CN107230680B - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107230680B
CN107230680B CN201710183279.5A CN201710183279A CN107230680B CN 107230680 B CN107230680 B CN 107230680B CN 201710183279 A CN201710183279 A CN 201710183279A CN 107230680 B CN107230680 B CN 107230680B
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive layer
layer
region
display device
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710183279.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107230680A (zh
Inventor
崔原硕
李相祚
金喆秀
崔允瑄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN107230680A publication Critical patent/CN107230680A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107230680B publication Critical patent/CN107230680B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

提供一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括位于第一区域与第二区域之间的弯曲区域，并围绕在第一方向上延伸的弯曲轴弯曲；第一导电层，位于基底上方，并从第一区域通过弯曲区域延伸到第二区域；第二导电层，位于第一导电层上方，并从第一区域通过弯曲区域延伸到第二区域；有机绝缘层，位于第一导电层与第二导电层之间。

Description

显示装置
本申请要求于2016年3月24日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0035535号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示装置，该显示装置可以在制造工艺期间减少诸如断开的缺陷的发生或使诸如断开的缺陷的发生最小化，同时改善显示装置的寿命。
背景技术
通常，显示装置包括位于基底上方的显示部分。可以在各种角度改善显示装置的可视性，或者可以通过使显示装置的至少一部分弯曲来减小显示装置的非显示区域的面积。
然而，在传统的显示装置中，在制造弯曲的显示装置的工艺期间会发生缺陷，或者会降低显示装置的寿命。
发明内容
一个或更多个实施例包括显示装置，该显示装置可以减少在制造工艺期间会另外发生的诸如断开的缺陷的发生或使缺陷的发生最小化，同时还改善显示装置的寿命。然而，这些方面仅是示例性的，发明构思的范围不受这些方面限制。
额外的方面部分地将在以下的描述中阐述，并且部分地通过该描述将是清楚的或者可以通过实施所提出的实施例而了解。
根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基底，包括位于第一区域和第二区域之间的弯曲区域，并围绕在第一方向上延伸的弯曲轴弯曲；第一导电层，位于基底上方，并从第一区域通过弯曲区域延伸到第二区域；第二导电层，位于第一导电层上方，并从第一区域通过弯曲区域延伸到第二区域；有机绝缘层，位于第一导电层与第二导电层之间。
显示装置还可以包括：无机绝缘层，位于基底上方，并具有与弯曲区域对应的开口；有机层，位于开口的至少一部分中。
有机层的上表面可以包括第一不平坦表面，有机绝缘层的上表面可以包括第二不平坦表面。
第一不平坦表面可以包括以第一周期重复的多个第一凹槽，第二不平坦表面可以包括以不同于第一周期的第二周期重复的多个第二凹槽。
第二不平坦表面的第二周期可以小于第一不平坦表面的第一周期。
所述多个第一凹槽可以在有机层的上表面处，并可以在第一方向上延伸，所述多个第二凹槽可以在有机绝缘层的上表面处，并可以在第一方向上延伸。
第一不平坦表面可以包括具有第一高度的多个第一突起，第二不平坦表面可以包括在与第一方向交叉的第二方向上的并具有大于第一高度的第二高度的多个第二突起。
第一不平坦表面和第二不平坦表面可以对应于开口。
位于有机绝缘层上方的第二导电层的下表面的形状可以对应于有机绝缘层的形状。
第一不平坦表面可以具有第一面积，第二不平坦表面可以具有大于第一面积的第二面积。
位于有机层上方的第一导电层的下表面的形状可以对应于有机层的上表面的形状。
有机绝缘层可以在第一区域中具有第一接触孔，并可以在第二区域中具有第二接触孔，第一导电层可以经由第一接触孔和第二接触孔电连接到第二导电层。
有机绝缘层可以在弯曲区域中具有第三接触孔，第一导电层可以经由第三接触孔电连接到第二导电层。
显示装置还可以包括在第一区域中位于无机绝缘层上方的第三导电层，第一导电层和第二导电层电连接到第三导电层。
显示装置还可以包括位于第一区域或第二区域中并包括源电极、漏电极和栅电极的薄膜晶体管，第三导电层可以包括与栅电极的材料相同的材料。
显示装置还可以包括在第一区域中位于无机绝缘层上方的第三导电层和第四导电层，第一导电层可以电连接到第三导电层，第二导电层可以电连接到第四导电层。
第二导电层可以与第一导电层叠置或可以不与第一导电层叠置。
显示装置还可以包括位于第一区域或第二区域中并包括源电极、漏电极和栅电极的薄膜晶体管，第三导电层和第四导电层可以包括与栅电极的材料相同的材料。
显示装置还可以包括：薄膜晶体管，位于第一区域或第二区域中，并包括源电极、漏电极和栅电极；平坦化层，位于薄膜晶体管上方，并覆盖薄膜晶体管；像素电极，电连接到薄膜晶体管；像素限定层，位于平坦化层上方，并通过暴露像素电极的中心区域来限定像素区域；包封层，覆盖第一区域中的显示元件；用于触摸屏的触摸电极，位于包封层上方，其中，第一导电层可以包括与源电极或漏电极的材料相同的材料。
第二导电层可以包括与触摸电极的材料相同的材料。
有机绝缘层可以包括与平坦化层或像素限定层的材料相同的材料。
包封层可以包括无机包封层和包括与有机绝缘层的材料相同的材料的有机包封层。
根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基底，包括弯曲区域；无机绝缘层，位于基底上方，并在弯曲区域处具有开口；有机层，位于开口的至少一部分处。
显示装置还可以包括：第一导电层，位于无机绝缘层上方和有机层上方；第二导电层，位于第一导电层上方；有机绝缘层，位于第一导电层与第二导电层之间。
第一导电层可以通过有机绝缘层中的一个或更多个孔电连接到第二导电层。
有机层、第一导电层和第二导电层中的至少一个可以在弯曲区域处包括用于减小或分散由于在弯曲区域处的弯曲而产生的应力的不平坦表面。
无机绝缘层可以包括缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层中的至少一个，并可以延伸到弯曲区域外部的显示区域中的薄膜晶体管。
根据上文，可以实现一种显示装置，该显示装置可以减少在制造工艺期间的诸如断开的缺陷的发生或使缺陷的发生最小化，同时改善显示装置的寿命。如本领域普通技术人员所理解的，发明构思的范围不受这些方面限制。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显和更容易领会，在附图中：
图1是示出了根据实施例的显示装置的透视图；
图2是示出了图1的显示装置的一部分的剖视图；
图3是示出了根据另一实施例的显示装置的一部分的剖视图；
图4是示出了根据另一实施例的显示装置的一部分的剖视图；
图5是示出了根据另一实施例的显示装置的一部分的剖视图；
图6是示出了根据另一实施例的显示装置的一部分的剖视图；
图7是示出了根据另一实施例的显示装置的一部分的剖视图；
图8是示出了根据另一实施例的显示装置的一部分的剖视图；
图9是示出了根据另一实施例的显示装置的一部分的剖视图；
图10是示出了根据另一实施例的显示装置的一部分的剖视图；
图11是示出了根据另一实施例的显示装置的一部分的剖视图；
图12和图13分别是示出了根据另一实施例的显示装置的一部分的平面图和剖视图；
图14和图15分别是示出了根据另一实施例的显示装置的一部分的平面图和剖视图。
具体实施方式
通过参照下面对实施例和附图的详细描述，可以更容易理解发明构思的特征及其完成方法。在下文中，将参照附图更详细地描述示例实施例，其中同样的附图标记始终表示同样的元件。然而，本发明可以以各种不同的形式实施，并且不应被解释为仅限于这里所示出的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将把本发明的方面和特征充分地传达给本领域技术人员。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员完整理解本发明的方面和特征的不必要的工艺、元件和技术。除非另有说明，否则在所有附图和书面描述中，同样的附图标记指示同样的元件，因此，将不重复它们的描述。在附图中，为了清楚起见，可以夸大元件、层和区域的相对尺寸。
将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
为了便于解释，在这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……下”、“在……上方”、“上面的”等空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解的是，除了图中所示的方位之外，空间相对术语意图包括装置在使用中或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”、“之下”或“下”的元件将随后被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……之下”和“在……下”可以包含上方和下方两种方位。装置可以被另外定位(例如，旋转90度或在其它方位)，应该相应地解释这里使用的空间相对描述符。
将理解的是，当元件、层、区域或组件被称为“在”另一元件、层、区域或组件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件、层、区域或组件时，该元件、层、区域或组件可以直接在所述另一元件、层、区域或组件上、直接连接到或直接结合到所述另一元件、层、区域或组件，或者可以存在一个或更多个中间元件、层、区域或组件。此外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或层。
在下面的示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示互不垂直的不同方向。
这里所使用的术语仅用于描述具体实施例的目的，而不意图限制本发明。如在这里所使用的，除非上下文另有明确表明，否则单数形式“一个(种/者)”和“该/所述”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”及其变形时，说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。诸如“……中的至少一个”的表述在一列元件之后时修饰整列元件，并不修饰该列的各个元件。
