CN113161385A - 具有跨越弯曲区域的连接电极的显示装置 - Google Patents

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Abstract

可以提供具有跨越弯曲区域的连接电极的显示装置。连接电极可以设置在器件基板上，器件基板包括显示区域和焊盘区域之间的弯曲区域。连接电极可以跨过弯曲区域而连接显示区域和焊盘区域。连接电极可以具有下连接电极和上连接电极的层叠结构。发光器件、封装元件和触摸电极可以顺序层叠在器件基板的显示区域上。上连接电极可以包括与触摸电极相同的材料。因此，在显示装置中，可以防止由于弯曲应力和外部冲击导致的连接电极的断开。

Description

具有跨越弯曲区域的连接电极的显示装置
技术领域
本发明涉及其中连接电极跨过弯曲区域来连接显示区域和焊盘区域的显示装置。
背景技术
通常，诸如监视器、电视机(TV)、膝上型计算机和数码相机之类的电子器具包括显示图像的显示装置。例如，显示装置可以包括至少一个发光器件。发光器件可以发出显示特定颜色的光。例如，发光器件可以包括位于第一发光电极和第二发光电极之间的发光层。
显示装置可以包括在显示区域和焊盘区域之间的弯曲区域。发光器件可以设置在显示区域上。被施加以外部信号的焊盘可以设置在焊盘区域上。支撑发光器件和焊盘的器件基板可以在弯曲区域中弯曲。连接显示区域和焊盘区域的连接电极可以跨越弯曲区域。因此，在显示装置中，连接电极可能由于弯曲应力或外部冲击而断开。
发明内容
因此，本发明涉及基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题的显示装置。
本发明的一个目的是提供一种显示装置，其防止由于弯曲应力和外部冲击而导致的连接电极的断开。
本发明的另一个目的是提供一种显示装置，其中显示区域和焊盘区域可以通过跨越弯曲区域的连接电极稳定地连接。
本发明的其它优点、目的和特征将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地对于本领域普通技术人员来说将在查阅下面的内容后变得显而易见，或者可以从本发明的实践中获悉。可以通过书面描述及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得本发明的目的和其它优点。
为了实现这些目的和其它优点，并且根据本发明的目的，如本文所实施和广泛描述的那样，提供了一种包括器件基板的显示装置。器件基板包括显示区域和弯曲区域。发光器件设置在器件基板的显示区域上。封装元件设置在发光器件上。触摸结构设置在封装元件上。触摸结构包括触摸电极。下连接电极设置在器件基板上。下连接电极跨越器件基板的弯曲区域。防裂层设置在下连接电极上。防裂层包括与弯曲区域交叠的区域。上连接电极设置在防裂层上。上连接电极跨越弯曲区域。上连接电极包括与触摸电极相同的材料。
上连接电极可以包括与下连接电极交叠的区域。
防裂层可以包括暴露下连接电极的一部分的连接接触孔。上连接电极可以通过连接接触孔连接到下连接电极。
连接接触孔可以设置在弯曲区域的外部。
薄膜晶体管可以设置在器件基板和发光器件之间。发光器件可以通过中间接触电极连接到薄膜晶体管中的一个。下连接电极可以包括与中间接触电极相同的材料。
上连接电极可以通过中间连接电极连接到下连接电极。中间连接电极可以包括与发光器件的第一发光电极相同的材料。
另一方面，一种显示装置包括器件基板。器件基板包括设置在显示区域和焊盘区域之间的弯曲区域。发光器件、封装元件、防裂层和连接电极设置在器件基板上。发光器件设置在显示区域上。封装元件覆盖发光器件。触摸电极设置在封装元件上。触摸电极与显示区域交叠。触摸电极连接到链接线。链接线沿着封装元件的表面延伸到显示区域外部。防裂层与封装元件隔开。防裂层包括与弯曲区域交叠的区域。连接电极跨过弯曲区域连接显示区域和焊盘区域。连接电极具有下连接电极和上连接电极的层叠结构。下连接电极设置在器件基板和防裂层之间。上连接电极设置在防裂层上。触摸电极、链接线和上连接电极包括相同的材料。
链接线可以与上连接电极直接接触。
驱动电路可以设置在器件基板的显示区域和发光器件之间。驱动电路可以包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管可以连接到发光器件。第二薄膜晶体管可以连接到第一薄膜晶体管。第二薄膜晶体管的第二半导体图案可以包括不同于第一薄膜晶体管的第一半导体图案的材料。
第二薄膜晶体管的第二半导体图案可以包括金属氧化物。
第一外覆层可以设置在器件基板和发光器件之间。第一外覆层可以覆盖驱动电路。第二外覆层可以设置在第一外覆层和发光器件之间。防裂层可以包括与第二外覆层相同的材料。
选通驱动器可以设置在器件基板上。选通驱动器可以与显示区域、焊盘区域和弯曲区域隔开。选通驱动器可以至少包括第三薄膜晶体管。第三薄膜晶体管的第三半导体图案可以包括与第一薄膜晶体管的第一半导体图案相同的材料。
触摸缓冲层可以设置在封装元件和触摸电极之间。触摸缓冲层可以在封装元件和链接线之间以及防裂层和上连接电极之间延伸。
连接电极还可以包括连接下连接电极和上连接电极的中间连接电极。中间连接电极可以在弯曲区域的外侧穿透防裂层。
基板孔可以穿透器件基板。发光器件可以与基板孔隔开。分离器件可以设置在发光器件和基板孔之间。分离器件可以具有至少一个底切结构。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解，而且被并入在本申请中并构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施方式，并且与描述一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是示意性示出根据本发明的实施方式的显示装置的视图；
图2是示意性示出根据本发明的实施方式的显示装置的孔外围区域的视图；
图3A是示出沿着图1的I-I’截取的截面的视图；
图3B是示出根据本发明的实施方式的显示装置中的孔外围区域的截面的视图；
图3C是示出沿着图1的II-II’截取的截面的视图；以及
图4A-图17A、图4B-图17B和图4C-图17C是顺序地示出形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法的视图。
具体实施方式
在下文中，通过以下参照附图的详细描述，将清楚地理解与本发明的实施方式的上述目的、技术构造和操作效果相关的细节，这些附图示出了本发明的一些实施方式。这里，提供本发明的实施方式是为了允许将本发明的技术精神令人满意地传递给本领域技术人员，因此本发明可以以其它形式实施，并且不限于下面描述的实施方式。
此外，在整个说明书中，相同或极其相似的元件可以由相同的附图标记表示，并且在附图中，为了方便起见，可能夸大层和区域的长度和厚度。应当理解，当第一元件被称为在第二元件“上”时，尽管第一元件可以在第二元件上设置为与第二元件接触，但是第三元件可以插置在第一元件和第二元件之间。
这里，诸如例如“第一”和“第二”之类的术语可以用于将任何一个元件与另一元件区分开。然而，在不脱离本发明的技术精神的情况下，第一元件和第二元件可以根据本领域技术人员的方便任意命名。
在本发明的说明书中使用的术语仅用于描述特定的实施方式，而不是旨在限制本发明的范围。例如，除非上下文另外清楚地指出，否则以单数形式描述的元件旨在包括多个元件。此外，在本发明的说明书中，还应当理解，术语“包括”和“包含”指定存在所描述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合。
除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与示例实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。还应当理解，术语(例如，在常用词典中定义的术语)应当被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应当以理想化或过度正式的意义来解释，除非在本文中明确地定义。
(实施方式)
图1是示意性示出根据本发明的实施方式的显示装置的视图。图2是示意性示出根据本发明的实施方式的显示装置的孔外围区域的视图。图3A是示出沿着图1的I-I’截取的截面的视图。图3B是示出根据本发明的实施方式的显示装置中的孔外围区域的截面的视图。图3C是示出沿着图1的II-II’截取的截面的视图。
参照图1、图2和图3A至图3C，根据本发明的实施方式的显示装置可以包括器件基板100。器件基板100可以包括绝缘材料。例如，器件基板100可以包括玻璃或塑料。器件基板100可以具有多层结构。例如，器件基板100可以包括其中第一基板层101、基板绝缘层102和第二基板层103顺序层叠的结构。第二基板层103可以包括与第一基板层101相同的材料。例如，第一基板层101和第二基板层103可以包括诸如聚酰亚胺(PI)之类的聚合物材料。基板绝缘层102可以包括绝缘材料。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，器件基板100可以具有柔性。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以防止由于弯曲应力导致的器件基板100的损坏。
