KR20200115861A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20200115861A
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layer
lead wiring
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KR1020190035855A
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엄철환
안형준
홍지표
문종원
신혜원
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시 장치가 제공된다. 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역, 및 상기 표시 영역 주변에 배치된 패널 패드 영역을 포함하는 표시 패널; 일단이 상기 패널 패드 영역에 부착된 제1 회로 기판; 및 상기 제1 회로 기판의 타단에 부착된 제2 회로 기판을 포함하고, 상기 패널 패드 영역은 복수의 패널 신호 배선을 포함하고, 상기 제2 회로 기판은 복수의 회로 신호 배선을 포함하고, 상기 제1 회로 기판은 상기 복수의 패널 신호 배선과 결합된 제1 배선층, 상기 제1 배선층 상에 배치되고 비아홀을 포함하는 절연층, 상기 절연층 상에 배치된 제2 배선층으로서 상기 비아홀을 통해 상기 제1 배선층과 전기적으로 연결된 제2 배선층, 및 상기 제2 배선층 상에 배치되고 상기 제2 배선층과 전기적으로 연결된 구동 집적 회로를 포함하고, 상기 제2 배선층은 상기 복수의 회로 신호 배선과 상기 구동 집적 회로를 연결하는 복수의 제1 리드 배선, 및 상기 복수의 패널 신호 배선과 상기 구동 집적 회로를 연결하는 복수의 제2 리드 배선을 포함하고, 상기 복수의 제2 리드 배선은 상기 구동 집적 회로로부터 스캔 고전위 전압 신호를 상기 패널 신호 배선에 제공하도록 구성된 제2-1 서브 리드 배선, 및 상기 구동 집적 회로로부터 스캔 저전위 전압 신호를 상기 패널 신호 배선에 제공하도록 구성된 제2-2 서브 리드 배선을 포함하고, 상기 복수의 제1 리드 배선은 상기 구동 집적 회로와 물리적으로 연결된 제1-1 서브 리드 배선, 상기 제1-1 서브 리드 배선으로부터 제1 방향을 따라 분리된 제1-1-1 서브 리드 배선, 상기 제1-1 서브 리드 배선의 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 이격 배치된 제1-2 서브 리드 배선, 및 상기 제1-2 서브 리드 배선의 상기 제2 방향을 따라 이격 배치된 제1-2-1 서브 리드 배선을 포함하고, 상기 제1 방향은 상기 제1 리드 배선으로부터 상기 제2 회로 기판을 바라보는 방향이다.

Description

표시 장치{DISPCAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 데이터를 시각적으로 표시하는 장치이다. 이러한 표시 장치는 표시 영역과 비표시 영역으로 구획된 기판을 포함한다. 상기 표시 영역에서 상기 기판 상에는 복수의 화소가 배치되며, 상기 비표시 영역에서 상기 기판 상에는 복수의 패드(pad) 등이 배치된다. 상기 복수의 패드에는 구동 집적 회로 등이 장착된 가요성 필름(COF Film) 등이 결합되어 상기 화소에 구동 신호를 전달한다. 또, 상기 가요성 필름에는 상기 구동 집적 회로 등을 제어하는 메인 회로 보드가 장착된다.
상기 가요성 필름은 복수의 적층된 구조들을 포함한다. 상기 적층된 구조들은 제1 배선층, 및 상기 제1 배선층 상에 배치되고 상기 제1 배선층과 비아홀을 통해 연결된 제2 배선층을 포함하고, 상기 제1 배선층은 상기 패드들과 결합되고, 상기 제2 배선층은 상기 메인 회로 보드의 패드들과 결합될 수 있다.
한편, 상기 가요성 필름은 검사부의 상기 제1 배선층의 노출된 검사 패드들을 통해 불량 유무를 검사받고 상기 검사부가 커팅되어 상기 복수의 적층된 구조들의 측면들이 외부로 노출되는데, 특히 상기 제1 배선층 및 제2 배선층의 노출된 측면을 통해 외부 이온, 및 습기 등이 침투하여 배선 부식을 야기할 수 있다. 상기 배선 부식으로 상기 제1 배선층 및 상기 제2 배선층의 복수의 신호 라인들은 전기적 쇼트(short)가 발생할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 제1 회로 기판의 배선층들이 포함하는 복수의 신호 라인들의 전기적 쇼트를 방지하는 표시 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역, 및 상기 표시 영역 주변에 배치된 패널 패드 영역을 포함하는 표시 패널; 일단이 상기 패널 패드 영역에 부착된 제1 회로 기판; 및 상기 제1 회로 기판의 타단에 부착된 제2 회로 기판을 포함하고, 상기 패널 패드 영역은 복수의 패널 신호 배선을 포함하고, 상기 제2 회로 기판은 복수의 회로 신호 배선을 포함하고, 상기 제1 회로 기판은 상기 복수의 패널 신호 배선과 결합된 제1 배선층, 상기 제1 배선층 상에 배치되고 비아홀을 포함하는 절연층, 상기 절연층 상에 배치된 제2 배선층으로서 상기 비아홀을 통해 상기 제1 배선층과 전기적으로 연결된 제2 배선층, 및 상기 제2 배선층 상에 배치되고 상기 제2 배선층과 전기적으로 연결된 구동 집적 회로를 포함하고, 상기 제2 배선층은 상기 복수의 회로 신호 배선과 상기 구동 집적 회로를 연결하는 복수의 제1 리드 배선, 및 상기 복수의 패널 신호 배선과 상기 구동 집적 회로를 연결하는 복수의 제2 리드 배선을 포함하고, 상기 복수의 제2 리드 배선은 상기 구동 집적 회로로부터 스캔 고전위 전압 신호를 상기 패널 신호 배선에 제공하도록 구성된 제2-1 서브 리드 배선, 및 상기 구동 집적 회로로부터 스캔 저전위 전압 신호를 상기 패널 신호 배선에 제공하도록 구성된 제2-2 서브 리드 배선을 포함하고, 상기 복수의 제1 리드 배선은 상기 구동 집적 회로와 물리적으로 연결된 제1-1 서브 리드 배선, 상기 제1-1 서브 리드 배선으로부터 제1 방향을 따라 분리된 제1-1-1 서브 리드 배선, 상기 제1-1 서브 리드 배선의 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 이격 배치된 제1-2 서브 리드 배선, 및 상기 제1-2 서브 리드 배선의 상기 제2 방향을 따라 이격 배치된 제1-2-1 서브 리드 배선을 포함하고, 상기 제1 방향은 상기 제1 리드 배선으로부터 상기 제2 회로 기판을 바라보는 방향이다.
상기 제1-1 서브 리드 배선은 상기 제2-1 서브 리드 배선보다 상기 제2 방향으로 돌출되고, 상기 제1-2 서브 리드 배선은 상기 제2-2 서브 리드 배선보다 상기 제2 방향으로 돌출될 수 있다.
상기 제1-1 서브 리드 배선은 상기 제1-1-1 서브 리드 배선과 전기적으로 분리되고, 상기 제1-2 서브 리드 배선은 상기 제1-2-1 서브 리드 배선과 전기적으로 분리될 수 있다.
상기 복수의 제1 리드 배선은 상기 제1-1 서브 리드 배선과 상기 제1-2 서브 리드 배선의 상기 제1 방향 일측에 배치된 제1-3 서브 리드 배선, 및 상기 제1 방향 타측에 배치된 제1-4 서브 리드 배선과 제1-5 서브 리드 배선을 포함하고, 상기 제1-3 서브 리드 배선은 상기 회로 신호 배선과 상기 구동 집적 회로를 전기적으로 연결하고, 상기 제1-4 서브 리드 배선과 상기 제1-5 서브 리드 배선은 상기 회로 신호 배선과 상기 제2 리드 배선을 전기적으로 연결할 수 있다.
상기 제1-4 서브 리드 배선은 상기 제2 회로 기판으로부터 고전위 전압 신호를 상기 패널 신호 배선에 제공하도록 구성되고, 상기 제1-5 서브 리드 배선은 상기 제2 회로 기판으로부터 저전위 전압 신호를 상기 패널 신호 배선에 제공하도록 구성될 수 있다.
상기 복수의 제2 리드 배선은 상기 제2-1 서브 리드 배선과 상기 제2-2 서브 리드 배선의 상기 제1 방향 일측에 배치된 제2-3 서브 리드 배선, 및 상기 제1 방향 타측에 배치된 제2-4 서브 리드 배선과 제2-5 서브 리드 배선을 포함하고, 상기 제2-3 서브 리드 배선은 상기 구동 집적 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제2-4 서브 리드 배선은 상기 제1-4 서브 리드 배선과 전기적으로 연결되고, 상기 제2-5 서브 리드 배선은 상기 제1-5 서브 리드 배선과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 배선층은 복수의 제3 리드 배선을 포함하고, 상기 복수의 제3 리드 배선은 상기 제2-1 서브 리드 배선과 연결된 제3-1 서브 리드 배선, 상기 제2-2 서브 리드 배선과 연결된 제3-2 서브 리드 배선, 상기 제2-3 서브 리드 배선과 연결된 제3-3 서브 리드 배선, 상기 제2-4 서브 리드 배선과 연결된 제3-4 서브 리드 배선, 상기 제2-5 서브 리드 배선과 연결된 제3-5 서브 리드 배선, 상기 제3-1 서브 리드 배선, 및 상기 제3-1 서브 리드 배선과 상기 제2 방향을 따라 이격되어 전기적으로 분리된 제3-1-1 서브 리드 배선을 포함할 수 있다.
상기 비아홀은 상기 제3-1 서브 리드 배선과 상기 제2-1 서브 리드 배선을 연결하는 제1 비아홀, 및 상기 제3-2 서브 리드 배선과 상기 제2-2 서브 리드 배선을 연결하는 제2 비아홀을 포함하고, 평면상 상기 제2 비아홀은 상기 제1 비아홀보다 상기 제2 회로 기판에 더 가깝게 위치할 수 있다.
상기 제2-1 서브 리드 배선은 고전위 게이트 배선(VGHL)이고, 상기 제2-2 서브 리드 배선은 저전위 게이트 배선(VGLL)일 수 있다.
상기 표시 패널의 하부에 배치된 패널 하부 시트를 더 포함하되, 상기 패널 하부 시트는 상기 표시 패널의 하부에 배치된 메탈층, 상기 메탈층 하부에 배치된 하부 절연층을 포함하고, 상기 제1 회로 기판은 표시면의 반대 방향으로 벤딩되어 상기 하부 절연층 하부에 배치될 수 있다.