如在这里所使用的，术语“基本上”、“大约”和类似术语用作近似的术语而不是作为程度的术语，并且意图解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。此外，在描述本发明的实施例时使用“可以”是指“本发明的一个或更多个实施例”。如在这里所使用的，术语“使用”及其变形可以分别被认为与术语“利用”及其变形同义。另外，术语“示例性”意图表示示例或说明。
当某一实施例可以不同地实现时，可以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
根据这里描述的本发明的实施例的电子或电气装置和/或任何其它相关装置或组件可以利用任何合适的硬件、固件(例如专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的组合来实现。例如，这些装置的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或单独的IC芯片上。此外，这些装置的各种组件可以在柔性印刷电路膜、载带封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上实现，或形成在一个基底上。此外，这些装置的各种组件可以是执行计算机程序指令并且与用于执行这里描述的各种功能的其它系统组件交互的一个或更多个计算机装置中的一个或更多个处理器上运行的进程或线程。计算机程序指令存储在可以在使用诸如以随机存取存储器(RAM)为例的标准存储器装置的计算机装置中实现的存储器中。计算机程序指令也可以存储在诸如以CD-ROM或闪存驱动器等为例的其它非暂时性计算机可读介质中。另外，本领域技术人员应当认识到的是，在不脱离本发明的示例性实施例的精神和范围的情况下，各种计算机装置的功能可以被组合或集成到单个计算机装置中，或者特定计算机装置的功能可以分布在一个或更多个其它计算机装置上。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非这里明确地如此定义，否则术语(诸如通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与在相关领域的上下文和/或本说明书中的它们的意思一致的意思，并且将不以理想化的或过于形式化的含义来解释它们。
图1是示出了根据实施例的显示装置1A的透视图，图2是示出了图1的显示装置1A的一部分的剖视图。
如图1中所示，在根据实施例的显示装置1A中，作为显示装置1A的一部分的基底100的一部分是弯曲的，并且显示装置1A具有与基底100相似的部分弯曲的形状。然而，为了便于描述，图2示出了显示装置1A是未弯曲的(例如，图2示出了显示装置1A被弯曲之前的显示装置1A，或示出了显示装置1A的未弯曲部分)。作为参考，为了便于说明和描述，下面的实施例的剖视图或平面图示出了显示装置1A是未弯曲的。
参照图1和图2，根据实施例的显示装置的基底100具有在第一方向(+y方向)上延伸的弯曲区域BA。弯曲区域BA在与第一方向(+y方向)交叉的第二方向(+x方向)上位于第一区域A1与第二区域A2之间。另外，如图1中所示，基底100围绕在第一方向(+y方向)上延伸的弯曲轴BAX弯曲。
基底100可以包括具有柔性或可弯曲特性的各种材料。例如，基底100可以包括诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和/或乙酸丙酸纤维素(CAP)的聚合物树脂。
第一区域A1包括显示区域DA。如图2中所示，第一区域A1可以包括位于显示区域DA外部的非显示区域NDA的一部分。另外，第二区域A2也可以包括非显示区域NDA的一部分。
显示部分可以位于第一区域A1的显示区域DA中。显示部分可以包括显示元件300，并可以通过控制显示元件300的发光来向外部显示图像。
如图2中所示，除了显示元件300之外，薄膜晶体管(TFT)210可以位于基底100的显示区域DA中，并可以电连接到显示元件300。图2示出了显示区域DA中的显示元件300包括有机发光二极管(OLED)。OLED电连接到TFT 210的构造可以被理解为像素电极310电连接到TFT 210的构造。TFT也可以在适当时位于基底100的显示区域DA外部的外围区域中。例如，外围区域中的TFT可以是用于控制施加到显示区域DA的电信号的电路部分的一部分。
TFT 210可以包括包含非晶硅、多晶硅或有机半导体材料的半导体层211、栅电极213、源电极215a和漏电极215b。
为了确保半导体层211与栅电极213的绝缘，栅极绝缘层120可以位于半导体层211与栅电极213之间，并可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。另外，层间绝缘层130可以位于栅电极213上方，并可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。源电极215a和漏电极215b可以位于层间绝缘层130上方。包括无机材料的绝缘层(例如，栅极绝缘层120和层间绝缘层130)可以通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)来形成。这同样适用于下面描述的实施例及其修改。
缓冲层110可以位于具有上面结构的TFT 210与基底100之间，并可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。缓冲层110可以使基底100的上表面平坦化，或者可以防止来自基底100等的杂质向TFT 210的半导体层211中渗透或使来自基底100等的杂质向TFT 210的半导体层211中渗透最小化。
另外，平坦化层140可以位于TFT 210上方。例如，如图2中所示，在OLED位于TFT210上方的情况下，平坦化层140可以大体上使覆盖TFT 210的保护层的上部平坦化。平坦化层140可以包括诸如亚克力、苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料。尽管图2示出了平坦化层140为单层，但是平坦化层140可以包括多个层，并可以进行各种修改。另外，如图2中所示，平坦化层140具有(例如，限定或包括)在显示区域DA外部的开口，以将平坦化层140的显示区域DA中的一部分与平坦化层140的第二区域A2中的一部分物理分离。这是为了防止外部杂质经由平坦化层140到达显示区域DA的内部。
在基底100的显示区域DA中，OLED可以位于平坦化层140上方，OLED包括像素电极310、对电极330和位于像素电极310与对电极330之间并包括发射层的中间层320。像素电极310经由形成在平坦化层140中的开口通过与源电极215a和漏电极215b中的一个接触而电连接到TFT 210，如图2中所示。
像素限定层150可以位于平坦化层140上方。像素限定层150通过具有与子像素对应的开口来限定像素，即，开口至少暴露像素电极310的中心部分。另外，在图2中所示的情况下，像素限定层150通过增大像素电极310的边缘与像素电极310上方的对电极330之间的距离来防止在像素电极310的边缘处出现电弧等。像素限定层150可以包括诸如PI或HMDSO的有机材料。
OLED的中间层320可以包括低分子量材料或聚合物材料。在中间层320包括低分子量材料的情况下，中间层320可以具有以单个结构或复合结构堆叠的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等中的一个或更多个的结构。中间层320可以包括各种有机材料，诸如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。可以通过真空沉积方法形成这些层。
在中间层320包括聚合物材料的情况下，中间层320可以具有包括HTL和EML的结构。在这种情况下，HTL可以包括PEDOT，EML可以包括诸如聚对苯乙炔(PPV)类材料和聚芴类材料的聚合物材料。可以通过使用丝网印刷、喷墨印刷法或激光诱导热成像(LITI)等形成中间层320。
中间层320不必限于此，可以具有各种结构。另外，中间层320可以包括一体地形成在多个像素电极310之上的层，并可以包括被图案化为对应于多个像素电极310的层。
对电极330可以位于显示区域DA上方，并可以覆盖显示区域DA，如图2中所示。即，对电极330可以一体地形成在多个OLED之上，并可以对应于多个像素电极310。
因为OLED会容易被外部湿气或氧等损坏，所以包封层400可以通过覆盖OLED来保护OLED。包封层400可以覆盖显示区域DA，并可以延伸到显示区域DA的外部。如图2中所示，包封层400可以包括第一无机包封层410、有机包封层420和第二无机包封层430。
第一无机包封层410可以覆盖对电极330，并可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。适当时，诸如覆盖层等的其它层可以位于第一无机包封层410与对电极330之间。
因为第一无机包封层410沿着其下的结构形成，所以第一无机包封层410的上表面不平坦，如图2中所示。有机包封层420可以覆盖第一无机包封层410。与第一无机包封层410不同，有机包封层420的上表面可以是平坦的。具体地，有机包封层420的上表面在与显示区域DA对应的部分中可以是近似平坦的。有机包封层420可以包括PET、PEN、PC、PI、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛(POM)、PAR和六甲基二硅氧烷中的至少一种。
第二无机包封层430可以覆盖有机包封层420，并可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第二无机包封层430可以通过在显示区域DA外部接触第一无机包封层410的边缘来防止有机包封层420暴露于外部。
因为包封层400包括第一无机包封层410、有机包封层420和第二无机包封层430，所以即使当在包封层400内部发生裂纹时，由于上述多层结构的性质，也不会允许裂纹在第一无机包封层410与有机包封层420之间或者在有机包封层420与第二无机包封层430之间连接。由此，可以防止外部湿气或氧等渗透到显示区域DA中所通过的路径的形成，或者可以使路径的形成最小化。
在其它实施例中，偏振板可以通过使用光学透明粘合剂(OCA)位于包封层400上方。偏振板可以减少外部光的反射。例如，在外部光穿过偏振板，被对电极330的上表面反射，然后再次穿过偏振板的情况下，因为外部光穿过偏振板两次，所以可以改变外部光的相位。结果，由于反射光的相位与穿过偏振板的外部光的相位之间的相位差，可以发生相消干涉。因此，通过减少外部光反射可以改善可视性。在另一实施例中，可以省略显示装置的偏振板，因此，可以通过使用黑矩阵和滤色器来减少外部光反射。
用于触摸屏功能的各种图案的触摸电极710可以位于包封层400上方。当形成触摸电极710时，可以通过使用与触摸电极710的材料相同的材料与触摸电极710同时形成第一导电层215c。当形成覆盖触摸电极710以保护触摸电极710的触摸保护层720时，也可以形成(例如，在同一工艺期间同时地或同步地形成)覆盖第一导电层215c等的保护层。在另一实施例中，如图2中所示，触摸保护层720可以在适当时从显示区域DA至少一体地延伸到弯曲区域BA。如上所述，第一导电层215c与触摸电极710同时形成的结构可应用于以上或以下描述的显示装置。与此不同，第一导电层215c可以通过使用与对电极330的材料相同的材料与对电极330一起形成(例如，在同一工艺期间同步地或同时地形成)。
