている。各スキャンライン17は、ゲートライン13に沿って形成されている。一方、各検出ライン18は、ソースライン14に沿って形成されている。つまり、こられのスキャンライン17及び検出ライン18は、全体として格子状に形成されている。
また、TFT基板11には、図1及び図3に示すように、それぞれ検出部40に接続された複数のスキャンライン17と複数の検出ライン18とが形成されている。各スキャンライン17は、ゲートライン13に沿って形成されている。一方、各検出ライン18は、ソースライン14に沿って形成されている。つまり、こられのスキャンライン17及び検出ライン18は、全体として格子状に形成されている。
(検出用素子)
図3に示すように、第1電極41はスキャンライン17に接続される一方、第2電極42は、検出用素子22としてのTFD(Thin-Film Diode:薄膜ダイオード)22を介して、検出ライン18に接続されている。TFD22は、第2電極42から検出ライン18へ向かう電流の流れを許容する。
図3に示すように、第1電極41はスキャンライン17に接続される一方、第2電極42は、検出用素子22としてのTFD(Thin-Film Diode:薄膜ダイオード)22を介して、検出ライン18に接続されている。TFD22は、第2電極42から検出ライン18へ向かう電流の流れを許容する。
本実施形態1では、第2電極42と検出ライン18との間にTFD22を設けた例について説明するが、本発明はこれに限らず、第1電極41及びスキャンライン17と、第2電極42及び検出ライン18との少なくとも一方に、スキャンライン17側から検出ライン18側への電流の流れを許容するTFD22を介在させるようにしてもよい。言い換えれば、検出用素子22は、第1電極41又は第2電極42に接続される構成とすることが可能である。
(導電層)
一方、図2、図4及び図5に示すように、対向基板12には、各画素5毎に第1電極41及び第2電極42の双方に対向するようにそれぞれ配置された導電層43が複数形成されている。上記複数の導電層43は、互いに電気的に絶縁されている。また、各導電層43は、対向電極27に対しても電気的に絶縁されている。
一方、図2、図4及び図5に示すように、対向基板12には、各画素5毎に第1電極41及び第2電極42の双方に対向するようにそれぞれ配置された導電層43が複数形成されている。上記複数の導電層43は、互いに電気的に絶縁されている。また、各導電層43は、対向電極27に対しても電気的に絶縁されている。
上記導電層43は、上述のタッチセンサ用突起32の先端側(TFT基板11側)に形成され、配向膜30に覆われずに露出している。例えば、導電層43は、配向膜30上に蒸着されたITO等によって形成されている。尚、導電層43は、例えば導電性を有する樹脂によって形成することも可能である。
(スキャンドライバ及び検出ドライバ)
また、図1に示すように、TFT基板11の額縁領域21には、複数のスキャンライン17に接続されたスキャンドライバ53が形成されている。スキャンドライバ53は、第1電極41に対し、スキャンライン17を介して走査電圧を順次印加する電圧供給部として構成されている。
また、図1に示すように、TFT基板11の額縁領域21には、複数のスキャンライン17に接続されたスキャンドライバ53が形成されている。スキャンドライバ53は、第1電極41に対し、スキャンライン17を介して走査電圧を順次印加する電圧供給部として構成されている。
一方、TFT基板11の額縁領域21には、複数の検出ライン18に接続された検出ドライバ54が形成されている。検出ドライバ54は、TFT基板11又は対向基板12が押圧されて導電層43が第1電極41及び第2電極42の双方に接触し、且つ、当該押圧された領域の検出部40がスキャンライン17により走査された際に、当該検出部40の第1電極41に印加されている電圧が、この検出部40に接続されている検出ライン18を介して検出されるように構成されている。
検出ドライバ54は、図8に示すように、検出ライン18にDETスイッチ61を介して接続されたコンパレータ回路部62と、検出ライン18に上記DETスイッチ61に並列に接続されたRSTスイッチ63とを備えている。また、コンパレータ回路部62の入力側は、基準電圧源に接続されている。