상기 메탈층은 정전기 차폐층일 수 있다.
상기 하부 절연층은 불소 이온, 또는 황 이온을 포함할 수 있다.
상기 제1 회로 기판은 상기 하부 절연층과 상기 제1 배선층 사이에 배치된 제1 보호 유기층, 및 상기 제2 배선층 상에 배치된 제2 보호 유기층을 더 포함하고, 상기 제1 보호 유기층은 상기 제1 리드 배선의 상면을 부분적으로 노출할 수 있다.
상기 제1 보호 유기층, 상기 제1 배선층, 상기 절연층, 상기 제2 배선층, 및 상기 제2 보호 유기층의 내측면들은 두께 방향으로 정렬되고 상기 내측면들은 노출될 수 있다.
상기 제1 보호 유기층과 상기 하부 절연층 사이에 배치되어 상기 패널 하부 시트와 상기 제1 회로 기판을 결합시키는 모듈 접착 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 회로 기판의 내측면은 상기 모듈 접착 부재의 내측면보다 내측으로 돌출될 수 있다.
평면상 상기 모듈 접착 부재의 상기 내측면 주변에서 상기 제1 배선층 및/또는 상기 제1 보호 유기층은 표면 크랙을 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 인쇄 회로 기판은 제1 배선층; 상기 제1 배선층 상에 배치되고 비아홀을 포함하는 절연층; 상기 절연층 상에 배치된 제2 배선층으로서 상기 비아홀을 통해 상기 제1 배선층과 전기적으로 연결된 제2 배선층; 및 상기 제2 배선층 상에 배치되고 상기 제2 배선층과 전기적으로 연결된 구동 집적 회로를 포함하고, 상기 제2 배선층은 상기 구동 집적 회로의 일 방향 일측에 위치하여 상기 구동 집적 회로와 연결되고 상기 일 방향에 교차하는 타 방향을 따라 이격된 복수의 제1 리드 배선, 및 상기 구동 집적 회로의 상기 일 방향 타측에 위치하여 상기 구동 집적 회로와 연결되는 복수의 제2 리드 배선을 포함하고, 상기 복수의 제1 리드 배선은 제1-1 서브 리드 배선, 제1-2 서브 리드 배선, 상기 제1-1 서브 리드 배선과 상기 일 방향으로 이격 배치된 제1-1-1 서브 리드 배선, 및 상기 제1-2 서브 리드 배선과 상기 일 방향으로 이격 배치된 제1-2-1 서브 리드 배선을 포함하고, 상기 복수의 제2 리드 배선은 상기 구동 집적 회로로부터 스캔 고전위 전압 신호를 표시 패널에 제공하도록 구성된 제2-1 서브 리드 배선, 및 상기 구동 집적 회로로부터 스캔 저전위 전압 신호를 상기 표시 패널에 제공하도록 구성된 제2-2 서브 리드 배선을 포함하고, 상기 복수의 제1 리드 배선은 상기 구동 집적 회로와 물리적으로 연결된 제1-1 서브 리드 배선, 상기 제1-1 서브 리드 배선으로부터 제1 방향을 따라 분리된 제1-1-1 서브 리드 배선, 상기 제1-1 서브 리드 배선의 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 이격 배치된 제1-2 서브 리드 배선, 및 상기 제1-2 서브 리드 배선의 상기 제2 방향을 따라 이격 배치된 제1-2-1 서브 리드 배선을 포함하고, 상기 제1 방향은 상기 구동 집적 회로로부터 상기 제1 리드 배선을 향하는 방향이다.
상기 제1-1 서브 리드 배선은 상기 제1-1-1 서브 리드 배선과 전기적으로 분리되고, 상기 제1-2 서브 리드 배선은 상기 제1-2-1 서브 리드 배선과 전기적으로 분리될 수 있다.
상기 복수의 제1 리드 배선은 상기 제1-1 서브 리드 배선과 상기 제1-2 서브 리드 배선의 상기 제1 방향 일측에 배치된 제1-3 서브 리드 배선, 및 상기 제1 방향 타측에 배치된 제1-4 서브 리드 배선과 제1-5 서브 리드 배선을 포함하고, 상기 제1-4 서브 리드 배선은 고전위 전압 신호를 상기 표시 패널에 제공하도록 구성되고, 상기 제1-5 서브 리드 배선은 저전위 전압 신호를 상기 표시 패널에 제공하도록 구성된 인쇄 회로 기판.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 제1 회로 기판의 배선층들이 포함하는 복수의 신호 라인들의 전기적 쇼트를 방지하는 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면 배치도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 도 2를 확대한 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 검사 패드가 배치된 커팅부를 나타낸 단면도이다.
도 5는 패널 패드 영역의 평면 배치도이다.
도 6은 제1 회로 기판의 제2 배선층, 및 구동 집적 회로를 나타낸 평면 배치도이다.
도 7은 제1 회로 기판의 제1 배선층을 나타낸 평면 배치도이다.
도 8은 패널 하부 시트의 하부 절연층을 통해 첨가 이온이 제1 배선층으로 침투하는 것을 나타낸 단면도이다.
도 9 및 도 10은 제1 회로 기판의 제2 배선층의 일부를 커팅함으로써 배선 간 쇼트를 방지하는 것을 나타낸 모식도이다.
도 11은 하부 접착층을 가압하기 위해 제1 및 제2 회로 기판 하부에 가압 장치를 배치한 것을 나타낸 단면도이다.
도 12는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 13은 다른 실시예에 따른 제1 회로 기판의 제1 배선층을 나타낸 평면 배치도이다.
도 14는 다른 실시예에 따른 제1 회로 기판의 제2 배선층, 및 구동 집적 회로를 나타낸 평면 배치도이다.
도 15는 또 다른 실시예에 따른 제1 회로 기판의 제2 배선층, 및 구동 집적 회로를 나타낸 평면 배치도이다.
도 16은 또 다른 실시예에 따른 제1 회로 기판의 제1 배선층을 나타낸 평면 배치도이다.
도 17은 또 다른 실시예에 따른 제1 회로 기판의 제2 배선층, 및 구동 집적 회로를 나타낸 평면 배치도이다.
도 18은 또 다른 실시예에 따른 제1 회로 기판의 제1 배선층을 나타낸 평면 배치도이다.
도 19는 또 다른 실시예에 따른 제1 회로 기판의 제2 배선층, 및 구동 집적 회로를 나타낸 평면 배치도이다.
도 20은 또 다른 실시예에 따른 제1 회로 기판의 제1 배선층을 나타낸 평면 배치도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다른 형태로 구현될 수도 있다. 즉, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위 뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
명세서 전체를 통하여 동일하거나 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면 배치도이고, 도 2는 도 1의 표시 장치의 단면도이고, 도 3은 도 2를 확대한 표시 장치의 단면도이고, 도 4는 검사 패드가 배치된 커팅부를 나타낸 단면도이고, 도 5는 패널 패드 영역의 평면 배치도이고, 도 6은 제1 회로 기판의 제2 배선층, 및 구동 집적 회로를 나타낸 평면 배치도이고, 도 7은 제1 회로 기판의 제1 배선층을 나타낸 평면 배치도이다.
표시 장치(1)는 동영상이나 정지영상을 표시하는 장치로서, 표시 장치는 모바일 폰, 스마트 폰, 태블릿 PC(Personal Computer), 및 스마트 워치, 워치 폰, 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(Portable Multimedia PCAyer), 네비게이션, UMPC(Ultra Mobile PC) 등과 같은 휴대용 전자 기기 뿐만 아니라 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷 등의 다양한 제품의 표시 화면으로 사용될 수 있다.
도 1 내지 도 7을 참조하면, 표시 장치(1)는 화상을 표시하는 표시 패널(100), 표시 패널(100)에 연결되는 제1 회로 기판(300) 및 제1 회로 기판(300)에 연결된 제2 회로 기판(500)을 포함할 수 있다.
표시 패널(100)은 예를 들어, 유기 발광 표시 패널이 적용될 수 있다. 이하의 실시예에서는 표시 패널(100)로서 유기 발광 표시 패널이 적용된 경우를 예시하지만, 이에 제한되지 않고, 액정 디스플레이(LCD), 퀀텀닷 유기 발광 표시 패널(QD-OLED), 퀀텀닷 액정 디스플레이(QD-LCD), 퀀텀 나노 발광 표시 패널(QNED), 마이크로 엘이디(Micro LED) 등 다른 종류의 표시 패널이 적용될 수도 있다.
표시 패널(100)은 복수의 화소 영역을 포함하는 표시 영역(DA), 표시 영역(DA)의 주변에 배치된 비표시 영역(NA)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 평면상 모서리가 수직인 직사각형 또는 모서리가 둥근 직사각형 형상일 수 있다. 표시 영역(DA)은 단변과 장변을 가질 수 있다. 표시 영역(DA)의 단변은 제1 방향(DR1)으로 연장된 변일 수 있다. 표시 영역(DA)의 장변은 제2 방향(DR2)으로 연장된 변일 수 있다. 다만, 표시 영역(DA)의 평면 형상은 직사각형에 제한되는 것은 아니고, 원형, 타원형이나 기타 다양한 형상을 가질 수 있다. 비표시 영역(NA)은 표시 영역(DA)의 양 단변 및 양 장변에 인접 배치될 수 있다. 이 경우, 표시 영역(DA)의 모든 변을 둘러싸고, 표시 영역(DA)의 테두리를 구성할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 비표시 영역(NA)은 표시 영역(DA)의 양 단변 또는 양 장변에만 인접 배치될 수도 있다.
표시 영역(DA)의 양 장변에 인접 배치된 비표시 영역(NA)에는 스캔 고전위 전압, 스캔 저전위 전압, 및 스캔 신호를 제어하는 스캔 제어 신호를 인가하는 게이트 구동부(700)가 더 배치될 수 있다.
표시 패널(100)의 비표시 영역(NA)은 패널 패드 영역(P_PA)을 더 포함한다. 패널 패드 영역(P_PA)은 예를 들어, 표시 영역(DA)의 일측 단변 주변에 배치될 수 있지만, 이에 제한되지 않고 표시 영역(DA)의 양 단변 주변에 배치되거나 표시 영역(DA)의 양 단변 및 양 장변 주변에 배치될 수 있다.