同时，包括无机材料的缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130可以统称为无机绝缘层。无机绝缘层包括或具有对应于弯曲区域BA的开口。即，如图2中所示，缓冲层110和栅极绝缘层120可以分别包括与弯曲区域BA对应的开口110a和120a。开口对应于弯曲区域BA的情形可以表示开口与弯曲区域BA叠置。在另一实施例中，层间绝缘层130也可以具有与缓冲层110和栅极绝缘层120的各个开口110a和120a对应的开口。
在图2中，开口的面积被示为开口的宽度，弯曲区域BA的面积被示为弯曲区域BA的宽度。尽管图2示出了开口的面积与弯曲区域BA的面积相同，但是根据另一实施例，开口的面积可以大于弯曲区域BA的面积。
同时，尽管图2示出了缓冲层110的开口110a的内侧表面与栅极绝缘层120的开口120a的内侧表面一致，但并不是所有实施例都限于此。在另一实施例中，缓冲层110的开口110a的内侧表面可以不同于栅极绝缘层120的开口120a的内侧表面。在这种情况下，开口的面积可以被定义为或者可以是两个开口110a和120a的面积中的相对最小的面积。图2示出了开口110a的面积小于开口120a的面积，开口的面积由缓冲层110的开口110a的面积限定或等于缓冲层110的开口110a的面积。
根据实施例的显示装置包括位于(例如，填充或填充在)无机绝缘层的开口的至少一部分处的有机层160。尽管图2示出了有机层160完全填充开口，因此有机层160的上表面是平坦的，但是根据另一实施例，有机层160可以沿开口的形状设置。有机层160可以经由单独的工艺形成，并可以在形成显示部分的一些层的工艺期间同时形成。在形成显示部分的一些层的工艺期间同时形成有机层160的情况下，有机层160可以包括与平坦化层140或像素限定层150的材料相同的材料。
另外，根据本实施例的显示装置包括第一导电层215c。第一导电层215c从第一区域A1通过弯曲区域BA延伸到第二区域A2，并位于有机层160上方。第一导电层215c可以在不存在有机层160的区域中位于诸如栅极绝缘层120和/或层间绝缘层130的无机绝缘层上方。第一导电层215c可以包括与源电极215a或漏电极215b的材料相同的材料，并可以与源电极215a或漏电极215b一起形成(例如，与源电极215a或漏电极215b同时地或同步地形成，或者与源电极215a或漏电极215b在同一工艺期间形成)。
如上所述，为了便于描述，尽管图2示出了显示装置未弯曲，但是根据实施例的显示装置包括如图1中所示的在弯曲区域BA中弯曲的基底100等。为此目的，制造显示装置使得基底100如图2中所示的近似平坦的，然后通过在弯曲区域BA中将基底100等弯曲以使显示装置具有图1中所示的近似形状。在这种情况下，在使基底100等在弯曲区域BA中弯曲的工艺期间，会对第一导电层215c施加拉应力。
然而，在根据实施例的显示装置中，因为无机绝缘层在弯曲区域BA中具有开口，所以无机绝缘层中发生裂纹的可能性相对较低，有机层160可以吸收由基底100等的弯曲而产生的拉应力，因此可以防止在弯曲工艺期间第一导电层215c中的缺陷的发生或使第一导电层215c中的缺陷的发生最小化。
除了第一导电层215c之外，根据本实施例的显示装置还可以包括第二导电层180。第二导电层180从第一区域A1通过弯曲区域BA延伸到第二区域A2，并位于第一导电层215c上方。为了绝缘，有机绝缘层170可以位于第一导电层215c与第二导电层180之间。第二导电层180可以位于有机绝缘层170上方，并可以经由第一区域A1和第二区域A2中的形成在有机绝缘层170中的第一接触孔180a和第二接触孔180b电连接到第一导电层215c。例如，第二导电层180可以包括与触摸电极710的材料相同的材料，尽管不是所有实施例都限于此。
同时，如图2中所示，第一导电层215c可以包括与TFT 210的源电极215a或漏电极215b的材料相同的材料。在这种情况下，第二导电层180可以包括与触摸电极710的材料相同的材料，尽管本实施例不限于此。作为另一实施例，第二导电层180可以包括与对电极330的材料相同的材料，并可以在形成对电极330时形成(例如，第二导电层180和对电极330可以在同一工艺期间形成)。
第一导电层215c和第二导电层180可以如上所述彼此电连接，并可以用作用于传输相同信号的布线(例如，作为整体布线)。即，第一导电层215c和第二导电层180可以形成用于传输相同信号的所谓的多路径。因此，当基底100在弯曲区域BA中弯曲时，拉应力被施加到弯曲区域BA中的第一导电层215c和第二导电层180，在这种情况下，即使在第一导电层215c和第二导电层180中的一个中发生裂纹或断开时，也可以经由其它导电层来传输电信号，因此可以实现弯曲结构中的可靠的布线。
如上所述，有机绝缘层170可以位于第一导电层215c与第二导电层180之间。有机绝缘层170使第一导电层215c的部分与第二导电层180的部分绝缘。类似于有机层160，有机绝缘层170可以吸收在弯曲期间施加到第二导电层180的拉应力，并可以减少第二导电层180中的裂纹的发生或使第二导电层180中的裂纹的发生最小化。尽管图2示出了有机绝缘层170包括与平坦化层140的材料相同的材料，但是本实施例不限于此。作为另一实施例，如图3中所示，显示装置1A'的有机绝缘层170可以包括与像素限定层150的材料相同的材料。
同时，在另一实施例中，有机绝缘层170可以包括与有机包封层420的材料相同的材料。另外，有机层160和有机绝缘层170可以包括相同的材料，或者可以由不同材料制成。例如，在平坦化层140包括第一平坦化层和位于第一平坦化层上方的第二平坦化层的情况下，当有机层160包括与第一平坦化层的材料相同的材料时，有机绝缘层170可以包括与第二平坦化层的材料相同的材料。在这种情况下，第一平坦化层的材料可以与第二平坦化层的材料相同或不同。作为另一实施例，在有机层160包括与平坦化层140的材料相同的材料的情况下，有机绝缘层170可以包括与像素限定层150的材料相同的材料。另外，作为另一实施例，在有机层160包括与像素限定层150的材料相同的材料的情况下，有机绝缘层170可以包括与有机包封层420的材料相同的材料。
同时，如上所述，用于保护触摸电极710的触摸保护层720可以在第二导电层180上方一体地延伸到第一区域A1、弯曲区域BA和第二区域A2。触摸保护层720可以延伸达到第二区域A2，并可以覆盖第二导电层180，从而使第二导电层180与外部绝缘，从而防止或减小第二导电层180的损坏的可能性。
同时，除了第一导电层215c之外，根据本实施例的显示装置还可以包括第三导电层213a。尽管图2示出了第三导电层213a仅在第一区域A1中，但是第三导电层213a也可以位于第二区域A2中。第三导电层213a可以在第一区域A1或第二区域A2中，使得第三导电层213a在与第一导电层215c所在的层不同的层中，并可以电连接到第一导电层215c。图2示出了第三导电层213a包括与TFT 210的栅电极213的材料相同的材料，并与栅电极213位于栅极绝缘层120上方的层在同一层中。另外，图2示出了第一导电层215c经由形成在层间绝缘层130中的接触孔接触第三导电层213a。
第一区域A1中的第三导电层213a可以电连接到显示区域DA内部的TFT等，因此第一导电层215c可以经由第三导电层213a电连接到显示区域DA内部的TFT等。在另一实施例中，在第三导电层213a位于第二区域A2中的情况下，第三导电层213a也可以经由第一导电层215c电连接到显示区域DA内部的TFT等。如上所述，第三导电层213a可以电连接到显示区域DA内部的元件而第三导电层213a位于显示区域DA的外部处，并可以朝向显示区域DA延伸，并且其至少一部分可以位于显示区域DA内部而第三导电层213a位于显示区域DA的外部处。
因此，通过使跨过弯曲区域BA的第一导电层215c包括具有高伸长率的材料，可以减少或防止诸如第一导电层215c中的裂纹或第一导电层215c的断开的缺陷的发生。另外，通过使用伸长率比第一导电层215c的伸长率低的但电特性/物理特性与第一区域A1或第二区域A2中的第一导电层215c的电特性/物理特性不同的材料来形成第三导电层213a，可以减少制造工艺期间的缺陷发生率，或者可以增大显示装置中电信号传输的效率。例如，第三导电层213a可以包括Mo，第一导电层215c可以包括Al。适当时，第一导电层215c或第三导电层213a可以具有多层结构。
在第三导电层213a也位于第二区域A2中的情况下，与图2不同，第三导电层213a可以通过使其上表面的至少一部分未被平坦化层140等覆盖而是暴露于外部来电连接到各种电子器件或电连接到印刷电路板等。
图4是示出了根据另一实施例的显示装置1B的一部分的剖视图。
图4中示出的显示装置1B包括在第一导电层215c与第二导电层180之间的有机绝缘层170，并与图2的显示装置1A不同之处在于除了第一接触孔180a和第二接触孔180b之外，有机绝缘层170还包括第三接触孔180c，所有接触孔使第一导电层215c与第二导电层180电连接。在下文中，主要描述差异，并省略图2的重复描述。
参照图4，如上所述，第一导电层215c和第二导电层180彼此电连接，并可以共同用作布线(例如，整体布线)，并用作用于传输相同信号的所谓的多路径。第一导电层215c经由第一区域A1中的第一接触孔180a电连接到第二导电层180，并也经由第二区域A2中的第二接触孔180b电连接到第二导电层180。除了第一接触孔180a和第二接触孔180b之外，根据本实施例的显示装置的有机绝缘层170还可以包括第三接触孔180c。第三接触孔180c可以在弯曲区域BA中，并可以设置为单个接触孔或多个接触孔。
因为有机绝缘层170在弯曲区域BA中还包括第三接触孔180c(除了第一区域A1的第一接触孔180a和第二区域A2的第二接触孔180b之外)，所以即使在一个区域中发生裂纹的情况下，也可以减小发生第一导电层215c和第二导电层180的电信号断开的可能性。
图5是示出了根据另一实施例的显示装置1C的一部分的剖视图，图6是放大图5的一部分的剖视图，图7至图10是放大图5的所述部分的修改的剖视图。
参照图5和图6，根据本实施例的有机层160可以在其上表面(+z方向)的至少一部分中包括第一不平坦(例如，不规则或非平面)表面160a。因为有机层160包括第一不平坦表面160a，所以有机层160上方的第一导电层215c的上表面和/或下表面可以具有对应于有机层160的第一不平坦表面160a的形状。
另外，有机绝缘层170可以在其上表面(+z方向)的至少一部分中包括第二不平坦(例如，不规则或非平面)表面170a。因为有机绝缘层170包括第二不平坦表面170a，所以有机绝缘层170上方的第二导电层180的上表面和/或下表面可以具有与有机绝缘层170的第二不平坦表面170a的形状对应的形状。