DETスイッチ61は、オン状態で検出ライン18とコンパレータ回路部62とを接続する一方、RSTスイッチ63は、オン状態で検出ライン18を電気的に接地するようになっている。
(検査用回路)
そして、TFT基板11の額縁領域21には、押圧位置を検出するための回路における不良の有無を検査するための検査用回路70が形成されている。
そして、TFT基板11の額縁領域21には、押圧位置を検出するための回路における不良の有無を検査するための検査用回路70が形成されている。
本実施形態1におけるTFT基板11には、スキャンライン17における断線や抵抗不良の有無を検出するための検査用回路70が、表示領域20を介してスキャンドライバ53の反対側に形成されている。検査用回路70は、複数のスキャンライン17が並列に接続されると共に検査用信号が出力される検査用ライン81と、検査用ライン81とスキャンライン17との間に介在された回路部82とを有している。
尚、後述するように、TFT基板11には、複数のスキャンライン17及び複数の検出ライン18の少なくとも一方が並列に接続され、検査用信号が入力又は出力される検査用ライン81が形成されていればよい。さらに、回路部82は、検査用ライン81と、スキャンライン17又は検出ライン18との間に介在させればよい。
回路部82は、図4に示すように、第1電極41と同じ構成を有する第1ダミー電極71と、第2電極42と同じ構成を有する第2ダミー電極72と、検出用素子であるTFD22と同じ構成を有するダミー素子73とを有している。
つまり、第1ダミー電極71及び第2ダミー電極72は、それぞれITO等の透明導電膜によって構成されている。また、本実施形態1のダミー素子73は、TFDによって構成されている。そして、第1ダミー電極71及び第2ダミー電極72は、導電層からなる接続部74を介して互いに電気的に接続されている。
−押圧位置の検出方法−
次に、上記液晶表示装置1による押圧位置の検出方法について説明する。
次に、上記液晶表示装置1による押圧位置の検出方法について説明する。
ここで、図7は、タッチして押圧された位置と、それに応じて検出される検出ライン18の出力を示す説明図である。図8は、本実施形態1における押圧位置の検出系を示す回路図である。図9は、本実施形態1における1スキャン期間における検出系で入出力される電圧を示す波形図である。
TFT基板11又は対向基板12がタッチして押圧されると、押圧された基板がその押圧方向に湾曲し、対向基板12に形成されている導電層43が、TFT基板11に形成されている第1電極41及び第2電極42の双方に接触する。このことにより、第1電極41及び第2電極42は、導電層43を介して導通する。
一方、表示領域20の全体は、図6に示すように、各行毎にスキャンライン17が順次走査され、スキャンドライバ53からHi電圧(走査電圧)45が供給される。
検出ドライバ54は、図8及び図9に示すように、ある1つの行においてスキャンライン17にHi電圧45が供給される前に、検出ライン18に接続されているDETスイッチ61をオフ状態とし且つRSTスイッチ63をオン状態にして、この検出ライン18における電荷を予め除去してリセットする。その後、RSTスイッチ63をオフ状態とし、当該スキャンライン17の走査を開始する。
ここで、図9における横軸は時間を示す一方、縦軸は電圧値の大きさを示している。また、1スキャン期間とは、1つの行のスキャンライン17毎に行う一連の処理期間のことをいう。
上記走査が開始された1つの行のスキャンライン17にHi電圧45が供給されると、そのスキャンライン17に接続されている各第1電極41には、一斉に上記Hi電圧45が供給される。このとき、TFT基板11又は対向基板12がタッチして押圧され、上記第1電極41の何れかが、導電層43を介して第2電極42に導通していれば、その押圧における第1電極41のHi電圧45が、導電層43及び第2電極42を介して検出ライン18に供給される。
このとき、検出ライン18に供給される電圧値は、図9に示すように、徐々に増加していく。そして、検出ライン18に十分に供給された電圧は、上記DETスイッチ61をオン状態にすることによりコンパレータ回路部62に供給されてAD変換される結果、検出ドライバ54によって検出されることとなる。
