KR20200130550A - 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents
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- H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
-
- G02F2001/13456—
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract
표시 장치가 제공된다. 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역 주변에 위치하는 패드 영역을 포함하는 표시 기판, 및 상기 표시 기판 상의 상기 패드 영역에 배치된 복수의 신호 배선을 포함하는 표시 패널; 상기 표시 기판의 상기 패드 영역에 부착되는 베이스 필름, 상기 베이스 필름 상에 배치되고 상기 복수의 신호 배선과 접속되는 복수의 리드 배선, 및 인접한 상기 복수의 리드 배선 사이에 배치된 제1 경화성 패턴을 포함하고, 상기 제1 경화성 패턴의 상기 베이스 필름의 표면을 기준으로의 표면 높이는 상기 복수의 리드 배선의 상기 베이스 필름의 표면을 기준으로의 표면 높이보다 작다.
Description
본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 데이터를 시각적으로 표시하는 장치이다. 이러한 표시 장치는 표시 영역과 비표시 영역으로 구획된 기판을 포함한다. 상기 표시 영역에서 상기 기판 상에는 복수의 화소가 배치되며, 상기 비표시 영역에서 상기 기판 상에는 복수의 패드(pad) 등이 배치된다. 상기 복수의 패드에는 구동 회로 등이 장착된 가요성 필름(COF Film) 등이 결합되어 상기 화소에 구동 신호를 전달한다.
상기 가요성 필름은 상기 복수의 패드와 결합되는 복수의 리드들을 포함하고, 각 리드는 서로 분리된 패드에 본딩될 수 있다. 상기 본딩은 초음파 본딩 공정으로 이루어질 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 리드와 인쇄 회로 기판의 베이스 필름 간의 박리를 방지할 수 있는 표시 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역 주변에 위치하는 패드 영역을 포함하는 표시 기판, 및 상기 표시 기판 상의 상기 패드 영역에 배치된 복수의 신호 배선을 포함하는 표시 패널; 상기 표시 기판의 상기 패드 영역에 부착되는 베이스 필름, 상기 베이스 필름 상에 배치되고 상기 복수의 신호 배선과 접속되는 복수의 리드 배선, 및 인접한 상기 복수의 리드 배선 사이에 배치된 제1 경화성 패턴을 포함하고, 상기 제1 경화성 패턴의 상기 베이스 필름의 표면을 기준으로의 표면 높이는 상기 복수의 리드 배선의 상기 베이스 필름의 표면을 기준으로의 표면 높이보다 작다.
상기 제1 경화성 패턴은 상기 상기 표시 기판과 이격될 수 있다.
상기 제1 경화성 패턴은 상기 베이스 필름의 표면, 및 인접한 상기 리드 배선의 측면의 적어도 일부와 접할 수 있다.
상기 제1 경화성 패턴은 상기 베이스 필름의 표면, 및 인접한 상기 리드 배선의 측면의 적어도 일부와 결합될 수 있다.
상기 표시 기판 상의 인접한 상기 신호 배선 사이에 배치된 제2 경화성 패턴을 더 포함하고, 상기 제2 경화성 패턴은 상기 제1 경화성 패턴과 일부가 접하고, 다른 일부가 이격되어 사이에 보이드를 형성할 수 있다.
상기 제1 경화성 패턴은 상기 리드 배선의 측면의 하단부를 노출하고, 상기 제2 경화성 패턴은 상기 리드 배선의 노출된 측면의 하단부와 접할 수 있다.
상기 제1 경화성 패턴은 상기 리드 배선의 상기 신호 배선의 상면과 대향하는 하면, 및 상기 신호 배선의 상면과 접할 수 있다.
상기 제1 경화성 패턴, 및 상기 제2 경화성 패턴은 각각 경화성 수지를 포함하고, 상기 제1 경화성 패턴의 제1 평균 경화율은 상기 제2 경화성 패턴의 제2 평균 경화율보다 클 수 있다.
상기 제2 경화성 패턴은 상기 제1 경화성 패턴보다 상기 표시 영역에 더 가깝게 확장될 수 있다.
상기 표시 기판 상에 배치되고, 인접한 상기 신호 배선 사이에 배치된 유기 절연 패턴을 더 포함하고, 상기 제2 경화성 패턴은 상기 유기 절연 패턴과 상기 제1 경화성 패턴 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1 경화성 패턴의 상기 유기 절연 패턴을 바라보는 하면은 제1 거칠기를 갖는 제1 하면, 및 상기 제1 거칠기보다 큰 제2 거칠기를 갖는 제2 하면을 포함하고, 상기 제2 하면은 상기 유기 절연 패턴의 상면과 두께 방향으로 중첩 배치될 수 있다.
상기 제1 경화성 패턴의 상기 제2 하면, 및 상기 유기 절연 패턴의 상기 상면은 스크레치를 포함할 수 있다.
상기 신호 배선과 상기 리드 배선은 직접 접속될 수 있다.
상기 신호 배선과 상기 리드 배선은 초음파 접합될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 베이스 필름 상에 배치된 인접한 리드 배선 사이에 상기 리드 배선의 표면 높이보다 작은 표면 높이를 갖는 제1 경화성 수지를 도포하는 단계; 도포된 상기 제1 경화성 수지를 경화시켜 제1 경화성 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 표시 기판 상에 배치된 신호 배선과 상기 리드 배선을 결합하는 단계를 포함한다.
상기 표시 기판 상에 배치된 신호 배선과 상기 리드 배선을 결합하는 단계는 상기 신호 배선과 상기 리드 배선을 직접 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 신호 배선과 상기 리드 배선을 직접 접촉시키는 단계는 상기 신호 배선과 상기 리드 배선을 초음파 접합시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 경화성 패턴을 형성하는 단계 UV 레이저를 이용하여 상기 제1 경화성 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 표시 기판 상에 배치된 신호 배선과 상기 리드 배선을 결합하는 단계 후에, 제2 경화성 수지를 도포하는 단계를 포함할 수 있다.
제2 경화성 수지를 도포한 후에, 상기 제1 경화성 패턴, 및 상기 제2 경화성 수지를 동시에 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의한 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 의하면 리드와 인쇄 회로 기판의 베이스 필름 간의 박리를 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면 배치도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 패드 영역의 평면 배치도 및 인쇄 회로 기판의 부분 평면 배치도이다.
도 4는 표시 패널의 패드 영역 및 패드 영역에 부착된 인쇄 회로 기판의 개략적인 평면 배치도이다.
도 5는 도 4의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 6는 도 5의 VI- VI' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 7는 도 5의 Ⅶ-Ⅶ' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 8은 도 7의 B 영역을 확대한 도면이다.
도 9는 초음파 본딩 공정 중 초음파 장치의 진동 전달부가 인쇄 회로 기판에 하중을 인가하는 것을 나타낸 단면도이다.
도 10은 초음파 본딩 공정 후 초음파 장치의 진동 전달부를 인쇄 회로 기판으로부터 떼어내는 것을 나타낸 단면도이다.
도 11은 다른 실시예에 따른 표시 패널의 패드 영역 및 패드 영역에 부착된 인쇄 회로 기판의 단면도이다.
도 12는 도 11의 C 영역을 확대한 도면이다.
도 13은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법의 순서도이다.
도 14 내지 도 18은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법의 공정 단계별 단면도이다.
도 19는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면 배치도이다.
도 20은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 패드 영역의 평면 배치도 및 인쇄 회로 기판의 부분 평면 배치도이다.
도 4는 표시 패널의 패드 영역 및 패드 영역에 부착된 인쇄 회로 기판의 개략적인 평면 배치도이다.
도 5는 도 4의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 6는 도 5의 VI- VI' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 7는 도 5의 Ⅶ-Ⅶ' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 8은 도 7의 B 영역을 확대한 도면이다.
도 9는 초음파 본딩 공정 중 초음파 장치의 진동 전달부가 인쇄 회로 기판에 하중을 인가하는 것을 나타낸 단면도이다.
도 10은 초음파 본딩 공정 후 초음파 장치의 진동 전달부를 인쇄 회로 기판으로부터 떼어내는 것을 나타낸 단면도이다.
도 11은 다른 실시예에 따른 표시 패널의 패드 영역 및 패드 영역에 부착된 인쇄 회로 기판의 단면도이다.
도 12는 도 11의 C 영역을 확대한 도면이다.
도 13은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법의 순서도이다.
도 14 내지 도 18은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법의 공정 단계별 단면도이다.
도 19는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면 배치도이다.