如上所述，当基底100等在制造工艺期间在弯曲区域BA中弯曲时，会对第一导电层215c和第二导电层180施加拉应力。通过使第一导电层215c和第二导电层180的上表面和/或下表面分别具有与有机层160的第一不平坦表面160a和有机绝缘层170的第二不平坦表面170a对应的形状，可以减小施加到第一导电层215c和第二导电层180的拉应力的量或使拉应力的量最小化。即，可以通过有机层160和有机绝缘层170的形状的变形来减小在弯曲工艺期间会产生的拉应力。在这种情况下，通过使第一导电层215c和第二导电层180的形状变形为与通过弯曲而变形的有机层160和有机绝缘层170的形状对应，可以有效地防止第一导电层215c和第二导电层180中诸如断开等的缺陷的发生。
另外，可以通过形成第一不平坦表面160a和第二不平坦表面170a来增大有机层160的上表面的表面积、第一导电层215c的开口内部的上/下表面的表面积、有机绝缘层170的上/下表面的表面积和第二导电层180的开口内部的上/下表面的表面积。弯曲区域中的层的表面积相对大的情形表示层可以经由其变形以减小由基底100的弯曲而引起的拉应力的余量增大。
作为另一实施例，因为第一导电层215c位于有机层160上方，所以第一导电层215c的下表面具有与有机层160的第一不平坦表面160a对应的形状，第二导电层180的下表面具有与有机绝缘层170的第二不平坦表面170a对应的形状。然而，如图10中所示，第一导电层215c的上表面可以具有可以是与有机层160的第一不平坦表面160a不对应的独立形状的不平坦表面。同样，第二导电层180的上表面可以具有不平坦表面，并可以具有与有机绝缘层170的第二不平坦表面170a不对应的独立形状的不平坦表面。
有机层160的第一不平坦表面160a和有机绝缘层170的第二不平坦表面170a可以通过使用各种方法形成。例如，当形成有机层160或有机绝缘层170时，可以使用光致抗蚀剂材料，并且在制造工艺期间经由狭缝掩模或半色调掩模通过向有机层160或有机绝缘层170的具有最初近似平坦的上表面的部分施加的曝光量不同，可以比其它部分相对深地或更多地蚀刻(去除)特定部分。这里，深蚀刻的部分可以被理解为有机层160的上表面中或有机绝缘层170的上表面中的凹部。当制造根据其它实施例的显示装置时使用的方法不限于上面的方法。例如，在形成均具有近似平坦的上表面的有机层160或有机绝缘层170之后，可以通过使用干蚀刻等和可使用的各种方法选择性地去除适当的部分。
同时，为了使有机层160在其上表面(+z方向)处包括第一不平坦表面160a，有机层160可以在其上表面(+z方向)中包括在第一方向(+y方向)上延伸的多个第一凹槽。在这种情况下，第一导电层215c的下表面的形状对应于有机层160的上表面的形状。同样地，为了使有机绝缘层170在其上表面(+z方向)处包括第二不平坦表面170a，有机绝缘层170可以在其上表面(+z方向)处包括在第一方向(+y方向)上延伸的多个第二凹槽。在这种情况下，第二导电层180的下表面的形状对应于有机绝缘层170的上表面的形状。多个第一凹槽可以在有机层160的上表面中并可以在与弯曲轴BAX的方向相同的第一方向(+y方向)上延伸，多个第二凹槽可以位于有机绝缘层170的上表面中并也可以在第一方向(+y方向)上延伸。
有机层160可以仅在无机绝缘层的开口内部具有第一不平坦表面160a。另外，有机绝缘层170可以仅在无机绝缘层的开口内部具有第二不平坦表面170a。即，有机层160和有机绝缘层170可以分别仅在对应于弯曲区域BA的位置处具有不平坦表面160a和170a。
同时，参照图7，有机层160的多个第一凹槽可以以第一周期(例如，第一凹槽可以彼此分开第一距离，从而以第一频率重复)重复，有机绝缘层170的多个第二凹槽可以以第二周期重复。这里，有机层160的多个第一凹槽以第一周期重复的情形可以表示有机层160的多个第一凹槽中的最相邻的第一凹槽或邻近的第一凹槽之间的距离重复恒定的第一距离d1。另外，有机绝缘层170的多个第二凹槽以第二周期重复的情形可以表示有机绝缘层170的多个第二凹槽中的最相邻的第二凹槽之间的距离重复恒定的第二距离d2。
根据本实施例，如图7中所示，有机绝缘层170的多个第二凹槽之间的第二距离d2可以小于有机层160的多个第一凹槽之间的第一距离d1。如上所述，当基底100在弯曲区域BA中弯曲时，位于距基底100的上表面相对远的距离处的第二导电层180比位于距基底100的上表面相对近的距离处的第一导电层215c承受更大的拉应力。因此，通过将有机绝缘层170的多个第二凹槽之间的第二距离d2形成为比有机层160的多个第一凹槽之间的第一距离d1小，第二导电层180的上表面的表面积可以大于第一导电层215c的上表面的表面积。通过这样，可以有效地分散当基底100弯曲时施加到基底100的拉应力。
同时，参照图8，在与第一方向(+y方向)交叉因此也与弯曲轴BAX的方向交叉的第二方向(+x方向)上，有机层160的第一不平坦表面160a可以包括多个第一突起，有机绝缘层170的第二不平坦表面170a可以包括多个第二突起。在这种情况下，多个第一突起可以具有第一高度h1，多个第二突起可以具有第二高度h2。多个第一突起的第一高度h1可以被定义为有机层160的第一不平坦表面160a的凹部与凸部之间的台阶差(例如，第一高度h1可以被认为是有机层160的第一不平坦表面160a的峰和谷之间的高度差)。同样地，多个第二突起的第二高度h2可以被定义为有机绝缘层170的第二不平坦表面170a的凹部和凸部之间的台阶差。
根据本实施例，多个第二突起的第二高度h2可以大于多个第一突起的第一高度h1。这表示多个第二突起的台阶差大于多个第一突起的台阶差。如上所述，当基底100在弯曲区域BA中弯曲时，位于与第一导电层215c相比距基底100的上表面相对远的距离处的第二导电层180比位于距基底100的上表面相对近的距离处的第一导电层215c承受更大的拉应力。因此，由于有机绝缘层170的多个第二突起的第二高度h2形成为高于有机层160的多个第一突起的第一高度h1，第二导电层180的上表面的表面积可以大于第一导电层215c的上表面的表面积。通过这样，可以有效地分散或减小当基底100弯曲时施加到基底100的拉应力。
同时，参照图9，有机层160的第一不平坦表面160a可以形成为具有第一面积W1，有机绝缘层170的第二不平坦表面170a可以形成为具有第二面积W2。在图9中，第一面积W1被示出为整个第一不平坦表面160a的宽度，第二面积W2被示出为整个第二不平坦表面170a的宽度。
根据本实施例，有机绝缘层170的第二不平坦表面170a的第二面积W2可以大于有机层160的第一不平坦表面160a的第一面积W1。如图9中所示，具有相对宽的第二面积W2的第二不平坦表面170a可以因此包括比具有相对窄的第一面积W1的第一不平坦表面160a的凹槽和突起的数量多的数量的凹槽和突起。如上所述，当基底100在弯曲区域BA中弯曲时，位于距基底100的上表面相对远的距离处的第二导电层180比位于距基底100的上表面相对近的距离处的第一导电层215c承受更大的拉应力。因此，通过将有机绝缘层170的第二不平坦表面170a的第二面积W2形成为比有机层160的第一不平坦表面160a的第一面积W1宽或大，第二导电层180的上表面的表面积可以比第一导电层215c的上表面的表面积宽或大。通过这样，可以有效地分散当基底100弯曲时施加到基底100的拉应力。
同时，参照图10，根据本实施例的有机层160的第一不平坦表面160a和有机绝缘层170的第二不平坦表面170a可以被图案化为具有合适的图案。在这种情况下，如图10中所示，尽管第一不平坦表面160a可以具有与第一导电层215c的上表面不同的形状，但是位于有机层160上方的第一导电层215c的下表面对应于有机层160的上表面的形状。另外，尽管第二不平坦表面170a可以具有与第二导电层180的上表面不同的形状，但是位于有机绝缘层170上方的第二导电层180的下表面对应于有机绝缘层170的上表面的形状。
图11是示出了根据另一实施例的显示装置2的一部分的剖视图，图12和图13分别是示出了根据另一实施例的显示装置的一部分的平面图和剖视图，图14和图15分别是示出了根据另一实施例的显示装置的一部分的平面图和剖视图。
图11中示出的显示装置2包括位于第一导电层215c与第二导电层180之间的有机绝缘层170，与图2的显示装置1A不同之处在于有机绝缘层170使第一导电层215c与第二导电层180绝缘而没有电接触(例如，没有接触孔180a或180b)。另外，因为图11中示出的显示装置2具有与图2的显示装置1A的显示区域DA中的结构基本相同的结构，所以下面主要描述差异，并且省略图2的重复描述。
参照图11，在根据本实施例的显示装置中，无机绝缘层包括与弯曲区域BA对应的开口，并设置有位于无机绝缘层的开口的至少一部分处的有机层160。尽管图11示出了有机层160完全填充或占据开口，因此有机层160的上表面是平坦的，但是根据另一实施例的有机层160可以沿开口的形状设置。有机层160可以通过单独的工艺形成，并可以在形成显示部分的一些层的同一工艺期间形成(例如，同步地或同时地形成)。
另外，根据本实施例的显示装置包括第一导电层215c。第一导电层215c从第一区域A1通过弯曲区域BA延伸到第二区域A2，并位于有机层160上方。第一导电层215c可以在省略有机层160的区域中位于诸如栅极绝缘层120或层间绝缘层130的无机绝缘层上方。第一导电层215c可以包括与源电极215a或漏电极215b的材料相同的材料，并可以与源电极215a或漏电极215b一起形成(例如，与源电极215a或漏电极215b同时形成或在同一工艺期间形成)。
除了第一导电层215c之外，根据本实施例的显示装置还包括第二导电层180。第二导电层180从第一区域A1通过弯曲区域BA延伸到第二区域A2，并位于第一导电层215c上方。有机绝缘层170可以位于第一导电层215c与第二导电层180之间。例如，尽管第二导电层180可以包括与触摸电极710的材料相同的材料，但是其它实施例不限于此。
如上所述，在根据实施例的显示装置中，因为无机绝缘层在弯曲区域BA中具有开口，所以减小了在无机绝缘层中发生裂纹的可能性，有机层160可以吸收由基底100等的弯曲引起的拉应力，从而防止在弯曲工艺期间第一导电层215c和第二导电层180中的缺陷的发生或使缺陷的发生最小化。
同时，如图11中所示，第一导电层215c可以包括与TFT 210的源电极215a或漏电极215b的材料相同的材料。在这种情况下，尽管第二导电层180可以包括与触摸电极710的材料相同的材料，但是其它实施例不限于此。作为另一实施例，第二导电层180可以包括与对电极330的材料相同的材料，并可以在形成对电极330时形成(例如，可以与对电极330同时形成或在同一工艺期间形成)。
有机绝缘层170可以位于第一导电层215c与第二导电层180之间。有机绝缘层170使第一导电层215c与第二导电层180绝缘，并与有机层160一样，可以吸收在弯曲期间施加到第二导电层180的拉应力，并可以减小在第二导电层180中发生裂纹的可能性或使发生裂纹的可能性最小化。尽管图11示出了有机绝缘层170包括与平坦化层140的材料相同的材料，但是实施例不限于此。作为另一实施例，有机绝缘层170可以包括与像素限定层150的材料相同的材料。
在其它实施例中，有机绝缘层170可以包括与有机包封层420的材料相同的材料。另外，有机层160和有机绝缘层170可以包括相同的材料，或者可以包括不同的材料。例如，在平坦化层140包括第一平坦化层和位于第一平坦化层上方的第二平坦化层，并且有机层160包括与第一平坦化层的材料相同的材料时的情况下，有机层绝缘层170可以包括与第二平坦化层的材料相同的材料。在这种情况下，第一平坦化层的材料和第二平坦化层的材料可以相同，或者可以彼此不同。