제1 회로 기판(300)은 복수의 적층된 구조들을 포함한다. 상기 적층된 구조들은 복수의 배선층, 상기 배선층 사이에 배치된 절연층, 및 상기 복수의 배선층의 상하부에 배치된 유기 보호층을 포함할 수 있다. 나아가, 제1 회로 기판(300)은 상기 배선층과 연결된 구동 집적 회로를 더 포함할 수 있다. 제1 회로 기판(300)의 상기 적층된 구조들에 대한 자세한 설명은 후술하기로 한다.
제1 회로 기판(300)은 표시 패널(100)의 패널 패드 영역(P_PA)에 부착된 제1 장변 에지(LEG1), 제1 장변 에지(LEG1)와 대향하고 제2 회로 기판(500)에 부착된 제2 장변 에지(LEG2), 및 단변 에지들(SEG1, SEG2)을 포함할 수 있다.
제1 회로 기판(300)은 일측이 표시 패널(100)의 패널 패드 영역(P_PA)에 부착되는 제1 회로 영역(CA1), 제1 회로 영역(CA1)의 제2 방향(DR2) 일측에 배치된 제2 회로 영역(CA2), 및 제2 회로 영역(CA2)의 제2 방향(DR2) 일측에 배치되고 제2 회로 기판(500)이 부착된 제3 회로 영역(CA3)을 포함할 수 있다.
제2 회로 기판(500)은 제1 회로 기판(300)의 제3 회로 영역(CA3)에 부착되는 회로 패드 영역을 포함할 수 있다. 제2 회로 기판(500)의 상기 회로 패드 영역에는 복수의 회로 패드들이 배치되어 제1 회로 기판(300)의 제3 회로 영역(CA3)에 배치된 리드 배선들과 접속될 수 있다.
도 2를 참조하면, 표시 패널(100)은 표시 영역(DA), 및 패널 패드 영역(P_PA)에 걸쳐 배치된 표시 기판(101), 표시 기판(101) 상의 표시 영역(DA)에 배치된 회로층(130), 회로층(130) 상의 표시 영역(DA)에 배치된 발광층(150), 및 발광층(150) 상의 표시 영역(DA)에 배치된 봉지층(170)을 포함한다. 상술한 각 픽셀 영역들은 회로층(130), 및 발광층(150)을 포함할 수 있다.
회로층(130)은 표시 배선, 표시 전극 및 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하고, 발광층(150)의 발광량을 제어할 수 있다. 발광층(150)은 유기 발광 물질을 포함할 수 있다. 발광층(150)은 봉지층(170)에 의해 밀봉될 수 있다. 봉지층(170)은 발광층(150)을 밀봉하여, 외부에서 수분 등이 유입되는 것을 방지할 수 있다. 봉지층(170)은 무기막의 단일 또는 다층막이나, 무기막과 유기막을 교대로 적층한 적층막으로 이루어질 수 있다.
표시 장치(1)는 표시 패널(100)의 하부에 배치된 패널 하부 시트(200)를 더 포함한다. 패널 하부 시트(200)는 표시 패널(100)의 배면에 부착될 수 있다. 패널 하부 시트(200)는 적어도 하나의 기능층, 및 하부 절연층을 포함한다. 상기 기능층은 방열 기능, 전자파 차폐기능, 접지 기능, 완충 기능, 강도 보강 기능, 지지 기능 및/또는 디지타이징 기능 등을 수행하는 층일 수 있다. 기능층은 시트로 이루어진 시트층, 필름으로 필름층, 박막층, 코팅층, 패널, 플레이트 등일 수 있다. 하나의 기능층은 단일층으로 이루어질 수도 있지만, 적층된 복수의 박막이나 코팅층으로 이루어질 수도 있다. 기능층은 예를 들어, 지지 기재, 방열층, 전자파 차폐층, 충격 흡수층, 디지타이저 등일 수 있다.
제1 회로 기판(300)은 도 2에 도시된 바와 같이 제3 방향(DR3) 하부로 벤딩될 수 있다. 제1 회로 기판(300)의 타측 및 제2 회로 기판(500)은 패널 하부 시트(200)의 하부에 위치할 수 있다.
표시 장치(1)는 패널 하부 시트(200)와 제1 회로 기판(300) 사이에 배치된 모듈간 결합 부재(AM)를 더 포함할 수 있다. 모듈간 결합 부재(AM)는 압력 민감 점착제(PSA)일 수 있다. 패널 하부 시트(200)의 하면은 제1 회로 기판(300)과 모듈간 결합 부재(AM)를 통해 결합될 수 있다. 모듈간 결합 부재(AM)의 내측면은 제1 회로 기판(300)의 내측면보다 외측으로 만입될 수 있다. 다시 말하면, 제1 회로 기판(300)의 내측면은 모듈간 결합 부재(AM)의 내측면보다 내측으로 돌출될 수 있다. 이로 인해, 모듈간 결합 부재(AM)가 제1 회로 기판(300)의 내측으로 돌출되어 내부 이물질 등이 부착되어 발생하는 이물 불량을 방지하고 모듈간 결합 부재(AM)가 제1 회로 기판(300)의 측면 등으로 흘러내림을 미연에 방지할 수 있다.
제1 회로 기판(300)의 모듈간 결합 부재(AM) 대비 내측으로 돌출된 부분은 상부의 패널 하부 시트(200)와 이격 공간(SP)을 사이에 두고 이격되어 배치될 수 있다.
도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 패널 하부 시트(200)는 표시 패널(100)의 표시 기판(101)과 모듈간 결합 부재(AM) 사이에 배치된 하부 메탈층(210), 및 하부 메탈층(210)과 모듈간 결합 부재(AM) 사이에 배치된 하부 절연층(230)을 포함할 수 있다.
하부 메탈층(210)은 표시 기판(101)의 하부 상에 배치될 수 있다. 하부 메탈층(210)은 전자파 차폐층일 수 있다. 예를 들어, 하부 메탈층(210)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag) 등의 금속 박막을 포함하여 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 패널 하부 시트(200)는 하부 메탈층(210)과 하부 절연층(230) 사이에 방열층을 더 포함할 수 있다. 상기 방열층은 그라파이트(Griphite)나 탄소 나노 튜브(CNT) 등의 물질을 포함하여 이루어질 수 있다.
하부 절연층(230)은 하부 메탈층(210)의 하부 상에 배치될 수 있다. 하부 절연층(230)은 제1 회로 기판(300)의 복수의 배선층과 하부 메탈층(210) 간의 통전을 방지하는 역할을 할 수 있다.
하부 절연층(230)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 하부 절연층(230)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
한편, 도 3에 도시된 바와 같이 하부 절연층(230)은 절연 기능을 높이는 첨가 이온(FSI)들을 더 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 첨가 이온(FSI)은 불소 이온(F-), 또는 황 이온(S2-)일 수 있다.
제1 회로 기판(300)은 제1 보호 유기층(310), 제1 보호 유기층(310) 상에 배치된 제1 배선층(320), 제1 배선층(320) 상에 배치된 리드 절연층(330), 리드 절연층(330) 상에 배치된 제2 배선층(340), 및 제2 배선층(340) 상에 배치된 제2 보호 유기층(350)을 포함할 수 있다.
제1 보호 유기층(310)은 제1 배선층(320)을 하부에 배치되어 제1 배선층(320)을 덮어 제1 배선층(320)을 보호하는 역할을 할 수 있다.
제1 보호 유기층(310)은 유기 절연 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 유기 절연 물질의 예로는 아크릴계 수지(polyacryCAtes resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 등을 들 수 있다.
제1 보호 유기층(310)은 제2 회로 영역(CA2) 및 제3 회로 영역(CA3)에 걸쳐 배치될 수 있다. 제1 보호 유기층(310)은 제1 회로 영역(CA1)에서 제1 배선층(320)을 노출할 수 있다. 제1 배선층(320)은 복수의 제1 리드 배선(LE1)들을 포함할 수 있다. 제1 보호 유기층(310)에 의해 노출된 제1 리드 배선(LE1)들은 신호 배선(PAD)과 결합될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이 표시 기판(101)의 패널 패드 영역(P_PA) 상에는 신호 배선(PAD)이 배치될 수 있다. 신호 배선(PAD)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 신호 배선(PAD)은 상기 예시된 물질로 이루어진 단일막일 수 있다. 이에 제한되지 않고 신호 배선(PAD)은 적층막일 수 있다.
제1 보호 유기층(310)이 노출한 제1 배선층(320), 즉 제1 리드 배선(LE1)은 패널 패드 영역(P_PA) 상에 배치된 신호 배선(PAD)과 결합될 수 있다. 제1 배선층(320), 및 신호 배선(PAD) 사이에는 제1 도전 결합 부재(ACF1)가 배치될 수 있다. 즉, 제1 배선층(320)은 제1 도전 결합 부재(ACF1)를 통해 신호 배선(PAD)과 전기적 결합을 할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 리드 배선(LE1)은 신호 배선(PAD)과 제1 도전 결합 부재(ACF1)없이 직접 접속될 수 있다. 즉, 제1 리드 배선(LE1)은 노출된 신호 배선(PAD)의 상면과 직접 접속될 수 있다. 예를 들어, 제1 리드 배선(LE1)은 신호 배선(PAD)과 초음파 본딩될 수 있다.
제1 배선층(320)은 금속 물질을 포함할 수 있다. 제1 배선층(320)은 각각 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.
제1 배선층(320)은 제1 보호 유기층(310)에 의해 노출된 영역에서 신호 배선(PAD)과 전기적으로 연결될 수 있다.
리드 절연층(330)은 제1 배선층(320) 상에 배치될 수 있다. 리드 절연층(330)은 내부에 리드 절연층(330)을 관통하는 비아홀(VIA)을 포함할 수 있다. 리드 절연층(330)은 제1 배선층(320), 및 제2 배선층(340) 사이에 배치되어 제1 배선층(320)과 제2 배선층(340)을 비아홀(VIA)을 제외한 영역에서 상호 물리적으로 이격시키는 기능을 할 수 있다.
도 3에서는 비아홀(VIA)이 제2 회로 영역(CA2)에 배치된 것으로 도시되었지만, 이에 제한되지 않고 비아홀(VIA)은 제1 회로 영역(CA1)에 배치될 수도 있다.