도 20은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다른 형태로 구현될 수도 있다. 즉, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위 뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
명세서 전체를 통하여 동일하거나 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면 배치도이고, 도 2는 도 1의 표시 장치의 단면도이고, 도 3은 패드 영역의 평면 배치도 및 인쇄 회로 기판의 부분 평면 배치도이고, 도 4는 표시 패널의 패드 영역 및 패드 영역에 부착된 인쇄 회로 기판의 개략적인 평면 배치도이고, 도 5는 도 4의 A 영역을 확대한 도면이고, 도 6는 도 5의 VI- VI' 선을 따라 자른 단면도이고, 도 7는 도 5의 Ⅶ-Ⅶ' 선을 따라 자른 단면도이고, 도 8은 도 7의 B 영역을 확대한 도면이다.
표시 장치(1)는 동영상이나 정지영상을 표시하는 장치로서, 표시 장치는 모바일 폰, 스마트 폰, 태블릿 PC(Personal Computer), 및 스마트 워치, 워치 폰, 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(Portable Multimedia PCAyer), 네비게이션, UMPC(Ultra Mobile PC) 등과 같은 휴대용 전자 기기 뿐만 아니라 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷 등의 다양한 제품의 표시 화면으로 사용될 수 있다.
도 1 내지 도 8을 참조하면, 표시 장치(1)는 화상을 표시하는 표시 패널(100), 표시 패널(100)에 연결되는 인쇄 회로 기판(300) 및 인쇄 회로 기판(300)에 연결된 메인 회로 보드(500)를 포함할 수 있다.
표시 패널(100)은 예를 들어, 유기 발광 표시 패널이 적용될 수 있다. 이하의 실시예에서는 표시 패널(100)로서 유기 발광 표시 패널이 적용된 경우를 예시하지만, 이에 제한되지 않고, 액정 디스플레이(LCD), 퀀텀닷 유기 발광 표시 패널(QD-OLED), 퀀텀닷 액정 디스플레이(QD-LCD), 퀀텀 나노 발광 표시 패널(Nano NED), 마이크로 엘이디(Micro LED) 등 다른 종류의 표시 패널이 적용될 수도 있다.
표시 패널(100)은 복수의 화소 영역을 포함하는 표시 영역(DA), 표시 영역(DA)의 주변에 배치된 비표시 영역(NA)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 평면상 모서리가 수직인 직사각형 또는 모서리가 둥근 직사각형 형상일 수 있다. 표시 영역(DA)은 단변과 장변을 가질 수 있다. 표시 영역(DA)의 단변은 제1 방향(DR1)으로 연장된 변일 수 있다. 표시 영역(DA)의 장변은 제2 방향(DR2)으로 연장된 변일 수 있다. 다만, 표시 영역(DA)의 평면 형상은 직사각형에 제한되는 것은 아니고, 원형, 타원형이나 기타 다양한 형상을 가질 수 있다. 비표시 영역(NA)은 표시 영역(DA)의 양 단변 및 양 장변에 인접 배치될 수 있다. 이 경우, 표시 영역(DA)의 모든 변을 둘러싸고, 표시 영역(DA)의 테두리를 구성할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 비표시 영역(NA)은 표시 영역(DA)의 양 단변 또는 양 장변에만 인접 배치될 수도 있다.
표시 패널(100)의 비표시 영역(NA)은 패널 패드 영역(P_PA)을 더 포함한다. 패널 패드 영역(P_PA)은 예를 들어, 표시 영역(DA)의 일측 단변 주변에 배치될 수 있지만, 이에 제한되지 않고 표시 영역(DA)의 양 단변 주변에 배치되거나 표시 영역(DA)의 양 단변 및 양 장변 주변에 배치될 수 있다.
인쇄 회로 기판(300)은 인쇄 베이스 필름(310)(또는 베이스 필름)및 인쇄 베이스 필름(310) 상에 배치된 구동 집적 회로(390)를 포함할 수 있다. 인쇄 베이스 필름(310)은 절연 물질을 포함하여 이루어질 수 있다.
인쇄 회로 기판(300)은 일측이 표시 패널(100)의 패널 패드 영역(P_PA)에 부착되는 제1 회로 영역(CA1), 제1 회로 영역(CA1)의 제2 방향(DR2) 일측에 배치된 제2 회로 영역(CA2), 및 제2 회로 영역(CA2)의 제2 방향(DR2) 일측에 배치되고 메인 회로 보드(500)가 부착된 제3 회로 영역(CA3)을 포함할 수 있다. 구동 집적 회로(390)는 인쇄 회로 기판(300)의 제2 회로 영역(CA2)의 일면 상에 배치될 수 있다. 구동 집적 회로(390)는 예를 들어, 데이터 구동 집적 회로일 수 있고, 데이터 구동 칩으로 구현된 칩 온 필름(Chip on film, COF) 방식이 적용될 수 있다.
메인 회로 보드(500)는 인쇄 회로 기판(300)의 제3 회로 영역(CA3)에 부착되는 회로 패드 영역을 포함할 수 있다. 메인 회로 보드(500)의 상기 회로 패드 영역에는 복수의 회로 패드들이 배치되어 인쇄 회로 기판(300)의 제3 회로 영역(CA3)에 배치된 리드 배선들과 접속될 수 있다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는 표시 패널(100)의 하부에 배치된 패널 하부 시트(200)를 더 포함한다. 패널 하부 시트(200)는 표시 패널(100)의 배면에 부착될 수 있다. 패널 하부 시트(200)는 적어도 하나의 기능층을 포함한다. 상기 기능층은 방열 기능, 전자파 차폐기능, 접지 기능, 완충 기능, 강도 보강 기능, 지지 기능 및/또는 디지타이징 기능 등을 수행하는 층일 수 있다. 기능층은 시트로 이루어진 시트층, 필름으로 필름층, 박막층, 코팅층, 패널, 플레이트 등일 수 있다. 하나의 기능층은 단일층으로 이루어질 수도 있지만, 적층된 복수의 박막이나 코팅층으로 이루어질 수도 있다. 기능층은 예를 들어, 지지 기재, 방열층, 전자파 차폐층, 충격 흡수층, 디지타이저 등일 수 있다.
인쇄 회로 기판(300)은 도 2에 도시된 바와 같이 제3 방향(DR3) 하부로 벤딩될 수 있다. 인쇄 회로 기판(300)의 타측 및 메인 회로 보드(500)는 패널 하부 시트(200)의 하부에 위치할 수 있다. 패널 하부 시트(200)의 하면은 메인 회로 보드(500)와 접착층을 통해 결합될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
표시 패널(100)은 표시 기판(101), 복수의 도전층, 이를 절연하는 복수의 절연층 및 유기층(EL) 등을 포함할 수 있다.
표시 기판(101)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NA) 전체에 걸쳐 배치된다. 표시 기판(101)은 상부에 배치되는 여러 엘리먼트들을 지지하는 기능을 할 수 있다. 일 실시예에서 표시 기판(101)은 연성 유리, 석영 등의 리지드한 물질을 포함하는 리지드 기판일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 표시 기판(101)은 폴리이미드(PI) 등의 플렉시블 물질을 포함하는 플렉시블 기판일 수 있다.
버퍼층(102)은 표시 기판(101) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(102)은 표시 기판(101)을 통한 외부로부터의 수분 및 산소의 침투를 방지할 수 있다. 버퍼층(102)은 질화 규소(SiNx)막, 산화 규소(SiO2)막 및 산질화규소(SiOxNy)막 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
버퍼층(102) 상에는 반도체층(105)이 배치될 수 있다. 반도체층(105)은 박막 트랜지스터의 채널을 이룬다. 반도체층(105)은 표시 영역(DA)의 각 화소에 배치되고, 경우에 따라 비표시 영역(NA)에도 배치될 수 있다. 반도체층(105)은 소스/드레인 영역 및 활성 영역을 포함할 수 있다. 반도체층(105)은 다결정 실리콘을 포함할 수 있다.
반도체층(105) 상에는 제1 절연층(111)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(111)은 표시 기판(101)의 전체면에 걸쳐 배치될 수 있다. 제1 절연층(111)은 게이트 절연 기능을 갖는 게이트 절연막일 수 있다. 제1 절연층(111)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 절연층(111)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 절연층(111) 상에는 제1 도전층(120)이 배치될 수 있다. 제1 도전층(120)은 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(GE), 유지 커패시터(Cst)의 제1 전극(CE1) 및 게이트 신호 배선(GSL)을 포함할 수 있다. 게이트 신호 배선(GSL)은 표시 영역(DA) 및 패널 패드 영역(P_PA)을 지나가면서 배치될 수 있다. 제1 도전층(120)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다. 제1 도전층(120)은 상기 예시된 물질로 이루어진 단일막 또는 적층막일 수 있다.