器件基板100可以包括显示区域AA、弯曲区域BA和焊盘区域PD。提供给用户的图像可以在显示区域AA中实现。例如，显示区域AA可以包括多个像素区域PA。每个像素区域PA可以显示特定颜色。例如，发光器件600可以设置在每个像素区域PA上。发光器件600可以发出显示特定颜色的光。例如，发光器件600可以包括顺序层叠在器件基板100上的第一发光电极610、发光层620和第二发光电极630。
第一发光电极610可以包括导电材料。第一发光电极610可以具有高反射率。例如，第一发光电极610可以包括诸如铝(Al)和银(Ag)之类的金属。第一发光电极610可以具有多层结构。例如，第一发光电极610可以具有其中由金属形成的反射电极设置在由诸如ITO和IZO之类的透明导电材料形成的透明电极之间的结构。
发光层620可以产生具有对应于第一发光电极610和第二发光电极630之间的电压差的亮度的光。例如，发光层620可以包括具有发光材料的发光材料层(EML)622。发光材料可以包括有机材料、无机材料或混合材料。例如，根据本发明的实施方式的显示装置可以是具有由有机材料形成的发光材料层622的有机发光显示装置。发光层620可以具有多层结构。例如，发光层620可以包括在第一发光电极610和发光材料层622之间的第一发光公共层621以及在发光材料层622和第二发光电极630之间的第二发光公共层623中的至少一个。第一发光公共层621和第二发光公共层623中的每一个可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。例如，在根据本发明的实施方式的显示装置中，第一发光公共层621可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一个，并且第二发光公共层623可以包括电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以增加发光器件600的发光效率。
第二发光电极630可以包括导电材料。第二发光电极630可以包括不同于第一发光电极610的材料。例如，第二发光电极630可以是由诸如ITO和IZO之类的透明导电材料形成的透明电极。第二发光电极630可以具有比第一发光电极610更高的透射率。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，从发光层620产生的光可以穿过第二发光电极630发出。
可以在每个像素区域PA中设置驱动电路。驱动电路可以产生提供给发光器件600的驱动电流。驱动电路可以连接到信号线GL、DL、VDD和VSS。例如，每个像素区域PA可以由信号线GL、DL、VDD和VSS限定。信号线GL、DL、VDD和VSS可以传输用于实现图像的各种信号。例如，信号线GL、DL、VDD和VSS可以包括用于施加选通信号的选通线GL、用于施加数据信号的数据线DL以及用于提供电力电压的电源线VDD和VSS。驱动电路可以根据选通信号产生对应于数据信号的驱动电流。发光器件600的操作可以保持一个帧。例如，驱动电路可以包括第一薄膜晶体管210、第二薄膜晶体管220和存储电容器230。
第一薄膜晶体管210可以电连接到发光器件600。第一薄膜晶体管210可以向发光器件600提供对应于数据信号的驱动电流。例如，第一薄膜晶体管210可以设置在发光器件600与电源线VDD和VSS中的一条之间。第一薄膜晶体管210可以包括第一半导体图案211、第一栅极绝缘层212、第一栅电极213、第一层间绝缘层214、第一源电极215和第一漏电极216。
第一半导体图案211可以靠近器件基板100设置。第一半导体图案211可以包括半导体材料。例如，第一半导体图案211可以包括硅。第一半导体图案211可以包括多晶半导体。例如，第一半导体图案211可以包括低温多晶硅(LTPS)。第一半导体图案211可以包括第一源极区、第一漏极区和第一沟道区。第一沟道区可以设置在第一源极区和第一漏极区之间。第一沟道区可以具有比第一源极区和第一漏极区更低的导电率。例如，第一源极区和第一漏极区可以比第一沟道区包含更高含量的导电杂质。
第一栅极绝缘层212可以设置在第一半导体图案211上。第一栅极绝缘层212可以延伸超过第一半导体图案211。例如，第一半导体图案211的侧部可以被第一栅极绝缘层212覆盖。第一栅极绝缘层212可以包括绝缘材料。例如，第一栅极绝缘层212可以包括硅氧化物(SiO)和/或硅氮化物(SiN)。硅氧化物(SiO)可以包括二氧化硅(SiO2)。第一栅极绝缘层212可以包括具有高介电常数的材料。例如，第一栅极绝缘层212可以包括诸如铪氧化物(HfO)之类的高K材料。
第一栅电极213可以设置在第一栅极绝缘层212上。第一栅电极213可以包括导电材料。例如，第一栅电极213可以包括金属，例如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)。第一栅电极213可以通过第一栅极绝缘层212与第一半导体图案211绝缘。第一栅电极213可以与第一半导体图案211的第一沟道区交叠。例如，第一半导体图案211的第一沟道区可以具有与施加到第一栅电极213的电压相对应的导电率。
第一层间绝缘层214可以设置在第一栅电极213上。第一层间绝缘层214可以延伸超过第一栅电极213。例如，第一栅电极213的侧部可以被第一层间绝缘层214覆盖。第一层间绝缘层214可以沿着第一栅极绝缘层212延伸。第一层间绝缘层214可以包括绝缘材料。例如，第一层间绝缘层214可以包括硅氧化物(SiO)。
第一源电极215可以设置在第一层间绝缘层214上。第一源电极215可以包括导电材料。例如，第一源电极215可以包括金属，例如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)。第一源电极215可以通过第一层间绝缘层214与第一栅电极213绝缘。第一源电极215可以包括不同于第一栅电极213的材料。第一源电极215可以电连接到第一半导体图案211的第一源极区。例如，第一栅极绝缘层212和第一层间绝缘层214可以包括部分地暴露第一半导体图案211的第一源极区的第一源极接触孔。第一源电极215可以包括与第一半导体图案211的第一源极区交叠的区域。例如，第一源电极215可以在第一源极接触孔中与第一半导体图案211的第一源极区直接接触。
第一漏电极216可以设置在第一层间绝缘层214上。第一漏电极216可以包括导电材料。例如，第一漏电极216可以包括金属，例如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)。第一漏电极216可以通过第一层间绝缘层214与第一栅电极213绝缘。第一漏电极216可以包括不同于第一栅电极213的材料。例如，第一漏电极216可以包括与第一源电极215相同的材料。第一漏电极216可以通过与第一源电极215相同的工艺形成。第一漏电极216可以电连接到第一半导体图案211的第一漏极区。第一漏电极216可以与第一源电极215隔开。例如，第一栅极绝缘层212和第一层间绝缘层214可以包括部分地暴露第一半导体图案211的第一漏极区的第一漏极接触孔。第一漏电极216可以包括与第一半导体图案211的第一漏极区交叠的区域。例如，第一漏电极216可以在第一漏极接触孔中与第一半导体图案211的第一漏极区直接接触。
第二薄膜晶体管220可以电连接到第一薄膜晶体管210。第二薄膜晶体管220可以根据扫描信号将数据信号传输到第一薄膜晶体管210。例如，第二薄膜晶体管220可以设置在数据线DL与第一薄膜晶体管210的第一栅电极213之间。第二薄膜晶体管220的结构可以与第一薄膜晶体管210的结构相同。例如，第二薄膜晶体管220可以包括第二半导体图案221、第二栅极绝缘层222、第二栅电极223、第二层间绝缘层224、第二源电极225和第二漏电极226。
第二半导体图案221可以包括半导体材料。第二半导体图案221可以包括不同于第一半导体图案211的材料。例如，第二半导体图案221可以包括由诸如IGZO之类的金属氧化物形成的氧化物半导体。第二半导体图案221可以设置在不同于第一半导体图案211的层上。例如，可以在第一薄膜晶体管210上设置分离绝缘层140，并且可以在分离绝缘层140上设置第二半导体图案221。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以防止由于形成第一半导体图案211的工艺所导致的第二半导体图案221的损坏。第二半导体图案221可以包括第二源极区、第二漏极区和第二沟道区。第二沟道区可以设置在第二源极区和第二漏极区之间。第二源极区和第二漏极区可以具有比第二沟道区更低的电阻。例如，第二源极区和第二漏极区可以包括氧化物半导体的导电部分。第二沟道区可以是氧化物半导体的不导电区域。
第二栅极绝缘层222可以设置在第二半导体图案221上。第二栅极绝缘层222可以与第二半导体图案221的第二沟道区交叠。第二半导体图案221的第二源极区和第二漏极区可以不与第二栅极绝缘层222交叠。例如，第二栅极绝缘层222可以暴露第二半导体图案221的第二源极区和第二漏极区。第二半导体图案221的第二源极区和第二漏极区可以设置在第二栅极绝缘层222的外部。例如，第二半导体图案221的第二源极区和第二漏极区可以通过在图案化第二栅极绝缘层222的工艺中使用的蚀刻剂而导电。第二栅极绝缘层222可以包括绝缘材料。第二栅极绝缘层222可以包括与第一栅极绝缘层221相同的材料。例如，第二栅极绝缘层可以具有多层结构。