一方、上記走査が開始された1つの行のスキャンライン17上でタッチされていなければ、第1電極41のHi電圧45は、検出ライン18へ供給されることはなく、図9に示すように、検出ドライバ54によって検出されない。言い換えれば、非接触であることが検出ドライバ54によって検出される。
この一連の処理を各行のスキャンライン17毎に行う。そのことにより、表示領域20の全体に亘って押圧位置の検出を行う。
ここで、図7を参照して、2点が同時にタッチされている場合の位置検出について説明する。
図7では、行方向にスキャンライン17a〜17cが配置され、列方向に検出ライン18a〜18fが配置されている。そして、点P1及び点P2において、TFT基板11又は対向基板12がタッチして押圧されている。
点P1は、スキャンライン17bに接続されている第1電極41と、検出ライン18bに接続されている第2電極42とからなる一組の電極41,42の近傍位置である。一方、点P2は、スキャンライン17cに接続されている第1電極41と、検出ライン18fに接続されている第2電極42とからなる一組の電極41,42の近傍位置である。
図7では、上の行からスキャンライン17a〜17cを走査している。まず、スキャンライン17aを走査したときには、検出ライン18a〜18fに電圧値は検出されない。次に、スキャンライン17aを走査したときには、点P1で第1電極41と第2電極42とが導電層43を介して導通しているので、検出ライン18bを介して第1電極41に供給されていた電圧48が検出される。
次に、スキャンライン17cを走査したときには、点P2で第1電極41と第2電極42とが導電層43を介して導通しているので、検出ライン18fを介して第1電極41に供給されていた電圧49が検出される。その結果、点P1及び点P2がそれぞれ確実に検出されることとなる。
−製造方法及び検査方法−
次に、液晶表示装置1の製造方法及び検査方法について説明する。
次に、液晶表示装置1の製造方法及び検査方法について説明する。
ここで、図10は、製造段階におけるTFT基板11の回路構成を概略的に示す平面図である。図11は、スキャンライン17に入力される検査用信号と、検査用ライン81に出力される検査用信号とを示すタイミングチャートである。
液晶表示装置1は、TFT基板11又は対向基板12に枠状のシール部材(不図示)を形成し、当該シール部材の内側に液晶を滴下した後に、上記TFT基板11及び対向基板12を互いに貼り合わせることによって製造する。
特に、TFT基板11を製造する工程において、検査用ライン81は、検出ライン18と同じ工程で同時に形成される。また、第1電極41、第2電極42、第1ダミー電極71、第2ダミー電極72は、それぞれ画素電極15と同じ工程で同時に形成される。さらに、ダミー素子73は、TFD22と同じ工程で同時に形成される。
そして、TFT基板11における押圧位置の検出回路としてのスキャンライン17を検査する工程では、まず、通常の押圧位置検出時と同様に、複数のスキャンライン17に順次、検査用信号としてHi電圧を印加していく。例えば、図10及び図11に示すように、スキャンライン17の端子S1,S2,S3に順次、パルス状の検査用信号を印加する。このとき、各スキャンライン17毎に回路部82を介して検査用ライン81に検査用信号が出力される。
すなわち、図11に示すように、検査用ライン81の端子Kでは、スキャンライン17の正常時には、各スキャンライン17の端子S1,S2,S3からの入力に応じてそれぞれ検査用信号の出力が検出される一方、例えば端子S2を有するスキャンライン17に異常がある場合には、その端子S2から検査用信号が入力されたタイミングで、検査用ライン81の端子Kにおいて検査用信号が検出されないか、若しくは電圧値が正常時と異なる検査用信号が検出されることとなる。
このように、検査用ライン81の端子Kにおいて、正常に検査用信号が検出された場合には、スキャンライン17が正常であることがわかる。一方、上記端子Kにおいて、検査用信号が検出されない場合、及び正常な場合とは異なる電圧値の検査用信号が検出された場合には、その検出されたタイミングに検査用信号が入力されたスキャンライン17に異常があることがわかる。