제1 도전층(120) 상에는 제2 절연층(112a, 112b)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(112a, 112b)은 제1 도전층(120)과 제2 도전층(130)을 절연시킬 수 있다. 제2 절연층(112a)은 대체로 표시 영역(DA)에 배치되고, 제2 절연층(112b)은 대체로 패널 패드 영역(P_PA)에 배치될 수 있다. 제2 절연층(112a, 112b)은 제1 절연층(111)의 예시된 물질 중에서 선택될 수 있다. 패널 패드 영역(P_PA)에서 제2 절연층(112b)은 게이트 신호 배선(GSL)을 부분적으로 노출하는 복수의 컨택홀(CNT)을 포함할 수 있다. 도 2 에서는 제2 절연층(112b)이 두 개의 컨택홀(CNT)을 포함하는 것으로 예시하였지만, 이에 제한되지 않고 하나, 또는 세 개이상의 컨택홀(CNT)을 포함할 수도 있다.
제2 절연층(112a, 112b) 상에는 제2 도전층(130)이 배치될 수 있다. 제2 도전층(130)은 유지 커패시터(Cst)의 제2 전극(CE2)을 포함할 수 있다. 제2 도전층(130)의 물질은 상술한 제1 도전층(120)의 예시된 물질 중에서 선택될 수 있다. 유지 커패시터(Cst)의 제1 전극(CE1)과 유지 커패시터(Cst)의 제2 전극(CE2)은 제2 절연층(112a, 112b)을 통해 커페시터를 형성할 수 있다.
제2 도전층(130) 상에는 제3 절연층(113)이 배치될 수 있다. 제3 절연층(113)은 상술한 제1 절연층(111)의 예시 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3 절연층(113)은 유기 절연 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 유기 절연 물질은 후술할 제1 비아층(VIA1)의 예시 물질 중에서 선택될 수 있다.
제3 절연층(113) 상에는 제3 도전층(140)이 배치될 수 있다. 제3 도전층(140)은 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 고전위 전압 전극(ELVDDE) 및 신호 배선(PAD)을 포함할 수 있다. 제3 도전층(140)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 제3 도전층(140)은 상기 예시된 물질로 이루어진 단일막일 수 있다. 이에 제한되지 않고 제3 도전층(140)은 적층막일 수 있다. 예를 들어, 제3 도전층(140)은 Ti/Al/Ti, Mo/Al/Mo, Mo/AlGe/Mo, Ti/Cu 등의 적층 구조로 형성될 수 있다. 일 실시예에서 제3 도전층(140)은 Ti/Al/Ti을 포함하여 이루어질 수 있다.
제3 도전층(140)의 신호 배선(PAD)은 두께 방향으로 제1 도전층(120)의 게이트 신호 배선(GSL)과 중첩 배치되고 제2 절연층(112b)의 컨택홀(CNT)을 통해 게이트 신호 배선(GSL)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제3 도전층(140) 상에는 제1 비아층(VIA1)이 배치될 수 있다. 제1 비아층(VIA1)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 유기 절연 물질은 아크릴계 수지(polyacryCAtes resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
한편, 제3 절연층(113), 및 제3 도전층(140)의 상부 구조들은 패널 패드 영역(P_PA) 상의 신호 배선(PAD)의 일부 영역에서 제거되거나 생략될 수 있다. 이로 인해, 상기 생략되거나 제거된 구조들은 패널 패드 영역(P_PA)에 배치된 신호 배선(PAD)을 노출할 수 있다.
인쇄 회로 기판(300)은 인쇄 베이스 필름(310)의 제1 회로 영역(CA1)의 일면 상에 리드 배선(LE), 및 제3 회로 영역(CA3)의 일면 상에 회로 리드 배선(C_LE)을 더 포함한다. 리드 배선(LE)은 신호 배선(PAD)과 접속된다. 일 실시예에서 리드 배선(LE)은 노출된 신호 배선(PAD)의 상면과 직접 접속될 수 있다. 예를 들어, 리드 배선(LE)은 신호 배선(PAD)과 초음파 본딩될 수 있다.
한편, 상기 초음파 본딩은 초음파 장치(700)를 통해 수행될 수 있다. 초음파 장치(700)는 진동 생성부(710), 진동 생성부(710)와 연결된 진동부(720), 진동부(720)의 진동폭을 증폭시키는 가압부(730), 진동부(720)와 연결된 진동 전달부(740)를 포함할 수 있다.
진동 생성부(710)는 전기적 에너지를 진동 에너지로 변환할 수 있다. 진동부(720)는 진동 생성부(710)에서 변환된 진동 에너지로 진동할 수 있다. 진동부(720)는 일정한 진동 방향을 갖고 소정의 진폭을 가지며 진동할 수 있다. 진동부(720)는 진동부(720)와 연결된 가압부(730)를 통해 상기 진동 방향과 나란한 방향으로 상기 진폭이 증폭될 수 있다. 진동 전달부(740)는 진동부(720)의 진동을 초음파 본딩 대상체에 전달할 수 있다. 지지부(550)는 진동부(720)의 상면과 하면을 고정하여 상기 진동으로 진동부(720) 및 진동 전달부(740)가 상하로 유동하는 것을 억제할 수 있다.
일 실시예에서, 초음파 장치(700)는 인쇄 회로 기판(300)의 타면과 접촉하며 하부로 일정한 가압 상태를 유지하여 진동 전달부(740)가 효율적으로 상기 진동을 인쇄 회로 기판(300)에 전달되도록 한다. 이 때, 초음파 장치(700)의 진동 전달부(740)는 도 2에 도시된 바와 같이, 하부에 배치된 인쇄 회로 기판(300)의 전 영역과 중첩하면서 초음파 본딩할 수 있다.
초음파 장치(700)는 소정의 진동 방향으로 진동하면서, 리드 배선(LE)을 상기 진동 방향으로 진동시킬 수 있다. 다만, 이 경우 신호 배선(PAD)은 리드 배선(LE)을 통해 전달되는 진동으로 미미하게 상기 진동 방향으로 진동할 수 있으나, 그 진동하는 폭은 미미할 수 있다. 따라서 진동 전달부(740)의 상기 진동 방향으로의 진동폭은 실질적으로 리드 배선(LE)이 신호 배선(PAD) 상에서 상기 진동 방향으로 이동한 거리와 동일하다고 볼 수 있다. 일 실시예에서 상기 진동 방향은 제2 방향(DR2)일 수 있다. 즉, 상기 진동 방향은 신호 배선(PAD)과 리드 배선(LE)의 장변이 연장하는 방향일 수 있다.
신호 배선(PAD)의 일면 상에서 리드 배선(LE)을 초음파 진동시키면 신호 배선(PAD)의 일면과 리드 배선(LE)의 일면의 계면에서 소정의 마찰력이 발생하고, 상기 마찰력으로 인해 마찰열이 발생할 수 있다. 상기 마찰열이 신호 배선(PAD)과 리드 배선(LE)을 이루는 물질을 녹일 정도로 충분하면, 신호 배선(PAD)의 리드 배선(LE)과 인접한 패드 용융 영역(PADb)과 리드 배선(LE)의 신호 배선(PAD)과 인접한 리드 용융 영역(LEb)은 용융될 수 있다. 즉, 신호 배선(PAD)은 패드 비용융 영역(PADa)과 패드 용융 영역(PADb)을 포함할 수 있다. 또한, 리드 배선(LE)은 리드 비용융 영역(LEa)과 리드 용융 영역(LEb)을 포함할 수 있다.
패드 비용융 영역(PADa)은 신호 배선(PAD)가 포함하는 물질 만을 포함하는 영역일 수 있다. 리드 비용융 영역(LEa)은 리드 배선(LE)이 포함하는 물질 만을 포함하는 영역일 수 있다.
패드 용융 영역(PADb)은 리드 배선(LE)이 포함하는 물질이 확산되어 신호 배선(PAD)의 물질과 리드 배선(LE)의 물질이 섞여 있는 영역이고, 리드 용융 영역(LEb)은 신호 배선(PAD)가 포함하는 물질이 확산되어 리드 배선(LE)의 물질과 신호 배선(PAD)의 물질이 섞여 있는 영역일 수 있다.
패드 용융 영역(PADb)과 리드 용융 영역(LEb)에서 신호 배선(PAD)과 리드 배선(LE)은 응고를 거치면서 결합될 수 있다. 신호 배선(PAD)과 리드 배선(LE)의 계면, 즉 패드 용융 영역(PADb)과 리드 용융 영역(LEb)의 계면은 비평탄한 형상을 가질 수 있다.