第二栅电极223可以设置在第二栅极绝缘层222上。例如，第二栅电极223可以与第二半导体图案221的第二沟道区交叠。第二栅电极223可以包括导电材料。例如，第二栅电极223可以包括金属，例如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)。第二栅电极223可以包括与第一栅电极213相同的材料。第二栅电极223可以通过第二栅极绝缘层222与第二半导体图案221绝缘。例如，半导体图案221的第二沟道区可以具有与施加到第二栅电极223的电压相对应的导电率。
第二层间绝缘层224可以设置在第二栅电极223上。第二层间绝缘层224可以延伸超过第二栅电极223。例如，第二栅电极223的侧部以及第二半导体图案221的第二源极区和第二漏极区可以被第二层间绝缘层224覆盖。第二层间绝缘层224可以包括绝缘材料。第二层间绝缘层224可以包括与第一层间绝缘层214相同的材料。例如，第二层间绝缘层224可以包括硅氧化物(SiO)。
第二源电极225可以设置在第二层间绝缘层224上。第二源电极225可以包括导电材料。例如，第二源电极225可以包括金属，例如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)。第二源电极225可以包括与第一源电极215相同的材料。第二源电极225可以通过第二层间绝缘层224与第二栅电极223绝缘。第二源电极225可以包括不同于第二栅电极223的材料。第二源电极225可以电连接到第二半导体图案221的第二源极区。例如，第二层间绝缘层224可以包括部分地暴露第二半导体图案221的第二源极区的第二源极接触孔。第二源电极225可以包括与第二半导体图案221的第二源极区交叠的区域。例如，第二源电极225可以在第二源极接触孔中与第二半导体图案221的第二源极区直接接触。
第二漏电极226可以设置在第二层间绝缘层224上。第二漏电极226可以包括导电材料。例如，第二漏电极226可以包括金属，例如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)。第二漏电极226可以包括与第一漏电极216相同的材料。第二漏电极226可以通过第二层间绝缘层224与第二栅电极223绝缘。第二漏电极226可以包括不同于第二栅电极223的材料。例如，第二漏电极226可以包括与第二源电极225相同的材料。第二漏电极226可以通过与第二源电极225相同的工艺形成。第二漏电极226可以电连接到第二半导体图案221的第二漏极区。第二漏电极226可以与第二源电极225隔开。例如，第二层间绝缘层224可以包括部分地暴露第二半导体图案221的第二漏极区的第二漏极接触孔。第二漏电极226可以包括与第二半导体图案221的第二漏极区交叠的区域。例如，第二漏电极226可以在第二漏极接触孔中与第二半导体图案221的第二漏极区直接接触。
存储电容器230可以使第一薄膜晶体管210的操作维持一个帧。例如，存储电容器230可以连接在第一薄膜晶体管210的第一栅电极213和第一漏电极216之间。存储电容器230可以包括顺序层叠的第一存储电极231和第二存储电极232。第一存储电极231和第二存储电极232可以包括导电材料。例如，第一存储电极231和第二存储电极232可以包括金属，例如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)。
可以使用形成第一薄膜晶体管210或第二薄膜晶体管220的工艺来形成存储电容器230。例如，存储电容器230可以设置在器件基板100和分离绝缘层140之间。存储电容器230可以与第一薄膜晶体管210并排设置。第一存储电极231可以包括与第一栅电极213相同的材料。第一存储电极231可以设置在与第一栅电极213相同的层上。例如，第一存储电极231可以通过与第一栅电极213相同的工艺形成。第二存储电极232可以包括与第一源电极215和第一漏电极216相同的材料。第二存储电极232可以通过与第一源电极215和第一漏电极216相同的工艺形成。例如，第一层间绝缘层214可以在第一存储电极231和第二存储电极232之间延伸。第二存储电极232可以包括不同于第一存储电极231的材料。
第二薄膜晶体管220可以设置在存储电容器230上。例如，第二半导体图案221可以与存储电容器230的第二存储电极232交叠。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，穿过器件基板100并且朝向第二半导体图案221行进的光可以被存储电容器230阻挡。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以防止由于外部光所引起的第二薄膜晶体管220的特性变化。存储电容器230可以电连接到第二薄膜晶体管220的第二漏电极226。例如，第一层间绝缘层214、分离绝缘层140和第二层间绝缘层224可以包括部分地暴露存储电容器230的第一存储电极231的存储接触孔。第二漏电极226可以在存储接触孔中延伸。例如，第二漏电极226可以在存储接触孔中与第一存储电极231直接接触。
器件缓冲层110可以设置在器件基板100与每个像素区域PA的驱动电路之间。器件缓冲层110可以防止在形成驱动电路的过程中来自器件基板100的污染。例如，器件缓冲层110可以完全覆盖器件基板100的显示区域AA。器件缓冲层110可以设置在器件基板100与每个像素区域PA的第一半导体图案211之间。器件缓冲层110可以包括绝缘材料。例如，器件缓冲层110可以包括诸如硅氧化物(SiO)和硅氮化物(SiN)之类的无机绝缘材料。器件缓冲层110可以具有多层结构。例如，器件缓冲层110可以具有第一缓冲层111和包括不同于第一缓冲层111的材料的第二缓冲层112的层叠结构。
第一下钝化层120和第二下钝化层130可以顺序层叠在每个像素区域PA的第一薄膜晶体管210与分离绝缘层140之间。第一下钝化层120和第二下钝化层130可以防止薄膜晶体管210由于外部冲击和湿气而损坏。第一下钝化层120和第二下钝化层130可以在每个像素区域PA的存储电容器230与分离绝缘层140之间延伸。例如，每个像素区域PA的存储接触孔可以穿透第一下钝化层120和第二下钝化层130。第一下钝化层120和第二下钝化层130可以包括绝缘材料。例如，第一下钝化层120和第二下钝化层130可以包括诸如硅氧化物(SiO)和硅氮化物(SiN)之类的无机材料。第二下钝化层130可以包括不同于第一下钝化层120的材料。例如，第一下钝化层120可以包括硅氧化物(SiO)，并且第二下钝化层130可以包括硅氮化物(SiN)。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以有效地防止由于外部冲击和湿气对第一薄膜晶体管210和存储电容器230的损坏。
第三下钝化层150可以设置在每个像素区域PA的第二层间绝缘层224和第二源电极225之间，以及每个像素区域PA的第二层间绝缘层224与第二漏电极226之间。第三下钝化层150可以防止第二薄膜晶体管220由于外部冲击和湿气而损坏。例如，第三下钝化层150可以沿着第二层间绝缘层224延伸超过第二半导体图案221。第三下钝化层150可以包括绝缘材料。第三下钝化层150可以包括不同于第二层间绝缘层224的材料。例如，第三下钝化层150可以包括硅氮化物(SiN)。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以有效地防止由于外部冲击和湿气对第二半导体图案221的损坏。
中间源电极265和中间漏电极266可以设置在每个像素区域PA的第三下钝化层上。中间源电极265和中间漏电极266可以包括导电材料。例如，中间源电极265和中间漏电极266可以包括金属，例如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)。中间漏电极266可以包括与中间源电极265相同的材料。例如，中间漏电极266可以通过与中间源电极265相同的工艺形成。中间源电极265和中间漏电极266可以包括与第二源电极225和第二漏电极226相同的材料。例如，中间漏电极266、中间源电极265、第二源电极225和第二漏电极226可以同时形成。
中间源电极265可以电连接到第一薄膜晶体管210的第一源电极215。例如，第一下钝化层120、第二下钝化层130、分离绝缘层140、第二层间绝缘层224和第三下钝化层150可以包括部分地暴露第一薄膜晶体管210的第一源电极215的第一中间接触孔。中间源电极265可以包括与第一薄膜晶体管210的第一源电极215交叠的区域。例如，中间源电极265可以在第一中间接触孔中与第一薄膜晶体管210的第一源电极215直接接触。
中间漏电极266可以电连接到第一薄膜晶体管210的第一漏电极216。例如，第一下钝化层120、第二下钝化层130、分离绝缘层140、第二层间绝缘层224和第三下钝化层150可以包括部分地暴露第一薄膜晶体管210的第一漏电极216的第二中间接触孔。中间漏电极266可以与中间源电极265隔开。中间漏电极266可以包括与第一薄膜晶体管210的第一漏电极216交叠的区域。例如，中间漏电极266可以在第二中间接触孔中与第一薄膜晶体管210的第一漏电极216直接接触。
每个像素区域PA的发光器件600可以设置在对应像素区域PA的驱动电路上。例如，每个像素区域PA的第一薄膜晶体管210、第二薄膜晶体管220和存储电容器230可以设置在器件基板100与对应像素区域PA的第一发光电极610之间。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以最小化每个像素区域PA所占用的面积。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以提高分辨率。