作为另一实施例，在有机层160包括与平坦化层140的材料相同的材料的情况下，有机绝缘层170可以包括与像素限定层150的材料相同的材料。另外，作为另一实施例，在有机层160包括与像素限定层150的材料相同的材料的情况下，有机绝缘层170可以包括与有机包封层420的材料相同的材料。
同时，如上所述，用于保护触摸电极710的触摸保护层720可以在第二导电层180上方一体地延伸到第一区域A1、弯曲区域BA和第二区域A2。触摸保护层720可以使第二导电层180与外部绝缘，并可以通过延伸达到第二区域A2并通过覆盖第二导电层180来防止第二导电层180的损坏，或者可以减小其可能性。
同时，根据本实施例的显示装置包括第三导电层213a并且也包括第四导电层213b。如图11中所示，第三导电层213a可以经由接触孔电连接到第一导电层215c，第四导电层213b可以经由接触孔电连接到第二导电层180。尽管图11示出了第三导电层213a和第四导电层213b仅位于第一区域A1中，但是第三导电层213a和第四导电层213b也可以位于第二区域A2中。第三导电层213a和第四导电层213b可以在同一层中，或者可以在不同的层中。图11示出了第三导电层213a和第四导电层213b在同一层中的情况，例如，第三导电层213a和第四导电层213b可以位于栅极绝缘层120上方。在这种情况下，尽管第三导电层213a和第四导电层213b可以包括与TFT 210的栅电极213的材料相同的材料，但是其它实施例不限于此。
层间绝缘层130可以位于第三导电层213a和第四导电层213b上方。因此，层间绝缘层130上方的第一导电层215c可以经由形成在层间绝缘层130中的接触孔电连接到第三导电层213a。另外，第四导电层213b上方的第二导电层180可以经由形成在层间绝缘层130中和有机绝缘层170中的接触孔电连接到第四导电层213b。
第一区域A1中的第三导电层213a和第四导电层213b可以电连接到显示区域DA内部的TFT等，因此第一导电层215c可以经由第三导电层213a电连接到显示区域DA内部的TFT等，第二导电层180可以经由第四导电层213b电连接到显示区域DA内部的TFT等。
在其它实施例中，当第三导电层213a和第四导电层213b也位于第二区域A2中时，第二区域A2中的第三导电层213a也可以经由第一导电层215c电连接到显示区域DA内部的TFT等，第二区域A2中的第四导电层213b也可以经由第二导电层180电连接到显示区域DA内部的TFT等。如上所述，第三导电层213a和第四导电层213b可以电连接到显示区域DA内部的元件，而它们位于显示区域DA外部。虽然第三导电层213a和第四导电层213b位于显示区域DA外部，但是它们可以在显示区域DA的方向上延伸使得它们的至少一部分在显示区域DA内部。
通过使跨过弯曲区域BA的第一导电层215c和第二导电层180包括具有高伸长率的材料，可以减少或防止诸如第一导电层215c或第二导电层180中的裂纹或者诸如第一导电层215c或第二导电层180的断开的缺陷的发生。另外，通过使用伸长率比第一导电层213a和第二导电层180的伸长率低的而且电特性/物理特性与第一区域A1或第二区域A2中的第一导电层215c和第二导电层180的电特性/物理特性不同的材料来形成第三导电层213a和第四导电层213b，可以减少制造工艺期间的缺陷发生率，或者可以增大显示装置中电信号传输的效率。例如，第三导电层213a和第四导电层213b可以包括Mo，第一导电层215c和第二导电层180可以包括Al。适当时，第一导电层215c至第四导电层213b可以具有多层结构。
在其它实施例中，与图11不同，第二区域A2中的第三导电层213a和/或第四导电层213b可以通过使其上表面的至少一部分未被平坦化层140等覆盖相反暴露于外部而电连接到各种电子器件或印刷电路板等。
同时，在根据本实施例的显示装置2中，与图2的显示装置1A不同，第一导电层215c和第二导电层180彼此不电连接，因此用作用于传输不同信号的单独布线，并且不用作传输相同信号的整体布线。为此目的，如上所述，第一导电层215c接触第三导电层213a，第二导电层180接触第四导电层213b。
在显示装置中，第一导电层215c和第二导电层180可以位于基底100上方的区域可能受到基底100的面积和显示部分的面积等的限制。此外，第一导电层215c和第二导电层180所处的非显示区域NDA具有逐渐变窄的趋势。因此，为了使显示部分向外部显示图像，在一个层上以复数设置用于供应数据信号等的第一导电层215c和第二导电层180是有限制的。因此，在根据本实施例的显示装置中，有机绝缘层170位于第一导电层215c与第二导电层180之间，因此第一导电层215c和第二导电层180分别位于不同的层中，超越布线可以位于平面上的面积的限制，可以实现具有多层结构的布线结构。通过这样，根据本实施例的显示装置可以增大布线的沟道数量而不受限于非显示区域NDA的面积，因此可以有效地显示高分辨率的图像。
同时，图12是根据另一实施例的放大显示装置的一部分的平面图，图13是沿图12的线A-A截取的剖视图。图12的线A-A沿着与弯曲轴BAX处于同一方向的第一方向(+y方向)。
参照图12和图13，第一导电层215c和第二导电层180可以分别位于不同的层中。如上所述，第一导电层215c可以位于有机层160上方，第二导电层180可以位于有机绝缘层170上方。在本实施例中，第一导电层215c可以与第二导电层180叠置。尽管图13示出了第二导电层180与第一导电层215c完全叠置，但是实施例不限于此。第二导电层180可以与第一导电层215c至少部分地叠置。
同时，图14是根据另一实施例的放大显示装置的一部分的平面图，图15是沿图14的线B-B截取的剖视图。图15的线B-B沿着与弯曲轴BAX处于同一方向的第一方向(+y方向)。
参照图14和图15，与图12和图13的实施例不同，第一导电层215c可以不与第二导电层180叠置。即，如图15中所示，第一导电层215c和第二导电层180可以交替设置。这是为了防止拉应力集中在第一导电层215c与第二导电层180叠置的部分上。
尽管已经参照附图中所示的实施例描述了发明构思，但是这仅是示例性的，并且本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求及其功能等同物限定的发明构思的精神和范围的情况下，可以在此做出形式和细节及其等同物上的各种改变。

Claims (32)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括在第一方向上延伸的弯曲区域，所述弯曲区域沿与所述第一方向交叉的第二方向位于第一区域与第二区域之间；
第一导电层，位于所述基底上方，并从所述第一区域通过所述弯曲区域延伸到所述第二区域；
第二导电层，位于所述第一导电层上方，并从所述第一区域通过所述弯曲区域延伸到所述第二区域；
有机绝缘层，位于所述第一导电层与所述第二导电层之间；
无机绝缘层，位于所述基底上方，并具有与所述弯曲区域对应的开口；以及
有机层，位于所述开口的至少一部分中。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机层的上表面包括第一不平坦表面，
其中，所述有机绝缘层的上表面包括第二不平坦表面。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一不平坦表面包括以第一周期重复的多个第一凹槽，
其中，所述第二不平坦表面包括以不同于所述第一周期的第二周期重复的多个第二凹槽。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二不平坦表面的所述第二周期小于所述第一不平坦表面的所述第一周期。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述多个第一凹槽位于所述有机层的所述上表面处，并在所述第一方向上延伸，
其中，所述多个第二凹槽位于所述有机绝缘层的所述上表面处，并在所述第一方向上延伸。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一不平坦表面包括具有第一高度的多个第一突起，
其中，所述第二不平坦表面包括在与所述第一方向交叉的第二方向上的并具有比所述第一高度大的第二高度的多个第二突起。
7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一不平坦表面和所述第二不平坦表面对应于所述开口。
8.根据权利要求2所述的显示装置，其中，位于所述有机绝缘层上方的所述第二导电层的下表面的形状对应于所述有机绝缘层的形状。
9.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一不平坦表面具有第一面积，
其中，所述第二不平坦表面具有比所述第一面积大的第二面积。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，位于所述有机层上方的所述第一导电层的下表面的形状对应于所述有机层的上表面的形状。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机绝缘层在所述第一区域中具有第一接触孔，并在所述第二区域中具有第二接触孔，
其中，所述第一导电层经由所述第一接触孔和所述第二接触孔电连接到所述第二导电层。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述有机绝缘层在所述弯曲区域中具有第三接触孔，
其中，所述第一导电层经由所述第三接触孔电连接到所述第二导电层。
13.根据权利要求11所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述第一区域中位于所述无机绝缘层上方的第三导电层，所述第一导电层和所述第二导电层电连接到所述第三导电层。
14.根据权利要求13所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述第一区域或所述第二区域中并包括源电极、漏电极和栅电极的薄膜晶体管，
其中，所述第三导电层包括与所述栅电极的材料相同的材料。
15.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述第一区域中位于所述无机绝缘层上方的第三导电层和第四导电层，
其中，所述第一导电层电连接到所述第三导电层，
其中，所述第二导电层电连接到所述第四导电层。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第二导电层与所述第一导电层叠置。
17.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第二导电层不与所述第一导电层叠置。
18.根据权利要求15所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述第一区域或所述第二区域中并包括源电极、漏电极和栅电极的薄膜晶体管，
其中，所述第三导电层和所述第四导电层包括与所述栅电极的材料相同的材料。
19.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
薄膜晶体管，位于所述第一区域或所述第二区域中，并包括源电极、漏电极和栅电极；
平坦化层，位于所述薄膜晶体管上方，并覆盖所述薄膜晶体管；
像素电极，电连接到所述薄膜晶体管；
像素限定层，位于所述平坦化层上方，并通过暴露所述像素电极的中心部分来限定像素区域；