예를 들어, 리드 배선(LE)은 금속 물질을 포함할 수 있다. 리드 배선(LE)은 각각 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다. 예시된 실시예에서 리드 배선(LE)은 구리(Cu), 및 금(Au)을 포함하여 이루어질 수 있다. 즉, 리드 배선(LE)은 인쇄 베이스 필름(310) 상에 배치된 구리(Cu)와 구리(Cu) 상에 배치된 금(Au)으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 인쇄 베이스 필름(310) 상에 직접 배치된 구리(Cu)는 신호 배선(PAD)과 직접 접속하지 않을 수 있지만, 이에 제한되지 않고 신호 배선(PAD)의 일부 직접 접속할 수 있고, 또, 구리(Cu) 상에 배치된 금(Au)은 신호 배선(PAD)과 직접 접속할 수 있다. 이 경우, 패드 용융 영역(PADb)은 신호 배선(PAD)의 Ti/Al/Ti와 리드 배선(LE)의 금(Au) 및/또는 구리(Cu)가 섞여 있는 영역이고, 리드 용융 영역(LEb)은 신호 배선(PAD)가 포함하는 물질이 확산되어 리드 배선(LE)의 금(Au) 및/또는 구리(Cu)과 신호 배선(PAD)의 Ti/Al/Ti이 섞여 있는 영역일 수 있다.
한편, 신호 배선(PAD)과 리드 배선(LE)의 본딩 시에, 초음파 장치(700)의 진동 전달부(740)가 상술한 바와 같이 인쇄 회로 기판(300)의 인쇄 베이스 필름(310)의 상면을 제3 방향(DR3)으로 가압하며 제2 방향(DR2)을 따라 진동을 인가하는데, 이로 인해 인쇄 베이스 필름(310) 상에 배치된 리드 배선(LE)은 상술한 바와 같이 신호 배선(PAD)과 결합된다. 초음파 본딩 공정 후 초음파 장치(700)의 진동 전달부(740)를 인쇄 베이스 필름(310)으로부터 두께 방향(DR3)으로 이격 시키는데, 신호 배선(PAD)과 리드 배선(LE)과의 결합력이 리드 배선(LE)과 인쇄 베이스 필름(310) 간의 결합력보다 커서 리드 배선(LE)과 인쇄 베이스 필름(310) 간에 박리가 발생할 수 있다. 이로 인해 리드 배선(LE)의 크랙이 발생할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 후술하는 바와 같이 인접한 리드 배선(LE) 사이에 제1 경화성 패턴(IRP)을 배치함으로써 리드 배선(LE)과 인쇄 베이스 필름(310) 간의 박리를 미연에 방지할 수 있다.
제1 비아층(VIA1) 상에는 제4 도전층(150)이 배치될 수 있다. 제4 도전층(150)은 데이터 라인(DL), 연결 전극(CNE), 및 고전위 전압 배선(ELVDDL)을 포함할 수 있다. 데이터 라인(DL)은 제1 비아층(VIA1)을 관통하는 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(SE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 연결 전극(CNE)은 제1 비아층(VIA1)을 관통하는 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 고전위 전압 배선(ELVDDL)은 제1 비아층(VIA1)을 관통하는 컨택홀을 통해 고전위 전압 전극(ELVDDE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제4 도전층(150)은 제3 도전층(140)의 예시 물질 중 선택된 물질을 포함할 수 있다.
제4 도전층(150) 상에는 제2 비아층(VIA2)이 배치된다. 제2 비아층(VIA2)은 상술한 제1 비아층(VIA1)의 예시된 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2 비아층(VIA2) 상에는 애노드 전극(ANO)이 배치된다. 애노드 전극(ANO)은 제2 비아층(VIA2)을 관통하는 컨택홀을 통해 연결 전극(CNE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
애노드 전극(ANO) 상에는 뱅크층(BANK)이 배치될 수 있다. 뱅크층(BANK)은 애노드 전극(ANO)을 노출하는 컨택홀을 포함할 수 있다. 뱅크층(BANK)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 뱅크층(BANK)은 포토 레지스트, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물, 폴리아크릴계 수지 등 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.
애노드 전극(ANO) 상면 및 뱅크층(BANK)의 개구부 내에는 유기층(EL)이 배치될 수 있다. 유기층(EL)과 뱅크층(BANK) 상에는 캐소드 전극(CAT)이 배치된다. 캐소드 전극(CAT)은 복수의 화소에 걸쳐 배치된 공통 전극일 수 있다.
캐소드 전극(CAT) 상에는 박막 봉지층(170)이 배치된다. 박막 봉지층(170)은 유기 발광 소자(OLED)를 덮을 수 있다. 박막 봉지층(170)은 무기막과 유기막이 교대로 적층된 적층막일 수 있다. 예컨대, 박막 봉지층(170)은 순차 적층된 제1 봉지 무기막(171), 봉지 유기막(172), 및 제2 봉지 무기막(173)을 포함할 수 있다.
한편, 패널 패드 영역(P_PA)에서 게이트 신호 배선(GSL)과 신호 배선(PAD)의 적층 구조 및 형상은 변형될 수 있다.
예를 들어, 몇몇 실시예에서, 게이트 신호 배선(GSL)은 복수의 패턴을 포함하고, 게이트 신호 배선(GSL) 상에 배치되는 신호 배선(PAD)은 상기 게이트 신호 배선(GSL) 패턴의 단차를 반영하여 표면 요철을 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 게이트 신호 배선(GSL)과 신호 배선(PAD) 사이에 제2 도전층(130)의 보조 패드가 더 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 보조 패드(PAD)의 평면상 크기는 신호 배선(PAD)의 평면상 크기보다 작을 수 있다. 신호 배선(PAD), 상기 보조 패드, 및 게이트 신호 배선(GSL)은 두께 방향으로 중첩하며 전기적으로 연결될 수 있다.
또한 몇몇 실시예에서, 게이트 신호 배선(GSL)은 제2 도전층(130)으로 구성될 수도 있고, 신호 배선(PAD)은 제4 도전층(150)으로 구성될 수도 있다.
도 3을 참조하면, 신호 배선(PAD)은 복수개이고, 복수의 신호 배선(PAD)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다. 복수의 신호 배선(PAD)은 예를 들어, 전원 패드, 데이터 패드, 패널 더미 패드를 포함할 수 있다. 제1 방향(DR1)은 패널 패드 영역(P_PA)의 단부로부터 표시 영역(DA)을 향하는 방향일 수 있다. 제2 방향(DR2)은 제1 방향(DR2)과 교차하는 방향을 의미한다. 복수의 신호 배선(PAD)은 게이트 신호 배선(GSL)보다 제2 방향(DR2) 폭이 확장된 형상을 가질 수 있다. 복수의 신호 배선(PAD)은 표시 기판(101)의 단부까지 폭이 확장된 형상을 갖고 연장되어 있을 수 있다.
또한, 제1 회로 영역(CA1)에 배치된 리드 배선(LE)은 복수개일 수 있고, 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다. 복수의 리드 배선(LE)은 전원 리드 배선, 데이터 리드 배선, 더미 리드를 포함할 수 있다. 복수의 리드 배선(LE)은 구동 집적 회로(390)로부터 연장되다가 제1 회로 영역(CA1)에서 제2 방향(DR2) 폭이 확장된 형상을 가질 수 있다. 이로 인해, 도 4에 도시된 바와 같이 복수의 신호 배선(PAD)과 접속될 때, 접속 면적을 늘려 보다 용이하게 결합될 수 있다. 복수의 리드 배선(LE)은 인쇄 베이스 필름(310)의 단부까지 폭이 확장된 형상을 갖고 연장되어 있을 수 있다.
폭이 확장된 형상을 갖는 리드 배선(LE)은 직사각형 형상일 수 있다. 즉, 폭이 확장된 형상의 리드 배선(LE)은 단변 에지들과 장변 에지들을 포함할 수 있다.
한편, 제1 경화성 패턴(IRP)은 평면상 리드 배선(LE)의 주변에 위치할 수 있다. 제1 경화성 패턴(IRP)은 인접한 리드 배선(LE) 사이에 배치될 수 있다. 제1 경화성 패턴(IRP)은 인쇄 베이스 필름(310)의 제1 회로 영역(CA1)의 단부까지 확장될 수 있다. 제1 경화성 패턴(IRP)은 평면상 리드 배선(LE)의 장변 에지들과 구동 집적 회로(390)와 인접한 단변 에지를 둘러싸고, 상측 단변 에지는 둘러싸지 않을 수 있다.
제1 경화성 패턴(IRP)은 경화성 수지를 포함하여 이루어질 수 있다. 제1 경화성 패턴(IRP)은 제1 평균 경화율을 가질 수 있다.
제2 경화성 패턴(UFR)은 평면상 신호 배선(PAD)의 주변에 위치할 수 있다. 제2 경화성 패턴(UFR)은 인접한 신호 배선(PAD) 사이에 배치될 수 있다. 제2 경화성 패턴(UFR)은 표시 기판(101)의 패널 패드 영역(P_PA)의 단부까지 확장될 수 있다. 제2 경화성 패턴(UFR)은 평면상 신호 배선(PAD)의 장변 에지들과 표시 영역(DA)에 인접한 단변 에지를 둘러싸고, 하측 단변 에지는 둘러싸지 않을 수 있다.