第一外覆层160和第二外覆层170可以顺序层叠在每个像素区域PA的驱动电路和发光器件600之间。例如，每个像素区域PA的第一发光电极610、发光层620和第二发光电极630可以顺序层叠在对应像素区域PA的第二外覆层170上。第一外覆层160和第二外覆层170可以消除由于驱动电路造成的厚度差异。例如，第二外覆层170的朝向每个像素区域PA的发光器件600的上表面可以是平坦表面。第一外覆层160和第二外覆层170可以包括绝缘材料。第一外覆层160和第二外覆层170可以由具有高流动性的材料制成。例如，第一外覆层160和第二外覆层170可以包括有机绝缘材料。第二外覆层170可以包括不同于第一外覆层160的材料。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以有效地消除由于驱动电路造成的厚度差异。
中间接触电极510可以设置在每个像素区域PA的第一外覆层160和第二外覆层170之间。发光器件600可以经由中间接触电极510电连接到第一薄膜晶体管210的第一漏电极216。例如，中间接触电极510可以通过穿透第一外覆层160连接到中间漏电极266，并且发光器件600的第一发光电极610可以通过穿透第二外覆层170连接到中间接触电极510。中间接触电极510可以包括与中间漏电极266交叠的区域和与第一发光电极610交叠的区域。例如，中间接触电极510可以设置在中间漏电极266和第一发光电极610之间。中间接触电极510可以与中间漏电极266直接接触。第一发光电极610可以与中间接触电极510直接接触。中间接触电极510可以包括导电材料。例如，中间接触电极510可以包括金属，例如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)。中间接触电极510可以包括不同于中间漏电极266和第一发光电极610的材料。
堤绝缘层180可以设置在每个像素区域PA的第二外覆层170上。堤绝缘层180可以包括绝缘材料。例如，堤绝缘层180可以包括有机绝缘材料。堤绝缘层180可以包括不同于第一外覆层160和第二外覆层170的材料。堤绝缘层180可以覆盖每个第一发光电极610的边缘。每个像素区域PA的发光层620和第二发光电极630可以层叠在对应的第一发光电极610的由堤绝缘层180暴露的一部分上。例如，堤绝缘层180可以在每个像素区域PA中限定发光区域。
每个像素区域PA的发光层620可以在堤绝缘层180上延伸。每个像素区域PA可以显示不同于相邻像素区域PA的颜色。例如，每个像素区域PA的发光材料层622可以与相邻像素区域PA的发光材料层622分离。每个像素区域PA的发光材料层622可以包括对应像素区域PA中的端部。可以通过使用精细金属掩模(FMM)来形成发光材料层622。每个发光材料层622的端部可以设置在堤绝缘层180上。例如，可以在堤绝缘层180上设置间隔物。间隔物可以防止由于精细金属掩模而损坏形成在相邻像素区域PA上的堤绝缘层180和发光材料层622。每个发光材料层622的第一发光公共层621和第二发光公共层623可以沿着堤绝缘层180的表面延伸。例如，每个像素区域PA的第一发光公共层621和第二发光公共层623可以连接到相邻像素区域PA的第一发光公共层621和第二发光公共层623。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以提高工艺效率。
施加到每个像素区域PA的第二发光电极630的电压可以与施加到相邻像素区域PA的第二发光电极630的电压相同。例如，每个像素区域PA的第二发光电极630可以连接到相邻像素区域PA的第二发光电极630。因此，根据本发明的实施方式的显示装置可以通过施加到对应像素区域PA的选通信号和数据信号来调节每个像素区域PA的亮度。每个像素区域PA的第二发光电极630可以与相邻像素区域PA的第二发光电极630直接接触。
封装元件700可以设置在每个像素区域PA的发光器件600上。封装元件700可以防止发光器件600由于外部冲击和湿气而损坏。封装元件700可以具有多层结构。例如，封装元件700可以包括顺序层叠的第一封装层710、第二封装层720和第三封装层730。第一封装层710、第二封装层720和第三封装层730可以包括绝缘材料。第二封装层720可以包括不同于第一封装层710和第三封装层730的材料。例如，第一封装层710和第三封装层730可以包括无机绝缘材料，并且第二封装层720可以包括有机绝缘材料。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以有效地防止由于外部冲击和湿气对发光器件600的损坏。可以由封装元件700消除由每个像素区域PA的发光器件600引起的厚度差异。例如，封装元件700的与器件基板100相对的上表面可以是平坦表面。
封装元件700可以延伸超过显示区域AA。封装坝106中的至少一个可以设置在显示区域AA的外部。封装坝106可以包括绝缘材料。例如，封装坝106可以包括有机绝缘材料。封装坝106可以设置在第一外覆层160上。例如，封装坝106可以包括与第二外覆层170相同的材料。封装坝106可以通过与第二外覆层170相同的工艺形成。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以提高工艺效率。封装坝106可以沿着显示区域AA的边缘延伸。例如，封装坝106可以具有包围器件基板100的一部分的闭环形状。具有相对较高流动性的第二封装层720的流动可以被封装坝106阻挡。例如，第二封装层720可以仅设置在器件基板100的由封装坝106限定的一部分上。第三封装层730可以在第二封装层720的外侧与第一封装层710直接接触。例如，第二封装层720可以被第一封装层710和第三封装层730包围。第一封装层710可以延伸超过第三封装层730。例如，封装坝106可以被第一封装层710覆盖。
触摸结构810和820可以设置在封装元件700上。触摸结构810和820可以检测用户和/或工具的触摸。例如，触摸结构810和820可以包括触摸电极811和821以及桥接电极812和822。触摸电极811和821可以并排设置。桥接电极812和822可以连接在触摸电极811和821之间。触摸电极811和821以及桥接电极812和822可以包括导电材料。例如，触摸电极811和821以及桥接电极812和822可以包括金属，例如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)。触摸电极811和821以及桥接电极812和822可以与器件基板100的显示区域AA交叠。每个像素区域PA的发光器件600可以设置在触摸电极811和821以及桥接电极812和822的外部。例如，触摸电极811和821以及桥接电极812和822可以与堤绝缘层180交叠。触摸电极811和821以及桥接电极812和822可以与每个像素区域PA的发光器件600隔开。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，在垂直于器件基板100的上表面的方向上从每个发光器件600发出的光不会被触摸电极811和821以及桥接电极812和822阻挡。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以防止由于触摸电极811和821以及桥接电极812和822导致的每个像素区域PA的亮度的降低。
触摸结构810和820可以包括在第一方向上延伸的第一触摸组件810，以及在垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二触摸组件820。每个第一触摸组件810可以包括第一触摸电极811和第一桥接电极812。例如，每个第一桥接电极812可以在第一方向上连接第一触摸电极811。每个第二触摸组件820可以包括第二触摸电极821和第二桥接电极822。例如，每个第二桥接电极822可以在第二方向上连接第二触摸电极821。第二触摸电极821可以设置在第一触摸电极811之间。每个第二桥接电极822可以与一个第一桥接电极812相交。第二桥接电极822可以与第一桥接电极812绝缘。例如，第二桥接电极822可以设置在不同于第一桥接电极812的层上。触摸绝缘层830可以设置在第一桥接电极812和第二桥接电极822之间。触摸绝缘层830可以包括绝缘材料。例如，触摸绝缘层830可以包括无机绝缘材料，例如硅氧化物(SiO)和硅氮化物(SiN)。第二触摸电极821可以设置在与第一触摸电极811相同的层上。例如，第一触摸电极811、第二触摸电极821和第二桥接电极822可以设置在覆盖第一桥接电极812的触摸绝缘层830上。触摸绝缘层830可以包括部分地暴露每个第一桥接电极812的触摸接触孔。每个第一触摸电极811可以经由触摸接触孔中的一个连接到对应的第一桥接电极812。
设置在每个触摸组件810和820的最外的触摸电极811和821可以连接到链接线850中的一条。链接线850可以沿着封装元件700的表面延伸超过显示区域AA。链接线850可以包括导电材料。例如，链接线850可以包括金属，例如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)。链接线850可以包括与触摸电极811和821相同的材料。例如，链接线850可以通过与触摸电极811和821相同的工艺形成。链接线850可以设置在与触摸电极811和821相同的层上。例如，链接线850可以包括设置在触摸绝缘层830上的区域。每条链接线850可以与触摸电极811和821中的一个直接接触。