리드 절연층(330)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 리드 절연층(330)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제2 배선층(340)은 리드 절연층(330) 상에 배치될 수 있다. 제2 배선층(340)은 리드 절연층(330)의 비아홀(VIA)을 통해 제1 배선층(320)과 콘택할 수 있다. 제2 배선층(340)은 제1 배선층(320)의 상술한 예시 물질 중에서 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 제1 배선층(320)과 제2 배선층(340)의 구성 물질은 동일할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 제1 배선층(320) 및 제2 배선층(340)의 구성 물질은 서로 상이할 수 있다.
제2 보호 유기층(350)은 제2 배선층(340) 상에 배치될 수 있다. 제2 보호 유기층(350)은 제1 회로 영역(CA1) 및 제2 회로 영역(CA2)에 걸쳐 배치될 수 있다. 제2 보호 유기층(350)은 제3 회로 영역(CA3)에서 제2 배선층(340)을 노출할 수 있다. 제2 배선층(340)은 복수의 제2 리드 배선(LE2)을 포함할 수 있다. 제2 보호 유기층(350)에 의해 노출된 제2 리드 배선(LE2)들은 제2 회로 기판(500)과 전기적으로 결합될 수 있다. 뿐만 아니라, 제2 보호 유기층(350)은 제2 회로 영역(CA2)에서 제2 배선층(340)을 노출하고 노출된 제2 배선층(340)은 구동 집적 회로(390)와 전기적으로 연결될 수 있다.
구동 집적 회로(390)는 제2 배선층(340)의 제2 회로 영역(CA2) 상에 배치될 수 있다. 구동 집적 회로(390)는 예를 들어, 데이터 신호, 및 상기 데이터 신호를 제어하는 데이터 제어 신호를 인가하는 데이터 구동 회로들이 집적된 데이터 구동칩과 스캔 고전위 전압, 스캔 저전위 전압, 및 스캔 제어 신호를 생성하여 비표시 영역(NA)에 배치된 게이트 구동부(700)에 전달하는 스캔 구동 회로들이 집적된 게이트 구동칩을 포함할 수 있다. 구동 집적 회로(390)는 구동 칩으로 구현된 칩 온 필름(Chip on film, COF) 방식이 적용될 수 있다.
제2 보호 유기층(350)이 노출한 제2 배선층(340), 즉 제2 리드 배선(LE2)은 상에 회로 패드 영역 상에 배치된 회로 신호 배선(C_PAD)과 결합될 수 있다. 제2 배선층(340), 및 회로 신호 배선(C_PAD) 사이에는 제2 도전 결합 부재(ACF2)가 배치될 수 있다. 즉, 제2 배선층(340)은 제2 도전 결합 부재(ACF2)를 통해 회로 신호 배선(C_PAD)과 전기적 결합을 할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2 리드 배선(LE2)은 회로 신호 배선(C_PAD)과 제2 도전 결합 부재(ACF2)없이 직접 접속될 수 있다. 즉, 제2 리드 배선(LE2)은 노출된 회로 신호 배선(C_PAD)의 상면과 직접 접속될 수 있다. 예를 들어, 제2 리드 배선(LE2)은 회로 신호 배선(C_PAD)과 초음파 본딩될 수 있다.
제1 회로 기판(300)의 제1 장변 에지(LEG1), 및 제2 장변 에지(LEG2)를 포함하는 내측면들은 노출될 수 있다. 특히, 제1 회로 기판(300)의 제2 장변 에지(LEG2)를 포함하는 제1 보호 유기층(310)의 내측면, 제1 배선층(320)의 내측면, 리드 절연층(330)의 내측면, 제2 배선층(340)의 내측면, 및 제2 보호 유기층(350)의 내측면들은 함께 노출될 수 있다.
도 4를 참조하면, 제1 회로 기판(300)은 단품 회로 기판에서 도 3에서 설명한 제2 장변 에지(LEG2)를 따라 형성된 커팅 라인(CTL)을 따라 커팅부(CTR)를 제거하여 형성될 수 있다.
상기 단품 회로 기판의 커팅부(CTR)는 도 3에서 설명한 제1 배선층(320)의 제1 보호 유기층(310)에 의해 노출된 검사 리드 배선(T_LE)을 포함할 수 있다. 상기 단품 회로 기판의 검사 리드 배선(T_LE)을 통해 상기 단품 회로 기판의 전기적 신호 유무 및/또는 전기적 신호 세기 등을 검사한 후, 상기 단품 회로 기판의 커팅부(CTR)는 제거될 수 있다. 이로 인해 상술한 바와 같이 제1 회로 기판(300)의 제2 장변 에지(LEG2)를 포함하는 제1 보호 유기층(310)의 내측면, 제1 배선층(320)의 내측면, 리드 절연층(330)의 내측면, 제2 배선층(340)의 내측면, 및 제2 보호 유기층(350)의 내측면들은 함께 노출된다.
한편, 상술한 바와 같이 하부 절연층(230)은 절연 기능을 높이는 첨가 이온(FSI)들을 더 포함하여 이루어지는데, 상기한 첨가 이온(FSI)은 하부 절연층(230)의 증착 공정에서 이용되고, 하부 절연층(230)의 증착 공정 후 하부 절연층(230) 내부에 배치될 수 있지만, 후술하는 바와 같이 고온 고습의 환경에서 외부 습기를 통해 하부 절연층(230)의 외부로 용출될 수 있다. 외부로 용출된 첨가 이온(FSI)은 인접한 제1 회로 기판(300)의 배선층들의 부식을 야기할 수 있다. 특히, 제1 회로 기판(300)의 제1 배선층(320), 및 제2 배선층(340)의 노출된 내측면들은 용출된 첨가 이온(FSI)들로 인해 부식이 발생될 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
도 5를 참조하면, 신호 배선(PAD)은 복수개이고, 복수의 신호 배선(PAD)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다. 복수의 신호 배선(PAD)은 예를 들어, 복수의 제1 신호 배선(PAD1), 복수의 제1 신호 배선(PAD1) 배열을 사이에 두고 배치된 제2 신호 배선(PAD2), 제2 신호 배선(PAD2) 및 복수의 제1 신호 배선(PAD1) 배열을 사이에 두고 배치된 제3 신호 배선(PAD3), 제3 신호 배선(PAD3), 제2 신호 배선(PAD2) 및 복수의 제1 신호 배선(PAD1) 배열을 사이에 두고 배치된 제4 신호 배선(PAD4), 제4 신호 배선(PAD4), 제3 신호 배선(PAD3), 제2 신호 배선(PAD2) 및 복수의 제1 신호 배선(PAD1) 배열을 사이에 두고 배치된 제5 신호 배선(PAD5)을 포함할 수 있다.
제1 신호 배선(PAD1)은 구동 집적 회로(390)로부터 데이터 신호를 인가받아 표시 영역(DA)의 회로층(130)의 상기 박막 트랜지스터에 전달하는 데이터 신호 배선일 수 있고, 제2 신호 배선(PAD2)은 구동 집적 회로(390)로부터 스캔 고전위 전압을 인가받아 비표시 영역(NA)에 배치된 게이트 구동부(700)에 전달하는 스캔 고전위 전압 배선일 수 있고, 제3 신호 배선(PAD3)은 구동 집적 회로(390)로부터 스캔 저전위 전압을 인가받아 게이트 구동부(700)에 전달하는 스캔 저전위 전압 배선일 수 있고, 제4 신호 배선(PAD4)은 제2 회로 기판(500)으로부터 발광층(150)을 구동하는 고전위 전압을 인가받아 각 화소의 발광층(150)에 전달하는 발광 고전위 전압 배선일 수 있고, 제5 신호 배선(PAD5)은 제2 회로 기판(500)으로부터 발광층(150)을 구동하는 저전위 전압을 인가받아 각 화소의 발광층(150)에 전달하는 발광 저전위 전압 배선일 수 있다. 제1 내지 제5 신호 배선(PAD1~PAD5)은 도 5에 도시된 바와 같이 게이트 신호 라인(GSL)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 제1 배선층(320)의 제1 리드 배선(LE1)은 복수의 서브 리드 배선(LE11~LE15)들을 포함할 수 있다.
제1 서브 리드 배선(LE11)은 제1 신호 배선(PAD1)에 결합되고, 제2 서브 리드 배선(LE12)은 제2 신호 배선(PAD2)에 결합되고, 제3 서브 리드 배선(LE13)은 제3 신호 배선(PAD3)에 결합되고, 제4 서브 리드 배선(LE14)은 제4 신호 배선(PAD4)에 결합되고, 제5 서브 리드 배선(LE15)은 제5 신호 배선(PAD5)에 결합될 수 있다.
제1 배선층(320)의 복수의 서브 리드 배선(LE11~LE15)들은 비아홀(VIA)을 지나고 제2 회로 영역(CA2), 및 제3 회로 영역(CA3)에서 잔여 리드 배선(RE_LE11~RE_LE15)들을 이룰 수 있다. 즉, 제1 서브 리드 배선(LE11)은 제1 잔여 리드 배선(RE_LE11)을 이루고, 제2 서브 리드 배선(LE12)은 제2 잔여 리드 배선(RE_LE12)을 이루고, 제3 서브 리드 배선(LE13)은 제3 잔여 리드 배선(RE_LE13)을 이루고, 제4 서브 리드 배선(LE14)은 제4 잔여 리드 배선(RE_LE14)을 이루고, 제5 서브 리드 배선(LE15)은 제5 잔여 리드 배선(RE_LE12)을 이룰 수 있다.
잔여 리드 배선(RE_LE11~RE_LE15)들은 도 7에 도시된 바와 같이 제1 회로 기판(300)의 제2 장변 에지(LEG2)를 포함하는 내측면에서 함께 노출될 수 있다.
잔여 리드 배선(RE_LE11~ RE_LE15)들 중 제1, 제2, 및 제3 잔여 리드 배선(RE_LE11~RE_LE13)은 후술하는 바와 같이 구동 집적 회로(390)와 전기적으로 연결되고, 제4 및 제5 잔여 리드 배선(RE_LE14, RE_LE15)은 구동 집적 회로(390)와 전기적으로 연결되지 않고 제2 회로 기판(500)과 전기적으로 직접 연결될 수 있다. 즉, 제1 잔여 리드 배선(RE_LE11)은 구동 집적 회로(390)로부터 데이터 신호를 인가받고, 제2 잔여 리드 배선(RE_LE12)은 구동 집적 회로(390)로부터 스캔 고전위 전압을 인가받고, 제3 잔여 리드 배선(RE_LE13)은 구동 집적 회로(390)로부터 스캔 저전위 전압을 인가받을 수 있다. 제4 잔여 리드 배선(RE_LE14)은 제2 회로 기판(500)으로부터 발광 고전위 전압을 인가받고, 제5 잔여 리드 배선(RE_LE15)은 제2 회로 기판(500)으로부터 발광 저전위 전압을 인가받을 수 있다.