제2 경화성 패턴(UFR)도 경화성 수지를 포함하여 이루어질 수 있다. 제2 경화성 패턴(UFR)은 제1 경화성 패턴(IRP)의 제1 평균 경화율보다 낮은 제2 평균 경화율을 가질 수 있다.
도 4를 참조하면, 복수의 신호 배선(PAD)은 복수의 리드 배선(LE)과 접속될 수 있다. 도 4에서는 신호 배선(PAD)과 리드 배선(LE)의 폭이 동일한 경우를 예시하였다. 다만, 이에 제한되지 않고 신호 배선(PAD)과 리드 배선(LE)의 제2 방향(DR2) 폭은 서로 상이할 수 있다. 즉, 리드 배선(LE)의 제2 방향(DR2) 폭이 신호 배선(PAD)의 제2 방향(DR2) 폭보다 작을 수 있다. 신호 배선(PAD)은 리드 배선(LE)과 직접 접속되어 초음파 본딩될 수 있다. 도 3의 패널 패드 영역(P_PA)에 180° 반전된 도 4의 제1 회로 영역(CA1)이 두께 방향으로 부착된다. 평면상 제2 경화성 패턴(UFR)은 평면상 리드 배선(LE)의 주변에 위치할 수 있다. 제2 경화성 패턴(UFR)은 인접한 리드 배선(LE) 사이에 배치될 수 있다. 제2 경화성 패턴(UFR)은 인쇄 베이스 필름(310)의 제1 회로 영역(CA1)의 단부까지 확장될 수 있다. 제1 경화성 패턴(IRP)은 평면상 리드 배선(LE)의 장변 에지들과 상측 단변 에지는 둘러싸지만, 구동 집적 회로(390)와 인접한 하측 단변 에지는 둘러싸지 않을 수 있다.
제1 경화성 패턴(IRP)은 신호 배선(PAD)과 리드 배선(LE)의 초음파 본딩 공정 전에 인쇄 회로 기판(300) 상에 제1 경화성 패턴(도 16의 'IRP2' 참조)의 형태로 형성되어 있지만, 제2 경화성 패턴(UFR)은 초음파 본딩 공정 후에 인쇄 회로 기판(300) 및 표시 패널(100) 상에 형성되기 때문에, 제1 경화성 패턴(IRP)은 인쇄 베이스 필름(310)의 단부의 상측 방향, 즉, 제1 방향(DR1) 상측에는 비배치되지만, 제2 경화성 패턴(UFR)은 제1 경화성 패턴(IRP)보다 인쇄 베이스 필름(310)의 단부의 상측 방향으로 더 확장된 형상을 가질 수 있다. 즉, 제2 경화성 패턴(UFR)은 제1 경화성 패턴(IRP)보다 표시 영역(DA)에 더 가깝게 확장될 수 있다.
도 5를 참조하면, 게이트 신호 배선(GSL)은 표시 영역(DA)으로부터 패널 패드 영역(P_PA)에까지 배치될 수 있고, 패널 패드 영역(P_PA)의 신호 배선(PAD)과 중첩하는 영역에서 제2 방향(DR2)으로 폭이 커진 형상을 가질 수 있다.
제2 절연층(112b)은 신호 배선(PAD)과 하부의 게이트 신호 배선(GSL)을 접속하는 복수의 콘택홀(CNT)을 포함할 수 있다. 도 5에서는 제1 방향(DR1)을 따라 하나의 열로 이격되어 배치된 세 개의 콘택홀(CNT)을 도시하였지만, 콘택홀(CNT)의 개수 및 배치에는 제한이 없다. 즉, 제2 절연층(112b)은 1개, 2개, 또는 4개 이상일 수 있고, 복수의 열로 배치될 수도 있다.
도 6을 참조하면, 제2 경화성 패턴(UFR)은 신호 배선(PAD)이 노출하는 제2 절연층(112b) 상에 배치되어 제2 절연층(112b)에 직접 접할 수 있다. 제2 경화성 패턴(UFR)은 신호 배선(PAD)이 노출하는 제2 절연층(112b) 상에서 하부의 게이트 신호 배선(GSL)과 두께 방향으로 중첩 배치될 수 있다.
도 5에서의 신호 배선(PAD)의 상측 단변에 인접 배치된 제2 경화성 패턴(UFR)은 신호 배선(PAD)의 측면, 및 리드 배선(LE)의 측면과 접할 수 있다. 도시되지 않았지만, 제2 경화성 패턴(UFR)은 인쇄 베이스 필름(310)의 측면과도 접할 수 있다. 또한, 도 5에서의 신호 배선(PAD)의 하측 단변에 인접 배치된 제2 경화성 패턴(UFR)은 상부의 리드 배선(LE)과 두께 방향으로 중첩 배치될 수 있다.
도 7을 참조하면, 제2 경화성 패턴(UFR)은 리드 배선(LE)의 신호 배선(PAD)의 상면과 대향하는 하면, 및 리드 배선(LE)의 측면 일부에도 접할 수 있다. 제2 경화성 패턴(UFR)은 제1 경화성 패턴(IRP)과 두께 방향으로 중첩 배치되면서 접할 수 있다. 제2 경화성 패턴(UFR)은 인접한 신호 배선(PAD) 사이에 배치될 수 있다.
제1 경화성 패턴(IRP)은 인쇄 베이스 필름(310) 상에 배치될 수 있다. 제1 경화성 패턴(IRP)은 인접한 리드 배선(LE) 사이에 배치될 수 있다. 제1 경화성 패턴(IRP)은 리드 배선(LE)이 노출하는 인쇄 베이스 필름(310)의 하면에 직접 접할 수 있다. 제1 경화성 패턴(IRP)은 하부의 제2 경화성 패턴(UFR)과 중첩 배치될 수 있다. 제1 경화성 패턴(IRP)은 하부의 제2 경화성 패턴(UFR)과 일부가 접하고, 나머지 다른 일부가 비접할 수 있다. 도 7의 확대도에 도시된 바와 같이 제1 경화성 패턴(IRP)의 하면은 하부의 제2 경화성 패턴(UFR)의 상면과 일부가 접하지만, 나머지 다른 일부의 하면은 제2 경화성 패턴(UFR)의 상면과 사이에 보이드(VD)가 형성되어 이격되어 배치될 수 있다.
제1 경화성 패턴(IRP)은 신호 배선(PAD), 및 게이트 신호 배선(GSL)과 비중첩 배치될 수 있다. 다만, 상술한 바와 같이 리드 배선(LE)의 제2 방향(DR2) 폭이 신호 배선(PAD)의 제2 방향(DR2) 폭보다 작게 될 경우 제1 경화성 패턴(IRP)은 하부의 신호 배선(PAD)과 부분적으로 중첩 배치될 수도 있다.
도 8을 참조하면, 리드 배선(LE)은 신호 배선(PAD)의 상면과 대향하는 하면(LES1), 및 측면(LES2)을 포함할 수 있다. 제1 경화성 패턴(IRP)은 제2 경화성 패턴(UFR)과 대향하는 하면(IRPa)을 포함할 수 있다. 제2 경화성 패턴(UFR)은 리드 배선(LE)의 하면(LES1), 및 측면(LES2)의 일부와 접할 수 있다. 또한, 제2 경화성 패턴(UFR) 은 제1 경화성 패턴(IRP)의 하면(IRPa)과 적어도 일부가 접할 수 있다. 제1 경화성 패턴(IRP)은 인쇄 베이스 필름(310)으로부터의 리드 배선(LE)의 표면 높이보다 인쇄 베이스 필름(310)으로부터의 표면 높이가 더 작을 수 있다. 이 경우, 리드 배선(LE)의 측면(LES2) 중 제2 경화성 패턴(UFR)이 노출하는 측면과 접할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 경화성 패턴(IRP)은 리드 배선(LE)의 측면(LES2)을 전부 덮을 수 있다. 즉, 제1 경화성 패턴(IRP)은 리드 배선(LE)의 인쇄 베이스 필름(310)으로부터의 표면 높이가 실질적으로 동일할 수 있다. 이 경우 제2 경화성 패턴(UFR)은 리드 배선(LE)의 하면(LES1)과는 접하지만, 리드 배선(LE)의 측면(LES2)과는 비접할 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 초음파 장치(700)의 진동 전달부(740)를 통해 인쇄 회로 기판(300)에 진동 및 하부 방향으로 하중을 인가하면, 인쇄 베이스 필름(310), 및 리드 배선(LE)은 하부 방향으로 하강할 수 있다. 상술한 바와 같이 리드 배선(LE)과 그에 대응되는 신호 배선(PAD)은 직접 접속될 수 있다. 초음파 본딩 공정이 완료된 후, 초음파 장치(700)의 진동 전달부(740)를 인쇄 베이스 필름(310)의 상면으로부터 이격시키면, 인쇄 베이스 필름(310)과 리드 배선(LE)은 원래 상태로 상부 방향으로 상승할 수 있다. 다만, 초음파 본딩으로 인해, 신호 배선(PAD)과 리드 배선(LE)의 제1 결합력(F1)은 리드 배선(LE)과 인쇄 베이스 필름(310) 간의 제2 결합력(F2)보다 클 수 있다. 이로 인해, 리드 배선(LE)과 인쇄 베이스 필름(310) 간의 박리가 발생할 수 있다.