触摸缓冲层800可以设置在封装元件700和触摸结构810和820之间。触摸缓冲层800可以防止由于形成触摸电极811和821以及桥接电极812和822的工艺而导致的封装元件700和发光器件600的损坏。例如，封装结构700朝向触摸结构810和820的表面可以被触摸缓冲层800完全覆盖。触摸缓冲层800可以沿着第三封装层730延伸。例如，触摸缓冲层800可以延伸超过封装坝106。触摸缓冲层800可以包括绝缘材料。例如，触摸缓冲层800可以包括无机绝缘材料，例如硅氧化物(SiO)和硅氮化物(SiN)。
覆盖绝缘层890可以设置在触摸结构810和820上。覆盖绝缘层890可以防止触摸结构810和820由于外部冲击和湿气而损坏。例如，触摸结构810和820可以被覆盖绝缘层890完全覆盖。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以通过覆盖绝缘层890来减轻外部冲击。覆盖绝缘层890可以包括绝缘材料。例如，覆盖绝缘层890可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。覆盖绝缘层890可以延伸超过触摸结构810和820。例如，覆盖绝缘层890可以包括与发光器件600交叠的区域。覆盖绝缘层890可以延伸超过显示区域AA。例如，封装坝106可以被覆盖绝缘层890覆盖。
弯曲区域BA可以是其中器件基板100弯曲的区域。弯曲区域BA可以具有相对较薄的厚度。例如，器件缓冲层110、第一栅极绝缘层212、第一层间绝缘层214、第一下钝化层120、第二下钝化层130、分离绝缘层140、第二层间绝缘层224和第三下钝化层150可以暴露器件基板100的弯曲区域BA。例如，器件基板100的弯曲区域BA可以与第一外覆层160直接接触。
防裂层410可以设置在弯曲区域BA的第一外覆层160上。防裂层410可以防止器件基板100由于外部冲击而损坏。例如，防裂层410可以包括与弯曲区域BA交叠的区域和设置在弯曲区域BA外部的区域。防裂层410可以包括绝缘材料。例如，防裂层410可以包括有机绝缘材料。防裂层410可以包括与第二外覆层170相同的材料。例如，防裂层410可以通过与第二外覆层170相同的工艺形成。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以提高工艺效率。防裂层410可以与封装元件700隔开。封装坝106可以设置在封装元件700和防裂层410之间。例如，封装坝106可以与防裂层410隔开。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，由于弯曲应力导致的防裂层410的损坏不会影响显示区域AA。
焊盘104和804可以设置在焊盘区域PD上。焊盘104和804可以在第一方向上并排设置。焊盘104和804可以包括电连接到信号线GL、DL、VDD和VSS的显示焊盘104以及电连接到触摸结构810和820的触摸焊盘804。焊盘区域PD可以通过连接电极900连接到显示区域AA。例如，每个显示焊盘104可以通过连接电极900中的一个连接到信号线GL、DL、VDD和VSS中的一条，并且每个触摸组件810和820可以通过连接电极900中的一个和链接线850中的一条连接到触摸焊盘804中的一个。
焊盘区域PD可以设置在显示区域AA的一侧。例如，焊盘区域PD可以在第二方向上与显示区域AA并排设置。弯曲区域BA可以设置在显示区域AA和焊盘区域PD之间。例如，连接电极900可以跨越弯曲区域BA。连接电极900可以设置在第一外覆层160上。例如，第一外覆层160可以在焊盘区域PD上延伸。
每个连接电极900可以具有多层结构。例如，每个连接电极900可以具有下连接电极910和上连接电极920的层叠结构。下连接电极910可以设置在器件基板100和上连接电极920之间。例如，上连接电极920可以包括与下连接电极910交叠的区域。下连接电极910和上连接电极920可以包括导电材料。例如，下连接电极910和上连接电极920可以包括金属，例如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以防止由于弯曲应力和外部冲击而导致的每个连接电极900的断开。
下连接电极910可以设置在第一外覆层160和防裂层410之间。例如，第一外覆层160可以在器件基板100的弯曲区域BA与下连接电极910之间延伸。下连接电极910可以包括与中间接触电极510相同的材料。例如，下连接电极910可以通过与中间接触电极510相同的工艺形成。
上连接电极920可以设置在防裂层410上。上连接电极920可以包括与触摸电极811和821相同的材料，触摸电极811和821是设置在每个像素区域PA的最上面的导电层。例如，触摸缓冲层800可以在防裂层410和上连接电极920之间延伸。上连接电极920可以与链接线850中的一条直接接触。例如，触摸电极811和821、链接线850和每个连接电极900的上连接电极920可以同时形成。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以防止由于图案化导电层的工艺而导致的上连接电极920的损坏。此外，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以防止由于后续工艺产生的导电残余层而导致的相邻上连接电极920之间的意外连接。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，显示区域AA可以稳定地连接到焊盘区域PD。
上连接电极920可以连接到下连接电极910。例如，中间连接电极930可以设置在每个连接电极900的下连接电极910和上连接电极920之间。中间连接电极930可以包括导电材料。例如，中间连接电极930可以包括金属，例如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)。中间连接电极930可以穿透防裂层410。例如，防裂层410可以包括部分地暴露每个连接电极900的下连接电极910的连接接触孔，并且每个连接电极900的中间连接电极930可以包括设置在连接孔中的一个中的区域。中间连接电极930可以包括与每个发光器件600的第一发光电极610相同的材料。例如，弯曲区域BA上的触摸缓冲层800可以部分地暴露每个中间连接电极930，并且每个连接电极900的上连接电极920可以与对应中间连接电极930的由触摸缓冲层800暴露的区域直接接触。连接接触孔可以设置在弯曲区域BA的外部。例如，每个连接电极900的中间连接电极930可以在弯曲区域BA的外部穿透防裂层410。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以防止由于弯曲应力和外部冲击导致的中间连接电极930的变形和损坏。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，显示区域AA可以稳定地连接到焊盘区域PD。
孔外围区域HA可以设置在像素区域PA之间。孔外围区域HA可以设置在显示区域AA中。孔外围区域HA可以包括其中设置有基板孔CH的孔区域CA和包围孔区域CA的分离区域SA。基板孔CH可以穿透器件基板100。至少一个分离器件300可以设置在分离区域SA上。例如，基板孔CH可以设置在发光器件600之间，并且分离器件300可以设置在发光器件600和基板孔CH之间。分离器件300可以部分地分离每个发光器件600的发光层620和第二发光电极630。例如，分离器件300可以包括至少一个底切结构UC。因此，根据本发明的实施方式的显示装置可以防止通过基板孔CH引入的湿气渗透到像素区域PA中。可以通过形成每个像素区域PA的驱动电路和发光器件600的工艺来形成分离器件300。例如，分离器件300可以具有器件缓冲层110、第一栅极绝缘层212、第一层间绝缘层214、第一下钝化层120、第二下钝化层130、分离绝缘层140、第二层间绝缘层224和第三下钝化层150的层叠结构。分离器件300还可以包括在第三下钝化层150上的分离盖420。分离盖420可以包括与第二外覆层170相同的材料。例如，分离盖420可以与第二外覆层170同时形成。分离器件300可以与每个像素区域PA的驱动电路和发光器件600隔开。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以防止湿气穿过分离器件300的渗透。