この検査工程の後、スキャンライン17が正常であったTFT基板11は、液晶層10を介して対向基板12と貼り合わされて液晶表示装置1が製造される。一方、スキャンライン17に異常があったTFT基板11は、破棄されるか可能であれば異常が修正される。
−実施形態1の効果−
したがって、本実施形態1によれば、各画素5毎に設けた検出部40によって複数の押圧位置を精度良く検出できるだけでなく、複数のスキャンライン17が並列に接続されると共に検査用信号が出力される検査用ライン81をTFT基板11に形成したことにより、そのスキャンライン17の検査によって対向基板12を無駄に破棄する必要がなくなるため、製造コストを大幅に低下させることができる。
したがって、本実施形態1によれば、各画素5毎に設けた検出部40によって複数の押圧位置を精度良く検出できるだけでなく、複数のスキャンライン17が並列に接続されると共に検査用信号が出力される検査用ライン81をTFT基板11に形成したことにより、そのスキャンライン17の検査によって対向基板12を無駄に破棄する必要がなくなるため、製造コストを大幅に低下させることができる。
すなわち、まず、互いに並んで配置されている第1電極41及び第2電極42の組毎に、これらの電極41,42に対向する導電層43とTFD22とを設けると共に、複数のスキャンライン17を介してスキャンドライバ53の電圧を第1電極41に供給し、押圧位置において第1電極41に供給されている電圧を、導電層43、第2電極42及び検出ライン18を介して検出ドライバ54により検出するようにしたので、各スキャンライン17を順次走査していくことにより、2点以上の点が同時にタッチされていても、誤った押圧位置を検出することが無く、第1電極41及び第2電極42の各組毎に、高精度に各押圧位置を検出することができる。
さらに、ゲートライン13及びソースライン14とは別個独立にスキャンライン17及び検出ライン18を設けるようにしたので、ゲートライン13及びソースライン14による表示の制御とは独立して、常時、押圧位置を検出できるため、検出精度をより高めることができる。
そのことに加え、複数のスキャンライン17をそれぞれ回路部82を介して検査用ライン81に並列に接続するようにしたので、TFT基板11の検査工程において、各スキャンライン17に検査用信号を順次入力することにより、もし、検査用ライン81に検査用信号が出力されないタイミングがあったり、検査用ライン81に出力された検査用信号が所定の電圧に到達しない場合には、そのタイミングに応じたスキャンライン17に断線が生じていたり、当該スキャンライン17の配線抵抗が大きすぎる等の不良を検出することができる。
これらのスキャンライン17の不良が完成品の液晶表示装置1に残っていると、そのスキャンライン17に沿って線状に押圧位置が検出できない領域が生じてしまうため、商品として採用することはできない。
従来の液晶表示装置では、TFT基板11と対向基板12とを互いに貼り合わせた後の検査において初めて不良が判明していたのに対し、本実施形態では上記各基板の貼り合わせ前において、予めTFT基板11の検査できるため、不良品であるTFT基板11を良品である対向基板12に貼り合わせることがなくなり、製造コストを大幅に低下できることとなる。
さらに、本実施形態では、実際の検出部40と同様の回路構成を有するダミーの回路部82をスキャンライン17と検査用ライン81との間に介在させるようにしたので、実際の検出部40における押圧位置の検出駆動と同じ条件で、検査信号の波形を検査できるため、スキャンライン17の配線抵抗の異常についても精度良く検査することができる。
また、完成品の液晶表示装置1の通常動作においては、検査用ライン81の出力は、何ら制御に用いずに無視することにより、通常の液晶表示及び押圧位置の検出が可能である。
《発明の実施形態2》
図12〜図15は、本発明の実施形態2を示している。
図12〜図15は、本発明の実施形態2を示している。
図12は、本実施形態2の液晶表示装置1を構成するTFT基板11の回路構成を概略的に示す平面図である。図13は、本実施形態2の液晶表示装置1を構成する対向基板12を概略的に示す平面図である。図14は、製造段階におけるTFT基板11の回路構成を概略的に示す平面図である。図15は、スキャンライン17に入力される検査用信号と、検査用ライン81に出力される検査用信号とを示すタイミングチャートである。