제2 배선층(340)은 복수의 서브 리드 배선(LE11a~LE15a)들을 포함할 수 있다. 복수의 서브 리드 배선(LE11~LE15)들은 비아홀(VIA)을 통해 제2 배선층(340)의 복수의 서브 리드 배선(LE11a~LE15a)들과 연결될 수 있다. 즉, 제1 서브 리드 배선(LE11)은 제6 서브 리드 배선(LE11a)과 전기적으로 연결되고, 제2 서브 리드 배선(LE12)은 제7 서브 리드 배선(LE12a)과 전기적으로 연결되고, 제3 서브 리드 배선(LE13)은 제8 서브 리드 배선(LE13a)과 전기적으로 연결되고, 제4 서브 리드 배선(LE14)은 제9 서브 리드 배선(LE14a)과 전기적으로 연결되고, 제5 서브 리드 배선(LE15)은 제10 서브 리드 배선(LE15a)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제6 서브 리드 배선(LE11a), 제7 서브 리드 배선(LE12a), 및 제8 서브 리드 배선(LE13a)은 구동 집적 회로(390)와 전기적으로 연결되고, 제9 서브 리드 배선(LE14a), 및 제10 서브 리드 배선(LE15a)은 구동 집적 회로(390)와 이격되어 제2 회로 기판(500)과 전기적으로 직접 연결될 수 있다.
제6 서브 리드 배선(LE11a)은 구동 집적 회로(390)로부터 데이터 신호, 및 상기 데이터 제어 신호를 제1 서브 리드 배선(LE11)에 전달하는 역할을 하고, 제7 서브 리드 배선(LE12a)은 구동 집적 회로(390)로부터 스캔 고전위 전압을 제2 서브 리드 배선(LE12)에 전달하는 역할을 하고, 제8 서브 리드 배선(LE13a)은 구동 집적 회로(390)로부터 스캔 저전위 전압을 제3 서브 리드 배선(LE13)에 전달하는 역할을 할 수 있다. 제9 서브 리드 배선(LE14a)은 제2 회로 기판(500)으로부터 발광 고전위 전압을 제4 서브 리드 배선(LE14)에 전달하고, 제10 서브 리드 배선(LE15a)은 발광 저전위 전압을 제5 서브 리드 배선(LE15)에 전달하는 역할을 할 수 있다.
제7 서브 리드 배선(LE12a), 및 제8 서브 리드 배선(LE13a)은 각각 도 6에 도시된 바와 같이, 구동 집적 회로(390)의 제2 방향(DR2) 하측으로부터 연장된 제1 부분, 상기 제1 부분과 연결되고 제1 방향(DR1) 우측으로 연장된 제2 부분, 및 상기 제2 부분과 연결되고 제2 방향(DR2) 상측으로 연장된 제3 부분을 가질 수 있다.
제2 배선층(340)은 복수의 제2 리드 배선(LE21~LE25)들을 더 포함할 수 있다. 복수의 제2 리드 배선(LE21~LE25)들은 제2 회로 기판(500)의 복수의 회로 신호 배선(C_PAD)들과 결합될 수 있다.
제2-1 서브 리드 배선(LE21)은 제2 회로 기판(500)으로부터 데이터 신호, 데이터 제어 신호를 인가받아 구동 집적 회로(390)에 전달하는 역할을 하고, 제2-4 서브 리드 배선(LE24)은 제2 회로 기판(500)으로부터 발광 고전위 전압을 인가받아 제9 서브 리드 배선(LE14a)에 직접 인가하고, 제2-5 서브 리드 배선(LE25)은 제2 회로 기판(500)으로부터 발광 저전위 전압을 인가받아 제10 서브 리드 배선(LE15a)에 직접 인가하는 역할을 할 수 있다.
반면, 제2-2 서브 리드 배선(LE22), 및 제2-3 서브 리드 배선(LE23)은 제2 회로 기판(500)과 물리적으로 결합되되, 제2 회로 기판(500)과 전기적으로 연결되지 않는 더미 리드 배선일 수 있다.
즉, 상술한 바와 같이 일 실시예에 따른 구동 집적 회로(390)는 스캔 고전위 전압, 스캔 저전위 전압, 및 스캔 제어 신호를 생성하여 비표시 영역(NA)에 배치된 게이트 구동부(700)에 전달하는 스캔 구동 회로들이 집적된 게이트 구동칩을 포함하는데, 이 경우 제2 회로 기판(500)에 상기 게이트 구동칩에 상응하는 구조가 없더라도 구동 집적 회로(390)에 내장된 상기 게이트 구동칩을 통해 상기 스캔 고전위 전압, 상기 스캔 저전위 전압 등을 직접 비표시 영역(NA)의 게이트 구동부(700)에 인가할 수 있다.
더욱 구체적으로 설명하면, 제2-2 서브 리드 배선(LE22)은 구동 집적 회로(390)의 제2 방향(DR2) 하측으로 연장된 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)과 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)과 제2 방향(DR2)을 따라 분리되어 배치된 제2-2b 서브 리드 배선(LE22b)을 포함할 수 있다. 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)은 구동 집적 회로(390)와 물리적으로 연결되고, 제2-2b 서브 리드 배선(LE22b)은 제2 회로 기판(500)의 회로 신호 배선과 결합될 수 있다. 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)과 제2-2b 서브 리드 배선(LE22b)은 연결된 상태에서 임의로 커팅되어 서로 분리될 수 있다.
제2-2a 서브 리드 배선(LE22b)은 도 6에 도시된 바와 같이 제7 서브 리드 배선(LE12a)보다 제2 방향(DR2) 하측, 즉 제2 회로 기판(500)을 향해 돌출될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)과 제2-2b 서브 리드 배선(LE22b)의 커팅 위치에 따라 제7 서브 리드 배선(LE12a)은 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)보다 제2 방향(DR2) 하측, 즉 제2 회로 기판(500)을 향해 돌출될 수도 있고, 동일선, 예컨대 제1 방향(DR1)의 연장선 상에 위치할 수 있다.
제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)과 제2-2b 서브 리드 배선(LE22b)은 제2 방향(DR2)을 따라 중첩 배치될 수 있고, 다르게 설명하면 구동 집적 회로(390)로부터 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)의 연장 방향으로 임의의 연장선 상에 제2-2b 서브 리드 배선(LE22b)이 위치할 수 있다.
제2-2b 서브 리드 배선(LE22b)은 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)과 분리되어 배치됨으로써 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a), 및 제2-2b 서브 리드 배선(LE22b)은 실질적으로 통전 기능을 하지 못하는 더미 배선으로 기능할 수 있다.
마찬가지로, 제2-3 서브 리드 배선(LE23)은 구동 집적 회로(390)의 제2 방향(DR2) 하측으로 연장된 제2-3a 서브 리드 배선(LE23a)과 제2-3a 서브 리드 배선(LE23a)과 제2 방향(DR2)을 따라 분리되어 배치된 제2-3b 서브 리드 배선(LE23b)을 포함할 수 있다. 제2-3a 서브 리드 배선(LE23a)은 구동 집적 회로(390)와 물리적으로 연결되고, 제2-3b 서브 리드 배선(LE23b)은 제2 회로 기판(500)의 회로 신호 배선과 결합될 수 있다. 제2-3a 서브 리드 배선(LE23a)과 제2-3b 서브 리드 배선(LE23b)은 연결된 상태에서 임의로 커팅되어 서로 분리될 수 있다.
제2-3a 서브 리드 배선(LE23b)은 도 6에 도시된 바와 같이 제8 서브 리드 배선(LE13a)보다 제2 방향(DR2) 하측, 즉 제2 회로 기판(500)을 향해 돌출될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2-3a 서브 리드 배선(LE23a)과 제2-3b 서브 리드 배선(LE23b)의 커팅 위치에 따라 제8 서브 리드 배선(LE13a)은 제2-3a 서브 리드 배선(LE23a)보다 제2 방향(DR2) 하측, 즉 제2 회로 기판(500)을 향해 돌출될 수도 있고, 동일선, 예컨대 제1 방향(DR1)의 연장선 상에 위치할 수 있다.
제2-3a 서브 리드 배선(LE23a)과 제2-3b 서브 리드 배선(LE23b)은 제2 방향(DR2)을 따라 중첩 배치될 수 있고, 다르게 설명하면 구동 집적 회로(390)로부터 제2-3a 서브 리드 배선(LE23a)의 연장 방향으로 임의의 연장선 상에 제2-3b 서브 리드 배선(LE23b)이 위치할 수 있다.
제2-3b 서브 리드 배선(LE23b)은 제2-3a 서브 리드 배선(LE23a)과 분리되어 배치됨으로써 제2-3a 서브 리드 배선(LE23a), 및 제2-3b 서브 리드 배선(LE23b)은 실질적으로 통전 기능을 하지 못하는 더미 배선으로 기능할 수 있다.
상술한 바와 같이 제2-4 서브 리드 배선(LE24)은 제2 회로 기판(500)에서 인가된 발광 고전위 전압이 인가되는데, 일 실시예의 제1 회로 기판(300)의 경우 제2-3 서브 리드 배선(LE23)의 제2-3a 서브 리드 배선(LE23a) 및 제2-3b 서브 리드 배선(LE23b)이 분리되어 각각 더미 배선으로 기능하기 때문에 제2-4 서브 리드 배선(LE24)과 제2-3 서브 리드 배선(LE23) 간의 전위차에 의한 쇼트를 방지할 수 있다.
마찬가지로, 제2-2 서브 리드 배선(LE22)의 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a) 및 제2-2b 서브 리드 배선(LE22b)이 분리되어 각각 더미 배선으로 기능하기 때문에, 인접한 제2-3 서브 리드 배선(LE23)과의 전위차에 의한 쇼트를 미연에 방지할 수 있다.