다만, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 인접한 리드 배선(LE) 사이에 제1 경화성 패턴(IRP)를 배치함으로써 리드 배선(LE)과 인쇄 베이스 필름(310) 간의 박리를 방지할 수 있다. 즉, 도 10에 도시된 바와 같이 제1 경화성 패턴(IRP)은 인접한 리드 배선(LE)과 제3 결합력(F3)을 갖고 결합되고, 상부의 인쇄 베이스 필름(310)과 제4 결합력(F4)을 갖고 결합됨으로써 제3 및 제4 결합력(F3, F4)의 합력이 추가되어 제2 결합력(F2)이 제1 결합력(F1)보다 크더라도 이들의 차이를 실질적으로 상쇄시켜 초음파 본딩 공정이 완료된 후 인쇄 베이스 필름(310), 및 리드 배선(LE)이 상승하더라도 리드 배선(LE)과 인쇄 베이스 필름(310) 간의 박리를 방지할 수 있게 된다.
제3 및 제4 결합력(F3, F4)을 각각 높이기 위해 제1 경화성 패턴(IRP)은 각각 리드 배선(LE)과 인쇄 베이스 필름(310)과의 결합력이 높은 물질을 포함하는 것이 바람직하게 고려될 수 있다.
또한, 초음파 본딩 공정이 완료된 후 인쇄 베이스 필름(310), 및 리드 배선(LE)이 상승되면 리드 배선(LE)이 배치되지 않은 영역에서 인쇄 베이스 필름(310)은 리드 배선(LE)이 배치된 영역에서 인쇄 베이스 필름(310)보다 두께 방향으로의 변형율이 클 수 있다. 다만, 일 실시예에 따른 제1 경화성 패턴(IRP)은 리드 배선(LE)보다 표면 높이가 낮고, 하부의 표시 기판(101)과 이격되어 있어 닿지 않지만, 상술한 제2 경화성 패턴(UFR)보다 경화율이 높은 물질을 포함하여 이루어짐으로써 리드 배선(LE)이 배치되지 않은 영역에서 인쇄 베이스 필름(310)의 변형율을 낮출 수 있다. 이로 인해, 리드 배선(LE)이 배치되지 않은 영역에서 인쇄 베이스 필름(310)의 큰 변형율로 인해 리드 배선(LE)의 테두리 부위에서 인쇄 베이스 필름(310)과 박리되는 것을 미연에 방지할 수 있다.
이하, 다른 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서 이미 설명한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조 부호로서 지칭하고, 그 설명을 생략하거나 간략화한다.
도 11은 다른 실시예에 따른 표시 패널의 패드 영역 및 패드 영역에 부착된 인쇄 회로 기판의 단면도이고, 도 12는 도 11의 C 영역을 확대한 도면이다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)는 인접한 신호 배선(PAD) 사이에 유기 절연 패턴(OIP)이 더 배치된다는 점에서 일 실시예에 따른 표시 장치(1)와 상이하다.
더욱 구체적으로 설명하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)는 인접한 신호 배선(PAD) 사이에 유기 절연 패턴(OIP)이 더 배치될 수 있다. 유기 절연 패턴(OIP)은 표시 기판(101) 상에 배치될 수 있다. 유기 절연 패턴(OIP)은 도 2에서 상술한 제1 비아층(VIA1) 또는 제2 비아층(VIA2)과 동일한 물질을 포함하고, 동일 공정에서 동시에 형성될 수 있다.
유기 절연 패턴(OIP)은 인접한 신호 배선(PAD) 사이에 배치됨으로써 인접한 신호 배선(PAD) 간의 단락을 방지하는 역할을 할 수 있다. 나아가, 유기 절연 패턴(OIP)은 베이스 필름(310)에 하중이 인가되면 리드 배선(LE)이 비배치된 영역의 베이스 필름(310)이 하부 방향으로 과도하게 내려오는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
제2 경화성 패턴(UFR)은 유기 절연 패턴(OIP)과 제1 경화성 패턴(IRP) 사이에 배치될 수 있다. 유기 절연 패턴(OIP)의 상면, 및 측면은 제2 경화성 패턴(UFR)과 직접 접할 수 있다.
도 12에 도시된 바와 같이 제1 경화성 패턴(IRP_1)의 하면(IRPa_1)은 제1 부분(IRPa), 및 제2 부분(IRPb)을 포함할 수 있다. 제1 부분(IRPa)의 제1 거칠기는 제2 부분(IRPb)의 제2 거칠기보다 작을 수 있다. 즉, 상기 제2 거칠기는 상기 제1 거칠기보다 클 수 있다. 제2 부분(IRPb)은 유기 절연 패턴(OIP)의 상면(OIPa)과 중첩 배치될 수 있다. 또한, 유기 절연 패턴(OIP)의 상면(OIPa)은 표면 스크레치를 포함할 수 있다. 이는 초음파 장치(700)의 진동 전달부(740)가 인쇄 회로 기판(300)에 하부 방향으로 하중을 인가하면 제2 부분(IRPb)과 유기 절연 패턴(OIP)의 상면(OIPa)과 닿을 수 있는데, 진동으로 인해 표면에 거칠기가 변할 수 있기 때문이다.
본 실시예에 따른 표시 장치(2)의 경우에도 인접한 리드 배선(LE) 사이에 제1 경화성 패턴(IRP_1)를 배치함으로써 리드 배선(LE)과 인쇄 베이스 필름(310) 간의 박리를 방지할 수 있다.
또한, 초음파 본딩 공정이 완료된 후 인쇄 베이스 필름(310), 및 리드 배선(LE)이 상승되면 리드 배선(LE)이 배치되지 않은 영역에서 인쇄 베이스 필름(310)은 리드 배선(LE)이 배치된 영역에서 인쇄 베이스 필름(310)보다 두께 방향으로의 변형율이 클 수 있는데, 본 실시예에 따른 제1 경화성 패턴(IRP_1)은 리드 배선(LE)보다 표면 높이가 낮고, 하부의 표시 기판(101)과 이격되어 있어 닿지 않지만, 상술한 제2 경화성 패턴(UFR)보다 경화율이 높은 물질을 포함하여 이루어짐으로써 리드 배선(LE)이 배치되지 않은 영역에서 인쇄 베이스 필름(310)의 변형율을 낮출 수 있다. 이로 인해, 리드 배선(LE)이 배치되지 않은 영역에서 인쇄 베이스 필름(310)의 큰 변형율로 인해 리드 배선(LE)의 테두리 부위에서 인쇄 베이스 필름(310)과 박리되는 것을 미연에 방지할 수 있다.
도 13은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법의 순서도이고, 도 14 내지 도 18은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법의 공정 단계별 단면도이다.
도 13 내지 도 15를 참조하면, 인쇄 베이스 필름(310) 상에 배치된 인접한 리드 배선(LE) 사이에 리드 배선(LE)의 표면 높이보다 작거나 동일한 표면 높이를 갖는 제1 경화성 수지(IRP1)를 도포(S10)한다.
인쇄 베이스 필름(310) 상에 배치된 인접한 리드 배선(LE) 사이에 리드 배선(LE)의 표면 높이보다 작거나 동일한 표면 높이를 갖는 제1 경화성 수지를 도포하는 단계(S10)는 도 14에 도시된 바와 같이, 인쇄 베이스 필름(310) 상에 복수의 리드 배선(LE)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 복수의 리드 배선(LE)은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
리드 배선(LE)은 금속 물질을 포함할 수 있다. 리드 배선(LE)은 각각 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다. 예시된 실시예에서 리드 배선(LE)은 구리(Cu), 및 금(Au)을 포함하여 이루어질 수 있다. 즉, 리드 배선(LE)은 인쇄 베이스 필름(310) 상에 배치된 구리(Cu)와 구리(Cu) 상에 배치된 금(Au)으로 이루어질 수 있다.
인쇄 베이스 필름(310) 상에 복수의 리드 배선(LE)을 형성하는 단계 후에, 리드 배선(LE)의 표면 높이보다 작거나 동일한 표면 높이를 갖는 제1 경화성 수지(IRP1)를 도포할 수 있다.