尚、以降の各実施形態では、図1〜図11と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
上記実施形態1では、検査用回路70を複数のスキャンライン17に接続したのに対し、本実施形態2は、検査用回路70を複数の検出ライン18に接続するようにしたものである。
図12及び図13に示すように、本実施形態2の検査用回路70は、表示領域20を介して検出ドライバ54と反対側の額縁領域21に形成されている。そして、各検出ライン18は、ダミーの回路部82を介して検査用ライン81に並列に接続されている。
回路部82は、上記実施形態1と同様に、検出部40と同様の構成を有し、検出用素子22と同じTFD73と、接続部74によって互いに接続された第1ダミー電極(不図示)及び第2ダミー電極(不図示)を有している。
本実施形態2のTFT基板11を検査する場合には、図14及び図15に示すように、検査用ライン81の端子Kに検査用信号を入力する。そうすると、各検出ライン18に断線等の不良がなければ、検査用信号は検査用ライン81から回路部82を介して各検出ライン18の端子D1,D2,D3,D4から出力される。これらの出力値が同じ値で検出されることにより、各検出ライン18が正常であることがわかる。
一方、複数の検出ライン18のいずれかに不良が有る場合には、その検出ライン18に対応する端子において検査用信号の出力が無かったり、正常値とは異なる値の出力値が検出される。このことにより、不良を有する検出ライン18を判別することができる。
−実施形態2の効果−
したがって、本実施形態2によれば、上記実施形態1と同様の効果を得ることができ、複数の押圧位置を精度良く検出できるだけでなく、複数のスキャンライン17が並列に接続されると共に検査用信号が出力される検査用ライン81をTFT基板11に形成したことにより、その検出ライン18の検査によって対向基板12を無駄に破棄する必要がなくなるため、製造コストを大幅に低下させることができる。
したがって、本実施形態2によれば、上記実施形態1と同様の効果を得ることができ、複数の押圧位置を精度良く検出できるだけでなく、複数のスキャンライン17が並列に接続されると共に検査用信号が出力される検査用ライン81をTFT基板11に形成したことにより、その検出ライン18の検査によって対向基板12を無駄に破棄する必要がなくなるため、製造コストを大幅に低下させることができる。
また、完成品の液晶表示装置1の通常動作においては、検査用ライン81に対し、通常動作時にスキャンライン17に入力されるOFF電圧(Low電圧)を常時印加しておくことにより、検査用回路70を機能させないようにして、通常の液晶表示及び押圧位置の検出が可能である。
《発明の実施形態3》
図16は、本発明の実施形態3を示している。
図16は、本発明の実施形態3を示している。
図16は、本実施形態3の液晶表示装置1を構成するTFT基板11の回路構成を概略的に示す平面図である。
上記実施形態1では、検査用回路70を複数のスキャンライン17に接続したのに対し、本実施形態3は、複数のスキャンライン17と複数の検出ライン18との双方に検査用回路70を接続するようにしたものである。
すなわち、図16に示すように、複数のスキャンライン17には、第1の検査用回路70aが並列に接続されている。一方、複数の検出ライン18には、第2の検査用回路70bが並列に接続されている。
第1の検査用回路70aは、上記実施形態1における検査用回路70と同じ構成を有している。また第2の検査用回路70bは、上記実施形態2における検査用回路70と同じ構成を有している。
−実施形態3の効果−
したがって、本実施形態3によれば、上記実施形態1と同様の効果が得られると共に、複数のスキャンライン17を上記実施形態1と同様に第1の検査用回路70aによって検査できる一方、複数の検出ライン18を上記実施形態2と同様に第2の検査用回路70bによって検査することができる。
したがって、本実施形態3によれば、上記実施形態1と同様の効果が得られると共に、複数のスキャンライン17を上記実施形態1と同様に第1の検査用回路70aによって検査できる一方、複数の検出ライン18を上記実施形態2と同様に第2の検査用回路70bによって検査することができる。