包封层，覆盖所述第一区域中的显示元件；
用于触摸屏的触摸电极，位于所述包封层上方，
其中，所述第一导电层包括与所述源电极或所述漏电极的材料相同的材料。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第二导电层包括与所述触摸电极的材料相同的材料。
21.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述有机绝缘层包括与所述平坦化层或所述像素限定层的材料相同的材料。
22.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述包封层包括无机包封层和包括与所述有机绝缘层的材料相同的材料的有机包封层。
23.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括弯曲区域；
无机绝缘层，位于所述基底上，并在所述弯曲区域处具有开口；
有机层，位于所述开口的至少一部分处；
第一导电层，位于所述无机绝缘层上方和所述有机层上方；
第二导电层，位于所述第一导电层上方；以及
有机绝缘层，位于所述第一导电层与所述第二导电层之间。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其中，所述第一导电层通过所述有机绝缘层中的一个或更多个孔电连接到所述第二导电层。
25.根据权利要求23所述的显示装置，其中，所述有机层、所述第一导电层和所述第二导电层中的至少一个在所述弯曲区域处包括用于减小或分散由于在所述弯曲区域处的弯曲而产生的应力的不平坦表面。
26.根据权利要求23所述的显示装置，其中，所述无机绝缘层包括缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层中的至少一个，并延伸到所述弯曲区域外部的显示区域中的薄膜晶体管。
27.根据权利要求23所述的显示装置，
其中，所述基底还包括第一区域和第二区域，
其中，所述弯曲区域位于所述第一区域与所述第二区域之间，
其中，所述有机绝缘层在所述第一区域中具有第一接触孔，并在所述第二区域中具有第二接触孔，
其中，所述第一导电层经由所述第一接触孔和所述第二接触孔电连接到所述第二导电层。
28.根据权利要求27所述的显示装置，其中，所述有机绝缘层在所述弯曲区域中具有第三接触孔，
其中，所述第一导电层经由所述第三接触孔电连接到所述第二导电层。
29.根据权利要求27所述的显示装置，所述显示装置还包括第三导电层，以及具有子接触孔的层间绝缘层，
其中，所述第一导电层和所述第二导电层经由所述子接触孔电连接到所述第三导电层。
30.根据权利要求29所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述第一区域或所述第二区域中并包括源电极、漏电极和栅电极的薄膜晶体管，
其中，所述第三导电层包括与所述栅电极的材料相同的材料。
31.根据权利要求23所述的显示装置，所述显示装置还包括第三导电层以及具有第一子接触孔的层间绝缘层，
其中，所述第一导电层经由所述第一子接触孔电连接到所述第三导电层。
32.根据权利要求31所述的显示装置，所述基底还包括第一区域和第二区域，所述显示装置还包括位于所述第一区域或所述第二区域中并包括源电极、漏电极和栅电极的薄膜晶体管，
其中，所述第三导电层包括与所述栅电极的材料相同的材料。
CN201710183279.5A 2016-03-24 2017-03-24 显示装置 Active CN107230680B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160035535A KR102505879B1 (ko) 2016-03-24 2016-03-24 디스플레이 장치
KR10-2016-0035535 2016-03-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107230680A CN107230680A (zh) 2017-10-03
CN107230680B true CN107230680B (zh) 2023-04-18

Family

ID=59896950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710183279.5A Active CN107230680B (zh) 2016-03-24 2017-03-24 显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10963076B2 (zh)
KR (1) KR102505879B1 (zh)
CN (1) CN107230680B (zh)
TW (1) TWI764890B (zh)

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105677128B (zh) * 2016-03-21 2019-05-10 京东方科技集团股份有限公司 3d触控面板及其制备方法、触控驱动装置、显示装置
KR101974086B1 (ko) * 2016-09-30 2019-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈
KR20180060851A (ko) * 2016-11-29 2018-06-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10312228B2 (en) * 2017-01-25 2019-06-04 Innolux Corporation Display device
KR102409200B1 (ko) * 2017-06-01 2022-06-15 엘지디스플레이 주식회사 터치전극을 포함하는 표시장치 및 그의 제조방법
US10021762B1 (en) 2017-06-30 2018-07-10 Innolux Corporation Display device
CN107678196B (zh) * 2017-10-10 2021-04-27 京东方科技集团股份有限公司 连接器及显示屏
KR102588343B1 (ko) 2017-10-27 2023-10-11 엘지디스플레이 주식회사 터치 디스플레이 장치
CN107833906A (zh) * 2017-11-08 2018-03-23 武汉天马微电子有限公司 一种柔性显示装置及其制造方法
US11031573B2 (en) 2017-11-30 2021-06-08 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Encapsulation layer of flexible display panel and flexible display
CN108010922B (zh) * 2017-11-30 2020-04-21 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 阵列基板及其制备方法及显示屏
CN108039120A (zh) * 2017-11-30 2018-05-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及柔性显示器
KR102416038B1 (ko) * 2017-11-30 2022-07-04 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102173434B1 (ko) 2017-12-19 2020-11-03 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6975033B2 (ja) * 2017-12-19 2021-12-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN108231839A (zh) * 2017-12-27 2018-06-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板的弯折区结构及其制作方法
KR102562900B1 (ko) 2018-02-02 2023-08-04 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시장치 및 터치감지 표시장치
KR102569936B1 (ko) * 2018-02-06 2023-08-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
CN108389869B (zh) * 2018-03-01 2020-09-22 上海天马微电子有限公司 柔性显示面板
CN110246979A (zh) * 2018-03-08 2019-09-17 三星显示有限公司 显示装置
KR102511543B1 (ko) * 2018-03-09 2023-03-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11659746B2 (en) * 2018-03-09 2023-05-23 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
CN108447872B (zh) * 2018-03-14 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法和显示装置
KR102640726B1 (ko) 2018-04-18 2024-02-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102655476B1 (ko) * 2018-05-03 2024-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
JP2019197113A (ja) 2018-05-08 2019-11-14 Jsr株式会社 配線部材及び配線部材の製造方法
CN108511503B (zh) * 2018-05-28 2020-11-24 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
CN108962026B (zh) * 2018-06-28 2020-05-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示装置
KR102658427B1 (ko) 2018-09-11 2024-04-17 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200034876A (ko) 2018-09-21 2020-04-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109449163B (zh) * 2018-09-29 2021-07-09 广州国显科技有限公司 阵列基板和柔性显示装置