器件基板100可以包括选通驱动器区域GIP。选通驱动器可以设置在选通驱动器区域GIP上。选通驱动器区域GIP可以与显示区域AA、弯曲区域BA和焊盘区域PD隔开。例如，选通驱动器区域GIP可以在第一方向上与显示区域AA并排设置。选通驱动器区域GIP可以通过选通线(GL)电连接到显示区域AA。例如，选通驱动器可以将选通信号施加到显示区域AA的每个像素区域PA。选通驱动器可以包括至少一个第三薄膜晶体管250。选通驱动器区域GIP上的第三薄膜晶体管250可以具有与每个像素区域PA的第一薄膜晶体管210和第二薄膜晶体管220相同的结构。例如，第三薄膜晶体管250可以包括第三半导体图案251、第三栅极绝缘层252、第三栅电极253、第三层间绝缘层254、第三源电极255和第三漏电极256。第三薄膜晶体管250可以与每个像素区域PA的驱动电路同时形成。例如，可以通过形成每个像素区域PA的第一半导体图案211、第一栅极绝缘层212、第一栅电极213和第一层间绝缘层214的工艺来形成第三薄膜晶体管250的第三半导体图案251、第三栅极绝缘层252、第三栅电极253和第三层间绝缘层254。第三薄膜晶体管250的第三半导体图案251可以包括与每个像素区域PA的第一半导体图案211相同的材料。例如，第三薄膜晶体管250的第三半导体图案251可以包括LTPS。第三薄膜晶体管250的第三栅极绝缘层252可以包括与每个像素区域PA的第一栅极绝缘层212相同的材料。第三薄膜晶体管250的第三栅电极253可以包括与每个像素区域PA的第一栅电极213相同的材料。第三薄膜晶体管250的第三层间绝缘层254可以包括与每个像素区域PA的第一层间绝缘层214相同的材料。可以通过不同于每个像素区域PA的第一源电极215和第一漏电极216的工艺形成第三薄膜晶体管250的第三源电极255和第三漏电极256。例如，可以通过与每个像素区域PA的中间源电极265和中间漏电极266相同的工艺形成第三薄膜晶体管250的第三源电极255和第三漏电极256。每个像素区域PA的第一下钝化层120、第二下钝化层130、分离绝缘层140、第二层间绝缘层224和第三下钝化层150可以在第三层间绝缘层254与第三源电极255之间以及第三层间绝缘层254与第三漏电极256之间延伸。第一外覆层160、第二外覆层170和堤绝缘层180可以在第三薄膜晶体管250上延伸。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以提高工艺效率。
图4A-图17A、图4B-图17B和图4C-图17C是顺序示出形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法的视图。
将参照图1、图3A-图17A、图3B-图17B和图3C-图17C描述形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法。首先，如图4A至图4C所示，形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法可以包括：制备包括像素区域PA、选通驱动器区域GIP、孔外围区域HA、弯曲区域BA和焊盘区域PD的器件基板100的步骤；在器件基板100上形成器件缓冲层110的步骤；在器件缓冲层110的选通驱动器区域GIP上形成第三半导体图案251、第三栅极绝缘层252、第三栅电极253和第三层间绝缘层254的步骤；在器件缓冲层110的像素区域PA上形成第一薄膜晶体管210和存储电容器230的步骤；在形成有第一薄膜晶体管210、存储电容器230和第三层间绝缘层254的器件基板100上层叠第一下钝化层120、第二下钝化层130和分离绝缘层140的步骤；在像素区域PA的分离绝缘层140上形成第二半导体图案221、第二栅极绝缘层222和第二栅电极223的步骤；以及在形成有第二栅电极223的器件基板100上层叠第二层间绝缘层224和第三下钝化层150的步骤。
孔外围区域HA可以包括通过后续工艺形成有基板孔CH的孔区域CA和设置在孔区域CA外部的分离区域SA。
器件基板100可以形成为多层结构。例如，制备器件基板100的步骤可以包括在第一基板层101上顺序层叠基板绝缘层102和第二基板层103的步骤。
器件缓冲层110可以形成为多层结构。例如，形成器件缓冲层110的步骤可以包括：在器件基板100上形成第一缓冲层111的步骤；以及在第一缓冲层111上形成第二缓冲层112的步骤。第二缓冲层112可以由不同于第一缓冲层111的材料形成。器件缓冲层110可以形成在器件基板100的整个表面上。例如，器件基板100的像素区域PA、选通驱动器区域GIP、孔外围区域HA、弯曲区域BA和焊盘区域PA可以被器件缓冲层110覆盖。
形成第一薄膜晶体管210的步骤可以包括：在器件缓冲层110上形成第一半导体图案211的步骤；形成覆盖第一半导体图案211的第一栅极绝缘层212的步骤；在第一栅极绝缘层212上形成第一栅电极213的步骤；形成覆盖第一栅电极213的第一层间绝缘层214的步骤；以及在第一层间绝缘层214上形成第一源电极215和第一漏电极216的步骤。存储电容器230可以形成为第一存储电极231和第二存储电极232的层叠结构。存储电容器230可以与第一薄膜晶体管210同时形成。例如，形成第一薄膜晶体管210和存储电容器230的步骤可以包括：在第一栅极绝缘层212上形成第一栅电极213和第一存储电极231的步骤；以及在第一层间绝缘层214上形成第一源电极215、第一漏电极216和第二存储电极232的步骤。
可以通过使用形成第一薄膜晶体管210的工艺来形成第三半导体图案251、第三栅极绝缘层252、第三栅电极253和第三层间绝缘层254。例如，第三半导体图案251、第三栅极绝缘层252、第三栅电极253和第三层间绝缘层254可以分别与第一半导体图案211、第一栅极绝缘层212、第一栅电极213和第一层间绝缘层214同时形成。例如，第三半导体图案251可以包括与第一半导体图案211相同的材料。第一栅极绝缘层212和第一层间绝缘层214可以层叠在器件基板100的孔外围区域HA、弯曲区域BA和焊盘区域PD上。
第二栅极绝缘层222可以通过图案化工艺暴露第二半导体图案221的第二源极区和第二漏极区。第二半导体图案221的第二源极区和第二漏极区可以通过图案化第二栅极绝缘层222的工艺而导电。例如，第二半导体图案221的第二源极区和第二漏极区可以与在图案化第二栅极绝缘层222的工艺中使用的蚀刻剂直接接触。
如图5A至图5C所示，形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法可以包括：通过图案化第二层间绝缘层224和第三下钝化层150来形成第二源极接触孔和第二漏极接触孔的步骤。
第二源极接触孔可以部分地暴露像素区域PA中的第二半导体图案221的第二源极区。第二漏极接触孔可以部分地暴露像素区域PA中的第二半导体图案221的第二漏极区。可以通过形成第二源极接触孔和第二漏极接触孔的工艺来去除器件基板100的弯曲区域BA和焊盘区域PD上的第二层间绝缘层224和第三下钝化层150。例如，形成第二源极接触孔和第二漏极接触孔的步骤可以包括：暴露器件基板100的弯曲区域BA和焊盘区域PD上的分离绝缘层140的步骤。
如图6A至图6C所示，形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法可以包括：通过图案化第三层间绝缘层254、第一下钝化层120、第二下钝化层130、分离绝缘层140、第二层间绝缘层224和第三下钝化层150来形成第一中间接触孔、第二中间接触孔、存储接触孔、第三源极接触孔和第三漏极接触孔的步骤。
第一中间接触孔可以部分地暴露第一源电极215。第二中间接触孔可以部分地暴露第一漏电极216。存储接触孔可以部分地暴露第一存储电极231。第三源极接触孔可以部分地暴露第三半导体图案251的第三源极区。第三漏极接触孔可以部分地暴露第三半导体图案251的第三漏极区。例如，第一中间接触孔、第二中间接触孔、存储接触孔、第三源极接触孔和第三漏极接触孔可以同时形成。
如图7A至图7C所示，形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法可以包括：在形成有第一中间接触孔、第二中间接触孔、存储接触孔、第三源极接触孔和第三漏极接触孔的器件基板100上形成中间源电极265、中间漏电极266、第二源电极225、第二漏电极226、第三源电极255和第三漏电极256的步骤。
中间源电极265可以经由第一中间接触孔连接到第一源电极215。中间漏电极266可以经由第二中间接触孔连接到第一漏电极216。第二源电极225可以经由第二源极接触孔连接到第二半导体图案221的第二源极区。第二漏电极226可以经由第二漏极接触孔连接到第二半导体图案221的第二漏极区，并且经由存储接触孔连接到第一存储电极231。第三源电极255可以经由第三源极接触孔连接到第三半导体图案251的第三源极区。第三漏电极256可以经由第三漏极接触孔连接到第三半导体图案251的第三漏极区。中间源电极265、中间漏电极266、第二源电极225、第二漏电极226、第三源电极255和第三漏电极256可以同时形成。例如，形成中间源电极265、中间漏电极266、第二源电极225、第二漏电极226、第三源电极255和第三漏电极256的步骤可以包括：在形成有第一中间接触孔、第二中间接触孔、存储接触孔、第三源极接触孔和第三漏极接触孔的器件基板100上形成导电层的步骤；以及通过使用掩模图案来图案化导电层的步骤。
如图8A至图8C所示，形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法可以包括：在形成有中间源电极265、中间漏电极266、第二源电极225、第二漏电极226、第三源电极255和第三漏电极226的器件基板100的分离区域SA上形成至少一个分离器件300的步骤。