《発明の実施形態4》
図17は、本発明の実施形態4を示している。
図17は、本発明の実施形態4を示している。
図17は、本実施形態4の液晶表示装置1を構成するTFT基板11の回路構成を概略的に示す平面図である。
上記実施形態3では、検出部40の検査用素子をTFD22によって構成し、回路部82のダミー素子73をTFD73によって構成した。これに対し、本実施形態4では、検出部40の検査用素子を薄膜トランジスタであるTFT35によって構成し、回路部82のダミー素子73をTFT75によって構成した。すなわち、本実施形態4においても、回路部82のダミー素子73は、検出部40の検査用素子35と同様の構成を有している。
押圧位置を検出する場合には、スキャンライン17を走査することにより、当該スキャンライン17に接続されているTFT35がON状態となり、第2電極42から検出ライン18へ向かう電流の流れを許容するようになる。したがって、上記実施形態1と同様に、押圧位置を検出することができる。
これと同様に、スキャンライン17を検査する場合には、スキャンライン17に検査用信号が入力されると、当該スキャンライン17に接続されているTFT75がON状態となるため、上記実施形態1と同様に各スキャンライン17を検査することができる。
一方、検出ライン18を検査する場合には、検査用ライン81に検査用信号を入力すると、この検査用ライン81に接続されているTFT75がON状態となり、検査用ライン81から検出ライン18へ向かう電流の流れが許容されるため、上記実施形態2と同様に、各検出ライン18を検査することができる。
−実施形態4の効果−
したがって、本実施形態4によれば、上記実施形態1と同様の効果が得られると共に、複数のスキャンライン17及び複数の検出ライン18を上記実施形態3と同様に、第1及び第2の検査用回路70a,70bによって検査することができる。
したがって、本実施形態4によれば、上記実施形態1と同様の効果が得られると共に、複数のスキャンライン17及び複数の検出ライン18を上記実施形態3と同様に、第1及び第2の検査用回路70a,70bによって検査することができる。
《発明の実施形態5》
図18及び図19は、本発明の実施形態5を示している。
図18及び図19は、本発明の実施形態5を示している。
図18は、本実施形態5の液晶表示装置1を構成するTFT基板11の回路構成を概略的に示す平面図である。図19は、本実施形態5の液晶表示装置1の概略構造を示す断面図である。
上記実施形態4では、TFT基板11に設けた第1電極41及び第2電極42に対し、対向基板12に設けた導電層43を対向配置させる構成としたのに対し、本実施形態5は、TFT基板11に設けた検出用電極48に対し、対向基板12の対向電極27を対向配置させるようにした。
すなわち、本実施形態5における検出部40は、図18に示すように、各画素5毎に設けられた1つの検出用電極48を有している。検出用電極48は、画素電極15と同じITO等の透明導電膜によって形成されている。また、各画素5には、検出用素子22としてのTFT36が設けられ、上記検出用電極48に接続されている。また、TFT36は、スキャンライン17及び検出ライン18にも接続されている。そうして、スキャンライン17が走査された際に、TFT36がON状態となって、検出用電極48から検出ライン18へ向かう電流の流れを許容するようになっている。
一方、対向基板12には、図19に示すように、検出用電極48に対向する領域にタッチセンサ用突起32が形成されている。このタッチセンサ用突起32は、対向電極27によって覆われている。
また、本実施形態5では、上記実施形態4と同様に、複数のスキャンライン17に第1の検査用回路70aが並列に接続されている。一方、複数の検出ライン18に第2の検査用回路70bが並列に接続されている。
第1の検査用回路70aは、検査用ライン81と、この検査用ライン81に接続されたダミー素子であるTFT76と、TFT76に接続されたダミー電極77と、ダミー電極77を介してTFT76に接続された基準電圧ライン83とを有している。ダミー電極77は、検出用電極48と同じ構成を有している。TFT76のゲート電極には、スキャンライン17が接続されている。