도 8은 패널 하부 시트의 하부 절연층을 통해 첨가 이온이 제1 배선층으로 침투하는 것을 나타낸 단면도이고, 도 9 및 도 10은 제1 회로 기판의 제2 배선층의 일부를 커팅함으로써 배선 간 쇼트를 방지하는 것을 나타낸 모식도이다. 도 9는 제1 회로 기판(300)의 제2 배선층(340)의 제2-2 서브 리드 배선(LE22), 및 제2-3 서브 리드 배선(LE23)이 더미 배선으로 형성되지 않고 제2 회로 기판(500)과 전기적으로 연결된 통전 배선으로 형성된 경우를 예시하고, 도 10은 상기한 더미 배선으로 형성된 경우를 예시한다.
도 8 를 참조하면, 상술한 바와 같이 하부 절연층(230)은 절연 기능을 높이는 첨가 이온(FSI)들을 더 포함하여 이루어지는데, 상기한 첨가 이온(FSI)은 고온 고습의 환경에서 외부 습기를 통해 하부 절연층(230)의 외부로 용출될 수 있다. 외부로 용출된 첨가 이온(FSI)은 인접한 제1 회로 기판(300)의 제1 배선층(320), 및 제2 배선층(340)의 부식을 야기할 수 있다. 특히, 도 8에 도시된 바와 같이, 용출된 첨가 이온(FSI)은 제1 회로 기판(300)의 제2 배선층(340)의 노출된 내측면을 통해 제2 배선층(340)의 복수의 서브 리드 배선(LE21~LE25)들로 침투할 수 있다.
도 9를 참조하면, 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)은 스캔 고전위 전압(+V1)이 인가된 상태이고, 제2-3a 서브 리드 배선(LE23a)은 스캔 저전위 전압(-V2)이 인가된 상태이고, 제2-4 서브 리드 배선(LE24)은 발광 고전위 전압(+V3)이 인가된 상태이고, 제2-5 서브 리드 배선(LE25)은 발광 저전위 전압(-V4)이 인가된 상태를 나타낸다. 예를 들어, 스캔 고전위 전압(+V1), 및 발광 고전위 전압(+V3)은 양의 값이고, 스캔 저전위 전압(-V2), 및 발광 저전위 전압(-V4)은 음의 값일 수 있다. 각각의 전압들의 단위는 볼트(V)다.
제2-2a 서브 리드 배선(LE22a), 제2-3a 서브 리드 배선(LE23a), 제2-4 서브 리드 배선(LE24), 및 제2-5 서브 리드 배선(LE25)은 각각 노출면을 통해 침투한 첨가 이온(FSI)로 인해 부식이 진행될 수 있다.
상술한 바와 같이 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)은 스캔 고전위 전압(+V1)이 인가되고, 제2-3a 서브 리드 배선(LE23a)은 스캔 저전위 전압(-V2)이 인가되는데, 부식이 진행된 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)은 주변의 습기를 통해 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)의 구성 물질(이온 형태)가 외부로 용출되고 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)의 구성 물질(이온 형태)은 상기한 첨가 이온(FSI)으로 인해 인접한 제2-3a 서브 리드 배선(LE23a)을 향해 이동할 수 있다. 이로 인해 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a), 및 제2-3a 서브 리드 배선(LE23a) 간에 단락 및/또는 합선이 발생하여 표시 장치(1)의 배선 불량이 발생할 수 있다.
마찬가지로, 제2-4 서브 리드 배선(LE24)은 발광 고전위 전압(+V3)이 인가되는데, 부식이 진행된 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)은 주변의 습기를 통해 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)의 구성 물질(이온 형태)가 외부로 용출되고 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)의 구성 물질(이온 형태)은 상기한 첨가 이온(FSI)으로 인해 인접한 제2-4 서브 리드 배선(LE24)을 향해 이동할 수 있다. 이로 인해 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a), 및 제2-4 서브 리드 배선(LE24) 간에 단락 및/또는 합선이 발생하여 표시 장치(1)의 배선 불량이 발생할 수 있다.
다만, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)의 제1 회로 기판(300)은 도 10에 도시된 바와 같이 제2-2 서브 리드 배선(LE22), 및 제2-3 서브 리드 배선(LE23)이 각각 더미 배선으로 형성되기 때문에 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a), 및 제2-3a 서브 리드 배선(LE23a)은 각각 0V일 수 있다. 이로 인해, 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)과 제2-3a 서브 리드 배선(LE23a) 간, 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)과 제2-4 서브 리드 배선(LE24) 간에 단락 및/또는 합선을 방지하여 표시 장치(1)의 배선 불량을 미연에 방지할 수 있다.
이하, 다른 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서 이미 설명한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조 부호로서 지칭하고, 그 설명을 생략하거나 간략화한다.
도 11은 하부 접착층을 가압하기 위해 제1 및 제2 회로 기판 하부에 가압 장치를 배치한 것을 나타낸 단면도이고, 도 12는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이고, 도 13은 다른 실시예에 따른 제1 회로 기판의 제1 배선층을 나타낸 평면 배치도이고, 도 14는 다른 실시예에 따른 제1 회로 기판의 제2 배선층, 및 구동 집적 회로를 나타낸 평면 배치도이다.
도 11 내지 도 14를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)의 제1 회로 기판(300_1)의 제1 보호 유기층(310_1), 및 제1 배선층(320_1)에 크랙(CRK)이 형성된다는 점에서 일 실시에에 따른 표시 장치(1)와 상이하다.
더욱 구체적으로 설명하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)의 제1 회로 기판(300_1)의 제1 보호 유기층(310_1), 제1 배선층(320_1), 리드 절연층(330_1), 제2 배선층(340_1)에 크랙(CRK)이 형성될 수 있다.
도 11에 도시된 바와 같이 제2 회로 기판(500)의 하부에 가압 장치(800)가 배치된다. 가압 장치(800)는 제2 회로 기판(500)의 하면을 가압하여 모듈간 결합 부재(AM)를 통해 제1 회로 기판(300_1)과 패널 하부 시트(200)를 결합하는 역할을 할 수 있다.
도 12에 도시된 바와 같이 가압 장치(800)로 제2 회로 기판(500)의 하면을 가압하면, 제1 보호 유기층(310_1), 제1 배선층(320_1), 리드 절연층(330_1), 제2 배선층(340_1)에 크랙(CRK)이 형성될 수 있다.
상술한 바와 같이 모듈간 결합 부재(AM)의 내측면은 제1 회로 기판(300)의 내측면보다 외측으로 만입될 수 있다. 다시 말하면, 제1 회로 기판(300)의 내측면은 모듈간 결합 부재(AM)의 내측면보다 내측으로 돌출될 수 있다. 이로 인해, 제1 회로 기판(300)의 모듈간 결합 부재(AM) 대비 내측으로 돌출된 부분은 상부의 패널 하부 시트(200)와 이격 공간(SP)을 사이에 두고 이격되어 배치될 수 있다.
가압 장치(800)로 제2 회로 기판(500)의 하면을 가압하면 제1 회로 기판(300)의 모듈간 결합 부재(AM) 대비 내측으로 돌출된 부분에 의해 제1 보호 유기층(310_1), 제1 배선층(320_1), 리드 절연층(330_1), 제2 배선층(340_1)에 크랙(CRK)이 형성될 수 있다.
제1 보호 유기층(310_1), 제1 배선층(320_1), 리드 절연층(330_1), 제2 배선층(340_1)은 평면상 모듈간 결합 부재(AM)의 내측면 주변에 형성될 수 있다.
상술한 바와 같이 하부 절연층(230)의 상기한 첨가 이온(FSI)은 고온 고습의 환경에서 외부 습기를 통해 하부 절연층(230)의 외부로 용출되고 외부로 용출된 첨가 이온(FSI)은 인접한 제1 회로 기판(300)의 제1 배선층(320_1), 및 제2 배선층(340_1)의 부식을 야기할 수 있다. 제1 보호 유기층(310_1), 제1 배선층(320_1), 리드 절연층(330_1), 제2 배선층(340_1)의 크랙(CRK)이 형성될 경우 상술한 제1 회로 기판(300)의 제1 배선층(320_1), 및 제2 배선층(340_1)의 노출된 내측면뿐만 아니라, 제1 배선층(320_1), 및 제2 배선층(340_1)의 패널 하부 시트(200)를 바라보는 표면을 통해서도 첨가 이온(FSI)이 침투할 수 있다. 이로 인해, 제1 배선층(320_1)의 복수의 잔여 리드 배선의 커팅 라인(CTL)과 인접한 부분들, 및 제2 배선층(340_1)의 복수의 제2 리드 배선들이 점차적으로 부식될 수 있다.
도 9 및 도 10에서 상술한 바와 같이 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)은 스캔 고전위 전압(+V1)이 인가되고, 제2-3a 서브 리드 배선(LE23a)은 스캔 저전위 전압(-V2)이 인가되는데, 부식이 진행된 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)은 주변의 습기를 통해 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)의 구성 물질(이온 형태)가 외부로 용출되고 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)의 구성 물질(이온 형태)은 상기한 첨가 이온(FSI)으로 인해 인접한 제2-3a 서브 리드 배선(LE23a)을 향해 이동할 수 있다. 이로 인해 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a), 및 제2-3a 서브 리드 배선(LE23a) 간에 단락 및/또는 합선이 발생하여 표시 장치(2)의 배선 불량이 발생할 수 있다.
마찬가지로, 제2-4 서브 리드 배선(LE24)은 발광 고전위 전압(+V3)이 인가되는데, 부식이 진행된 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)은 주변의 습기를 통해 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)의 구성 물질(이온 형태)가 외부로 용출되고 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)의 구성 물질(이온 형태)은 상기한 첨가 이온(FSI)으로 인해 인접한 제2-4 서브 리드 배선(LE24)을 향해 이동할 수 있다. 이로 인해 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a), 및 제2-4 서브 리드 배선(LE24) 간에 단락 및/또는 합선이 발생하여 표시 장치(2)의 배선 불량이 발생할 수 있다.
다만, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)의 제1 회로 기판(300_1)은 도 10에 도시된 바와 같이 제2-2 서브 리드 배선(LE22), 및 제2-3 서브 리드 배선(LE23)이 각각 더미 배선으로 형성되기 때문에 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a), 및 제2-3a 서브 리드 배선(LE23a)은 각각 0V일 수 있다. 이로 인해, 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)과 제2-3a 서브 리드 배선(LE23a) 간, 제2-2a 서브 리드 배선(LE22a)과 제2-4 서브 리드 배선(LE24) 간에 단락 및/또는 합선을 방지하여 표시 장치(2)의 배선 불량을 미연에 방지할 수 있다.