제1 경화성 수지(IRP1)은 광 경화성 수지를 포함하여 이루어질 수 있다.
제1 경화성 수지(IRP1)은 인쇄 베이스 필름(310) 상에 배치될 수 있다. 제1 경화성 수지(IRP1)은 인접한 리드 배선(LE) 사이에 배치될 수 있다. 제1 경화성 수지(IRP1)은 리드 배선(LE)이 노출하는 인쇄 베이스 필름(310)의 하면에 직접 접할 수 있다. 제1 경화성 수지(IRP1)는 리드 배선(LE)의 측면의 적어도 일부와 접할 수 있다.
이후, 도 13 및 도 16을 참조하면, 도포된 제1 경화성 수지(IRP1)를 경화시켜 제1 경화성 패턴(IRP2)을 형성(S20)한다.
제1 경화성 수지(IRP1)를 경화시켜 제1 경화성 패턴(IRP2)을 형성하는 단계(S20)는 자외선 레이저(UV-laser)를 이용하여 수행될 수 있다.
제1 경화성 패턴(IRP2)은 자외선 레이저를 이용한 경화 공정 후에, 제3 평균 경화율을 가질 수 있다. 상기 제3 평균 경화율은 상기 제1 평균 경화율보다 작을 수 있다.
이어서, 도 13 및 도 9를 참조하면, 표시 기판(101) 상의 신호 배선(PAD)과 리드 배선(LE)을 초음파 본딩 또는 결합시킨다.
더욱 구체적으로 설명하면, 표시 기판(101) 상의 신호 배선(PAD)과 리드 배선(LE)을 초음파 본딩 또는 결합하는 단계는 초음파 장치(700)를 이용하여 진행될 수 있다. 초음파 장치(700)의 진동 전달부(740)를 통해 인쇄 회로 기판(300)에 진동 및 하부 방향으로 하중을 인가하면, 인쇄 베이스 필름(310), 및 리드 배선(LE)은 하부 방향으로 하강할 수 있다. 상술한 바와 같이 리드 배선(LE)과 그에 대응되는 신호 배선(PAD)은 직접 접속될 수 있다.
신호 배선(PAD)의 일면 상에서 리드 배선(LE)을 초음파 진동시키면 신호 배선(PAD)의 일면과 리드 배선(LE)의 일면의 계면에서 소정의 마찰력이 발생하고, 상기 마찰력으로 인해 마찰열이 발생할 수 있다. 상기 마찰열이 신호 배선(PAD)과 리드 배선(LE)을 이루는 물질을 녹일 정도로 충분하면, 신호 배선(PAD)의 리드 배선(LE)과 인접한 패드 용융 영역(PADb)과 리드 배선(LE)의 신호 배선(PAD)과 인접한 리드 용융 영역(LEb)은 용융될 수 있다. 즉, 신호 배선(PAD)은 패드 비용융 영역(PADa)과 패드 용융 영역(PADb)을 포함할 수 있다. 또한, 리드 배선(LE)은 리드 비용융 영역(LEa)과 리드 용융 영역(LEb)을 포함할 수 있다.
이어서, 도 13 및 도 10을 참조하면, 초음파 본딩 공정이 완료된 후, 초음파 장치(700)의 진동 전달부(740)를 인쇄 베이스 필름(310)의 상면으로부터 이격시킨다.
상술한 바와 같이, 인쇄 베이스 필름(310)과 리드 배선(LE)은 원래 상태로 상부 방향으로 상승할 수 있다. 다만, 초음파 본딩으로 인해, 신호 배선(PAD)과 리드 배선(LE)의 제1 결합력(F1)은 리드 배선(LE)과 인쇄 베이스 필름(310) 간의 제2 결합력(F2)보다 클 수 있다. 이로 인해, 리드 배선(LE)과 인쇄 베이스 필름(310) 간의 박리가 발생할 수 있다.
다만, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 인접한 리드 배선(LE) 사이에 제1 경화성 패턴(IRP2)를 배치되어 초음파 본딩 공정을 진행함으로써 함으로써 리드 배선(LE)과 인쇄 베이스 필름(310) 간의 박리를 방지할 수 있다.
이어서, 도 13 및 도 17을 참조하면, 제2 경화성 수지(UFR1)를 제1 경화성 패턴(IRP2)과 표시 기판(101) 사이에 도포한다.
제2 경화성 수지(UFR1)는 인접한 신호 배선(PAD) 사이에 배치될 수 있다. 제2 경화성 수지(UFR1)는 표시 기판(101)의 패널 패드 영역(P_PA)의 단부까지 확장될 수 있다. 제2 경화성 수지(UFR1)는 평면상 신호 배선(PAD)의 장변 에지들과 표시 영역(DA)에 인접한 단변 에지를 둘러싸고, 하측 단변 에지는 둘러싸지 않을 수 있다.
제2 경화성 수지(UFR1)는 리드 배선(LE)의 신호 배선(PAD)의 상면과 대향하는 하면, 및 리드 배선(LE)의 측면 일부에도 접할 수 있다. 제2 경화성 수지(UFR1)는 제1 경화성 패턴(IRP2)과 두께 방향으로 중첩 배치되면서 접할 수 있다. 제2 경화성 수지(UFR1)는 인접한 신호 배선(PAD) 사이에 배치될 수 있다.
제2 경화성 수지(UFR1)는 상부의 제1 경화성 패턴(IRP2)과 일부가 접하고, 나머지 다른 일부가 비접할 수 있다.
이어서 도 18을 참조하면, 제1 경화성 패턴(IRP2) 및 제2 경화성 수지(UFR1)을 경화시켜 제1 경화성 패턴(IFP1), 및 제2 경화성 패턴(UFR)을 형성한다.
제1 경화성 패턴(IRP2) 및 제2 경화성 수지(UFR1)을 경화시켜 제1 경화성 패턴(IFP), 및 제2 경화성 패턴(UFR)을 형성하는 단계는 제1 경화성 패턴(IRP2)를 형성할 때와 마찬가지로 자외선 레이저를 이용하여 진행될 수 있다.
제1 경화성 패턴(IFP1)은 상기 제1 평균 경화율을 갖고, 제2 경화성 패턴(UFR)은 상기 제2 평균 경화율을 가질 수 있다. 상기 제1 평균 경화율은 상기 제2 평균 경화율보다 클 수 있다.
초음파 본딩 공정이 완료된 후 인쇄 베이스 필름(310), 및 리드 배선(LE)이 상승되면 리드 배선(LE)이 배치되지 않은 영역에서 인쇄 베이스 필름(310)은 리드 배선(LE)이 배치된 영역에서 인쇄 베이스 필름(310)보다 두께 방향으로의 변형율이 클 수 있다. 다만, 일 실시예에 표시 장치의 제조 방법에 의하면 제1 경화성 패턴(IRP)은 리드 배선(LE)보다 표면 높이가 낮고, 하부의 표시 기판(101)과 이격되어 있어 닿지 않지만, 상술한 제2 경화성 패턴(UFR)보다 경화율이 높은 물질을 포함하여 이루어짐으로써 리드 배선(LE)이 배치되지 않은 영역에서 인쇄 베이스 필름(310)의 변형율을 낮출 수 있다. 이로 인해, 리드 배선(LE)이 배치되지 않은 영역에서 인쇄 베이스 필름(310)의 큰 변형율로 인해 리드 배선(LE)의 테두리 부위에서 인쇄 베이스 필름(310)과 박리되는 것을 미연에 방지할 수 있다.
도 19는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면 배치도이고, 도 20은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 19 및 도 20을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(3)의 표시 패널(100_1)은 벤딩 영역(BA)을 더 포함할 수 있다.
표시 패널(100_1)의 표시 기판은 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 고분자 물질의 예로는 폴리에테르술폰(polyethersulphone: PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate: PA), 폴리아릴레이트(polyarylate: PAR), 폴리에테르이미드(polyetherimide: PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene napthalate: PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethylene terepthalate: PET), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC), 셀룰로오스 트리아세테이트(cellulose triacetate: CAT), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 또는 이들의 조합을 들 수 있다. 표시 기판(101)은 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉시블(flexible) 기판일 수 있다. 플렉시블 기판을 이루는 물질의 예로 폴리이미드(PI)를 들 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
벤딩 영역(BA)은 복수의 화소들의 어레이와 패널 패드 영역(P_PA_1) 사이에 배치될 수 있다. 벤딩 영역(BA)은 비표시 영역(NA)에 위치할 수 있다. 표시 패널(100_1)은 벤딩 영역(BA)에 배치된 기준선인 벤딩 라인을 중심으로 일 방향으로 접힐 수 있다. 상기 벤딩 라인은 표시 패널(100_1)의 하변(또는 상변)과 평행한 직선일 수 있다. 도 20에 도시된 바와 같이 표시 패널(100_4)의 벤딩 영역(BA)은 제3 방향(DR3) 하부로 벤딩될 수 있다.