第2の検査用回路70bは、第1の検査用回路70aと同様に、検査用ライン81、TFT76、ダミー電極77、基準電圧ライン83を有している。TFT76のゲート電極には、検出ライン18が接続されている。
−押圧位置の検出方法−
押圧位置を検出する場合には、各スキャンライン17にスキャンドライバ53からHi電圧が順次供給されることにより、各スキャンライン17が走査される。走査されたスキャンライン17に接続されているTFT36はON状態となる。
押圧位置を検出する場合には、各スキャンライン17にスキャンドライバ53からHi電圧が順次供給されることにより、各スキャンライン17が走査される。走査されたスキャンライン17に接続されているTFT36はON状態となる。
このとき、TFT基板11又は対向基板12が押圧されて、タッチセンサ用突起32を覆っている対向電極27が、これに対向している検出用電極48に接触して互いに導通することによって、対向電極27に印加されている電圧が検出用電極48及びON状態のTFT36を介して検出ライン18に出力される。そのことにより、押圧位置が検出されることとなる。
−検査方法−
スキャンライン17を検査する場合、これに接続されている基準電圧ライン83に所定の基準電圧を印加しておく。そして、各スキャンライン17に検査用信号が順次入力されると、当該スキャンライン17に接続されているTFT76がON状態となる。そのことにより、基準電圧ライン83の電圧は、ダミー電極77及びTFT76を介して検査用ライン81に出力される。そうして、検査用ライン81に検査用信号が出力されるか否か、及びその出力電圧値の大きさによって、スキャンライン17における不良の有無を検査する。
スキャンライン17を検査する場合、これに接続されている基準電圧ライン83に所定の基準電圧を印加しておく。そして、各スキャンライン17に検査用信号が順次入力されると、当該スキャンライン17に接続されているTFT76がON状態となる。そのことにより、基準電圧ライン83の電圧は、ダミー電極77及びTFT76を介して検査用ライン81に出力される。そうして、検査用ライン81に検査用信号が出力されるか否か、及びその出力電圧値の大きさによって、スキャンライン17における不良の有無を検査する。
一方、検出ライン18を検査する場合も、これに接続されている基準電圧ライン83に所定の基準電圧を印加しておく。そして、検査用ライン81に検査用信号を入力すると、各TFT76がそれぞれON状態となるため、基準電圧ライン83の電圧は、ダミー電極77及びTFT76を介して検出ライン18にそれぞれ出力される。そうして、検出ライン18に検査用信号が出力されるか否か、及びその出力電圧値の大きさによって、検出ライン18における不良の有無を検査する。
−実施形態5の効果−
したがって、本実施形態5によっても、上記実施形態1と同様に、各画素5毎に設けた検出部40によって複数の押圧位置を精度良く検出できるだけでなく、スキャンライン17及び検出ライン18の検査によって対向基板12を無駄に破棄する必要がなくなるため、製造コストを大幅に低下させることができる。
したがって、本実施形態5によっても、上記実施形態1と同様に、各画素5毎に設けた検出部40によって複数の押圧位置を精度良く検出できるだけでなく、スキャンライン17及び検出ライン18の検査によって対向基板12を無駄に破棄する必要がなくなるため、製造コストを大幅に低下させることができる。
《その他の実施形態》
上記各実施形態では、スキャンライン17と検査用ライン81との間にダミーの回路部82を介在させるようにしたが、このような回路部82を設けずにスキャンライン17と検査用ライン81とを直接に接続するようにしてもよい。このようにしても、スキャンライン17の不良の有無を検査することができる。
上記各実施形態では、スキャンライン17と検査用ライン81との間にダミーの回路部82を介在させるようにしたが、このような回路部82を設けずにスキャンライン17と検査用ライン81とを直接に接続するようにしてもよい。このようにしても、スキャンライン17の不良の有無を検査することができる。
また、上記各実施形態では、液晶表示装置を例に挙げて説明したが、その他に例えば表示媒体層が発光層である有機EL表示装置等の他の表示装置についても同様に、本発明を適用することができる。