도 15는 또 다른 실시예에 따른 제1 회로 기판의 제2 배선층, 및 구동 집적 회로를 나타낸 평면 배치도이다.
도 15를 참조하면, 본 실시예에 따른 제1 회로 기판(300_2)은 제2 리드 배선 중 제2-2 리드 배선(LE22)과 제2-3 리드 배선(LE23)이 배치되지 않았다는 점에서 일 실시예에 따른 제1 회로 기판(300)과 상이하다.
더욱 구체적으로 설명하면, 본 실시예에 따른 제1 회로 기판(300_2)은 제2 리드 배선 중 제2-2 리드 배선(LE22)과 제2-3 리드 배선(LE23)이 배치되지 않을 수 있다. 이로 인해, 제2-2 리드 배선(LE22) 및 제2-3 리드 배선(LE23)의 커팅 공정을 거치지 않고, 제2-2 리드 배선(LE22)과 제2-3 리드 배선(LE23), 및 제2-3 리드 배선(LE23)과 제2-4 리드 배선(LE24) 간의 단락 및/또는 합선을 방지할 수 있다.
도 16은 또 다른 실시예에 따른 제1 회로 기판의 제1 배선층을 나타낸 평면 배치도이다.
도 16을 참조하면, 본 실시예에 따른 제1 회로 기판(300_3)은 제4 서브 리드 배선(LE14)이 제4 잔여 리드 배선(RE_LE14_1)과 물리적으로 분리되고, 제5 서브 리드 배선(LE15)이 제5 잔여 리드 배선(RE_LE15_1)과 물리적으로 분리되어 각각 전기적으로 절연된다는 점에서 일 실시예에 따른 제1 회로 기판(300)과 상이하다.
더욱 구체적으로 설명하면, 본 실시예에 따른 제1 회로 기판(300_3)은 제4 서브 리드 배선(LE14)이 제4 잔여 리드 배선(RE_LE14_1)과 물리적으로 분리되고, 제5 서브 리드 배선(LE15)이 제5 잔여 리드 배선(RE_LE15_1)과 물리적으로 분리되어 각각 전기적으로 절연될 수 있다.
상술한 바와 같이 제4 잔여 리드 배선과 제5 잔여 리드 배선에는 각각 발광 고전위 전압, 발광 저전위 전압이 인가되는데, 본 실시예와 같이 제4 서브 리드 배선(LE14)이 제4 잔여 리드 배선(RE_LE14_1)과 물리적으로 분리되고, 제5 서브 리드 배선(LE15)이 제5 잔여 리드 배선(RE_LE15_1)과 물리적으로 분리됨으로써 제4 잔여 리드 배선(RE_LE14_1)과 제5 잔여 리드 배선(RE_LE15_1) 간의 단락 및 합선을 미연에 방지할 수 있다. 나아가, 제3 잔여 리드 배선(RE_LE13)에는 스캔 저전위 전압이 인가되는데, 제4 잔여 리드 배선(RE_LE14_1)이 더미 배선으로 기능하기 때문에, 제4 잔여 리드 배선(RE_LE14_1)과 제3 잔여 리드 배선(RE_LE13) 간의 단락 및 합선도 미연에 방지할 수 있다.
도 17은 또 다른 실시예에 따른 제1 회로 기판의 제2 배선층, 및 구동 집적 회로를 나타낸 평면 배치도이고, 도 18은 또 다른 실시예에 따른 제1 회로 기판의 제1 배선층을 나타낸 평면 배치도이다.
도 17 및 도 18을 참조하면, 본 실시예에 따른 제1 회로 기판(300_4)은 제4 서브 리드 배선(LE14)과 제4 잔여 리드 배선(RE_LE14_1) 만이 분리되고 제5 서브 리드 배선(LE15)과 제5 잔여 리드 배선(RE_LE15)은 서로 분리되지 않았다는 점에서 도 16에 따른 제1 회로 기판(300_3)과 상이하다.
더욱 구체적으로 설명하면, 본 실시예에 따른 제1 회로 기판(300_4)은 제5 서브 리드 배선(LE15)을 사이에 두고 제4 서브 리드 배선(LE14)과 이격된 제11 서브 리드 배선(LE16), 및 제11 서브 리드 배선(LE16)을 사이에 두고 제5 서브 리드 배선(LE15)과 이격된 제12 서브 리드 배선(LE17)을 더 포함할 수 있다. 제11 서브 리드 배선(LE16)은 제4 서브 리드 배선(LE14)과 실질적으로 동일한 기능을 하고, 제12 서브 리드 배선(LE17)은 제5 서브 리드 배선(LE15)과 실질적으로 동일한 기능을 할 수 있다.
마찬가지로 제1 회로 기판(300_4)은 제11 서브 리드 배선(LE16)과 제2 방향(DR2)을 따라 인접한 제6 잔여 리드 배선(RE_LE16_1), 및 제12 서브 리드 배선(LE17)과 제2 방향(DR2)을 따라 인접한 제7 잔여 리드 배선(RE_LE17_1)을 포함할 수 있다.
또한, 제10 서브 리드 배선(LE15a)을 사이에 두고 제9 서브 리드 배선(LE14a)과 이격된 제13 서브 리드 배선(LE16a), 및 제13 서브 리드 배선(LE16a)을 사이에 두고 제10 서브 리드 배선(LE15a)과 이격된 제14 서브 리드 배선(LE17a)을 더 포함하고, 제1 회로 기판(300_4)은 제13 서브 리드 배선(LE16a)과 제2 방향(DR2)을 따라 인접한 제2-6 서브 리드 배선(LE26), 및 제14 서브 리드 배선(LE17a)과 제2 방향(DR2)을 따라 인접한 제2-7 서브 리드 배선(LE27)을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 제4 서브 리드 배선(LE14), 및 제11 서브 리드 배선(LE16)은 각각 제2 방향(DR2)으로 인접한 제4 잔여 리드 배선(RE_LE14_1) 및 제6 잔여 리드 배선(RE_LE16)과 물리적으로 분리될 수 있다. 이에 제4 잔여 리드 배선(RE_LE14_1) 및 제6 잔여 리드 배선(RE_LE16)은 각각 더미 배선으로 기능할 수 있는 반면, 제5 서브 리드 배선(LE15)과 제5 잔여 리드 배선(RE_LE15)은 물리적으로 연결되어 있어 전기적으로 연결되고 제7 서브 리드 배선(LE17)과 제7 잔여 리드 배선(RE_LE17)은 물리적으로 연결되어 있어 전기적으로 연결될 수 있다.
제4 서브 리드 배선(LE14), 및 제11 서브 리드 배선(LE16)은 각각 제2 방향(DR2)으로 인접한 제4 잔여 리드 배선(RE_LE14_1) 및 제6 잔여 리드 배선(RE_LE16)과 물리적으로 분리됨으로써 제5 잔여 리드 배선(RE_LE15)과 제7 잔여 리드 배선(RE_LE17) 간의 단락 및 합선을 미연에 방지할 수 있다.
몇몇 실시예에서 스캔 고전위 전압이 인가된 서브 리드 배선 중 일부는 상술한 바와 같이 제2 방향(DR2) 인접한 잔여 리드 배선과 전기적으로 절연되고 다른 일부는 이와 달리 제2 방향(DR2) 인접한 잔여 리드 배선과 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 모든 스캔 고전위 전압이 인가된 서브 리드 배선이 제2 방향(DR2) 인접한 잔여 리드 배선과 전기적으로 절연되어 있지 않을 수 있다.
도 19는 또 다른 실시예에 따른 제1 회로 기판의 제2 배선층, 및 구동 집적 회로를 나타낸 평면 배치도이고, 도 20은 또 다른 실시예에 따른 제1 회로 기판의 제1 배선층을 나타낸 평면 배치도이다.
도 19 및 도 20을 참조하면, 본 실시예에 따른 제1 회로 기판(300_5)은 제4 서브 리드 배선(LE14)과 제9 서브 리드 배선(LE14a)을 연결하는 비아홀(VIA), 제6 서브 리드 배선(LE16)과 제11 서브 리드 배선(LE16a)을 연결하는 비아홀(VIA)이 각각 제5 서브 리드 배선(LE15)과 제10 서브 리드 배선(LE15a)을 연결하는 제1 비아홀(VIA_1), 및 제7 서브 리드 배선(LE17)과 제12 서브 리드 배선(LE17a)을 연결하는 제1 비아홀(VIA_1)보다 제2 회로 기판(500)으로부터 멀리 떨어져 있다는 점에서 도 17 및 도 18에 따른 실시예와 상이하다.
더욱 구체적으로 설명하면, 본 실시예에 따른 제1 회로 기판(300_5)은 제5 서브 리드 배선(LE15)과 제10 서브 리드 배선(LE15a)을 연결하는 제1 비아홀(VIA_1), 및 제7 서브 리드 배선(LE17)과 제12 서브 리드 배선(LE17a)을 연결하는 제1 비아홀(VIA_1)이 각각 제4 서브 리드 배선(LE14)과 제9 서브 리드 배선(LE14a)을 연결하는 비아홀(VIA), 제6 서브 리드 배선(LE16)과 제11 서브 리드 배선(LE16a)을 연결하는 비아홀(VIA)보다 평면상 제2 회로 기판(500)으로부터 가깝게 위치할 수 있다.
이로 인해, 인접한 비아홀(VIA), 및 제1 비아홀(VIA_1) 간에 발생하는 단락 및 합선의 위험성을 줄일 수 있다.