形成分离器件300的步骤可以包括：图案化层叠在器件基板100的分离区域SA上的器件缓冲层110、第一栅极绝缘层212、第一层间绝缘层214、第一下钝化层120、第二下钝化层130、分离绝缘层140、第二层间绝缘层224和第三下钝化层150的步骤。可以通过形成分离器件300的工艺来去除器件基板100的孔区域CA、弯曲区域BA和焊盘区域PD上的器件缓冲层110、第一栅极绝缘层212、第一层间绝缘层214、第一下钝化层120、第二下钝化层130、分离绝缘层140、第二层间绝缘层224和第三下钝化层150。例如，形成分离器件300的步骤可以包括：暴露器件基板100的孔区域CA、弯曲区域BA和焊盘区域PD的步骤。最靠近孔区域CA设置的分离器件300的一侧可以具有相对平缓的坡度。
如图9A至图9C所示，形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法可以包括：在形成有分离器件300的器件基板100的像素区域PA、选通驱动器区域GIP、弯曲区域BA和焊盘区域PD上形成第一外覆层160的步骤；以及在第一外覆层160中形成第一电极接触孔的步骤。
器件基板100的弯曲区域BA和焊盘区域PD可以与第一外覆层160直接接触。第一电极接触孔可以部分地暴露像素区域PA的中间漏电极266。第一外覆层160可以不形成在分离器件300上。例如，形成第一电极接触孔的步骤可以包括：去除器件基板100的孔外围区域HA上的第一外覆层160的步骤。
如图10A至图10C所示，形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法可以包括：在形成有第一电极接触孔的器件基板100上形成中间接触电极510和下连接电极910的步骤。
中间接触电极510可以形成在像素区域PA上。中间接触电极510可以经由第一电极接触孔连接到中间漏电极266。下连接电极910可以包括与弯曲区域BA交叠的区域。例如，下连接电极910可以跨越弯曲区域BA。下连接电极910可以与中间接触电极510同时形成。例如，形成中间接触电极510和下连接电极910的步骤可以包括：在形成有第一电极接触孔的器件基板100上形成导电层的步骤；以及图案化导电层的步骤。
如图11A至图11C所示，形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法可以包括：在形成有中间接触电极510和下连接电极910的器件基板100上形成第二外覆层170、封装坝106、防裂层410和分离盖420的步骤。
第二外覆层170可以包括部分地暴露中间接触电极510的第二电极接触孔。防裂层410可以包括暴露下连接电极910的一部分的连接接触孔。防裂层410可以与封装坝106隔开。分离盖420可以形成在分离区域SA上。例如，分离盖420可以构成分离器件300。分离器件300可以与第二外覆层170、封装坝106和防裂层410隔开。第二外覆层170、封装坝106、防裂层410和分离盖420可以同时形成。例如，形成第二外覆层170、封装坝106、防裂层410和分离盖420的步骤可以包括：在形成有中间接触电极510和下连接电极910的器件基板100上形成有机绝缘材料层的步骤；以及通过使用掩模图案来图案化有机绝缘材料层的步骤。
如图12A至图12C所示，形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法可以包括：在形成有第二外覆层170、封装坝106、防裂层410和分离盖420的器件基板100的像素区域PA、弯曲区域BA和焊盘区域PD上形成发光电极层610a的步骤。
发光电极层610a可以不形成在器件基板100的孔外围区域HA上。例如，形成发光电极层610a的步骤可以包括：在形成有第二外覆层170、封装坝106、防裂层410和分离盖420的器件基板100上形成导电层的步骤；以及去除器件基板100的孔外围区域HA上的发光电极层610a的步骤。可以通过形成发光电极层610a的工艺而去除在形成中间接触电极510和下连接电极910的工艺中留下的器件基板100的孔外围区域HA上的导电残余层。
发光电极层610a可以包括第一电极区611和厚度比第一电极区611更薄的第二电极区612。第一电极区611可以与通过后续工艺形成的第一发光电极610和中间连接电极930交叠。例如，第二电极接触孔和连接接触孔可以由第一电极区611填充。
如图13A至图13C所示，形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法可以包括：在分离器件300中形成至少一个底切结构UC的步骤。
形成分离器件300的底切结构UC的步骤可以包括：部分地蚀刻构成分离器件300的器件缓冲层110、第一栅极绝缘层212、第一层间绝缘层214、第一下钝化层120、第二下钝化层130、分离绝缘层140、第二层间绝缘层224和第三下钝化层150中的一些(使用其蚀刻选择性)的步骤。例如，形成分离器件300的底切结构UC的步骤可以包括：蚀刻由硅氮化物(SiN)形成的第二下钝化层130和第三下钝化层150的边缘的步骤。可以通过使用发光电极层610a作为掩模图案来执行形成分离器件300的底切结构UC的步骤。因此，在形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法中，可以在不影响器件基板100的像素区域PA、弯曲区域BA和焊盘区域PD的情况下，形成分离器件300的底切结构UC。因此，在形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法中，可以提高工艺效率。
如图14A至图14C所示，形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法可以包括：在器件基板100上形成第一发光电极610和中间连接电极930的步骤。
第一发光电极610可以形成在器件基板100的像素区域PA上。中间连接电极930可以包括在穿透防裂层410的连接接触孔中的区域。例如，形成第一发光电极610和中间连接电极930的步骤可以包括：去除发光电极层610a的第二电极区612的步骤。因此，在形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法中，可以在不形成新掩模图案的情况下形成第一发光电极610和中间连接电极930。
如图15A至图15C所示，形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法可以包括：在器件基板100的像素区域PA上形成发光器件600的步骤。
形成发光器件600的步骤可以包括：形成覆盖第一发光电极610的边缘的堤绝缘层180的步骤；以及在由堤绝缘层180暴露的第一发光电极610的一部分上层叠发光层620和第二发光电极630的步骤。发光层620和第二发光电极630可以不形成在器件基板100的孔区域CA、弯曲区域BA和焊盘区域PD上。例如，形成发光层620和第二发光电极630的步骤可以包括：暴露器件基板100的孔区域CA、弯曲区域BA和焊盘区域PD的步骤。在器件基板100的分离区域SA中，发光层620和第二发光电极630可以由具有底切结构UC的分离器件300部分地分离。
如图16A至图16C所示，形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法可以包括：在像素区域PA上形成覆盖发光器件600的封装元件700的步骤；在封装元件700上形成触摸缓冲层800的步骤；以及通过图案化触摸缓冲层800来部分地暴露中间连接电极930的步骤。
封装元件700可以不形成在器件基板100的孔区域CA、弯曲区域BA和焊盘区域PD上。触摸缓冲层800可以不形成在器件基板100的孔区域CA上。例如，部分地暴露中间连接电极930的步骤可以包括：去除器件基板100的孔区域CA上的封装元件700和触摸缓冲层800的步骤。
如图1和图17A至图17C所示，形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法可以包括：在形成有触摸缓冲层800的器件基板100上形成触摸结构810和820、链接线850和上连接电极920的步骤。
触摸结构810和820可以包括第一触摸电极811、第一桥接电极812、第二触摸电极821和第二桥接电极822。第二桥接电极822可以与第一桥接电极812绝缘。例如，形成触摸结构810和820的步骤可以包括：在触摸缓冲层800上形成第一桥接电极812的步骤；形成覆盖第一桥接电极812的触摸绝缘层830的步骤；形成部分地暴露第一桥接电极812的触摸接触孔的步骤；以及形成连接到第一桥接电极812的第一触摸电极811、与第一触摸电极811并排设置的第二触摸电极821以及具有与第一桥接电极812交叠的区域的第二桥接电极822的步骤。
触摸绝缘层830可以不形成在器件基板100的孔区域CA、弯曲区域BA和焊盘区域PD上。例如，形成触摸绝缘层830的步骤可以包括：暴露器件基板100的孔区域CA、弯曲区域BA和焊盘区域PD的步骤。
链接线850可以与上连接电极920直接接触。触摸电极811和821、链接线850和上连接电极920可以由相同的材料形成。例如，形成触摸电极811和821、链接线850和上连接电极920的步骤可以包括：在形成有触摸绝缘层830的器件基板100上形成导电层的步骤；以及图案化导电层的步骤。
上连接电极920可以连接到由触摸缓冲层800暴露的中间连接电极930的一部分。上连接电极920可以跨越弯曲区域BA。例如，上连接电极920可以包括与下连接电极910交叠的区域。下连接电极910、上连接电极920和中间连接电极930可以构成跨过弯曲区域BA将显示区域AA电连接到焊盘区域PD的连接电极900。因此，在形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法中，可以有效地防止由于弯曲应力和外部冲击而导致的连接电极900的断开。