以上説明したように、本発明は、表示画面上の位置情報を検出する表示装置について有用である。
1 液晶表示装置
5 画素
11 TFT基板(第1基板)
12 対向基板(第2基板)
15 画素電極
16 TFT(スイッチング素子)
17 スキャンライン
18 検出ライン
22 TFD(検出用素子)
27 対向電極
35,36 TFT(検査用素子)
40 検出部
41 第1電極(検出用電極)
42 第2電極(検出用電極)
43 導電層
48 検出用電極
53 スキャンドライバ
54 検出ドライバ
71 第1ダミー電極
72 第2ダミー電極
73 TFD(ダミー素子)
74 接続部
75,76 TFT(ダミー素子)
77 ダミー電極
81 検査用ライン
82 回路部
5 画素
11 TFT基板(第1基板)
12 対向基板(第2基板)
15 画素電極
16 TFT(スイッチング素子)
17 スキャンライン
18 検出ライン
22 TFD(検出用素子)
27 対向電極
35,36 TFT(検査用素子)
40 検出部
41 第1電極(検出用電極)
42 第2電極(検出用電極)
43 導電層
48 検出用電極
53 スキャンドライバ
54 検出ドライバ
71 第1ダミー電極
72 第2ダミー電極
73 TFD(ダミー素子)
74 接続部
75,76 TFT(ダミー素子)
77 ダミー電極
81 検査用ライン
82 回路部
Claims (4)
- 第1基板と、
上記第1基板に対向して配置されると共に対向電極が形成された第2基板と、
上記第1基板に形成されると共に、上記対向電極に対向する画素電極と該画素電極に接続されたスイッチング素子とがそれぞれ形成された複数の画素とを備えた表示装置であって、
上記複数の画素にそれぞれ配置され、上記第1基板又は第2基板が押圧された位置を検出するための検出部と、
上記第1基板に形成され、上記検出部に接続された複数のスキャンライン及び複数の検出ラインと、
上記第1基板に形成されると共に上記複数のスキャンラインに接続され、該複数のスキャンラインに走査電圧を順次供給するスキャンドライバと、
上記第1基板に形成されると共に上記複数の検出ラインに接続された検出ドライバとを備え、
上記検出ドライバは、上記第1基板又は第2基板が押圧され、且つ、当該押圧された領域の上記検出部が上記スキャンラインにより走査された際に、当該検出部に印加されている電圧が該検出部に接続されている上記検出ラインを介して検出されるように構成され、
上記第1基板には、上記複数のスキャンライン及び上記複数の検出ラインの少なくとも一方が並列に接続され、検査用信号が入力又は出力される検査用ラインが形成されている
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1に記載された表示装置において、
上記検出部は、上記画素電極と電気的に絶縁して設けられた検出用電極と、該検出用電極に接続された検出用素子とを有し、
上記検出用電極は、互いに電気的に絶縁された状態で並んで配置された第1電極及び第2電極とを有し、
上記第2基板には、上記各画素毎に上記第1電極及び第2電極の双方に対向するようにそれぞれ配置された導電層が複数形成され、
上記検出用素子は、上記第1電極又は第2電極に接続されている
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項2に記載された表示装置において、
上記検査用ラインと、上記スキャンライン又は上記検出ラインとの間には、回路部が介在され、
上記回路部は、上記第1電極と同じ構成を有する第1ダミー電極と、上記第2電極と同じ構成を有する第2ダミー電極と、上記検出用素子と同じ構成を有するダミー素子とを有し、
上記第1ダミー電極及び第2ダミー電極は、接続部を介して互いに電気的に接続されている
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項2又は3に記載された表示装置において、
上記検出用素子は、薄膜ダイオード又は薄膜トランジスタである
ことを特徴とする表示装置。
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