나아가, 제4 서브 리드 배선(LE14), 및 제11 서브 리드 배선(LE16)은 각각 제2 방향(DR2)으로 인접한 제4 잔여 리드 배선(RE_LE14_1) 및 제6 잔여 리드 배선(RE_LE16)과 물리적으로 분리됨으로써 제5 잔여 리드 배선(RE_LE15)과 제7 잔여 리드 배선(RE_LE17) 간의 단락 및 합선을 미연에 방지할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 표시 패널
200: 하부 패널 시트
300: 제1 회로 기판
500: 제2 회로 기판

Claims (20)

  1. 표시 영역, 및 상기 표시 영역 주변에 배치된 패널 패드 영역을 포함하는 표시 패널;
    일단이 상기 패널 패드 영역에 부착된 제1 회로 기판; 및
    상기 제1 회로 기판의 타단에 부착된 제2 회로 기판을 포함하고,
    상기 패널 패드 영역은 복수의 패널 신호 배선을 포함하고,
    상기 제2 회로 기판은 복수의 회로 신호 배선을 포함하고,
    상기 제1 회로 기판은 상기 복수의 패널 신호 배선과 결합된 제1 배선층,
    상기 제1 배선층 상에 배치되고 비아홀을 포함하는 절연층,
    상기 절연층 상에 배치된 제2 배선층으로서 상기 비아홀을 통해 상기 제1 배선층과 전기적으로 연결된 제2 배선층, 및
    상기 제2 배선층 상에 배치되고 상기 제2 배선층과 전기적으로 연결된 구동 집적 회로를 포함하고,
    상기 제2 배선층은 상기 복수의 회로 신호 배선과 상기 구동 집적 회로를 연결하는 복수의 제1 리드 배선, 및 상기 복수의 패널 신호 배선과 상기 구동 집적 회로를 연결하는 복수의 제2 리드 배선을 포함하고,
    상기 복수의 제2 리드 배선은 상기 구동 집적 회로로부터 스캔 고전위 전압 신호를 상기 패널 신호 배선에 제공하도록 구성된 제2-1 서브 리드 배선, 및 상기 구동 집적 회로로부터 스캔 저전위 전압 신호를 상기 패널 신호 배선에 제공하도록 구성된 제2-2 서브 리드 배선을 포함하고,
    상기 복수의 제1 리드 배선은 상기 구동 집적 회로와 물리적으로 연결된 제1-1 서브 리드 배선, 상기 제1-1 서브 리드 배선으로부터 제1 방향을 따라 분리된 제1-1-1 서브 리드 배선, 상기 제1-1 서브 리드 배선의 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 이격 배치된 제1-2 서브 리드 배선, 및 상기 제1-2 서브 리드 배선의 상기 제2 방향을 따라 이격 배치된 제1-2-1 서브 리드 배선을 포함하고,
    상기 제1 방향은 상기 제1 리드 배선으로부터 상기 제2 회로 기판을 바라보는 방향인 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1-1 서브 리드 배선은 상기 제2-1 서브 리드 배선보다 상기 제2 방향으로 돌출되고,
    상기 제1-2 서브 리드 배선은 상기 제2-2 서브 리드 배선보다 상기 제2 방향으로 돌출된 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1-1 서브 리드 배선은 상기 제1-1-1 서브 리드 배선과 전기적으로 분리되고,
    상기 제1-2 서브 리드 배선은 상기 제1-2-1 서브 리드 배선과 전기적으로 분리된 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 복수의 제1 리드 배선은 상기 제1-1 서브 리드 배선과 상기 제1-2 서브 리드 배선의 상기 제1 방향 일측에 배치된 제1-3 서브 리드 배선, 및 상기 제1 방향 타측에 배치된 제1-4 서브 리드 배선과 제1-5 서브 리드 배선을 포함하고,
    상기 제1-3 서브 리드 배선은 상기 회로 신호 배선과 상기 구동 집적 회로를 전기적으로 연결하고,
    상기 제1-4 서브 리드 배선과 상기 제1-5 서브 리드 배선은 상기 회로 신호 배선과 상기 제2 리드 배선을 전기적으로 연결하는 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제1-4 서브 리드 배선은 상기 제2 회로 기판으로부터 고전위 전압 신호를 상기 패널 신호 배선에 제공하도록 구성되고,
    상기 제1-5 서브 리드 배선은 상기 제2 회로 기판으로부터 저전위 전압 신호를 상기 패널 신호 배선에 제공하도록 구성된 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 복수의 제2 리드 배선은 상기 제2-1 서브 리드 배선과 상기 제2-2 서브 리드 배선의 상기 제1 방향 일측에 배치된 제2-3 서브 리드 배선, 및 상기 제1 방향 타측에 배치된 제2-4 서브 리드 배선과 제2-5 서브 리드 배선을 포함하고,
    상기 제2-3 서브 리드 배선은 상기 구동 집적 회로와 전기적으로 연결되고, 상기 제2-4 서브 리드 배선은 상기 제1-4 서브 리드 배선과 전기적으로 연결되고,
    상기 제2-5 서브 리드 배선은 상기 제1-5 서브 리드 배선과 전기적으로 연결되는 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 배선층은 복수의 제3 리드 배선을 포함하고,
    상기 복수의 제3 리드 배선은 상기 제2-1 서브 리드 배선과 연결된 제3-1 서브 리드 배선, 상기 제2-2 서브 리드 배선과 연결된 제3-2 서브 리드 배선, 상기 제2-3 서브 리드 배선과 연결된 제3-3 서브 리드 배선, 상기 제2-4 서브 리드 배선과 연결된 제3-4 서브 리드 배선, 상기 제2-5 서브 리드 배선과 연결된 제3-5 서브 리드 배선, 상기 제3-1 서브 리드 배선, 및 상기 제3-1 서브 리드 배선과 상기 제2 방향을 따라 이격되어 전기적으로 분리된 제3-1-1 서브 리드 배선을 포함하는 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 비아홀은 상기 제3-1 서브 리드 배선과 상기 제2-1 서브 리드 배선을 연결하는 제1 비아홀, 및 상기 제3-2 서브 리드 배선과 상기 제2-2 서브 리드 배선을 연결하는 제2 비아홀을 포함하고,
    평면상 상기 제2 비아홀은 상기 제1 비아홀보다 상기 제2 회로 기판에 더 가깝게 위치하는 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 제2-1 서브 리드 배선은 고전위 게이트 배선(VGHL)이고, 상기 제2-2 서브 리드 배선은 저전위 게이트 배선(VGLL)인 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 표시 패널의 하부에 배치된 패널 하부 시트를 더 포함하되,
    상기 패널 하부 시트는 상기 표시 패널의 하부에 배치된 메탈층, 상기 메탈층 하부에 배치된 하부 절연층을 포함하고,
    상기 제1 회로 기판은 표시면의 반대 방향으로 벤딩되어 상기 하부 절연층 하부에 배치된 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 메탈층은 정전기 차폐층인 표시 장치.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 하부 절연층은 불소 이온, 또는 황 이온을 포함하는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 회로 기판은 상기 하부 절연층과 상기 제1 배선층 사이에 배치된 제1 보호 유기층, 및 상기 제2 배선층 상에 배치된 제2 보호 유기층을 더 포함하고,
    상기 제1 보호 유기층은 상기 제1 리드 배선의 상면을 부분적으로 노출하는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 보호 유기층, 상기 제1 배선층, 상기 절연층, 상기 제2 배선층, 및 상기 제2 보호 유기층의 내측면들은 두께 방향으로 정렬되고 상기 내측면들은 노출된 표시 장치.
  15. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 보호 유기층과 상기 하부 절연층 사이에 배치되어 상기 패널 하부 시트와 상기 제1 회로 기판을 결합시키는 모듈 접착 부재를 더 포함하는 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 회로 기판의 내측면은 상기 모듈 접착 부재의 내측면보다 내측으로 돌출된 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    평면상 상기 모듈 접착 부재의 상기 내측면 주변에서 상기 제1 배선층 및/또는 상기 제1 보호 유기층은 표면 크랙을 포함하는 표시 장치.
  18. 제1 배선층;
    상기 제1 배선층 상에 배치되고 비아홀을 포함하는 절연층;
    상기 절연층 상에 배치된 제2 배선층으로서 상기 비아홀을 통해 상기 제1 배선층과 전기적으로 연결된 제2 배선층; 및
    상기 제2 배선층 상에 배치되고 상기 제2 배선층과 전기적으로 연결된 구동 집적 회로를 포함하고,
    상기 제2 배선층은 상기 구동 집적 회로의 일 방향 일측에 위치하여 상기 구동 집적 회로와 연결되고 상기 일 방향에 교차하는 타 방향을 따라 이격된 복수의 제1 리드 배선, 및 상기 구동 집적 회로의 상기 일 방향 타측에 위치하여 상기 구동 집적 회로와 연결되는 복수의 제2 리드 배선을 포함하고,
    상기 복수의 제1 리드 배선은 제1-1 서브 리드 배선, 제1-2 서브 리드 배선, 상기 제1-1 서브 리드 배선과 상기 일 방향으로 이격 배치된 제1-1-1 서브 리드 배선, 및 상기 제1-2 서브 리드 배선과 상기 일 방향으로 이격 배치된 제1-2-1 서브 리드 배선을 포함하고,
    상기 복수의 제2 리드 배선은 상기 구동 집적 회로로부터 스캔 고전위 전압 신호를 표시 패널에 제공하도록 구성된 제2-1 서브 리드 배선, 및 상기 구동 집적 회로로부터 스캔 저전위 전압 신호를 상기 표시 패널에 제공하도록 구성된 제2-2 서브 리드 배선을 포함하고,
    상기 복수의 제1 리드 배선은 상기 구동 집적 회로와 물리적으로 연결된 제1-1 서브 리드 배선, 상기 제1-1 서브 리드 배선으로부터 제1 방향을 따라 분리된 제1-1-1 서브 리드 배선, 상기 제1-1 서브 리드 배선의 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 이격 배치된 제1-2 서브 리드 배선, 및 상기 제1-2 서브 리드 배선의 상기 제2 방향을 따라 이격 배치된 제1-2-1 서브 리드 배선을 포함하고,
    상기 제1 방향은 상기 구동 집적 회로로부터 상기 제1 리드 배선을 향하는 방향인 인쇄 회로 기판.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 제1-1 서브 리드 배선은 상기 제1-1-1 서브 리드 배선과 전기적으로 분리되고,
    상기 제1-2 서브 리드 배선은 상기 제1-2-1 서브 리드 배선과 전기적으로 분리된 인쇄 회로 기판.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 복수의 제1 리드 배선은 상기 제1-1 서브 리드 배선과 상기 제1-2 서브 리드 배선의 상기 제1 방향 일측에 배치된 제1-3 서브 리드 배선, 및 상기 제1 방향 타측에 배치된 제1-4 서브 리드 배선과 제1-5 서브 리드 배선을 포함하고,
    상기 제1-4 서브 리드 배선은 고전위 전압 신호를 상기 표시 패널에 제공하도록 구성되고,
    상기 제1-5 서브 리드 배선은 저전위 전압 신호를 상기 표시 패널에 제공하도록 구성된 인쇄 회로 기판.
KR1020190035855A 2019-03-28 2019-03-28 표시 장치 KR20200115861A (ko)

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