如图1和图3A至图3C所示，形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法可以包括：形成覆盖触摸结构810和820、链接线850和上连接电极920的覆盖绝缘层890的步骤；通过图案化覆盖绝缘层890在焊盘区域PD中限定焊盘104和804的步骤；以及在器件基板100的孔区域CA处形成基板孔CH的步骤。
因此，根据本发明的实施方式的显示装置及其形成方法可以包括跨过弯曲区域BA将显示区域AA连接到焊盘区域PD的连接电极900，其中连接电极900可以具有下连接电极910和上连接电极920的层叠结构，并且其中上连接电极920可以与作为设置在像素区域PA的最上面的导电层的触摸电极811和821同时形成。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置及其形成方法中，可以防止由于图案化导电层的工艺而导致的上连接电极920的损坏。此外，在根据本发明的实施方式的显示装置及其形成方法中，可以防止由于后续工艺所产生的导电残余层而导致的相邻上连接电极920之间的意外连接。此外，在根据本发明的实施方式的显示装置及其形成方法中，可以通过形成第一发光电极610和中间连接电极930的工艺去除孔外围区域HA上的导电残余层。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置及其形成方法中，可以防止由于弯曲应力和外部冲击导致的连接电极900的断开，并且显示区域AA可以稳定地连接到焊盘区域PD。此外，在根据本发明的实施方式的显示装置及其形成方法中，可以提高工艺效率。
结果，根据本发明的实施方式的显示装置及其形成方法可以包括跨过弯曲区域的连接电极，其中连接电极可以具有下连接电极和上连接电极的层叠结构，并且上连接电极可以包括与覆盖发光器件的封装元件上的触摸电极相同的材料。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置及其形成方法中，可以防止由于弯曲应力和外部冲击导致的连接电极的断开。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置及其形成方法中，显示区域AA可以通过连接电极稳定地连接到焊盘区域PD。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年12月31日提交的韩国专利申请No.10-2019-0180184和2020年11月27日提交的韩国专利申请No.10-2020-0162230的优先权权益，其通过引用结合于此，如同在此完全阐述一样。

Claims (22)

1.一种显示装置，该显示装置包括：
器件基板，所述器件基板包括显示区域和弯曲区域；
发光器件，所述发光器件在所述器件基板的所述显示区域上；
下连接电极，所述下连接电极在所述器件基板上，所述下连接电极跨越所述器件基板的所述弯曲区域；
防裂层，所述防裂层在所述下连接电极上，所述防裂层包括与所述弯曲区域交叠的区域；以及
上连接电极，所述上连接电极在所述防裂层上，所述上连接电极跨越所述弯曲区域，
其中，所述上连接电极包括与设置在所述显示区域的最上面的导电层相同的材料。
2.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括：
封装元件，所述封装元件在所述发光器件上；以及
触摸结构，所述触摸结构在所述封装元件上，所述触摸结构包括作为设置在所述显示区域的最上面的所述导电层的触摸电极。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述上连接电极包括与所述下连接电极交叠的区域。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述防裂层包括暴露所述下连接电极的一部分的连接接触孔，并且其中，所述上连接电极通过所述连接接触孔连接到所述下连接电极。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述连接接触孔设置在所述弯曲区域的外部。
6.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管在所述器件基板和所述发光器件之间；以及
中间接触电极，所述中间接触电极将所述发光器件连接到所述薄膜晶体管中的一个，
其中，所述下连接电极包括与所述中间接触电极相同的材料。
7.根据权利要求6所述的显示装置，该显示装置还包括将所述上连接电极连接到所述下连接电极的中间连接电极，
其中，所述中间连接电极包括与所述发光器件的第一发光电极相同的材料。
8.根据权利要求6所述的显示装置，该显示装置还包括：
第一外覆层，所述第一外覆层在所述薄膜晶体管和所述发光器件之间；以及
第二外覆层，所述第二外覆层在所述第一外覆层和所述发光器件之间，
其中，所述第一外覆层与所述器件基板的所述弯曲区域直接接触。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述防裂层包括与所述第二外覆层相同的材料，并且
所述下连接电极在所述第一外覆层和所述防裂层之间。
10.根据权利要求8所述的显示装置，该显示装置还包括：
封装坝，所述封装坝在所述第一外覆层上设置于所述显示区域和所述弯曲区域之间，并且所述封装坝包括与所述第二外覆层相同的材料。
11.一种显示装置，该显示装置包括：
器件基板，所述器件基板包括设置在显示区域和焊盘区域之间的弯曲区域；
发光器件，所述发光器件在所述器件基板的所述显示区域上；
封装元件，所述封装元件在所述器件基板上，所述封装元件覆盖所述发光器件；
触摸电极，所述触摸电极在所述封装元件上，所述触摸电极与所述显示区域交叠；
链接线，所述链接线连接到所述触摸电极，所述链接线沿着所述封装元件的表面延伸到所述显示区域外部；
防裂层，所述防裂层与所述封装元件隔开，所述防裂层包括与所述弯曲区域交叠的区域；以及
连接电极，所述连接电极跨过所述弯曲区域而电连接所述显示区域和所述焊盘区域，
其中，所述连接电极包括在所述器件基板和所述防裂层之间的下连接电极以及在所述防裂层上的上连接电极，并且
其中，所述触摸电极、所述链接线和所述上连接电极包括相同的材料。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述链接线与所述上连接电极直接接触。
13.根据权利要求11所述的显示装置，该显示装置还包括在所述器件基板的所述显示区域和所述发光器件之间的驱动电路，
其中，所述驱动电路包括连接到所述发光器件的第一薄膜晶体管以及连接到所述第一薄膜晶体管的第二薄膜晶体管，并且
其中，所述第二薄膜晶体管的第二半导体图案包括不同于所述第一薄膜晶体管的第一半导体图案的材料。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第二薄膜晶体管的所述第二半导体图案包括金属氧化物。
15.根据权利要求11所述的显示装置，该显示装置还包括：
驱动电路，所述驱动电路在所述器件基板的所述显示区域和所述发光器件之间；
第一外覆层，所述第一外覆层在所述器件基板和所述发光器件之间，所述第一外覆层覆盖所述驱动电路；以及
第二外覆层，所述第二外覆层在所述第一外覆层和所述发光器件之间，
其中，所述防裂层包括与所述第二外覆层相同的材料。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一外覆层与所述器件基板的所述弯曲区域直接接触，并且所述下连接电极在所述第一外覆层和所述防裂层之间。
17.根据权利要求15所述的显示装置，该显示装置还包括：
封装坝，所述封装坝在所述第一外覆层上设置于所述显示区域和所述弯曲区域之间，并且所述封装坝包括与所述第二外覆层相同的材料，
其中，所述封装坝设置在所述封装元件和所述防裂层之间。
18.根据权利要求13所述的显示装置，该显示装置还包括在所述器件基板上的选通驱动器，所述选通驱动器与所述显示区域、所述焊盘区域和所述弯曲区域隔开，
其中，所述选通驱动器至少包括第三薄膜晶体管，并且
其中，所述第三薄膜晶体管的第三半导体图案包括与所述第一薄膜晶体管的第一半导体图案相同的材料。
19.根据权利要求11所述的显示装置，该显示装置还包括在所述封装元件和所述触摸电极之间的触摸缓冲层，
其中，所述触摸缓冲层在所述封装元件和所述链接线之间以及所述防裂层和所述上连接电极之间延伸。
20.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述连接电极还包括连接所述下连接电极和所述上连接电极的中间连接电极，并且其中，所述中间连接电极在所述弯曲区域的外部穿透所述防裂层。
21.根据权利要求11所述的显示装置，该显示装置还包括：
基板孔，所述基板孔与所述发光器件间隔开，所述基板孔穿透所述器件基板；以及
分离器件，所述分离器件在所述发光器件和所述基板孔之间，
其中，所述分离器件具有至少一个底切结构。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，所述分离器件具有驱动电路中的多个绝缘层的层叠结构，并且通过利用所述多个绝缘层之间的蚀刻选择性来形成所述底切结构。
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