KR102578168B1 (ko) * 2018-10-01 2023-09-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109494314B (zh) * 2018-10-16 2020-12-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性oled显示面板及其制备方法
CN109859625A (zh) * 2018-11-06 2019-06-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
KR102562604B1 (ko) * 2018-11-08 2023-08-01 엘지디스플레이 주식회사 플렉시블 전계발광 표시장치
CN208938550U (zh) * 2018-11-26 2019-06-04 北京京东方技术开发有限公司 显示面板及显示装置
CN109671748B (zh) * 2018-12-12 2020-06-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN109343746A (zh) * 2018-12-18 2019-02-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触控显示组件及其制造方法
CN111370446B (zh) 2018-12-26 2022-01-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及oled显示装置
CN113287368B (zh) * 2019-01-17 2024-02-06 夏普株式会社 显示装置
KR20200100238A (ko) * 2019-02-15 2020-08-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR20200117101A (ko) * 2019-04-02 2020-10-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200140439A (ko) * 2019-06-05 2020-12-16 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210004008A (ko) * 2019-07-02 2021-01-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
TWI744678B (zh) * 2019-08-21 2021-11-01 友達光電股份有限公司 電子裝置及其製作方法
KR20210026931A (ko) * 2019-09-02 2021-03-10 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시장치
US11398621B2 (en) * 2019-11-26 2022-07-26 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and method of manufacturing the same
CN111063257A (zh) * 2019-12-04 2020-04-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制作方法
CN113161385A (zh) * 2019-12-31 2021-07-23 乐金显示有限公司 具有跨越弯曲区域的连接电极的显示装置
CN111063721A (zh) * 2020-01-06 2020-04-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及显示装置
CN111341822B (zh) * 2020-03-16 2023-04-18 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置
KR20210124608A (ko) 2020-04-06 2021-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210145026A (ko) * 2020-05-22 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR20220010692A (ko) * 2020-07-17 2022-01-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN112002701A (zh) * 2020-08-05 2020-11-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板以及电子设备
CN111987127B (zh) * 2020-08-24 2024-03-19 合肥维信诺科技有限公司 一种显示面板及显示装置
CN112531130B (zh) * 2020-12-02 2022-10-21 合肥维信诺科技有限公司 显示面板及显示装置
CN112669710A (zh) * 2020-12-30 2021-04-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
WO2023184244A1 (zh) * 2022-03-30 2023-10-05 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003308027A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体表示装置
KR20050104157A (ko) * 2004-04-28 2005-11-02 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 그를 이용한 유기 전계 발광 표시 장치
WO2014119850A1 (en) * 2013-02-01 2014-08-07 LG Display Co.,Ltd. Flexible display substrate, flexible organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US9276055B1 (en) * 2014-08-31 2016-03-01 Lg Display Co., Ltd. Display device with micro cover layer and manufacturing method for the same
CN107180595A (zh) * 2016-03-11 2017-09-19 三星显示有限公司 显示设备

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3102392B2 (ja) 1997-10-28 2000-10-23 日本電気株式会社 半導体デバイスおよびその製造方法
KR100737626B1 (ko) 2001-03-28 2007-07-10 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치의 제조방법
US7465678B2 (en) 2003-03-28 2008-12-16 The Trustees Of Princeton University Deformable organic devices
JP3102392U (ja) 2003-12-19 2004-07-02 大日本プラスチックス株式会社 軒樋の保護部材及びそれを使用した軒樋構造
KR101282397B1 (ko) 2004-12-07 2013-07-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 배선, 상기 배선을 포함하는 박막 트랜지스터표시판 및 그 제조 방법
TWI517378B (zh) * 2005-10-17 2016-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR20080031091A (ko) 2006-10-03 2008-04-08 삼성전자주식회사 표시장치 및 이의 제조 방법
KR20080040505A (ko) 2006-11-03 2008-05-08 삼성전자주식회사 표시 장치
KR102480780B1 (ko) 2009-09-16 2022-12-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 이의 제조 방법
JP5370944B2 (ja) 2010-03-17 2013-12-18 株式会社ジャパンディスプレイ タッチパネルおよびその製造方法
CN101806970A (zh) 2010-04-02 2010-08-18 友达光电股份有限公司 曲面显示面板
KR101701978B1 (ko) * 2010-06-03 2017-02-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101811702B1 (ko) 2010-10-27 2017-12-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR20120072793A (ko) 2010-12-24 2012-07-04 삼성전기주식회사 터치스크린
KR20130007053A (ko) 2011-06-28 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR101815256B1 (ko) * 2011-06-28 2018-01-08 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
JP2013029568A (ja) 2011-07-27 2013-02-07 Sumitomo Chemical Co Ltd 表示装置およびその製造方法
KR101838736B1 (ko) 2011-12-20 2018-03-15 삼성전자 주식회사 테이프 배선 기판 및 이를 포함하는 칩 온 필름 패키지
JP2013174692A (ja) 2012-02-24 2013-09-05 Sony Corp 表示装置
US9195108B2 (en) 2012-08-21 2015-11-24 Apple Inc. Displays with bent signal lines
KR101965257B1 (ko) 2012-10-08 2019-04-04 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 표시 장치
KR102097150B1 (ko) 2013-02-01 2020-04-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
US9740035B2 (en) 2013-02-15 2017-08-22 Lg Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting display device and method for manufacturing the same