그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 표시 영역(DA)과 패널 패드 영역(P_PA_1)은 벤딩 영역(BA)없이도 서로 연결될 수 있다. 즉, 표시 패널(100_1)은 벤딩 영역(BA)없이 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NA) 전체가 평탄할 수 있다.
패널 패드 영역(P_PA_1)에는 도 3에서 상술한 복수의 신호 배선(PAD)가 배치된다. 복수의 신호 배선(PAD) 상에는 구동 직접 회로(900)가 부착될 수 있다.
본 실시예에서 구동 집적 회로(900)는 칩 온 플라스틱(chip on plastic, COP)이나, 칩 온 글래스(chip on glass, COG)로 적용될 수 있다. 구동 집적 회로(900)는 복수의 신호 배선(PAD)과 접속하는 복수개의 범프를 포함할 수 있다. 상기 범프는 금(Au), 니켈(Ni) 및 주석(Sn) 중 하나 이상으로 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 구동 집적 회로(900)의 상기 범프는 다른 층이나 구성의 개재없이 각 신호 배선(PAD)에 직접 접하도록 결합될 수 있다. 이와 같은 구동 집적 회로(900)의 상기 범프와 각 신호 배선(PAD)의 직접적인 결합은 초음파 본딩을 통해 이루어질 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 표시 패널
200: 하부 패널 시트
300: 인쇄 회로 기판
500: 메인 회로 보드
200: 하부 패널 시트
300: 인쇄 회로 기판
500: 메인 회로 보드
Claims (20)
- 표시 영역 및 상기 표시 영역 주변에 위치하는 패드 영역을 포함하는 표시 기판, 및
상기 표시 기판 상의 상기 패드 영역에 배치된 복수의 신호 배선을 포함하는 표시 패널;
상기 표시 기판의 상기 패드 영역에 부착되는 베이스 필름,
상기 베이스 필름 상에 배치되고 상기 복수의 신호 배선과 접속되는 복수의 리드 배선, 및
인접한 상기 복수의 리드 배선 사이에 배치된 제1 경화성 패턴을 포함하고,
상기 제1 경화성 패턴의 상기 베이스 필름의 표면을 기준으로의 표면 높이는 상기 복수의 리드 배선의 상기 베이스 필름의 표면을 기준으로의 표면 높이보다 작은 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 경화성 패턴은 상기 상기 표시 기판과 이격된 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 제1 경화성 패턴은 상기 베이스 필름의 표면, 및 인접한 상기 리드 배선의 측면의 적어도 일부와 접하는 표시 장치. - 제3 항에 있어서,
상기 제1 경화성 패턴은 상기 베이스 필름의 표면, 및 인접한 상기 리드 배선의 측면의 적어도 일부와 결합된 표시 장치. - 제3 항에 있어서,
상기 표시 기판 상의 인접한 상기 신호 배선 사이에 배치된 제2 경화성 패턴을 더 포함하고,
상기 제2 경화성 패턴은 상기 제1 경화성 패턴과 일부가 접하고, 다른 일부가 이격되어 사이에 보이드를 형성하는 표시 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 제1 경화성 패턴은 상기 리드 배선의 측면의 하단부를 노출하고, 상기 제2 경화성 패턴은 상기 리드 배선의 노출된 측면의 하단부와 접하는 표시 장치. - 제6 항에 있어서,
상기 제1 경화성 패턴은 상기 리드 배선의 상기 신호 배선의 상면과 대향하는 하면, 및 상기 신호 배선의 상면과 접하는 표시 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 제1 경화성 패턴, 및 상기 제2 경화성 패턴은 각각 경화성 수지를 포함하고,
상기 제1 경화성 패턴의 제1 평균 경화율은 상기 제2 경화성 패턴의 제2 평균 경화율보다 큰 표시 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 제2 경화성 패턴은 상기 제1 경화성 패턴보다 상기 표시 영역에 더 가깝게 확장된 표시 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 표시 기판 상에 배치되고, 인접한 상기 신호 배선 사이에 배치된 유기 절연 패턴을 더 포함하고,
상기 제2 경화성 패턴은 상기 유기 절연 패턴과 상기 제1 경화성 패턴 사이에 배치된 표시 장치. - 제10 항에 있어서,
상기 제1 경화성 패턴의 상기 유기 절연 패턴을 바라보는 하면은 제1 거칠기를 갖는 제1 하면, 및 상기 제1 거칠기보다 큰 제2 거칠기를 갖는 제2 하면을 포함하고,
상기 제2 하면은 상기 유기 절연 패턴의 상면과 두께 방향으로 중첩 배치된 표시 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 제1 경화성 패턴의 상기 제2 하면, 및 상기 유기 절연 패턴의 상기 상면은 스크레치를 포함하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 신호 배선과 상기 리드 배선은 직접 접속된 표시 장치. - 제13 항에 있어서,
상기 신호 배선과 상기 리드 배선은 초음파 접합된 표시 장치. - 베이스 필름 상에 배치된 인접한 리드 배선 사이에 상기 리드 배선의 표면 높이보다 작은 표면 높이를 갖는 제1 경화성 수지를 도포하는 단계;
도포된 상기 제1 경화성 수지를 경화시켜 제1 경화성 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 표시 기판 상에 배치된 신호 배선과 상기 리드 배선을 결합하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제15 항에 있어서,
상기 표시 기판 상에 배치된 신호 배선과 상기 리드 배선을 결합하는 단계는 상기 신호 배선과 상기 리드 배선을 직접 접촉시키는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제16 항에 있어서,
상기 신호 배선과 상기 리드 배선을 직접 접촉시키는 단계는 상기 신호 배선과 상기 리드 배선을 초음파 접합시키는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제15 항에 있어서,
상기 제1 경화성 패턴을 형성하는 단계 UV 레이저를 이용하여 상기 제1 경화성 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제15 항에 있어서,
상기 표시 기판 상에 배치된 신호 배선과 상기 리드 배선을 결합하는 단계 후에, 제2 경화성 수지를 도포하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제19 항에 있어서,
제2 경화성 수지를 도포한 후에, 상기 제1 경화성 패턴, 및 상기 제2 경화성 수지를 동시에 경화시키는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210109427A (ko) * | 2020-02-26 | 2021-09-06 | 칩본드 테크놀러지 코포레이션 | 플립칩 접합 구조 및 그 회로 기판 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114141640B (zh) * | 2021-11-24 | 2024-07-16 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示模组及其制作方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3711873B2 (ja) | 2001-02-19 | 2005-11-02 | ソニーケミカル株式会社 | バンプレスicチップの製造方法 |
JP3962039B2 (ja) * | 2004-06-17 | 2007-08-22 | 日東電工株式会社 | 配線回路形成用基板、配線回路基板および金属薄層の形成方法 |
US7420282B2 (en) * | 2004-10-18 | 2008-09-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Connection structure for connecting semiconductor element and wiring board, and semiconductor device |
JP3915928B2 (ja) * | 2004-11-24 | 2007-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品及びその製造方法 |
JP2008071812A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Fujikura Ltd | 基板間接続構造 |
JP5178648B2 (ja) * | 2009-06-30 | 2013-04-10 | キヤノン株式会社 | パッケージの製造方法、及び半導体装置 |
JP2012083597A (ja) * | 2010-10-13 | 2012-04-26 | Sony Corp | 表示装置 |
CN102686026B (zh) * | 2012-05-16 | 2014-12-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种柔性电路板、覆晶薄膜及制作方法 |
PL2750234T3 (pl) | 2012-06-28 | 2019-10-31 | Lg Chemical Ltd | Sposób wytwarzania zespołu elektrod |
JP5922008B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2016-05-24 | 富士フイルム株式会社 | 転写フィルムおよび透明積層体、それらの製造方法、静電容量型入力装置ならびに画像表示装置 |
CN107249872B (zh) * | 2015-03-12 | 2019-03-01 | 富士胶片株式会社 | 转印薄膜、透明层叠体、静电电容型输入装置及图像显示装置 |
CN111403630A (zh) * | 2017-03-08 | 2020-07-10 | 堺显示器制品株式会社 | 有机el设备的制造方法 |
KR102370406B1 (ko) * | 2017-07-10 | 2022-03-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
CN108376685B (zh) * | 2018-02-11 | 2021-02-09 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
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2020
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Cited By (2)
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KR20210109427A (ko) * | 2020-02-26 | 2021-09-06 | 칩본드 테크놀러지 코포레이션 | 플립칩 접합 구조 및 그 회로 기판 |
US11322437B2 (en) | 2020-02-26 | 2022-05-03 | Chipbond Technology Corporation | Flip chip interconnection and circuit board thereof |
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