KR101796812B1 (ko) 2013-02-15 2017-11-10 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101447885B1 (ko) 2013-03-04 2014-10-08 주식회사 엘엠에스 플렉시블 디스플레이 소자
TWI790673B (zh) 2013-03-07 2023-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 電子裝置
KR102090703B1 (ko) * 2013-05-21 2020-04-16 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR102066087B1 (ko) 2013-05-28 2020-01-15 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치 및 그의 제조방법
KR102059167B1 (ko) 2013-07-30 2020-02-07 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법
KR101663728B1 (ko) * 2013-08-26 2016-10-07 삼성전자주식회사 플렉서블 디스플레이 소자를 구비한 접철식 전자 기기
US9876064B2 (en) * 2013-08-30 2018-01-23 Lg Display Co., Ltd. Flexible organic electroluminescent device and method for fabricating the same
GB2517782B (en) 2013-09-02 2020-08-19 Nokia Technologies Oy An apparatus and method of providing an apparatus comprising a bendable portion
KR102176719B1 (ko) 2013-10-14 2020-11-10 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시판 및 그 제조 방법
US9293730B2 (en) 2013-10-15 2016-03-22 Samsung Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
KR102271586B1 (ko) 2013-10-15 2021-07-02 삼성디스플레이 주식회사 가요성 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102155119B1 (ko) 2013-10-30 2020-09-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102117265B1 (ko) 2013-11-28 2020-06-01 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 패널용 벤딩 장치
JP2015115469A (ja) * 2013-12-12 2015-06-22 ソニー株式会社 薄膜トランジスタ、表示装置、電子機器、および薄膜トランジスタの製造方法
KR102085961B1 (ko) 2013-12-24 2020-03-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102164949B1 (ko) * 2014-03-25 2020-10-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 이의 제조 방법 및 리페어 방법
JP6289286B2 (ja) * 2014-06-25 2018-03-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置および表示装置の製造方法
US9544994B2 (en) 2014-08-30 2017-01-10 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with side crack protection structure and manufacturing method for the same
US9543370B2 (en) 2014-09-24 2017-01-10 Apple Inc. Silicon and semiconducting oxide thin-film transistor displays
EP3201964B1 (en) 2014-09-29 2020-11-18 LG Display Co., Ltd. Flexible display device with reduced bend stress wires
US9425418B2 (en) 2014-09-30 2016-08-23 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with bend stress reduction member and manufacturing method for the same
KR101777099B1 (ko) 2014-10-24 2017-09-11 주식회사 아모그린텍 롤러블 디스플레이 장치
US9991326B2 (en) 2015-01-14 2018-06-05 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device comprising flexible substrate and light-emitting element
KR102345978B1 (ko) 2015-01-16 2021-12-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102405257B1 (ko) 2015-01-28 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102283002B1 (ko) 2015-02-16 2021-07-30 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
US10020462B1 (en) 2015-07-30 2018-07-10 Apple Inc. Electronic devices with flexible displays
KR102374751B1 (ko) 2015-08-31 2022-03-15 엘지디스플레이 주식회사 백플레인 기판 및 이를 적용한 플렉서블 디스플레이
US10516118B2 (en) * 2015-09-30 2019-12-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, display device, method for manufacturing the same, and system including a plurality of display devices
KR102069286B1 (ko) 2015-11-20 2020-01-22 동우 화인켐 주식회사 플렉서블 표시 장치
US10361385B2 (en) 2016-02-12 2019-07-23 Samsung Display Co., Ltd. Display device
JP6727843B2 (ja) * 2016-02-25 2020-07-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2018010232A (ja) 2016-07-15 2018-01-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003308027A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体表示装置
KR20050104157A (ko) * 2004-04-28 2005-11-02 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 그를 이용한 유기 전계 발광 표시 장치
WO2014119850A1 (en) * 2013-02-01 2014-08-07 LG Display Co.,Ltd. Flexible display substrate, flexible organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US9276055B1 (en) * 2014-08-31 2016-03-01 Lg Display Co., Ltd. Display device with micro cover layer and manufacturing method for the same
CN107180595A (zh) * 2016-03-11 2017-09-19 三星显示有限公司 显示设备

Also Published As

Publication number Publication date
US10963076B2 (en) 2021-03-30
US20170277288A1 (en) 2017-09-28
KR102505879B1 (ko) 2023-03-06
CN107230680A (zh) 2017-10-03
TW201736924A (zh) 2017-10-16
TWI764890B (zh) 2022-05-21
KR20170113757A (ko) 2017-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107230680B (zh) 显示装置
US11594692B2 (en) Display apparatus having inorganic insulating layers with contact holes and grooves
US11264577B2 (en) Display device
CN107204154B (zh) 显示设备
US11139454B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
CN107887338B (zh) 显示装置及其制造方法
US10192949B2 (en) Display apparatus having reduced defects
CN107180595B (zh) 显示设备
CN107221606B (zh) 显示设备
KR102495844B1 (ko) 디스플레이 장치
KR102550695B1 (ko) 디스플레이 장치
KR102661472B1 (ko) 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant